Продукція > DMP

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DMP2008UFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 14A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6909 pF @ 10 V
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.52 грн
6000+13.74 грн
9000+13.13 грн
15000+11.68 грн
21000+11.30 грн
30000+10.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2008UFG-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2008UFG-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2008UFG-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 54 A, 0.008 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2008UFG-13Diodes IncorporatedMOSFETs 20V P-CH MOSFET
на замовлення 3132 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2008UFG-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2008UFG-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2008UFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 14A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6909 pF @ 10 V
на замовлення 47864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.27 грн
10+38.57 грн
100+25.02 грн
500+18.02 грн
1000+16.26 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2008UFG-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2008UFG-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 54 A, 0.008 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2008UFG-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2008UFG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2008UFG-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 54 A, 8000 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 41W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2008UFG-7Diodes IncorporatedMOSFET 20V P-CH MOSFET
на замовлення 13903 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2008UFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2008UFG-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -11A; Idm: -80A; 2.4W
Mounting: SMD
Case: PowerDI®3333-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -80A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -11A
On-state resistance: 8mΩ
Power dissipation: 2.4W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: 7 inch reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2008UFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+15.17 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2008UFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 14A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6909 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2008UFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+13.93 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2008UFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2008UFG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2008UFG-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 54 A, 8000 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 41W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 41W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.008ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2008UFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+13.93 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2008UFG-7DiodesMOSFET P-CH 20V 14A PWRDI3333 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2008UFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+15.17 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2008UFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 14A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6909 pF @ 10 V
на замовлення 1926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.68 грн
10+44.15 грн
100+28.78 грн
500+20.81 грн
1000+18.82 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2008USS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SO-8 T&R 2.
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6820 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 159 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @12A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 38A (Tc)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.34 грн
5000+19.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2008USS-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V 24V SO-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2010UFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 12.7A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2010UFG-13Diodes IncorporatedMOSFETs 20V P-Ch Enh FET 10Vgss -80A Idm
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2010UFG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2010UFG-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 42 A, 0.0095 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.3W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2010UFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 12.7A PWRDI3333
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 3.6A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.7A (Ta), 42A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3350 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
на замовлення 221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.44 грн
10+51.40 грн
100+33.93 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2010UFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 12.7A PWRDI3333
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3350 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 3.6A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.7A (Ta), 42A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2010UFG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2010UFG-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 42 A, 0.0095 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.3W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2010UFG-7Diodes IncorporatedMOSFETs 20V P-Ch Enh FET 10Vgss -80A Idm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2010UFV-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2010UFV-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 50 A, 7500 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
на замовлення 2420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2010UFV-13DiodesMOSFET P-CH 20V 50A POWERDI3333 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2010UFV-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2010UFV-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 50 A, 7500 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
на замовлення 2420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2010UFV-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFETBVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2010UFV-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 50A POWERDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3350 pF @ 10 V
на замовлення 2173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.92 грн
10+36.76 грн
100+23.87 грн
500+17.20 грн
1000+15.52 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2010UFV-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 50A POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3350 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2010UFV-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFETBVDSS: 8V-24V
на замовлення 1458 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2010UFV-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 50A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2010UFV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 50A POWERDI3333
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+18.17 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2010UFV-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2010UFV-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 50 A, 7500 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
на замовлення 1847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2010UFV-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2010UFV-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 50 A, 7500 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
на замовлення 1847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2010UFV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 50A POWERDI3333
на замовлення 2005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.33 грн
10+42.80 грн
25+35.81 грн
50+29.54 грн
100+26.08 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2010UFV-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -40A; Idm: -80A; 2W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -40A
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 2W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 103nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2010UFV-7DiodesMOSFET P-CH 20V 50A POWERDI3333 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2012SN
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2012SN-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 700MA SC59-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 178.5 pF @ 10 V
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.02 грн
6000+6.90 грн
9000+6.34 грн
15000+5.82 грн
21000+5.67 грн
30000+5.46 грн
75000+5.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2012SN-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -900mA; Idm: -2.8A; 500mW
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Drain current: -0.9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Case: SC59
On-state resistance: 0.5Ω
Pulsed drain current: -2.8A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2012SN-7Diodes IncorporatedMOSFETs 20V 700mA
на замовлення 1405 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2012SN-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 700MA SC59-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 178.5 pF @ 10 V
на замовлення 103596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.00 грн
14+21.96 грн
100+13.96 грн
500+9.86 грн
1000+8.17 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2016UFDE-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2016UFDE-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2016UFDF-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2016UFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2016UFDF-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 2423 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2016UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.64 грн
6000+11.16 грн
9000+10.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2016UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 10 V
на замовлення 11974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.11 грн
10+30.87 грн
100+21.24 грн
500+15.38 грн
1000+13.14 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2016UFDF-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Type of transistor: P-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2018LFK-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V U-DFN2523-6 T&R 10K
на замовлення 5730 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2018LFK-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 9.2A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2018LFK-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2523-6 T&R 3K
на замовлення 102626 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2018LFK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 9.2A 6UDFN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerUDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4748 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: U-DFN2523-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 3.6A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.09 грн
6000+9.78 грн
9000+9.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2018LFK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 9.2A 6UDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4748 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: U-DFN2523-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 3.6A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerUDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 14342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.60 грн
11+29.21 грн
100+18.80 грн
500+13.43 грн
1000+12.06 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UFDE-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 11.1A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 15 V
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+11.47 грн
30000+10.83 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UFDE-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UFDE-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 11.1A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 15 V
на замовлення 1968000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.01 грн
6000+11.89 грн
9000+11.04 грн
30000+10.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UFDE-7Diodes ZetexP-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UFDE-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 2383 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UFDE-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2021UFDE-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 9 A, 0.012 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 760mW
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UFDE-7Diodes ZetexP-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
на замовлення 530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+47.57 грн
19+40.33 грн
100+27.81 грн
500+21.18 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UFDE-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 11.1A 6UDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerUDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1970808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.19 грн
10+31.70 грн
100+22.08 грн
500+16.18 грн
1000+13.15 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UFDE-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2021UFDE-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 9 A, 0.012 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 760mW
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UFDE-7Diodes ZetexP-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
на замовлення 1077000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 9A 6UDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 730mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UFDF-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -8.9A; Idm: -60A; 1.3W
Pulsed drain current: -60A
Power dissipation: 1.3W
Gate charge: 59nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -8.9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Case: U-DFN2020-6
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UFDF-13Diodes IncorporatedMOSFETs P-Ch -20V Enh FET 8Vgss 0.73W 2760pF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 9A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UFDF-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -7.2A; Idm: -60A; 0.47W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -7.2A
Pulsed drain current: -60A
Power dissipation: 0.47W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 59nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 9A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 730mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 15 V
на замовлення 11900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.14 грн
10+54.80 грн
25+45.98 грн
50+38.05 грн
100+33.75 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UFDF-7Diodes IncorporatedMOSFETs P-Ch -20V Enh FET 8Vgss 0.73W 2760pF
на замовлення 14765 шт:
термін постачання 357-366 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2021UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 9 A, 0.012 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.02W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 9A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 730mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.81 грн
9000+19.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2021UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 9 A, 0.012 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.02W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UTS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 18A 8TSSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 4.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.65 грн
5000+19.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UTS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UTS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 18A 8TSSOP
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 4.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
на замовлення 12480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.22 грн
10+47.55 грн
100+32.92 грн
500+25.81 грн
1000+21.97 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UTS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.9A; Idm: -55A; 1.3W; TSSOP8
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -55A
Power dissipation: 1.3W
Gate charge: 59nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -5.9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±10V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Case: TSSOP8
On-state resistance: 40mΩ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UTSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V 24V TSSOP-8 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UTSQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UTSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V 24V TSSOP-8 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.81 грн
10+64.23 грн
25+54.13 грн
50+44.91 грн
100+39.93 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2022LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 10A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2444 pF @ 10 V
на замовлення 1104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.22 грн
10+52.31 грн
25+43.93 грн
50+36.35 грн
100+32.22 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2022LSS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2022LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.013 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 770mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2022LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2022LSS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -8A; 2.5W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -8A
On-state resistance: 13mΩ
Power dissipation: 2.5W
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: 13 inch reel; tape
на замовлення 2301 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+71.35 грн
8+55.85 грн
10+48.98 грн
50+33.97 грн
100+28.93 грн
500+21.05 грн
1000+18.87 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2022LSS-13Diodes IncorporatedMOSFETs PMOS SINGLE P-CHANNL 20V 10A
на замовлення 21875 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2022LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 160000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.28 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2022LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 10A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2444 pF @ 10 V
на замовлення 887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 887 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2022LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+33.63 грн
24+31.71 грн
25+31.44 грн
100+26.19 грн
250+24.01 грн
500+17.00 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2022LSS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2022LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.013 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 770mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2022LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+31.44 грн
521+27.16 грн
526+26.89 грн
713+19.13 грн
Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.