Продукція > DMN

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DMN3070SSN-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 4.2A 3-Pin SC-59 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3070SSN-7Diodes IncorporatedMOSFETs 30V N-CH MOSFET
на замовлення 12420 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3070SSN-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 4.2A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 697 pF @ 15 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3070SSN-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 4.2A 3-Pin SC-59 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3070SSN-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 4.2A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 697 pF @ 15 V
на замовлення 2915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.96 грн
17+18.17 грн
100+9.57 грн
500+8.29 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3071LFR4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 3.4A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1010-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3071LFR4-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS 25V-30V
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3071LFR4-7RDiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS 25V-30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3071LFR4-7RDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 3.4A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1010-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 15 V
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.28 грн
6000+5.48 грн
9000+5.18 грн
15000+4.55 грн
21000+4.37 грн
30000+4.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3071LVT-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3071LVT-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3071LVT-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3071LVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN30H14DLY-13Diodes IncorporatedMOSFETs 300V N-Ch Enh Mode 20Vgss 96pF 4nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN30H14DLY-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 300V 210MA SOT89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-89-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 96 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN30H14DLY-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 160mA; Idm: 1A; 2.2W; SOT89
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 300V
Gate charge: 4nC
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SOT89
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain current: 0.16A
On-state resistance: 20Ω
Power dissipation: 2.2W
Pulsed drain current: 1A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN30H4D0LDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN30H4D0L-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 200mA; Idm: 2A; 470mW; SOT23
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 300V
Gate charge: 7.6nC
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain current: 0.2A
On-state resistance: 6Ω
Power dissipation: 0.47W
Pulsed drain current: 2A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN30H4D0L-13Diodes IncorporatedMOSFETs N-Ch Enh FET 300V 20Vgs 0.25A 0.31W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN30H4D0L-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 300V 250MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 187.3 pF @ 25 V
на замовлення 184415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.25 грн
10+34.78 грн
100+22.48 грн
500+16.12 грн
1000+14.51 грн
2000+13.16 грн
5000+11.50 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN30H4D0L-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 300V 250MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 187.3 pF @ 25 V
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+11.94 грн
20000+10.69 грн
30000+10.63 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN30H4D0L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 300V 0.25A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 721 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN30H4D0L-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 300V 250MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 187.3 pF @ 25 V
на замовлення 162000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.27 грн
6000+12.61 грн
9000+12.04 грн
15000+10.69 грн
21000+10.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN30H4D0L-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN30H4D0L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 250 mA, 2.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN30H4D0L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 300V 0.25A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN30H4D0L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 300V 0.25A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN30H4D0L-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN30H4D0L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 250 mA, 2.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN30H4D0L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 300V 0.25A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN30H4D0L-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 200mA; Idm: 2A; 470mW; SOT23
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 300V
Gate charge: 7.6nC
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain current: 0.2A
On-state resistance: 6Ω
Power dissipation: 0.47W
Pulsed drain current: 2A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN30H4D0L-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 300V 250MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 187.3 pF @ 25 V
на замовлення 163650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.80 грн
10+35.82 грн
100+23.18 грн
500+16.64 грн
1000+14.99 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN30H4D0L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 300V 0.25A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
721+12.90 грн
Мінімальне замовлення: 721 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN30H4D0L-7Diodes IncorporatedMOSFETs N-Ch Enh FET 300V 20Vgs 0.25A 0.31W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN30H4D0L-7-52Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 300V 0.25A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN30H4D0LFDE-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 430mA; Idm: 2A; 1.98W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 300V
Gate charge: 7.6nC
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: U-DFN2020-6
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain current: 0.43A
On-state resistance: 6Ω
Power dissipation: 1.98W
Pulsed drain current: 2A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN30H4D0LFDE-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 300V 550MA 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 550mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 187.3 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN30H4D0LFDE-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 300V 0.55A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+8.26 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN30H4D0LFDE-13Diodes IncorporatedMOSFETs N-Ch Enh Mode FET 300Vds 20Vgs FET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN30H4D0LFDE-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 300V 550MA 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 550mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 187.3 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN30H4D0LFDE-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 300V 550MA 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 550mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 187.3 pF @ 25 V
на замовлення 183555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.36 грн
10+32.46 грн
100+20.97 грн
500+15.04 грн
1000+13.54 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN30H4D0LFDE-7Diodes IncorporatedMOSFETs N-Ch Enh Mode FET 300Vds 20Vgs FET
на замовлення 337 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN30H4D0LFDE-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN30H4D0LFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 550 mA, 4 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 550mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.98W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN30H4D0LFDE-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 300V 550MA 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 550mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 187.3 pF @ 25 V
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.49 грн
6000+11.04 грн
9000+10.53 грн
15000+9.35 грн
21000+9.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN30H4D0LFDE-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN30H4D0LFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 550 mA, 4 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 550mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.98W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN30H4D0LFDE-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 0.44A; 0.63W; U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 300V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: U-DFN2020-6
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain current: 0.44A
On-state resistance: 6Ω
Power dissipation: 0.63W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN30H4D0LFDE-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 300V 0.55A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN30H4D1S-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 6A; 1.69W; SOT223
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SOT223
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain current: 2A
On-state resistance: 0.25Ω
Power dissipation: 1.69W
Pulsed drain current: 6A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN30H4D1S-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 300V 430MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 174 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN30H4D1S-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 251V 500V SOT23 T&R 10K
на замовлення 10640 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN30H4D1S-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 6A; 1.69W; SOT223
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SOT223
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain current: 2A
On-state resistance: 0.25Ω
Power dissipation: 1.69W
Pulsed drain current: 6A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN30H4D1S-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 300V 430MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 174 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN30H4D1S-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 251V~500V SOT23 T&R 3K
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN30H4D1S-7Diodes ZetexHigh Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3110LCP3-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 3.2A 3-Pin X2-DSN T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3110LCP3-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 3.2A 3-Pin X2-DSN T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3110LCP3-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 3.2A 3DFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3110LCP3-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 641 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3110S-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 2.5A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 3.1mA, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305.8 pF @ 15 V
на замовлення 726619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.69 грн
10+33.80 грн
100+21.87 грн
500+15.70 грн
1000+14.15 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3110S-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 2.5A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 3.1mA, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305.8 pF @ 15 V
на замовлення 726000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.07 грн
6000+11.56 грн
9000+11.03 грн
15000+9.80 грн
21000+9.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3110S-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30 SOT23,3K
на замовлення 7442 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3110SQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT23 T&R 3K
на замовлення 2309 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3110SQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305.8 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+34.95 грн
15+20.49 грн
100+13.04 грн
500+9.19 грн
1000+8.21 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3110SQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305.8 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3112S
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3112SDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3112S-7Diodes IncorporatedMOSFETs N-Ch FET 30V 20A 57mOhm 10V VGS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3112S-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 268 pF @ 5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3112S-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 268 pF @ 5 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3112S-7DiodesTrans MOSFET N-CH 30V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3112SQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 268 pF @ 5 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3112SQ-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V 30V SOT23 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3112SSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 6A 8SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3112SSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 6A 8SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3115UDM
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3115UDM-7Diodes IncorporatedMOSFET 900mW 30Vdss
на замовлення 624 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3115UDM-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT-26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 476 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3115UDMQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT26 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3115UDMQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.2A; Idm: 12.8A; 900mW; SOT26
Case: SOT26
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.13Ω
Power dissipation: 0.9W
Drain current: 3.2A
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 12.8A
Drain-source voltage: 30V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3135LVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 840mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
на замовлення 1279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.02 грн
10+35.45 грн
25+29.62 грн
50+24.35 грн
100+21.47 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3135LVT-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; Idm: 25A; 0.84W; TSOT26
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.7A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 0.84W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3135LVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 3.5A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3135LVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 840mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3135LVT-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN3135LVT-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.035 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.035ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 840mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.035ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 840mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3135LVT-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40 1V-40V TSOT23 T&R 3K
на замовлення 17460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3135LVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 3.5A 6-Pin TSOT-26 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3135LVT-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN3135LVT-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.035 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.035ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 840mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.035ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 840mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3135LVTQ-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3135LVTQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSOT26
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 840mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN313DLT-7Diodes INC.N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 270 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 36,3 @ 5, Qg, нКл = 0,5, Rds = 2 Ом, Ugs(th) = 1,5, Р, Вт = 0,28, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT-523-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
3000+5.05 грн
Мінімальне замовлення: 2800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN313DLT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 270MA SOT523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36.3 pF @ 5 V
на замовлення 5574000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.50 грн
6000+2.34 грн
9000+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN313DLT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 270MA SOT523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36.3 pF @ 5 V
на замовлення 5604978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+17.86 грн
28+10.69 грн
100+4.24 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN313DLT-7Diodes IncorporatedMOSFET FET BVDSS 25V 30V N-Ch Enh Mode 0.5nc
на замовлення 8182 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3150LDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3150L
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3150L-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 28V 3.8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 28 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 5 V
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.94 грн
12+25.20 грн
25+20.94 грн
50+17.15 грн
100+15.03 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3150L-7Diodes IncorporatedMOSFETs N-Channel
на замовлення 9630 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3150L-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN3150L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.8 A, 0.039 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 920mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3150L-7DIODES/ZETEXN-MOSFET 30V 3.8A 85mΩ 1.4W DMN3150L-7 Diodes TDMN3150l
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 380 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+3.21 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3150L-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 28V 3.8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 28 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 5 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3150L-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN3150L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.8 A, 0.039 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.4W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 920mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.039ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3150L-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.1A; Idm: 15A; 1.4W; SOT23
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Drain current: 3.1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Case: SOT23
On-state resistance: 54mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.