Продукція > FDP

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDP20N50ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+342.65 грн
10+316.68 грн
25+291.68 грн
50+265.97 грн
100+234.23 грн
500+217.04 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP20N50onsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 20A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3120 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP20N50ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+342.65 грн
45+316.68 грн
49+291.68 грн
52+265.97 грн
100+234.23 грн
500+217.04 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP20N50FonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 20A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3390 pF @ 25 V
на замовлення 2019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+282.69 грн
50+139.24 грн
100+126.37 грн
500+97.47 грн
1000+90.68 грн
2000+88.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP20N50F
Код товару: 190678
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP20N50FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP20N50FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+190.12 грн
250+185.66 грн
500+168.98 грн
1000+153.31 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP20N50FONSEMIDescription: ONSEMI - FDP20N50F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 20 A, 0.22 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+291.55 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP20N50FonsemiMOSFETs 500V N-Channel
на замовлення 5228 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+294.78 грн
10+148.46 грн
100+116.67 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP20N50FONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; Idm: 80A; 250W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+226.85 грн
3+212.73 грн
4+201.92 грн
10+166.19 грн
30+140.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP20N50FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP22N50NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP22N50NONSEMIDescription: ONSEMI - FDP22N50N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 22 A, 0.185 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 22
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 312.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 312.5
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.185
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+261.75 грн
10+235.98 грн
100+193.30 грн
500+152.57 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP22N50NonsemiMOSFETs UniFETII 500V 22A
на замовлення 1058 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+343.10 грн
10+175.45 грн
100+138.07 грн
500+129.09 грн
1000+122.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP22N50NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP22N50NonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 22A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 312.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V
на замовлення 1634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+330.85 грн
50+165.32 грн
100+150.49 грн
500+116.88 грн
1000+109.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP22N50N
Код товару: 60060
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP22N50NONS/FAITrans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP24AN06LA0Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 40A TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP24AN06LA0Fairchild
на замовлення 5200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP24N40ON Semiconductor
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP24N40ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 400V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+292.29 грн
10+235.21 грн
100+212.06 грн
500+174.69 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP24N40ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP24N40 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 24 A, 0.14 ohm, TO-220
Drain-Source-Spannung Vds: 400
Dauer-Drainstrom Id: 24
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 227
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 227
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP24N40onsemi / FairchildMOSFET 400V N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP24N40ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 400V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
49+292.29 грн
61+235.21 грн
100+212.06 грн
500+174.69 грн
Мінімальне замовлення: 49 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP24N40onsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 24A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2532ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2532onsemi / FairchildMOSFETs 150V NCh UltraFET Power Trench
на замовлення 3892 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+292.36 грн
10+158.78 грн
100+130.47 грн
500+115.98 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2532ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2532ON-SemiconductorTransistor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 48mOhm; 79A; 310W; -55°C ~ 175°C; FDP2532 TFDP2532
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+203.99 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2532ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 3608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
49+295.19 грн
54+263.52 грн
58+245.10 грн
100+205.62 грн
500+172.40 грн
800+135.89 грн
Мінімальне замовлення: 49 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2532
Код товару: 44129
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-263AB
Напруга сток-витік Uds, V: 150 V
Струм стоку Idd, A: 79 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,016 Ohm
Монтаж: SMD
УКТЗЕД: 8541210090
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2532ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP2532 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 79 A, 0.014 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+290.75 грн
10+161.08 грн
100+158.66 грн
500+145.83 грн
1000+132.55 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2532ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+339.35 грн
50+286.05 грн
54+264.98 грн
100+197.10 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2532onsemiMOSFETs 150V NCh UltraFET Power Trench
на замовлення 1713 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+380.95 грн
10+246.11 грн
100+159.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2532ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2532ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 56A; 310W; TO220AB
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 107nC
On-state resistance: 14mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 56A
Drain-source voltage: 150V
Power dissipation: 310W
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+229.09 грн
10+169.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2532onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 8A/79A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5870 pF @ 25 V
на замовлення 2186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+315.31 грн
50+156.84 грн
100+142.66 грн
500+110.58 грн
1000+103.09 грн
2000+102.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2532ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
177+200.81 грн
Мінімальне замовлення: 177 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2532ONS/FAITO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2532ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2532ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 3611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+296.33 грн
10+264.54 грн
50+246.05 грн
100+206.42 грн
500+173.06 грн
800+136.41 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2552ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 26A; 150W; TO220AB
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 97mΩ
Drain current: 26A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 150W
Drain-source voltage: 150V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2552onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 5A/37A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+193.38 грн
50+92.44 грн
100+83.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2552ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2552onsemi / FairchildMOSFETs 150V N-Ch UltraFET Trench
на замовлення 1136 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+187.66 грн
10+92.09 грн
100+77.32 грн
500+69.72 грн
1000+61.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2552onsemiMOSFETs 150V N-Ch UltraFET Trench
на замовлення 925 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+204.57 грн
10+100.03 грн
100+83.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2552ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+188.67 грн
10+172.94 грн
100+147.02 грн
500+120.85 грн
1000+95.01 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2552_NLFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 37A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2552_NL
на замовлення 1717 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2552_Qonsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2570onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 22A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1911 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2570onsemi / FairchildMOSFETs TO-220 N-CH 150V 22A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2570_Qonsemi / FairchildMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
80+178.78 грн
100+143.00 грн
500+116.75 грн
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2572onsemi / FairchildMOSFETs TO-220 N-CH 150V 29A
на замовлення 1204 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+192.49 грн
10+93.68 грн
100+78.01 грн
500+65.93 грн
1000+64.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2572FAIRCHIL09+ PLCC-44
на замовлення 850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+196.14 грн
100+156.88 грн
500+128.09 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2572onsemiMOSFETs TO-220 N-CH 150V 29A
на замовлення 7958 шт:
термін постачання 308-317 дні (днів)
2+223.10 грн
10+119.88 грн
100+87.67 грн
500+74.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2572ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 20A; 135W; TO220AB
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 34nC
On-state resistance: 146mΩ
Drain current: 20A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 135W
Drain-source voltage: 150V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2572onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
на замовлення 1293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+201.92 грн
50+96.74 грн
100+87.28 грн
500+66.32 грн
1000+61.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2614ON Semiconductor
на замовлення 3960 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2614ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+229.73 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2614ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2614onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 62A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7230 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 31A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 13354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+408.51 грн
50+206.44 грн
100+188.45 грн
500+147.27 грн
1000+145.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2614On SemiconductorMOSFET N-CH 200V 62A TO220-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2614ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2614onsemi / FairchildMOSFETs 200V N-Channel PowerTrench
на замовлення 2249 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+177.19 грн
10+158.78 грн
100+134.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2670ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP2670 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
228+136.11 грн
Мінімальне замовлення: 228 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2670Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 19A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 100 V
на замовлення 6893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
189+114.00 грн
Мінімальне замовлення: 189 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP26N40ONS/FAIMOSFET N-CH 400V 26A TO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP26N40onsemi / FairchildMOSFET 400V N-Channel
на замовлення 2747 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+229.54 грн
10+204.03 грн
25+167.06 грн
100+144.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP26N40onsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 26A TO220-3
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3185 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 265W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2710onsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 50A TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.5mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7280 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±30V
на замовлення 955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+301.33 грн
50+229.64 грн
100+196.83 грн
500+164.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2710ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2710onsemi / FairchildMOSFETs 250V N-Channel PowerTrench
на замовлення 897 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+260.95 грн
10+174.66 грн
50+131.86 грн
100+129.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2710-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2710-F085onsemi / FairchildMOSFETs 250V NCHAN PwrTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2710-F085ON Semiconductor
на замовлення 760 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2710-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 4A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 403W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5690 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2710_F085Fairchild SemiconductorDescription: 4A, 250V, 0.047OHM, N-CHANNEL ,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 403W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5690 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2710_SN00168Fairchild SemiconductorDescription: 1-ELEMENT, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2710_SW82258Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7280 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2D3N10CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 222A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2D3N10Consemi / FairchildMOSFETs PTNG 100/20V inTO220 3L JEDEC GREEN EMC
на замовлення 826 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+485.65 грн
10+473.16 грн
25+240.93 грн
100+221.60 грн
500+220.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2D3N10ConsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 222A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11180 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 700µA
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 222A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 153574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+552.96 грн
50+287.57 грн
100+264.01 грн
500+217.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2D3N10CONN
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2D3N10CONSEMIDescription: ONSEMI - FDP2D3N10C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 222 A, 2100 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 222A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+549.28 грн
5+430.89 грн
10+311.69 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2D9N12ConsemiMOSFETs PTNG 120V N-FET
на замовлення 402 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+459.88 грн
10+388.21 грн
25+306.51 грн
100+280.97 грн
250+265.09 грн
500+248.52 грн
800+222.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2D9N12ConsemiDescription: PTNG 120V N-FET TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 210A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 686µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8894 pF @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2XPZAM63R262XCONECD-Sub Standard Connectors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2XSZAM63R262XCONECD-Sub Standard Connectors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3205ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP3205 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
306+101.48 грн
Мінімальне замовлення: 306 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3205onsemiDescription: MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7730 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 59A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3205Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7730 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 59A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
на замовлення 2140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
208+103.87 грн
Мінімальне замовлення: 208 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP33N25ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
109+130.21 грн
159+89.60 грн
163+87.49 грн
500+84.32 грн
1000+75.25 грн
Мінімальне замовлення: 109 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP33N25onsemi / FairchildMOSFETs 250V N-Channel MOSFET
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+145.78 грн
10+72.40 грн
100+61.16 грн
500+59.99 грн
1000+54.74 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP33N25onsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 33A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2135 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 235W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 16.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 2173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+189.50 грн
50+89.95 грн
100+81.02 грн
500+61.33 грн
1000+56.60 грн
2000+52.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP33N25ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14  [ Наступна Сторінка >> ]