Продукція > IMT

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IMT65R040M2HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 22.9A, 20V
Power Dissipation (Max): 277W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 4.6mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 997 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R048M1HXTMA1Infineon TechnologiesMOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R048M1HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT65R048M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 50 A, 650 V, 0.048 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+645.12 грн
5+543.64 грн
10+442.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R048M1HXUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 751 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+761.10 грн
10+536.67 грн
100+349.31 грн
500+343.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R048M1HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT65R048M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 50 A, 650 V, 0.048 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+442.16 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R050M2HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT65R050M2HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 48.1 A, 650 V, 0.046 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 237W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+359.21 грн
100+310.88 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R050M2HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 18.2A, 20V
Power Dissipation (Max): 237W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.7mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R050M2HXUMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+458.27 грн
10+319.14 грн
100+239.55 грн
500+218.84 грн
1000+194.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R050M2HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT65R050M2HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 48.1 A, 650 V, 0.046 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 237W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+509.82 грн
10+359.21 грн
100+310.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R050M2HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 18.2A, 20V
Power Dissipation (Max): 237W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.7mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R057M1HXTMA1Infineon TechnologiesMOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R057M1HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT65R057M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 44 A, 650 V, 0.057 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
Verlustleistung: 203W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+525.12 грн
10+399.48 грн
100+292.36 грн
500+237.07 грн
1000+214.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R057M1HXUMA1Infineon TechnologiesMOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 925 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+717.61 грн
10+606.53 грн
25+478.41 грн
100+439.06 грн
250+413.51 грн
500+387.97 грн
1000+367.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R057M1HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT65R057M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 44 A, 650 V, 0.057 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
Verlustleistung: 203W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+399.48 грн
100+292.36 грн
500+237.07 грн
1000+214.70 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R060M2HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 15.4A, 20V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.1mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 669 pF @ 400 V
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+438.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R060M2HXUMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 1048 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+459.88 грн
10+304.85 грн
100+191.22 грн
500+178.11 грн
1000+171.89 грн
2000+167.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R060M2HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT65R060M2HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 41.4 A, 650 V, 0.055 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+339.88 грн
100+246.45 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R060M2HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 15.4A, 20V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.1mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 669 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R060M2HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT65R060M2HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 41.4 A, 650 V, 0.055 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+497.74 грн
10+339.88 грн
100+246.45 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R072M1HXTMA1Infineon TechnologiesMOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R072M1HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT65R072M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 36 A, 650 V, 0.072 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 174W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+397.87 грн
100+293.16 грн
500+271.48 грн
1000+245.07 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R072M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+540.54 грн
10+446.40 грн
100+371.99 грн
500+308.03 грн
1000+277.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R072M1HXUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+560.56 грн
10+374.72 грн
100+243.00 грн
2000+212.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R072M1HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT65R072M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 36 A, 650 V, 0.072 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 174W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+550.09 грн
10+397.87 грн
100+293.16 грн
500+271.48 грн
1000+245.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R072M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R075M2HXUMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 851 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+492.90 грн
10+319.14 грн
100+203.65 грн
500+180.87 грн
1000+160.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R075M2HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 650V 33.7A HSOF-8
Packaging: Tube
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 11.9A, 18V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 2.4mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 516 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R083M1HXTMA1Infineon TechnologiesMOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R083M1HXUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 1934 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+484.85 грн
10+322.32 грн
100+202.96 грн
500+191.22 грн
1000+184.32 грн
2000+178.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R083M1HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT65R083M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 32 A, 650 V, 0.083 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 158W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+340.68 грн
100+247.26 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R083M1HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT65R083M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 32 A, 650 V, 0.083 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 158W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+498.54 грн
10+340.68 грн
100+247.26 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R107M1HXTMA1Infineon TechnologiesMOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R107M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
на замовлення 2211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+391.42 грн
10+251.81 грн
100+181.10 грн
500+166.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R107M1HXUMA1Infineon TechnologiesMOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 371 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+487.27 грн
10+412.03 грн
25+325.15 грн
100+298.23 грн
250+280.97 грн
500+263.02 грн
1000+249.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R107M1HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT65R107M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 650 V, 0.141 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 138W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.141ohm
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+461.49 грн
10+310.08 грн
100+223.10 грн
500+186.22 грн
1000+166.37 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R107M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+150.82 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R163M1HXTMA1Infineon TechnologiesMOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R163M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
на замовлення 1594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+403.85 грн
10+260.41 грн
100+187.61 грн
500+146.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R163M1HXUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 249 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+401.89 грн
10+259.60 грн
100+165.68 грн
500+147.04 грн
1000+130.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R163M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R260M1HXTMA1Infineon TechnologiesMOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R260M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET PG-HSOF-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R260M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
на замовлення 1870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+346.38 грн
10+221.07 грн
100+157.11 грн
500+121.84 грн
1000+116.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R260M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R260M1HXUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+309.27 грн
10+200.06 грн
100+123.57 грн
500+104.93 грн
2000+98.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R50M2HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 650V 48.1A PG-HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 18.2A, 18V
Power Dissipation (Max): 237W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.7mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 400 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R50M2HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 650V 48.1A PG-HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 18.2A, 18V
Power Dissipation (Max): 237W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.7mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 400 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+287.83 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMT7057-10N/ASOP-20
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT901Nanotec
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT901
Код товару: 61176
Додати до обраних Обраний товар
Мікросхеми > Драйвери двигунів
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R020M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMTA65R020M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 77 A, 650 V, 0.018 ohm, LHSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
Verlustleistung: 416W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+685.39 грн
50+583.34 грн
100+489.45 грн
250+479.79 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R020M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 630 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+898.02 грн
10+675.60 грн
100+489.45 грн
500+443.20 грн
1000+436.30 грн
2000+407.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R020M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+994.09 грн
10+762.30 грн
100+700.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R020M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMTA65R020M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 77 A, 650 V, 0.018 ohm, LHSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 416W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LHSOF
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+898.82 грн
5+792.51 грн
10+685.39 грн
50+583.34 грн
100+489.45 грн
250+479.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R020M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R026M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMTA65R026M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 79 A, 650 V, 0.024 ohm, LHSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 357W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LHSOF
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+767.54 грн
5+662.84 грн
10+558.14 грн
50+474.90 грн
100+398.33 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R026M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMTA65R026M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 79 A, 650 V, 0.024 ohm, LHSOF
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+558.14 грн
50+474.90 грн
100+398.33 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R026M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 750 V G2
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+747.41 грн
10+577.16 грн
100+417.66 грн
500+372.09 грн
2000+316.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R033M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerLSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 27.9A, 20V
Power Dissipation (Max): 315W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5.7mA
Supplier Device Package: PG-LHSOF-4-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1214 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R033M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMTA65R033M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 650 V, 0.03 ohm, LHSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 315W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LHSOF
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+673.31 грн
5+559.75 грн
10+446.19 грн
50+387.40 грн
100+332.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R033M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V G2
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+637.88 грн
10+467.60 грн
100+338.96 грн
500+303.75 грн
2000+257.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R033M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerLSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 27.9A, 20V
Power Dissipation (Max): 315W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5.7mA
Supplier Device Package: PG-LHSOF-4-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1214 pF @ 400 V
на замовлення 1791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+677.22 грн
10+446.55 грн
100+330.60 грн
500+305.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R033M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMTA65R033M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 650 V, 0.03 ohm, LHSOF
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+446.19 грн
50+387.40 грн
100+332.74 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R040M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 353 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+704.72 грн
10+581.13 грн
25+443.89 грн
100+407.99 грн
250+387.28 грн
2000+330.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R040M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMTA65R040M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 650 V, 0.036 ohm, LHSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
Verlustleistung: 242W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
на замовлення 2090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+361.62 грн
50+308.87 грн
100+228.50 грн
250+223.67 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R040M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R040M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMTA65R040M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 650 V, 0.036 ohm, LHSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 242W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LHSOF
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
на замовлення 2090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+570.22 грн
5+466.33 грн
10+361.62 грн
50+308.87 грн
100+228.50 грн
250+223.67 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R040M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+701.30 грн
10+502.72 грн
100+421.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R050M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMTA65R050M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 650 V, 0.046 ohm, LHSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
Verlustleistung: 197W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
на замовлення 1778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+310.08 грн
50+267.74 грн
100+227.81 грн
250+209.17 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R050M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R050M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+430.89 грн
10+325.50 грн
100+229.19 грн
500+203.65 грн
1000+197.44 грн
2000+167.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R050M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMTA65R050M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 650 V, 0.046 ohm, LHSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 197W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LHSOF
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
на замовлення 1778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+481.63 грн
5+396.26 грн
10+310.08 грн
50+267.74 грн
100+227.81 грн
250+209.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R050M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+597.23 грн
10+416.56 грн
100+347.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R060M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+531.99 грн
10+364.51 грн
100+299.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R060M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 309 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+433.30 грн
10+324.70 грн
100+249.21 грн
500+215.39 грн
1000+209.86 грн
2000+178.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R060M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMTA65R060M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 37 A, 650 V, 0.055 ohm, LHSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 165W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LHSOF
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+453.44 грн
10+290.75 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R060M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R060M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMTA65R060M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 37 A, 650 V, 0.055 ohm, LHSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
Verlustleistung: 165W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+290.75 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3