Продукція > TPH

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
TPH1R403NLL1Q(MToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R403NLL1Q(M-XToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R405PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 45V 120A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 22.5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+153.00 грн
10+94.31 грн
100+63.73 грн
500+47.63 грн
1000+43.72 грн
2000+40.42 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R405PL,L1QToshibaMOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R405PL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 45V 232A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R405PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 45V 120A 8SOP
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 22.5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R405PLL1Q(MToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R712MDToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R712MD,L1QToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 60A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R712MD,L1QToshibaMOSFETs P-Channel Mosfet 20V UMOS-VI
на замовлення 1506 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+140.94 грн
10+88.92 грн
100+52.05 грн
500+41.35 грн
1000+38.31 грн
2500+37.00 грн
5000+36.38 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R712MD,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 60A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 30A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10900 pF @ 10 V
на замовлення 37032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.80 грн
10+81.89 грн
100+55.33 грн
500+41.27 грн
1000+38.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R712MD,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 60A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 30A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10900 pF @ 10 V
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+35.15 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R712MD,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH1R712MD,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 60 A, 1700 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 78W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
на замовлення 2395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+178.80 грн
50+120.00 грн
250+88.59 грн
1000+71.72 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R712MD,L1Q(MToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 60A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
159+89.17 грн
167+85.18 грн
250+81.76 грн
500+76.00 грн
Мінімальне замовлення: 159 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R712MD,L1Q(MToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 60A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 1697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+189.94 грн
117+121.90 грн
200+110.56 грн
500+79.01 грн
1000+68.34 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R712MD,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH1R712MD,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 60 A, 1700 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 78W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
на замовлення 2395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+178.80 грн
50+120.00 грн
250+88.59 грн
1000+71.72 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R712MDL1Q(MToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH200812ABB Installation Products HIGH TEMP T PIECE NC20-NC08-NC12
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH200816ABB Installation ProductsConduit Fittings & Accessories HIGH TEMP T PIECE NC 20-08-16
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH200820ABB Installation ProductsConduit Fittings & Accessories HIGH TEMP T PIECE NC 20-08-20
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2010FNH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 250V 5.6A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 198mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 100 V
на замовлення 8823 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+151.44 грн
10+93.33 грн
100+63.33 грн
500+47.36 грн
1000+43.48 грн
2000+40.22 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2010FNH,L1QToshibaMOSFETs UMOSVIII 250V 205m (VGS=10V) SOP-ADV
на замовлення 4997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+160.27 грн
10+101.62 грн
100+59.99 грн
500+47.56 грн
1000+42.52 грн
2500+41.83 грн
5000+39.97 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2010FNH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 250V 5.6A 8SOP
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 198mOhm @ 2.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+42.23 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2010FNH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH2010FNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 10 A, 0.168 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 42W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.168ohm
на замовлення 3989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+65.16 грн
500+48.16 грн
1000+41.77 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2010FNH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH2010FNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 10 A, 0.168 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 42W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.168ohm
на замовлення 3989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+149.80 грн
10+96.65 грн
100+65.16 грн
500+48.16 грн
1000+41.77 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH201216ABB Installation ProductsConduit Fittings & Accessories HIGH TEMP T PIECE NC 20-12-16
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH201616ABB Installation ProductsConduit Fittings & Accessories HIGH TEMP T PIECE NC 20-16-16
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH201620ABB Installation ProductsConduit Fittings & Accessories HIGH TEMP T PIECE NC 20-16-20
на замовлення 495 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+185.24 грн
10+165.92 грн
25+136.69 грн
100+127.02 грн
250+111.14 грн
500+107.69 грн
1000+93.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2501-TR3PEAKDescription: IC OPAMP 1 CIRCUIT SOT-23-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Single Ended, Rail-to-Rail
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: Standard (General Purpose)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Supply: 6.5mA
Slew Rate: 200V/µs
Gain Bandwidth Product: 120 MHz
Current - Input Bias: 3 pA
Voltage - Input Offset: 2 mV
Supplier Device Package: SOT-23-5
Number of Circuits: 1
Current - Output / Channel: 290 mA
-3db Bandwidth: 90 MHz
Voltage - Supply Span (Min): 2.5 V
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2501-TR3PEAKHigh-speed broadband amplifier 1 120MHz 180 V/us 2.5V ~ 5.5V 6.5mA SOT-23-5 GenS TPH2501-TR SOT23-5 3PEAK WOTPH2501 3PE
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+9.65 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2501-TR
Код товару: 206744
Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2501-TR3PEAKDescription: IC OPAMP 1 CIRCUIT SOT-23-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Single Ended, Rail-to-Rail
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: Standard (General Purpose)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Supply: 6.5mA
Slew Rate: 200V/µs
Gain Bandwidth Product: 120 MHz
Current - Input Bias: 3 pA
Voltage - Input Offset: 2 mV
Supplier Device Package: SOT-23-5
Number of Circuits: 1
Current - Output / Channel: 290 mA
-3db Bandwidth: 90 MHz
Voltage - Supply Span (Min): 2.5 V
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
на замовлення 2702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.80 грн
10+40.98 грн
25+36.97 грн
100+30.49 грн
250+28.49 грн
500+27.28 грн
1000+25.86 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2502-SR3PEAKDescription: IC OPAMP 2 CIRCUIT 8-SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Single Ended, Rail-to-Rail
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: Standard (General Purpose)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Supply: 6.5mA (x2 Channels)
Slew Rate: 200V/µs
Gain Bandwidth Product: 120 MHz
Current - Input Bias: 3 pA
Voltage - Input Offset: 2 mV
Supplier Device Package: 8-SOP
Number of Circuits: 2
Current - Output / Channel: 290 mA
-3db Bandwidth: 250 MHz
Voltage - Supply Span (Min): 2.5 V
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
на замовлення 7791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.00 грн
10+50.56 грн
25+45.68 грн
100+37.83 грн
250+35.43 грн
500+33.98 грн
1000+32.25 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2502-SR3PEAKDescription: IC OPAMP 2 CIRCUIT 8-SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Single Ended, Rail-to-Rail
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: Standard (General Purpose)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Supply: 6.5mA (x2 Channels)
Slew Rate: 200V/µs
Gain Bandwidth Product: 120 MHz
Current - Input Bias: 3 pA
Voltage - Input Offset: 2 mV
Supplier Device Package: 8-SOP
Number of Circuits: 2
Current - Output / Channel: 290 mA
-3db Bandwidth: 250 MHz
Voltage - Supply Span (Min): 2.5 V
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+34.34 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2502-VR3PEAKDescription: IC OPAMP 2 CIRCUIT 8-MSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Output Type: Single Ended, Rail-to-Rail
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: Standard (General Purpose)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Supply: 6.5mA (x2 Channels)
Slew Rate: 200V/µs
Gain Bandwidth Product: 120 MHz
Current - Input Bias: 3 pA
Voltage - Input Offset: 2 mV
Supplier Device Package: 8-MSOP
Number of Circuits: 2
Current - Output / Channel: 290 mA
-3db Bandwidth: 250 MHz
Voltage - Supply Span (Min): 2.5 V
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
на замовлення 2527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.00 грн
10+50.56 грн
25+45.68 грн
100+37.83 грн
250+35.43 грн
500+33.98 грн
1000+32.25 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2502-VR3PEAKDescription: IC OPAMP 2 CIRCUIT 8-MSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Output Type: Single Ended, Rail-to-Rail
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: Standard (General Purpose)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Supply: 6.5mA (x2 Channels)
Slew Rate: 200V/µs
Gain Bandwidth Product: 120 MHz
Current - Input Bias: 3 pA
Voltage - Input Offset: 2 mV
Supplier Device Package: 8-MSOP
Number of Circuits: 2
Current - Output / Channel: 290 mA
-3db Bandwidth: 250 MHz
Voltage - Supply Span (Min): 2.5 V
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2502-VR-S3PEAKDescription: IC OPAMP 2 CIRCUIT 8-MSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Output Type: Single Ended, Rail-to-Rail
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: Standard (General Purpose)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Current - Supply: 6.5mA (x2 Channels)
Slew Rate: 200V/µs
Gain Bandwidth Product: 120 MHz
Current - Input Bias: 3 pA
Voltage - Input Offset: 3 mV
Supplier Device Package: 8-MSOP
Number of Circuits: 2
Current - Output / Channel: 290 mA
-3db Bandwidth: 90 MHz
Voltage - Supply Span (Min): 2.5 V
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
на замовлення 2992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.96 грн
10+71.27 грн
25+64.71 грн
100+53.94 грн
250+50.70 грн
500+48.74 грн
1000+46.36 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2502-VR-S3PEAKDescription: IC OPAMP 2 CIRCUIT 8-MSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Output Type: Single Ended, Rail-to-Rail
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: Standard (General Purpose)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Current - Supply: 6.5mA (x2 Channels)
Slew Rate: 200V/µs
Gain Bandwidth Product: 120 MHz
Current - Input Bias: 3 pA
Voltage - Input Offset: 3 mV
Supplier Device Package: 8-MSOP
Number of Circuits: 2
Current - Output / Channel: 290 mA
-3db Bandwidth: 90 MHz
Voltage - Supply Span (Min): 2.5 V
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2503-TR3PEAKDescription: IC OPAMP 1 CIRCUIT SOT-23-6
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
Voltage - Supply Span (Min): 2.5 V
-3db Bandwidth: 250 MHz
Current - Output / Channel: 290 mA
Number of Circuits: 1
Supplier Device Package: SOT-23-6
Voltage - Input Offset: 2 mV
Current - Input Bias: 3 pA
Gain Bandwidth Product: 120 MHz
Slew Rate: 200V/µs
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Amplifier Type: Standard
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Single Ended, Rail-to-Rail
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2503-TR3PEAKDescription: IC OPAMP 1 CIRCUIT SOT-23-6
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
Voltage - Supply Span (Min): 2.5 V
-3db Bandwidth: 250 MHz
Current - Output / Channel: 290 mA
Number of Circuits: 1
Supplier Device Package: SOT-23-6
Voltage - Input Offset: 2 mV
Current - Input Bias: 3 pA
Gain Bandwidth Product: 120 MHz
Slew Rate: 200V/µs
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Amplifier Type: Standard
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Single Ended, Rail-to-Rail
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+131.25 грн
10+80.32 грн
25+68.21 грн
100+51.18 грн
250+44.90 грн
500+41.07 грн
1000+37.26 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2503-TR-S3PEAKDescription: IC OPAMP 1 CIRCUIT SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Output Type: Single Ended, Rail-to-Rail
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Current - Supply: 6.5mA
Slew Rate: 200V/µs
Gain Bandwidth Product: 120 MHz
Current - Input Bias: 3 pA
Voltage - Input Offset: 3 mV
Supplier Device Package: SOT-23-6
Number of Circuits: 1
Current - Output / Channel: 290 mA
-3db Bandwidth: 90 MHz
Voltage - Supply Span (Min): 2.5 V
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2503-TR-S3PEAKDescription: IC OPAMP 1 CIRCUIT SOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Output Type: Single Ended, Rail-to-Rail
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Current - Supply: 6.5mA
Slew Rate: 200V/µs
Gain Bandwidth Product: 120 MHz
Current - Input Bias: 3 pA
Voltage - Input Offset: 3 mV
Supplier Device Package: SOT-23-6
Number of Circuits: 1
Current - Output / Channel: 290 mA
-3db Bandwidth: 90 MHz
Voltage - Supply Span (Min): 2.5 V
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2504-SR3PEAKDescription: IC OPAMP GP 120MHZ 4 CIR 14-SOP
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
Voltage - Supply Span (Min): 2.5 V
-3db Bandwidth: 90 MHz
Current - Output / Channel: 290 mA
Number of Circuits: 4
Supplier Device Package: 14-SOP
Voltage - Input Offset: 2 mV
Current - Input Bias: 3 pA
Gain Bandwidth Product: 120 MHz
Slew Rate: 200V/µs
Current - Supply: 6.5mA (x4 Channels)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Amplifier Type: Standard
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Single Ended, Rail-to-Rail
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2504-TR3PEAKDescription: IC OPAMP 4 CIRCUIT 14-TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Single Ended, Rail-to-Rail
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: Standard (General Purpose)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Supply: 6.5mA (x4 Channels)
Slew Rate: 200V/µs
Gain Bandwidth Product: 120 MHz
Current - Input Bias: 3 pA
Voltage - Input Offset: 2 mV
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Number of Circuits: 4
Current - Output / Channel: 290 mA
-3db Bandwidth: 250 MHz
Voltage - Supply Span (Min): 2.5 V
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2504-TR
Код товару: 215710
Додати до обраних Обраний товар
Мікросхеми > Операційні підсилювачі
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2504-TR3PEAKDescription: IC OPAMP 4 CIRCUIT 14-TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Single Ended, Rail-to-Rail
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: Standard (General Purpose)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Supply: 6.5mA (x4 Channels)
Slew Rate: 200V/µs
Gain Bandwidth Product: 120 MHz
Current - Input Bias: 3 pA
Voltage - Input Offset: 2 mV
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Number of Circuits: 4
Current - Output / Channel: 290 mA
-3db Bandwidth: 250 MHz
Voltage - Supply Span (Min): 2.5 V
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
на замовлення 2645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+102.52 грн
10+72.47 грн
25+65.72 грн
100+54.82 грн
250+51.55 грн
500+49.57 грн
1000+47.15 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2861-DF4R-S3PEAKDescription: IC OPAMP 8GHZ 1 CIR 8-DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: Standard (General Purpose)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Current - Supply: 19mA
Slew Rate: 2700V/µs
Gain Bandwidth Product: 8 GHz
Current - Input Bias: 23 µA
Voltage - Input Offset: 200 µV
Supplier Device Package: 8-DFN (2x2)
Grade: Automotive
Number of Circuits: 1
Current - Output / Channel: 120 mA
-3db Bandwidth: 2.3 GHz
Voltage - Supply Span (Min): 3.3 V
Voltage - Supply Span (Max): 5.25 V
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2861-DF4R-S3PEAKDescription: IC OPAMP 8GHZ 1 CIR 8-DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: Standard (General Purpose)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Current - Supply: 19mA
Slew Rate: 2700V/µs
Gain Bandwidth Product: 8 GHz
Current - Input Bias: 23 µA
Voltage - Input Offset: 200 µV
Supplier Device Package: 8-DFN (2x2)
Grade: Automotive
Number of Circuits: 1
Current - Output / Channel: 120 mA
-3db Bandwidth: 2.3 GHz
Voltage - Supply Span (Min): 3.3 V
Voltage - Supply Span (Max): 5.25 V
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+359.58 грн
10+264.52 грн
25+244.07 грн
100+207.99 грн
250+197.93 грн
500+191.88 грн
1000+183.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2900ENH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 200V 33A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 100 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+69.36 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2900ENH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 200V 33A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 100 V
на замовлення 11058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+234.54 грн
10+147.26 грн
100+102.32 грн
500+78.01 грн
1000+76.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2900ENH,L1QToshibaMOSFET Power MOSFET N-Channel
на замовлення 12836 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+186.05 грн
10+152.43 грн
100+105.62 грн
250+96.65 грн
500+87.67 грн
1000+75.25 грн
2500+71.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2900ENH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH2900ENH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 36 A, 0.024 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 78W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 78W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.024ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 3963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+146.58 грн
500+103.21 грн
1000+87.67 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2900ENH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH2900ENH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 36 A, 0.024 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 78W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 3963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+329.41 грн
10+202.96 грн
100+146.58 грн
500+103.21 грн
1000+87.67 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R003PL,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+31.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R003PL,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 100A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6410 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 116W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 10602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.84 грн
10+68.50 грн
100+45.81 грн
500+33.88 грн
1000+30.94 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R003PL,LQToshibaMOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR
на замовлення 5165 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+124.03 грн
10+77.80 грн
100+45.08 грн
500+35.48 грн
1000+32.45 грн
3000+27.82 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R003PL,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 100A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6410 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 116W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+29.21 грн
6000+26.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R003PL,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+31.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R003PL,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH2R003PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1300 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 116W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+115.98 грн
11+73.77 грн
100+49.37 грн
500+33.21 грн
1000+28.03 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R003PL,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH2R003PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1300 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 116W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+49.37 грн
500+33.21 грн
1000+28.03 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R003PLLQ(SToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R104PL,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 180A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R104PL,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 100A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 116W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6230 pF @ 20 V
на замовлення 7795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+133.58 грн
10+82.19 грн
100+55.47 грн
500+41.33 грн
1000+38.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R104PL,LQToshibaMOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR
на замовлення 43913 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+78.28 грн
10+63.11 грн
100+38.38 грн
500+37.97 грн
1000+37.28 грн
3000+32.24 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R104PL,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 100A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 116W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6230 pF @ 20 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+35.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R104PL,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH2R104PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 1600 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 116W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+225.51 грн
10+128.86 грн
100+73.61 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R104PL,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH2R104PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 1600 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 116W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+73.61 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R104PL,LQ(SToshibaTPH2R104PL,LQ(S
на замовлення 2795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
245+58.02 грн
278+51.03 грн
291+48.76 грн
500+44.47 грн
1000+39.07 грн
Мінімальне замовлення: 245 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R104PLLQ(SToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R306NHToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R306NH,L1QToshibaMOSFETs U-MOSVIII-H 60V 130A 72nC MOSFET
на замовлення 5567 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+185.24 грн
10+118.29 грн
100+69.72 грн
500+56.19 грн
1000+51.98 грн
2500+49.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R306NH,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 130A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R306NH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 60A 8SOP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R306NH,L1Q
Код товару: 149945
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R306NH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 60A 8SOP
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
на замовлення 5003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+167.75 грн
10+104.03 грн
100+71.17 грн
500+53.59 грн
1000+53.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R306NH,L1Q(MTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 130A; 78W; SOP8A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 130A
Power dissipation: 78W
Case: SOP8A
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 72nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R306NH1,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 190A 8-Pin SOP Advance(N) T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R306NH1,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: UMOS9 SOP-ADV(N) PD=170W F=1MHZ
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 170W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 136A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R306NH1,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: UMOS9 SOP-ADV(N) PD=170W F=1MHZ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 136A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 30 V
на замовлення 6898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+153.77 грн
10+94.83 грн
100+64.55 грн
500+48.40 грн
1000+46.93 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R306NH1,LQToshibaMOSFETs UMOS8 SOP-ADV(N) RDSon=2.3mohm(max)
на замовлення 2554 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+186.85 грн
10+118.29 грн
100+69.72 грн
500+59.37 грн
1000+52.60 грн
2500+49.77 грн
5000+47.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R306NH1,LQ(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH2R306NH1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 136 A, 2300 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 136A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 170W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0019ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+496.12 грн
50+329.41 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R306NH1,LQ(MToshibaTPH2R306NH1,LQ(M
на замовлення 4047 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
61+232.47 грн
125+113.40 грн
138+103.00 грн
200+81.19 грн
1000+70.37 грн
2000+59.78 грн
Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R306NH1,LQ(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH2R306NH1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 136 A, 2300 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 136A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+496.12 грн
50+329.41 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R306NH1LQ(MToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R306NHL1QToshibaTrans MOSFET N 60V 130A SOP-8 Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R306NHL1Q(MToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R306NHLQ(M1ToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R306PL,L1QToshibaMOSFET POWER MOSFET TRANS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R306PL1,LQToshibaPOWER MOSFET TRANSISTOR SOP8-ADV PD=170W F=1MHZ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R306PL1,LQ(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH2R306PL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 190 A, 1700 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 170W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
на замовлення 4897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+83.76 грн
500+64.84 грн
1000+55.30 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R306PL1,LQ(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH2R306PL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 190 A, 1700 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 170W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
на замовлення 4897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+209.40 грн
10+135.31 грн
100+83.76 грн
500+64.84 грн
1000+55.30 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R306PL1LQ(MToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R408QM,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 120A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+64.20 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R408QM,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 80V 120A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.43mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8300 pF @ 40 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+51.34 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R408QM,L1QToshibaMOSFETs SOP8 N-CH 80V 120A
на замовлення 80459 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+173.16 грн
10+109.56 грн
100+65.31 грн
500+52.60 грн
1000+49.50 грн
5000+46.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R408QM,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 120A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+64.20 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R408QM,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 120A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R408QM,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 80V 120A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.43mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8300 pF @ 40 V
на замовлення 8864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+184.06 грн
10+114.57 грн
100+78.49 грн
500+59.19 грн
1000+55.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R408QM,L1Q(MToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R408QM,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 120A 8-Pin SOP Advance
на замовлення 4459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+173.45 грн
10+141.10 грн
25+127.44 грн
100+113.89 грн
500+100.58 грн
1000+92.57 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9  [ Наступна Сторінка >> ]