Продукція > SIH

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SIHL026N65E-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 236 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9286 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 480 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHL026N65E-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 650V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 236 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9286 pF @ 100 V
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1030.67 грн
10+697.19 грн
100+582.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHL026N65E-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 650V
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHL033N60SF-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHL039N60E-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 600V
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHL040N65E-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 650V
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5344 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247AD-4L
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 391W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 17A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHL040N65E-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 650V
на замовлення 455 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHL050N65SF-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 650V
на замовлення 815 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHL050N65SF-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6369 pF @ 100 V
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+478.77 грн
10+310.65 грн
480+189.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHL080N65SF-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 600V
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+437.98 грн
10+282.92 грн
480+171.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHL080N65SF-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 600V
на замовлення 1365 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SiHL520Vishay SiliconixSiHL520 IRL520PBF TO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHL540-E3VishayVishay
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHL540S-GE3Vishay / SiliconixMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHL540STL-E3VishayVishay
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHL540STRL-GE3Vishay / SiliconixMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHL620S-GE3Vishay SiliconixDescription: LOGIC MOSFET N-CHANNEL 200V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.1A, 10V
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
на замовлення 686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+103.14 грн
50+46.90 грн
100+41.73 грн
500+30.63 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHL620S-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO263 200V 5.2A N-CH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHL620STRL-GE3Vishay SiliconixDescription: LOGIC MOSFET N-CHANNEL 200V
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
на замовлення 776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+103.14 грн
10+62.93 грн
100+41.73 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHL620STRL-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO263 200V 5.2A N-CH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHL620STRL-GE3Vishay SiliconixDescription: LOGIC MOSFET N-CHANNEL 200V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHL630STRL-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 200V Vds 10V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHL630STRL-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiHL640Vishay SiliconixSiHL640 IRL640 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHL640-E3Vishay SiliconixSiHL640-E3 IRL640PBF N-Channel 200V 17A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHL640S-E3Vishay SiliconixSiHL640S-E3 IRL640SPBF MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHLL014
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHLL014-E3Vishay SiliconixSiHLL014-E3 IRLL014PBF N-CH. 60V 2.7A SOT-223 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHLL014-E3VishayMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHLL014-E3Vishay SiliconixSiHLL014-E3 IRLL014TRPBF N-CH. 60V 2.7A SOT-223 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHLL014NTRPBF
на замовлення 17000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHLL024NTRPBF
на замовлення 17000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHLL024TRPBF
на замовлення 17000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHLL110
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SiHLL110T-E3Vishay SiliconixSiHLL110T-E3 IRLL110TRPBF SOT-223 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHLL110TR-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 1.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+20.40 грн
38+20.05 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHLL110TR-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 100V Vds 20V Vgs SOT-223
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHLL110TR-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 900mA, 5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHLL110TR-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 1.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHLL110TR-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.93A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.93A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 760mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHLL110TR-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 900mA, 5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 1281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.12 грн
10+38.02 грн
100+24.73 грн
500+17.81 грн
1000+16.07 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHLR014-GE3Vishay / SiliconixMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHLR014NT-E3
на замовлення 17000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHLR014TRL-GE3Vishay / SiliconixMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHLR024NT-
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHLR024NT-E3
на замовлення 17000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHLR024TRL-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9.2A; Idm: 56A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 9.2A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHLR110-GE3Vishay / SiliconixMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHLR110TR-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs LOGIC MOSFET N-CHANNEL 100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHLR110TR-GE3Vishay / SiliconixMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHLR120-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHLR120-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 100V Vds 10V Vgs DPAK (TO-252)
на замовлення 2887 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHLU014-GE3Vishay / SiliconixMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHLU024-GE3Vishay / SiliconixMOSFET LOGIC MOSFET N-CHANNEL 60V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHLU024-GE3Vishay SiliconixDescription: LOGIC MOSFET N-CHANNEL 60V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
на замовлення 2351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.96 грн
10+47.22 грн
100+32.71 грн
500+25.65 грн
1000+21.83 грн
2000+19.44 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHLU024-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 14A T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+36.63 грн
24+32.33 грн
100+27.76 грн
500+23.86 грн
1000+20.51 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHLU110-GE3Vishay / SiliconixMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHLU120-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHLZ14S-GE3Vishay SiliconixDescription: LOGIC MOSFET N-CHANNEL 60V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHLZ14S-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs LOGIC MOSFET N-CHANNEL 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHLZ14STRL-GE3Vishay SiliconixDescription: LOGIC MOSFET N-CHANNEL 60V
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHLZ14STRL-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs LOGIC MOSFET N-CHANNEL 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHLZ14STRR-GE3Vishay SiliconixDescription: LOGIC MOSFET N-CHANNEL 60V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHLZ14STRR-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs LOGIC MOSFET N-CHANNEL 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHLZ24-E3Vishay SiliconixSiHLZ24-E3 IRLZ24PBF N-CH 60V 17A TO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHLZ24L-GE3Vishay / SiliconixMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHLZ24S-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHLZ34S-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 18A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHLZ44S-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHLZ44STRR-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHM080N60E-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2557 pF @ 100 V
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8 Dual
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Dual
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHM080N60E-T1-GE3VishayMOSFETs E Series Power MOSFET PowerPAK 8x8L
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP050N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+631.17 грн
10+617.88 грн
25+596.05 грн
100+545.23 грн
250+493.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP050N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+617.88 грн
25+596.05 грн
100+545.23 грн
250+493.14 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP050N60E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP050N60E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 51A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3459 pF @ 100 V
на замовлення 441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+728.16 грн
10+482.54 грн
100+359.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP050N60E-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 32A; Idm: 155A; 278W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 155A
Power dissipation: 278W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP050N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP052N60EF-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs EF Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode
на замовлення 535 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP052N60EF-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET EF SERIES TO-220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3380 pF @ 100 V
на замовлення 896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+526.50 грн
50+273.26 грн
100+250.74 грн
500+198.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP052N60EF-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHP052N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 48 A, 0.052 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF IV Gen
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP054N65E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+567.11 грн
28+516.44 грн
29+489.37 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP054N65E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHP054N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 47 A, 0.058 ohm, ITO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 312W
Bauform - Transistor: ITO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP054N65E-GE3Vishay SiliconixDescription: E SERIES POWER MOSFET TO-220AB,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3769 pF @ 100 V
на замовлення 1013 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+680.44 грн
10+449.18 грн
100+338.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP054N65E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHP054N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 47 A, 0.058 ohm, ITO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 312W
Bauform - Transistor: ITO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP054N65E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+567.11 грн
10+516.44 грн
25+489.37 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP054N65E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs E Series Power MOSFET TO-220AB, 58 mohm a. 10V
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP054N65E-GE3Vishay SiliconixDescription: E SERIES POWER MOSFET TO-220AB,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3769 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP065N60E-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 100 V
на замовлення 1534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+603.47 грн
50+316.68 грн
100+291.22 грн
500+231.49 грн
1000+221.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP065N60E-BE3VishayN Channel Trans MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP065N60E-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 600V 40A N-CH MOSFET
на замовлення 904 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP065N60E-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 25A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 25A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 461 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+477.17 грн
5+399.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP065N60E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 40A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 100 V
на замовлення 314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+603.47 грн
50+316.68 грн
100+291.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP065N60E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHP065N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 40 A, 0.065 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 250W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP065N60E-GE3VishayE Series Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP065N60E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 661 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP065N60E-GE3-XVishay / SiliconixMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP065N65E-GE3VishayMOSFETs N-CHANNEL 650V
на замовлення 943 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP065N65E-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP068N60EFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 41A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]