Продукція > DMT
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DMTH61M8LPSQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 225A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 187.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type K) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8320 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMTH61M8LPSQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 225A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 187.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type K) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8320 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMTH61M8LPSQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V PowerDI5060-8 T&R 2.5K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMTH61M8SPS-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMTH61M8SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 215 A, 1100 µohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 215A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 167W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerDI5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm | на замовлення 1010 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMTH61M8SPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V PowerDI5060-8 T&R 2.5K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMTH61M8SPS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 215A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type K) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8306 pF @ 30 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMTH61M8SPS-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMTH61M8SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 215 A, 1100 µohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 215A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 167W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerDI5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm | на замовлення 1010 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMTH61M8SPSQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 215A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type K) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8306 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMTH61M8SPSQ-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMTH61M8SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 215 A, 1100 µohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 215A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 167W SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) Bauform - Transistor: PowerDI5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm | на замовлення 6675 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMTH61M8SPSQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V PowerDI5060-8 T&R 2.5K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMTH61M8SPSQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 215A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type K) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8306 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMTH61M8SPSQ-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMTH61M8SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 215 A, 0.0011 ohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 215A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 167W Bauform - Transistor: PowerDI5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 7000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMTH62M7SPSW-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V~60V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMTH62M8LPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMTH62M8LPS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin PowerDI EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMTH62M8LPS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin PowerDI EP T/R | на замовлення 32500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMTH62M8LPS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin PowerDI EP T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMTH62M8LPS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin PowerDI EP T/R | на замовлення 47500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMTH62M8SPS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI506 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type K) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4556 pF @ 30 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMTH62M8SPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMTH63M5LFGQ-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90.3A; 3.4W; PowerDI3333-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 90.3A Power dissipation: 3.4W Case: PowerDI3333-8 On-state resistance: 4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 41.2nC Application: automotive industry | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMTH69M8LFVW-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 15.9/45.4A PWRDI | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMTH69M8LFVW-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V 60V PowerDI3333-8/SWP T&R 3K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMTH69M8LFVW-13 | Diodes Zetex | MOSFET BVDSS: 41V60V PowerDI3333-8/SWP T&R 3K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMTH69M8LFVW-7 | Diodes Zetex | DMTH69M8LFVW-7 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMTH69M8LFVW-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 15.9/45.4A PWRDI | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMTH69M8LFVW-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V 60V PowerDI3333-8/SWP T&R 2K | на замовлення 1832 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMTH69M8LFVW-7 | Diodes Zetex | DMTH69M8LFVW-7 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMTH69M8LFVWQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI333 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMTH69M8LFVWQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 41V 60V PowerDI3333-8/SWP T&R 3K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMTH69M8LFVWQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 15.9A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMTH69M8LFVWQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 41V 60V PowerDI3333-8/SWP T&R 2K | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMTH69M8LFVWQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMTH69M8LFVWQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 45.4 A, 0.0077 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 45.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 29.4W Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 1780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMTH69M8LFVWQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI333 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.9A (Ta), 45.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 29.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 149330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMTH69M8LFVWQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMTH69M8LFVWQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 45.4 A, 0.0077 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 45.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 29.4W Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 1780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMTH69M8LFVWQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI333 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.9A (Ta), 45.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 29.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 148000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMTH6M70SPGW-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI808 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMTH6M70SPGW-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI808 | на замовлення 1612 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMTH6M70SPGWQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI808 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMTH6M70SPGWQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI808 | на замовлення 1901 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMTH8001STLW-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMTH8001STLW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 270 A, 1100 µohm, PowerDI 1012, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 270A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 136W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerDI 1012 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm | на замовлення 2203 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMTH8001STLW-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI10 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 6W (Ta), 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: POWERDI1012-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8894 pF @ 50 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMTH8001STLW-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI1012-8 T&R 1.5K | на замовлення 1446 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMTH8001STLW-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMTH8001STLW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 270 A, 1100 µohm, PowerDI 1012, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 270A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 136W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: PowerDI 1012 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm | на замовлення 2193 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMTH8001STLWQ | Diodes Incorporated | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMTH8001STLWQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI10 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 6W (Ta), 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: POWERDI1012-8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8894 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMTH8001STLWQ-13 | Diodes Zetex | Diodes Incorporated offers a portfolio of automotive MOSFETs packaged in the space saving, thermally efficient TOLL (PD1012S) package. | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMTH8001STLWQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI10 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 6W (Ta), 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: POWERDI1012-8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8894 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 861 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMTH8001STLWQ-13 | Diodes Zetex | Diodes Incorporated offers a portfolio of automotive MOSFETs packaged in the space saving, thermally efficient TOLL (PD1012S) package. | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMTH8001STLWQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI1012-8 T&R 1.5K | на замовлення 1140 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMTH8003SPS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 80V 100A PWRDI5060-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.9W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type K) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8952 pF @ 40 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMTH8003SPS-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMTH8003SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 3100 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.9W Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 1439 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMTH8003SPS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 80V 100A PWRDI5060-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.9W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type K) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8952 pF @ 40 V | на замовлення 3554 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMTH8003SPS-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMTH8003SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 3100 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.9W Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 2420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMTH8003SPSW-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 99W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9081 pF @ 40 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMTH8003SPSW-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI5060-8 T&R 2.5K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMTH8003SPSWQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9081 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMTH8003SPSWQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI5060-8 T&R 2.5K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMTH8003STLW-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI10 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 173A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 5.6W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: POWERDI1012-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8191 pF @ 40 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMTH8003STLW-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI1012-8 T&R 1.5K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMTH8003STLWQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI10 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 173A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 5.6W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: POWERDI1012-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8191 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMTH8003STLWQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI1012-8 T&R 1.5K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMTH8004LPS-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMTH8004LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 2800 µohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V Verlustleistung: 1.5W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerDI5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm | на замовлення 831 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMTH8004LPS-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMTH8004LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 2800 µohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V Verlustleistung: 1.5W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerDI5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm | на замовлення 831 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMTH8004LPS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4979 pF @ 40 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMTH8004LPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI5060-8 T&R 2.5K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMTH8004LPSW-13 | Diodes Incorporated | Description: IC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4979 pF @ 40 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMTH8004LPSW-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI5060-8 T&R 2.5K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMTH8004LPSWQ-13 | Diodes Incorporated | Description: IC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4979 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMTH8004LPSWQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI5060-8 T&R 2.5K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMTH8008LFG-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2254 pF @ 40 V | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMTH8008LFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI3333-8 T&R 3K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMTH8008LFG-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2254 pF @ 40 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMTH8008LFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI3333-8 T&R 2K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMTH8008LFG-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMTH8008LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 70 A, 5300 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85415000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 50W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm | на замовлення 815 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMTH8008LFG-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMTH8008LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 70 A, 5300 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85415000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 50W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm | на замовлення 815 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMTH8008LFGQ-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMTH8008LFGQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 70 A, 5300 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 50W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm | на замовлення 4431 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMTH8008LFGQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2254 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 5776 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMTH8008LFGQ-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMTH8008LFGQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 70 A, 5300 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 50W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm | на замовлення 4431 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMTH8008LFGQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2254 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMTH8008LFGQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI3333-8 T&R 3K | на замовлення 3150 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMTH8008LFGQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI3333-8 T&R 2K | на замовлення 1463 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMTH8008LFGQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2254 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1130 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMTH8008LFGQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2254 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMTH8008LPS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 80V 91A PWRDI5060-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 91A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2345 pF @ 40 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMTH8008LPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMTH8008LPSQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 91A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2345 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1894 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMTH8008LPSQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI5060-8 T&R 2.5K | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMTH8008LPSQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 91A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2345 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMTH8008LPSW-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI5060-8 T&R 2.5K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMTH8008LPSWQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI5060-8 T&R 2.5K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMTH8008LPSWQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 91A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2345 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMTH8008SFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI3333-8 T&R 3K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMTH8008SFG-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 68A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1945 pF @ 40 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMTH8008SFG-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 68A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1945 pF @ 40 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMTH8008SFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI3333-8 T&R 2K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMTH8008SFGQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI3333-8 T&R 3K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMTH8008SFGQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 68A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1945 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMTH8008SFGQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI3333-8 T&R 2K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMTH8008SFGQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 68A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1945 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|