Продукція > NVM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NVMFWS0D4N04XMT1GonsemiDescription: 40V T10M IN S08FL GEN 2 PACKAGE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 519A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.42mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 330µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8550 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS0D4N04XMT1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 509A; Idm: 900A; 197W; DFNW5
Gate charge: 132nC
On-state resistance: 420µΩ
Power dissipation: 197W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 509A
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 900A
Case: DFNW5
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS0D4N04XMT1GON SemiconductorPower MOSFET, Single N-Channel
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS0D4N04XMT1GonsemiDescription: 40V T10M IN S08FL GEN 2 PACKAGE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 519A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.42mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 330µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8550 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS0D4N04XMT1GonsemiMOSFETs 40V T10M IN S08FL GEN 2 PACKAGE
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS0D5N04XMT1GonsemiDescription: 40V T10M IN S08FL GEN 2 PACKAGE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 423A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.52mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 163W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 240µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6250 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+139.20 грн
3000+126.22 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS0D5N04XMT1GonsemiMOSFETs 40V T10M IN S08FL GEN 2 PACKAGE
на замовлення 1176 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS0D5N04XMT1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 414A; Idm: 900A; 163W; DFNW5
Case: DFNW5
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate charge: 97.9nC
Power dissipation: 163W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 414A
Pulsed drain current: 900A
On-state resistance: 520µΩ
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS0D5N04XMT1GonsemiDescription: 40V T10M IN S08FL GEN 2 PACKAGE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 423A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.52mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 163W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 240µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6250 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 19430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+268.85 грн
10+217.68 грн
100+176.12 грн
500+146.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS0D63N04XMT1GonsemiMOSFETs 40V T10M IN S08FL PACKAGE
на замовлення 1774 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS0D6N04XMT1GonsemiMOSFETs 40V T10M IN S08FL GEN 2 PACKAGE
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS0D7N04XMT1GonsemiDescription: 40V T10M IN S08FL PACKAGE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 331A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 134W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 180µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4657 pF @ 25 V
на замовлення 1280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+255.52 грн
10+160.54 грн
100+112.01 грн
500+85.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS0D7N04XMT1GonsemiMOSFETs 40V T10M IN S08FL PACKAGE
на замовлення 22808 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS0D7N04XMT1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 323A; Idm: 900A; 134W; DFNW5
Case: DFNW5
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate charge: 71.6nC
Power dissipation: 134W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 323A
Pulsed drain current: 900A
On-state resistance: 0.7mΩ
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS0D7N04XMT1GonsemiDescription: 40V T10M IN S08FL PACKAGE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4657 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 180µA
Power Dissipation (Max): 134W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 331A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS0D9N04XMT1GonsemiDescription: 40V T10M IN S08FL PACKAGE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta), 273A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 121W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3896 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+273.55 грн
10+173.07 грн
100+121.70 грн
500+93.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS0D9N04XMT1GonsemiDescription: 40V T10M IN S08FL PACKAGE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta), 273A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 121W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3896 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+96.01 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS0D9N04XMT1GONN
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS0D9N04XMT1GonsemiMOSFETs 40V T10M IN S08FL PACKAGE
на замовлення 2281 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS1D1N04XMT1GONN
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS1D1N04XMT1GonsemiMOSFETs 40V T10M IN S08FL PACKAGE
на замовлення 5721 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS1D1N04XMT1GonsemiDescription: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 40
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Ta), 233A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 120µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3138 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS1D3N04XMT1GonsemiMOSFETs 40V T10M IN S08FL PACKAGE
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS1D5N08XT1GonsemiDescription: T10S 80V SG NCH MOSFET SO8FL HE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 253A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.43mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 194W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 330µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5880 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS1D5N08XT1GonsemiDescription: T10S 80V SG NCH MOSFET SO8FL HE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 253A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.43mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 194W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 330µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5880 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS1D5N08XT1GonsemiMOSFETs T10S 80V SG NCH MOSFET SO8FL HE WF
на замовлення 7755 шт:
термін постачання 266-275 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS1D5N08XT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 253A Automotive 5-Pin DFNW EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS1D5N08XT1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 253A; Idm: 1071A; 194W; DFNW5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 253A
Pulsed drain current: 1071A
Power dissipation: 194W
Case: DFNW5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.43mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 83nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS1D7N04XMT1GonsemiMOSFETs 40V T10M IN SO8FL PACKAGE
на замовлення 7648 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS1D7N04XMT1GonsemiDescription: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 40
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1840 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 154A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 22445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.65 грн
10+58.95 грн
25+53.32 грн
100+44.29 грн
250+41.54 грн
500+39.88 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS1D7N04XMT1GonsemiDescription: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 40
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1840 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 154A (Tc)
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+41.86 грн
3000+39.24 грн
4500+38.71 грн
7500+35.77 грн
10500+35.44 грн
15000+35.13 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS1D9N08XT1GonsemiDescription: T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PRE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 201A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 164W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 252µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4470 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS1D9N08XT1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 201A; Idm: 866A; 164W; DFNW5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 63nC
On-state resistance: 1.9mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Power dissipation: 164W
Drain current: 201A
Pulsed drain current: 866A
Case: DFNW5
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS1D9N08XT1GonsemiMOSFETs T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PREMIER WF
на замовлення 1965 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS1D9N08XT1GonsemiDescription: T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PRE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 201A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 164W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 252µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4470 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS2D1N08XT1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 181A; Idm: 761A; 148W; DFNW5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 53nC
On-state resistance: 2.1mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Power dissipation: 148W
Drain current: 181A
Pulsed drain current: 761A
Case: DFNW5
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS2D1N08XT1GonsemiMOSFETs T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PREMIER WF
на замовлення 1765 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS2D1N08XT1GonsemiDescription: T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PRE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 181A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 148W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 213µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+226.52 грн
10+142.35 грн
100+99.14 грн
500+80.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS2D1N08XT1GonsemiDescription: T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PRE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 181A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 148W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 213µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 19500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+74.47 грн
3000+69.85 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS2D3N04XMONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFWS2D3N04XM - Leistungs-MOSFET, PPAP-fähig, n-Kanal, 40 V, 121 A, 0.00235 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
Dauer-Drainstrom Id: 121A
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00235ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+86.16 грн
12+70.23 грн
100+54.70 грн
500+43.02 грн
1000+34.77 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS2D3N04XMT1GonsemiDescription: 40V T10M IN S08FL PACKAGE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 121A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1417 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS2D3N04XMT1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 121A; Idm: 688A; 63W; DFNW5
Case: DFNW5
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate charge: 22.2nC
Power dissipation: 63W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 121A
Pulsed drain current: 688A
On-state resistance: 2.35mΩ
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS2D3N04XMT1GonsemiDescription: 40V T10M IN S08FL PACKAGE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 121A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1417 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS2D3N04XMT1GonsemiMOSFETs 40V T10M IN S08FL PACKAGE
на замовлення 3314 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS2D3P04M8LT1GONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -222A; Idm: -900A; 103W; DFNW5
Case: DFNW5
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -900A
Drain current: -222A
Drain-source voltage: -40V
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 157nC
On-state resistance: 2.2mΩ
Power dissipation: 103W
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS2D3P04M8LT1GonsemiDescription: MV8 P INITIAL PROGRAM
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5985 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 2.7mA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 205W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 222A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+105.35 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS2D3P04M8LT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 31A 5-Pin SO-FL EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS2D3P04M8LT1GonsemiMOSFETs MV8 P INITIAL PROGRAM
на замовлення 832 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS2D3P04M8LT1GonsemiDescription: MV8 P INITIAL PROGRAM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 222A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 2.7mA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5985 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+300.20 грн
10+190.66 грн
100+134.86 грн
500+116.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS2D5N08XT1GonsemiDescription: T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PRE
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 184µA
Power Dissipation (Max): 133W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.55mOhm @ 37A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 156A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 13470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+232.01 грн
10+145.82 грн
100+101.33 грн
500+77.21 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS2D5N08XT1GonsemiMOSFETs T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PREMIER WF
на замовлення 22063 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS2D5N08XT1GonsemiDescription: T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PRE
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 184µA
Power Dissipation (Max): 133W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.55mOhm @ 37A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 156A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+75.81 грн
3000+70.23 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS2D5N08XT1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 156A; Idm: 640A; 133W; DFNW5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 45nC
On-state resistance: 2.55mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Power dissipation: 133W
Drain current: 156A
Pulsed drain current: 640A
Case: DFNW5
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS2D9N04XMT1GonsemiMOSFETs 40V T10M IN S08FL PACKAGE
на замовлення 9571 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS3D0N08XT1GonsemiMOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 80V, 135 A, 3 mohm
на замовлення 1502 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS3D0P04M8LT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 28A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS3D0P04M8LT1GonsemiDescription: MV8 P INITIAL PROGRAM
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5827 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 2mA
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 171W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 30A,10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 183A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+240.63 грн
10+152.99 грн
100+108.98 грн
500+90.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS3D0P04M8LT1GonsemiDescription: MV8 P INITIAL PROGRAM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5827 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 2mA
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 171W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 30A,10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 183A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS3D0P04M8LT1GOn SemiconductorP-Channel 40 V 28A DFN-5 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS3D0P04M8LT1GonsemiMOSFETs Power MOSFET, Single P-Channel, -40 V, 2.7 mohm, -183 A Wettable Option
на замовлення 681 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS3D5N08XT1GonsemiMOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 80V, 119 A, 3.5 mohm
на замовлення 1444 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS3D6N10MCLT1GonsemiMOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 100 V, 131 A, 3.6mohm
на замовлення 11698 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS3D6N10MCLT1GonsemiDescription: PTNG 100V LL NCH SO-8FL WETTABLE
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4411 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 270µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 139W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 48A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 132A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+166.95 грн
10+156.39 грн
100+137.48 грн
500+120.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS3D6N10MCLT1GonsemiDescription: PTNG 100V LL NCH SO-8FL WETTABLE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4411 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 270µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 139W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 48A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 132A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS4D0N04XMT1GonsemiDescription: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 40
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 784 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+28.47 грн
3000+26.64 грн
4500+26.25 грн
7500+24.23 грн
10500+24.00 грн
15000+23.77 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS4D0N04XMT1GonsemiDescription: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 40
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 784 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 67456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.79 грн
10+40.91 грн
25+36.86 грн
100+30.41 грн
250+28.42 грн
500+27.21 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS4D0N04XMT1GonsemiMOSFETs 40V T10M IN SO8FL PACKAGE
на замовлення 2758 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS4D0N04XMT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFWS4D0N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 3900 µohm, WFDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: WFDFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+69.09 грн
19+44.71 грн
100+36.74 грн
500+32.68 грн
1000+28.57 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS4D5N08XT1GonsemiMOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 80V, 92 A, 4.5 mohm
на замовлення 1322 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS4D5N08XT1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS6D2N08XT1GonsemiMOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 80V, 71 A, 6.2 mohm
на замовлення 1164 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS9D6P04M8LT1GonsemiDescription: MV8 P-CH 40V SO-8FL PORTFOLIO EX
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2002 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.47 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 580µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.1A (Ta), 77A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+45.39 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS9D6P04M8LT1GonsemiMOSFETs MV8 P-CH 40V SO-8FL PORTFOLIO EXPANSION
на замовлення 1446 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS9D6P04M8LT1GonsemiDescription: MV8 P-CH 40V SO-8FL PORTFOLIO EX
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.1A (Ta), 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 580µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2002 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+159.90 грн
10+96.08 грн
25+80.94 грн
100+59.90 грн
250+52.01 грн
500+47.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJD010N10MCLTWGonsemiDescription: PTNG 100V N-CH LL IN LFPAK56 DUA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 84W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.8A (Ta), 62A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1795pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 97µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJD010N10MCLTWGonsemiMOSFETs PTNG 100V N-CH LL IN LFPAK56 DUALS PACKAGE
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 385-394 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJD010N10MCLTWGonsemiDescription: PTNG 100V N-CH LL IN LFPAK56 DUA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 84W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.8A (Ta), 62A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1795pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 97µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJD012N04CLTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V LFPACK56
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+166.17 грн
10+99.93 грн
25+84.29 грн
100+62.45 грн
250+54.28 грн
500+49.25 грн
1000+44.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJD012N04CLTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V LFPACK56
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+43.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJD012N04CLTWGonsemiMOSFETs T6 40V N-CH LL IN LFPAK56 DUALS PACKAGE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJD012N06CLTWGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; Idm: 153A; 21W; LFPAK8
Case: LFPAK8
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 11.5nC
On-state resistance: 11.9mΩ
Power dissipation: 21W
Drain current: 42A
Drain-source voltage: 60V
Pulsed drain current: 153A
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJD012N06CLTWGonsemiMOSFETs T6 60V N-CH LL IN LFPAK56 DUALS PACKAGE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJD012N06CLTWGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 11.5A 8LFPAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 25A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 792pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), 42A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 3.2W (Ta), 42W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJD012N06CLTWGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 11.5A 8LFPAK
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 25A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 792pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), 42A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 3.2W (Ta), 42W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJD015N04CLTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+40.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJD015N04CLTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJD015N04CLTWGonsemiMOSFETs T6 40V N-CH LL IN LFPAK56 DUALS PACKAGE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJD015N06CLTWGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 10.1A 8LFPAK
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 17A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 643pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.1A (Ta), 35A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 3.1W (Ta), 37W (Tc)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJD015N06CLTWGonsemiMOSFETs T6 60V N-CH LL IN LFPAK56 DUALS PACKAGE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJD015N06CLTWGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 10.1A 8LFPAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 17A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 643pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.1A (Ta), 35A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 3.1W (Ta), 37W (Tc)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJD016N06CTWGonsemiMOSFET T6 60V N-CH SG IN LFPAK56 DUALS PACKAGE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJD016N06CTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V LFPAK56
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+37.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJD020N08HLTWGonsemiDescription: T8 80V N-CH LL IN LFPAK56 DUALS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W (Ta), 42W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta), 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 611pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJD020N08HLTWGonsemiDescription: T8 80V N-CH LL IN LFPAK56 DUALS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W (Ta), 42W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta), 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 611pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJD020N08HLTWGonsemiMOSFETs T8 80V N-CH LL IN LFPAK56 DUALS PACKAGE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJD025N04CTWGonsemiMOSFETs T6 40V N-CH SG IN LFPAK56 DUALS PACKAGE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJD027N06CLTWGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 7.7A 8LFPAK
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 9A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 335pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta), 21A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 3.2W (Ta), 24W (Tc)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 13µA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+40.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJD027N06CLTWGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 7.7A 8LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Power - Max: 3.2W (Ta), 24W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta), 21A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 335pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 13µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJD027N06CLTWGonsemiMOSFETs T6 60V N-CH LL IN LFPAK56 DUALS PACKAGE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJD027N10MCLTWGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 100V 7.4A 8LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 46W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 28A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 697pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 38µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25  [ Наступна Сторінка >> ]