Продукція > MSC

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 12 14 16 18 20 22 24  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
MSC035SMA170B4Microchip TechnologyTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 68A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+4169.64 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC035SMA170B4MICROCHIPDescription: MICROCHIP - MSC035SMA170B4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 1.7 kV, 0.035 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.25V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2945.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC035SMA170B4Microchip TechnologyTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 68A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+3936.61 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC035SMA170SMicrochip TechnologyDescription: MOSFET SIC 1700V 35 MOHM TO-268
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D3Pak
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.25V @ 2.5mA (Typ)
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 30A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Bulk
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3101.55 грн
25+2753.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC035SMA170SMicrochip TechnologySilicon Carbide N-Channel Power MOSFET
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+5842.21 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC035SMA170SMicrochip TechnologySiC MOSFETs MOSFET SIC 1700 V 35 mOhm TO-268
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSC035SMA170SMicrochip TechnologySilicon Carbide N-Channel Power MOSFET
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+3795.17 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC035SMA170SMicrochipMOSFET SIC 1700 V 35 mOhm TO-268 Силові MOSFET-модулі
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSC040SMA120BMicrosemiTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 64A Tube
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+2281.82 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC040SMA120BMicrochip TechnologySiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm TO-247
на замовлення 169 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSC040SMA120BMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC040SMA120BMicrosemiSICFET N-CH 1200V 66A TO247-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSC040SMA120BMICROCHIPDescription: MICROCHIP - MSC040SMA120B - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 66 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 323W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1446.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC040SMA120BMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+2936.46 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC040SMA120BMicrochip TechnologyDescription: SICFET N-CH 1200V 66A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 323W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 1000 V
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1822.37 грн
25+1617.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC040SMA120BMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+2143.78 грн
25+2064.31 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC040SMA120BMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC040SMA120B4Microchip Technology1200V Silicon Carbide (SiC) MOSFET
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+2660.78 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC040SMA120B4MICROCHIPDescription: MICROCHIP - MSC040SMA120B4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 66 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 323W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1326.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC040SMA120B4Microchip Technology1200V Silicon Carbide (SiC) MOSFET
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+2118.34 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC040SMA120B4Microchip TechnologyDescription: SICFET N-CH 1200V 66A TO247-4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 2mA
Power Dissipation (Max): 323W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 40A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1313.67 грн
25+1166.59 грн
100+1015.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC040SMA120B4Microchip Technology1200V Silicon Carbide (SiC) MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC040SMA120B4Microchip Technology1200V Silicon Carbide (SiC) MOSFET
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+2027.24 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC040SMA120B4Microchip Technology1200V Silicon Carbide (SiC) MOSFET
на замовлення 134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+1645.36 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC040SMA120B4Microchip Technology1200V Silicon Carbide (SiC) MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC040SMA120B4Microchip Technology1200V Silicon Carbide (SiC) MOSFET
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1825.17 грн
10+1687.89 грн
30+1646.21 грн
60+1550.77 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC040SMA120B4Microchip TechnologySiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm TO-247-4
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSC040SMA120B4NMicrochip TechnologyN-Channel MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC040SMA120B4NMicrochip TechnologySiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm TO-247-4 Notch
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSC040SMA120B4NMicrochip TechnologyDescription: MOSFET SIC 1200 V 40 MOHM TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 372W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1962 pF @ 1000 V
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1330.92 грн
25+1181.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC040SMA120D/SMicrochip TechnologyDescription: MOSFET SIC 1200 V 40 MOHM DIE
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSC040SMA120D/TMicrochip TechnologySiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm DIE TAPE & REEL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC040SMA120JMicrochip TechnologyDescription: SICFET N-CH 1200V 53A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-227 (ISOTOP®)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 1000 V
на замовлення 603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2713.57 грн
25+2409.45 грн
100+1969.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC040SMA120JMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 53A 4-Pin SOT-227 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+4795.71 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC040SMA120JMicrochip TechnologyMOSFET Modules MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm SOT-227
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSC040SMA120JMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 53A 4-Pin SOT-227 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC040SMA120SMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 64A 3-Pin(2+Tab) D3PAK Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC040SMA120SMicrochip TechnologySiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm TO-268
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSC040SMA120SMicrochip TechnologyDescription: SICFET N-CH 1200V 64A TO268
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D3Pak
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 2mA
Power Dissipation (Max): 303W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 40A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1891.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC040SMA120SMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 64A 3-Pin(2+Tab) D3PAK Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+3049.89 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC040SMA120S/TRMicrochip TechnologyDescription: MOSFET SIC 1200 V 40 MOHM TO-268
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 303W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-268
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC040SMA120S/TRMicrochip TechnologyDescription: MOSFET SIC 1200 V 40 MOHM TO-268
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 303W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-268
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 1000 V
на замовлення 397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1961.10 грн
25+1741.56 грн
100+1515.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC040SMA120S/TRMicrochip TechnologySiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm TO-268, TAPE & REEL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC040SMA120SCT/RMicrochip TechnologySiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm PSMT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC040SMA120SDT/RMicrochip TechnologyDescription: MOSFET SIC 1200 V 40 MOHM TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 338W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-268
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1962 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSC040SMA120SDT/RMicrochip TechnologySiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm TO-263-7 XL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC040SMA120SDT/RMMicrochip Technology MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm TO-263-7L-XL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC040SMB120BMicrochip TechnologySiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm TO-247-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC040SMB120B4NMICROCHIPDescription: MICROCHIP - MSC040SMB120B4N - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 1.2 kV, 0.053 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 256W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: mSiC Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+673.04 грн
25+647.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC040SMB120B4NMicrochip TechnologySiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm TO-247-4 Notch
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSC040SMB120QMicrochip TechnologySiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm, QDPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 91 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC040SMB120QT/RMicrochip TechnologySiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm, QDPAK, Full Reel
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC040SMB120SDT/RMicrochip TechnologySiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm TO-263-7 XL Full Reel
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC040SMB120SDT/RMMicrochip TechnologySiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm TO-263-7 XL Mini Reel
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC045SMA170BMicrochip / MicrosemiMOSFET UNRLS, FG, SIC MOSFET, TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSC045SMA170SMicrochip / MicrosemiMOSFET UNRLS, FG, SIC MOSFET, TO-268
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC045SMB120B4NMICROCHIPDescription: MICROCHIP - MSC045SMB120B4N - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 49 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 237W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: mSiC Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+622.64 грн
25+599.07 грн
100+574.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC045SMB120B4NMicrochip TechnologySiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 45 mOhm TO-247-4 Notch
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSC050SDA070BMicrochip TechnologyZero Recovery Silicon Carbide Schottky Diode
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+1048.32 грн
30+958.27 грн
120+845.40 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC050SDA070BMicrochip TechnologyZero Recovery Silicon Carbide Schottky Diode
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1048.32 грн
30+958.27 грн
120+845.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC050SDA070BMicrochip TechnologyZero Recovery Silicon Carbide Schottky Diode
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+1051.33 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC050SDA070BMicrochip TechnologySiC Schottky Diodes 700 V, 50 A SiC SBD
на замовлення 357 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSC050SDA070BMicrochip TechnologyZero Recovery Silicon Carbide Schottky Diode
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSC050SDA070BMicrochip TechnologyZero Recovery Silicon Carbide Schottky Diode
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+983.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC050SDA070BMicrochip TechnologyZero Recovery Silicon Carbide Schottky Diode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC050SDA070BMicrochip TechnologyZero Recovery Silicon Carbide Schottky Diode
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1227.23 грн
60+1118.00 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC050SDA070BMicrochip TechnologyDescription: DIODE SIL CARBIDE 700V 50A TO247
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 700 V
Supplier Device Package: TO-247
Current - Average Rectified (Io): 50A
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+828.49 грн
25+735.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC050SDA070BCTMicrochip / MicrosemiSchottky Diodes & Rectifiers SIC SBD 700 V 50 A TO-247
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSC050SDA070BCTMicrochip TechnologyDescription: DIODE SIL CARB 700V 88A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2034pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 88A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 700 V
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+772.06 грн
25+685.53 грн
100+596.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC050SDA070SMicrochip TechnologyDescription: DIODE SIL CARBIDE 700V 88A D3PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2034pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 88A
Supplier Device Package: D3Pak
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 700 V
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+449.91 грн
25+399.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC050SDA070SMicrosemiRectifier Diode Schottky SiC 700V 88A 3-Pin(2+Tab) TO-268 Tube
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+1140.91 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC050SDA070SMicrochip TechnologySiC Schottky Diodes 700V, 50A SiC SBD
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSC050SDA120BMicrochip TechnologySiC Schottky Diodes SIC SBD 1200 V 50 A TO-247
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSC050SDA120BMicrochip TechnologyDescription: DIODE SIC 1.2KV 109A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 246pF @ 400V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 109A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1254.89 грн
25+1114.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC050SDA120BCTMicrochip TechnologyDescription: DIODE SIL CARB 1200V 109A TO2473
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 246pF @ 400V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 109A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2203.30 грн
25+1956.04 грн
100+1702.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC050SDA120BCTMicrochip TechnologySiC Schottky Diodes SIC SBD 1200 V 50 A TO-247
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSC050SDA120SMicrochip TechnologySiC Schottky Diodes SIC SBD 1200 V 50 A TO-268
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSC050SDA120SMicrochip TechnologyDescription: DIODE SIL CARB 1.2KV 50A D3PAK
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Supplier Device Package: D3Pak
Current - Average Rectified (Io): 50A
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1324.65 грн
25+1175.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC050SDA170BMicrochip TechnologySiC Schottky Diodes SIC SBD 1700 V 50 A TO-247
на замовлення 376 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSC050SDA170BMicrochip TechnologyDiode Schottky SiC 1.7KV 136A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+5014.58 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC050SDA170BMicrochip TechnologyDescription: DIODE SIC 1.7KV 136A TO247-3
Capacitance @ Vr, F: 4450pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Average Rectified (Io): 136A
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3160.34 грн
25+2806.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC050SDA170BMICROCHIPDescription: MICROCHIP - MSC050SDA170B - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.7 kV, 50 A, 410 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 410nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 50A
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1.7kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3002.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC060SMA070BMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH SiC 700V 39A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC060SMA070BMicrochip TechnologyDescription: SICFET N-CH 700V 39A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1175 pF @ 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 20A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+374.66 грн
25+332.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC060SMA070BMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH SiC 700V 39A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1184.45 грн
60+1100.45 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC060SMA070BMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH SiC 700V 39A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1705.42 грн
10+1584.92 грн
25+1513.07 грн
50+835.40 грн
100+752.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC060SMA070BMicrochip TechnologySiC MOSFETs MOSFET SIC 700 V 60 mOhm TO-247
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSC060SMA070BMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH SiC 700V 39A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1189.06 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC060SMA070BMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH SiC 700V 39A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+851.76 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC060SMA070B4Microchip TechnologyTrans MOSFET N-CH SiC 700V 39A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+875.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC060SMA070B4Microchip TechnologySiC MOSFETs MOSFET SIC 700 V 60 mOhm TO-247-4
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSC060SMA070B4Microchip TechnologyTrans MOSFET N-CH SiC 700V 39A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1222.17 грн
60+1138.80 грн
120+1075.61 грн
180+989.92 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC060SMA070B4MICROCHIPDescription: MICROCHIP - MSC060SMA070B4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 39 A, 700 V, 0.06 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 143W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 143W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.06ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+757.57 грн
25+699.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC060SMA070B4Microchip TechnologyTrans MOSFET N-CH SiC 700V 39A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+875.35 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC060SMA070B4Microchip TechnologyTrans MOSFET N-CH SiC 700V 39A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC060SMA070B4Microchip TechnologyDescription: TRANS SJT N-CH 700V 39A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1175 pF @ 700 V
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+439.72 грн
25+390.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC060SMA070B4Microchip TechnologyTrans MOSFET N-CH SiC 700V 39A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+933.47 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC060SMA070B4NMicrochip TechnologyDescription: MOSFET SIC 700 V 60 MOHM TO-247-
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+384.85 грн
25+342.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC060SMA070B4NMicrochip TechnologySiC MOSFETs MOSFET SIC 700 V 60 mOhm TO-247-4 Notch
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSC060SMA070D/TMicrochip TechnologySiC MOSFETs MOSFET SIC 700 V 60 mOhm DIE TAPE & REEL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 12 14 16 18 20 22 24  [ Наступна Сторінка >> ]