Продукція > tp6

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
TP65H035WSTransphormMOSFET 650V, 35mOhm
на замовлення 775 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1505.29 грн
10+1368.67 грн
120+1016.18 грн
510+922.99 грн
1020+868.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H035WSQATransphormDescription: GANFET N-CH 650V 47.2A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1528.41 грн
60+1219.76 грн
120+1143.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H035WSQATransphormMOSFET 650V, 35mOhm
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1605.16 грн
10+1459.97 грн
120+1083.84 грн
510+983.74 грн
1020+926.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H050G4BSRENESASDescription: RENESAS - TP65H050G4BS - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 34 A, 0.06 ohm, 16 nC, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 16nC
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperGaN Series
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1001.91 грн
5+789.29 грн
10+576.66 грн
50+516.78 грн
100+459.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H050G4BSRenesas Electronics CorporationDescription: 650 V 34 A GAN FET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 400 V
на замовлення 213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1015.06 грн
50+562.62 грн
100+522.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H050G4BSTransphormGaN FETs 650V, 50mOhm
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+943.12 грн
50+567.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H050G4QS-TRTransphormGaN FETs GaN FET 650 V 34A TOLL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H050G4QS-TRRENESASDescription: RENESAS - TP65H050G4QS-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 34 A, 0.06 ohm, 16 nC, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Ladung, typ.: 16nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: SuperGaN Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 1646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+531.56 грн
50+466.67 грн
100+418.35 грн
250+414.20 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H050G4QS-TRRenesas Electronics CorporationDescription: 650 V 34 A GAN FET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 400 V
на замовлення 1477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+661.69 грн
10+437.13 грн
100+328.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H050G4QS-TRRENESASDescription: RENESAS - TP65H050G4QS-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 34 A, 0.06 ohm, 16 nC, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 16nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: SuperGaN Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 1646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+759.49 грн
5+633.85 грн
10+531.56 грн
50+466.67 грн
100+418.35 грн
250+414.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H050G4QS-TRRenesas Electronics CorporationDescription: 650 V 34 A GAN FET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H050G4WSRENESASDescription: RENESAS - TP65H050G4WS - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 34 A, 0.06 ohm, 16 nC, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 16nC
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperGaN Series
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1188.77 грн
5+1168.63 грн
10+1147.69 грн
50+694.77 грн
100+600.60 грн
250+559.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H050G4WSRenesas Electronics CorporationDescription: 650 V 34 A GAN FET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 400 V
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+752.56 грн
30+430.97 грн
120+366.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H050G4WSTransphormGaN FETs GAN FET 650V 34A TO247
на замовлення 294 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1051.04 грн
30+670.04 грн
510+565.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H050G4YSTransphormGaN FETs GaN FET 650 V 35A TO-247-4
на замовлення 364 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1051.04 грн
10+758.17 грн
30+658.59 грн
270+565.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H050G4YSRENESASDescription: RENESAS - TP65H050G4YS - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 35 A, 0.06 ohm, 16 nC, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 16nC
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SuperGaN Series
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+940.70 грн
5+836.81 грн
10+732.11 грн
50+638.68 грн
100+551.58 грн
250+540.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H050G4YSRenesas Electronics CorporationDescription: 650 V 35 A GAN FET HIGH VOLTAGE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 400 V
на замовлення 1276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+689.65 грн
30+392.31 грн
120+332.58 грн
510+271.06 грн
1020+266.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H050WSTransphormDescription: GANFET N-CH 650V 34A TO247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 22A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
на замовлення 229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1111.36 грн
30+742.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H050WSTransphormMOSFET 650V, 50mOhm
на замовлення 342 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1331.32 грн
10+1205.92 грн
120+904.35 грн
510+787.68 грн
1020+751.09 грн
2520+732.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H050WSQATransphormGaN FETs 650V, 50mOhm
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1342.60 грн
10+1265.46 грн
30+762.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H050WSQATransphormDescription: GANFET N-CH 650V 36A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1307.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H070G4LSG-TRRenesas Electronics CorporationDescription: GANFET N-CH 650V 29A QFN8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 400 V
на замовлення 1509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+566.17 грн
10+370.42 грн
100+271.69 грн
500+250.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H070G4LSG-TRTransphormGaN FETs GAN FET 650V 29A QFN8x8
на замовлення 2756 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+691.84 грн
10+489.83 грн
100+334.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H070G4LSG-TRRENESASDescription: RENESAS - TP65H070G4LSG-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 29 A, 0.085 ohm, 8.4 nC, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 8.4nC
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperGaN Series
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+757.88 грн
5+643.51 грн
10+529.15 грн
50+444.23 грн
100+365.88 грн
250+358.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H070G4LSG-TRRenesas Electronics CorporationDescription: GANFET N-CH 650V 29A QFN8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H070G4LSG-TRRENESASDescription: RENESAS - TP65H070G4LSG-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 29 A, 0.085 ohm, 8.4 nC, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 8.4nC
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperGaN Series
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+529.15 грн
50+444.23 грн
100+365.88 грн
250+358.29 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H070G4LSGB-TRRENESASDescription: RENESAS - TP65H070G4LSGB-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 29 A, 0.085 ohm, 8.4 nC, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 8.4nC
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: SuperGaN Series
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 691 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+560.56 грн
50+468.91 грн
100+384.52 грн
250+376.93 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H070G4LSGB-TRRenesas Electronics CorporationDescription: GANFET N-CH 650V 29A QFN8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 700µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 400 V
на замовлення 2237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+556.07 грн
10+363.91 грн
100+266.63 грн
500+244.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H070G4LSGB-TRTransphormGaN FETs GAN FET 650V 29A QFN8x8
на замовлення 2821 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+757.88 грн
10+539.05 грн
100+374.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H070G4LSGB-TRRENESASDescription: RENESAS - TP65H070G4LSGB-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 29 A, 0.085 ohm, 8.4 nC, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 8.4nC
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: SuperGaN Series
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+544.45 грн
5+457.47 грн
10+369.68 грн
50+338.78 грн
100+307.89 грн
250+303.75 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H070G4LSGB-TRRenesas Electronics CorporationDescription: GANFET N-CH 650V 29A QFN8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 700µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H070G4LSGB-TRRenesas ElectronicsGaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN
на замовлення 2446 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+579.08 грн
10+387.42 грн
100+247.83 грн
500+241.62 грн
1000+221.60 грн
3000+205.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H070G4LSGBEA-TRRENESASDescription: RENESAS - TP65H070G4LSGBEA-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 29 A, 0.085 ohm, 11.9 nC, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 11.9nC
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: SuperGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+205.38 грн
500+179.49 грн
1000+161.54 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H070G4LSGBEA-TRRenesas Electronics CorporationDescription: 650V, 70MOHM GAN FET IN 8X8 PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 18A, 12V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 588 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H070G4LSGBEA-TRRENESASDescription: RENESAS - TP65H070G4LSGBEA-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 29 A, 0.085 ohm, 11.9 nC, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 11.9nC
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: SuperGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+294.78 грн
10+245.65 грн
100+205.38 грн
500+179.49 грн
1000+161.54 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H070G4LSGBEA-TRRenesas Electronics CorporationDescription: 650V, 70MOHM GAN FET IN 8X8 PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 18A, 12V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 588 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H070G4LSGEA-TRRENESASDescription: RENESAS - TP65H070G4LSGEA-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 29 A, 0.085 ohm, 11.9 nC, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 11.9nC
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+290.75 грн
10+242.42 грн
100+202.96 грн
500+177.25 грн
1000+159.47 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H070G4PSRenesas Electronics CorporationDescription: GANFET N-CH 650V 29A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 638 pF @ 400 V
на замовлення 1152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+529.66 грн
50+275.41 грн
100+252.74 грн
500+199.97 грн
1000+188.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H070G4PSRENESASDescription: RENESAS - TP65H070G4PS - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 29 A, 0.085 ohm, 9 nC, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 9nC
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperGaN Series
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+699.89 грн
5+621.77 грн
10+544.45 грн
50+433.02 грн
100+386.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H070G4PSTransphormGaN FETs GAN FET 650V 29A TO220
на замовлення 937 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+637.07 грн
50+369.16 грн
100+300.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H070G4QS-TRRenesas Electronics CorporationDescription: 650 V 29 A GAN FET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 400 V
на замовлення 1203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+511.02 грн
10+332.73 грн
100+242.60 грн
500+219.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H070G4QS-TRTransphormGaN FETs GaN FET 650 V 29A TOLL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H070G4QS-TRRENESASDescription: RENESAS - TP65H070G4QS-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 29 A, 0.085 ohm, 8.4 nC, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Ladung, typ.: 8.4nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: SuperGaN Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
на замовлення 1879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+380.15 грн
50+311.86 грн
100+271.30 грн
250+254.05 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H070G4QS-TRRenesas Electronics CorporationDescription: 650 V 29 A GAN FET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H070G4QS-TRRENESASDescription: RENESAS - TP65H070G4QS-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 29 A, 0.085 ohm, 8.4 nC, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 8.4nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: SuperGaN Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
на замовлення 1879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+505.79 грн
5+442.97 грн
10+380.15 грн
50+311.86 грн
100+271.30 грн
250+254.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H070G4RS-TRTransphormGaN FETs GaN FET 650 V 29A TOLT
на замовлення 1835 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+647.54 грн
10+457.28 грн
100+307.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H070G4RS-TRRENESASDescription: RENESAS - TP65H070G4RS-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 29 A, 0.085 ohm, 9 nC, TOLT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 9nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TOLT
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: SuperGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
на замовлення 1112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+557.34 грн
5+480.02 грн
10+401.89 грн
50+343.27 грн
100+280.28 грн
250+243.69 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H070G4RS-TRRenesas Electronics CorporationDescription: 650 V 29 A GAN FET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA
Supplier Device Package: TOLT
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 638 pF @ 400 V
на замовлення 1630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+563.06 грн
10+368.62 грн
100+270.36 грн
500+249.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H070G4RS-TRRENESASDescription: RENESAS - TP65H070G4RS-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 29 A, 0.085 ohm, 9 nC, TOLT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Ladung, typ.: 9nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TOLT
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: SuperGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
на замовлення 1112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+401.89 грн
50+343.27 грн
100+280.28 грн
250+243.69 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H070G4RS-TRRenesas Electronics CorporationDescription: 650 V 29 A GAN FET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA
Supplier Device Package: TOLT
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 638 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H070LDGTransphormDescription: GANFET N-CH 650V 25A 3PQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H070LDG-TRTransphormDescription: 650 V 25 A GAN FET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-PowerDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1068.65 грн
10+723.19 грн
100+550.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H070LDG-TRTransphormDescription: 650 V 25 A GAN FET
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-PowerDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H070LDG-TRTransphormGaN FETs 227-TP65H070LSG-TR
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+947.15 грн
10+680.37 грн
100+496.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H070LSGTransphormDescription: GANFET N-CH 650V 25A 3PQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H070LSG-TRRenesas Electronics CorporationDescription: GANFET N-CH 650V 25A PQFN88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 400 V
на замовлення 613 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1028.26 грн
10+696.12 грн
100+583.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H070LSG-TRRenesas ElectronicsGaN FETs GAN FET 650V 25A PQFN88
на замовлення 527 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+642.71 грн
10+553.34 грн
500+481.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H070LSG-TRRenesas Electronics CorporationDescription: GANFET N-CH 650V 25A PQFN88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H070LSG-TRTransphormGaN FETs GAN FET 650V 25A PQFN88
на замовлення 542 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+678.95 грн
10+583.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H100G4LSGB-TRTransphormDescription: Hi Volt FETs
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 65.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 1.8mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 818 pF @ 400 V
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+518.01 грн
10+336.92 грн
100+245.11 грн
500+193.34 грн
1000+192.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H100G4LSGB-TRRENESASDescription: RENESAS - TP65H100G4LSGB-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 18.9 A, 0.11 ohm, 14.4 nC, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 14.4nC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+204.57 грн
500+180.24 грн
1000+158.09 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H100G4LSGB-TRTransphormDescription: Hi Volt FETs
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 65.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 1.8mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 818 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H100G4LSGB-TRRENESASDescription: RENESAS - TP65H100G4LSGB-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 18.9 A, 0.11 ohm, 14.4 nC, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 14.4nC
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: SuperGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+382.56 грн
10+327.80 грн
100+273.03 грн
500+231.84 грн
1000+194.68 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H100G4PSRenesas ElectronicsGaN FETs 650V, 100mohm GaN FET in TO220
на замовлення 695 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+460.69 грн
10+347.72 грн
100+245.07 грн
500+217.46 грн
1000+186.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H100G4PSRENESASDescription: RENESAS - TP65H100G4PS - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 18.9 A, 0.11 ohm, 14.4 nC, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 14.4nC
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+595.99 грн
5+451.02 грн
10+333.43 грн
50+286.43 грн
100+253.36 грн
250+248.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H100G4PSRenesas Electronics CorporationDescription: Hi Volt FETs
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 65.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 1.8mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 818 pF @ 400 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+437.24 грн
50+223.03 грн
100+203.93 грн
500+159.97 грн
1000+149.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H150BG4JSGTransphormGaN FETs GAN FET 650V 13A QFN5x6
на замовлення 3996 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+318.13 грн
10+218.32 грн
100+140.14 грн
500+123.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H150BG4JSG-TRRENESASDescription: RENESAS - TP65H150BG4JSG-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 16 A, 0.18 ohm, 4.9 nC, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 4.9nC
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: SuperGaN Series
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+351.15 грн
10+233.57 грн
100+166.72 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H150BG4JSG-TRRenesas Electronics CorporationDescription: GANFET N-CH 650V 13A QFN5X6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 6V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H150BG4JSG-TRRENESASDescription: RENESAS - TP65H150BG4JSG-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 16 A, 0.18 ohm, 4.9 nC, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 4.9nC
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: SuperGaN Series
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+177.99 грн
500+157.05 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H150BG4JSG-TRRenesas Electronics CorporationDescription: GANFET N-CH 650V 13A QFN5X6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 6V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 400 V
на замовлення 929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+355.70 грн
10+227.58 грн
100+162.24 грн
500+135.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H150G4LSGRenesas Electronics CorporationDescription: GAN FET N-CH 650V PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 500µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 598 pF @ 400 V
на замовлення 2366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+333.95 грн
10+288.60 грн
100+236.48 грн
500+188.93 грн
1000+159.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H150G4LSGRenesas Electronics CorporationDescription: GAN FET N-CH 650V PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 500µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 598 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H150G4LSGTransphormGaN FETs GAN FET 650V 13A TO220
на замовлення 2062 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+368.87 грн
10+315.18 грн
25+265.78 грн
100+223.67 грн
250+216.77 грн
500+194.68 грн
1000+165.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H150G4LSG-TRTransphormMOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H150G4LSG-TRRenesas Electronics CorporationDescription: 650 V 13 A GAN FET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 500µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 598 pF @ 400 V
на замовлення 376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+391.42 грн
10+251.88 грн
100+181.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H150G4LSG-TRRenesas Electronics CorporationDescription: 650 V 13 A GAN FET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 598 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 8.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case: 3-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H150G4PSRENESASDescription: RENESAS - TP65H150G4PS - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 16 A, 0.18 ohm, 8 nC, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 8nC
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperGaN Series
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+339.88 грн
10+306.86 грн
100+273.84 грн
500+222.87 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H150G4PSTransphormGaN FETs GAN FET 650V 13A TO220
на замовлення 1145 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+584.72 грн
10+542.23 грн
50+280.97 грн
100+258.19 грн
250+257.50 грн
500+234.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H150G4PSRenesas ElectronicsGaN FETs GAN FET 650V 13A TO220
на замовлення 1125 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+489.68 грн
10+404.09 грн
100+293.39 грн
500+258.19 грн
1000+232.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H150G4PSRenesas Electronics CorporationDescription: GAN FET N-CH 650V TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 598 pF @ 400 V
на замовлення 1130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+373.56 грн
50+187.63 грн
100+170.99 грн
500+133.15 грн
1000+124.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H150LSGTransphormDescription: GANFET N-CH 650V 15A 3PQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H300G4JSGBTransphormMOSFETs Gan FET 650 V 6.5 A PQFN56
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 133-142 дні (днів)
2+240.81 грн
10+198.47 грн
25+162.92 грн
100+140.14 грн
250+132.55 грн
500+123.57 грн
1000+106.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H300G4JSGB-TRRenesas Electronics CorporationDescription: GANFET N-CH 650V 9.2A QFN5X6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 312mOhm @ 6.5A, 6V
Power Dissipation (Max): 41.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H300G4JSGB-TRRENESASDescription: RENESAS - TP65H300G4JSGB-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 9.2 A, 0.312 ohm, 3.5 nC, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.5nC
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: SuperGaN Series
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.312ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+126.45 грн
500+100.21 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H300G4JSGB-TRTransphormGaN FETs GAN FET 650V 9.2A QFN5x6
на замовлення 6909 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+270.61 грн
10+184.98 грн
100+117.36 грн
500+100.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H300G4JSGB-TRRenesas Electronics CorporationDescription: GANFET N-CH 650V 9.2A QFN5X6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 312mOhm @ 6.5A, 6V
Power Dissipation (Max): 41.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 400 V
на замовлення 3989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+305.22 грн
10+193.32 грн
100+136.52 грн
500+109.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H300G4JSGB-TRRENESASDescription: RENESAS - TP65H300G4JSGB-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 9.2 A, 0.312 ohm, 3.5 nC, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.5nC
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: SuperGaN Series
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.312ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+271.42 грн
10+178.80 грн
100+126.45 грн
500+100.21 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H300G4LSGTransphormDescription: GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN
на замовлення 139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+315.31 грн
10+272.75 грн
100+223.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H300G4LSG-TRRENESASDescription: RENESAS - TP65H300G4LSG-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 6.5 A, 0.312 ohm, 9.6 nC, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 9.6nC
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.312ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+340.68 грн
10+215.04 грн
100+154.64 грн
500+136.11 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H300G4LSG-TRRenesas ElectronicsGaN FETs 650V, 240mOhm
на замовлення 458 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+330.21 грн
10+219.91 грн
100+136.00 грн
500+119.43 грн
1000+115.29 грн
3000+108.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H300G4LSG-TRTransphormDescription: GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±18V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 21W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 312mOhm @ 5A, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-PowerDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+123.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H300G4LSG-TRRENESASDescription: RENESAS - TP65H300G4LSG-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 6.5 A, 0.312 ohm, 9.6 nC, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 9.6nC
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.312ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+154.64 грн
500+136.11 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H300G4LSG-TRTransphormGaN FETs 650V, 240mOhm
на замовлення 493 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+300.41 грн
10+205.62 грн
100+131.86 грн
500+113.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H300G4LSG-TRTransphormDescription: GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±18V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 21W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 312mOhm @ 5A, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-PowerDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+347.93 грн
10+215.76 грн
100+153.60 грн
500+119.14 грн
1000+113.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H300G4LSGBTransphormMOSFETs Gan FET 650 V 6.5 A PQFN88
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 133-142 дні (днів)
2+230.34 грн
10+190.53 грн
25+156.02 грн
100+133.93 грн
250+126.33 грн
500+118.74 грн
1000+102.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H300G4LSGB-TRTransphormGaN FETs GAN FET 650V 6.5A QFN8x8
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+261.75 грн
10+178.63 грн
100+113.91 грн
500+95.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H300G4LSGB-TRRenesas Electronics CorporationDescription: GANFET N-CH 650V 6.5A QFN8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 312mOhm @ 6.5A, 6V
Power Dissipation (Max): 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H300G4LSGB-TRRENESASDescription: RENESAS - TP65H300G4LSGB-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 6.5 A, 0.312 ohm, 5 nC, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 5nC
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: SuperGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.312ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+305.25 грн
10+206.18 грн
100+147.39 грн
500+128.63 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H300G4LSGB-TRRenesas Electronics CorporationDescription: GANFET N-CH 650V 6.5A QFN8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 312mOhm @ 6.5A, 6V
Power Dissipation (Max): 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 400 V
на замовлення 2992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+297.45 грн
10+188.54 грн
100+132.90 грн
500+105.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6  [ Наступна Сторінка >> ]