Продукція > IXB

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IXBOD2-08IXYSDiodes - General Purpose, Power, Switching Breakover Diodes
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD2-08IXYSDescription: BREAKOVER DIODE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD2-09IXYSThyristor Surge Protection Devices - TSPD Breakover Diodes
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD2-09IXYSDescription: BREAKOVER DIODE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD2-10IXYSThyristor Surge Protection Devices - TSPD Breakover Diodes
на замовлення 100 шт:
термін постачання 1206-1215 дні (днів)
1+1309.58 грн
10+1137.65 грн
20+962.34 грн
50+908.49 грн
100+855.33 грн
200+828.41 грн
500+775.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD2-10IXYSDescription: BREAKOVER DIODE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD2-11IXYSDiodes - General Purpose, Power, Switching Breakover Diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD2-11IXYSDescription: BREAKOVER DIODE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD2-12IXYSDescription: BREAKOVER DIODE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD2-12IXYSDiodes - General Purpose, Power, Switching Breakover Diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD2-13IXYSDiodes - General Purpose, Power, Switching Breakover Diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD2-13IXYSDescription: BREAKOVER DIODE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD2-14IXYSDiodes - General Purpose, Power, Switching Breakover Diodes
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD2-14LittelfuseSCR Diode 1.4A(RMS) 2-Pin Case FP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD2-15RIXYSDescription: BREAKOVER DIODE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD2-15RIXYSDiodes - General Purpose, Power, Switching Breakover Diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD2-17RIXYSDiscrete Semiconductor Modules PWR DISC FP-CASE OILPR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD2-17RIXYSDescription: POWER DIODE DISC-OTHERS FP-CASE
Packaging: Tube
Package / Case: Radial
Mounting Type: Through Hole
Number of Elements: 1
Voltage - On State: 1.3 V
Supplier Device Package: FP-Case
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD2-32RDIXYSDescription: POWER DIODE DISCRETES-OTHERS BOD
Packaging: Tube
Package / Case: Radial
Mounting Type: Through Hole
Number of Elements: 1
Voltage - On State: 1.3 V
Supplier Device Package: FP-Case
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD2-36RDIXYSDescription: POWER DIODE DISCRETES-OTHERS BOD
Packaging: Tube
Package / Case: Radial
Mounting Type: Through Hole
Number of Elements: 1
Voltage - On State: 1.3 V
Supplier Device Package: FP-Case
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD2-50RIXYSCategory: Thyristors - others
Description: Thyristor: BOD x4; 0.9A; BOD; THT; 2nd Gen; 5kV; bulk
Mounting: THT
Type of thyristor: BOD x4
Case: BOD
Max. load current: 0.9A
Breakover voltage: 5kV
Technology: 2nd Gen
Kind of package: bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD2-50RIXYSDescription: BREAKOVER DIODE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD2-50RIXYSSidacs Breakover Diodes
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD2-56RIXYSCategory: Thyristors - others
Description: Thyristor: BOD x4; 0.9A; BOD; THT; 2nd Gen; 5.6kV; bulk
Mounting: THT
Type of thyristor: BOD x4
Case: BOD
Max. load current: 0.9A
Breakover voltage: 5.6kV
Technology: 2nd Gen
Kind of package: bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD2-56RIXYSDescription: THYRISTOR RADIAL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD2-56RIXYSSidacs Breakover Diodes
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXBP5N160GIXYSIGBTs 5 Amps 1600V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXBP5N160G
Код товару: 194939
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBP5N160GIXYSDescription: IGBT 1600V 5.7A TO-220-3
Power - Max: 68 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5.7 A
Part Status: Active
Gate Charge: 26 nC
Test Condition: 960V, 3A, 47Ohm, 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 7.2V @ 15V, 3A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBR42N170IXYSDescription: IGBT 1700V 57A 200W ISOPLUS247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBR42N170IXYSIGBT Transistors 57Amps 1700V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT10N170IXYSIGBT Transistors 10 Amps 1700V 2.3 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT10N170IXYSDescription: IGBT 1700V 20A 140W TO268
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT12N300IXYSDescription: IGBT 3000V 30A TO-268AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.4 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-268AA
Gate Charge: 62 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 160 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT12N300IXYSIGBTs
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT12N300HVIXYSDescription: IGBT 3000V 30A TO-268HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.4 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-268HV (IXBT)
Td (on/off) @ 25°C: 64ns/180ns
Test Condition: 1250V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 62 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 160 W
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3662.60 грн
30+2409.21 грн
120+2393.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT12N300HVLittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 3000V 30A 160W 3-Pin(2+Tab) D3PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT12N300HVIXYSIGBTs TO268 3KV 12A BIMOSFET
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3812.75 грн
10+2965.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT12N300HVIXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 30A; 160W; TO268
Case: TO268
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Gate charge: 62nC
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 180ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 98A
Power dissipation: 160W
Collector-emitter voltage: 3kV
Technology: BiMOSFET™
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT14N300HVIXYSIGBTs IGBT BIMSFT-VERY HIV OLT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT14N300HVIXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 3kV; 38A; 200W; TO268HV
Mounting: SMD
Type of transistor: IGBT
Case: TO268HV
Gate charge: 62nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 38A
Pulsed collector current: 120A
Power dissipation: 200W
Collector-emitter voltage: 3kV
Kind of package: tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT14N300HVIXYSDescription: IGBT 3000V 38A TO-268HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.4 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 14A
Supplier Device Package: TO-268HV (IXBT)
Test Condition: 960V, 14A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 38 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 200 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT16N170AIXYSDescription: IGBT 1700V 16A TO-268AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 360 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-268AA
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/160ns
Switching Energy: 1.2mJ (off)
Test Condition: 1360V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 65 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 150 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT16N170AIxys CorporationTrans IGBT Chip N-CH 1700V 16A 150W 3-Pin(2+Tab) TO-268
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1854.85 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT16N170AIXYSIGBTs 1700V 16A
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2276.05 грн
10+1636.21 грн
120+1274.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT16N170AIXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 150W; TO268
Technology: BiMOSFET™
Mounting: SMD
Case: TO268
Collector current: 10A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Power dissipation: 150W
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 43ns
Gate charge: 65nC
Turn-off time: 370ns
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1116.82 грн
3+910.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT16N170ALittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 16A 150W 3-Pin(2+Tab) TO-268
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT16N170AHVIxys CorporationIXBT16N170AHV
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1854.85 грн
10+1665.66 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT16N170AHVIXYSIGBT Transistors IGBT BIMOSFET-HIGH VOLT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT16N170AHVIXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 150W; TO268HV
Technology: BiMOSFET™
Mounting: SMD
Case: TO268HV
Collector current: 10A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Power dissipation: 150W
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 43ns
Gate charge: 65nC
Turn-off time: 370ns
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1102.50 грн
3+910.74 грн
10+817.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT16N170AHVIXYSDescription: IGBT 1700V 16A TO-268HV
Power - Max: 150 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Gate Charge: 65 nC
Test Condition: 1360V, 10A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 2.5mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/250ns
Supplier Device Package: TO-268HV (IXBT)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 10A
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT20N300IXYSDescription: IGBT 3000V 50A 250W TO268
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT20N300HVIXYSDescription: IGBT 3000V 50A TO-268AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.35 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-268AA
Gate Charge: 105 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 140 A
Power - Max: 250 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT20N300HVIGBT 3000V 50A 250W TO268 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT20N300HVIXYSIGBT Transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT20N360HV
Код товару: 129397
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT20N360HVIGBT 3600V 70A TO-268HV Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT20N360HVIXYSIGBT Transistors IGBT BIMSFT-VERY HIVOLT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT20N360HVIXYSDescription: IGBT 3600V 70A TO-268HV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT22N300HVIXYSIGBT Transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT24N170IXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 24A; 250W; TO268
Technology: BiMOSFET™
Mounting: SMD
Case: TO268
Kind of package: tube
Gate charge: 0.14µC
Turn-on time: 190ns
Turn-off time: 1285ns
Collector current: 24A
Power dissipation: 250W
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Pulsed collector current: 230A
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: high voltage
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1369.18 грн
3+1141.75 грн
10+1066.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT24N170IXYSDescription: IGBT 1700V 60A 250W TO268
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT24N170IXYSIGBT Transistors BiMOSFETs/Reverse Conducting IGBTs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT2N250IXYSIGBT Transistors IGBT BIMSFT-VERYHIVOLT
на замовлення 493 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1601.13 грн
10+1460.76 грн
30+1134.23 грн
60+1101.78 грн
120+1066.58 грн
510+968.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT2N250IXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 2.5kV; 2A; 32W; TO268
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Gate charge: 10.6nC
Turn-on time: 310ns
Turn-off time: 252ns
Power dissipation: 32W
Collector current: 2A
Pulsed collector current: 13A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 2.5kV
Kind of package: tube
Technology: BiMOSFET™
Case: TO268
на замовлення 240 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1741.45 грн
10+1459.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT2N250LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 2500V 5A 32000mW 3-Pin(2+Tab) TO-268
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT2N250BIMOSFET IGBT 2500V, Ic(max)=5A, TO-268AA (D3Pak) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT2N250IXYSDescription: IGBT 2500V 5A TO-268AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 920 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 2A
Supplier Device Package: TO-268AA
Gate Charge: 10.6 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 13 A
Power - Max: 32 W
на замовлення 173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1589.77 грн
30+974.60 грн
120+901.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT2N250-TRIXYSDescription: IGBT 2500V 5A TO268
Power - Max: 32 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 13 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Gate Charge: 10.6 nC
Test Condition: 2000V, 2A, 47Ohm, 15V
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/70ns
Supplier Device Package: TO-268
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 2A
Reverse Recovery Time (trr): 920 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT2N250-TRIXYSMOSFET IXBT2N250 TR
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT32N300IXYSDescription: IGBT 3000V 80A 400W TO268
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT32N300HVLittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 900V 165A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT32N300HVIXYSIGBT Transistors IGBT BIMSFT-VERY HIVOLT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT32N300HVIXYSDescription: IGBT 3000V 80A 400W TO268
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT42N170LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXBT42N170 - IGBT, 80 A, 2.8 V, 360 W, 1.7 kV, TO-268 (D3PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.8V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360W
Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK)
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BiMOSFET Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2456.46 грн
5+2305.05 грн
10+2154.44 грн
50+1859.95 грн
100+1587.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT42N170IXYSDescription: IGBT 1700V 80A TO-268AA
Power - Max: 360 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Gate Charge: 188 nC
Supplier Device Package: TO-268AA
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 42A
Reverse Recovery Time (trr): 1.32 µs
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
на замовлення 545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2413.00 грн
30+1538.29 грн
120+1534.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT42N170BIMOSFET IGBT 1700V, Ic25=75A, Ic90=42A, 300Вт, TO-268AA Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT42N170LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 80A 360000mW 3-Pin(2+Tab) TO-268
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT42N170
Код товару: 37260
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT42N170LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 80A 360000mW 3-Pin(2+Tab) TO-268
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT42N170IXYSIGBTs BIMOSFET 1700V 75A
на замовлення 3219 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2901.85 грн
10+2389.62 грн
120+1898.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT42N170-TRLIXYSMOSFET IXBT42N170 TRL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT42N170-TRLIXYSDescription: IGBT 1700V 80A TO268
Power - Max: 360 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Gate Charge: 188 nC
Test Condition: 850V, 42A, 10Ohm, 15V
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/340ns
Supplier Device Package: TO-268
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 42A
Input Type: Standard
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT42N170AIXYSDescription: IGBT 1700V 42A 357W TO268
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT42N300HVIXYSDescription: IGBT 3000V 104A TO-268HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.7 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 42A
Supplier Device Package: TO-268HV (IXBT)
Td (on/off) @ 25°C: 72ns/445ns
Test Condition: 1500V, 42A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 200 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 104 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 400 A
Power - Max: 500 W
на замовлення 281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3650.95 грн
30+2564.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT42N300HVIXYSIGBTs TO268 3KV 42A IGBT
на замовлення 2747 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4391.03 грн
10+3674.93 грн
120+3185.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT42N300HVLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXBT42N300HV - IGBT, 104 A, 2.5 V, 500 W, 3 kV, TO-268HV, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: TO-268HV
Dauerkollektorstrom: 104A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BiMOSFET Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 3kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3816.78 грн
5+3571.94 грн
10+3327.90 грн
50+2862.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT6N170IXYSDescription: IGBT 1700V 12A TO-268AA
Power - Max: 75 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 36 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Gate Charge: 17 nC
Supplier Device Package: TO-268AA
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 6A
Reverse Recovery Time (trr): 1.08 µs
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1118.35 грн
30+666.40 грн
120+579.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT6N170IXYSIGBTs 12 Amps 1700V 3.6 Rds
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1162.99 грн
10+816.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBX25N250LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 2500V 55A 300000mW 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXBX25N250IXYSDescription: IGBT 2500V 55A PLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.6 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.3V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Gate Charge: 103 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 300 W
на замовлення 866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3272.73 грн
30+2241.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBX25N250IXYSIGBTs PLUS247 2500V 25A IGBT
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2859.97 грн
10+2739.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBX25N250LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 2500V 55A 300000mW 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXBX50N360HVLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXBX50N360HV - IGBT, 125 A, 2.4 V, 660 W, 3.6 kV, TO-247PLUS-HV, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 660W
Bauform - Transistor: TO-247PLUS-HV
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BiMOSFET Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 3.6kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 125A
SVHC: To Be Advised
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4564.99 грн
5+4476.40 грн
10+4387.00 грн
50+3991.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBX50N360HVIXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3.6kV; 50A; 660W; TO247HV
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Turn-on time: 889ns
Turn-off time: 1.88µs
Power dissipation: 660W
Collector current: 50A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 420A
Collector-emitter voltage: 3.6kV
Technology: BiMOSFET™
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Case: TO247HV
Kind of package: tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXBX50N360HVIXYSDescription: IGBT 3600V 125A TO-247PLUS-HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.7 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247PLUS-HV
Td (on/off) @ 25°C: 46ns/205ns
Test Condition: 960V, 50A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 210 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 125 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 420 A
Power - Max: 660 W
на замовлення 368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4725.04 грн
30+3488.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBX50N360HVIXYSIGBTs 3600V/125A Reverse Conducting IGBT
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+9426.38 грн
10+8285.06 грн
120+6618.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBX55N300IXYSDescription: IGBT 3000V 130A 625W PLUS247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBX55N300IXYSIGBTs Disc IGBT BiMSFT-VeryHiVolt TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBX64N250IXYSDescription: IGBT 2500V 156A PLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 160 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 64A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Td (on/off) @ 25°C: 49ns/232ns
Test Condition: 1250V, 128A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 400 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 156 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 600 A
Power - Max: 735 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5  [ Наступна Сторінка >> ]