Продукція > DMN

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 36 40 44 46  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DMN32D4SDW-7Diodes IncorporatedMOSFETs 30V N-Ch Enh Mode 20Vgs 50pF 0.6nC
на замовлення 91177 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+26.34 грн
20+16.12 грн
100+7.46 грн
500+6.28 грн
1000+5.80 грн
3000+3.73 грн
6000+3.24 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN32D4SDW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.65A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 135000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN32D4SDW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.65A SOT363
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 250mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 650mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 290mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 152468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.97 грн
6000+5.50 грн
9000+4.75 грн
30000+4.38 грн
75000+3.62 грн
150000+3.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN32D4SDW-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN32D4SDW-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 650 mA, 650 mA, 0.2 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 650mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 650mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.2ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 350mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 350mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.91 грн
500+6.84 грн
1000+4.14 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN32D4SDW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.65A 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN32D4SDW-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN32D4SDW-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 650 mA, 650 mA, 0.2 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 650mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 650mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.2ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 350mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 350mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+36.08 грн
34+24.16 грн
100+9.91 грн
500+6.84 грн
1000+4.14 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN32D4SDW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.65A 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN32D4SDW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.65A SOT363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 250mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 650mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 290mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: SOT-363
на замовлення 152468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.40 грн
14+22.36 грн
100+11.29 грн
500+8.64 грн
1000+6.41 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN32M6LCA8-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 30A X4-DSN6025
Supplier Device Package: X4-DSN6025-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42.7nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel, Common Drain
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, No Lead
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+65.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN32M6LCA8-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V~30V X4-DSN6025-8 T&R 3K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN32M7LCA8-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V X4-DSN6025
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: X4-DSN6025-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 10A, 10V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, No Lead
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3300U
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3300UDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3300U-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN3300U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+40.51 грн
29+27.95 грн
100+18.20 грн
500+12.79 грн
1000+10.56 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3300U-7Diodes IncorporatedMOSFETs 600mW 30Vdss
на замовлення 2024 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+37.69 грн
13+25.56 грн
100+14.64 грн
500+9.87 грн
3000+9.80 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3300U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 210000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3300U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
566+25.05 грн
817+17.37 грн
824+17.22 грн
940+14.55 грн
Мінімальне замовлення: 566 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3300U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3300U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3300U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 193 pF @ 10 V
на замовлення 14851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.71 грн
12+25.43 грн
100+16.26 грн
500+11.53 грн
1000+10.32 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3300U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 903000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3300U-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN3300U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+18.20 грн
500+12.79 грн
1000+10.56 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3300U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3300U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+30.38 грн
30+25.25 грн
31+25.05 грн
100+16.75 грн
250+15.37 грн
500+12.94 грн
1000+8.06 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3300U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 2A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 193 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 4.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.73 грн
6000+8.54 грн
9000+8.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3300U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 210000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.11 грн
51000+6.49 грн
102000+6.04 грн
153000+5.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3300U-7-52Diodes Zetex1.0W Surface Mount Zener Diode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3300UQ-7Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
на замовлення 153000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3300UQ-7Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3300UQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 193 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 158545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.62 грн
15+20.19 грн
100+10.13 грн
500+9.49 грн
1000+8.73 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3300UQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT23 T&R 3K
на замовлення 5486 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.62 грн
16+20.48 грн
100+8.97 грн
500+8.77 грн
1000+8.22 грн
3000+7.32 грн
6000+5.94 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3300UQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 193 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 156000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.19 грн
6000+6.75 грн
9000+5.77 грн
15000+5.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3300UQ-7-52Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D8LDW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D8LDW-13Diodes IncorporatedMOSFETs 33V Dual N-Ch Enh 30Vgss 250mA 0.35W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D8LDW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SOT363
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 48pF @ 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 350mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 439045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.08 грн
22+14.13 грн
100+8.89 грн
500+6.18 грн
1000+5.48 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D8LDW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SOT363
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 48pF @ 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 350mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 435000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.51 грн
6000+3.96 грн
9000+3.76 грн
15000+3.32 грн
21000+3.19 грн
30000+3.07 грн
75000+2.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D8LDW-7Diodes IncorporatedMOSFETs 33V Dual N-Ch Enh 30Vgss 250mA 0.35W
на замовлення 5789 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.71 грн
17+18.89 грн
100+6.83 грн
1000+4.97 грн
3000+3.80 грн
9000+3.31 грн
45000+3.24 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D8LDWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 48pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D8LT-13DiodesMOSFET N-CH 30V 115MA SOT523 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D8LT-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 115MA SOT523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 240mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 48 pF @ 5 V
на замовлення 144194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.42 грн
26+11.74 грн
100+7.34 грн
500+5.07 грн
1000+4.48 грн
2000+3.99 грн
5000+3.39 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D8LT-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN33D8LT-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 115 mA, 5 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 240mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
на замовлення 18630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.21 грн
101+8.04 грн
500+5.03 грн
1000+3.66 грн
5000+3.55 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D8LT-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.115A 3-Pin SOT-523 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D8LT-13Diodes IncorporatedMOSFETs 33V Single N-Ch Enh 20Vgss 115mA 240mW
на замовлення 42239 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
25+13.13 грн
34+9.45 грн
100+4.28 грн
500+3.87 грн
1000+3.24 грн
10000+2.14 грн
20000+2.07 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D8LT-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 115MA SOT523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 240mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 48 pF @ 5 V
на замовлення 140000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.45 грн
20000+3.02 грн
30000+2.87 грн
50000+2.53 грн
70000+2.44 грн
100000+2.34 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D8LT-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN33D8LT-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 115 mA, 5 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 240mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
на замовлення 18630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+20.78 грн
61+13.21 грн
101+8.04 грн
500+5.03 грн
1000+3.66 грн
5000+3.55 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D8LT-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.115A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.22 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D8LT-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN33D8LT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 115 mA, 5 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+6.00 грн
1000+4.55 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D8LT-7Diodes IncorporatedMOSFETs 33V Dual N-Ch Enh 20Vgss 115mA 240mW
на замовлення 6536 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+26.26 грн
18+17.78 грн
100+6.35 грн
1000+4.42 грн
3000+3.45 грн
9000+2.90 грн
24000+2.83 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D8LT-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN33D8LT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 115 mA, 5 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+26.90 грн
44+18.52 грн
106+7.61 грн
500+6.00 грн
1000+4.55 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D8LT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 0.115A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D8LV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.35A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 430mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 48pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 1077000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.83 грн
6000+5.36 грн
9000+4.64 грн
30000+4.27 грн
75000+3.54 грн
150000+3.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D8LV-7Diodes IncorporatedMOSFETs 2N7002 Family
на замовлення 2905 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+30.44 грн
18+18.42 грн
100+10.15 грн
500+7.52 грн
1000+6.70 грн
3000+5.66 грн
6000+5.11 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D8LV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.35A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 430mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 48pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 1077000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.62 грн
14+21.84 грн
100+11.02 грн
500+8.44 грн
1000+6.26 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D8LVQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.35A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 430mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 48pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 169863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.62 грн
14+21.84 грн
100+11.02 грн
500+8.44 грн
1000+6.26 грн
2000+5.27 грн
5000+4.95 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D8LVQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.35A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 430mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 48pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 160000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.82 грн
30000+4.55 грн
50000+3.77 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D8LVQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.35A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 430mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 48pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 77940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.62 грн
14+21.84 грн
100+11.02 грн
500+8.44 грн
1000+6.26 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D8LVQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.35A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 430mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 48pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.83 грн
6000+5.36 грн
9000+4.64 грн
30000+4.27 грн
75000+3.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D9LV-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.35A 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D9LV-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V 30V SOT563 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D9LV-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.35A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+7.47 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D9LV-13ADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.35A 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D9LV-13ADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.35A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 430mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 48pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D9LV-13ADiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V 30V SOT563 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D9LV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.35A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 430mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 48pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 74960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.62 грн
14+22.44 грн
100+11.32 грн
500+9.41 грн
1000+7.32 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D9LV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.35A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 430mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 48pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.25 грн
6000+6.83 грн
9000+6.05 грн
30000+5.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D9LV-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT563 T&R 3K
на замовлення 1511 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+35.36 грн
15+21.28 грн
100+11.74 грн
500+8.84 грн
1000+7.87 грн
3000+6.56 грн
6000+6.01 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D9LV-7ADiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT563 T&R 3K
на замовлення 1976 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+35.36 грн
15+21.28 грн
100+11.74 грн
500+8.84 грн
1000+7.87 грн
3000+6.56 грн
6000+5.87 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D9LV-7ADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.35A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 430mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 48pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 62900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.62 грн
14+22.44 грн
100+11.32 грн
500+9.41 грн
1000+7.32 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D9LV-7ADIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN33D9LV-7A - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 350 mA, 350 mA, 2.4 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 350mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 430mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 430mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+14.09 грн
500+9.57 грн
1000+7.87 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D9LV-7ADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.35A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 430mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 48pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.25 грн
6000+6.83 грн
9000+6.05 грн
30000+5.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D9LV-7ADIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN33D9LV-7A - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 350 mA, 350 mA, 2.4 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 350mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 430mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 430mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+35.36 грн
37+21.83 грн
100+14.09 грн
500+9.57 грн
1000+7.87 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3401LDW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.8A SOT363
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 590mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 290mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
на замовлення 27604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.08 грн
21+14.43 грн
100+9.06 грн
500+6.32 грн
1000+5.61 грн
2000+5.01 грн
5000+4.29 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3401LDW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+24.97 грн
21+15.24 грн
100+8.35 грн
500+6.21 грн
1000+4.69 грн
5000+4.21 грн
10000+3.87 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3401LDW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.8A SOT363
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 290mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 590mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 15V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.25 грн
20000+3.74 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3401LDW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.8A SOT363
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 590mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 290mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3401LDW-7DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 600mA; Idm: 4A; 350mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.6A
Pulsed drain current: 4A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.2nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+22.37 грн
32+13.13 грн
100+7.95 грн
500+5.82 грн
1000+5.15 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3401LDW-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 5393 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+24.97 грн
21+15.24 грн
100+8.35 грн
500+6.21 грн
1000+5.45 грн
3000+4.49 грн
6000+4.00 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3401LDW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.8A SOT363
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 290mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 590mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
на замовлення 7520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.08 грн
21+14.43 грн
100+9.06 грн
500+6.32 грн
1000+5.61 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3401LDWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.8A SOT363
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 590mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 290mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3401LDWQ-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT363 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3401LDWQ-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT363 T&R 3K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3401LDWQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.8A SOT363
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 590mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 290mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.35 грн
6000+4.93 грн
9000+4.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3401LT-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT523 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 590mA, 10V
Power Dissipation (Max): 390mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 pC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3401LV-13Diodes IncorporatedDiodes Inc. MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT563 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3401LV-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT563 T&R 3K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3401LVQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT563 T&R 10K
на замовлення 19864 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+20.78 грн
26+12.62 грн
100+6.90 грн
500+5.11 грн
1000+4.00 грн
2500+3.87 грн
5000+3.31 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3401LVQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.8A SOT563
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-563
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 590mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 490mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 56778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.19 грн
25+11.97 грн
100+7.46 грн
500+5.17 грн
1000+4.58 грн
2000+4.08 грн
5000+3.47 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3401LVQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.8A SOT563
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-563
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 100µA
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 490mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 590mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.43 грн
20000+3.01 грн
30000+2.86 грн
50000+2.53 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3401LVQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.8A SOT563
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-563
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 590mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 490mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.10 грн
6000+3.55 грн
9000+3.35 грн
15000+2.93 грн
21000+2.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3401LVQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.8A SOT563
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-563
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 590mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 490mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 29975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.19 грн
25+11.97 грн
100+7.46 грн
500+5.17 грн
1000+4.58 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3401LVQ-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT563 T&R 3K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3404DIODES
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3404LDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3404L-7Diodes IncorporatedMOSFETs N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
на замовлення 198779 шт:
термін постачання 301-310 дні (днів)
13+26.34 грн
20+15.88 грн
100+8.70 грн
500+6.42 грн
1000+5.73 грн
3000+3.45 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3404L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 208 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3404L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.94 грн
6000+5.38 грн
9000+4.81 грн
24000+4.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3404L-7DiodesMOSFET N-CH 30V 5.8A SOT-23 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3404L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3404L-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 720mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 386 pF @ 15 V
на замовлення 314000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.29 грн
6000+4.60 грн
9000+4.34 грн
15000+3.81 грн
21000+3.65 грн
30000+3.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 36 40 44 46  [ Наступна Сторінка >> ]