Продукція > IXT

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IXTP8N70X2IXYSMOSFETs 700V/8A Ultra Junct X2-Class MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP8N70X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 700V 8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP8N70X2MIXYSMOSFETs 700V/4A Ultra Junct X2-Class MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP8N70X2MIXYSDescription: MOSFET N-CH 700V 4A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Isolated Tab
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 10 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+323.86 грн
50+159.85 грн
100+145.17 грн
500+112.11 грн
1000+104.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP8N70X2MIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 8A; 32W; TO220FP; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 8A
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 12nC
Reverse recovery time: 200ns
Power dissipation: 32W
на замовлення 288 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+158.71 грн
10+142.10 грн
30+139.60 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP90N055TIXYSMOSFET MOSFET Id90 BVdass55
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP90N055TIXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 90A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP90N055T2IXYSMOSFETs 90 Amps 55V 0.0084 Rds
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP90N055T2
Код товару: 172517
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP90N055T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 90A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2770 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP90N055T2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 90A; 150W; TO220AB; 37ns
Mounting: THT
Power dissipation: 150W
Gate charge: 42nC
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Drain current: 90A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 55V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 8.4mΩ
Reverse recovery time: 37ns
на замовлення 290 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+252.36 грн
10+145.42 грн
50+93.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP90N055T2Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH 55V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+231.25 грн
75+190.12 грн
100+173.44 грн
Мінімальне замовлення: 62 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP90N075T2IXYSMOSFETs 90 Amps 75V 0.01 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP90N075T2Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 90A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP90N15TIXYSMOSFETs 90 Amps 150V 20 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP90N15TLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 150V 90A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 455W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 25 V
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+392.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP94N20X4IXYSMOSFETs TO220 200V 94A N-CH X4CLASS
на замовлення 719 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP94N20X4Littelfuse Inc.Description: MOSFET 200V 94A N-CH ULTRA TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 94A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5050 pF @ 25 V
на замовлення 163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+936.62 грн
50+550.61 грн
100+529.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP94N20X4LittelfuseN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP94N20X4LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTP94N20X4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 94 A, 0.0106 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 94A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0106ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP96P085TIxys CorporationTrans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+543.75 грн
29+490.83 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP96P085TMOSFET P-CH 85V 96A TO220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP96P085TIXYSCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -85V; -96A; 298W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -85V
Drain current: -96A
Power dissipation: 298W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 55ns
на замовлення 98 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+370.48 грн
10+291.67 грн
25+263.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP96P085TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
103+374.98 грн
Мінімальне замовлення: 103 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP96P085TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+379.92 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP96P085TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP96P085TIXYS/LittelfuseP-канальний ПТ, Udss, В = 85, Id = 96 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 13100, Qg, нКл = 180, Rds = 13 мОм, Ugs(th) = 2, Р, Вт = 298, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-220-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP96P085TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+373.65 грн
50+320.92 грн
100+290.68 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP96P085TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+373.65 грн
50+320.92 грн
100+290.68 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP96P085TIXYSMOSFETs -96 Amps -85V 0.013 Rds
на замовлення 2820 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP96P085TIXYSDescription: MOSFET P-CH 85V 96A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 48A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13100 pF @ 25 V
на замовлення 3684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+594.90 грн
10+390.76 грн
50+312.61 грн
100+269.80 грн
500+228.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP96P085TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+359.57 грн
50+335.66 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP96P085TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+359.57 грн
50+335.66 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP96P085T
Код товару: 207088
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP96P085TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP96P085TIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP96P085T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 85 V, 96 A, 0.013 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 85V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 96A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 298W
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP96P085T.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTP96P085T. - DISCMSFT PCHAN-TRENCH GATE TO-220ABFP TUBE
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 85V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 96A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 298W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchP Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP98N075TIXYSMOSFET 98 Amps 75V 9.0 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP98N075TLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 98A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Tc)
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ100N25PTO-3P,Vdss=250V,Id=100A,Rds(on)=27mOm,-55...+150 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ100N25PIXYSMOSFETs 100 Amps 250V 0.027 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ100N25PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 250V 100A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 25 V
на замовлення 699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+586.36 грн
30+465.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ102N15TIXYSMOSFET 102 Amps 150V 18 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ102N15TIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 102A TO-3P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ102N20TIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 102A TO3P
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ102N25TIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 102A TO-3P
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ102N25TIXYSMOSFET 102 Amps 250V 29 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ10P50PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ10P50PLittelfuse Inc.Description: MOSFET P-CH 500V 10A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ10P50PIXYSMOSFETs -10.0 Amps -500V 1.000 Rds
на замовлення 483 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ110N055PIXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 110A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ110N10PIXYSMOSFETs 110 Amps 100V 0.015 Rds
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ110N10PIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 110A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3550 pF @ 25 V
на замовлення 758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+677.22 грн
30+383.56 грн
60+351.51 грн
120+304.60 грн
510+264.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ110N10PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 110A; 480W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 110A
Power dissipation: 480W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: PolarHT™
Reverse recovery time: 130ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ120N15PIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 120A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 25 V
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+454.14 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ120N15PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 150V; 120A; 600W; TO3P
On-state resistance: 16mΩ
Reverse recovery time: 150ns
Mounting: THT
Power dissipation: 600W
Gate charge: 150nC
Polarisation: unipolar
Technology: PolarHT™
Drain current: 120A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 150V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO3P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ120N15PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ120N15PIXYSMOSFETs 120 Amps 150V 0.016 Rds
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ120N15TIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 120A TO3P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ120N20PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ120N20P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 120 A, 0.022 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 714W
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarHT
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ120N20PIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 120A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 714W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
на замовлення 331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1095.83 грн
30+646.53 грн
120+557.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ120N20PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ120N20PIXYSMOSFETs 120 Amps 200V 0.022 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ120N20PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 120A; 714W; TO3P
Reverse recovery time: 180ns
Mounting: THT
Power dissipation: 714W
Gate charge: 152nC
Polarisation: unipolar
Technology: PolarHT™
Drain current: 120A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 200V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO3P
On-state resistance: 22mΩ
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+723.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ130N10TIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 130A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+497.05 грн
30+274.79 грн
120+230.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ130N10TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ130N10TIXYSMOSFETs 130 Amps 100V 8.5 Rds
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ130N15TIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 130A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 65A, 10V
Power Dissipation (Max): 750W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ130N20TIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench™; unipolar; 200V; 75A; Idm: 320A; 830W
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 75A
Case: TO3P
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 16mΩ
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 830W
Technology: Trench™
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 150nC
Reverse recovery time: 150ns
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+723.07 грн
3+604.11 грн
10+533.48 грн
30+479.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ130N20TIXYSMOSFETs TO3P 200V 130A N-CH TRENCH
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ130N20TLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 200V 130A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 65A, 10V
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ140N10PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 140A; 600W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 600W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 120ns
Polarisation: unipolar
Technology: PolarHT™
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ140N10PIXYSMOSFETs 140 Amps 100V 0.011 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ140N10PTO-3P Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ140N10PIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 140A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V
на замовлення 630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+443.57 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ14N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 14A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ14N60PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ14N60PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; 300W; TO3P; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 300W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.5µs
Gate charge: 36nC
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ14N60PIXYSMOSFETs 14.0 Amps 600 V 0.55 Ohm Rds
на замовлення 219 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ150N06PIXYSDescription: MOSFET N-CH 60V 150A TO3P
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ150N15PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ150N15PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 150V; 150A; 714W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 150A
Power dissipation: 714W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 150ns
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ150N15PIXYSMOSFETs 150 Amps 150V 0.013 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ150N15PIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 150A TO3P
на замовлення 984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1134.66 грн
30+669.39 грн
60+619.05 грн
120+541.26 грн
510+470.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ150N15PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ150N15PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ150N15P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 150 V, 150 A, 0.013 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 150
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 714
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 714
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.013
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ152N085TIXYSDescription: MOSFET N-CH 85V 152A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 152A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ160N075TIXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 160A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ160N075TIXYSMOSFET 160 Amps 75V 5.5 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ160N085TIXYSDescription: MOSFET N-CH 85V 160A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ160N10TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 160A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-3P
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ160N10TIXYSMOSFETs 160 Amps 100V 6.9 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ160N10TIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 160A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 430W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ160N10TIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 160A; 430W; TO3P; automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 160A
Power dissipation: 430W
Case: TO3P
Gate-source voltage: 30V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 100ns
Gate charge: 132nC
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ16N50PIXYSMOSFET 16.0 Amps 500 V 0.4 Ohm Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ16N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 16A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+493.94 грн
30+272.47 грн
60+248.22 грн
120+213.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ16N50PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 300W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
Technology: PolarHT™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ170N10PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1478.69 грн
10+1362.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ170N10PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+724.95 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ170N10PIXYSMOSFETs 170 Amps 100V 0.009 Ohm Rds
на замовлення 828 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.