Продукція > SCT

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 12 14 16 18 20 22  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SCT01F12S12XP PowerDC/DC Converters - Through Hole DC-DC, 1W SIP, fixed input, single output
на замовлення 254 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+271.42 грн
10+234.99 грн
25+193.99 грн
41+186.39 грн
82+179.49 грн
287+170.51 грн
533+163.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT01F12S12XP POWERDescription: XP POWER - SCT01F12S12 - Isol. DC/DC-Wandler, Durchsteckmontage, ITE & Industrie, SIP, 1 W, 1 Ausgang, 12 V
tariffCode: 85044095
DC-Eingangsspannung, min.: 10.8V
Ausgangsstrom - Ausgang 2: -
rohsCompliant: YES
Höhe: 10.2mm
Nominelle DC-Eingangsspannung: 12V
Tiefe: 11.6mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Anzahl der Ausgänge: 1 Ausgang
Breite: 6mm
usEccn: EAR99
DC/DC-Wandlerausgang: Fest
Isolationsspannung: 1kV
DC-Eingangsspannung, max.: 13.2V
euEccn: NLR
DC/DC-Wandler: SIP
Ausgangsregelung: Ungeregelt
Produktpalette: SCT01F Series
Ausgangsspannung - Ausgang 1: 12V
productTraceability: No
Ausgangsspannung - Ausgang 2: -
Ausgangsstrom - Ausgang 1: 84mA
Eingangsverhältnis: -
Anwendungen für das Netzteil: ITE & Industrie
Ausgangsleistung, max.: 1W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+257.73 грн
5+242.42 грн
10+228.73 грн
50+200.43 грн
100+176.04 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT01F12S12XP POWERCategory: DC/DC Converters
Description: Converter: DC/DC; 1W; Uin: 10.8÷13.2VDC; Uout: 12VDC; Iout: 84mA
Type of converter: DC/DC
Power: 1W
Input voltage: 10.8...13.2V DC
Output voltage: 12V DC
Output current: 84mA
Case: SIP4
Mounting: PCB; THT
Manufacturer series: SCT01F
Body dimensions: 11.6x6x10.2mm
Efficiency: 80%
Operating temperature: -40...95°C
Switching frequency: 50kHz
Protection: short circuit protection SCP
Insulation voltage: 1kV DC
Number of outputs: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT01F12S15XP PowerDC/DC Converters - Through Hole DC-DC, 1W SIP, fixed input, single output
на замовлення 313 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+271.42 грн
10+234.99 грн
25+193.99 грн
41+186.39 грн
82+179.49 грн
287+170.51 грн
533+163.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT01F12S15XP POWERDescription: XP POWER - SCT01F12S15 - Isol. DC/DC-Wandler, Durchsteckmontage, ITE & Industrie, SIP, 1 W, 1 Ausgang, 15 V
tariffCode: 85044095
DC-Eingangsspannung, min.: 10.8V
Ausgangsstrom - Ausgang 2: -
rohsCompliant: YES
Höhe: 10.2mm
Nominelle DC-Eingangsspannung: 12V
Tiefe: 11.6mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Anzahl der Ausgänge: 1 Ausgang
Breite: 6mm
usEccn: EAR99
DC/DC-Wandlerausgang: Fest
Isolationsspannung: 1kV
DC-Eingangsspannung, max.: 13.2V
euEccn: NLR
DC/DC-Wandler: SIP
Ausgangsregelung: Ungeregelt
Produktpalette: SCT01F Series
Ausgangsspannung - Ausgang 1: 15V
productTraceability: No
Ausgangsspannung - Ausgang 2: -
Ausgangsstrom - Ausgang 1: 67mA
Eingangsverhältnis: -
Anwendungen für das Netzteil: ITE & Industrie
Ausgangsleistung, max.: 1W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+257.73 грн
5+242.42 грн
10+228.73 грн
50+200.43 грн
100+176.04 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT01F12S15XP POWERCategory: DC/DC Converters
Description: Converter: DC/DC; 1W; Uin: 10.8÷13.2VDC; Uout: 15VDC; Iout: 67mA
Type of converter: DC/DC
Power: 1W
Input voltage: 10.8...13.2V DC
Output voltage: 15V DC
Output current: 67mA
Case: SIP4
Mounting: PCB; THT
Manufacturer series: SCT01F
Body dimensions: 11.6x6x10.2mm
Efficiency: 81%
Operating temperature: -40...95°C
Switching frequency: 50kHz
Protection: short circuit protection SCP
Insulation voltage: 1kV DC
Number of outputs: 1
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+181.66 грн
10+161.21 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT01F12S3V3XP POWERCategory: DC/DC Converters
Description: Converter: DC/DC; 1W; Uin: 10.8÷13.2VDC; Uout: 3.3VDC; Iout: 303mA
Type of converter: DC/DC
Power: 1W
Input voltage: 10.8...13.2V DC
Output voltage: 3.3V DC
Output current: 303mA
Case: SIP4
Mounting: PCB; THT
Manufacturer series: SCT01F
Body dimensions: 11.6x6x10.2mm
Efficiency: 79%
Operating temperature: -40...95°C
Switching frequency: 50kHz
Protection: short circuit protection SCP
Insulation voltage: 1kV DC
Number of outputs: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT01F12S3V3XP PowerIsolated DC/DC Converters - Through Hole DC-DC, 1W SIP, fixed input, single output
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT01F12S3V3XP POWERDescription: XP POWER - SCT01F12S3V3 - Isol. DC/DC-Wandler, Durchsteckmontage, ITE & Industrie, SIP, 1 W, 1 Ausgang, 3.3 V
tariffCode: 85044095
DC-Eingangsspannung, min.: 10.8V
Ausgangsstrom - Ausgang 2: -
rohsCompliant: YES
Höhe: 10.2mm
Nominelle DC-Eingangsspannung: 12V
Tiefe: 11.6mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Anzahl der Ausgänge: 1 Ausgang
Breite: 6mm
usEccn: EAR99
DC/DC-Wandlerausgang: Fest
Isolationsspannung: 1kV
DC-Eingangsspannung, max.: 13.2V
euEccn: NLR
DC/DC-Wandler: SIP
Ausgangsregelung: Ungeregelt
Produktpalette: SCT01F Series
Ausgangsspannung - Ausgang 1: 3.3V
productTraceability: No
Ausgangsspannung - Ausgang 2: -
Ausgangsstrom - Ausgang 1: 303mA
Eingangsverhältnis: -
Anwendungen für das Netzteil: ITE & Industrie
Ausgangsleistung, max.: 1W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+257.73 грн
5+242.42 грн
10+228.73 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT01F24S05XP PowerIsolated DC/DC Converters - Through Hole DC-DC, 1W SIP, fixed input, single output
на замовлення 362 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+271.42 грн
10+234.99 грн
25+193.99 грн
41+186.39 грн
82+179.49 грн
287+170.51 грн
533+163.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT01F24S05XP POWERDescription: XP POWER - SCT01F24S05 - Isol. DC/DC-Wandler, Durchsteckmontage, ITE & Industrie, SIP, 1 W, 1 Ausgang, 5 V
tariffCode: 85044095
DC-Eingangsspannung, min.: 21.6V
Ausgangsstrom - Ausgang 2: -
rohsCompliant: YES
Höhe: 10.2mm
Nominelle DC-Eingangsspannung: 24V
Tiefe: 11.6mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Anzahl der Ausgänge: 1 Ausgang
Breite: 6mm
usEccn: EAR99
DC/DC-Wandlerausgang: Fest
Isolationsspannung: 1kV
DC-Eingangsspannung, max.: 26.4V
euEccn: NLR
DC/DC-Wandler: SIP
Ausgangsregelung: Ungeregelt
Produktpalette: SCT01F Series
Ausgangsspannung - Ausgang 1: 5V
productTraceability: No
Ausgangsspannung - Ausgang 2: -
Ausgangsstrom - Ausgang 1: 100mA
Eingangsverhältnis: -
Anwendungen für das Netzteil: ITE & Industrie
Ausgangsleistung, max.: 1W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+257.73 грн
5+242.42 грн
10+228.73 грн
50+200.43 грн
100+176.04 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT01F24S05XP POWERCategory: DC/DC Converters
Description: Converter: DC/DC; 1W; Uin: 21.6÷26.4VDC; Uout: 5VDC; Iout: 200mA
Type of converter: DC/DC
Power: 1W
Input voltage: 21.6...26.4V DC
Output voltage: 5V DC
Output current: 0.2A
Case: SIP4
Mounting: PCB; THT
Manufacturer series: SCT01F
Body dimensions: 11.6x6x10.2mm
Efficiency: 79%
Operating temperature: -40...95°C
Switching frequency: 50kHz
Protection: short circuit protection SCP
Insulation voltage: 1kV DC
Number of outputs: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT01F24S12XP POWERCategory: DC/DC Converters
Description: Converter: DC/DC; 1W; Uin: 21.6÷26.4VDC; Uout: 12VDC; Iout: 84mA
Type of converter: DC/DC
Power: 1W
Input voltage: 21.6...26.4V DC
Output voltage: 12V DC
Output current: 84mA
Case: SIP4
Mounting: PCB; THT
Manufacturer series: SCT01F
Body dimensions: 11.6x6x10.2mm
Efficiency: 80%
Operating temperature: -40...95°C
Switching frequency: 50kHz
Protection: short circuit protection SCP
Insulation voltage: 1kV DC
Number of outputs: 1
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+181.66 грн
10+161.21 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT01F24S12XP PowerDC/DC Converters - Through Hole DC-DC, 1W SIP, fixed input, single output
на замовлення 321 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+271.42 грн
10+234.99 грн
25+193.99 грн
41+186.39 грн
82+179.49 грн
287+170.51 грн
533+163.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT01F24S12XP POWERDescription: XP POWER - SCT01F24S12 - Isol. DC/DC-Wandler, Durchsteckmontage, ITE & Industrie, SIP, 1 W, 1 Ausgang, 12 V
tariffCode: 85044095
DC-Eingangsspannung, min.: 21.6V
Ausgangsstrom - Ausgang 2: -
rohsCompliant: YES
Höhe: 10.2mm
Nominelle DC-Eingangsspannung: 24V
Tiefe: 11.6mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anzahl der Ausgänge: 1 Ausgang
Breite: 6mm
usEccn: EAR99
DC/DC-Wandlerausgang: Fest
Isolationsspannung: 1kV
DC-Eingangsspannung, max.: 26.4V
euEccn: NLR
DC/DC-Wandler: SIP
Ausgangsregelung: Ungeregelt
Produktpalette: SCT01F Series
Ausgangsspannung - Ausgang 1: 12V
productTraceability: No
Ausgangsspannung - Ausgang 2: -
Ausgangsstrom - Ausgang 1: 84mA
Eingangsverhältnis: -
Anwendungen für das Netzteil: ITE & Industrie
Ausgangsleistung, max.: 1W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+302.83 грн
10+265.78 грн
25+252.09 грн
50+225.11 грн
100+199.51 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT01F24S15XP PowerDC/DC Converters - Through Hole DC-DC, 1W SIP, fixed input, single output
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+271.42 грн
10+234.99 грн
25+193.99 грн
41+186.39 грн
82+179.49 грн
287+170.51 грн
533+163.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT01F24S15XP POWERDescription: XP POWER - SCT01F24S15 - Isol. DC/DC-Wandler, Durchsteckmontage, ITE & Industrie, SIP, 1 W, 1 Ausgang, 15 V
tariffCode: 85044095
DC-Eingangsspannung, min.: 21.6V
Ausgangsstrom - Ausgang 2: -
rohsCompliant: YES
Höhe: 10.2mm
Nominelle DC-Eingangsspannung: 24V
Tiefe: 11.6mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Anzahl der Ausgänge: 1 Ausgang
Breite: 6mm
usEccn: EAR99
DC/DC-Wandlerausgang: Fest
Isolationsspannung: 1kV
DC-Eingangsspannung, max.: 26.4V
euEccn: NLR
DC/DC-Wandler: SIP
Ausgangsregelung: Ungeregelt
Produktpalette: SCT01F Series
Ausgangsspannung - Ausgang 1: 15V
productTraceability: No
Ausgangsspannung - Ausgang 2: -
Ausgangsstrom - Ausgang 1: 67mA
Eingangsverhältnis: -
Anwendungen für das Netzteil: ITE & Industrie
Ausgangsleistung, max.: 1W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+257.73 грн
5+242.42 грн
10+228.73 грн
50+200.43 грн
100+176.04 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT01F24S3V3XP POWERDescription: XP POWER - SCT01F24S3V3 - Isol. DC/DC-Wandler, Durchsteckmontage, ITE & Industrie, SIP, 1 W, 1 Ausgang, 3.3 V
tariffCode: 85044095
DC-Eingangsspannung, min.: 21.6V
Ausgangsstrom - Ausgang 2: -
rohsCompliant: YES
Höhe: 10.2mm
Nominelle DC-Eingangsspannung: 24V
Tiefe: 11.6mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anzahl der Ausgänge: 1 Ausgang
Breite: 6mm
usEccn: EAR99
DC/DC-Wandlerausgang: Fest
Isolationsspannung: 1kV
DC-Eingangsspannung, max.: 26.4V
euEccn: NLR
DC/DC-Wandler: SIP
Ausgangsregelung: Ungeregelt
Produktpalette: SCT01F Series
Ausgangsspannung - Ausgang 1: 3.3V
productTraceability: No
Ausgangsspannung - Ausgang 2: -
Ausgangsstrom - Ausgang 1: 303mA
Eingangsverhältnis: -
Anwendungen für das Netzteil: ITE & Industrie
Ausgangsleistung, max.: 1W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+302.83 грн
10+265.78 грн
25+252.09 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT01F24S3V3XP POWERCategory: DC/DC Converters
Description: Converter: DC/DC; 1W; Uin: 21.6÷26.4VDC; Uout: 3.3VDC; Iout: 303mA
Input voltage: 21.6...26.4V DC
Output voltage: 3.3V DC
Case: SIP4
Mounting: PCB; THT
Operating temperature: -40...95°C
Efficiency: 78%
Output current: 303mA
Number of outputs: 1
Power: 1W
Protection: short circuit protection SCP
Insulation voltage: 1kV DC
Switching frequency: 50kHz
Manufacturer series: SCT01F
Type of converter: DC/DC
Body dimensions: 11.6x6x10.2mm
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+184.35 грн
10+163.70 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT01F24S3V3XP PowerDC/DC Converters - Through Hole DC-DC, 1W SIP, fixed input, single output
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+271.42 грн
10+234.99 грн
25+193.99 грн
41+186.39 грн
82+179.49 грн
287+170.51 грн
533+163.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT020HU120G3AGSTMicroelectronicsDescription: AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE
Packaging: Cut Tape (CT)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3465 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +18V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: HU3PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 2.3mA
Power Dissipation (Max): 555W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 50A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT020HU120G3AGSTMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; N; 1.2kV; 100A; 555W; D2PAK-7
Technology: SiC
Case: D2PAK-7
Kind of channel: enhancement
Polarisation: N
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Gate-source voltage: 22V
Gate charge: 121nC
On-state resistance: 28mΩ
Power dissipation: 555W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 100A
Application: automotive industry
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
600+1046.12 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT020HU120G3AGSTMicroelectronicsSiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HU3PAK package
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1420.72 грн
10+1160.67 грн
100+872.59 грн
600+810.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT020HU120G3AGSTMicroelectronicsDescription: AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3465 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +18V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: HU3PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 2.3mA
Power Dissipation (Max): 555W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 50A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT020HU120G3AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCT020HU120G3AG - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.028 ohm, HU3PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: TBA
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 555W
Bauform - Transistor: HU3PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2021.55 грн
5+1824.23 грн
10+1626.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT020HU120G3AGSTMicroelectronics85-PTD NEW MAT & PWR SOLUTION
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT020W120G3-4AGSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 570 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
60+967.37 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT020W120G3-4AGSTMicroelectronicsDescription: AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 108A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 50A, 18V
Power Dissipation (Max): 541W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 2.3mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +18V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3465 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1345.91 грн
30+810.29 грн
120+704.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT024TS-100-1PowerUC ElectronicsDescription: 100A/1A 1%
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 2.087" L x 1.629" W (53.00mm x 41.40mm)
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Type: Non-Invasive (Split Core)
Termination Style: Terminal Block
Turns Ratio - Primary:Secondary: 1:1000
Frequency Range: 50/60Hz
Height - Seated (Max): 2.953" (75.00mm)
Current Ratio: 1000:1
Current Rating (Amps): 100 A
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1074.08 грн
5+1033.41 грн
10+929.90 грн
40+807.93 грн
75+793.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT024TS-100-100PowerUC ElectronicsDescription: 100A/0.1A 1%
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 2.087" L x 1.629" W (53.00mm x 41.40mm)
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Type: Non-Invasive (Split Core)
Termination Style: Terminal Block
Turns Ratio - Primary:Secondary: 1:1000
Frequency Range: 50/60Hz
Height - Seated (Max): 2.953" (75.00mm)
Current Ratio: 1000:1
Current Rating (Amps): 100 A
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1074.08 грн
5+990.63 грн
10+887.12 грн
40+767.80 грн
75+752.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT024TS-250-5PowerUC ElectronicsDescription: 250A/5A 1%
Current Rating (Amps): 300 A
Current Ratio: 50:1
Height - Seated (Max): 2.953" (75.00mm)
Frequency Range: 50/60Hz
Turns Ratio - Primary:Secondary: 1:50
Termination Style: Terminal Block
Type: Non-Invasive (Split Core)
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Size / Dimension: 2.087" L x 1.629" W (53.00mm x 41.40mm)
Packaging: Bulk
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+977.32 грн
10+844.87 грн
40+780.74 грн
75+718.84 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT024TS-300-5-1PowerUC ElectronicsDescription: 300A/5A 0.5%
Current Rating (Amps): 300 A
Current Ratio: 60:1
Height - Seated (Max): 2.953" (75.00mm)
Frequency Range: 50/60Hz
Turns Ratio - Primary:Secondary: 1:60
Termination Style: Terminal Block
Type: Non-Invasive (Split Core)
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Size / Dimension: 2.087" L x 1.629" W (53.00mm x 41.40mm)
Packaging: Bulk
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+1067.25 грн
10+930.80 грн
40+866.20 грн
75+798.95 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT024TS-300-5-2PowerUC ElectronicsDescription: 300A/5A 1%
Type: Non-Invasive (Split Core)
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Size / Dimension: 2.087" L x 1.629" W (53.00mm x 41.40mm)
Packaging: Bulk
Current Rating (Amps): 400 A
Current Ratio: 60:1
Height - Seated (Max): 2.953" (75.00mm)
Frequency Range: 50/60Hz
Turns Ratio - Primary:Secondary: 1:60
Termination Style: Terminal Block
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+977.32 грн
10+844.87 грн
40+780.74 грн
75+718.84 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT024TS-400A
Код товару: 171735
Додати до обраних Обраний товар
Активні компоненти > Датчики
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT024TS-D-150-5PowerUC ElectronicsDescription: 150A/5V 2%
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 2.087" L x 1.629" W (53.00mm x 41.40mm)
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Type: Non-Invasive (Split Core)
Termination Style: Terminal Block
Frequency Range: 50Hz ~ 1kHz
Height - Seated (Max): 2.953" (75.00mm)
Current Rating (Amps): 200 A
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+1136.68 грн
10+999.15 грн
40+935.62 грн
75+863.73 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT024TS-D-200-5PowerUC ElectronicsDescription: 200A/5V 2%
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 2.087" L x 1.629" W (53.00mm x 41.40mm)
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Type: Non-Invasive (Split Core)
Termination Style: Terminal Block
Frequency Range: 50Hz ~ 1kHz
Height - Seated (Max): 2.953" (75.00mm)
Current Rating (Amps): 250 A
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+1136.68 грн
10+999.15 грн
40+935.62 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT024TS-D-250-5PowerUC ElectronicsDescription: 250A/5V 2%
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 2.087" L x 1.629" W (53.00mm x 41.40mm)
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Type: Non-Invasive (Split Core)
Termination Style: Terminal Block
Frequency Range: 50Hz ~ 1kHz
Height - Seated (Max): 2.953" (75.00mm)
Current Rating (Amps): 300 A
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+1136.68 грн
10+999.15 грн
40+935.62 грн
75+863.73 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT024TS-D-300-5PowerUC ElectronicsDescription: 300A/5V 2%
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 2.087" L x 1.629" W (53.00mm x 41.40mm)
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Type: Non-Invasive (Split Core)
Termination Style: Terminal Block
Frequency Range: 50Hz ~ 1kHz
Height - Seated (Max): 2.953" (75.00mm)
Current Rating (Amps): 100 A
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+1136.68 грн
10+999.15 грн
40+935.62 грн
75+863.73 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT025H120G3AGSTMicroelectronicsSiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package
на замовлення 1534 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1200.04 грн
10+949.49 грн
1000+707.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT025H120G3AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCT025H120G3AG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 55 A, 1.2 kV, 0.037 ohm, H2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1069.57 грн
50+1064.74 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT025H120G3AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A Automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT025H120G3AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCT025H120G3AG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 55 A, 1.2 kV, 0.037 ohm, H2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: H2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT025H120G3AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCT025H120G3AG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 55 A, 1.2 kV, 0.037 ohm, H2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: H2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1335.35 грн
10+1069.57 грн
50+1064.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT025W120G3-4AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCT025W120G3-4AG - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 56 A, 1.2 kV, 0.037 ohm, HiP247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 388W
Bauform - Transistor: HiP247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1730.80 грн
5+1634.15 грн
10+1537.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT025W120G3-4AGSTMicroelectronicsDescription: TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 388W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +18V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1802.57 грн
10+1257.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT025W120G3-4AGSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 56A; Idm: 240A; 389W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 56A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 389W
Case: HIP247-4
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 73nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT025W120G3-4AGSTMicroelectronicsSiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1721.94 грн
10+1508.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT025W120G3AGSTMicroelectronicsSiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package
на замовлення 654 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1434.41 грн
10+1205.92 грн
100+907.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT025W120G3AGSTMicroelectronicsDescription: AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 388W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 5mA
Supplier Device Package: HiP247™
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +18V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1260.48 грн
30+754.87 грн
120+654.32 грн
510+581.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT027H65G3AGSTMicroelectronicsSCT027H65G3AG
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT027H65G3AGSTMicroelectronicsDescription: AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39.3mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 5mA
Supplier Device Package: H2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +18V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48.6 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1277 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT027H65G3AGSTMicroelectronicsSiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1054.27 грн
10+804.21 грн
100+668.25 грн
1000+574.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT027H65G3AGSTMicroelectronicsDescription: AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39.3mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 5mA
Supplier Device Package: H2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +18V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48.6 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1277 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+905.55 грн
10+608.32 грн
100+494.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT027HU65G3AGSTMicroelectronicsSiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT027HU65G3AGSTMicroelectronicsDescription: SIC MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39.3mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 5mA
Supplier Device Package: HU3PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +18V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60.4 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1277 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT027TO65G3STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCT027TO65G3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 60 A, 650 V, 0.0393 ohm, TOLL
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0393ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1107.42 грн
5+1044.60 грн
10+981.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT027W65G3-4AGSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 60A; Idm: 264A; 313W
Technology: SiC
Case: HIP247-4
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
Gate-source voltage: -10...22V
Gate charge: 51nC
On-state resistance: 39.3mΩ
Pulsed drain current: 264A
Power dissipation: 313W
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT036TS-100-1PowerUC ElectronicsDescription: 100A/1A 1%
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 2.598" L x 1.909" W (66.00mm x 48.50mm)
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Type: Non-Invasive (Split Core)
Termination Style: Terminal Block
Turns Ratio - Primary:Secondary: 1:1000
Frequency Range: 50Hz ~ 1kHz
Height - Seated (Max): 3.622" (92.00mm)
Current Ratio: 1000:1
Current Rating (Amps): 100 A
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+1342.49 грн
10+1189.26 грн
25+1140.98 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT036TS-250-5PowerUC ElectronicsDescription: 250A/5A 1%
Current Rating (Amps): 300 A
Current Ratio: 50:1
Height - Seated (Max): 3.622" (92.00mm)
Frequency Range: 50Hz ~ 1kHz
Turns Ratio - Primary:Secondary: 1:50
Termination Style: Terminal Block
Type: Non-Invasive (Split Core)
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Size / Dimension: 2.598" L x 1.909" W (66.00mm x 48.50mm)
Packaging: Bulk
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+1207.20 грн
10+1066.24 грн
25+1021.29 грн
50+934.37 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT036TS-300-100PowerUC ElectronicsDescription: 300A/0.1A 1%
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 2.598" L x 1.909" W (66.00mm x 48.50mm)
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Type: Non-Invasive (Split Core)
Termination Style: Terminal Block
Turns Ratio - Primary:Secondary: 1:3000
Frequency Range: 50Hz ~ 1kHz
Height - Seated (Max): 3.622" (92.00mm)
Current Ratio: 3000:1
Current Rating (Amps): 300 A
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+1165.88 грн
10+1026.45 грн
25+981.53 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT036TS-300-333PowerUC ElectronicsDescription: 300A/0.333V 1%
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 2.598" L x 1.909" W (66.00mm x 48.50mm)
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Type: Non-Invasive (Split Core)
Termination Style: Terminal Block
Frequency Range: 50Hz ~ 1kHz
Height - Seated (Max): 3.622" (92.00mm)
Current Rating (Amps): 300 A
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+1248.52 грн
10+1105.95 грн
25+1061.08 грн
50+971.69 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT036TS-300-5-1PowerUC ElectronicsDescription: 300A/5A 0.5%
Packaging: Bulk
Current Rating (Amps): 300 A
Current Ratio: 60:1
Height - Seated (Max): 3.622" (92.00mm)
Frequency Range: 50Hz ~ 1kHz
Turns Ratio - Primary:Secondary: 1:60
Termination Style: Terminal Block
Type: Non-Invasive (Split Core)
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Size / Dimension: 2.598" L x 1.909" W (66.00mm x 48.50mm)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+1269.17 грн
10+1125.84 грн
25+1080.97 грн
50+990.36 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT036TS-300-5-2PowerUC ElectronicsDescription: 300A/5A 1%
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Size / Dimension: 2.598" L x 1.909" W (66.00mm x 48.50mm)
Packaging: Bulk
Current Rating (Amps): 400 A
Current Ratio: 60:1
Height - Seated (Max): 3.622" (92.00mm)
Frequency Range: 50Hz ~ 1kHz
Turns Ratio - Primary:Secondary: 1:60
Termination Style: Terminal Block
Type: Non-Invasive (Split Core)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+1215.43 грн
10+1073.57 грн
25+1028.32 грн
50+940.80 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT036TS-D-200-5PowerUC ElectronicsDescription: 200A/5V 2%
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 2.598" L x 1.909" W (66.00mm x 48.50mm)
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Type: Non-Invasive (Split Core)
Termination Style: Terminal Block
Frequency Range: 50Hz ~ 1kHz
Height - Seated (Max): 3.622" (92.00mm)
Current Rating (Amps): 200 A
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+1339.23 грн
10+1194.35 грн
25+1149.83 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT036TS-D-300-5PowerUC ElectronicsDescription: 300A/5V 2%
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 2.598" L x 1.909" W (66.00mm x 48.50mm)
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Type: Non-Invasive (Split Core)
Termination Style: Terminal Block
Frequency Range: 50Hz ~ 1kHz
Height - Seated (Max): 3.622" (92.00mm)
Current Rating (Amps): 300 A
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+1339.23 грн
10+1194.35 грн
25+1149.83 грн
50+1055.21 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT036TS-D-400-5PowerUC ElectronicsDescription: 400A/5V 2%
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 2.598" L x 1.909" W (66.00mm x 48.50mm)
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Type: Non-Invasive (Split Core)
Termination Style: Terminal Block
Frequency Range: 50Hz ~ 1kHz
Height - Seated (Max): 3.622" (92.00mm)
Current Rating (Amps): 400 A
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+1339.23 грн
10+1194.35 грн
25+1149.83 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT036TS-D-500-5PowerUC ElectronicsDescription: 500A/5V 2%
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 2.598" L x 1.909" W (66.00mm x 48.50mm)
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Type: Non-Invasive (Split Core)
Termination Style: Terminal Block
Frequency Range: 50Hz ~ 1kHz
Height - Seated (Max): 3.622" (92.00mm)
Current Rating (Amps): 500 A
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+1339.23 грн
10+1194.35 грн
25+1149.83 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT040H120G3AGSTMicroelectronicsDescription: H2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 16A, 18V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 5mA
Supplier Device Package: H2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +18V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1329 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT040H120G3AGSTMicroelectronicsSiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT040H120G3AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCT040H120G3AG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 40 A, 1.2 kV, 0.054 ohm, H2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: H2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+835.20 грн
50+740.39 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT040H120G3AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) H2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT040H120G3AGSTMicroelectronicsDescription: H2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 16A, 18V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 5mA
Supplier Device Package: H2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +18V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1329 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT040H120G3AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCT040H120G3AG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 40 A, 1.2 kV, 0.054 ohm, H2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: H2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1183.93 грн
5+1009.97 грн
10+835.20 грн
50+740.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT040H65G3-7STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCT040H65G3-7 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.063 ohm, H2PAK
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+794.12 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT040H65G3-7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 650V 30A 8-Pin(7+Tab) H2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT040H65G3-7STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCT040H65G3-7 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.063 ohm, H2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 221W
Bauform - Transistor: H2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+968.09 грн
5+881.11 грн
10+794.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT040H65G3-7STMicroelectronicsSiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT040H65G3AGSTMicroelectronicsDescription: AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 221W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 1mA
Supplier Device Package: H2PAK-7
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +18V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39.5 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT040H65G3AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCT040H65G3AG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.055 ohm, H2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 221W
Bauform - Transistor: H2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+686.20 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT040H65G3AGSTMicroelectronicsSiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A
на замовлення 974 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+905.27 грн
10+623.21 грн
100+474.95 грн
500+474.26 грн
1000+403.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT040H65G3AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 650V 30A 8-Pin(7+Tab) H2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+507.75 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT040H65G3AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 650V 30A 8-Pin(7+Tab) H2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+517.57 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT040H65G3AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCT040H65G3AG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.055 ohm, H2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 221W
Bauform - Transistor: H2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+877.08 грн
5+782.04 грн
10+686.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT040H65G3AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 650V 30A 8-Pin(7+Tab) H2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+652.33 грн
10+565.58 грн
100+527.03 грн
1000+489.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT040H65G3AGSTMicroelectronicsDescription: AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 221W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 1mA
Supplier Device Package: H2PAK-7
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +18V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39.5 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+742.46 грн
10+495.09 грн
100+418.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT040H65G3AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 650V 30A 8-Pin(7+Tab) H2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+517.39 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT040HU120G3AGSTMicroelectronicsDescription: AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 16A, 18V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 5mA
Supplier Device Package: HU3PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +18V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1329 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT040HU120G3AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 40A 8-Pin(7+Tab) HU3PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT040HU120G3AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCT040HU120G3AG - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 40 A, 1.2 kV, 0.049 ohm, HU3PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HU3PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1274.94 грн
5+1147.69 грн
10+1020.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT040HU120G3AGSTMicroelectronicsDescription: AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 16A, 18V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 5mA
Supplier Device Package: HU3PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +18V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1329 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+961.47 грн
10+648.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT040HU120G3AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCT040HU120G3AG - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 40 A, 1.2 kV, 0.049 ohm, HU3PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1020.44 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT040HU120G3AGSTMicroelectronicsSiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HU3PAK package
на замовлення 605 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+935.87 грн
10+646.23 грн
100+494.97 грн
600+485.31 грн
1200+462.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT040HU65G3AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCT040HU65G3AG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.055 ohm, HU3PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 221W
Bauform - Transistor: HU3PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1078.43 грн
5+917.35 грн
10+756.27 грн
50+681.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT040HU65G3AGSTMicroelectronicsDescription: AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 221W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 1mA
Supplier Device Package: HU3PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39.5 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+907.11 грн
10+609.14 грн
100+495.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT040HU65G3AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 650V 30A 8-Pin(7+Tab) HU3PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+1181.25 грн
15+967.82 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT040HU65G3AGSTMicroelectronicsSiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 30 A
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+943.93 грн
10+649.40 грн
100+459.08 грн
600+434.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT040HU65G3AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCT040HU65G3AG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.055 ohm, HU3PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 221W
Bauform - Transistor: HU3PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+756.27 грн
50+681.31 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT040HU65G3AGSTMicroelectronicsDescription: AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 221W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 1mA
Supplier Device Package: HU3PAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39.5 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT040HU65G3AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 650V 30A 8-Pin(7+Tab) HU3PAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT040TO65G3STMicroelectronicsSiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 35 A in a TO-LL package
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+659.62 грн
10+493.01 грн
100+356.91 грн
500+325.84 грн
1800+325.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 12 14 16 18 20 22  [ Наступна Сторінка >> ]