Продукція > IMZ

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IMZA65R048M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA65R048M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 39 A, 650 V, 0.048 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+678.95 грн
5+534.78 грн
10+389.81 грн
50+346.26 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R048M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+375.64 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R050M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 38A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+540.54 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R050M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 18.2A, 20V
Power Dissipation (Max): 153W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 400 V
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+549.08 грн
30+308.27 грн
120+259.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R050M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 38A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+540.54 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R050M2HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA65R050M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 38 A, 650 V, 0.046 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 153W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+660.43 грн
5+565.39 грн
10+469.55 грн
50+410.58 грн
100+355.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R050M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 38A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R050M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 816 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+605.66 грн
10+508.09 грн
25+321.01 грн
100+305.13 грн
240+304.44 грн
1200+292.70 грн
2640+292.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R057M1HInfineon TechnologiesIMZA65R057M1H
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+1328.13 грн
20+1292.46 грн
50+1216.74 грн
100+1102.94 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R057M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA65R057M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 650 V, 0.057 ohm, TO-247
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 133W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+699.09 грн
5+562.97 грн
10+426.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R057M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R057M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+965.19 грн
25+920.64 грн
50+883.58 грн
100+821.99 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R057M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+724.82 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R057M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+470.35 грн
10+322.32 грн
100+263.02 грн
480+251.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R057M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+641.75 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R057M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+374.22 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R057M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R057M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +20V, -2V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 5mA
Power Dissipation (Max): 133W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 16.7A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R057M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R060M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V, 60 mohm G2
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+533.17 грн
10+371.54 грн
100+269.23 грн
480+239.55 грн
1200+213.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R060M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 32.8A 4-Pin(4+Tab) TO-247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R060M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IMZA65R060M2HXKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 15.4A, 20V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.1mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 669 pF @ 400 V
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+498.60 грн
30+304.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R060M2HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA65R060M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 32.8 A, 650 V, 0.073 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+603.24 грн
5+518.68 грн
10+441.36 грн
50+387.40 грн
100+335.51 грн
250+325.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R060M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 32.8A 4-Pin(4+Tab) TO-247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R072M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 744 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 13.3A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
на замовлення 169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+557.62 грн
30+309.17 грн
120+262.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R072M1HXKSA1Infineon TechnologiesCoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+351.92 грн
480+335.66 грн
1200+335.38 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R072M1HXKSA1Infineon TechnologiesCoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+571.54 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R072M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA65R072M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 28 A, 650 V, 0.072 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+258.53 грн
5+256.12 грн
10+253.70 грн
50+233.34 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R072M1HXKSA1Infineon TechnologiesCoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package
на замовлення 3120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+418.33 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R072M1HXKSA1Infineon TechnologiesCoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R072M1HXKSA1Infineon TechnologiesCoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+351.92 грн
480+335.66 грн
1200+335.38 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R072M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R072M1HXKSA1Infineon TechnologiesCoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+571.54 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R072M1HXKSA1Infineon TechnologiesCoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
83+427.61 грн
100+406.35 грн
Мінімальне замовлення: 83 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R072M1HXKSA1Infineon TechnologiesCoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+526.36 грн
50+522.58 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R072M1HXKSA1Infineon TechnologiesCoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package
на замовлення 164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+361.08 грн
10+360.52 грн
25+329.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R075M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+471.16 грн
10+338.99 грн
100+238.86 грн
480+211.93 грн
1200+181.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R083M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 26A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R083M1HXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 26A; 104W; TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26A
Power dissipation: 104W
Case: TO247-4
On-state resistance: 111mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R083M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 26A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+379.23 грн
10+378.66 грн
25+327.06 грн
100+313.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R083M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 26A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+483.84 грн
50+480.06 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R083M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 624 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +20V, -2V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 3.3mA
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 11.2A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+924.19 грн
10+818.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R083M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+387.40 грн
10+261.19 грн
100+204.34 грн
480+182.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R083M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA65R083M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 650 V, 0.083 ohm, TO-247
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+555.72 грн
10+553.31 грн
100+298.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R083M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 26A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
91+392.18 грн
100+373.28 грн
Мінімальне замовлення: 91 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R107M1HInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 20A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+1044.84 грн
25+996.60 грн
50+956.49 грн
100+889.82 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R107M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 20A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
105+337.84 грн
Мінімальне замовлення: 105 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R107M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 20A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R107M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 142mOhm @ 8.9A, 18V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 3mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 496 pF @ 400 V
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+577.04 грн
30+320.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R107M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 437 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+462.30 грн
10+298.50 грн
100+217.46 грн
480+216.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R107M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA65R107M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 20 A, 650 V, 0.107 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+484.04 грн
10+429.28 грн
100+250.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R107M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 20A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R107M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 20A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+347.99 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R107M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 20A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+576.45 грн
27+534.87 грн
50+515.02 грн
100+472.94 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R107M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 20A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
105+337.84 грн
Мінімальне замовлення: 105 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R007M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SiC MOSFET, 750 V
на замовлення 443 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2553.11 грн
10+2053.80 грн
100+1577.43 грн
480+1448.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R008M1HXKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2654.59 грн
10+2144.30 грн
100+1473.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R008M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 163A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 90.3A, 20V
Power Dissipation (Max): 517W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 32.4mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6137 pF @ 500 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R011M2HInfineon Technologies SILICON CARBIDE MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R011M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SiC MOSFET, 750 V
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1974.84 грн
10+1558.41 грн
100+1172.20 грн
480+1109.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R016M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1312.80 грн
10+855.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R016M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 41.5A, 20V
Power Dissipation (Max): 319W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 14.9mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2869 pF @ 500 V
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1260.48 грн
30+760.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R016M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA75R016M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 89 A, 750 V, 0.015 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 319W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1436.02 грн
5+1432.00 грн
10+1427.16 грн
50+867.53 грн
100+799.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R016M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SiC MOSFET, 750 V
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1523.81 грн
10+1121.77 грн
100+843.60 грн
480+798.72 грн
1200+677.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R020M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 32.5A, 20V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 11.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2217 pF @ 500 V
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1066.32 грн
30+634.09 грн
120+566.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R020M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1384.48 грн
10+910.59 грн
100+646.85 грн
480+641.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R020M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA75R020M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 75 A, 750 V, 0.018 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1256.42 грн
5+1225.82 грн
10+1195.21 грн
50+797.98 грн
100+706.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R020M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SiC MOSFET, 750 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1384.48 грн
10+1040.00 грн
100+753.16 грн
480+671.70 грн
1200+570.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R025M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SiC MOSFET, 750 V
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1099.37 грн
10+825.65 грн
100+597.84 грн
480+532.94 грн
1200+452.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R027M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA75R027M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 60 A, 750 V, 0.025 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+989.03 грн
5+964.06 грн
10+939.09 грн
50+572.12 грн
100+513.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R027M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1216.15 грн
10+778.81 грн
100+541.23 грн
480+532.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R027M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 24.5A, 20V
Power Dissipation (Max): 234W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 8.8mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1668 pF @ 500 V
на замовлення 202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+926.52 грн
30+544.32 грн
120+472.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R033M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SiC MOSFET, 750 V
на замовлення 481 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+937.48 грн
10+704.18 грн
100+510.16 грн
480+454.93 грн
1200+385.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R040M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 16.6A, 20V
Power Dissipation (Max): 185W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 6mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1135 pF @ 500 V
на замовлення 212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+678.78 грн
30+388.54 грн
120+330.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R040M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+807.81 грн
10+474.75 грн
100+354.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R040M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA75R040M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 44 A, 750 V, 0.037 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 185W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+763.52 грн
5+745.80 грн
10+728.08 грн
50+432.27 грн
100+368.64 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R040M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SiC MOSFET, 750 V
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+790.10 грн
10+563.66 грн
100+407.99 грн
480+363.12 грн
1200+308.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R050M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SiC MOSFET, 750 V
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+707.14 грн
10+493.01 грн
100+356.91 грн
480+318.25 грн
1200+269.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R060M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+677.34 грн
10+397.74 грн
100+292.01 грн
480+285.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R060M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA75R060M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 32 A, 750 V, 0.055 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 144W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+610.49 грн
5+597.61 грн
10+584.72 грн
50+354.49 грн
100+289.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R060M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 11.1A, 20V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 4mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 779 pF @ 500 V
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+573.93 грн
30+323.55 грн
120+273.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R060M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IMZA75R060M2HXKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 13.8A, 20V
Power Dissipation (Max): 108W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 840 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 716 pF @ 500 V
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+563.06 грн
30+314.85 грн
120+264.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R060M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SiC MOSFET, 750 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+633.85 грн
10+427.11 грн
100+305.82 грн
480+272.68 грн
1200+231.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R090M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+546.06 грн
10+310.41 грн
100+227.12 грн
480+211.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R090M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA75R090M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 23 A, 750 V, 0.083 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+514.65 грн
10+491.29 грн
100+277.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R090M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 83mOhm @ 7.4A, 20V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 542 pF @ 500 V
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+456.66 грн
30+253.03 грн
120+211.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R140M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+451.02 грн
10+252.46 грн
100+182.94 грн
480+163.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R140M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA75R140M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 16 A, 750 V, 0.129 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 86W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.129ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+418.00 грн
10+256.92 грн
100+221.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R140M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 129mOhm @ 4.7A, 20V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 1.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 351 pF @ 500 V
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+378.22 грн
30+206.41 грн
120+171.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZC120R007M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SIC DISCRETE
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3157.02 грн
30+2021.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZC120R007M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with .XT interconnection technology
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3137.83 грн
10+2638.10 грн
100+1892.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZC120R012M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 12 mohm G2
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1844.36 грн
10+1181.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZC120R012M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 129A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 129A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 57A, 18V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 17.8mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-17
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4050 pF @ 800 V
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1757.52 грн
30+1084.31 грн
120+951.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZC120R017M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 97A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 382W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 12.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-17
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2910 pF @ 800 V
на замовлення 739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1326.49 грн
30+798.50 грн
120+693.62 грн
510+622.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZC120R017M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 17 mohm G2
на замовлення 364 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1532.67 грн
10+1029.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZC120R022M2HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZC120R022M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 80 A, 1.2 kV, 0.022 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 329W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1511.73 грн
5+1334.54 грн
10+1154.94 грн
50+960.26 грн
100+802.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZC120R022M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 22 mohm G2
на замовлення 1665 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1194.40 грн
10+725.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZC120R022M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 32A, 18V
Power Dissipation (Max): 329W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 10.1mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-17
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330 pF @ 800 V
на замовлення 841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1329.60 грн
30+789.25 грн
120+681.75 грн
510+565.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZC120R026M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 26 mohm G2
на замовлення 483 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1183.13 грн
10+754.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZC120R026M2HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZC120R026M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 69 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 69A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 289W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1237.09 грн
5+1063.93 грн
10+906.07 грн
50+794.24 грн
100+687.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4  [ Наступна Сторінка >> ]