Продукція > DMN

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 36 40 44 46  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DMN32D4SDW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.65A SOT363
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 250mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 650mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 290mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.98 грн
30000+4.71 грн
50000+3.90 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN32D4SDW-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.65A 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN32D4SDW-13Diodes IncorporatedMOSFET 30V N-Ch Enh Mode 20Vgs 50pF 0.6nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN32D4SDW-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.65A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.95 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN32D4SDW-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN32D4SDW-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 650 mA, 650 mA, 0.2 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 650mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 650mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.2ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 350mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 350mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN32D4SDW-7
Код товару: 131979
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN32D4SDW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.65A SOT363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 250mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 650mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 290mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: SOT-363
на замовлення 152468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.70 грн
14+22.57 грн
100+11.39 грн
500+8.72 грн
1000+6.47 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN32D4SDW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.65A 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN32D4SDW-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN32D4SDW-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 650 mA, 650 mA, 0.2 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 650mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 650mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.2ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 350mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 350mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN32D4SDW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.65A SOT363
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 250mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 650mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 290mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 152468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.02 грн
6000+5.55 грн
9000+4.80 грн
30000+4.42 грн
75000+3.66 грн
150000+3.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN32D4SDW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.65A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 135000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN32D4SDW-7Diodes IncorporatedMOSFETs 30V N-Ch Enh Mode 20Vgs 50pF 0.6nC
на замовлення 91177 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN32D4SDW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.65A 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN32M6LCA8-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V~30V X4-DSN6025-8 T&R 3K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN32M6LCA8-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 30A X4-DSN6025
Supplier Device Package: X4-DSN6025-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42.7nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel, Common Drain
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, No Lead
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+65.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN32M7LCA8-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V X4-DSN6025
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: X4-DSN6025-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 10A, 10V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, No Lead
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3300UDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3300U
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3300U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 2A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 193 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 4.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3300U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3300U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+30.31 грн
30+25.19 грн
31+25.00 грн
100+16.71 грн
250+15.34 грн
500+12.91 грн
1000+8.04 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3300U-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN3300U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3300U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 210000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.09 грн
51000+6.48 грн
102000+6.03 грн
153000+5.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3300U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 210000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3300U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
566+25.00 грн
817+17.33 грн
824+17.18 грн
940+14.52 грн
Мінімальне замовлення: 566 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3300U-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN3300U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3300U-7Diodes IncorporatedMOSFETs 600mW 30Vdss
на замовлення 2024 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3300U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 193 pF @ 10 V
на замовлення 4833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.89 грн
12+26.27 грн
100+16.79 грн
500+11.90 грн
1000+10.66 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3300U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3300U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3300U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 903000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3300U-7-52Diodes Zetex1.0W Surface Mount Zener Diode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3300UQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT23 T&R 3K
на замовлення 5486 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3300UQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 193 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 156000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.27 грн
6000+6.82 грн
9000+5.82 грн
15000+5.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3300UQ-7Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
на замовлення 153000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3300UQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 193 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 158545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.92 грн
15+20.38 грн
100+10.23 грн
500+9.57 грн
1000+8.81 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3300UQ-7Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3300UQ-7-52Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D8LDW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D8LDW-13Diodes IncorporatedMOSFETs 33V Dual N-Ch Enh 30Vgss 250mA 0.35W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D8LDW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SOT363
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 48pF @ 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 350mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 435000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.56 грн
6000+4.00 грн
9000+3.80 грн
15000+3.35 грн
21000+3.22 грн
30000+3.10 грн
75000+2.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D8LDW-7Diodes IncorporatedMOSFETs 33V Dual N-Ch Enh 30Vgss 250mA 0.35W
на замовлення 5789 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D8LDW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SOT363
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 48pF @ 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 350mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 439045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.30 грн
22+14.27 грн
100+8.97 грн
500+6.23 грн
1000+5.53 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D8LDWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 48pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D8LT-13Diodes IncorporatedMOSFETs 33V Single N-Ch Enh 20Vgss 115mA 240mW
на замовлення 42239 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D8LT-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.115A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.22 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D8LT-13DiodesMOSFET N-CH 30V 115MA SOT523 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D8LT-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 115MA SOT523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 240mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 48 pF @ 5 V
на замовлення 144194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.60 грн
26+11.85 грн
100+7.41 грн
500+5.12 грн
1000+4.53 грн
2000+4.03 грн
5000+3.42 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D8LT-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN33D8LT-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 115 mA, 5 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 240mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
на замовлення 18630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D8LT-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.115A 3-Pin SOT-523 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D8LT-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 115MA SOT523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 240mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 48 pF @ 5 V
на замовлення 140000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.48 грн
20000+3.05 грн
30000+2.90 грн
50000+2.56 грн
70000+2.46 грн
100000+2.37 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D8LT-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN33D8LT-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 115 mA, 5 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 240mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
на замовлення 18630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D8LT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 0.115A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D8LT-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN33D8LT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 115 mA, 5 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D8LT-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN33D8LT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 115 mA, 5 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D8LT-7Diodes IncorporatedMOSFETs 33V Dual N-Ch Enh 20Vgss 115mA 240mW
на замовлення 6536 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D8LV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.35A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 430mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 48pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 1077000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.92 грн
14+22.04 грн
100+11.12 грн
500+8.51 грн
1000+6.32 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D8LV-7Diodes IncorporatedMOSFETs 2N7002 Family
на замовлення 2905 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D8LV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.35A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 430mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 48pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 1077000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.88 грн
6000+5.41 грн
9000+4.68 грн
30000+4.31 грн
75000+3.57 грн
150000+3.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D8LVQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.35A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 430mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 48pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 169863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.92 грн
14+22.04 грн
100+11.12 грн
500+8.51 грн
1000+6.32 грн
2000+5.31 грн
5000+5.00 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D8LVQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.35A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 430mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 48pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 160000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.86 грн
30000+4.59 грн
50000+3.80 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D8LVQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.35A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 430mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 48pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 77940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.92 грн
14+22.04 грн
100+11.12 грн
500+8.51 грн
1000+6.32 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D8LVQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.35A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 430mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 48pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.88 грн
6000+5.41 грн
9000+4.68 грн
30000+4.31 грн
75000+3.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D9LV-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.35A 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D9LV-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V 30V SOT563 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D9LV-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.35A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+7.46 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D9LV-13ADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.35A 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D9LV-13ADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.35A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 430mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 48pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D9LV-13ADiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V 30V SOT563 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D9LV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.35A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 430mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 48pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 74960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.92 грн
14+22.64 грн
100+11.42 грн
500+9.49 грн
1000+7.39 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D9LV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.35A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 430mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 48pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.32 грн
6000+6.89 грн
9000+6.10 грн
30000+5.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D9LV-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT563 T&R 3K
на замовлення 1511 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D9LV-7ADIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN33D9LV-7A - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 350 mA, 350 mA, 2.4 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 350mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 430mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 430mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D9LV-7ADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.35A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 430mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 48pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 62900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.92 грн
14+22.64 грн
100+11.42 грн
500+9.49 грн
1000+7.39 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D9LV-7ADiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT563 T&R 3K
на замовлення 1976 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D9LV-7ADIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN33D9LV-7A - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 350 mA, 350 mA, 2.4 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 350mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 430mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 430mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D9LV-7ADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.35A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 430mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 48pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.32 грн
6000+6.89 грн
9000+6.10 грн
30000+5.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3401LDW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.8A SOT363
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 290mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 590mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 15V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.29 грн
20000+3.78 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3401LDW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3401LDW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.8A SOT363
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 590mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 290mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
на замовлення 27604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.30 грн
21+14.57 грн
100+9.15 грн
500+6.37 грн
1000+5.66 грн
2000+5.05 грн
5000+4.33 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3401LDW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.8A SOT363
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 590mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 290mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3401LDW-7DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 600mA; Idm: 4A; 350mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.6A
Pulsed drain current: 4A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.2nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2899 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
19+24.39 грн
28+15.01 грн
100+9.16 грн
250+7.64 грн
500+6.71 грн
1000+5.94 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3401LDW-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 5393 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3401LDW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.8A SOT363
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 290mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 590mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
на замовлення 7520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.30 грн
21+14.57 грн
100+9.15 грн
500+6.37 грн
1000+5.66 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3401LDWQ-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT363 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3401LDWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.8A SOT363
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 590mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 290mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3401LDWQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.8A SOT363
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 590mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 290mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.40 грн
6000+4.97 грн
9000+4.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3401LDWQ-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT363 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3401LT-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT523 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 590mA, 10V
Power Dissipation (Max): 390mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 pC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3401LV-13Diodes IncorporatedDiodes Inc. MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT563 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3401LV-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT563 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3401LVQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.8A SOT563
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-563
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 100µA
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 490mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 590mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.46 грн
20000+3.04 грн
30000+2.89 грн
50000+2.55 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3401LVQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT563 T&R 10K
на замовлення 19864 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3401LVQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.8A SOT563
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-563
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 590mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 490mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 56778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.38 грн
25+12.08 грн
100+7.53 грн
500+5.22 грн
1000+4.62 грн
2000+4.11 грн
5000+3.51 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3401LVQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.8A SOT563
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-563
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 590mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 490mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 29975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.38 грн
25+12.08 грн
100+7.53 грн
500+5.22 грн
1000+4.62 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3401LVQ-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT563 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3401LVQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.8A SOT563
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-563
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 590mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 490mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.14 грн
6000+3.59 грн
9000+3.38 грн
15000+2.96 грн
21000+2.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3404DIODES
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3404LDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3404L-7DIODES/ZETEXN-MOSFET 30V 5.8A 28mΩ 720mW DMN3404L-7 Diodes TDMN3404l
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 760 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+4.21 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 36 40 44 46  [ Наступна Сторінка >> ]