Продукція > MMF
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MMFTN138 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.22A; Idm: 0.88A; 0.36W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 0.22A Pulsed drain current: 0.88A Power dissipation: 0.36W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | на замовлення 3612 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MMFTN138 | Diotec Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MMFTN138 | Diotec Electronics | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MMFTN138 | Diotec Electronics | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MMFTN138 | Diotec Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MMFTN138 | DIOTEC | Transistor: N-MOSFET ; unipolar ; 50V ; 0,22A ; 0,36W ; SOT23 MMFTN138-DIO MMFTN138 TMMFTN138 кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MMFTN138 | Diotec Electronics | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MMFTN138 | Diotec Electronics | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1750 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MMFTN138 | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET, SOT-23, 50V, 0.22A, N, 0 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1mA Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Strip | на замовлення 333000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MMFTN138 | Diotec Semiconductor | MOSFETs MOSFET, SOT-23, 50V, 0.22A, 150C, N | на замовлення 13358 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MMFTN138 | Diotec Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MMFTN138K | Diotec Semiconductor | MOSFETs MOSFET, SOT-23, 60V, 0.36A, 150C, N | на замовлення 14947 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MMFTN138K | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 360mA; Idm: 1.2A; 0.35W; SOT23 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Case: SOT23 Gate charge: 1.3nC Power dissipation: 0.35W Drain current: 0.36A Pulsed drain current: 1.2A On-state resistance: 6.5Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Version: ESD Type of transistor: N-MOSFET | на замовлення 3064 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MMFTN138K-AQ | Diotec Semiconductor | MOSFETs MOSFET, SOT-23, 60V, 0.36A, 150C, N, AEC-Q101 | на замовлення 3752 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MMFTN138K-AQ | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 360mA; Idm: 1.2A; 0.35W; SOT23 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Case: SOT23 Gate charge: 1.3nC Power dissipation: 0.35W Drain current: 0.36A Pulsed drain current: 1.2A On-state resistance: 6.5Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V Application: automotive industry Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Version: ESD Type of transistor: N-MOSFET | на замовлення 1743 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MMFTN138W | Diotec Semiconductor | MOSFETs MOSFET, SOT-323, 50V, 0.22A, 150C, N | на замовлення 7720 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MMFTN138W | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 220mA; Idm: 0.88A; 0.2W; SOT323 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Case: SOT323 Gate charge: 1.1nC Power dissipation: 0.2W Drain current: 0.22A Pulsed drain current: 0.88A On-state resistance: 6Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET | на замовлення 340 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MMFTN170 | Diotec Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MMFTN170 | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V | на замовлення 3322 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MMFTN170 | DIOTEC | Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 10V; 5Ohm; 500mA; 300mW; -55°C~150°C; MMFTN170-DIO; MMFTN170 TMMFTN170 кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MMFTN170 | Diotec Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MMFTN170 | Diotec Semiconductor | MOSFETs MOSFET, SOT-23, 60V, 0.5A, 150C, N | на замовлення 11211 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MMFTN170 | Diotec Electronics | Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MMFTN170 | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MMFTN170 | Diotec Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MMFTN170 | Diotec Electronics | Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1510 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MMFTN20 | Diotec Semiconductor | N-Channel Enhancement Mode | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MMFTN20 | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 50V 100MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MMFTN20 | Diotec Semiconductor | N-Channel Enhancement Mode | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MMFTN20 | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET, SOT-23, 50V, 0.1A, N, 0. Packaging: Strip Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 10 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 750 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MMFTN20 | Diotec Semiconductor | MOSFETs MOSFET, SOT-23, 50V, 0.1A, 150C, N | на замовлення 8245 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MMFTN210A | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2A; Idm: 7.2A; 1.56W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 2A Power dissipation: 1.56W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 7.2A Gate charge: 3.5nC | на замовлення 2146 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MMFTN210A | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET SOT23 N 100V 0.32OHM 150C Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 362 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 1785 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MMFTN210A | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET SOT23 N 100V 0.32OHM 150C Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 362 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MMFTN2316K | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.2A; Idm: 25A; 1.5W; SOT23; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 6.2A Pulsed drain current: 25A Power dissipation: 1.5W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 34mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Gate charge: 6.5nC | на замовлення 2910 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MMFTN2362 | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET SOT23 N 60V 0.08OHM 150C Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Power Dissipation (Max): 1.25W Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A FET Type: N-Channel Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MMFTN2362 | Diotec Semiconductor | MOSFETs MOSFET, SOT-23, 60V, 3A, 150C, N | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MMFTN2362 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3A; Idm: 12A; 1.25W; SOT23 Mounting: SMD Case: SOT23 Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 12A Power dissipation: 1.25W Gate charge: 8.6nC Polarisation: unipolar Drain current: 3A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 60V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.1Ω | на замовлення 2678 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MMFTN2362 | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET SOT23 N 60V 0.08OHM 150C Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Power Dissipation (Max): 1.25W Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A FET Type: N-Channel Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MMFTN2362-AQ | Diotec Semiconductor | MOSFETs MOSFET, SOT-23, 60V, 3A, 150C, N, AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MMFTN2362-AQ | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET SOT-23 N 60V 3A Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 445 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MMFTN3018W | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.1A; 0.2W; SOT323 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Case: SOT323 On-state resistance: 8Ω Drain current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V Kind of package: reel; tape | на замовлення 282 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MMFTN3018W | Diotec Semiconductor | Silicon N-Channel MOS Field Effect Transistor | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MMFTN3018W | Diotec Semiconductor | Silicon N-Channel MOS Field Effect Transistor | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MMFTN3018W | Diotec Semiconductor AG | Description: MOSFET, SOT-323, N, 30V, 0.1A Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA Supplier Device Package: SOT-323 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13 pF @ 5 V | на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MMFTN3402 | Diotec Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MMFTN3402 | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 1.9A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V | на замовлення 1695 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MMFTN3402 | Diotec Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MMFTN3402 | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 1.9A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MMFTN3402 | Diotec Semiconductor | MOSFETs MOSFET, SOT-23, 30V, 4A, 150C, N | на замовлення 29980 шт: термін постачання 49-58 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MMFTN3402 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; Idm: 15A; 1W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 4A Power dissipation: 1W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 55mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 15A | на замовлення 1992 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MMFTN3404A | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET SOT-23 N 30V 5.6A 0.023? Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 5.6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 744 pF @ 0 V | на замовлення 2120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MMFTN3404A | Diotec Semiconductor | MOSFETs MOSFET, SOT-23, 30V, 5.6A, 150C, N | на замовлення 8502 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MMFTN3404A | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.6A; Idm: 22A; 1.25W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 5.6A Pulsed drain current: 22A Power dissipation: 1.25W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 23mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | на замовлення 1207 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MMFTN3404A | Diotec Semiconductor | MOSFETs (Field Effect Transistors) | на замовлення 2800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MMFTN3404A | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET SOT-23 N 30V 5.6A 0.023? Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 5.6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 744 pF @ 0 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MMFTN3404A-AQ | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET, SOT-23, 30V, 5.6A, 0, 1. Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 744 pF @ 0 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 5.6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 93000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MMFTN3404A-AQ | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET SOT-23 N 30V 5.6A Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 5.6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 744 pF @ 0 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MMFTN3404A-AQ | Diotec Semiconductor | MOSFETs MOSFET, SOT-23, 30V, 5.6A, 150C, N, AEC-Q101 | на замовлення 2882 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MMFTN3422ASK | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.2A; Idm: 20A; 1.25W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 1.25W Gate charge: 11.5nC Polarisation: unipolar Version: ESD Drain current: 4.2A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 30V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 55mΩ | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MMFTN3422ASK | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET SOT-23 N 30V 4.2A Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 505 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MMFTN3422K | Diotec Semiconductor | MOSFETs (Field Effect Transistors) | на замовлення 2540 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MMFTN3422K | Diotec Semiconductor | MOSFETs MOSFET, SOT-23, 30V, 4.2A, 150C, N | на замовлення 7250 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MMFTN3422K | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.2A; Idm: 20A; 1.25W; SOT23 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain current: 4.2A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 30V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±12V Kind of package: reel; tape Case: SOT23 On-state resistance: 42mΩ Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 1.25W | на замовлення 1460 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MMFTN3422K | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET, SOT-23, 30V, 4.2A, 0, 1. Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 387 pF @ 25 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MMFTN3479KW | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.5A; Idm: 14A; 0.9W; SOT323 Mounting: SMD Power dissipation: 0.9W Gate charge: 2.8nC Polarisation: unipolar Drain current: 3.5A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 20V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±12V Kind of package: reel; tape Case: SOT323 On-state resistance: 95mΩ Pulsed drain current: 14A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MMFTN4520 | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET, SOT-23, 150V, 0.425A, 15 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 164 pF @ 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 960mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 2932 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2932 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MMFTN4520 | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET, SOT-23, 150V, 0.425A, 15 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 164 pF @ 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 960mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 2932 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MMFTN6001 | Diotec Semiconductor | MOSFET MOSFET, SOT-23, 60V, 0.44A, 150C, N | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MMFTN6001 | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET SOT23 N 60V 2OHM 150C Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 440mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 530mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.3 pF @ 25 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MMFTN6001 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.44A; Idm: 1A; 530mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.44A Power dissipation: 0.53W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.6Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 1A | на замовлення 146583 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MMFTN6001 | Diotec Semiconductor | MOSFETs (Field Effect Transistor), SOT-23, 60V, 0.440A, N, 0.530W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MMFTN6001 | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET SOT23 N 60V 2OHM 150C Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 440mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 530mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.3 pF @ 25 V | на замовлення 6845 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MMFTN6190KDW | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 1A; Idm: 9.6A; 0.4W; SOT363 Mounting: SMD Pulsed drain current: 9.6A Power dissipation: 0.4W Gate charge: 2nC Polarisation: unipolar Version: ESD Drain current: 1A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 30V Type of transistor: N-MOSFET x2 Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Case: SOT363 On-state resistance: 0.45Ω | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MMFTN6190KDW | Diotec Semiconductor | Description: IC Packaging: Bulk Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 320mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 1.3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MMFTN6190KDW | Diotec Semiconductor | MOSFET MOSFET, SOT-363, 30V, 1A, 150C, N | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MMFTN620KD | Diotec Semiconductor | Description: IC Packaging: Bulk Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 500mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-26 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MMFTN620KD | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMFTN620KD - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 350 mA, 1.5 ohm tariffCode: 85412100 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 350mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.5ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 500mW Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MMFTN620KD-AQ | Diotec Semiconductor | Description: IC Packaging: Bulk Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 500mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-26 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MMFTN620KDW | Diotec Semiconductor | MOSFET MOSFET, SOT-363, 60V, 0.35A, 150C, N | на замовлення 2890 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MMFTN620KDW-AQ | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET, SOT-363, 60V, 0.35A, 0, Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 320mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MMFTN620KDW-AQ | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET, SOT-363, 60V, 0.35A, 0, Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 320mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MMFTP1790-AQ | Diotec Semiconductor | MOSFETs MOSFET, SOT-23, P, -100 V, -2A, 0.79, 150C, AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MMFTP2301 | DIOTEC | Description: DIOTEC - MMFTP2301 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MMFTP2301 | Diotec Semiconductor | MOSFETs SOT-23, P, -20V, -2.8A, 0.1?, 150C | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MMFTP2301 | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 20V 2.8A TO-236-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MMFTP2301 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.8A; Idm: -10A; 1.25W; SOT23 Pulsed drain current: -10A Power dissipation: 1.25W Gate charge: 4.4nC Polarisation: unipolar Drain current: -2.8A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: -20V Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±10V Kind of package: reel; tape Case: SOT23 On-state resistance: 0.15Ω Mounting: SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MMFTP2301-AQ | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 20V 2.8A TO-236-3 Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 358 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Grade: Automotive Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.8A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MMFTP2301-AQ | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.8A; Idm: -10A; 1.25W; SOT23 Pulsed drain current: -10A Power dissipation: 1.25W Gate charge: 4.4nC Polarisation: unipolar Drain current: -2.8A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: -20V Application: automotive industry Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±10V Kind of package: reel; tape Case: SOT23 On-state resistance: 0.15Ω Mounting: SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MMFTP2301-AQ | DIOTEC | Description: DIOTEC - MMFTP2301-AQ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MMFTP2301-AQ | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 20V 2.8A TO-236-3 FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 358 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Grade: Automotive Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.8A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MMFTP2301-AQ | Diotec Semiconductor | MOSFETs SOT-23, P, -20V, -2.8A, 0.1?, 150C, AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MMFTP2307A | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; Idm: -24A; 1.6W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -6A Pulsed drain current: -24A Power dissipation: 1.6W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 60mΩ Mounting: SMD Gate charge: 28.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MMFTP2307A | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 20V 6A TO-236-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MMFTP2307A | Diotec Semiconductor | MOSFETs SOT-23, P, -20V, -6A, 29m?, 150C | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MMFTP2319 | Diotec Semiconductor | MOSFETs MOSFET, SOT-23, -40V, -4.2A, 150C, P | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MMFTP2319 | Diotec Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 40V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MMFTP2319 | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 4.2A TO-236-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A Power Dissipation (Max): 750mW Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MMFTP2319 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -4.2A; Idm: -30A; 0.75W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -4.2A Pulsed drain current: -30A Power dissipation: 0.75W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MMFTP2319 | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 4.2A TO-236-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A Power Dissipation (Max): 750mW Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |