Продукція > DMP

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 12 15 18 21 24 27 30 33 36 38  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DMP2008UFG-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2008UFG-13Diodes IncorporatedMOSFETs 20V P-CH MOSFET
на замовлення 3132 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+62.34 грн
10+38.27 грн
100+21.68 грн
500+16.64 грн
1000+15.05 грн
3000+12.50 грн
6000+11.80 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2008UFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 14A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6909 pF @ 10 V
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.38 грн
6000+13.62 грн
9000+13.01 грн
15000+11.57 грн
21000+11.19 грн
30000+10.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2008UFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+13.96 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2008UFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2008UFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 14A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6909 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2008UFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+13.96 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2008UFG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2008UFG-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 54 A, 8000 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 41W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
на замовлення 541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+61.45 грн
50+38.10 грн
100+24.73 грн
500+19.59 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2008UFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+15.21 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2008UFG-7Diodes IncorporatedMOSFET 20V P-CH MOSFET
на замовлення 13903 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.94 грн
12+28.02 грн
100+18.22 грн
500+15.12 грн
1000+12.98 грн
2000+12.08 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2008UFG-7DiodesMOSFET P-CH 20V 14A PWRDI3333 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2008UFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2008UFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 14A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6909 pF @ 10 V
на замовлення 312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.45 грн
10+42.70 грн
100+27.87 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2008UFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+15.21 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2008UFG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2008UFG-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 54 A, 0.008 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 41W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.008ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.41 грн
500+15.71 грн
1000+13.46 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2008UFG-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -11A; Idm: -80A; 2.4W
Mounting: SMD
Case: PowerDI®3333-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -80A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -11A
On-state resistance: 8mΩ
Power dissipation: 2.4W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: 7 inch reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2008USS-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V 24V SO-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2008USS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SO-8 T&R 2.
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6820 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 159 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @12A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 38A (Tc)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.13 грн
5000+19.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2010UFG-13Diodes IncorporatedMOSFETs 20V P-Ch Enh FET 10Vgss -80A Idm
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2010UFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 12.7A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2010UFG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2010UFG-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 42 A, 0.0095 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.3W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+36.65 грн
500+28.42 грн
1000+20.30 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2010UFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 12.7A PWRDI3333
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 3.6A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.7A (Ta), 42A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3350 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
на замовлення 221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.65 грн
10+50.93 грн
100+33.62 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2010UFG-7Diodes IncorporatedMOSFETs 20V P-Ch Enh FET 10Vgss -80A Idm
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2010UFG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2010UFG-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 42 A, 0.0095 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.3W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+69.67 грн
14+57.75 грн
100+36.65 грн
500+28.42 грн
1000+20.30 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2010UFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 12.7A PWRDI3333
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3350 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 3.6A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.7A (Ta), 42A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2010UFV-13DiodesMOSFET P-CH 20V 50A POWERDI3333 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2010UFV-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2010UFV-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 50 A, 7500 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.06 грн
500+19.74 грн
1000+16.50 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2010UFV-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 50A POWERDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3350 pF @ 10 V
на замовлення 2173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.35 грн
10+36.42 грн
100+23.66 грн
500+17.04 грн
1000+15.38 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2010UFV-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2010UFV-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 50 A, 7500 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+47.04 грн
23+35.44 грн
100+24.32 грн
500+18.77 грн
1000+15.67 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2010UFV-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 50A POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3350 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2010UFV-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFETBVDSS: 8V-24V
на замовлення 8335 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+67.17 грн
10+41.20 грн
100+23.26 грн
500+17.88 грн
1000+16.15 грн
3000+13.67 грн
6000+12.50 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2010UFV-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFETBVDSS: 8V-24V
на замовлення 1458 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+63.06 грн
10+38.50 грн
100+21.81 грн
500+16.78 грн
1000+15.05 грн
2000+13.25 грн
4000+11.87 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2010UFV-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2010UFV-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 50 A, 7500 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
на замовлення 1847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.67 грн
500+17.50 грн
1000+14.70 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2010UFV-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 50A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2010UFV-7DiodesMOSFET P-CH 20V 50A POWERDI3333 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2010UFV-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2010UFV-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 50 A, 7500 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
на замовлення 1847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+62.74 грн
25+33.18 грн
100+21.67 грн
500+17.50 грн
1000+14.70 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2012SN
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2012SN-7Diodes IncorporatedMOSFETs 20V 700mA
на замовлення 1405 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+39.46 грн
14+24.13 грн
100+13.39 грн
500+12.08 грн
1000+10.49 грн
3000+7.59 грн
6000+6.83 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2012SN-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 700MA SC59-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 178.5 pF @ 10 V
на замовлення 103596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+28.74 грн
14+21.76 грн
100+13.84 грн
500+9.77 грн
1000+8.10 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2012SN-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 700MA SC59-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 178.5 pF @ 10 V
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.95 грн
6000+6.83 грн
9000+6.28 грн
15000+5.77 грн
21000+5.62 грн
30000+5.41 грн
75000+5.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2016UFDE-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2016UFDE-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2016UFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2016UFDF-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2016UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 10 V
на замовлення 11974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.71 грн
10+30.59 грн
100+21.05 грн
500+15.24 грн
1000+13.02 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2016UFDF-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 337 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+63.71 грн
10+38.98 грн
100+21.95 грн
500+19.81 грн
1000+17.47 грн
3000+13.05 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2016UFDF-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2016UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.52 грн
6000+11.06 грн
9000+10.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2018LFK-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V U-DFN2523-6 T&R 10K
на замовлення 5730 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+49.85 грн
11+30.01 грн
100+17.19 грн
500+13.46 грн
1000+11.53 грн
2500+10.98 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2018LFK-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 9.2A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2018LFK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 9.2A 6UDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4748 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: U-DFN2523-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 3.6A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerUDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 14342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.15 грн
11+28.94 грн
100+18.63 грн
500+13.30 грн
1000+11.95 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2018LFK-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2523-6 T&R 3K
на замовлення 102626 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+49.85 грн
11+30.01 грн
100+17.19 грн
500+13.05 грн
1000+11.53 грн
3000+9.53 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2018LFK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 9.2A 6UDFN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerUDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4748 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: U-DFN2523-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 3.6A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.99 грн
6000+9.69 грн
9000+9.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UFDE-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 11.1A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 15 V
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+11.36 грн
30000+10.73 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UFDE-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UFDE-7Diodes ZetexP-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
на замовлення 530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+47.68 грн
19+40.42 грн
100+27.87 грн
500+21.23 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UFDE-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2021UFDE-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 9 A, 0.012 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 760mW
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.97 грн
500+14.21 грн
1000+12.08 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UFDE-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 11.1A 6UDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerUDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1970808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+38.83 грн
10+31.41 грн
100+21.88 грн
500+16.03 грн
1000+13.03 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UFDE-7Diodes ZetexP-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
на замовлення 1077000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UFDE-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2021UFDE-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 9 A, 0.012 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 760mW
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+49.93 грн
27+30.85 грн
100+19.97 грн
500+14.21 грн
1000+12.08 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UFDE-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 11.1A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 15 V
на замовлення 1968000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.89 грн
6000+11.78 грн
9000+10.94 грн
30000+10.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UFDE-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 2537 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+58.15 грн
10+35.41 грн
100+19.95 грн
500+15.33 грн
1000+13.81 грн
3000+11.46 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UFDE-7Diodes ZetexP-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UFDF-13Diodes IncorporatedMOSFETs P-Ch -20V Enh FET 8Vgss 0.73W 2760pF
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 9A 6UDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 730mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 9A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 730mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 15 V
на замовлення 692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.55 грн
10+49.43 грн
100+32.48 грн
500+23.63 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UFDF-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -7.2A; Idm: -60A; 0.47W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -7.2A
Pulsed drain current: -60A
Power dissipation: 0.47W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 59nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 9A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2021UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 9 A, 0.012 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.02W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+57.02 грн
20+41.24 грн
100+29.56 грн
500+21.24 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 9A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 9A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 730mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 9A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 9A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 2596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
252+56.44 грн
345+41.14 грн
352+40.37 грн
500+33.28 грн
1000+19.28 грн
Мінімальне замовлення: 252 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2021UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 9 A, 0.012 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.02W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+29.56 грн
500+21.24 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UFDF-7Diodes IncorporatedMOSFETs P-Ch -20V Enh FET 8Vgss 0.73W 2760pF
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UTS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 18A 8TSSOP
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 4.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
на замовлення 12480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.69 грн
10+47.12 грн
100+32.62 грн
500+25.58 грн
1000+21.77 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UTS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 3902 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+57.67 грн
10+49.38 грн
100+29.75 грн
500+24.85 грн
1000+21.19 грн
2500+17.53 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UTS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 18A 8TSSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 4.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.45 грн
5000+19.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UTSQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UTSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V 24V TSSOP-8 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.08 грн
10+58.78 грн
100+38.94 грн
500+28.55 грн
1000+25.97 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UTSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V 24V TSSOP-8 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2022LSS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2022LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.013 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 770mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+34.15 грн
500+25.73 грн
1000+21.26 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2022LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 10A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2444 pF @ 10 V
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.49 грн
5000+18.19 грн
7500+17.41 грн
12500+15.51 грн
17500+15.02 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2022LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+31.51 грн
521+27.23 грн
526+26.95 грн
713+19.17 грн
Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2022LSS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2022LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.013 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 770mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+76.35 грн
50+54.77 грн
100+34.15 грн
500+25.73 грн
1000+21.26 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2022LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2022LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 10A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2444 pF @ 10 V
на замовлення 18121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.99 грн
10+48.24 грн
100+31.66 грн
500+23.01 грн
1000+20.86 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2022LSS-13Diodes IncorporatedMOSFETs PMOS SINGLE P-CHANNL 20V 10A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2022LSS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -8A; 2.5W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -8A
On-state resistance: 13mΩ
Power dissipation: 2.5W
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: 13 inch reel; tape
на замовлення 2301 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+70.70 грн
8+55.34 грн
10+48.53 грн
50+33.65 грн
100+28.67 грн
500+20.86 грн
1000+18.70 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2022LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 160000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2022LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+33.71 грн
24+31.78 грн
25+31.51 грн
100+26.25 грн
250+24.06 грн
500+17.04 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2022LSSQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2022LSSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 9.3 A, 8000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 770mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2031 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+99.06 грн
13+64.92 грн
100+43.49 грн
500+31.86 грн
1000+26.72 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2022LSSQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS:
на замовлення 1941 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+68.94 грн
10+58.59 грн
100+35.35 грн
500+29.55 грн
1000+25.20 грн
2500+23.06 грн
5000+22.92 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2022LSSQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2022LSSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 9.3 A, 8000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 770mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2031 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+43.49 грн
500+31.86 грн
1000+26.72 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2023UFDFDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2023UFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 7.6A 6UDFN
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 730mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1837 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
на замовлення 230000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+16.16 грн
30000+15.41 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2023UFDF-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 7.6A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 230000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+21.08 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2023UFDF-13Diodes IncorporatedMOSFETs 20V P-Ch Enh FET 8Vgss -7.6A ID 0.7W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2023UFDF-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 7.6A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 230000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+21.08 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2023UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 7.6A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 141000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 12 15 18 21 24 27 30 33 36 38  [ Наступна Сторінка >> ]