Продукція > IMZ

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IMZA65R039M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 50A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+515.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R039M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 335 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R039M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 50A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+942.90 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R039M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1393 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +20V, -2V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 7.5mA
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+867.68 грн
30+666.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R039M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 50A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R040M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R040M2HXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R040M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R040M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 22.9A, 20V
Power Dissipation (Max): 172W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 4.6mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 997 pF @ 400 V
на замовлення 184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+792.44 грн
30+453.00 грн
60+416.05 грн
120+361.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R040M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R040M2HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA65R040M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 46 A, 650 V, 0.036 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 172W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R040M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R048M1HInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+1592.05 грн
10+1543.47 грн
20+1448.37 грн
50+1309.27 грн
100+1230.50 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R048M1HInfineon TechnologiesMOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R048M1HINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; 650V; 40A; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 40A
Case: TO247
On-state resistance: 64mΩ
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 33nC
на замовлення 240 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+1332.16 грн
9+1183.33 грн
10+1176.63 грн
20+1146.43 грн
30+1022.31 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R048M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 20.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 6mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1118 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R048M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+754.78 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R048M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R048M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 309 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R048M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+592.85 грн
100+563.38 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R048M1HXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 24A; Idm: 100A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolSiC™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...23V
On-state resistance: 63mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
на замовлення 162 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+729.75 грн
5+535.06 грн
10+477.19 грн
30+422.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R048M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+754.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R048M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA65R048M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 39 A, 650 V, 0.048 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R048M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 170 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R048M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
170+461.93 грн
Мінімальне замовлення: 170 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R050M2HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA65R050M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 38 A, 650 V, 0.046 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 153W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R050M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 38A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R050M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 18.2A, 20V
Power Dissipation (Max): 153W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 400 V
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+689.76 грн
30+390.93 грн
60+358.35 грн
120+310.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R050M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 38A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+539.34 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R050M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 231 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R050M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 38A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+539.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R050M2HXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R057M1HInfineon TechnologiesIMZA65R057M1H
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+1325.18 грн
20+1289.59 грн
50+1214.03 грн
100+1100.49 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R057M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+640.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R057M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+373.39 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R057M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R057M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +20V, -2V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 5mA
Power Dissipation (Max): 133W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 16.7A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R057M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R057M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R057M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R057M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+963.05 грн
25+918.59 грн
50+881.62 грн
100+820.17 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R057M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA65R057M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 650 V, 0.057 ohm, TO-247
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 133W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R057M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+723.20 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R060M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 32.8A 4-Pin(4+Tab) TO-247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R060M2HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA65R060M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 32.8 A, 650 V, 0.073 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R060M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 32.8A 4-Pin(4+Tab) TO-247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R060M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IMZA65R060M2HXKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 15.4A, 20V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.1mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 669 pF @ 400 V
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+503.21 грн
30+307.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R060M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V, 60 mohm G2
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R072M1HXKSA1Infineon TechnologiesCoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+570.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R072M1HXKSA1Infineon TechnologiesCoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
83+426.66 грн
100+405.45 грн
Мінімальне замовлення: 83 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R072M1HXKSA1Infineon TechnologiesCoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+525.20 грн
50+521.42 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R072M1HXKSA1Infineon TechnologiesCoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package
на замовлення 164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+360.28 грн
10+359.72 грн
25+329.07 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R072M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 744 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 13.3A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
на замовлення 169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+562.78 грн
30+312.03 грн
120+264.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R072M1HXKSA1Infineon TechnologiesCoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+351.14 грн
480+334.92 грн
1200+334.64 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R072M1HXKSA1Infineon TechnologiesCoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+570.27 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R072M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R072M1HXKSA1Infineon TechnologiesCoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package
на замовлення 3120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+417.40 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R072M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA65R072M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 28 A, 650 V, 0.072 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R072M1HXKSA1Infineon TechnologiesCoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R072M1HXKSA1Infineon TechnologiesCoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+351.14 грн
480+334.92 грн
1200+334.64 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R075M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R083M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 624 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +20V, -2V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 3.3mA
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 11.2A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+932.74 грн
10+825.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R083M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 26A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
91+391.30 грн
100+372.45 грн
Мінімальне замовлення: 91 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R083M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA65R083M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 650 V, 0.083 ohm, TO-247
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R083M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 26A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R083M1HXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 26A; 104W; TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26A
Power dissipation: 104W
Case: TO247-4
On-state resistance: 111mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R083M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 26A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+378.39 грн
10+377.82 грн
25+326.34 грн
100+312.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R083M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R083M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 26A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+482.76 грн
50+478.99 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R107M1HInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 20A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+1042.52 грн
25+994.38 грн
50+954.37 грн
100+887.84 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R107M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 20A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+347.21 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R107M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA65R107M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 20 A, 650 V, 0.107 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R107M1HXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 13A; Idm: 48A; 75W
Mounting: THT
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 75W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolSiC™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 13A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...23V
Kind of package: tube
Case: TO247-4
On-state resistance: 139mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R107M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 20A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+575.17 грн
27+533.68 грн
50+513.88 грн
100+471.89 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R107M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R107M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 20A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
105+337.09 грн
Мінімальне замовлення: 105 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R107M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 142mOhm @ 8.9A, 18V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 3mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 496 pF @ 400 V
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+582.37 грн
30+323.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R107M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 20A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
105+337.09 грн
Мінімальне замовлення: 105 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R107M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 20A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R107M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 20A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R007M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SiC MOSFET, 750 V
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R008M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 163A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 90.3A, 20V
Power Dissipation (Max): 517W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 32.4mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6137 pF @ 500 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R008M1HXKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R011M2HInfineon Technologies SILICON CARBIDE MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R011M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SiC MOSFET, 750 V
на замовлення 464 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R016M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R016M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA75R016M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 89 A, 750 V, 0.015 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 319W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R016M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 41.5A, 20V
Power Dissipation (Max): 319W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 14.9mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2869 pF @ 500 V
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1272.13 грн
30+767.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R016M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SiC MOSFET, 750 V
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R020M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA75R020M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 75 A, 750 V, 0.018 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R020M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 32.5A, 20V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 11.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2217 pF @ 500 V
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1076.18 грн
30+639.96 грн
120+571.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R020M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R020M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SiC MOSFET, 750 V
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R025M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SiC MOSFET, 750 V
на замовлення 391 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R027M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 24.5A, 20V
Power Dissipation (Max): 234W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 8.8mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1668 pF @ 500 V
на замовлення 202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+935.09 грн
30+549.36 грн
120+476.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R027M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R027M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA75R027M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 60 A, 750 V, 0.025 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R033M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IMZA75R033M2HXKSA1
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+939.79 грн
30+548.10 грн
60+505.58 грн
120+440.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R033M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SiC MOSFET, 750 V
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R040M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 16.6A, 20V
Power Dissipation (Max): 185W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 6mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1135 pF @ 500 V
на замовлення 212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+685.05 грн
30+392.14 грн
120+333.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.