Продукція > SCT

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 12 14 16 18 20 22 23  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SCT01F05S3V3XP POWERDescription: XP POWER - SCT01F05S3V3 - Isol. DC/DC-Wandler, Durchsteckmontage, ITE & Industrie, SIP, 1 W, 1 Ausgang, 3.3 V
tariffCode: 85044095
DC-Eingangsspannung, min.: 4.5V
Ausgangsstrom - Ausgang 2: -
rohsCompliant: YES
Höhe: 10.2mm
Nominelle DC-Eingangsspannung: 5V
Tiefe: 11.6mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anzahl der Ausgänge: 1 Ausgang
isCanonical: Y
Breite: 6mm
usEccn: EAR99
DC/DC-Wandlerausgang: Fest
Isolationsspannung: 1kV
DC-Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
DC/DC-Wandler: SIP
Ausgangsregelung: Ungeregelt
Produktpalette: SCT01F Series
Ausgangsspannung - Ausgang 1: 3.3V
productTraceability: No
Ausgangsspannung - Ausgang 2: -
Ausgangsstrom - Ausgang 1: 303mA
Eingangsverhältnis: -
Anwendungen für das Netzteil: ITE & Industrie
Ausgangsleistung, max.: 1W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT01F05S3V3XP POWERCategory: DC/DC Converters
Description: Converter: DC/DC; 1W; Uin: 4.5÷5.5VDC; Uout: 3.3VDC; Iout: 303mA
Converter: DC/DC
Power: 1W
Input voltage: 4.5...5.5V DC
Output voltage: 3.3V DC
Output current: 303mA
Case: SIP4
Mounting: PCB; THT
Manufacturer series: SCT01F
Body dimensions: 11.6x6x10.2mm
Efficiency: 74%
Operating temperature: -40...95°C
Switching frequency: 50kHz
Protection: short circuit protection SCP
Insulation voltage: 1kV DC
Number of outputs: 1
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+186.95 грн
10+166.05 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT01F05S3V3XP PowerIsolated DC/DC Converters - Through Hole DC-DC, 1W SIP, fixed input, single output
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT01F12S05XP PowerDescription: DC/DC CONVERTER 5V 1W
Number of Outputs: 1
Power (Watts): 1 W
Voltage - Output 1: 5V
Voltage - Input (Min): 10.8V
Current - Output (Max): 200mA
Efficiency: 82%
Approval Agency: CB, CE, CSA, IEC, UKCA, UL
Voltage - Input (Max): 13.2V
Applications: ITE (Commercial)
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (With Derating)
Type: Isolated Module
Mounting Type: Through Hole
Size / Dimension: 0.46" L x 0.24" W x 0.40" H (11.6mm x 6.0mm x 10.2mm)
Standard Number: 62368-1
Voltage - Isolation: 1 kV
Package / Case: 4-SIP Module
Packaging: Tube
на замовлення 489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+175.57 грн
5+163.64 грн
10+158.43 грн
25+142.55 грн
100+133.37 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT01F12S05XP POWERDescription: XP POWER - SCT01F12S05 - Isol. DC/DC-Wandler, Durchsteckmontage, ITE & Industrie, SIP, 1 W, 1 Ausgang, 5 V
tariffCode: 85044095
DC-Eingangsspannung, min.: 10.8V
Ausgangsstrom - Ausgang 2: -
rohsCompliant: YES
Höhe: 10.2mm
Nominelle DC-Eingangsspannung: 12V
Tiefe: 11.6mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anzahl der Ausgänge: 1 Ausgang
Breite: 6mm
usEccn: EAR99
DC/DC-Wandlerausgang: Fest
Isolationsspannung: 1kV
DC-Eingangsspannung, max.: 13.2V
euEccn: NLR
DC/DC-Wandler: SIP
Ausgangsregelung: Ungeregelt
Produktpalette: SCT01F Series
Ausgangsspannung - Ausgang 1: 5V
productTraceability: No
Ausgangsspannung - Ausgang 2: -
Ausgangsstrom - Ausgang 1: 200mA
Eingangsverhältnis: -
Anwendungen für das Netzteil: ITE & Industrie
Ausgangsleistung, max.: 1W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT01F12S05XP POWERCategory: DC/DC Converters
Description: Converter: DC/DC; 1W; Uin: 10.8÷13.2VDC; Uout: 5VDC; Iout: 200mA
Converter: DC/DC
Power: 1W
Input voltage: 10.8...13.2V DC
Output voltage: 5V DC
Output current: 0.2A
Case: SIP4
Mounting: PCB; THT
Manufacturer series: SCT01F
Body dimensions: 11.6x6x10.2mm
Efficiency: 82%
Operating temperature: -40...95°C
Switching frequency: 50kHz
Protection: short circuit protection SCP
Insulation voltage: 1kV DC
Number of outputs: 1
на замовлення 41 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+186.05 грн
10+165.21 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT01F12S05XP PowerDC/DC Converters - Through Hole DC-DC, 1W SIP, fixed input, single output
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT01F12S12XP POWERDescription: XP POWER - SCT01F12S12 - Isol. DC/DC-Wandler, Durchsteckmontage, ITE & Industrie, SIP, 1 W, 1 Ausgang, 12 V
tariffCode: 85044095
DC-Eingangsspannung, min.: 10.8V
Ausgangsstrom - Ausgang 2: -
rohsCompliant: YES
Höhe: 10.2mm
Nominelle DC-Eingangsspannung: 12V
Tiefe: 11.6mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Anzahl der Ausgänge: 1 Ausgang
Breite: 6mm
usEccn: EAR99
DC/DC-Wandlerausgang: Fest
Isolationsspannung: 1kV
DC-Eingangsspannung, max.: 13.2V
euEccn: NLR
DC/DC-Wandler: SIP
Ausgangsregelung: Ungeregelt
Produktpalette: SCT01F Series
Ausgangsspannung - Ausgang 1: 12V
productTraceability: No
Ausgangsspannung - Ausgang 2: -
Ausgangsstrom - Ausgang 1: 84mA
Eingangsverhältnis: -
Anwendungen für das Netzteil: ITE & Industrie
Ausgangsleistung, max.: 1W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT01F12S12XP POWERCategory: DC/DC Converters
Description: Converter: DC/DC; 1W; Uin: 10.8÷13.2VDC; Uout: 12VDC; Iout: 84mA
Converter: DC/DC
Power: 1W
Input voltage: 10.8...13.2V DC
Output voltage: 12V DC
Output current: 84mA
Case: SIP4
Mounting: PCB; THT
Manufacturer series: SCT01F
Body dimensions: 11.6x6x10.2mm
Efficiency: 80%
Operating temperature: -40...95°C
Switching frequency: 50kHz
Protection: short circuit protection SCP
Insulation voltage: 1kV DC
Number of outputs: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT01F12S12XP PowerDC/DC Converters - Through Hole DC-DC, 1W SIP, fixed input, single output
на замовлення 254 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT01F12S15XP PowerDC/DC Converters - Through Hole DC-DC, 1W SIP, fixed input, single output
на замовлення 313 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT01F12S15XP POWERDescription: XP POWER - SCT01F12S15 - Isol. DC/DC-Wandler, Durchsteckmontage, ITE & Industrie, SIP, 1 W, 1 Ausgang, 15 V
tariffCode: 85044095
DC-Eingangsspannung, min.: 10.8V
Ausgangsstrom - Ausgang 2: -
rohsCompliant: YES
Höhe: 10.2mm
Nominelle DC-Eingangsspannung: 12V
Tiefe: 11.6mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Anzahl der Ausgänge: 1 Ausgang
Breite: 6mm
usEccn: EAR99
DC/DC-Wandlerausgang: Fest
Isolationsspannung: 1kV
DC-Eingangsspannung, max.: 13.2V
euEccn: NLR
DC/DC-Wandler: SIP
Ausgangsregelung: Ungeregelt
Produktpalette: SCT01F Series
Ausgangsspannung - Ausgang 1: 15V
productTraceability: No
Ausgangsspannung - Ausgang 2: -
Ausgangsstrom - Ausgang 1: 67mA
Eingangsverhältnis: -
Anwendungen für das Netzteil: ITE & Industrie
Ausgangsleistung, max.: 1W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT01F12S15XP POWERCategory: DC/DC Converters
Description: Converter: DC/DC; 1W; Uin: 10.8÷13.2VDC; Uout: 15VDC; Iout: 67mA
Converter: DC/DC
Power: 1W
Input voltage: 10.8...13.2V DC
Output voltage: 15V DC
Output current: 67mA
Case: SIP4
Mounting: PCB; THT
Manufacturer series: SCT01F
Body dimensions: 11.6x6x10.2mm
Efficiency: 81%
Operating temperature: -40...95°C
Switching frequency: 50kHz
Protection: short circuit protection SCP
Insulation voltage: 1kV DC
Number of outputs: 1
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+183.34 грн
10+162.70 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT01F12S3V3XP POWERDescription: XP POWER - SCT01F12S3V3 - Isol. DC/DC-Wandler, Durchsteckmontage, ITE & Industrie, SIP, 1 W, 1 Ausgang, 3.3 V
tariffCode: 85044095
DC-Eingangsspannung, min.: 10.8V
Ausgangsstrom - Ausgang 2: -
rohsCompliant: YES
Höhe: 10.2mm
Nominelle DC-Eingangsspannung: 12V
Tiefe: 11.6mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Anzahl der Ausgänge: 1 Ausgang
Breite: 6mm
usEccn: EAR99
DC/DC-Wandlerausgang: Fest
Isolationsspannung: 1kV
DC-Eingangsspannung, max.: 13.2V
euEccn: NLR
DC/DC-Wandler: SIP
Ausgangsregelung: Ungeregelt
Produktpalette: SCT01F Series
Ausgangsspannung - Ausgang 1: 3.3V
productTraceability: No
Ausgangsspannung - Ausgang 2: -
Ausgangsstrom - Ausgang 1: 303mA
Eingangsverhältnis: -
Anwendungen für das Netzteil: ITE & Industrie
Ausgangsleistung, max.: 1W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT01F12S3V3XP POWERCategory: DC/DC Converters
Description: Converter: DC/DC; 1W; Uin: 10.8÷13.2VDC; Uout: 3.3VDC; Iout: 303mA
Converter: DC/DC
Power: 1W
Input voltage: 10.8...13.2V DC
Output voltage: 3.3V DC
Output current: 303mA
Case: SIP4
Mounting: PCB; THT
Manufacturer series: SCT01F
Body dimensions: 11.6x6x10.2mm
Efficiency: 79%
Operating temperature: -40...95°C
Switching frequency: 50kHz
Protection: short circuit protection SCP
Insulation voltage: 1kV DC
Number of outputs: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT01F12S3V3XP PowerIsolated DC/DC Converters - Through Hole DC-DC, 1W SIP, fixed input, single output
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT01F24S05XP POWERCategory: DC/DC Converters
Description: Converter: DC/DC; 1W; Uin: 21.6÷26.4VDC; Uout: 5VDC; Iout: 200mA
Converter: DC/DC
Power: 1W
Input voltage: 21.6...26.4V DC
Output voltage: 5V DC
Output current: 0.2A
Case: SIP4
Mounting: PCB; THT
Manufacturer series: SCT01F
Body dimensions: 11.6x6x10.2mm
Efficiency: 79%
Operating temperature: -40...95°C
Switching frequency: 50kHz
Protection: short circuit protection SCP
Insulation voltage: 1kV DC
Number of outputs: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT01F24S05XP PowerIsolated DC/DC Converters - Through Hole DC-DC, 1W SIP, fixed input, single output
на замовлення 362 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT01F24S05XP POWERDescription: XP POWER - SCT01F24S05 - Isol. DC/DC-Wandler, Durchsteckmontage, ITE & Industrie, SIP, 1 W, 1 Ausgang, 5 V
tariffCode: 85044095
DC-Eingangsspannung, min.: 21.6V
Ausgangsstrom - Ausgang 2: -
rohsCompliant: YES
Höhe: 10.2mm
Nominelle DC-Eingangsspannung: 24V
Tiefe: 11.6mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Anzahl der Ausgänge: 1 Ausgang
Breite: 6mm
usEccn: EAR99
DC/DC-Wandlerausgang: Fest
Isolationsspannung: 1kV
DC-Eingangsspannung, max.: 26.4V
euEccn: NLR
DC/DC-Wandler: SIP
Ausgangsregelung: Ungeregelt
Produktpalette: SCT01F Series
Ausgangsspannung - Ausgang 1: 5V
productTraceability: No
Ausgangsspannung - Ausgang 2: -
Ausgangsstrom - Ausgang 1: 100mA
Eingangsverhältnis: -
Anwendungen für das Netzteil: ITE & Industrie
Ausgangsleistung, max.: 1W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT01F24S12XP POWERDescription: XP POWER - SCT01F24S12 - Isol. DC/DC-Wandler, Durchsteckmontage, ITE & Industrie, SIP, 1 W, 1 Ausgang, 12 V
tariffCode: 85044095
DC-Eingangsspannung, min.: 21.6V
Ausgangsstrom - Ausgang 2: -
rohsCompliant: YES
Höhe: 10.2mm
Nominelle DC-Eingangsspannung: 24V
Tiefe: 11.6mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anzahl der Ausgänge: 1 Ausgang
Breite: 6mm
usEccn: EAR99
DC/DC-Wandlerausgang: Fest
Isolationsspannung: 1kV
DC-Eingangsspannung, max.: 26.4V
euEccn: NLR
DC/DC-Wandler: SIP
Ausgangsregelung: Ungeregelt
Produktpalette: SCT01F Series
Ausgangsspannung - Ausgang 1: 12V
productTraceability: No
Ausgangsspannung - Ausgang 2: -
Ausgangsstrom - Ausgang 1: 84mA
Eingangsverhältnis: -
Anwendungen für das Netzteil: ITE & Industrie
Ausgangsleistung, max.: 1W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT01F24S12XP POWERCategory: DC/DC Converters
Description: Converter: DC/DC; 1W; Uin: 21.6÷26.4VDC; Uout: 12VDC; Iout: 84mA
Converter: DC/DC
Power: 1W
Input voltage: 21.6...26.4V DC
Output voltage: 12V DC
Output current: 84mA
Case: SIP4
Mounting: PCB; THT
Manufacturer series: SCT01F
Body dimensions: 11.6x6x10.2mm
Efficiency: 80%
Operating temperature: -40...95°C
Switching frequency: 50kHz
Protection: short circuit protection SCP
Insulation voltage: 1kV DC
Number of outputs: 1
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+183.34 грн
10+162.70 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT01F24S12XP PowerDC/DC Converters - Through Hole DC-DC, 1W SIP, fixed input, single output
на замовлення 321 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT01F24S15XP POWERDescription: XP POWER - SCT01F24S15 - Isol. DC/DC-Wandler, Durchsteckmontage, ITE & Industrie, SIP, 1 W, 1 Ausgang, 15 V
tariffCode: 85044095
DC-Eingangsspannung, min.: 21.6V
Ausgangsstrom - Ausgang 2: -
rohsCompliant: YES
Höhe: 10.2mm
Nominelle DC-Eingangsspannung: 24V
Tiefe: 11.6mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Anzahl der Ausgänge: 1 Ausgang
Breite: 6mm
usEccn: EAR99
DC/DC-Wandlerausgang: Fest
Isolationsspannung: 1kV
DC-Eingangsspannung, max.: 26.4V
euEccn: NLR
DC/DC-Wandler: SIP
Ausgangsregelung: Ungeregelt
Produktpalette: SCT01F Series
Ausgangsspannung - Ausgang 1: 15V
productTraceability: No
Ausgangsspannung - Ausgang 2: -
Ausgangsstrom - Ausgang 1: 67mA
Eingangsverhältnis: -
Anwendungen für das Netzteil: ITE & Industrie
Ausgangsleistung, max.: 1W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT01F24S15XP PowerDC/DC Converters - Through Hole DC-DC, 1W SIP, fixed input, single output
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT01F24S3V3XP PowerDC/DC Converters - Through Hole DC-DC, 1W SIP, fixed input, single output
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT01F24S3V3XP POWERCategory: DC/DC Converters
Description: Converter: DC/DC; 1W; Uin: 21.6÷26.4VDC; Uout: 3.3VDC; Iout: 303mA
Converter: DC/DC
Power: 1W
Input voltage: 21.6...26.4V DC
Output voltage: 3.3V DC
Output current: 303mA
Case: SIP4
Mounting: PCB; THT
Manufacturer series: SCT01F
Body dimensions: 11.6x6x10.2mm
Efficiency: 78%
Operating temperature: -40...95°C
Switching frequency: 50kHz
Protection: short circuit protection SCP
Insulation voltage: 1kV DC
Number of outputs: 1
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+186.05 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT01F24S3V3XP POWERDescription: XP POWER - SCT01F24S3V3 - Isol. DC/DC-Wandler, Durchsteckmontage, ITE & Industrie, SIP, 1 W, 1 Ausgang, 3.3 V
tariffCode: 85044095
DC-Eingangsspannung, min.: 21.6V
Ausgangsstrom - Ausgang 2: -
rohsCompliant: YES
Höhe: 10.2mm
Nominelle DC-Eingangsspannung: 24V
Tiefe: 11.6mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anzahl der Ausgänge: 1 Ausgang
Breite: 6mm
usEccn: EAR99
DC/DC-Wandlerausgang: Fest
Isolationsspannung: 1kV
DC-Eingangsspannung, max.: 26.4V
euEccn: NLR
DC/DC-Wandler: SIP
Ausgangsregelung: Ungeregelt
Produktpalette: SCT01F Series
Ausgangsspannung - Ausgang 1: 3.3V
productTraceability: No
Ausgangsspannung - Ausgang 2: -
Ausgangsstrom - Ausgang 1: 303mA
Eingangsverhältnis: -
Anwendungen für das Netzteil: ITE & Industrie
Ausgangsleistung, max.: 1W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT020HU120G3AGSTMicroelectronics85-PTD NEW MAT & PWR SOLUTION
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT020HU120G3AGSTMicroelectronicsDescription: AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE
Packaging: Cut Tape (CT)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3465 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +18V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: HU3PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 2.3mA
Power Dissipation (Max): 555W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 50A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT020HU120G3AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCT020HU120G3AG - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.028 ohm, HU3PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: TBA
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 555W
Bauform - Transistor: HU3PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT020HU120G3AGSTMicroelectronicsSiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HU3PAK package
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT020HU120G3AGSTMicroelectronicsDescription: AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3465 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +18V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: HU3PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 2.3mA
Power Dissipation (Max): 555W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 50A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT020HU120G3AGSTMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; N; 1.2kV; 100A; 555W; D2PAK-7
Transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: N
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 100A
Power dissipation: 555W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: 22V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 121nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
600+1040.44 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT020W120G3-4AGSTMicroelectronicsDescription: AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 108A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 50A, 18V
Power Dissipation (Max): 541W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 2.3mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +18V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3465 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1358.35 грн
30+817.78 грн
120+710.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT020W120G3-4AGSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Transistor: N-MOSFET
на замовлення 570 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
60+976.32 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT024TS-100-1PowerUC ElectronicsDescription: 100A/1A 1%
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 2.087" L x 1.629" W (53.00mm x 41.40mm)
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Type: Non-Invasive (Split Core)
Termination Style: Terminal Block
Turns Ratio - Primary:Secondary: 1:1000
Frequency Range: 50/60Hz
Height - Seated (Max): 2.953" (75.00mm)
Current Ratio: 1000:1
Current Rating (Amps): 100 A
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1084.02 грн
5+1042.96 грн
10+938.50 грн
40+815.40 грн
75+800.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT024TS-100-100PowerUC ElectronicsDescription: 100A/0.1A 1%
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 2.087" L x 1.629" W (53.00mm x 41.40mm)
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Type: Non-Invasive (Split Core)
Termination Style: Terminal Block
Turns Ratio - Primary:Secondary: 1:1000
Frequency Range: 50/60Hz
Height - Seated (Max): 2.953" (75.00mm)
Current Ratio: 1000:1
Current Rating (Amps): 100 A
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1084.02 грн
5+999.79 грн
10+895.33 грн
40+774.90 грн
75+759.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT024TS-250-5PowerUC ElectronicsDescription: 250A/5A 1%
Current Rating (Amps): 300 A
Current Ratio: 50:1
Height - Seated (Max): 2.953" (75.00mm)
Frequency Range: 50/60Hz
Turns Ratio - Primary:Secondary: 1:50
Termination Style: Terminal Block
Type: Non-Invasive (Split Core)
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Size / Dimension: 2.087" L x 1.629" W (53.00mm x 41.40mm)
Packaging: Bulk
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+986.35 грн
10+852.68 грн
40+787.96 грн
75+725.49 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT024TS-300-5-1PowerUC ElectronicsDescription: 300A/5A 0.5%
Current Rating (Amps): 300 A
Current Ratio: 60:1
Height - Seated (Max): 2.953" (75.00mm)
Frequency Range: 50/60Hz
Turns Ratio - Primary:Secondary: 1:60
Termination Style: Terminal Block
Type: Non-Invasive (Split Core)
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Size / Dimension: 2.087" L x 1.629" W (53.00mm x 41.40mm)
Packaging: Bulk
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+1077.12 грн
10+939.40 грн
40+874.21 грн
75+806.34 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT024TS-300-5-2PowerUC ElectronicsDescription: 300A/5A 1%
Type: Non-Invasive (Split Core)
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Size / Dimension: 2.087" L x 1.629" W (53.00mm x 41.40mm)
Packaging: Bulk
Current Rating (Amps): 400 A
Current Ratio: 60:1
Height - Seated (Max): 2.953" (75.00mm)
Frequency Range: 50/60Hz
Turns Ratio - Primary:Secondary: 1:60
Termination Style: Terminal Block
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+986.35 грн
10+852.68 грн
40+787.96 грн
75+725.49 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT024TS-400A
Код товару: 171735
Додати до обраних Обраний товар
Активні компоненти > Датчики
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT024TS-D-150-5PowerUC ElectronicsDescription: 150A/5V 2%
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 2.087" L x 1.629" W (53.00mm x 41.40mm)
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Type: Non-Invasive (Split Core)
Termination Style: Terminal Block
Frequency Range: 50Hz ~ 1kHz
Height - Seated (Max): 2.953" (75.00mm)
Current Rating (Amps): 200 A
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+1147.19 грн
10+1008.39 грн
40+944.27 грн
75+871.72 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT024TS-D-200-5PowerUC ElectronicsDescription: 200A/5V 2%
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 2.087" L x 1.629" W (53.00mm x 41.40mm)
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Type: Non-Invasive (Split Core)
Termination Style: Terminal Block
Frequency Range: 50Hz ~ 1kHz
Height - Seated (Max): 2.953" (75.00mm)
Current Rating (Amps): 250 A
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+1147.19 грн
10+1008.39 грн
40+944.27 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT024TS-D-250-5PowerUC ElectronicsDescription: 250A/5V 2%
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 2.087" L x 1.629" W (53.00mm x 41.40mm)
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Type: Non-Invasive (Split Core)
Termination Style: Terminal Block
Frequency Range: 50Hz ~ 1kHz
Height - Seated (Max): 2.953" (75.00mm)
Current Rating (Amps): 300 A
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+1147.19 грн
10+1008.39 грн
40+944.27 грн
75+871.72 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT024TS-D-300-5PowerUC ElectronicsDescription: 300A/5V 2%
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 2.087" L x 1.629" W (53.00mm x 41.40mm)
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Type: Non-Invasive (Split Core)
Termination Style: Terminal Block
Frequency Range: 50Hz ~ 1kHz
Height - Seated (Max): 2.953" (75.00mm)
Current Rating (Amps): 100 A
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+1147.19 грн
10+1008.39 грн
40+944.27 грн
75+871.72 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT025H120G3AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCT025H120G3AG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 55 A, 1.2 kV, 0.037 ohm, H2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: H2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT025H120G3AGSTMicroelectronicsSiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT025H120G3AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCT025H120G3AG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 55 A, 1.2 kV, 0.037 ohm, H2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: H2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT025H120G3AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A Automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT025H120G3AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCT025H120G3AG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 55 A, 1.2 kV, 0.037 ohm, H2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT025W120G3-4AGSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 56A; Idm: 240A; 389W
Transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 56A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 389W
Case: HIP247-4
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 73nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT025W120G3-4AGSTMicroelectronicsDescription: TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 388W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +18V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1819.23 грн
10+1268.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT025W120G3-4AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCT025W120G3-4AG - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 56 A, 1.2 kV, 0.037 ohm, HiP247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 388W
Bauform - Transistor: HiP247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT025W120G3-4AGSTMicroelectronicsSiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT025W120G3AGSTMicroelectronicsSiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package
на замовлення 283 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT025W120G3AGSTMicroelectronicsDescription: AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 388W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 5mA
Supplier Device Package: HiP247™
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +18V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1272.13 грн
30+761.85 грн
120+660.37 грн
510+586.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT027H65G3AGSTMicroelectronicsDescription: AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39.3mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 5mA
Supplier Device Package: H2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +18V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48.6 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1277 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+913.93 грн
10+613.94 грн
100+498.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT027H65G3AGSTMicroelectronicsSiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT027H65G3AGSTMicroelectronicsSCT027H65G3AG
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT027H65G3AGSTMicroelectronicsDescription: AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39.3mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 5mA
Supplier Device Package: H2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +18V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48.6 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1277 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT027HU65G3AGSTMicroelectronicsDescription: SIC MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39.3mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 5mA
Supplier Device Package: HU3PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +18V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60.4 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1277 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT027HU65G3AGSTMicroelectronicsSiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT027TO65G3STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCT027TO65G3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 60 A, 650 V, 0.0393 ohm, TOLL
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0393ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT027W65G3-4AGSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 60A; Idm: 264A; 313W
Technology: SiC
Case: HIP247-4
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Polarisation: unipolar
Transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
Gate-source voltage: -10...22V
Gate charge: 51nC
On-state resistance: 39.3mΩ
Pulsed drain current: 264A
Power dissipation: 313W
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT036TS-100-1PowerUC ElectronicsDescription: 100A/1A 1%
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 2.598" L x 1.909" W (66.00mm x 48.50mm)
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Type: Non-Invasive (Split Core)
Termination Style: Terminal Block
Turns Ratio - Primary:Secondary: 1:1000
Frequency Range: 50Hz ~ 1kHz
Height - Seated (Max): 3.622" (92.00mm)
Current Ratio: 1000:1
Current Rating (Amps): 100 A
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+1354.90 грн
10+1200.26 грн
25+1151.53 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT036TS-250-5PowerUC ElectronicsDescription: 250A/5A 1%
Current Rating (Amps): 300 A
Current Ratio: 50:1
Height - Seated (Max): 3.622" (92.00mm)
Frequency Range: 50Hz ~ 1kHz
Turns Ratio - Primary:Secondary: 1:50
Termination Style: Terminal Block
Type: Non-Invasive (Split Core)
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Size / Dimension: 2.598" L x 1.909" W (66.00mm x 48.50mm)
Packaging: Bulk
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+1218.36 грн
10+1076.10 грн
25+1030.73 грн
50+943.01 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT036TS-300-100PowerUC ElectronicsDescription: 300A/0.1A 1%
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 2.598" L x 1.909" W (66.00mm x 48.50mm)
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Type: Non-Invasive (Split Core)
Termination Style: Terminal Block
Turns Ratio - Primary:Secondary: 1:3000
Frequency Range: 50Hz ~ 1kHz
Height - Seated (Max): 3.622" (92.00mm)
Current Ratio: 3000:1
Current Rating (Amps): 300 A
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+1176.66 грн
10+1035.94 грн
25+990.61 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT036TS-300-333PowerUC ElectronicsDescription: 300A/0.333V 1%
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 2.598" L x 1.909" W (66.00mm x 48.50mm)
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Type: Non-Invasive (Split Core)
Termination Style: Terminal Block
Frequency Range: 50Hz ~ 1kHz
Height - Seated (Max): 3.622" (92.00mm)
Current Rating (Amps): 300 A
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+1260.06 грн
10+1116.18 грн
25+1070.89 грн
50+980.68 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT036TS-300-5-1PowerUC ElectronicsDescription: 300A/5A 0.5%
Packaging: Bulk
Current Rating (Amps): 300 A
Current Ratio: 60:1
Height - Seated (Max): 3.622" (92.00mm)
Frequency Range: 50Hz ~ 1kHz
Turns Ratio - Primary:Secondary: 1:60
Termination Style: Terminal Block
Type: Non-Invasive (Split Core)
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Size / Dimension: 2.598" L x 1.909" W (66.00mm x 48.50mm)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+1280.91 грн
10+1136.25 грн
25+1090.97 грн
50+999.52 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT036TS-300-5-2PowerUC ElectronicsDescription: 300A/5A 1%
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Size / Dimension: 2.598" L x 1.909" W (66.00mm x 48.50mm)
Packaging: Bulk
Current Rating (Amps): 400 A
Current Ratio: 60:1
Height - Seated (Max): 3.622" (92.00mm)
Frequency Range: 50Hz ~ 1kHz
Turns Ratio - Primary:Secondary: 1:60
Termination Style: Terminal Block
Type: Non-Invasive (Split Core)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+1226.67 грн
10+1083.49 грн
25+1037.83 грн
50+949.50 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT036TS-D-200-5PowerUC ElectronicsDescription: 200A/5V 2%
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 2.598" L x 1.909" W (66.00mm x 48.50mm)
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Type: Non-Invasive (Split Core)
Termination Style: Terminal Block
Frequency Range: 50Hz ~ 1kHz
Height - Seated (Max): 3.622" (92.00mm)
Current Rating (Amps): 200 A
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+1351.61 грн
10+1205.39 грн
25+1160.47 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT036TS-D-300-5PowerUC ElectronicsDescription: 300A/5V 2%
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 2.598" L x 1.909" W (66.00mm x 48.50mm)
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Type: Non-Invasive (Split Core)
Termination Style: Terminal Block
Frequency Range: 50Hz ~ 1kHz
Height - Seated (Max): 3.622" (92.00mm)
Current Rating (Amps): 300 A
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+1351.61 грн
10+1205.39 грн
25+1160.47 грн
50+1064.97 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT036TS-D-400-5PowerUC ElectronicsDescription: 400A/5V 2%
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 2.598" L x 1.909" W (66.00mm x 48.50mm)
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Type: Non-Invasive (Split Core)
Termination Style: Terminal Block
Frequency Range: 50Hz ~ 1kHz
Height - Seated (Max): 3.622" (92.00mm)
Current Rating (Amps): 400 A
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+1351.61 грн
10+1205.39 грн
25+1160.47 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT036TS-D-500-5PowerUC ElectronicsDescription: 500A/5V 2%
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 2.598" L x 1.909" W (66.00mm x 48.50mm)
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Type: Non-Invasive (Split Core)
Termination Style: Terminal Block
Frequency Range: 50Hz ~ 1kHz
Height - Seated (Max): 3.622" (92.00mm)
Current Rating (Amps): 500 A
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+1351.61 грн
10+1205.39 грн
25+1160.47 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT040H120G3AGSTMicroelectronicsDescription: H2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 16A, 18V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 5mA
Supplier Device Package: H2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +18V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1329 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT040H120G3AGSTMicroelectronicsSiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT040H120G3AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCT040H120G3AG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 40 A, 1.2 kV, 0.054 ohm, H2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: H2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT040H120G3AGSTMicroelectronicsDescription: H2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 16A, 18V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 5mA
Supplier Device Package: H2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +18V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1329 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT040H120G3AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) H2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT040H120G3AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCT040H120G3AG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 40 A, 1.2 kV, 0.054 ohm, H2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: H2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT040H65G3-7STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCT040H65G3-7 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.063 ohm, H2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 221W
Bauform - Transistor: H2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT040H65G3-7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 650V 30A 8-Pin(7+Tab) H2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT040H65G3-7STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCT040H65G3-7 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.063 ohm, H2PAK
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT040H65G3-7STMicroelectronicsSiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT040H65G3AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 650V 30A 8-Pin(7+Tab) H2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+650.88 грн
10+564.33 грн
100+525.86 грн
1000+488.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT040H65G3AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 650V 30A 8-Pin(7+Tab) H2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+516.24 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT040H65G3AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCT040H65G3AG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.055 ohm, H2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 221W
Bauform - Transistor: H2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT040H65G3AGSTMicroelectronicsDescription: AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 221W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 1mA
Supplier Device Package: H2PAK-7
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +18V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39.5 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT040H65G3AGSTMicroelectronicsSiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A
на замовлення 974 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT040H65G3AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 650V 30A 8-Pin(7+Tab) H2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+506.62 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT040H65G3AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 650V 30A 8-Pin(7+Tab) H2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+516.42 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT040H65G3AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCT040H65G3AG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.055 ohm, H2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 221W
Bauform - Transistor: H2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT040H65G3AGSTMicroelectronicsDescription: AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 221W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 1mA
Supplier Device Package: H2PAK-7
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +18V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39.5 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+749.33 грн
10+499.67 грн
100+421.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT040HU120G3AGSTMicroelectronicsSiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HU3PAK package
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT040HU120G3AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCT040HU120G3AG - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 40 A, 1.2 kV, 0.049 ohm, HU3PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HU3PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT040HU120G3AGSTMicroelectronicsDescription: AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 16A, 18V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 5mA
Supplier Device Package: HU3PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +18V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1329 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT040HU120G3AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 40A 8-Pin(7+Tab) HU3PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT040HU120G3AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCT040HU120G3AG - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 40 A, 1.2 kV, 0.049 ohm, HU3PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT040HU120G3AGSTMicroelectronicsDescription: AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 16A, 18V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 5mA
Supplier Device Package: HU3PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +18V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1329 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1050.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT040HU65G3AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCT040HU65G3AG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.055 ohm, HU3PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 221W
Bauform - Transistor: HU3PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 12 14 16 18 20 22 23  [ Наступна Сторінка >> ]