Продукція > DMN

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DMN32D0LFB4-7BDiodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.63 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN32D0LFB4-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V-30V X2-DFN1006
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 440mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 100mA, 4V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 44.8 pF @ 15 V
на замовлення 209900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+28.74 грн
16+19.37 грн
100+9.78 грн
500+8.14 грн
1000+6.33 грн
2000+5.67 грн
5000+5.45 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN32D0LV-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.68A 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN32D0LV-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.68A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 480mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 44.8pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 100mA, 4V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN32D0LV-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT563 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN32D0LV-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT563 T&R 3K
на замовлення 1819 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN32D0LV-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.68A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.60 грн
6000+4.38 грн
9000+3.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN32D0LV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.68A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 480mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 44.8pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 100mA, 4V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 15946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.65 грн
38+8.00 грн
100+5.36 грн
500+3.83 грн
1000+3.43 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN32D0LV-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.68A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3081+4.60 грн
Мінімальне замовлення: 3081 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN32D0LV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.68A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 480mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 44.8pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 100mA, 4V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.21 грн
6000+2.81 грн
9000+2.66 грн
15000+2.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN32D0LVQ-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT563 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN32D0LVQ-13Diodes ZetexDual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN32D0LVQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.68A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 480mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 44.8pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 100mA, 4V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN32D0LVQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.68A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 480mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 44.8pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 100mA, 4V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 116205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.42 грн
25+12.34 грн
100+8.33 грн
500+6.02 грн
1000+5.42 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN32D0LVQ-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT563 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN32D0LVQ-7Diodes ZetexDual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN32D0LVQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.68A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 480mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 44.8pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 100mA, 4V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.13 грн
6000+4.51 грн
9000+4.29 грн
15000+3.79 грн
21000+3.65 грн
30000+3.52 грн
75000+3.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN32D2LDF
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN32D2LDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.4A 5-Pin SOT-353 T/R
на замовлення 3154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+25.26 грн
41+18.64 грн
45+17.18 грн
100+10.11 грн
250+8.33 грн
500+7.91 грн
1000+6.45 грн
3000+4.58 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN32D2LDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN32D2LDF-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 400 mA, 400 mA, 1.2 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 400mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.2ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 280mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-353
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.2ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 280mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN32D2LDF-7Diodes IncorporatedMOSFETs 350mw 30V DUAL
на замовлення 14100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN32D2LDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.4A 5-Pin SOT-353 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.72 грн
6000+6.65 грн
9000+6.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN32D2LDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.4A 5-Pin SOT-353 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.72 грн
6000+6.65 грн
9000+6.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN32D2LDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT353
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 280mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 100mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-353
на замовлення 56551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.40 грн
16+19.74 грн
25+16.30 грн
50+13.34 грн
100+11.66 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN32D2LDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN32D2LDF-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 400 mA, 400 mA, 1.2 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 400mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.2ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 280mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-353
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.2ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 280mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN32D2LDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.4A 5-Pin SOT-353 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN32D2LDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.4A 5-Pin SOT-353 T/R
на замовлення 3154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1352+10.49 грн
1520+9.33 грн
1536+9.23 грн
1885+7.25 грн
3000+4.78 грн
Мінімальне замовлення: 1352 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN32D2LDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT353
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 280mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 100mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-353
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.20 грн
9000+5.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN32D2LFB4Diodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN32D2LFB4-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.3A 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
751+18.89 грн
Мінімальне замовлення: 751 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN32D2LFB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 300MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 100mA, 4V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39 pF @ 3 V
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN32D2LFB4-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.3A 3-Pin X2-DFN T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN32D2LFB4-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN32D2LFB4-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 300 mA, 1.2 ohm, X2-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: X2-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN32D2LFB4-7Diodes IncorporatedMOSFETs 350mW 30Vdss
на замовлення 38444 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN32D2LFB4-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.3A 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 900000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN32D2LFB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 300MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 100mA, 4V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39 pF @ 3 V
на замовлення 1367 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+52.81 грн
10+31.19 грн
25+26.00 грн
50+21.36 грн
100+18.80 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN32D2LFB4-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN32D2LFB4-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 300 mA, 1.2 ohm, X2-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: X2-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN32D2LFB4-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.3A 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
462+18.89 грн
1000+16.96 грн
Мінімальне замовлення: 462 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN32D2LV-7Diodes IncorporatedMOSFET Dual N-Channel
на замовлення 15767 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN32D2LV-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.4A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+38.90 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN32D2LV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 400mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 100mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN32D2LV-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.4A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
365+38.90 грн
Мінімальне замовлення: 365 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN32D2LV-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.4A 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN32D4SDW-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.65A 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN32D4SDW-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.65A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.96 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN32D4SDW-13Diodes IncorporatedMOSFET 30V N-Ch Enh Mode 20Vgs 50pF 0.6nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN32D4SDW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.65A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 290mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 650mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 250mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.94 грн
30000+4.66 грн
50000+3.86 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN32D4SDW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.65A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 290mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 650mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 250mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
на замовлення 152468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.40 грн
14+22.36 грн
100+11.29 грн
500+8.64 грн
1000+6.41 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN32D4SDW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.65A 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN32D4SDW-7Diodes IncorporatedMOSFETs 30V N-Ch Enh Mode 20Vgs 50pF 0.6nC
на замовлення 91177 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN32D4SDW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.65A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 290mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 650mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 250mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
на замовлення 152468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.97 грн
6000+5.50 грн
9000+4.75 грн
30000+4.38 грн
75000+3.62 грн
150000+3.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN32D4SDW-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN32D4SDW-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 650 mA, 650 mA, 0.2 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 650mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 650mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.2ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 350mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 350mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN32D4SDW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.65A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 135000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN32D4SDW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.65A 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN32D4SDW-7
Код товару: 131979
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN32D4SDW-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN32D4SDW-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 650 mA, 650 mA, 0.2 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 650mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 650mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.2ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 350mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 350mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN32M6LCA8-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 30A X4-DSN6025
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel, Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: X4-DSN6025-8
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+65.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN32M6LCA8-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V~30V X4-DSN6025-8 T&R 3K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN32M7LCA8-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V X4-DSN6025
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: X4-DSN6025-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3300UDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3300U
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3300U-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN3300U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3300U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 210000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.11 грн
51000+6.49 грн
102000+6.04 грн
153000+5.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3300U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 210000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3300U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
566+25.05 грн
817+17.37 грн
824+17.22 грн
940+14.55 грн
Мінімальне замовлення: 566 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3300U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 2A SOT23-3
на замовлення 54738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.15 грн
11+29.02 грн
25+24.11 грн
50+19.78 грн
100+17.37 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3300U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3300U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3300U-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN3300U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3300U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 903000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3300U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 2A SOT23-3
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.07 грн
9000+9.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3300U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3300U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+30.38 грн
30+25.25 грн
31+25.05 грн
100+16.75 грн
250+15.37 грн
500+12.94 грн
1000+8.06 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3300U-7Diodes IncorporatedMOSFETs 600mW 30Vdss
на замовлення 9173 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3300U-7-52Diodes Zetex1.0W Surface Mount Zener Diode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3300UQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 193 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 156000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.19 грн
6000+6.75 грн
9000+5.77 грн
15000+5.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3300UQ-7Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
на замовлення 153000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3300UQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT23 T&R 3K
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3300UQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 193 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 158545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.62 грн
15+20.19 грн
100+10.13 грн
500+9.49 грн
1000+8.73 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3300UQ-7Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3300UQ-7-52Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D8LDW-13Diodes IncorporatedMOSFETs 33V Dual N-Ch Enh 30Vgss 250mA 0.35W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D8LDW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D8LDW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 48pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 439045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.08 грн
22+14.13 грн
100+8.89 грн
500+6.18 грн
1000+5.48 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D8LDW-7Diodes IncorporatedMOSFETs 33V Dual N-Ch Enh 30Vgss 250mA 0.35W
на замовлення 5789 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D8LDW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 48pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 435000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.51 грн
6000+3.96 грн
9000+3.76 грн
15000+3.32 грн
21000+3.19 грн
30000+3.07 грн
75000+2.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D8LDWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 48pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D8LT-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.115A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.22 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D8LT-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 115MA SOT523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 240mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 48 pF @ 5 V
на замовлення 2775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.75 грн
24+12.71 грн
29+10.53 грн
50+8.56 грн
100+7.45 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D8LT-13DiodesMOSFET N-CH 30V 115MA SOT523 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D8LT-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN33D8LT-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 115 mA, 5 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 240mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
на замовлення 18630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D8LT-13Diodes IncorporatedMOSFETs 33V Single N-Ch Enh 20Vgss 115mA 240mW
на замовлення 42239 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D8LT-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.115A 3-Pin SOT-523 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D8LT-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 115MA SOT523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 240mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 48 pF @ 5 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D8LT-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN33D8LT-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 115 mA, 5 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 240mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
на замовлення 18630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D8LT-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN33D8LT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 115 mA, 5 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D8LT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 115MA SOT523
на замовлення 6104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.75 грн
24+12.71 грн
29+10.53 грн
50+8.56 грн
100+7.45 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D8LT-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN33D8LT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 115 mA, 5 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D8LT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 115MA SOT523
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D8LT-7Diodes IncorporatedMOSFETs 33V Dual N-Ch Enh 20Vgss 115mA 240mW
на замовлення 6536 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.