Продукція > IXF

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IXFN110N85XIXYSCategory: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 850V; 110A; SOT227B; screw; Idm: 220A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 110A
Power dissipation: 1.17kW
Case: SOT227B
On-state resistance: 33mΩ
Gate charge: 425nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 205ns
Pulsed drain current: 220A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Technology: HiPerFET™; X-Class
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Gate-source voltage: ±40V
Semiconductor structure: single transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN110N85XIXYSDescription: MOSFET N-CH 850V 110A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 1170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 850 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 425 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 25 V
на замовлення 204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5942.80 грн
10+4451.99 грн
100+4244.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN110N85XIXYSMOSFET Modules 850V X-Class HiPerFE Power MOSFET
на замовлення 157 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN110N85XLittelfuseTrans MOSFET N-CH 850V 110A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN110N85XN-Channel 850V 110A (Tc) 1170W (Tc) Chassis Mount SOT-227B Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN120N10IXYS
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN120N20IXYS
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN120N20IXYSMOSFET Modules 200V 120A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN120N20Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH Si 200V 120A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN120N20MOSFET N-CH 200V 120A SOT-227B Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN120N20Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH Si 200V 120A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN120N20IXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 120A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN120N20    06+
на замовлення 512 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN120N25IXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 120A SOT-227B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN120N60X3IXYSDescription: DISCRETE MOSFET 120A 600V X3 SOT
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN120N60X3LittelfuseMOSFETs MBLOC 600V 120A N-CH X3CLASS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN120N65X2IXYSMOSFET Modules 650V/108A Ultra Junction X2-Class
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN120N65X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 108A SOT227B
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3791.52 грн
10+2761.66 грн
50+2436.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN120N65X2Trans MOSFET N-CH 650V 108A 4-Pin SOT-227B Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN130N30IXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 130A SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN130N30IXYS07+;
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN130N30Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH Si 300V 130A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN130N30IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN130N30 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 130 A, 0.022 ohm, ISOTOP, Modul
Transistormontage: Modul
Drain-Source-Spannung Vds: 300
Dauer-Drainstrom Id: 130
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 700
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 700
Bauform - Transistor: ISOTOP
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.022
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN130N65X3LittelfuseLittelfuse MOSFET 130A 650V X3 SOT227B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN130N65X3LittelfuseMOSFETs MOSFET 130A 650V X3 SOT227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN130N90SKIXYSMOSFET MSFT SILICON CARBIDE MINI
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN130N90SKIXYSDescription: SICARBIDE-DISCRETE MOSFET SOT-22
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN132N50P3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 112A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN132N50P3IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN132N50P3 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 112A, 500V, 0.039 Ohm, 10V, 5V, SOT-227B
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 112A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.5kW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5kW
Produktpalette: Polar3 HiPerFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.039ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN132N50P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 112A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 112A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 1500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18600 pF @ 25 V
на замовлення 2199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3363.60 грн
10+2441.05 грн
50+2131.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN132N50P3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 112A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN132N50P3IXYSMOSFET Modules 500V 112A 0.039Ohm PolarP3 Power MOSFET
на замовлення 413 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN132N50P3IXYSCategory: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 500V; 112A; SOT227B; screw; Idm: 330A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 112A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 39mΩ
Pulsed drain current: 330A
Power dissipation: 1.5kW
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Gate charge: 250nC
на замовлення 276 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2606.80 грн
5+2343.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN140N20PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN140N20P - MOSFET-Transistor, PolarFET, n-Kanal, 140 A, 200 V, 0.018 ohm, 10 V, 5 V
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 680W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: ISOTOP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
на замовлення 452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN140N20PIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 115A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 680W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V
на замовлення 547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2437.08 грн
10+1729.07 грн
50+1466.03 грн
100+1320.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN140N20PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 115A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN140N20PIXYSMOSFET Modules 140 Amps 200V 0.018 Rds
на замовлення 423 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN140N20PIXYSCategory: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 200V; 115A; SOT227B; screw; Idm: 280A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 115A
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 680W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 18mΩ
Gate charge: 240nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 150ns
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Technology: HiPerFET™; Polar™
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN140N20PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 115A 4-Pin SOT-227B
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2030.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN140N20PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 115A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN140N20P.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFN140N20P. - MOSFET, N-CH, 200V, 140A, ISOTOP
tariffCode: 0
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 680W
SVHC: To Be Advised
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN140N25TIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 120A SOT227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN140N25TIXYSMOSFET Modules GigaMOS HiperFET Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN140N30PIXYSCategory: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 300V; 110A; SOT227B; screw; Idm: 300A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 110A
Electrical mounting: screw
On-state resistance: 24mΩ
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 700W
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Case: SOT227B
Reverse recovery time: 200ns
Gate charge: 185nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN140N30PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 110A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN140N30PIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 110A SOT-227B
на замовлення 948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2875.10 грн
10+2059.78 грн
50+1758.20 грн
100+1623.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN140N30PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN140N30P - MOSFET-Transistor, PolarFET, n-Kanal, 140 A, 300 V, 0.024 ohm, 10 V, 5 V
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700W
Bauform - Transistor: ISOTOP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN140N30PIXYSMOSFET Modules 140 Amps 300V 0.024 Ohm Rds
на замовлення 322 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN140N30PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 110A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN140N30PТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN140N60X3LittelfuseMOSFETs Discrete MOSFET 140A 600V X3 SOT227B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN140N60X3IXYSDescription: DISCRETE MOSFET 140A 600V X3 SOT
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN150N10IXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 150A SOT-227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN150N10IXYS07+;
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN150N10IXYSDiscrete Semiconductor Modules 150 Amps 100V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN150N15IXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 150A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN150N15IXYSMOSFET 150V 150A
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN150N65X2N-Channel 650V 145A (Tc) 1040W (Tc) Chassis Mount SOT-227B Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN150N65X2IXYSCategory: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 650V; 145A; SOT227B; screw; Idm: 300A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 145A
Electrical mounting: screw
On-state resistance: 17mΩ
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 1.04kW
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Case: SOT227B
Reverse recovery time: 190ns
Gate charge: 355nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN150N65X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 145A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 355 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21000 pF @ 25 V
на замовлення 2089 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4231.88 грн
10+3112.93 грн
50+2825.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN150N65X2IXYSMOSFET Modules 650V/145A Ultra Junction X2-Class
на замовлення 851 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN160N30TIXYSCategory: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 300V; 130A; SOT227B; screw; Idm: 444A
Technology: GigaMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 444A
Power dissipation: 900W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 19mΩ
Gate charge: 376nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Semiconductor structure: single transistor
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN160N30TIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 130A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 900W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 335 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 25 V
на замовлення 281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2521.73 грн
10+1799.37 грн
50+1531.41 грн
100+1399.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN160N30TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 130A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN160N30TIXYSMOSFET Modules TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 300V 130A
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN160N30T
Код товару: 162434
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN160N30TN-CH 300V 130A SOT227 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN1704IXYS
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN170N10IXYSDiscrete Semiconductor Modules 170 Amps 100V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN170N10IXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 170A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 515 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN170N10Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH Si 100V 170A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN170N10IXYS07+;
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN170N25X3IXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 170A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 85A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13500 pF @ 25 V
на замовлення 337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2303.50 грн
10+1641.95 грн
100+1451.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN170N25X3IXYSMOSFET Modules 250V/170A Ultra Junc tion X3-Class MOSFE
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN170N30PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 300V 138A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 138A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 85A, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 258 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 25 V
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3406.31 грн
10+2922.37 грн
100+2565.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN170N30PIXYSDiscrete Semiconductor Modules 138 Amps 300V 0.018 Rds
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN170N30PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 138A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN170N65X2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 650V 170A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN170N65X2N-Channel 650V 170A (Tc) 1170W (Tc) Chassis Mount SOT-227B Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN170N65X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 170A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 85A, 10V
Power Dissipation (Max): 1170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 434 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN170N65X2IXYSCategory: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 650V; 170A; SOT227B; screw; Idm: 340A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 170A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 13mΩ
Pulsed drain current: 340A
Power dissipation: 1.17kW
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 434nC
Reverse recovery time: 270ns
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN170N65X2IXYSMOSFET Modules 650V/170A miniBLOC SOT-227
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN170N65X2LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFN170N65X2 - MOSFET, N-CH, 650V, 170A, SOT-227
tariffCode: 0
Transistormontage: Module
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 1.17kW
Bauform - Transistor: SOT-227
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: HiPERFET X2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN180N07IXYS180A/70V/MOS/1U
на замовлення 133 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN180N07IXYSDescription: MOSFET N-CH 70V 180A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 480 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN180N07IXYSMOSFET Modules 180 Amps 70V 0.007 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN180N07miniBLOC, SOT-227B Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN180N10IXYSMOSFET Modules 180 Amps 100V 0.008 Rds
на замовлення 449 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN180N10Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN180N10IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN180N10 - Leistungs-MOSFET, HiPerFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 0.008 ohm, ISOTOP, Modul
Transistormontage: Modul
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 180
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 600
Bauform - Transistor: ISOTOP
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.008
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN180N10Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH Si 100V 180A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN180N10IXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN180N15PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 150A 4-Pin SOT-227B
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+2033.06 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN180N15PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN180N15P - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 150 A, 150 V, 0.011 ohm, 10 V, 5 V
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 680W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: ISOTOP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
на замовлення 1959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN180N15PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 150A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN180N15PIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 150A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 680W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN180N15PIXYSCategory: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 150V; 150A; SOT227B; screw; Idm: 380A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 150A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 11mΩ
Pulsed drain current: 380A
Power dissipation: 680W
Technology: HiPerFET™; PolarHT™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Gate charge: 240nC
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2109.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN180N15PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 150A 4-Pin SOT-227B
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+3173.57 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN180N15PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 150A 4-Pin SOT-227B
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+3282.86 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN180N15PIXYSMOSFET Modules 180 Amps 150V 0.011 Rds
на замовлення 1194 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.