Продукція > DMN

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 32 36 40 44 46  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступність_PRICE_WITHOUT_VAT
DMN30H4D0LFDE-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN30H4D0LFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 550 mA, 4 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 550mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.98W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN30H4D0LFDE-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 300V 550MA 6UDFN
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerUDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 187.3 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 300mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 550mA (Ta)
FET Type: N-Channel
на замовлення 183555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.36 грн
10+32.46 грн
100+20.97 грн
500+15.04 грн
1000+13.54 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN30H4D1S-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 6A; 1.69W; SOT223
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SOT223
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain current: 2A
On-state resistance: 0.25Ω
Power dissipation: 1.69W
Pulsed drain current: 6A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN30H4D1S-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 300V 430MA SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 174 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 300mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN30H4D1S-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 251V 500V SOT23 T&R 10K
на замовлення 10640 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN30H4D1S-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 300V 430MA SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 174 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 300mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN30H4D1S-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 251V~500V SOT23 T&R 3K
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN30H4D1S-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 6A; 1.69W; SOT223
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SOT223
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain current: 2A
On-state resistance: 0.25Ω
Power dissipation: 1.69W
Pulsed drain current: 6A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN30H4D1S-7Diodes ZetexHigh Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3110LCP3-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 3.2A 3-Pin X2-DSN T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3110LCP3-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 3.2A 3DFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3110LCP3-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 641 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3110LCP3-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 3.2A 3-Pin X2-DSN T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3110S-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 2.5A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 3.1mA, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305.8 pF @ 15 V
на замовлення 726000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.07 грн
6000+11.56 грн
9000+11.03 грн
15000+9.80 грн
21000+9.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3110S-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30 SOT23,3K
на замовлення 9643 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+38.10 грн
12+27.39 грн
100+17.19 грн
500+15.19 грн
1000+12.56 грн
3000+11.60 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3110S-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 2.5A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 3.1mA, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305.8 pF @ 15 V
на замовлення 726619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.69 грн
10+33.80 грн
100+21.87 грн
500+15.70 грн
1000+14.15 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3110SQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305.8 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+34.95 грн
15+20.49 грн
100+13.04 грн
500+9.19 грн
1000+8.21 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3110SQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT23 T&R 3K
на замовлення 2296 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+31.17 грн
15+21.75 грн
100+9.11 грн
500+9.04 грн
1000+8.22 грн
3000+5.52 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3110SQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305.8 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3112S
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3112SDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3112S-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 268 pF @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 5.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3112S-7Diodes IncorporatedMOSFETs N-Ch FET 30V 20A 57mOhm 10V VGS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3112S-7DiodesTrans MOSFET N-CH 30V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3112S-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 268 pF @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 5.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3112SQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 268 pF @ 5 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3112SQ-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V 30V SOT23 T&R 3K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3112SSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 6A 8SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3112SSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 6A 8SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3115UDM
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3115UDM-7Diodes IncorporatedMOSFET 900mW 30Vdss
на замовлення 624 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3115UDM-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT-26
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 476 pF @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-26
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 6A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3115UDMQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT26 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3115UDMQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.2A; Idm: 12.8A; 900mW; SOT26
Case: SOT26
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.13Ω
Power dissipation: 0.9W
Drain current: 3.2A
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 12.8A
Drain-source voltage: 30V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3135LVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 840mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.03 грн
6000+11.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3135LVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 3.5A 6-Pin TSOT-26 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3135LVT-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40 1V-40V TSOT23 T&R 3K
на замовлення 28506 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+39.79 грн
15+22.39 грн
100+15.88 грн
500+12.43 грн
1000+11.05 грн
3000+9.73 грн
6000+9.66 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3135LVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 840mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
на замовлення 8430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.14 грн
10+32.98 грн
100+21.30 грн
500+15.25 грн
1000+13.72 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3135LVTQ-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 T&R 3K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3135LVTQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSOT26
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TSOT-26
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 840mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN313DLT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 270MA SOT523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36.3 pF @ 5 V
на замовлення 5604978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+17.86 грн
28+10.69 грн
100+4.24 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN313DLT-7Diodes INC.N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 270 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 36,3 @ 5, Qg, нКл = 0,5, Rds = 2 Ом, Ugs(th) = 1,5, Р, Вт = 0,28, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT-523-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
3000+5.05 грн
Мінімальне замовлення: 2800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN313DLT-7Diodes IncorporatedMOSFET FET BVDSS 25V 30V N-Ch Enh Mode 0.5nc
на замовлення 8182 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+23.20 грн
21+15.48 грн
100+5.52 грн
1000+3.87 грн
3000+2.97 грн
9000+2.49 грн
24000+2.35 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN313DLT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 270MA SOT523
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36.3 pF @ 5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-523
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 10mA, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-523
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5574000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.50 грн
6000+2.34 грн
9000+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3150L
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3150LDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3150L-7Diodes IncorporatedMOSFETs N-Channel
на замовлення 26190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.71 грн
19+17.47 грн
100+10.01 грн
500+7.73 грн
1000+6.90 грн
3000+4.90 грн
6000+4.69 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3150L-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 28V 3.8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 28 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 5 V
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.59 грн
6000+7.53 грн
9000+7.15 грн
15000+6.31 грн
21000+6.08 грн
30000+5.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3150L-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN3150L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.8 A, 0.039 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.4W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 920mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.039ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.05 грн
500+9.27 грн
1000+7.66 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3150L-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 28V 3.8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 28 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 5 V
на замовлення 44715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.06 грн
14+22.74 грн
100+14.49 грн
500+10.23 грн
1000+9.15 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3150L-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN3150L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.8 A, 0.039 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 920mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+30.85 грн
41+19.73 грн
100+13.05 грн
500+9.27 грн
1000+7.66 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3150L-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.1A; Idm: 15A; 1.4W; SOT23
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 54mΩ
Power dissipation: 1.4W
Drain current: 3.1A
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 15A
Drain-source voltage: 30V
Kind of package: 7 inch reel; tape
на замовлення 2845 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
16+28.64 грн
22+19.20 грн
100+11.13 грн
500+7.73 грн
1000+6.81 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3150L-7DIODES/ZETEXN-MOSFET 30V 3.8A 85mΩ 1.4W DMN3150L-7 Diodes TDMN3150l
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 380 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+3.28 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3150LW
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3150LW-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN3150LW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 28 V, 1.6 A, 0.073 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 28
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 350
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 940
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350
Bauform - Transistor: SOT-323
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.073
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+44.22 грн
23+35.12 грн
100+21.42 грн
500+14.88 грн
1000+10.29 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3150LW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 28V 1.6A SOT323
Supplier Device Package: SOT-323
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 1.6A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 28 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
на замовлення 2187000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.13 грн
6000+8.10 грн
9000+7.75 грн
15000+6.90 грн
21000+6.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3150LW-7Diodes IncorporatedMOSFETs 0.35W 28V 1.6A
на замовлення 20223 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+34.47 грн
13+25.09 грн
100+11.46 грн
1000+7.39 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3150LW-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN3150LW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 28 V, 1.6 A, 0.073 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 350
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.42 грн
500+14.88 грн
1000+10.29 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3150LW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 28V 1.6A SOT323
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 28 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-323
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 1.6A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2189328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.40 грн
15+21.16 грн
100+14.36 грн
500+10.51 грн
1000+9.53 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3190LDWDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3190LDW-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 1A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+6.46 грн
20000+5.57 грн
50000+5.07 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3190LDW-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 1A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+6.33 грн
20000+5.45 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3190LDW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1.3A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 320mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 311796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.18 грн
19+16.38 грн
100+10.30 грн
500+7.19 грн
1000+6.38 грн
2000+5.71 грн
5000+4.89 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3190LDW-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 1A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1828+7.76 грн
Мінімальне замовлення: 1828 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3190LDW-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1A; Idm: 9.6A; 400mW; SOT363
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3190LDW-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 1A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+6.33 грн
20000+5.45 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3190LDW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1.3A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 320mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 310000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.00 грн
20000+4.41 грн
30000+4.20 грн
50000+3.73 грн
70000+3.60 грн
100000+3.53 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3190LDW-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 1A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.96 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3190LDW-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 1A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1218+7.76 грн
3000+7.30 грн
6000+6.85 грн
15000+6.17 грн
Мінімальне замовлення: 1218 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3190LDW-13Diodes IncorporatedMOSFETs N-Ch Enh Mode FET 30Vdss 20Vgss
на замовлення 36277 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+25.29 грн
22+15.08 грн
100+6.01 грн
1000+4.90 грн
10000+4.42 грн
20000+4.07 грн
50000+3.59 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3190LDW-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 1A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+6.46 грн
20000+5.57 грн
50000+5.07 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3190LDW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 1A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3190LDW-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN3190LDW-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 1 A, 1 A, 0.122 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.122ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 320mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.122ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 320mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 5734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
93+8.70 грн
108+7.49 грн
129+6.28 грн
500+5.16 грн
1500+4.69 грн
Мінімальне замовлення: 93 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3190LDW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 1A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3190LDW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 1A 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3190LDW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1.3A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 320mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
на замовлення 2499475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.18 грн
19+16.38 грн
100+10.30 грн
500+7.19 грн
1000+6.38 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3190LDW-7Diodes IncorporatedMOSFETs N-Ch Enh Mode FET 30Vdss 20Vgss
на замовлення 234732 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
22+15.30 грн
37+8.65 грн
100+5.25 грн
1000+4.63 грн
3000+4.07 грн
9000+3.59 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3190LDW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 1A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 2490000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3190LDW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 1A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 2127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1957 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3190LDW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 320mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
на замовлення 2496000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.94 грн
6000+5.17 грн
9000+4.89 грн
15000+4.29 грн
21000+4.12 грн
30000+3.95 грн
75000+3.51 грн
150000+3.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3190LDW-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN3190LDW-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 1 A, 1 A, 0.122 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.122ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 320mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.122ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 320mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 5734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+5.16 грн
1500+4.69 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3190LDW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 1A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 2127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1957+4.83 грн
Мінімальне замовлення: 1957 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3190LDWQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT363 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3190LDWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 320mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3190LDWQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN3190LDWQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 1 A, 1 A, 0.122 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.122ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 320mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.122ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 320mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+15.93 грн
1000+13.46 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3190LDWQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN3190LDWQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 1 A, 1 A, 0.122 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.122ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 320mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.122ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 320mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+60.00 грн
29+27.87 грн
100+18.52 грн
500+15.93 грн
1000+13.46 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3190LDWQ-7Diodes ZetexDual N Channel Enhancement Mode Mosfet Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3190LDWQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 320mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.25 грн
6000+5.44 грн
9000+5.15 грн
15000+4.53 грн
21000+4.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3190LDWQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT363 T&R 3K
на замовлення 5969 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+53.56 грн
12+27.31 грн
100+14.15 грн
1000+13.05 грн
3000+5.32 грн
9000+3.87 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3190LDWQ-7Diodes ZetexDual N Channel Enhancement Mode Mosfet Automotive AEC-Q101
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN31D4UFZ-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V X2-DFN0606
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN0606-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15.4 pF @ 15 V
на замовлення 1590000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.21 грн
20000+1.93 грн
30000+1.82 грн
50000+1.60 грн
70000+1.53 грн
100000+1.47 грн
250000+1.31 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN31D4UFZ-7BDiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V X2-DFN0606-3 T&R 10K
на замовлення 20350 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
26+12.48 грн
40+8.10 грн
100+2.97 грн
1000+2.28 грн
10000+2.00 грн
20000+1.52 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN31D4UFZ-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V X2-DFN0606
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN0606-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15.4 pF @ 15 V
на замовлення 1599389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+13.98 грн
38+8.08 грн
100+5.01 грн
500+3.43 грн
1000+3.02 грн
2000+2.67 грн
5000+2.26 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN31D5L-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 500MA SOT23 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 15 V
на замовлення 420000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.48 грн
30000+3.30 грн
50000+2.96 грн
100000+2.46 грн
250000+2.41 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN31D5L-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 59087 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
19+17.32 грн
29+11.27 грн
100+4.28 грн
500+3.80 грн
1000+3.24 грн
5000+2.35 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN31D5L-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 500MA SOT23 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 15 V
на замовлення 420000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.18 грн
17+17.80 грн
100+8.68 грн
500+6.80 грн
1000+4.72 грн
2000+4.09 грн
5000+3.73 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN31D5L-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 500MA SOT23 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 15 V
на замовлення 5320042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.18 грн
17+17.80 грн
100+8.68 грн
500+6.80 грн
1000+4.72 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN31D5L-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN31D5L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 500 mA, 1.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+5.77 грн
1000+4.74 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN31D5L-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 4763 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.71 грн
17+18.74 грн
100+6.70 грн
1000+4.63 грн
3000+3.59 грн
9000+2.69 грн
24000+2.55 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN31D5L-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 500MA SOT23 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 15 V
на замовлення 5316000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.53 грн
6000+4.05 грн
9000+3.35 грн
30000+3.09 грн
75000+2.78 грн
150000+2.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 32 36 40 44 46  [ Наступна Сторінка >> ]