Продукція > TPH

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
TPH1R306PL1LQ(MToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R306PLL1Q(MToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R306PLLQ(M1Toshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R403NLToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R403NL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 60A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 64W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R403NL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 150A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R403NL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 60A 8SOP
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 64W (Tc)
на замовлення 3707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+152.06 грн
10+93.90 грн
100+63.58 грн
500+47.49 грн
1000+43.57 грн
2000+40.27 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R403NL,L1QToshibaMOSFETs X35PBF Power MOSFET Trans VGS4.5VVDS30V
на замовлення 7017 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R403NL1,LQ(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH1R403NL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 230 A, 1200 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 230A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 142W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R403NL1,LQ(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH1R403NL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 230 A, 0.0012 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 230A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 142W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R403NL1,LQ(MToshibaTPH1R403NL1,LQ(M
на замовлення 4888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
248+57.23 грн
Мінімальне замовлення: 248 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R403NL1LQ(MToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R403NLL1Q(MToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R403NLL1Q(M-XToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R405PL,L1QToshibaMOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R405PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 45V 120A 8SOP
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 22.5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R405PL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 45V 232A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R405PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 45V 120A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 22.5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+154.41 грн
10+95.18 грн
100+64.32 грн
500+48.07 грн
1000+44.12 грн
2000+40.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R405PLL1Q(MToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R712MDToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R712MD,L1QToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 60A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R712MD,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 60A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 30A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10900 pF @ 10 V
на замовлення 28063 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+166.95 грн
10+103.03 грн
100+70.07 грн
500+52.52 грн
1000+48.26 грн
2000+47.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R712MD,L1QToshibaMOSFETs P-Channel Mosfet 20V UMOS-VI
на замовлення 1818 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R712MD,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 60A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 30A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10900 pF @ 10 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+45.16 грн
10000+41.35 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R712MD,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH1R712MD,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 60 A, 1700 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 78W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
на замовлення 2395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R712MD,L1Q(MToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 60A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
159+88.97 грн
167+84.99 грн
250+81.58 грн
500+75.83 грн
Мінімальне замовлення: 159 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R712MD,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH1R712MD,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 60 A, 1700 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 78W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
на замовлення 2395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R712MD,L1Q(MToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 60A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 1697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+189.52 грн
117+121.63 грн
200+110.32 грн
500+78.83 грн
1000+68.19 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R712MDL1Q(MToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH200812ABB Installation Products HIGH TEMP T PIECE NC20-NC08-NC12
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH200816ABB Installation ProductsConduit Fittings & Accessories HIGH TEMP T PIECE NC 20-08-16
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH200820ABB Installation ProductsConduit Fittings & Accessories HIGH TEMP T PIECE NC 20-08-20
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2010FNH,L1QToshibaMOSFETs UMOSVIII 250V 205m (VGS=10V) SOP-ADV
на замовлення 4976 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2010FNH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 250V 5.6A 8SOP
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 198mOhm @ 2.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+42.62 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2010FNH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 250V 5.6A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 198mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 100 V
на замовлення 8823 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+152.84 грн
10+94.20 грн
100+63.92 грн
500+47.80 грн
1000+43.88 грн
2000+40.59 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2010FNH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH2010FNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 10 A, 0.168 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 42W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.168ohm
на замовлення 3989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2010FNH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH2010FNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 10 A, 0.168 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 42W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.168ohm
на замовлення 3989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH201216ABB Installation ProductsConduit Fittings & Accessories HIGH TEMP T PIECE NC 20-12-16
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH201616ABB Installation ProductsConduit Fittings & Accessories HIGH TEMP T PIECE NC 20-16-16
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH201620ABB Installation ProductsConduit Fittings & Accessories HIGH TEMP T PIECE NC 20-16-20
на замовлення 495 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH202020ABB Installation ProductsConduit Fittings & Accessories HIGH TEMP T PIECE NC 20-20-20
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2501-TR
Код товару: 206744
Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2501-TR3PEAKDescription: IC OPAMP 1 CIRCUIT SOT-23-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Single Ended, Rail-to-Rail
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: Standard (General Purpose)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Supply: 6.5mA
Slew Rate: 200V/µs
Gain Bandwidth Product: 120 MHz
Current - Input Bias: 3 pA
Voltage - Input Offset: 2 mV
Supplier Device Package: SOT-23-5
Number of Circuits: 1
Current - Output / Channel: 290 mA
-3db Bandwidth: 90 MHz
Voltage - Supply Span (Min): 2.5 V
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
на замовлення 2299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.71 грн
10+43.25 грн
25+39.01 грн
100+32.17 грн
250+30.05 грн
500+28.78 грн
1000+27.38 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2501-TR3PEAKDescription: IC OPAMP 1 CIRCUIT SOT-23-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Single Ended, Rail-to-Rail
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: Standard (General Purpose)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Supply: 6.5mA
Slew Rate: 200V/µs
Gain Bandwidth Product: 120 MHz
Current - Input Bias: 3 pA
Voltage - Input Offset: 2 mV
Supplier Device Package: SOT-23-5
Number of Circuits: 1
Current - Output / Channel: 290 mA
-3db Bandwidth: 90 MHz
Voltage - Supply Span (Min): 2.5 V
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2501-TR3PEAKHigh-speed broadband amplifier 1 120MHz 180 V/us 2.5V ~ 5.5V 6.5mA SOT-23-5 GenS TPH2501-TR SOT23-5 3PEAK WOTPH2501 3PE
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+9.44 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2502-SR3PEAKDescription: IC OPAMP 2 CIRCUIT 8-SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Single Ended, Rail-to-Rail
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: Standard (General Purpose)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Supply: 6.5mA (x2 Channels)
Slew Rate: 200V/µs
Gain Bandwidth Product: 120 MHz
Current - Input Bias: 3 pA
Voltage - Input Offset: 2 mV
Supplier Device Package: 8-SOP
Number of Circuits: 2
Current - Output / Channel: 290 mA
-3db Bandwidth: 250 MHz
Voltage - Supply Span (Min): 2.5 V
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+34.66 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2502-SR3PEAKDescription: IC OPAMP 2 CIRCUIT 8-SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Single Ended, Rail-to-Rail
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: Standard (General Purpose)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Supply: 6.5mA (x2 Channels)
Slew Rate: 200V/µs
Gain Bandwidth Product: 120 MHz
Current - Input Bias: 3 pA
Voltage - Input Offset: 2 mV
Supplier Device Package: 8-SOP
Number of Circuits: 2
Current - Output / Channel: 290 mA
-3db Bandwidth: 250 MHz
Voltage - Supply Span (Min): 2.5 V
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
на замовлення 7791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.68 грн
10+51.02 грн
25+46.10 грн
100+38.18 грн
250+35.76 грн
500+34.29 грн
1000+32.55 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2502-VR3PEAKDescription: IC OPAMP 2 CIRCUIT 8-MSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Output Type: Single Ended, Rail-to-Rail
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: Standard (General Purpose)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Supply: 6.5mA (x2 Channels)
Slew Rate: 200V/µs
Gain Bandwidth Product: 120 MHz
Current - Input Bias: 3 pA
Voltage - Input Offset: 2 mV
Supplier Device Package: 8-MSOP
Number of Circuits: 2
Current - Output / Channel: 290 mA
-3db Bandwidth: 250 MHz
Voltage - Supply Span (Min): 2.5 V
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2502-VR3PEAKDescription: IC OPAMP 2 CIRCUIT 8-MSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Output Type: Single Ended, Rail-to-Rail
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: Standard (General Purpose)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Supply: 6.5mA (x2 Channels)
Slew Rate: 200V/µs
Gain Bandwidth Product: 120 MHz
Current - Input Bias: 3 pA
Voltage - Input Offset: 2 mV
Supplier Device Package: 8-MSOP
Number of Circuits: 2
Current - Output / Channel: 290 mA
-3db Bandwidth: 250 MHz
Voltage - Supply Span (Min): 2.5 V
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
на замовлення 2527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.68 грн
10+51.02 грн
25+46.10 грн
100+38.18 грн
250+35.76 грн
500+34.29 грн
1000+32.55 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2502-VR-S3PEAKDescription: IC OPAMP 2 CIRCUIT 8-MSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Output Type: Single Ended, Rail-to-Rail
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: Standard (General Purpose)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Current - Supply: 6.5mA (x2 Channels)
Slew Rate: 200V/µs
Gain Bandwidth Product: 120 MHz
Current - Input Bias: 3 pA
Voltage - Input Offset: 3 mV
Supplier Device Package: 8-MSOP
Number of Circuits: 2
Current - Output / Channel: 290 mA
-3db Bandwidth: 90 MHz
Voltage - Supply Span (Min): 2.5 V
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
на замовлення 2992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.90 грн
10+71.93 грн
25+65.30 грн
100+54.44 грн
250+51.17 грн
500+49.20 грн
1000+46.79 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2502-VR-S3PEAKDescription: IC OPAMP 2 CIRCUIT 8-MSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Output Type: Single Ended, Rail-to-Rail
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: Standard (General Purpose)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Current - Supply: 6.5mA (x2 Channels)
Slew Rate: 200V/µs
Gain Bandwidth Product: 120 MHz
Current - Input Bias: 3 pA
Voltage - Input Offset: 3 mV
Supplier Device Package: 8-MSOP
Number of Circuits: 2
Current - Output / Channel: 290 mA
-3db Bandwidth: 90 MHz
Voltage - Supply Span (Min): 2.5 V
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2503-TR3PEAKDescription: IC OPAMP 1 CIRCUIT SOT-23-6
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
Voltage - Supply Span (Min): 2.5 V
-3db Bandwidth: 250 MHz
Current - Output / Channel: 290 mA
Number of Circuits: 1
Supplier Device Package: SOT-23-6
Voltage - Input Offset: 2 mV
Current - Input Bias: 3 pA
Gain Bandwidth Product: 120 MHz
Slew Rate: 200V/µs
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Amplifier Type: Standard
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Single Ended, Rail-to-Rail
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.46 грн
10+81.06 грн
25+68.84 грн
100+51.65 грн
250+45.32 грн
500+41.45 грн
1000+37.60 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2503-TR3PEAKDescription: IC OPAMP 1 CIRCUIT SOT-23-6
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
Voltage - Supply Span (Min): 2.5 V
-3db Bandwidth: 250 MHz
Current - Output / Channel: 290 mA
Number of Circuits: 1
Supplier Device Package: SOT-23-6
Voltage - Input Offset: 2 mV
Current - Input Bias: 3 pA
Gain Bandwidth Product: 120 MHz
Slew Rate: 200V/µs
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Amplifier Type: Standard
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Single Ended, Rail-to-Rail
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2503-TR-S3PEAKDescription: IC OPAMP 1 CIRCUIT SOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Output Type: Single Ended, Rail-to-Rail
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Current - Supply: 6.5mA
Slew Rate: 200V/µs
Gain Bandwidth Product: 120 MHz
Current - Input Bias: 3 pA
Voltage - Input Offset: 3 mV
Supplier Device Package: SOT-23-6
Number of Circuits: 1
Current - Output / Channel: 290 mA
-3db Bandwidth: 90 MHz
Voltage - Supply Span (Min): 2.5 V
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2503-TR-S3PEAKDescription: IC OPAMP 1 CIRCUIT SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Output Type: Single Ended, Rail-to-Rail
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Current - Supply: 6.5mA
Slew Rate: 200V/µs
Gain Bandwidth Product: 120 MHz
Current - Input Bias: 3 pA
Voltage - Input Offset: 3 mV
Supplier Device Package: SOT-23-6
Number of Circuits: 1
Current - Output / Channel: 290 mA
-3db Bandwidth: 90 MHz
Voltage - Supply Span (Min): 2.5 V
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2504-SR3PEAKDescription: IC OPAMP GP 120MHZ 4 CIR 14-SOP
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
Voltage - Supply Span (Min): 2.5 V
-3db Bandwidth: 90 MHz
Current - Output / Channel: 290 mA
Number of Circuits: 4
Supplier Device Package: 14-SOP
Voltage - Input Offset: 2 mV
Current - Input Bias: 3 pA
Gain Bandwidth Product: 120 MHz
Slew Rate: 200V/µs
Current - Supply: 6.5mA (x4 Channels)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Amplifier Type: Standard
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Single Ended, Rail-to-Rail
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2504-TR3PEAKDescription: IC OPAMP 4 CIRCUIT 14-TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Single Ended, Rail-to-Rail
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: Standard (General Purpose)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Supply: 6.5mA (x4 Channels)
Slew Rate: 200V/µs
Gain Bandwidth Product: 120 MHz
Current - Input Bias: 3 pA
Voltage - Input Offset: 2 mV
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Number of Circuits: 4
Current - Output / Channel: 290 mA
-3db Bandwidth: 250 MHz
Voltage - Supply Span (Min): 2.5 V
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
на замовлення 2645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+103.46 грн
10+73.14 грн
25+66.33 грн
100+55.33 грн
250+52.02 грн
500+50.03 грн
1000+47.59 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2504-TR3PEAKDescription: IC OPAMP 4 CIRCUIT 14-TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Single Ended, Rail-to-Rail
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: Standard (General Purpose)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Supply: 6.5mA (x4 Channels)
Slew Rate: 200V/µs
Gain Bandwidth Product: 120 MHz
Current - Input Bias: 3 pA
Voltage - Input Offset: 2 mV
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Number of Circuits: 4
Current - Output / Channel: 290 mA
-3db Bandwidth: 250 MHz
Voltage - Supply Span (Min): 2.5 V
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2504-TR
Код товару: 215710
Додати до обраних Обраний товар
Мікросхеми > Операційні підсилювачі
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2861-DF4R-S3PEAKDescription: IC OPAMP 8GHZ 1 CIR 8-DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: Standard (General Purpose)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Current - Supply: 19mA
Slew Rate: 2700V/µs
Gain Bandwidth Product: 8 GHz
Current - Input Bias: 23 µA
Voltage - Input Offset: 200 µV
Supplier Device Package: 8-DFN (2x2)
Grade: Automotive
Number of Circuits: 1
Current - Output / Channel: 120 mA
-3db Bandwidth: 2.3 GHz
Voltage - Supply Span (Min): 3.3 V
Voltage - Supply Span (Max): 5.25 V
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+362.91 грн
10+266.97 грн
25+246.33 грн
100+209.91 грн
250+199.76 грн
500+193.65 грн
1000+185.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2861-DF4R-S3PEAKDescription: IC OPAMP 8GHZ 1 CIR 8-DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: Standard (General Purpose)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Current - Supply: 19mA
Slew Rate: 2700V/µs
Gain Bandwidth Product: 8 GHz
Current - Input Bias: 23 µA
Voltage - Input Offset: 200 µV
Supplier Device Package: 8-DFN (2x2)
Grade: Automotive
Number of Circuits: 1
Current - Output / Channel: 120 mA
-3db Bandwidth: 2.3 GHz
Voltage - Supply Span (Min): 3.3 V
Voltage - Supply Span (Max): 5.25 V
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2900ENH,L1QToshibaMOSFET Power MOSFET N-Channel
на замовлення 12836 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2900ENH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 200V 33A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 100 V
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2900ENH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 200V 33A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 100 V
на замовлення 4838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+242.20 грн
10+152.01 грн
100+105.65 грн
500+80.55 грн
1000+79.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2900ENH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH2900ENH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 36 A, 0.024 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 78W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 78W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.024ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 2463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2900ENH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH2900ENH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 36 A, 0.024 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 78W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R003PL,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 100A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6410 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 116W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+29.48 грн
6000+26.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R003PL,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+31.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R003PL,LQToshibaMOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR
на замовлення 5072 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R003PL,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 100A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6410 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 116W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 10602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.87 грн
10+69.14 грн
100+46.24 грн
500+34.19 грн
1000+31.23 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R003PL,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+31.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R003PL,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH2R003PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1300 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 116W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R003PL,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH2R003PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1300 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 116W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R003PLLQ(SToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R104PL,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 100A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 116W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6230 pF @ 20 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+36.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R104PL,LQToshibaMOSFETs X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TSON-ADV PD=116W F=1MHZ
на замовлення 31770 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R104PL,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 100A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 116W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6230 pF @ 20 V
на замовлення 7795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.82 грн
10+82.95 грн
100+55.98 грн
500+41.71 грн
1000+39.13 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R104PL,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 180A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R104PL,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH2R104PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 1600 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 116W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R104PL,LQ(SToshibaTPH2R104PL,LQ(S
на замовлення 2795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
245+57.89 грн
278+50.92 грн
291+48.65 грн
500+44.37 грн
1000+38.98 грн
Мінімальне замовлення: 245 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R104PL,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH2R104PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 1600 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 116W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R104PLLQ(SToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R306NHToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R306NH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 60A 8SOP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R306NH,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 130A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R306NH,L1Q
Код товару: 149945
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R306NH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 60A 8SOP
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
на замовлення 3104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+196.74 грн
10+122.43 грн
100+84.08 грн
500+63.50 грн
1000+59.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R306NH,L1QToshibaMOSFETs U-MOSVIII-H 60V 130A 72nC MOSFET
на замовлення 5517 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R306NH,L1Q(MTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 130A; 78W; SOP8A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 130A
Power dissipation: 78W
Case: SOP8A
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 72nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R306NH1,LQToshibaMOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR SOP8-ADV PD=170W F=1MHZ
на замовлення 814 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R306NH1,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: UMOS9 SOP-ADV(N) PD=170W F=1MHZ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 136A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 30 V
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+180.28 грн
10+111.56 грн
100+76.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R306NH1,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: UMOS9 SOP-ADV(N) PD=170W F=1MHZ
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 170W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 136A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R306NH1,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 190A 8-Pin SOP Advance(N) T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R306NH1,LQ(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH2R306NH1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 136 A, 2300 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 136A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 170W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
на замовлення 4495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R306NH1,LQ(MToshibaTPH2R306NH1,LQ(M
на замовлення 4047 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
61+231.95 грн
125+113.15 грн
138+102.78 грн
200+81.01 грн
1000+70.21 грн
2000+59.65 грн
Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R306NH1,LQ(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH2R306NH1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 136 A, 2300 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 136A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 170W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 170W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0019ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
на замовлення 4495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R306NH1LQ(MToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R306NHL1QToshibaTrans MOSFET N 60V 130A SOP-8 Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R306NHL1Q(MToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R306NHLQ(M1ToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9  [ Наступна Сторінка >> ]