Продукція > IXF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 30 33 36 39  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IXFN170N65X2N-Channel 650V 170A (Tc) 1170W (Tc) Chassis Mount SOT-227B Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN170N65X2LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFN170N65X2 - MOSFET, N-CH, 650V, 170A, SOT-227
tariffCode: 0
Transistormontage: Module
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 1.17kW
Bauform - Transistor: SOT-227
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: HiPERFET X2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4522.31 грн
5+3983.50 грн
10+3447.91 грн
25+3164.24 грн
50+2887.70 грн
100+2852.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN170N65X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 170A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 85A, 10V
Power Dissipation (Max): 1170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 434 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27000 pF @ 25 V
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3844.34 грн
10+2822.16 грн
100+2725.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN170N65X2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 650V 170A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN180N07miniBLOC, SOT-227B Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN180N07IXYSDescription: MOSFET N-CH 70V 180A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 480 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN180N07IXYSMOSFET Modules 180 Amps 70V 0.007 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN180N07IXYS180A/70V/MOS/1U
на замовлення 133 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN180N10IXYSMOSFET Modules 180 Amps 100V 0.008 Rds
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3807.12 грн
10+3189.06 грн
100+2431.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN180N10Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH Si 100V 180A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN180N10Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN180N10IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN180N10 - Leistungs-MOSFET, HiPerFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 0.008 ohm, ISOTOP, Modul
Transistormontage: Modul
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 180
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 600
Bauform - Transistor: ISOTOP
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.008
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN180N10IXYSMODULE
на замовлення 240 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN180N10IXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227B
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN180N15PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 150A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN180N15PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 150A 4-Pin SOT-227B
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+3173.57 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN180N15PIXYSCategory: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 150V; 150A; SOT227B; screw; Idm: 380A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Reverse recovery time: 200ns
Gate charge: 240nC
On-state resistance: 11mΩ
Technology: HiPerFET™; PolarHT™
Drain current: 150A
Pulsed drain current: 380A
Drain-source voltage: 150V
Power dissipation: 680W
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2109.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN180N15PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 150A 4-Pin SOT-227B
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+3282.86 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN180N15PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN180N15P - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 150 A, 150 V, 0.011 ohm, 10 V, 5 V
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 680W
Bauform - Transistor: ISOTOP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2056.99 грн
5+1781.54 грн
10+1506.09 грн
50+1373.09 грн
100+1243.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN180N15PIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 150A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 680W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 25 V
на замовлення 923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1939.25 грн
10+1366.96 грн
100+1164.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN180N15PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 150A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN180N15PIXYSMOSFET Modules 180 Amps 150V 0.011 Rds
на замовлення 1194 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2095.64 грн
10+1795.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN180N15PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 150A 4-Pin SOT-227B
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+2033.06 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN180N20SOT-227B, HiPerFET, N-Channel MOSFET, Id=180A, Vdss=200V, -55...+150 Транзистори
на замовлення 176 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
1+3105.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN180N20IXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 180A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 660 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN180N20
Код товару: 47824
Додати до обраних Обраний товар
IxysТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: miniBLOC
Напруга сток-витік Uds, V: 200 V
Струм стоку Idd, A: 180 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 12,5 mOhm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 660/22
товару немає в наявності
1+275.00 грн
10+253.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN180N20IXYSMOSFET Modules 200V 180A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN180N20Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH Si 200V 180A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN180N25TIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN180N25T - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 168A, 250V, 0.0129 Ohm, 10V, 5V, SOT-227B
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 168A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 900W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900W
Produktpalette: GigaMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0129ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0129ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2355.79 грн
5+2061.01 грн
10+1708.25 грн
50+1421.70 грн
100+1211.55 грн
200+1130.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN180N25TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 168A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN180N25TN-CH 250V 168A SOT-227 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN180N25TIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 168A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 168A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.9mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 900W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 345 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 25 V
на замовлення 251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2333.01 грн
10+1659.60 грн
100+1387.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN180N25TIXYSCategory: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 250V; 168A; SOT227B; screw; Idm: 500A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Reverse recovery time: 200ns
Gate charge: 364nC
On-state resistance: 12.9mΩ
Technology: GigaMOS™
Drain current: 168A
Pulsed drain current: 500A
Drain-source voltage: 250V
Power dissipation: 900W
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2179.94 грн
5+1611.24 грн
10+1536.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN180N25TIXYSMOSFET Modules 155A 250V
на замовлення 318 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2085.98 грн
10+1565.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN200N07Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH Si 70V 180A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN200N07IXYS07+;
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN200N07IXYSDescription: MOSFET N-CH 70V 200A SOT-227B
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN200N07IXYSMOSFET Modules 70V 200A
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3376.23 грн
10+2837.37 грн
100+2088.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN200N07miniBLOC, SOT-227B Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN200N10PIXYSMOSFET Modules 200 Amps 100V 0.0075 Rds
на замовлення 769 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2350.15 грн
10+1710.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN200N10PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 200A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN200N10PIXYSCategory: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 100V; 200A; SOT227B; screw; Idm: 400A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 7.5mΩ
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 680W
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 235nC
Reverse recovery time: 150ns
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN200N10PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN200N10P - MOSFET-Transistor, PolarFET, n-Kanal, 200 A, 100 V, 7500 µohm, 15 V, 5 V
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 680W
Bauform - Transistor: ISOTOP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Polar(TM) HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2554.72 грн
5+2383.17 грн
10+2164.91 грн
50+1712.62 грн
100+1479.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN200N10PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 200A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN200N10PIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 680W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 235 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 25 V
на замовлення 618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2239.81 грн
10+1589.07 грн
100+1318.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN200N10PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 200A 4-Pin SOT-227B
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
110+1972.32 грн
Мінімальне замовлення: 110 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN20N120IXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 780W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN20N120IXYSMOSFET Modules 20 Amps 1200 V 0.75 Ohms Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN20N120PIXYSCategory: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 20A; SOT227B; screw; Idm: 50A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±40V
Reverse recovery time: 300ns
Gate charge: 193nC
On-state resistance: 570mΩ
Technology: HiPerFET™; Polar™
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 50A
Drain-source voltage: 1.2kV
Power dissipation: 595W
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1238.52 грн
3+1098.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN20N120PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 570mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 193 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN20N120PIXYSMOSFET Modules 20 Amps 1200V 0.6 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN20N120PIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 1.2KV 20A 4-Pin SOT-227B
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+2283.50 грн
10+2120.77 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN210N20PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 188A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN210N20PLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFN210N20P - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 188 A, 200 V, 0.00105 ohm, 10 V, 4.5 V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 188A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.07kW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.07kW
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00105ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00105ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3411.66 грн
5+2900.24 грн
10+2584.52 грн
50+2106.00 грн
100+1846.66 грн
250+1749.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN210N20PIXYSCategory: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 200V; 188A; SOT227B; screw; Idm: 600A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Reverse recovery time: 200ns
Gate charge: 255nC
On-state resistance: 10.5mΩ
Technology: HiPerFET™; Polar™
Drain current: 188A
Pulsed drain current: 600A
Drain-source voltage: 200V
Power dissipation: 1.07kW
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
на замовлення 299 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+3084.67 грн
10+2614.22 грн
20+2510.35 грн
50+2497.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN210N20PIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 188A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 188A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 105A, 10V
Power Dissipation (Max): 1070W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18600 pF @ 25 V
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3590.38 грн
10+2619.19 грн
100+2367.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN210N20PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 188A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN210N20PIXYSMOSFET Modules 188 Amps 200V 0.0105 Rds
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3203.07 грн
10+2435.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN210N30P3IXYSCategory: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 300V; 192A; SOT227B; screw; Idm: 550A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Reverse recovery time: 250ns
Gate charge: 268nC
On-state resistance: 14.5mΩ
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Drain current: 192A
Pulsed drain current: 550A
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 1.5kW
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2915.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN210N30P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 192A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 192A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 105A, 10V
Power Dissipation (Max): 1500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 268 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN210N30P3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 192A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN210N30P3MOSFET N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode Транзистори
на замовлення 2 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
1+5307.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN210N30P3IXYSMOSFET Modules N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
на замовлення 680 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3484.15 грн
10+2824.67 грн
100+2302.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN210N30P3
Код товару: 164550
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN210N30P3LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFN210N30P3 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 192 A, 300 V, 0.0145 ohm, 10 V, 5 V
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 192A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 1.5kW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 1.5kW
SVHC: To Be Advised
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0145ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3365.76 грн
5+3197.43 грн
10+2405.72 грн
50+2189.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN210N30X3IXYSMOSFET Modules MBLOC 300V 210A N-CH X3CLASS
на замовлення 618 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3807.92 грн
10+3041.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN210N30X3LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFN210N30X3 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 210 A, 300 V, 3800 µohm, 10 V, 4.5 V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 695W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 695W
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0038ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3153.94 грн
5+2962.25 грн
10+2771.37 грн
50+2395.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN210N30X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 210A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN210N30X3IXYSCategory: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 300V; 210A; SOT227B; screw; Idm: 650A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Reverse recovery time: 190ns
Gate charge: 375nC
On-state resistance: 4.6mΩ
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Drain current: 210A
Pulsed drain current: 650A
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 695W
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+3490.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN210N30X3IXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 210A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 105A, 10V
Power Dissipation (Max): 695W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 375 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24200 pF @ 25 V
на замовлення 706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3629.21 грн
10+2646.63 грн
100+2343.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN210N30X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 210A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN21N100Q
Код товару: 52937
Додати до обраних Обраний товар
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діодні мости та збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN21N100QIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN21N100QIXYSMOSFET 21 Amps 1000V 0.5 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN220N20X3MOSFET MBLOC 200V 160A N-CH X3CLASS, -20...+20C Силові MOSFET-модулі
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN220N20X3IXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 160A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 110A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 204 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 25 V
на замовлення 191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2388.92 грн
10+1704.39 грн
100+1512.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN220N20X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 160A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN220N20X3IXYSMOSFET Modules MBLOC 200V 160A N-CH X3CLASS
на замовлення 595 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3034.74 грн
10+2542.04 грн
100+1931.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN220N20X3IXYSCategory: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 200V; 160A; SOT227B; screw; Idm: 500A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Reverse recovery time: 128ns
Gate charge: 204nC
On-state resistance: 6.2mΩ
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Drain current: 160A
Pulsed drain current: 500A
Drain-source voltage: 200V
Power dissipation: 390W
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2693.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN220N20X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 160A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN230N10
Код товару: 192504
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN230N10IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN230N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 230 A, 0.006 ohm, ISOTOP, Modul
Transistormontage: Modul
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 230
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: -
Verlustleistung Pd: 700
Bauform - Transistor: ISOTOP
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.006
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN230N10MOSFET N-CH 100V 230A SOT-227B (альтернатива STE250NS10) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN230N10LittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 230A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN230N10IXYS230A/100V/MOS/1U
на замовлення 130 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN230N10IXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 230A SOT-227B
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 570 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN230N10LittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 230A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN230N10IXYSMOSFET Modules 230 Amps 100V 0.006 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN230N20TIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 220A SOT227B
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 1090W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 378 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2525.61 грн
10+1808.72 грн
100+1623.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN230N20TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 220A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN230N20TIXYSMOSFET Modules 230A 200V
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2520.09 грн
10+2087.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN230N20TLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFN230N20T - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 220 A, 200 V, 7500 µohm, 10 V, 5 V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.09kW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.09kW
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0075ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2570.83 грн
5+2437.13 грн
10+2303.44 грн
50+2014.76 грн
100+1745.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN23N100IXYSMOSFET Modules 23 Amps 1000V 0.43 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN23N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227B
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN240N15T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 240A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 460 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN240N15T2IXYSMOSFET Modules GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN240N25X3IXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 240A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 120A, 10V
Power Dissipation (Max): 695W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 345 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23800 pF @ 25 V
на замовлення 639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3629.21 грн
10+2646.63 грн
100+2343.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN240N25X3IXYSMOSFET Modules MBLOC 250V 240A N-CH X3CLASS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN24N100IXYSCategory: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1kV; 24A; SOT227B; screw; Idm: 96A; 568W
Technology: HiPerFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 96A
Power dissipation: 568W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 390mΩ
Gate charge: 250nC
Kind of channel: enhancement
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 250ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN24N100IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN24N100 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 24 A, 1 kV, 0.39 ohm, 10 V, 5.5 V
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: ISOTOP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4780.04 грн
5+4048.73 грн
10+3704.02 грн
50+2998.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 30 33 36 39  [ Наступна Сторінка >> ]