Продукція > IXT
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IXTA20N65X | IXYS | Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO263 Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-263AA Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 320W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTA20N65X-TRL | IXYS | MOSFETs IXTA20N65X TRL | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTA20N65X-TRL | IXYS | Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 320W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTA20N65X2 | IXYS | MOSFETs TO263 650V 20A N-CH X3CLASS | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTA20N65X2 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 290W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTA20N65X2 | IXYS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 22A; 290W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 290W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: tube Drain current: 20A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 650V Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.185Ω Pulsed drain current: 22A Gate charge: 27nC Polarisation: unipolar | на замовлення 10 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IXTA220N04T2 | IXYS | MOSFETs 220 Amps 40V 0.0035 Rds | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTA220N04T2 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 40V 220A TO-263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 360W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6820 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTA220N04T2 | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 40V 220A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTA220N04T2 TRL | Ixys Corporation | Trans MOSFET N-CH 40V 220A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTA220N04T2-7 | IXYS | MOSFETs 220 Amps 40V 0.0035 Rds | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTA220N04T2-7 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 40V 220A TO263-7 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 360W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6820 pF @ 25 V | на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IXTA220N04T2-TRL | IXYS | MOSFETs IXTA220N04T2 TRL | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTA220N04T2-TRL | IXYS | Description: MOSFET N-CH 40V 220A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 360W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6820 pF @ 25 V | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IXTA220N04T2-TRL | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 40V 220A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTA220N055T | IXYS | Description: MOSFET N-CH 55V 220A TO263 Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-263AA Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 430W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTA220N055T7 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 55V 220A TO263-7 Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 430W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTA220N075T | IXYS | Description: MOSFET N-CH 75V 220A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 480W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTA220N075T7 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 75V 220A TO263-7 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 480W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTA230N04T4 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 40V 230A TO263AA Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 115A, 10V Power Dissipation (Max): 340W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTA230N04T4 | IXYS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 230A; 340W; TO263; 32ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 230A Power dissipation: 340W Case: TO263 On-state resistance: 2.9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 0.14µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 32ns Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTA230N04T4 | IXYS | MOSFETs Disc MSFT NChTrenchGate-Gen4 TO-263D2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTA230N075T2 | IXYS | MOSFETs 230 Amps 75V | на замовлення 230 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTA230N075T2 | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET N-CH 75V 230A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 480W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 25 V | на замовлення 1127 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IXTA230N075T2-7 | IXYS | MOSFET | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTA230N075T2-7 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 75V 230A TO-263 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTA240N055T | IXYS | Description: MOSFET N-CH 55V 240A TO263 Supplier Device Package: TO-263AA Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 480W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTA240N055T7 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 55V 240A TO263-7 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 480W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTA24N65X2 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO263AA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-263AA Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 390W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tube | на замовлення 650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IXTA24N65X2 | IXYS | MOSFETs TO263 650V 24A N-CH X2CLASS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTA24P085T | IXYS | MOSFETs 24 Amps 85V 0.065 Rds | на замовлення 558 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTA24P085T | IXYS | Description: MOSFET P-CH 85V 24A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2090 pF @ 25 V | на замовлення 3600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IXTA24P085T | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IXTA260N055T2 | IXYS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 260A; 480W; TO263; 60ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 260A Power dissipation: 480W Case: TO263 On-state resistance: 3.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 0.14µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Reverse recovery time: 60ns | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTA260N055T2 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 55V 260A TO263 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10800 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-263AA Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 480W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTA260N055T2 | IXYS | MOSFETs TO263 N-CH 55V 260A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTA260N055T2-7 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 55V 260A TO263-7 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 480W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10800 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTA260N055T2-7 | IXYS | MOSFETs 260 Amps 55V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTA260N055T2-7 | IXYS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 260A; 480W; TO263-7; 60ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 260A Power dissipation: 480W Case: TO263-7 On-state resistance: 3.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 0.14µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Reverse recovery time: 60ns | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTA26P10T | IXYS | MOSFET TenchP Power MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTA26P10T | IXYS | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -26A; 150W; TO263 Type of transistor: P-MOSFET Drain-source voltage: -100V Drain current: -26A Power dissipation: 150W Case: TO263 Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 90mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Kind of package: tube Reverse recovery time: 70ns Gate charge: 52nC Polarisation: unipolar Technology: TrenchP™ | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTA26P10T | IXYS | Description: MOSFET P-CH 100V 26A TO-263 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 200 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTA26P20P | IXYS | Description: MOSFET P-CH 200V 26A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 25 V | на замовлення 4485 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IXTA26P20P Код товару: 162385
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові P-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IXTA26P20P | Littelfuse | Trans MOSFET P-CH 200V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTA26P20P | IXYS | MOSFETs -26.0 Amps -200V 0.170 Rds | на замовлення 1016 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTA26P20P | IXYS SEMICONDUCTOR | Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTA26P20P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 26 A, 0.17 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200 Dauer-Drainstrom Id: 26 hazardous: false Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 300 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 euEccn: NLR Verlustleistung: 300 Bauform - Transistor: TO-263AA Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: PolarP Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17 SVHC: No SVHC (16-Jan-2020) | на замовлення 33 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTA26P20P | IXYS | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -26A; 300W; TO263 Mounting: SMD Drain current: -26A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: -200V Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube Case: TO263 On-state resistance: 0.17Ω Reverse recovery time: 240ns Power dissipation: 300W Gate charge: 56nC Polarisation: unipolar Technology: PolarP™ | на замовлення 300 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IXTA26P20P TRL | Ixys Corporation | IXTA26P20P TRL | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTA26P20P-TRL | IXYS | MOSFETs IXTA26P20P TRL | на замовлення 3435 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTA26P20P-TRL | IXYS | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; 26A; 300W; D2PAK,TO263 Mounting: SMD Drain current: 26A Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: 20V Case: D2PAK; TO263 On-state resistance: 0.17Ω Power dissipation: 300W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTA26P20P-TRL | IXYS | Description: MOSFET P-CH 200V 26A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 25 V | на замовлення 9740 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IXTA26P20P-TRL | IXYS | Description: MOSFET P-CH 200V 26A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 25 V | на замовлення 9600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IXTA26P20P. | LITTELFUSE | Description: LITTELFUSE - IXTA26P20P. - DISC MOSFET P CHANNEL-POLAR TO-263D2 TUBE tariffCode: 85412900 Transistormontage: Surface Mount euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 26A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 300W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TO-263AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PolarP Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: P Channel Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm directShipCharge: 25 | на замовлення 165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTA270N04T4 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 40V 270A | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTA270N04T4 | IXYS | MOSFET 40V/270A TrenchT4 Power MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTA270N04T4-7 | IXYS | MOSFET 40V/270A TrenchT4 Power MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTA27N20T | IXYS | Description: MOSFET N-CH 20V 27A TO-263 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTA27N20T | IXYS | MOSFETs 27 Amps 200V 100 Rds | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTA28P065T | IXYS | Description: MOSFET P-CH 65V 28A TO-263 | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTA28P065T | IXYS | MOSFETs 28 Amps 65V 0.045 Rds | на замовлення 197 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTA2N100 | IXYS | MOSFETs 2 Amps 1000V 7 Rds | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTA2N100 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 1000V 2A TO-263 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTA2N100P | IXYS | Description: MOSFET N-CH 1000V 2A TO-263 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTA2N100P | IXYS | MOSFETs 2 Amps 1000V 7.5 Rds | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTA2N100P-TRL | IXYS | MOSFETs IXTA2N100P TRL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTA2N80 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 800V 2A TO263 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-263AA Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 54W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2Ohm @ 500mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Box | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTA2N80P | IXYS | Description: MOSFET N-CH 800V 2A TO263 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-263AA Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 50µA Power Dissipation (Max): 70W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTA2R4N120P | IXYS | Description: MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO263 | на замовлення 55 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IXTA2R4N120P | IXYS | MOSFETs 2.4 Amps 1200V 7.5 Rds | на замовлення 350 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTA2R4N120P-TRL | IXYS | Description: MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO263 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTA300N04T2 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 40V 300A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 480W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10700 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTA300N04T2 | IXYS | MOSFETs 300 Amps 40V 0.025 Rds | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTA300N04T2 | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 40V 300A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTA300N04T2 | IXYS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 300A; 480W; TO263; 53ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 300A Power dissipation: 480W Case: TO263 On-state resistance: 2.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 145nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 53ns Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTA300N04T2-7 | IXYS | MOSFETs 300 Amps 40V | на замовлення 134 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTA300N04T2-7 | IXYS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; N; 40V; 300A; 480W; TO263-7; 53ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: N Drain-source voltage: 40V Drain current: 300A Power dissipation: 480W Case: TO263-7 Gate-source voltage: 20V On-state resistance: 2.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 145nC Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 53ns | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTA300N04T2-7 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 40V 300A TO263-7 | на замовлення 298 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IXTA30N25L2 | IXYS | MOSFETs TO263 250V 30A N-CH LINEAR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTA30N65X2 | IXYS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; D2PAK-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: X2-Class Case: D2PAK-3 Mounting: SMD | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTA30N65X2 | IXYS | MOSFET MOSFET DISCRETE | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTA32N20T | IXYS | Description: MOSFET N-CH 200V 32A TO263 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-263AA Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 16A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTA32N20T | IXYS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 32A; 200W; TO263; 110ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 32A Power dissipation: 200W Case: TO263 On-state resistance: 78mΩ Mounting: SMD Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Reverse recovery time: 110ns | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTA32N20T | IXYS | MOSFETs 32 Amps 200V 78 Rds | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTA32P05T | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET P-CH 50V 32A TO263 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1975 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Vgs (Max): ±15V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-263AA Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 500mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tube | на замовлення 675 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IXTA32P05T | IXYS | MOSFETs 32 Amps 50V 0.036 Rds | на замовлення 1229 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTA32P05T-TRL | IXYS | MOSFET IXTA32P05T TRL | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTA32P05TTRL | IXYS/Littelfuse | P-канальний ПТ, Udss, В = 50, Id = 32 А, Ptot, Вт = 83, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1975 @ 25, Qg, нКл = 46 @ 10 В, Rds = 39 мОм @ 500 мA, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4,5 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220 Од. вим: шт кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 791 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IXTA32P20T | IXYS | MOSFET TenchP Power MOSFET | на замовлення 1370 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTA32P20T | IXYS | Description: MOSFET P-CH 200V 32A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14500 pF @ 25 V | на замовлення 259 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IXTA32P20T | LITTELFUSE | Description: LITTELFUSE - IXTA32P20T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 32 A, 0.13 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 32A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm | на замовлення 197 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTA32P20T-TRL | IXYS | MOSFET IXTA32P20T TRL | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTA32P20T-TRL | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET P-CH 200V 32A TO263 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14500 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±15V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 16A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTA340N04T4 | IXYS | MOSFET 40V/340A TrenchT4 Power MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTA340N04T4 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 40V 340A TO263AA Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 480W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 256 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTA340N04T4-7 | IXYS | MOSFET 40V/340A TrenchT4 Power MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTA340N04T4-7 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 40V 340A TO263-7 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 480W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 256 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTA340N04T4-TRL | IXYS | Description: MOSFET N-CH TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTA34N65X2 | IXYS | MOSFETs TO263 650V 34A N-CH X2CLASS | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTA34N65X2 | IXYS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO263; 390ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 34A Case: TO263 On-state resistance: 96mΩ Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 390ns Power dissipation: 540W Gate charge: 54nC Features of semiconductor devices: ultra junction x-class | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |