Продукція > TPH

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
TPH2R408QM,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 120A 8-Pin SOP Advance
на замовлення 4459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+173.45 грн
10+141.10 грн
25+127.44 грн
100+113.89 грн
500+100.58 грн
1000+92.57 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R408QM,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: 80V U-MOS X-H SOP-ADVANCE(N) 2.4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.43mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8300 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R408QM,LQ(M1TOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH2R408QM,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 200 A, 1900 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 210W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
на замовлення 2601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+99.06 грн
500+76.28 грн
1000+65.24 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R408QM,LQ(M1ToshibaTPH2R408QM,LQ(M1
на замовлення 3417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
107+133.24 грн
Мінімальне замовлення: 107 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R408QM,LQ(M1TOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH2R408QM,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 200 A, 1900 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 210W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
на замовлення 2601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+190.07 грн
10+130.47 грн
100+99.06 грн
500+76.28 грн
1000+65.24 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R408QML1Q(MToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R408QMLQToshibaMOSFETs SOPNC H AN80 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R408QMLQ(M1ToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R408QMLQ(TToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R506PLToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R506PL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 160A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R506PL,L1QToshibaMOSFETs N-Ch 60V 4180pF 60nC 160A 132W
на замовлення 213 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+161.08 грн
10+101.62 грн
100+59.99 грн
500+47.84 грн
1000+42.80 грн
2500+42.18 грн
5000+39.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R506PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 100A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 30A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5435 pF @ 30 V
на замовлення 58174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+156.10 грн
10+95.80 грн
100+65.00 грн
500+48.63 грн
1000+44.65 грн
2000+43.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R506PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 100A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 30A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5435 pF @ 30 V
на замовлення 58000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+41.70 грн
10000+37.89 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R506PL,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 160A 8-Pin SOP Advance
на замовлення 3201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
64+223.96 грн
Мінімальне замовлення: 64 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R506PL,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 160A 8-Pin SOP Advance
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R506PL,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 160A 8-Pin SOP Advance
на замовлення 3201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
102+139.20 грн
128+110.90 грн
143+99.27 грн
154+89.00 грн
500+78.33 грн
1000+72.03 грн
Мінімальне замовлення: 102 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R506PL,LQ(M1ToshibaTPH2R506PL,LQ(M1
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
102+139.84 грн
116+123.17 грн
250+104.65 грн
Мінімальне замовлення: 102 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R506PL,LQ(M1TOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH2R506PL,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2500 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 132W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 132W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0019ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
на замовлення 3386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+216.65 грн
50+144.97 грн
250+107.12 грн
1000+73.67 грн
3000+60.89 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R506PL,LQ(M1ToshibaTPH2R506PL,LQ(M1
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
93+154.04 грн
138+103.00 грн
149+95.44 грн
200+77.91 грн
1000+68.18 грн
2000+59.05 грн
5000+55.57 грн
Мінімальне замовлення: 93 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R506PL,LQ(M1TOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH2R506PL,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2500 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 132W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
на замовлення 3386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+216.65 грн
50+144.97 грн
250+107.12 грн
1000+73.67 грн
3000+60.89 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R506PL,LQ(M1ToshibaTPH2R506PL,LQ(M1
на замовлення 4819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
80+179.00 грн
89+159.33 грн
98+144.99 грн
110+125.06 грн
124+102.63 грн
250+84.35 грн
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R506PLL1Q(MToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R506PLLQ(M1ToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R608NHToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R608NH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 75V 150A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 37.5 V
на замовлення 734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+136.69 грн
10+83.84 грн
100+56.73 грн
500+42.34 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R608NH,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 75V 168A 8-Pin SOP Advance
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R608NH,L1QToshibaPWR MOSFET, 142 W, SOP8-ADV Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R608NH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 75V 150A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 37.5 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R608NH,L1QToshibaMOSFETs Power MOSFET N-Channel Single
на замовлення 12751 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+113.56 грн
10+85.74 грн
100+53.16 грн
500+42.25 грн
1000+39.21 грн
5000+33.90 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R608NH,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 75V 168A 8-Pin SOP Advance
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R608NH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 75V 168A 8-Pin SOP Advance
на замовлення 2404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+58.25 грн
25+58.08 грн
50+54.36 грн
100+50.17 грн
250+46.76 грн
500+46.59 грн
1000+46.42 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R608NH,L1Q(MToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R608NH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH2R608NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 150 A, 2100 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 142W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 142W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0021ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R608NH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 75V 168A 8-Pin SOP Advance
на замовлення 326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+59.31 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R608NH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 75V 168A 8-Pin SOP Advance
на замовлення 2404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
244+58.25 грн
245+58.08 грн
252+56.37 грн
253+54.18 грн
260+48.71 грн
500+46.59 грн
1000+46.42 грн
Мінімальне замовлення: 244 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R608NH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH2R608NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 150 A, 2100 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 142W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R608NHL1Q(MToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R70AR5,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: N-CH MOSFET, 100 V, 0.0027 OHM@1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 50 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+47.55 грн
10000+44.05 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R70AR5,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: N-CH MOSFET, 100 V, 0.0027 OHM@1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 50 V
на замовлення 11636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+173.19 грн
10+107.24 грн
100+73.22 грн
500+55.05 грн
1000+50.66 грн
2000+50.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R805PL,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 116W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5175 pF @ 22.5 V
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+147.56 грн
10+90.34 грн
100+61.10 грн
500+45.57 грн
1000+41.79 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R805PL,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 116W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5175 pF @ 22.5 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R805PL,LQToshibaMOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R805PLLQ(SToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R903PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-FPOWERMOSFETTRANSISTORSOP8-AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V
на замовлення 4487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+103.29 грн
10+62.75 грн
100+41.66 грн
500+30.63 грн
1000+27.90 грн
2000+25.60 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R903PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-FPOWERMOSFETTRANSISTORSOP8-AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R903PL,L1QToshibaMOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R903PL,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 124A 8-Pin SOP Advance
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
531+26.74 грн
544+26.08 грн
558+25.42 грн
1000+23.78 грн
Мінімальне замовлення: 531 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R903PL,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH2R903PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 124 A, 2100 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 124A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 81W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
на замовлення 1991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+245.65 грн
10+104.70 грн
100+70.39 грн
500+48.09 грн
1000+38.73 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R903PL,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH2R903PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 124 A, 2100 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 124A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 81W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
на замовлення 1991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+70.39 грн
500+48.09 грн
1000+38.73 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R903PLL1Q(MToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3202LDTransphormDescription: GANFET N-CH 600V 9A 4PQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 4-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5.5A, 8V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 480 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3202LSTransphormDescription: GANFET N-CH 600V 9A 3PQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5.5A, 8V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 480 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3202LSTransphormTransphorm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3202PDTransphormDescription: GANFET N-CH 600V 9A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 480 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±18V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5.5A, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3202PSTransphormDescription: GANFET N-CH 600V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5.5A, 8V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 480 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3205WSBTransphormDescription: GANFET N-CH 650V 36A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 22A, 8V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3205WSBQATransphormMOSFET GAN FET 650V 35A TO247
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1783.15 грн
10+1621.13 грн
30+1346.16 грн
120+1203.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3205WSBQATransphormDescription: GANFET N-CH 650V 35A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 22A, 8V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 540 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3206LDTransphormDescription: GANFET N-CH 600V 17A PQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 4-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 8V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 480 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3206LDBTransphormDescription: GANFET N-CH 650V 16A PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 480 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±18V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-PowerDFN
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3206LDG-TRTransphormDescription: GANFET N-CH 600V 17A 3PQFN
Packaging: Tray
Package / Case: 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 8V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 480 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3206LDGBTransphormDescription: GANFET N-CH 650V 16A PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 480 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±18V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-PowerDFN
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3206LSTransphormDescription: GANFET N-CH 600V 17A PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 480 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±18V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-PowerDFN
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3206LSBTransphormDescription: GANFET N-CH 650V 16A PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 480 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±18V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-PowerDFN
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3206LSGBTransphormDescription: GANFET N-CH 650V 16A 3PQFN
Packaging: Tray
Package / Case: 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 8V
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 480 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3206PDTransphormDescription: GANFET N-CH 600V 17A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 8V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 480 V
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+837.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3206PSRenesas ElectronicsMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3206PSTransphormDescription: GANFET N-CH 600V 17A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 8V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 480 V
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+785.95 грн
50+422.35 грн
100+390.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3206PSBTransphormMOSFET 650V, 150mO
на замовлення 514 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3206PSBTransphormDescription: GANFET N-CH 650V 16A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 8V
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 480 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3207WSTransphormMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3207WSTransphormDescription: GANFET N-CH 650V 50A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 32A, 8V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.65V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2197 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3207WS---CASCODE GAN FET 650V 50A TO247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3208LDRenesas Electronics CorporationDescription: GANFET N-CH 650V 20A 4PQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 4-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13A, 8V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 300µA
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3208LDGRenesas Electronics CorporationDescription: GANFET N-CH 650V 20A 3PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±18V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 300µA
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-PowerDFN
Packaging: Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13A, 8V
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+787.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3208LSRenesas Electronics CorporationDescription: GANFET N-CH 650V 20A 3PQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13A, 8V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 300µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3208LSGTransphormDescription: GANFET N-CH 650V 20A 3PQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14A, 8V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 300µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3208PDRenesas Electronics CorporationDescription: GANFET N-CH 650V 20A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13A, 8V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 300µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3208PSTransphormMOSFET GAN FET 650V 20A TO220
на замовлення 301 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3208PSRenesas Electronics CorporationDescription: GANFET N-CH 650V 20A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13A, 8V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 300µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3212PSRenesas ElectronicsGaN FETs 650V, 72mOhm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3212PSTransphormDescription: GANFET N-CH 650V 27A TO220AB
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 17A, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±18V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 400uA
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3300CNHToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3300CNH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 150V 18A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 75 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+33.24 грн
10000+30.01 грн
15000+29.23 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3300CNH,L1QToshibaMOSFETs X35PBF Power MOSFET Trans VGS10VVDS150V
на замовлення 15408 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+125.64 грн
10+78.52 грн
100+45.84 грн
500+36.24 грн
1000+33.21 грн
2500+32.17 грн
5000+31.00 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3300CNH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 150V 18A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 75 V
на замовлення 33215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.14 грн
10+78.75 грн
100+52.89 грн
500+39.24 грн
1000+35.90 грн
2000+33.58 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3300CNH,L1QToshibaTPH3300CNH,L1Q Toshiba MOSFETs Transistor N-CH Si 150V 29A 8-Pin SOP Advance T/R Si - Arrow.com
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3300CNH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH3300CNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 29 A, 0.033 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 57W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 57W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.028ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
на замовлення 4150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+94.23 грн
250+79.57 грн
1000+56.02 грн
3000+42.73 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3300CNH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 150V 29A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
168+84.82 грн
180+78.92 грн
214+66.39 грн
226+60.53 грн
1000+50.56 грн
2000+45.64 грн
5000+44.61 грн
Мінімальне замовлення: 168 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3300CNH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH3300CNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 29 A, 0.033 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 57W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
на замовлення 4150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+140.14 грн
50+94.23 грн
250+79.57 грн
1000+56.02 грн
3000+42.73 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3300CNHL1Q(MToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R003PL,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 134A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R003PL,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 88A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 44A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3825 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R003PL,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 134A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R003PL,LQToshibaMOSFETs N-Ch 30V 2940pF 50nC 134A 90W
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+111.14 грн
10+67.48 грн
100+39.69 грн
500+31.55 грн
1000+28.79 грн
3000+24.44 грн
6000+23.82 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R003PL,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 88A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3825 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 300µA
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 44A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.63 грн
10+59.75 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R003PL,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH3R003PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 134 A, 2200 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 134A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 90W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
на замовлення 2343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+39.79 грн
500+29.02 грн
1000+24.44 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R003PL,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH3R003PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 134 A, 2200 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 134A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 90W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
на замовлення 2343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+103.90 грн
14+60.00 грн
100+39.79 грн
500+29.02 грн
1000+24.44 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R003PLLQ(SToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9  [ Наступна Сторінка >> ]