Продукція > SQD

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SQD50A100SANREX
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50A90SAMREXMODULE
на замовлення 143 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50AA100SANREX
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50AB100SanRex07+;
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50AB90SANREX
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50B90SANREX
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50BB90SAMREXMODULE
на замовлення 236 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50CB100SANREX
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50N02-04-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH D-S 20V 50A TO252
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50N03-06P-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH D-S 30V 50A TO252
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50N03-09-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH D-S 30V 50A TO252
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50N03-3M1L-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH D-S 30V 50A TO252
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50N04-09H-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4240 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50N04-4M5L_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50N04-4M5L_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5860 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50N04-4M5L_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQD50N04-4M5L_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 3500 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 136W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
на замовлення 7909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50N04-4M5L_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs RECOMMENDED ALT SQD1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50N04-4M5L_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQD50N04-4M5L_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 3500 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 136W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
на замовлення 7909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50N04-5M6-GE3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQD50N04-5M6_GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50N04-5M6-T4GE3VishayP-Channel Power MOSFET Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50N04-5M6-T4GE3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQD50N04-5M6T4GE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50N04-5M6L_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+40.02 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50N04-5M6L_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQD50N04-5M6L_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 5600 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 71W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm
на замовлення 621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50N04-5M6L_GE3VishayAutomotive AEC-Q101 N-Channel 40 V (D-S) 175 degreeC MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50N04-5M6L_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 19959 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50N04-5M6L_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.52 грн
10+85.67 грн
100+57.64 грн
500+42.83 грн
1000+39.21 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50N04-5M6L_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQD50N04-5M6L_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 5600 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 71W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 71W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0043ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm
на замовлення 621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50N04-5m6_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-Channel 40V AEC-Q101 Qualified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50N04-5m6_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50N04-5M6_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQD50N04-5M6_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 5600 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 71W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50N04-5M6_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQD50N04-5M6_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 5600 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 71W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 71W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0046ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50N04-5m6_GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 50A; 71W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Power dissipation: 71W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Gate charge: 85nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50N04-5m6_T4GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
на замовлення 1093 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+158.33 грн
10+97.74 грн
50+74.04 грн
100+62.31 грн
500+49.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50N04-5m6_T4GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 40V 50A 71W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50N04-5m6_T4GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50N04_4M5LT4GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 40V Vds 20V Vgs TO-252
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50N04_4M5LT4GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5860 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50N05-11L-GE3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQD50N05-11L_GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50N05-11L_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQD50N05-11L_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 A, 0.011 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 9962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50N05-11L_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 50V 50A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2106 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50N05-11L_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 50V 50A 75W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 3015 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50N05-11L_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQD50N05-11L_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 A, 0.011 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 9962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50N05-11L_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 50V 50A TO252AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2106 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 45A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50N06-07L-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 50A TO252
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50N06-09L-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT SQD5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50N06-09L-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 50A TO252
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50N06-09L_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3065 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+419.34 грн
10+270.06 грн
50+212.77 грн
100+182.36 грн
500+167.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50N06-09L_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 60V 50A 136W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 29343 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50N06-09L_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQD50N06-09L_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.009 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 136W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
на замовлення 4095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50N06-09L_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3065 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+151.32 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50N06-15L-GE3
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50N10-8M9L"GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQD50N10-8M9L"GE3 - N-CHANNEL 100-V D-S 175C MOSFET 76Y1518
tariffCode: 0
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 136W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0089ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50N10-8M9L-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 50A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50N10-8M9L-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 50A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50N10-8M9L-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 50A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50N10-8m9L_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 50A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+55.03 грн
4000+49.51 грн
6000+47.74 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50N10-8m9L_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 100V 50A 45watt AEC-Q101 Qualified
на замовлення 10477 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50N10-8m9L_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 50A TO252AA
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+182.63 грн
10+113.22 грн
100+77.38 грн
500+58.24 грн
1000+53.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50P03-07-GE3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQD50P03-07_GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50P03-07-T4_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 50A TO252AA
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5490 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50P03-07-T4_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs -30V Vds 20V Vgs TO-252
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50P03-07_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified
на замовлення 4915 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50P03-07_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQD50P03-07_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 7000 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 136W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
на замовлення 1469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50P03-07_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 50A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5490 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50P03-07_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50P03-07_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQD50P03-07_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 7000 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 136W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
на замовлення 1469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50P03-07_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 50A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5490 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50P04-09L-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 50A TO252
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50P04-09L-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50P04-09L-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT SQD50P04-09L_GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50P04-09L_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 40V 50A 136W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 21665 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50P04-09L_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 50A TO252
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6675 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 17A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
на замовлення 3776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+279.82 грн
10+176.62 грн
50+136.78 грн
100+116.32 грн
500+96.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50P04-09L_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 17A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6675 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+91.56 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50P04-09L_T4GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50P04-09L_T4GE3Vishay / SiliconixMOSFETs -40V Vds 20V Vgs TO-252
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50P04-09L_T4GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 50A TO252AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6675 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 17A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50P04-13L-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT SQD50P04-13L_GE3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50P04-13L-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 50A TO252
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50P04-13L_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 40V 50A 83W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 9476 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50P04-13L_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3590 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50P04-13L_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+158.12 грн
4000+152.56 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50P04-13L_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+239.06 грн
4000+219.51 грн
8000+205.32 грн
12000+187.73 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50P04-13L_GE3
Код товару: 185273
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50P04-13L_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50P04-13L_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3590 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 17A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+286.88 грн
10+180.77 грн
100+126.90 грн
500+99.26 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50P04-13L_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+158.12 грн
4000+152.56 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50P04-13L_NE3Vishay SemiconductorsMOSFETs P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50P04-13L_T4GE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 49514 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50P04-13L_T4GE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3590 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 17A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50P04-13L_T4GE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 17A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3590 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
на замовлення 2122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+147.36 грн
10+90.73 грн
100+61.29 грн
500+45.69 грн
1000+41.88 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50P06-15L-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT SQD5
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50P06-15L_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5910 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+286.09 грн
10+180.39 грн
50+139.71 грн
100+118.81 грн
500+99.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50P06-15L_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+117.19 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50P06-15L_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 60V 50A 136W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 2992 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50P06-15L_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5910 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50P06-15L_GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -50A; Idm: -200A; 45W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -50A
Pulsed drain current: -200A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 150nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50P06-15L_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA Automotive AEC-Q101
на замовлення 1851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+349.89 грн
71+200.75 грн
100+180.39 грн
500+145.90 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50P06-15L_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA Automotive AEC-Q101
на замовлення 1851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+349.89 грн
10+200.75 грн
100+180.39 грн
500+145.90 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50P06-15L_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+117.19 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50P06-15L_NE3Vishay SemiconductorsMOSFETs P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 1052 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.