Продукція > ISC

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 12 14 16 18 20 22 23  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
ISC044N15NM6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >100-150V
на замовлення 962 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+452.63 грн
10+312.79 грн
100+220.22 грн
500+196.06 грн
1000+189.15 грн
5000+173.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ISC044N15NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.1A (Ta), 156A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 15V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 75 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 75 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC045N03L5SATMA1Infineon
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISC045N03L5SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 18A/63A TDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 63A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC045N03L5SATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 3755 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+63.71 грн
10+39.22 грн
100+22.09 грн
500+16.91 грн
1000+13.88 грн
5000+13.53 грн
10000+12.98 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC045N03L5SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISC045N03L5SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 63 A, 3800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+55.98 грн
23+36.57 грн
100+24.00 грн
500+16.53 грн
1000+12.50 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC045N03L5SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 18A/63A TDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 63A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.80 грн
10+35.90 грн
100+23.26 грн
500+16.72 грн
1000+14.71 грн
2000+13.69 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC045N03L5SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISC045N03L5SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 63 A, 3800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+24.00 грн
500+16.53 грн
1000+12.50 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC046N04NM5Infineon TechnologiesInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISC046N04NM5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: 40V 4.6M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 17µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC046N04NM5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 40V
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+99.87 грн
10+54.54 грн
100+35.83 грн
500+28.03 грн
1000+23.20 грн
2500+23.13 грн
5000+20.57 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC046N04NM5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC046N04NM5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISC046N04NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 77 A, 3500 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 50W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0035ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+43.81 грн
500+31.63 грн
1000+25.20 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC046N04NM5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: 40V 4.6M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 17µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISC046N04NM5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISC046N04NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 77 A, 3500 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+106.31 грн
13+66.45 грн
100+43.81 грн
500+31.63 грн
1000+25.20 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC046N13NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 142A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 50A, 15V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 135 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 68 V
на замовлення 4780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+363.46 грн
10+232.96 грн
100+166.30 грн
500+139.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ISC046N13NM6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISC046N13NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 142 A, 0.0043 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 4995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+206.18 грн
250+200.54 грн
1000+180.24 грн
3000+161.54 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC046N13NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 142A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 50A, 15V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 135 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 68 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC046N13NM6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISC046N13NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 142 A, 0.0043 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 135V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 142A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 211W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+277.86 грн
50+206.18 грн
250+200.54 грн
1000+180.24 грн
3000+161.54 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC046N13NM6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >100-150V
на замовлення 4463 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+438.14 грн
10+282.63 грн
100+180.18 грн
500+160.85 грн
1000+142.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ISC052N03LF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: ISC052N03LF2SATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-62
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISC052N03LF2SATMA1Infineon Technologies TRENCH <= 40V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+54.36 грн
10+37.95 грн
100+22.51 грн
500+18.85 грн
1000+16.02 грн
2500+14.50 грн
5000+13.46 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC052N03LF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: ISC052N03LF2SATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-62
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC055N15NM6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 934 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+371.29 грн
10+282.63 грн
25+218.84 грн
100+191.22 грн
250+176.04 грн
500+166.37 грн
1000+154.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ISC055N15NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 50A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Ta), 130A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+385.99 грн
10+248.82 грн
100+178.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ISC055N15NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 50A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Ta), 130A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC056N08NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta), 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC056N08NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta), 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 40 V
на замовлення 4985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+161.54 грн
10+99.77 грн
100+67.90 грн
500+50.91 грн
1000+46.79 грн
2000+46.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC056N08NM6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET > 60-80V
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+161.88 грн
10+102.41 грн
100+60.54 грн
500+49.50 грн
1000+44.67 грн
2500+42.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC058N04NM5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 17A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC058N04NM5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: 40V 5.8M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 20 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+19.44 грн
10000+17.40 грн
15000+16.72 грн
25000+14.99 грн
35000+14.71 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC058N04NM5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 5932 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+67.33 грн
10+51.44 грн
100+32.58 грн
500+27.96 грн
1000+24.44 грн
2500+22.64 грн
5000+21.12 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC058N04NM5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISC058N04NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 63 A, 4500 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+115.98 грн
12+72.24 грн
100+47.52 грн
500+34.25 грн
1000+26.16 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC058N04NM5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 40V; 63A; 42W; PG-TDSON-8 FL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 63A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TDSON-8 FL
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: 20V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5000+24.16 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC058N04NM5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: 40V 5.8M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 20 V
на замовлення 43368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.55 грн
10+49.43 грн
100+32.47 грн
500+23.63 грн
1000+21.43 грн
2000+19.58 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC058N04NM5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISC058N04NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 63 A, 4500 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 42W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0045ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+47.52 грн
500+34.25 грн
1000+26.16 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC0602NLSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISC0602NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 66 A, 0.0071 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 60W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0071ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+105.51 грн
250+73.29 грн
1000+46.29 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC0602NLSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 14A/66A TDSON-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 66A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 29µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 60W (Tc)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+44.85 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC0602NLSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISC0602NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 66 A, 7300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+171.55 грн
50+111.95 грн
250+75.22 грн
1000+53.77 грн
3000+49.57 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC0602NLSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET > 60-80V
на замовлення 4014 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+163.50 грн
10+107.97 грн
100+64.68 грн
500+51.22 грн
1000+44.18 грн
2500+43.77 грн
5000+42.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC0602NLSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 14A/66A TDSON-8
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 29µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 66A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
на замовлення 10539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.14 грн
10+83.46 грн
100+59.17 грн
500+45.37 грн
1000+42.06 грн
2000+40.53 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC0603NLSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 12.3A/56A TDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 24µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.3A (Ta), 56A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.81 грн
10+108.29 грн
100+84.43 грн
500+65.46 грн
1000+51.68 грн
2000+48.23 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC0603NLSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISC0603NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 56 A, 0.0085 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 52W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0085ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 6082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+62.97 грн
1000+50.46 грн
5000+41.14 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC0603NLSATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
на замовлення 3351 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+148.19 грн
10+131.79 грн
100+89.74 грн
500+73.87 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC0603NLSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 12.3A/56A TDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 24µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.3A (Ta), 56A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+50.70 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC0603NLSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISC0603NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 56 A, 0.0085 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 6082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+112.76 грн
10+87.79 грн
100+74.66 грн
500+62.97 грн
1000+50.46 грн
5000+41.14 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC0604NLSATMA1Infineon TechnologiesMOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC0604NLSATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC0605NLSATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 115µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 195A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC060N06NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 30 V
на замовлення 4727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.91 грн
10+43.23 грн
25+38.92 грн
100+32.04 грн
250+29.90 грн
500+28.61 грн
1000+27.10 грн
2500+26.00 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC060N06NM6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
на замовлення 3871 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+137.72 грн
10+84.15 грн
100+48.19 грн
500+37.90 грн
1000+32.45 грн
2500+29.34 грн
5000+26.09 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC060N06NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC060N10NM6Infineon Technologies IFX FET >80 - 100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISC060N10NM6Infineon TechnologiesISC060N10NM6
на замовлення 4970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
64+224.03 грн
66+215.50 грн
100+208.18 грн
250+194.66 грн
500+175.34 грн
1000+164.21 грн
2500+160.58 грн
Мінімальне замовлення: 64 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC060N10NM6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 15A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC060N10NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC060N10NM6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 15A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+254.46 грн
81+175.17 грн
111+128.14 грн
500+103.49 грн
1000+91.88 грн
2000+85.76 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC060N10NM6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 15A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+254.46 грн
10+175.17 грн
100+128.14 грн
500+103.49 грн
1000+91.88 грн
2000+85.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC060N10NM6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISC060N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 97 A, 5100 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 97A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0051ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
на замовлення 2418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+111.95 грн
500+86.00 грн
1000+75.94 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC060N10NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISC060N10NM6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >80 - 100V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC060N10NM6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 15A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 305000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+277.83 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC060N10NM6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISC060N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 97 A, 5100 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 97A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
на замовлення 2418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+244.84 грн
10+158.66 грн
100+111.95 грн
500+86.00 грн
1000+75.94 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC0702NLSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISC0702NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 135 A, 0.0023 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 135A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+149.80 грн
10+102.29 грн
100+70.96 грн
500+53.25 грн
1000+43.01 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC0702NLSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 135A; 100W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 135A
Power dissipation: 100W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC0702NLSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 23A/135A TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 135A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 38µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 30 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+51.25 грн
10000+46.46 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC0702NLSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 60V
на замовлення 10629 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+162.69 грн
10+103.21 грн
100+61.16 грн
500+48.53 грн
1000+45.56 грн
2500+44.73 грн
5000+42.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC0702NLSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISC0702NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 135 A, 0.0023 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 135A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 100W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+70.96 грн
500+53.25 грн
1000+43.01 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC0702NLSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 23A/135A TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 135A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 38µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 30 V
на замовлення 10614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+188.72 грн
10+116.89 грн
100+79.48 грн
500+59.59 грн
1000+54.76 грн
2000+50.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC0703NLSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
на замовлення 7998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+104.70 грн
10+64.86 грн
25+55.09 грн
100+38.18 грн
500+30.31 грн
1000+26.58 грн
2500+26.23 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC0703NLSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 13A/57A TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 30 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+27.26 грн
10000+24.54 грн
15000+23.66 грн
25000+21.84 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC0703NLSATMA1Infineon TechnologiesN-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 13, Опис N-канальний ПТ,... Транзистори Корпус: TDSON-8 Очікується: 1100 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
50+71.54 грн
100+61.33 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC0703NLSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
109+130.41 грн
167+85.24 грн
200+83.92 грн
500+55.04 грн
1000+48.26 грн
Мінімальне замовлення: 109 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC0703NLSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISC0703NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 57 A, 0.0058 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 57A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 44W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+111.14 грн
50+70.07 грн
250+49.37 грн
1000+32.01 грн
3000+28.10 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC0703NLSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC0703NLSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 13A/57A TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 30 V
на замовлення 33318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.73 грн
10+66.26 грн
100+44.15 грн
500+32.52 грн
1000+29.66 грн
2000+27.25 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC0703NLSATMA1InfineonMOSFET N-CH 60V 13A/57A TDSON-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISC0703NLSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
177+85.66 грн
Мінімальне замовлення: 177 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC0703NLSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC0703NLSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISC0703NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 57 A, 0.0058 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 57A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 44W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 44W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0058ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+70.07 грн
250+49.37 грн
1000+32.01 грн
3000+28.10 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC073N12LM6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISC073N12LM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 86 A, 0.0073 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+228.73 грн
10+139.33 грн
100+100.67 грн
500+77.78 грн
1000+68.97 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC073N12LM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 60 V
на замовлення 2889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+211.24 грн
10+143.59 грн
100+99.92 грн
500+80.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC073N12LM6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISC073N12LM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 86 A, 0.0073 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+100.67 грн
500+77.78 грн
1000+68.97 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC073N12LM6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >100-150V
на замовлення 6306 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+224.71 грн
10+143.69 грн
100+86.98 грн
500+74.56 грн
1000+73.87 грн
2500+70.41 грн
5000+69.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC073N12LM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 60 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC078N12NM6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 1963 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+227.12 грн
10+146.87 грн
100+89.05 грн
500+73.87 грн
1000+71.11 грн
5000+63.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC078N12NM6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISC078N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 85 A, 7800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+219.07 грн
10+141.75 грн
100+99.06 грн
500+70.90 грн
1000+62.54 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC078N12NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.2A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 37A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 49.6µA
Supplier Device Package: SuperSO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 60 V
на замовлення 4885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+219.79 грн
10+137.53 грн
100+95.13 грн
500+72.27 грн
1000+66.80 грн
2000+62.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC078N12NM6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISC078N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 85 A, 7800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+99.06 грн
500+70.90 грн
1000+62.54 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC078N12NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.2A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 37A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 49.6µA
Supplier Device Package: SuperSO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 60 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC079N15NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 77µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 165W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 36A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.8A (Ta), 95A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC079N15NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 77µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 165W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 36A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.8A (Ta), 95A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+298.23 грн
10+202.75 грн
100+157.16 грн
500+124.29 грн
1000+115.33 грн
2000+114.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC079N15NM6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 1826 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+272.22 грн
10+197.68 грн
25+152.57 грн
100+133.24 грн
250+122.19 грн
500+115.29 грн
1000+106.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC0802NLSATMA1Infineon TechnologiesISC0802NLSATMA1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC0802NLSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 22A/150A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 92µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5190 pF @ 50 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+40.29 грн
10000+36.50 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC0802NLSATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
на замовлення 1034 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+218.26 грн
10+178.63 грн
100+123.57 грн
250+120.81 грн
500+104.93 грн
1000+84.91 грн
5000+81.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC0802NLSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISC0802NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 3600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
на замовлення 702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+92.62 грн
250+74.42 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC0802NLSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 22A/150A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 92µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5190 pF @ 50 V
на замовлення 12559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+150.67 грн
10+92.89 грн
100+62.94 грн
500+47.04 грн
1000+43.18 грн
2000+41.93 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC0802NLSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISC0802NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 3600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
на замовлення 702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+115.98 грн
50+92.62 грн
250+74.42 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC0803NLSATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V PG-TDSON-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 12 14 16 18 20 22 23  [ Наступна Сторінка >> ]