Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7  Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IXYH85N120A4LittelfuseUltra Low-Vsat IGBT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH85N120A4IXYSDescription: IGBT PT 1200V 300A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 85A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/400ns
Switching Energy: 4.9mJ (on), 8.3mJ (off)
Test Condition: 600V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 200 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 520 A
Power - Max: 1150 W
на замовлення 164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1272.13 грн
30+766.52 грн
120+683.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH85N120A4
Код товару: 197385
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH85N120C4IXYSDescription: IGBT 1200V 240A TO-247
Switching Energy: 4.3mJ (on), 2mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/280ns
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 85A
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Test Condition: 600V, 50A, 5Ohm, 15V
Power - Max: 1150 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 420 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 240 A
Part Status: Active
Gate Charge: 192 nC
на замовлення 252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1053.89 грн
30+624.17 грн
120+538.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH85N120C4IXYSIGBTs XPT thin-wafer technology, 4th generation (Gen 4) Trench IGBT. Disc IGBT Gen 4 XPT TO247
на замовлення 252 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1320.85 грн
10+973.31 грн
120+655.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH85N120C4LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXYH85N120C4 - IGBT, 240 A, 2 V, 1.15 kW, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.15kW
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XPT Gen 4 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 240A
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+966.48 грн
5+874.66 грн
10+782.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH8N250CIXYSDescription: IGBT 2500V 29A TO247AD
Power - Max: 280 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Current - Collector (Ic) (Max): 29 A
Part Status: Active
Gate Charge: 45 nC
Test Condition: 1250V, 8A, 15Ohm, 15V
Switching Energy: 2.6mJ (on), 1.07mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 11ns/180ns
Supplier Device Package: TO-247AD
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 8A
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH8N250CHVIXYSIGBTs TO263 2500V 8A XPT
на замовлення 503 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1481.93 грн
10+997.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH8N250CHVIXYSDescription: IGBT 2500V 29A TO-247HV
Power - Max: 280 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Current - Collector (Ic) (Max): 29 A
Part Status: Active
Gate Charge: 45 nC
Test Condition: 1250V, 8A, 15Ohm, 15V
Switching Energy: 2.6mJ (on), 1.07mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 11ns/180ns
Supplier Device Package: TO-247HV
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 8A
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3 Variant
Packaging: Tube
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1296.20 грн
30+782.70 грн
120+700.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH8N250CHVLittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 900V 165A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH8N250CV1HVIXYSDescription: IGBT 2500V 29A TO247HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: TO-247 (IXYH)
Td (on/off) @ 25°C: 11ns/180ns
Switching Energy: 2.6mJ (on), 1.07mJ (off)
Test Condition: 1250V, 8A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 45 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 29 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 70 A
Power - Max: 280 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH8N250CV1HVIXYSIGBT Transistors IGBT XPT-HI VOLTAGE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH90N65A5IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 90A; 650W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate charge: 260nC
Turn-off time: 420ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 650W
Collector current: 90A
Pulsed collector current: 600A
Collector-emitter voltage: 650V
Type of transistor: IGBT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH90N65A5LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXYH90N65A5 - IGBT, 220 A, 1.22 V, 650 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.22
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.22
Verlustleistung Pd: 650
euEccn: NLR
Verlustleistung: 650
Bauform - Transistor: TO-247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: XPT GenX5 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
DC-Kollektorstrom: 220
Betriebstemperatur, max.: 175
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 220
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH90N65A5IXYSIGBTs XPT thin-wafer technology, 5th generation (GenX5 ) Trench IGBT. Disc IGBT XPT-GenX5 TO247
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+833.59 грн
10+594.63 грн
120+363.81 грн
510+363.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH90N65A5IXYSDescription: IGBT PT 650V 220A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/420ns
Switching Energy: 1.3mJ (on), 3.4mJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 260 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 220 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 600 A
Power - Max: 650 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYJ20N120C3D1IXYSIGBTs XPT 1200V IGBT GenX7 XPT IGBT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYJ20N120C3D1IXYSDescription: IGBT 1200V 21A ISO247
Switching Energy: 1.3mJ (on), 500µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/90ns
Supplier Device Package: ISO247
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 20A
Reverse Recovery Time (trr): 195 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Power - Max: 105 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 84 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 21 A
Part Status: Active
Gate Charge: 53 nC
Test Condition: 600V, 20A, 10Ohm, 15V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK100N120B3IXYSLittelfuse
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK100N120C3IXYSDescription: IGBT 1200V 188A TO-264
Power - Max: 1150 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 490 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 188 A
Part Status: Active
Gate Charge: 270 nC
Test Condition: 600V, 100A, 1Ohm, 15V
Switching Energy: 6.5mJ (on), 2.9mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/123ns
Supplier Device Package: TO-264 (IXYK)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 100A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
на замовлення 256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2005.27 грн
25+1280.92 грн
100+1215.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK100N120C3IXYSIGBT Transistors 1200V 188A XPT IGBT
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1980.47 грн
10+1800.55 грн
25+1494.59 грн
100+1336.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK100N120C3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1200V 188A 1150mW 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK100N65B3D1IXYSDescription: IGBT 650V 225A TO264
Power - Max: 830 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 460 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 225 A
Gate Charge: 168 nC
Test Condition: 400V, 50A, 3Ohm, 15V
Switching Energy: 1.27mJ (on), 2mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 29ns/150ns
Supplier Device Package: TO-264
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 70A
Reverse Recovery Time (trr): 37 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK100N65B3D1IXYSIGBTs Disc IGBT XPT-GenX3 TO-264(3)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK110N120A4IXYSDescription: IGBT PT 1200V 375A TO-264
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: TO-264 (IXYK)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 110A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
Power - Max: 1360 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 900 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 375 A
Part Status: Active
Gate Charge: 305 nC
Test Condition: 600V, 50A, 1.5Ohm, 15V
Switching Energy: 2.5mJ (on), 8.4mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 42ns/550ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK110N120A4IXYSIGBTs TO264 1200V 110A GENX4
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2250.28 грн
10+1748.15 грн
100+1317.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK110N120A4LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXYK110N120A4 - IGBT, 375 A, 1.45 V, 1.36 kW, 1.2 kV, TO-264, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.36kW
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XPT GenX4 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 375A
SVHC: To Be Advised
на замовлення 308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2070.68 грн
5+1656.70 грн
10+1605.96 грн
50+1444.14 грн
100+1289.56 грн
200+1246.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK110N120B4IXYSIGBTs XPT thin-wafer technology, 4th generation (Gen 4) Trench IGBT. Disc IGBT Gen 4 XPT TO264
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1656.70 грн
10+1063.82 грн
100+876.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK110N120B4LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXYK110N120B4 - IGBT, 340 A, 1.66 V, 1.36 kW, 1.2 kV, TO-264, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.66V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.36kW
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XPT Gen 4 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 340A
SVHC: To Be Advised
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1522.20 грн
5+1392.53 грн
10+1262.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK110N120B4IXYSDescription: IGBT 1200V 340A TO-264
Power - Max: 1360 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 800 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 340 A
Part Status: Active
Gate Charge: 340 nC
Test Condition: 600V, 50A, 2Ohm, 15V
Switching Energy: 3.6mJ (on), 3.85mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 45ns/390ns
Supplier Device Package: TO-264 (IXYK)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 110A
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
на замовлення 231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1595.98 грн
25+1000.74 грн
100+912.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK110N120C4IXYSDescription: IGBT 1200V 310A PLUS264
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
Power - Max: 1360 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 740 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 310 A
Part Status: Active
Gate Charge: 330 nC
Test Condition: 600V, 50A, 2Ohm, 15V
Switching Energy: 3.6mJ (on), 1.9mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/320ns
Supplier Device Package: PLUS264™
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 110A
Reverse Recovery Time (trr): 48 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK110N120C4IXYSIGBTs XPT thin-wafer technology, 4th generation (Gen 4) Trench IGBT. Disc IGBT Gen 4 XPT TO264
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1715.50 грн
10+1297.22 грн
100+893.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK120N120B3IXYSDescription: IGBT PT 1200V 320A TO-264
Power - Max: 1500 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 800 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 320 A
Part Status: Active
Gate Charge: 400 nC
Test Condition: 960V, 100A, 1Ohm, 15V
Switching Energy: 9.7mJ (on), 21.5mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/340ns
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: TO-264 (IXYK)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 100A
Reverse Recovery Time (trr): 54 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK120N120B3IXYSIGBTs TO264 1200V 120A GENX3
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK120N120C3LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXYK120N120C3 - TRANSISTOR, IGBT, 1.2KV, 240A, TO-264
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.55V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5kW
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XPT GenX3 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
directShipCharge: 25
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 240A
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK120N120C3TO-264-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK120N120C3IXYSDescription: IGBT 1200V 240A TO-264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 120A
Supplier Device Package: TO-264 (IXYK)
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/176ns
Switching Energy: 6.75mJ (on), 5.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 100A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 412 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 240 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 700 A
Power - Max: 1500 W
на замовлення 524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2468.14 грн
25+1597.96 грн
100+1470.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK120N120C3IXYSIGBTs 1200V 220A XPT IGBT
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2216.45 грн
10+1597.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK120N120C3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 1.5kW; TO264
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 1.5kW
Case: TO264
Mounting: THT
Gate charge: 412nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 105ns
Turn-off time: 346ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 120A
Pulsed collector current: 700A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
на замовлення 319 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2170.10 грн
3+1880.48 грн
5+1781.59 грн
10+1771.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK120N120C3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1200V 240A 1500W 3-Pin(3+Tab) TO-264
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK140N120A4IXYSDescription: IGBT PT 1200V 480A TO-264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 47 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 140A
Supplier Device Package: TO-264 (IXYK)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 52ns/590ns
Switching Energy: 4.9mJ (on), 12mJ (off)
Test Condition: 600V, 70A, 1.5Ohm, 15V
Gate Charge: 420 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 480 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 1200 A
Power - Max: 1500 W
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3445.92 грн
25+2293.45 грн
100+2224.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK140N120A4IXYSIGBTs Disc IGBT XPT Gen4 1200V 140A TO264
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3616.24 грн
10+2484.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK140N120A4IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 140A; 1.5kW; TO264
Mounting: THT
Type of transistor: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 140A
Power dissipation: 1.5kW
Pulsed collector current: 1.2kA
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Kind of package: tube
Case: TO264
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK140N120A4LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXYK140N120A4 - IGBT, 480 A, 1.34 V, 1.5 kW, 1.2 kV, TO-264, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.34V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5kW
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 480A
SVHC: To Be Advised
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3529.25 грн
5+3243.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK140N90C3IXYSIGBTs TO264 900V 140A GENX3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK140N90C3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 140A; 1.63kW; TO264
Mounting: THT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 122ns
Gate charge: 330nC
Turn-off time: 0.3µs
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 140A
Power dissipation: 1.63kW
Pulsed collector current: 840A
Collector-emitter voltage: 900V
Kind of package: tube
Case: TO264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK140N90C3IXYSDescription: IGBT 900V 310A TO-264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 140A
Supplier Device Package: TO-264 (IXYK)
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/145ns
Switching Energy: 4.3mJ (on), 4mJ (off)
Test Condition: 450V, 100A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 330 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 310 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 840 A
Power - Max: 1630 W
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2084.48 грн
25+1330.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK180N65A5IXYSDescription: IGBT TRENCH FS 650V 400A TO-264
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: TO-264 (IXYK)
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 70ns/500ns
Switching Energy: 420µJ (on), 4.1mJ (off)
Test Condition: 300V, 100A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 654 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 400 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 1.03 kA
Power - Max: 1150 W
на замовлення 315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1686.85 грн
25+1057.25 грн
100+922.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK180N65A5IXYSIGBTs 650V, 180A, XPT Gen5 A5 IGBT in TO-264
на замовлення 355 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1755.77 грн
10+1127.33 грн
100+976.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK180N65A5IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 180A; 1.15kW; TO264
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 1.15kW
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 0.5µs
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 180A
Pulsed collector current: 1kA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK220N65A5IXYSIGBTs 650V, 220A, XPT Gen5 A5 IGBT in TO-264
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2181.02 грн
10+1477.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK220N65A5IXYSDescription: IGBT TRENCH FS 650V 510A TO-264
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: TO-264 (IXYK)
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 64ns/540ns
Switching Energy: 1.3mJ (on), 7.95mJ (off)
Test Condition: 300V, 100A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 750 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 510 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 1.18 kA
Power - Max: 1.16 kW
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2095.36 грн
25+1337.19 грн
100+1195.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK300N65A3LittelfuseIGBT Transistors IGBT DISC XPT
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2757.68 грн
10+2506.32 грн
25+1942.62 грн
100+1851.49 грн
250+1849.42 грн
500+1779.01 грн
1000+1754.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK300N65A3IXYSIGBTs TO264 650V 300A IGBT
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1912.82 грн
10+1756.09 грн
25+1297.15 грн
50+1295.77 грн
100+1273.68 грн
250+1169.44 грн
500+1159.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK30N170CV1IXYSDescription: DISC IGBT XPT-HI VOLTAGE TO-264(
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 33 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-264 (IXYK)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/143ns
Switching Energy: 3.6mJ (on), 1.8mJ (off)
Test Condition: 850V, 30A, 2.7Ohm, 15V
Gate Charge: 150 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 250 A
Power - Max: 937 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK85N120C4H1IXYSIGBTs IXYK85N120C4H1
на замовлення 971 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1721.13 грн
10+1108.27 грн
100+920.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK85N120C4H1IXYSDescription: IGBT TRENCH 1200V 220A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 265 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 85A
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/280ns
Switching Energy: 4.3mJ (on), 2mJ (off)
Test Condition: 600V, 50A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 192 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 220 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 420 A
Power - Max: 1150 W
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1644.91 грн
25+1034.18 грн
100+949.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYL40N250CV1IXYSIGBTs ISOPLUS 2500V 40A DIODE
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYL40N250CV1IXYSDescription: IGBT 2500V 70A ISOPLUSI5
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUSi5-Pak™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 210 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: ISOPLUSi5-Pak™
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/200ns
Switching Energy: 11.7mJ (on), 6.9mJ (off)
Test Condition: 1250V, 40A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 270 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 400 A
Power - Max: 577 W
на замовлення 725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6160.26 грн
10+5415.70 грн
100+4899.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYL50N170CV1LittelfuseIGBTs Disc IGBT XPT-Hi Voltage ISOPLUS264
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYL60N450LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXYL60N450 - TRANS, IGBT, 4.5KV, 90A, ISOPLUS I5-PAK
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 417
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 90
Bauform - Transistor: ISOPLUS i5-PAK
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.64
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: XPT Series
SVHC: To Be Advised
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10547.49 грн
5+10317.15 грн
10+10085.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYL60N450IXYSDescription: IGBT 4500V 90A ISOPLUSI5-PAK
Package / Case: ISOPLUSi5-Pak™
Packaging: Tube
Power - Max: 417 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 680 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4500 V
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Part Status: Active
Gate Charge: 366 nC
Test Condition: 960V, 60A, 4.7Ohm, 15V
Td (on/off) @ 25°C: 55ns/450ns
Supplier Device Package: ISOPLUSi5-Pak™
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.3V @ 15V, 60A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8253.28 грн
25+6812.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYL60N450IXYSIGBTs ISOPLUS 4500V 38A IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN100N120B3H1IGBT XPT 1200V 152A SOT-227B Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN100N120B3H1IXYSIGBT Transistors IGBT XPT-GENX3 SOT-227UI(
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN100N120B3H1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1200V 165A 690W 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN100N120B3H1IXYSDescription: IGBT MODULE 1200V 165A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: PT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 165 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 690 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6 nF @ 25 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2810.64 грн
10+2020.00 грн
100+1729.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN100N120C3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1200V 152A 830000mW
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN100N120C3IXYSDescription: IGBT MOD 1200V 152A 830W SOT227B
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 25 µA
Power - Max: 830 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 152 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-227B
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 100A
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: Single
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3556.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN100N120C3IXYSIGBTs XPT 1200V IGBT GenX3 XPT IGBT
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2505.59 грн
10+1865.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN100N120C3H1IXYSDescription: IGBT MODULE 1200V 134A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 134 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 690 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6 nF @ 25 V
на замовлення 1063 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3094.88 грн
10+2235.61 грн
100+1944.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN100N120C3H1IXYSIGBTs XPT 1200V IGBT GenX3 XPT IGBT
на замовлення 369 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2836.61 грн
10+2557.92 грн
100+2180.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN100N120C3H1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1200V 140A 690W 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN100N120C3H1IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXYN100N120C3H1 - IGBT-Modul, Einfach, 134 A, 3.5 V, 690 W, 150 °C, SOT-227B
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
IGBT-Technologie: IGBT 3 High-Speed
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.5V
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.5V
Verlustleistung Pd: 690W
Verlustleistung: 690W
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: SOT-227B
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 134A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: XPT GenX3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 134A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2846.28 грн
5+2703.72 грн
10+2015.11 грн
50+1827.04 грн
100+1645.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN100N65A3IXYSIGBTs SOT227 650V 100A GENX3
на замовлення 485 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2049.74 грн
10+1574.29 грн
100+1211.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN100N65A3LittelfuseIGBT Module, 650V IGBT Gen X3TM
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN100N65A3LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXYN100N65A3 - IGBT-Modul, Einfach, 170 A, 1.44 V, 600 W, 175 °C, SOT-227B
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.44V
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Verlustleistung: 600W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-227B
Dauerkollektorstrom: 170A
Produktpalette: XPT GenX3 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2257.53 грн
5+1958.73 грн
10+1659.12 грн
50+1398.52 грн
100+1159.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN100N65A3IXYSDescription: IGBT MOD 650V 170A 600W SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 70A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: PT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 170 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 600 W
Current - Collector Cutoff (Max): 25 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN100N65A3LittelfuseIGBT Module, 650V IGBT Gen X3TM
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+3285.29 грн
10+3082.32 грн
20+2785.40 грн
50+2616.66 грн
100+2566.53 грн
250+2522.49 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN100N65B3D1IXYSDescription: IGBT MOD 650V 185A 600W SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 70A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: PT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 185 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 600 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.74 nF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN100N65B3D1IXYSIGBTs Disc IGBT XPT-GenX3 SOT-227UI(mini
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN100N65C3H1LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXYN100N65C3H1 - IGBT-Modul, Einfach, 160 A, 1.8 V, 600 W, 175 °C, SOT-227B
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: -
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V
Verlustleistung Pd: 600W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: SOT-227B
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Dauerkollektorstrom: 160A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 160A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2042.49 грн
5+1909.60 грн
10+1777.51 грн
50+1527.15 грн
100+1295.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN100N65C3H1IXYSIGBTs 650V/166A XPT Copacked SOT-227B
на замовлення 637 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2145.58 грн
10+1709.25 грн
100+1366.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN100N65C3H1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 160A 600W 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN100N65C3H1IXYSDescription: IGBT MOD 650V 166A 600W SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 70A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: PT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 166 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 600 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.98 nF @ 25 V
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2427.76 грн
10+1729.07 грн
100+1438.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN110N120A4IXYSDescription: IGBT PT 1200V 275A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 110A
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 42ns/550ns
Switching Energy: 2.5mJ (on), 8.4mJ (off)
Test Condition: 600V, 50A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 305 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 275 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 950 A
Power - Max: 830 W
на замовлення 194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2268.55 грн
10+1616.00 грн
100+1426.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN110N120A4LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXYN110N120A4 - IGBT-Modul, Einfach, 275 A, 1.7 V, 830 W, 175 °C, SOT-227
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: Y-EX
IGBT-Technologie: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 275A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Schraubanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 830W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830W
Bauform - Transistor: SOT-227
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 275A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 275A
SVHC: To Be Advised
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2958.23 грн
5+2794.73 грн
10+2631.23 грн
50+2291.47 грн
100+1975.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN110N120A4IXYSIGBTs SOT227 1200V 110A GENX4
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2396.86 грн
10+1747.36 грн
100+1394.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN110N120B4H1IXYSDescription: 1200V,110A, XPT GEN4 B4 CO-PACK
Packaging: Tube
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5460 pF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Power - Max: 830 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 218 A
IGBT Type: Trench
Supplier Device Package: SOT-227B
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 110A
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: Single
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2449.50 грн
10+2026.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN110N120B4H1IXYSIGBT Modules IXYN110N120B4H1
на замовлення 233 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3024.27 грн
10+2227.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN110N120C4IXYSIGBTs XPT thin-wafer technology, 4th generation (Gen 4) Trench IGBT. Disc IGBT Gen 4 XPT SOT227B
на замовлення 389 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2365.45 грн
10+1723.54 грн
100+1372.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN110N120C4LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXYN110N120C4 - IGBT-Modul, Einfach, 220 A, 1.9 V, 830 W, 175 °C, SOT-227
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9V
Dauer-Kollektorstrom: 220A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Schraubanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830W
Bauform - Transistor: SOT-227
Produktpalette: XPT Gen4 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2694.86 грн
5+2346.12 грн
10+1997.39 грн
50+1850.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN110N120C4IXYSDescription: IGBT MOD 1200V 220A 830W SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 110A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 220 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 830 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.42 nF @ 25 V
на замовлення 149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2672.40 грн
10+1915.22 грн
100+1624.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN110N120C4H1IXYSDescription: 1200V, 110A, XPT GEN4 C4 CO-PACK
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5420 pF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Power - Max: 830 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 210 A
IGBT Type: Trench
Supplier Device Package: SOT-227B
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 110A
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: Single
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
на замовлення 226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2969.85 грн
10+2145.11 грн
100+1975.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN110N120C4H1IXYSIGBT Modules IXYN110N120C4H1
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3022.66 грн
10+2226.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN120N120C3IXYSIGBTs SOT227 1200V 120A XPT
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3146.69 грн
10+2645.25 грн
100+1930.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN120N120C3IXYSDescription: IGBT MOD 1200V 240A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 120A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B - miniBLOC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 240 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1200 W
Current - Collector Cutoff (Max): 25 µA
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2462.70 грн
10+1760.11 грн
100+1570.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN120N65B3D1LittelfuseTrans IGBT Module N-CH 650V 250A 830000mW
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5739.13 грн
10+5403.32 грн
25+5154.46 грн
50+4661.23 грн
100+4117.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN120N65B3D1IXYSDescription: IGBT PT 650V 250A SOT227B
Power - Max: 830 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 770 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 250 A
Gate Charge: 250 nC
Test Condition: 400V, 50A, 2Ohm, 15V
Switching Energy: 1.34mJ (on), 1.5mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/168ns
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: SOT-227B
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A
Reverse Recovery Time (trr): 28 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN120N65B3D1IXYSIGBTs Disc IGBT XPT-GenX3 SOT-227UI(mini
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7  Наступна Сторінка >> ]