Продукція > NVM

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NVMFWS024N06CT1GonsemiDescription: T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 333 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+149.71 грн
10+92.01 грн
50+69.39 грн
100+58.27 грн
500+46.25 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS024N06CT1GonsemiMOSFETs T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS024N06CT1GonsemiDescription: T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 333 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS025P04M8LT1GonsemiDescription: MV8 40V P-CH LL IN S08FL PACKAGE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 34.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 44.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 255µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1058 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+28.51 грн
3000+25.31 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS025P04M8LT1GonsemiMOSFETs MV8 40V P-CH LL IN S08FL PACKAGE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS025P04M8LT1GonsemiDescription: MV8 40V P-CH LL IN S08FL PACKAGE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 34.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 44.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 255µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1058 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.38 грн
10+65.21 грн
100+43.35 грн
500+31.86 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS025P04M8LT1GON SemiconductorPower MOSFET, Single P-Channel
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS027N10MCLT1GonsemiMOSFETs PTNG 100V LL SO8FL
на замовлення 827 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS027N10MCLT1GonsemiDescription: PTNG 100V LL SO8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 38µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+29.51 грн
3000+26.22 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS027N10MCLT1GonsemiDescription: PTNG 100V LL SO8FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 38µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.65 грн
10+69.06 грн
50+51.66 грн
100+43.20 грн
500+33.92 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS040N10MCLT1GonsemiDescription: PTNG 100V LL SO8FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 26µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS040N10MCLT1GonsemiDescription: PTNG 100V LL SO8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 26µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS040N10MCLT1GonsemiMOSFETs PTNG 100V LL SO8FL
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS0D45N04XMT1GonsemiMOSFETs 40V T10M IN SO8FL HEFET PACKAGE
на замовлення 4152 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS0D45N04XMT1GonsemiDescription: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 40
на замовлення 10173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+250.04 грн
10+181.07 грн
25+166.20 грн
100+140.63 грн
250+133.30 грн
500+131.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS0D45N04XMT1GonsemiDescription: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 40
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4500+128.31 грн
Мінімальне замовлення: 4500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS0D4N04XMET1GonsemiDescription: 40V T10M IN S08FL GEN 2 PACKAGE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS0D4N04XMET1GonsemiMOSFETs 40V T10M IN S08FL GEN 2 PACKAGE
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 231-240 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS0D4N04XMET1GonsemiDescription: 40V T10M IN S08FL GEN 2 PACKAGE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS0D4N04XMT1GonsemiDescription: 40V T10M IN S08FL GEN 2 PACKAGE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 519A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.42mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 330µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8550 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS0D4N04XMT1GON SemiconductorPower MOSFET, Single N-Channel
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS0D4N04XMT1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 509A; Idm: 900A; 197W; DFNW5
Drain current: 509A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: DFNW5
On-state resistance: 420µΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 197W
Gate charge: 132nC
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS0D4N04XMT1GonsemiMOSFETs 40V T10M IN S08FL GEN 2 PACKAGE
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 386-395 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS0D4N04XMT1GonsemiDescription: 40V T10M IN S08FL GEN 2 PACKAGE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 519A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.42mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 330µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8550 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS0D5N04XMT1GonsemiMOSFETs 40V T10M IN S08FL GEN 2 PACKAGE
на замовлення 1176 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS0D5N04XMT1GonsemiDescription: 40V T10M IN S08FL GEN 2 PACKAGE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 423A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.52mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 163W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 240µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6250 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS0D5N04XMT1GonsemiDescription: 40V T10M IN S08FL GEN 2 PACKAGE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 423A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.52mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 163W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 240µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6250 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS0D63N04XMT1GonsemiDescription: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 40
на замовлення 1369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+279.82 грн
10+176.62 грн
100+123.78 грн
500+96.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS0D63N04XMT1GonsemiDescription: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 40
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS0D63N04XMT1GonsemiMOSFETs 40V T10M IN S08FL PACKAGE
на замовлення 1774 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS0D6N04XMT1GonsemiDescription: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 40
на замовлення 1533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+300.98 грн
10+190.36 грн
100+133.96 грн
500+106.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS0D6N04XMT1GonsemiMOSFETs 40V T10M IN S08FL GEN 2 PACKAGE
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS0D6N04XMT1GonsemiDescription: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 40
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+95.89 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS0D7N04XMT1GonsemiDescription: 40V T10M IN S08FL PACKAGE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 331A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 134W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 180µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4657 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS0D7N04XMT1GonsemiDescription: 40V T10M IN S08FL PACKAGE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 331A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 134W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 180µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4657 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS0D7N04XMT1GonsemiMOSFETs 40V T10M IN S08FL PACKAGE
на замовлення 22808 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS0D9N04XMT1GonsemiDescription: 40V T10M IN S08FL PACKAGE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta), 273A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 121W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3896 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS0D9N04XMT1GonsemiMOSFETs 40V T10M IN S08FL PACKAGE
на замовлення 2281 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS0D9N04XMT1GonsemiDescription: 40V T10M IN S08FL PACKAGE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta), 273A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 121W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3896 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+224.17 грн
10+139.79 грн
100+96.70 грн
500+73.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS1D1N04XMT1GonsemiMOSFETs 40V T10M IN S08FL PACKAGE
на замовлення 163 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS1D1N04XMT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFWS1D1N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 233 A, 1050 µohm, WFDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1050µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 1205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS1D1N04XMT1GonsemiDescription: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 40
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS1D1N04XMT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFWS1D1N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 233 A, 1050 µohm, WFDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 233A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WFDFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1050µohm
на замовлення 1205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS1D1N04XMT1GonsemiDescription: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 40
на замовлення 674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+194.39 грн
10+120.77 грн
100+82.84 грн
500+62.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS1D3N04XMT1GonsemiDescription: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 40
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS1D3N04XMT1GonsemiDescription: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 40
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS1D3N04XMT1GonsemiMOSFETs 40V T10M IN S08FL PACKAGE
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS1D5N08XT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 253A Automotive 5-Pin DFNW EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS1D5N08XT1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 253A; Idm: 1071A; 194W; DFNW5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 1071A
Power dissipation: 194W
Gate charge: 83nC
Drain current: 253A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 80V
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: DFNW5
On-state resistance: 1.43mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS1D5N08XT1GonsemiDescription: T10S 80V SG NCH MOSFET SO8FL HE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 253A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.43mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 194W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 330µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5880 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+344.88 грн
10+219.04 грн
50+170.57 грн
100+145.41 грн
500+125.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS1D5N08XT1GonsemiMOSFETs T10S 80V SG NCH MOSFET SO8FL HE WF
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS1D5N08XT1GonsemiDescription: T10S 80V SG NCH MOSFET SO8FL HE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 253A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.43mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 194W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 330µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5880 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS1D7N04XMT1GonsemiDescription: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 40
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 154A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1840 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.71 грн
10+64.46 грн
25+58.36 грн
100+48.49 грн
250+45.49 грн
500+43.69 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS1D7N04XMT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFWS1D7N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 154 A, 1650 µohm, WFDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 154A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 75W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WFDFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1650µohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS1D7N04XMT1GonsemiDescription: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 40
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 154A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1840 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+44.54 грн
3000+41.77 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS1D7N04XMT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFWS1D7N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 154 A, 1650 µohm, WFDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1650µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS1D7N04XMT1GonsemiMOSFETs 40V T10M IN SO8FL PACKAGE
на замовлення 7648 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS1D9N08XT1GonsemiMOSFETs T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PREMIER WF
на замовлення 1965 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS1D9N08XT1GonsemiDescription: T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PRE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 201A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 164W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 252µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4470 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 13983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+284.52 грн
10+179.71 грн
50+139.17 грн
100+118.33 грн
500+98.54 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS1D9N08XT1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 201A; Idm: 866A; 164W; DFNW5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 866A
Power dissipation: 164W
Gate charge: 63nC
Drain current: 201A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 80V
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: DFNW5
On-state resistance: 1.9mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS1D9N08XT1GonsemiDescription: T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PRE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 201A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 164W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 252µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4470 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+89.09 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS2D1N08XT1GonsemiMOSFETs T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PREMIER WF
на замовлення 1765 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS2D1N08XT1GonsemiDescription: T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PRE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 181A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 148W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 213µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS2D1N08XT1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 181A; Idm: 761A; 148W; DFNW5
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 761A
Power dissipation: 148W
Gate charge: 53nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 181A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: DFNW5
On-state resistance: 2.1mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS2D1N08XT1GonsemiDescription: T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PRE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 181A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 148W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 213µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS2D3N04XMONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFWS2D3N04XM - Leistungs-MOSFET, PPAP-fähig, n-Kanal, 40 V, 121 A, 2350 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 121A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 63W
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2350µohm
на замовлення 1591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS2D3N04XMONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFWS2D3N04XM - Leistungs-MOSFET, PPAP-fähig, n-Kanal, 40 V, 121 A, 2350 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 121A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 63W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2350µohm
на замовлення 1591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS2D3N04XMT1GonsemiDescription: 40V T10M IN S08FL PACKAGE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 121A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1417 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 40500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+41.84 грн
3000+37.38 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS2D3N04XMT1GonsemiMOSFETs 40V T10M IN S08FL PACKAGE
на замовлення 3314 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS2D3N04XMT1GonsemiDescription: 40V T10M IN S08FL PACKAGE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 121A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1417 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 40954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+148.92 грн
10+91.78 грн
100+62.02 грн
500+46.26 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS2D3P04M8LT1GonsemiDescription: MV8 P INITIAL PROGRAM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 222A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 2.7mA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5985 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+337.82 грн
10+215.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS2D3P04M8LT1GonsemiMOSFETs MV8 P INITIAL PROGRAM
на замовлення 832 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS2D3P04M8LT1GonsemiDescription: MV8 P INITIAL PROGRAM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 222A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 2.7mA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5985 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS2D3P04M8LT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 31A 5-Pin SO-FL EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS2D3P04M8LT1GONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -222A; Idm: -900A; 103W; DFNW5
Case: DFNW5
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -900A
Drain current: -222A
Drain-source voltage: -40V
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 157nC
On-state resistance: 2.2mΩ
Power dissipation: 103W
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS2D5N08XT1GonsemiDescription: T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PRE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 156A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.55mOhm @ 37A, 10V
Power Dissipation (Max): 133W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 184µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+264.93 грн
10+166.05 грн
50+127.92 грн
100+108.51 грн
500+83.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS2D5N08XT1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 156A; Idm: 640A; 133W; DFNW5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 640A
Power dissipation: 133W
Gate charge: 45nC
Drain current: 156A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 80V
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: DFNW5
On-state resistance: 2.55mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS2D5N08XT1GonsemiDescription: T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PRE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 156A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.55mOhm @ 37A, 10V
Power Dissipation (Max): 133W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 184µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+79.01 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS2D5N08XT1GonsemiMOSFETs T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PREMIER WF
на замовлення 22063 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS2D9N04XMT1GonsemiMOSFETs 40V T10M IN S08FL PACKAGE
на замовлення 9571 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS2D9N04XMT1GonsemiDescription: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 40
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS2D9N04XMT1GonsemiDescription: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 40
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS3D0N08XT1GonsemiDescription: T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PRE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS3D0N08XT1GonsemiDescription: T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PRE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS3D0N08XT1GonsemiMOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 80V, 135 A, 3 mohm
на замовлення 1502 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS3D0P04M8LT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 28A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS3D0P04M8LT1GonsemiDescription: MV8 P INITIAL PROGRAM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 183A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 30A,10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 171W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 2mA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5827 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS3D0P04M8LT1GOn SemiconductorP-Channel 40 V 28A DFN-5 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS3D0P04M8LT1GonsemiMOSFETs Power MOSFET, Single P-Channel, -40 V, 2.7 mohm, -183 A Wettable Option
на замовлення 681 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS3D0P04M8LT1GonsemiDescription: MV8 P INITIAL PROGRAM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 183A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 30A,10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 171W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 2mA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5827 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+276.69 грн
10+174.36 грн
100+122.15 грн
500+94.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS3D5N08XT1GonsemiDescription: T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PRE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS3D5N08XT1GonsemiMOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 80V, 119 A, 3.5 mohm
на замовлення 1444 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS3D5N08XT1GonsemiDescription: T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PRE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS3D6N10MCLT1GonsemiDescription: PTNG 100V LL NCH SO-8FL WETTABLE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 132A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 48A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 270µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4411 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS3D6N10MCLT1GonsemiDescription: PTNG 100V LL NCH SO-8FL WETTABLE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 132A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 48A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 270µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4411 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS3D6N10MCLT1GonsemiMOSFETs PTNG 100V LL NCH SO-8FL WETTABLE FLANK FOR AUTOMOTIVE MARKET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS3D6N10MCLT1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 132A; Idm: 888A; 69W; DFNW5
Kind of package: reel; tape
Case: DFNW5
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 888A
Power dissipation: 69W
Gate charge: 60nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 132A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS4D0N04XMT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFWS4D0N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 3900 µohm, WFDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 43W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WFDFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm
на замовлення 1437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS4D0N04XMT1GonsemiMOSFETs 40V T10M IN SO8FL PACKAGE
на замовлення 2758 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS4D0N04XMT1GonsemiDescription: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 40
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 784 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.84 грн
10+45.51 грн
25+41.06 грн
100+33.90 грн
250+31.69 грн
500+30.36 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.