Продукція > TK6

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
TK6A60D
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A60D(PHIL,Q,M)ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A60D(Q)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A60D(Q)ToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A60D(QM)ToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A60D(S4SH6,Q,M)ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A60D(S4SY,A,Q)ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A60D(S4SY,Q,M)ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A60D(STA4,A,Q)ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A60D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 6A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A60D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A60D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFET N-Ch FET 600V 3.0s IDSS 10 uA 1.0 Ohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A60D(STA4,Q,M)
Код товару: 107094
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A60D(STA4,X,M)ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A60D(STA4,X,S)ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A60D,S5HITAPQ(JToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A60D,S5Q(JToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A60DR(Q,M)ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A60DR(STA4,Q,M)ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A60DR(STA4,X,M)ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A60DR,S4X(SToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A60DR,S4X(SToshibaTK6A60DR,S4X(S
на замовлення 10250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
411+85.94 грн
500+77.34 грн
1000+71.34 грн
10000+61.33 грн
Мінімальне замовлення: 411 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A60W,S4VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A60W,S4VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A60W,S4VXToshibaMOSFETs N-Ch 6.2A 30W FET 600V 390pF 12nC
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A60W,S4VXToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 6.2A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 310µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 300 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+194.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A60W,S4VX(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK6A60W,S4VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.2 A, 0.68 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 30W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.68ohm
на замовлення 1198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A60W,S4VX(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A60W,S4VX(MTOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.2A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.2A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.68Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A60WS4VX(MToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A60WS4VX(M-XToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A65DToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A65D(Q)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+270.95 грн
Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A65D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFET N-CH 650V 5A TO-220SIS Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A65D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+163.90 грн
10+99.27 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A65D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFETs N-Ch FET 650V 4.0s IDSS 10 uA .95 Ohm
на замовлення 337 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A65D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 6A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.11Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+198.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A65D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A65D(STA4,Q,M)TOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 24A; 45W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 416 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+157.71 грн
5+114.28 грн
10+100.73 грн
50+77.88 грн
100+69.41 грн
250+61.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A65D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A65D(STA4,X,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+105.76 грн
10+92.63 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A65D(STA4,X,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A65D(STA4,X,M)TOSHIBADescription: TOSHIBA - TK6A65D(STA4,X,M) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 6 A, 0.95 ohm, SC-67, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 45W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SC-67
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm
на замовлення 1244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A65D(STA4,X,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A65D(STA4XM)ToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A65DSTA4QM
Код товару: 143200
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A65W,S5XToshibaMOSFETs Power MOSFET N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A65W,S5XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 5.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A65W,S5XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 5.8A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 180µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 300 V
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+163.77 грн
50+76.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A65W,S5X(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK6A65W,S5X(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 5.8 A, 0.85 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 30W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A80EToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A80E,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A80E,S4XToshibaMOSFETs PLN MOS 800V 1700m (VGS=10V) TO-220SIS
на замовлення 158 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A80E,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 800V 6A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 600µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+221.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A80E,S4X(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; Idm: 18A; 45W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.35Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 102 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+116.69 грн
5+97.35 грн
10+86.34 грн
50+79.57 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A80E,S4X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
125+112.90 грн
131+107.84 грн
250+103.53 грн
500+96.22 грн
Мінімальне замовлення: 125 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A80E,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK6A80E,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 1.35 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 45W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.35ohm
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A80ES4X(SToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK6P-5.08TraktronixDescription: 6 PIN 5.08MM QUICK SPEAKER CONN
Packaging: Bulk
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+345.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK6P53D
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK6P53D(T6RSS-Q)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 525V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK6P53D(T6RSS-Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 525V 6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 525 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+124.21 грн
10+75.58 грн
50+56.67 грн
100+47.45 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK6P53D(T6RSS-Q)ToshibaMOSFETs N-Ch MOS 6A 525V 100W 600pF 1.3 Ohm
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK6P53D(T6RSS-Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 525V 6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 525 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK6P60WToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK6P60W,RVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 600V 6.2A DPAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 820mOhm @ 3.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 310µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
на замовлення 951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+144.78 грн
10+88.83 грн
50+66.98 грн
100+56.24 грн
500+44.62 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK6P60W,RVQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 6.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK6P60W,RVQToshibaMOSFETs N-Ch 9.7A 100W FET 600V 700pF 20nC
на замовлення 4513 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK6P60W,RVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 600V 6.2A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 310µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 820mOhm @ 3.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK6P60W,RVQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK6P60W,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.2 A, 0.68 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 60W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 60W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.68ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.68ohm
на замовлення 1274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK6P60W,RVQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 6.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1729 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
147+96.43 грн
161+87.85 грн
198+71.50 грн
211+64.52 грн
500+59.54 грн
1000+50.80 грн
Мінімальне замовлення: 147 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK6P60W,RVQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK6P60W,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.2 A, 0.68 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 60W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.68ohm
на замовлення 1274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK6P65W,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 5.8A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 180µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 2.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+131.33 грн
10+80.53 грн
50+60.51 грн
100+50.71 грн
500+40.07 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK6P65W,RQToshibaMOSFETs Power MOSFET N-Channel
на замовлення 7454 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK6P65W,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 5.8A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 180µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 2.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK6P65W,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 5.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK6P65W,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK6P65W,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 5.8 A, 0.89 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 60W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.89ohm
на замовлення 1925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK6P65W,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK6P65W,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 5.8 A, 0.89 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 60W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.89ohm
на замовлення 1925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK6Q60W,S1VQToshibaMOSFETs DTMOSIV 600V 820mOhm 6.2A 60W 390pF 12nC
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK6Q60W,S1VQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 6.2A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 310µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 820mOhm @ 3.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Packaging: Tube
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+136.08 грн
75+105.20 грн
150+86.56 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK6Q60W,S1VQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK6Q65W,S1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 5.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK Magazine
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK6Q65W,S1QToshibaMOSFETs Power MOSFET N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK6Q65W,S1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 5.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK Magazine
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+40.29 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK6Q65W,S1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 5.8A IPAK-OS
на замовлення 375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK6R4E10PL,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK6R4E10PL,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 112 A, 5500 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 112A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 152W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
на замовлення 698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK6R7A10PL,S4XToshibaMOSFETs TO-220SIS PD=42W 1MHz PWR MOSFET TRNS
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK6R7A10PL,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK6R7A10PL,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3455 pF @ 50 V
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+152.69 грн
10+94.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK6R7A10PL,S4X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+94.34 грн
11+73.59 грн
25+66.47 грн
100+57.59 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK6R7A10PL,S4X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
151+93.58 грн
Мінімальне замовлення: 151 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK6R7A10PLS4X(SToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK6R7P06PLToshibaТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK6R7P06PLToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK6R7P06PL,RQToshibaMOSFETs N-Ch 60V 1990pF 26nC 74A 66W
на замовлення 6152 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK6R7P06PL,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CHANNEL 60V 46A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK6R7P06PL,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 74A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK6R7P06PL,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CHANNEL 60V 46A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 30 V
на замовлення 1078 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.55 грн
10+67.88 грн
50+50.71 грн
100+42.38 грн
500+33.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK6R7P06PL,RQ(S2ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 74A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+66.20 грн
15+50.97 грн
25+45.71 грн
100+39.32 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK6R7P06PL,RQ(S2TOSHIBADescription: TOSHIBA - TK6R7P06PL,RQ(S2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 46 A, 6700 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 66W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 66W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm
на замовлення 2755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4  [ Наступна Сторінка >> ]