Продукція > APT

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 14 21 28 35 42 49 56 63 70 72  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
APT100MC120JCU2Microchip / MicrosemiDiscrete Semiconductor Modules CC0083
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT100S20B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT100S20B
Код товару: 92152
Додати до обраних Обраний товар
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT100S20BGMicrochip TechnologySchottky Diodes & Rectifiers SCHOTTKY Discrete Rectifier 200 V 100 A TO-247
на замовлення 715 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+396.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT100S20BGMicrochip TechnologyDiode Schottky 200V 120A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+655.94 грн
25+632.59 грн
100+509.18 грн
250+486.72 грн
500+449.67 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT100S20BGMicrochip TechnologyDiode Schottky 200V 120A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+731.62 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT100S20BGMICROSEMITO247/SCHOTTKY DISCRETE RECTIFIER APT100S20
кількість в упаковці: 30 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT100S20BG
Код товару: 149083
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT100S20BGMicrochip TechnologyDescription: DIODE SCHOTTKY 200V 120A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 120A
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 200 V
на замовлення 2601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+380.55 грн
100+297.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT100S20BGMicrochip TechnologyDiode Schottky 200V 120A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+502.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT100S20BGMicrochip TechnologyDiode Schottky 200V 120A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+502.08 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT100S20BGMicrosemiTO-247-2 Діоди та діодні збірки
на замовлення 5 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT100S20LCT
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT100S20LCTGMicrochip TechnologyDescription: DIODE ARR SCHOTT 200V 120A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A
Supplier Device Package: TO-264 [L]
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 200 V
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+809.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT100S20LCTGMicrochip TechnologySchottky Diodes & Rectifiers SCHOTTKY Center Tap Rectifier 200 V 100 A TO-264
на замовлення 676 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+906.88 грн
100+772.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT102GA60B2Microsemi CorporationDescription: IGBT 600V 183A 780W TO247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT102GA60LMicrosemiIGBT Transistors Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 8 - Single
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT102GA60LMicrochip TechnologyDescription: IGBT 600V 183A 780W TO264
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT106N60B2C6Microchip / MicrosemiMOSFET FG, MOSFET, 600V, 106A, TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT106N60B2C6Microchip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 600V 106A T-MAX
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8390 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 308 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: T-MAX™ [B2]
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3.4mA
Power Dissipation (Max): 833W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 53A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3 Variant
Packaging: Tube
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1197.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT106N60B2C6Microchip TechnologyTrans MOSFET N-CH 600V 106A 3-Pin(3+Tab) T-MAX Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT106N60LC6Microchip TechnologyMOSFETs MOSFET COOLMOS 600 V 106 A TO-264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT106N60LC6Microchip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 600V 106A TO264
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8390 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 308 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-264 (L)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3.4mA
Power Dissipation (Max): 833W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 53A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
FET Type: N-Channel
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1550.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT10DC120HJMicrosemi CorporationDescription: BRIDGE RECT 1P 1.2KV 10A SOT227
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT10DC120HJMicrosemiDiscrete Semiconductor Modules Power Module - SiC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT10M07JVFRMICROSEMIISOTOP/POWER FREDFET - MOS5 APT10M07
кількість в упаковці: 10 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT10M07JVFRMicrosemiDiscrete Semiconductor Modules Power FREDFET - MOS5
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT10M07JVFRMicrochip TechnologyMOSFET Modules FREDFET MOS5 100 V 7 mOhm SOT-227
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4710.77 грн
100+4011.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT10M07JVR
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT10M07JVRMicrochip TechnologyMicrochip Technology
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT10M09B2VFR
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT10M09B2VFRGMicrosemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9875 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: T-MAX™ [B2]
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3 Variant
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT10M09B2VR
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT10M09LVFR
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT10M09LVFRGMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 100V 100A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-264 [L]
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9875 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT10M09LVFRGMicrochip TechnologyMOSFETs FREDFET MOS5 100 V 9 mOhm TO-264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT10M09LVR
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT10M11B2VFRGMicrosemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 450 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: T-MAX™
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3 Variant
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT10M11B2VR
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT10M11JVFRMICROSEMIISOTOP/POWER FREDFET - MOS5 APT10M11
кількість в упаковці: 10 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT10M11JVFRMicrosemiDiscrete Semiconductor Modules Power FREDFET - MOS5
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT10M11JVFRMicrochip TechnologyMOSFET Modules FREDFET MOS5 100 V 11 mOhm SOT-227
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4429.69 грн
100+3770.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT10M11JVR
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT10M11JVRU2Microchip TechnologyMOSFET Modules PM-MOSFET-5-SOT227
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1984.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT10M11JVRU2Microsemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT10M11JVRU3MicrosemiDiscrete Semiconductor Modules Power Module - Mosfet
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT10M11JVRU3Microchip TechnologyMOSFET Modules PM-MOSFET-5-SOT227
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2474.99 грн
100+2114.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT10M11JVRU3Microsemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT10M11LVFRGMicrosemiMOSFET Power FREDFET - MOS5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT10M11LVRAPT0211+ TO-3P
на замовлення 96 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT10M11LVRGMicrochip TechnologyMOSFETs MOSFET MOS5 100 V 11 mOhm TO-264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT10M11LVRGMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 100V 100A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-264 (L)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 450 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 25 V
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2945.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT10M19BVFR
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT10M19BVFRGAPT
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT10M19BVRMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT10M19BVRMicrochip TechnologyMicrochip Technology FG, MOSFET, 100V, 0.019_OHM, TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT10M19BVR
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT10M19BVRMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT10M19BVRGMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 100V 75A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6120 pF @ 25 V
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+899.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT10M19BVRGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT10M19BVRGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT10M19BVRGMicrochip TechnologyMOSFETs MOSFET MOS 5 100 V 19 mOhm TO-247
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+843.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT10M19BVRGMICROSEMITO247/POWER MOSFET - MOS5 APT10M19
кількість в упаковці: 30 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT10M19SVFRGMicrosemiMOSFET Power FREDFET - MOS5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT10M19SVFRGMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 100V 75A D3PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 37.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D3Pak
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6120 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT10M19SVR
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT10M19SVR-G
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT10M19SVRGMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 100V 75A D3PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6120 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D3Pak
на замовлення 731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+977.78 грн
100+765.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT10M19SVRGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(2+Tab) D3PAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT10M19SVRGMicrochip TechnologyMOSFET FG, MOSFET, 100V, 0.019_OHM, D3, TO-268, RoHS
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1001.11 грн
100+852.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT10M25BVFR
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT10M25BVR
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT10M25BVRGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1450.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT10M25BVRGMicrochip TechnologyMOSFET FG, MOSFET, 100V, TO-247, RoHS
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+749.02 грн
100+637.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT10M25BVRGMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 100V 75A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5160 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT10M25BVRGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1450.67 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT10M25SVR
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT10M30AVR
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT10SCD120BMICROSEMIAPT10SCD120B APT10SCD120
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT10SCD120BMicrosemi CorporationDescription: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT10SCD120BCTMicrosemi CorporationDescription: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT10SCD120KMicrosemiSchottky Diodes & Rectifiers Schottky Discrete RECTIFIER
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT10SCD120KMicrosemi CorporationDescription: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220-2
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+731.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT10SCD65KMicrosemi CorporationDescription: DIODE SILICON 650V 17A TO220
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT10SCD65KMicrochip / MicrosemiSchottky Diodes & Rectifiers Schottky Discrete RECTIFIER
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT10SCD65KCTMicrochip / MicrosemiSchottky Diodes & Rectifiers Schottky Center Tap RECTIFIER
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT10SCD65KCTMicrosemi CorporationDescription: DIODE SILICON 650V 17A TO220
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT10SCE65BMicrosemi CorporationDescription: DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO247
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT110GF60JNAPTMODULE
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT1147APT
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT11F80BMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 800V 12A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 337W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2471 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT11F80BMicrosemiMOSFET Power FREDFET - MOS8
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT11F80BMICROSEMITO247-3/11 A, 800 V, 1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET APT11F80
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT11F80BMicrochip TechnologyMOSFET FREDFET MOS8 800 V 11 A TO-247
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+409.14 грн
100+347.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT11F80SMicrosemiMOSFET Power FREDFET - MOS8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT11F80SMicrosemi Power Products GroupDescription: MOSFET N-CH 800V 12A D3PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT11GF120BRD1
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT11GF120BRDQ1GMicrosemi CorporationDescription: IGBT NPT 1200V 25A TO247
Power - Max: 156 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Gate Charge: 65 nC
Test Condition: 800V, 8A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 300µJ (on), 285µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 7ns/100ns
IGBT Type: NPT
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 8A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT11GF120KR
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT11GF120KRGMicrosemi CorporationDescription: IGBT NPT 1200V 25A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: TO-220 [K]
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 7ns/100ns
Switching Energy: 300µJ (on), 285µJ (off)
Test Condition: 800V, 8A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 65 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 44 A
Power - Max: 156 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 14 21 28 35 42 49 56 63 70 72  [ Наступна Сторінка >> ]