Продукція > FGH

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FGH75T65UPDONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 187W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 385nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65UPDonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 150A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/166ns
Switching Energy: 2.85mJ (on), 1.2mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 385 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 375 W
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+513.40 грн
30+286.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65UPDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65UPDonsemiIGBTs 650V 150A 187W
на замовлення 332 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65UPDON-SemiconductorTrans IGBT ; 650V; 20V; 150A; 225A; 375W; 4,0~7,5V; 578nC; -55°C~175°C; Replacement: FGH75T65UPD-F085; FGH75T65UPD-F155; FGH75T65UPD TO247AB TFGH75T65upd
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+363.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65UPDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65UPD-F085onsemiIGBTs 650V/75A FS TRENCH IGBT
на замовлення 858 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65UPD-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FGH75T65UPD-F085 - IGBT, 150 A, 1.69 V, 375 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.69V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 150A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+784.40 грн
5+624.26 грн
10+464.13 грн
50+398.53 грн
100+337.21 грн
250+330.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65UPD-F085ON Semiconductor
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65UPD-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65UPD-F085ONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 187W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 385nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65UPD-F085onsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 150A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/166ns
Switching Energy: 2.85mJ (on), 1.2mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 578 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 375 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+668.59 грн
30+381.09 грн
120+365.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65UPD-F155ON SemiconductorField Stop Trench IGBT Chip Transistor
на замовлення 312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
84+424.30 грн
100+403.09 грн
Мінімальне замовлення: 84 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65UPD-F155ONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 187W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 385nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65UPD-F155onsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 150A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 42ns/216ns
Switching Energy: 3.68mJ (on), 1.6mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 68 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 375 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65UPD-F155onsemiIGBTs 650V,75A Field Stop Trench IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH80N60FDonsemiIGBTs FSPIGBT TO247 80A 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH80N60FD2onsemiIGBTs FSPIGBT TO247 80A 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH80N60FD2TUonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 61 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/126ns
Switching Energy: 1mJ (on), 520µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 290 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8550 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGH80N60FD2TUonsemi / FairchildIGBT Transistors 600V 80A Field Stop
на замовлення 869 шт:
термін постачання 501-510 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGH80N60FD2TUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+254.21 грн
Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGH80N60FD2TU(транзистор)
Код товару: 61002
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH80N60FDTUONS/FAITO-247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH80N60FDTUonsemiIGBTs 600V Field Stop
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH80N60FDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGH80N60FDTU
Код товару: 155558
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH80N60FDTUonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 36 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/126ns
Switching Energy: 1mJ (on), 520µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 290 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH80N60FDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGH80N60FDTUONSEMIDescription: ONSEMI - FGH80N60FDTU - IGBT, Universal, 80 A, 1.8 V, 290 W, 600 V, TO-247AB, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8
DC-Kollektorstrom: 80
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247AB
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 290
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL25T120RWDonsemiDescription: 1200V, 25A TRENCH FIELD STOP VII
Power - Max: 468 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Gate Charge: 113 nC
Test Condition: 600V, 25A, 4.7Ohm, 15V
Switching Energy: 1.57mJ (on), 1.06mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 36.9ns/175ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.73V @ 15V, 25A
Reverse Recovery Time (trr): 173 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+398.18 грн
10+256.70 грн
450+155.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL25T120RWDonsemiIGBTs FS7 1200V 25A SCR IGBT TO247 3L COPACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL40S65UQON SemiconductorIGBT Transistors IGBT, 650 V, 40 A
на замовлення 367 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL40S65UQON Semiconductor
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL40S65UQON SemiconductorDescription: IGBT 650V 40A
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+200.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL40T120RWDonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 1200V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 248 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40.3A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 38ns/184ns
Switching Energy: 2.9mJ (on), 2.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 174 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 600 W
на замовлення 6427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+562.00 грн
30+315.32 грн
120+265.66 грн
510+220.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL40T120RWDONSEMIDescription: ONSEMI - FGHL40T120RWD - IGBT, 80 A, 1.49 V, 600 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.49V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench Field Stop VII Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+640.52 грн
5+508.84 грн
10+376.35 грн
50+332.11 грн
100+290.53 грн
250+274.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL40T120RWDONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 174nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL40T120RWDonsemiIGBTs 1200V, 40A Trench Field Stop VII (FS7) Discrete IGBT
на замовлення 301 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL40T120SWDonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 1200V 70A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 185 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/118ns
Switching Energy: 2.4mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 118 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 469 W
на замовлення 24900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+410.72 грн
30+224.80 грн
120+187.13 грн
510+149.70 грн
1020+145.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL40T120SWDONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 234W; TO247-3
Collector current: 40A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Power dissipation: 234W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Mounting: THT
Gate charge: 118nC
на замовлення 413 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+276.37 грн
3+232.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL40T120SWDonsemiIGBTs 1200V, 40A Field Stop VII (FS7) Discrete IGBT Fast Switching
на замовлення 387 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL40T65LQDTonsemiIGBTs FS4 LOW VCESAT IGBT 650V 40A TO247-3L WITH FULL RATED CURRENT DIODE
на замовлення 392 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL40T65LQDTonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 60A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 84 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/364ns
Switching Energy: 620µJ (on), 1.03mJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 414 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 273 W
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+363.69 грн
30+197.28 грн
120+163.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL40T65MQDONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 119W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 119W
Pulsed collector current: 160A
Gate charge: 86nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL40T65MQDonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 33 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/109ns
Switching Energy: 860µJ (on), 520µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 86 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 238 W
на замовлення 1026 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+347.23 грн
10+222.43 грн
450+133.16 грн
900+116.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL40T65MQDON Semiconductor
на замовлення 152 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL40T65MQDON Semiconductor650 V, 40 A Field Stop Trench IGBT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL40T65MQDonsemiIGBTs 650 V 40 A FS4
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL40T65MQDTON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 60A 238000mW Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL40T65MQDTONSEMIDescription: ONSEMI - FGHL40T65MQDT - IGBT, 60 A, 1.45 V, 238 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 238W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 7070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+351.96 грн
10+193.46 грн
100+180.45 грн
500+155.49 грн
1000+133.07 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL40T65MQDTonsemiIGBTs FS4 MID SPEED IGBT 650V 40A TO247-3L WITH FULL RATED CURRENT DIODE
на замовлення 354 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL40T65MQDTONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 119W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 119W
Pulsed collector current: 160A
Gate charge: 80nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL40T65MQDTonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 60A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 86 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/75ns
Switching Energy: 880µJ (on), 490µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 80 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 238 W
на замовлення 359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+357.42 грн
30+193.20 грн
120+160.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL50T65LQDTONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 170W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Type of transistor: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Power dissipation: 170W
Pulsed collector current: 200A
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 509nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL50T65LQDTonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 31ns/408ns
Switching Energy: 510µJ (on), 880µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 509 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 341 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL50T65LQDTonsemiIGBTs FS4 LOW VCESAT IGBT 650V
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL50T65LQDTL4onsemiIGBTs FS4 LOW VCESAT IGBT 650V
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL50T65LQDTL4onsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/424ns
Switching Energy: 410µJ (on), 860µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 509 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 341 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL50T65MQDonsemiIGBTs 650 V 50 A FS4
на замовлення 404 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL50T65MQDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL50T65MQDonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 32 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/120ns
Switching Energy: 1.05mJ (on), 700µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 94 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 268 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL50T65MQDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 82750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
132+269.91 грн
500+259.30 грн
1000+243.98 грн
Мінімальне замовлення: 132 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL50T65MQDONN
на замовлення 402 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL50T65MQDONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Type of transistor: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Power dissipation: 134W
Pulsed collector current: 200A
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 94nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL50T65MQDTonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 79 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/90ns
Switching Energy: 1.19mJ (on), 630µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 99 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 268 W
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+406.02 грн
30+222.16 грн
120+184.94 грн
510+147.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL50T65MQDTONN
на замовлення 700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL50T65MQDTONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Type of transistor: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Power dissipation: 134W
Pulsed collector current: 200A
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 99nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL50T65MQDTonsemiIGBTs FS4 MID SPEED IGBT 650V 50A TO247-3L WITH FULL RATED CURRENT DIODE
на замовлення 1573 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL50T65MQDTONSEMIDescription: ONSEMI - FGHL50T65MQDT - IGBT, 80 A, 1.45 V, 268 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Verlustleistung: 268W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+352.77 грн
10+217.84 грн
100+195.90 грн
500+160.77 грн
1000+131.68 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL50T65MQDTON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL50T65MQDTL4ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+322.28 грн
50+284.66 грн
53+271.27 грн
54+253.49 грн
100+232.36 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL50T65MQDTL4onsemiIGBTs FS4 MID SPEED IGBT 650V 50A TO247-4L WITH FULL RATED CURRENT DIODE
на замовлення 321 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL50T65MQDTL4ONSEMIDescription: ONSEMI - FGHL50T65MQDTL4 - IGBT, 80 A, 1.45 V, 268 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Verlustleistung: 268W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+374.72 грн
10+257.67 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL50T65MQDTL4ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+322.28 грн
10+284.66 грн
25+271.27 грн
50+253.49 грн
100+232.36 грн
250+214.58 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL50T65MQDTL4onsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 79 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/336ns
Switching Energy: 1mJ (on), 850µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 30Ohm, 15V
Gate Charge: 99 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 268 W
на замовлення 3809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+438.15 грн
10+283.87 грн
450+174.08 грн
900+158.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL50T65SQON SemiconductorIGBT Chip for PFC Applications
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+246.00 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL50T65SQonsemiDescription: IGBT 650V 100A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/93ns
Switching Energy: 410µJ (on), 88µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 99 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 268 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL50T65SQON SemiconductorIGBT Chip for PFC Applications
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL50T65SQON SemiconductorIGBT Chip for PFC Applications
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+246.00 грн
Мінімальне замовлення: 58 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL50T65SQonsemiIGBTs FS4TIGBT 50A 650V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL50T65SQONSEMIDescription: ONSEMI - FGHL50T65SQ - IGBT, 100 A, 1.6 V, 268 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 268W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 100A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+336.52 грн
10+195.90 грн
100+184.52 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL50T65SQDTONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Type of transistor: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Power dissipation: 134W
Pulsed collector current: 200A
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 99.7nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL50T65SQDTON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 100A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL50T65SQDTonsemiIGBTs 650 FS4 HI SPEED 50 A WITH FULL RATING FRD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL50T65SQDTONSEMIDescription: ONSEMI - FGHL50T65SQDT - IGBT, 100 A, 1.47 V, 268 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Verlustleistung: 268
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.47
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL50T65SQDTonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 100A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22.8ns/70ns
Switching Energy: 223µJ (on), 91.13µJ (off)
Test Condition: 400V, 12.5A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 99.7 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 268 W
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+426.40 грн
30+233.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL60T120RWDonsemiIGBTs 1200V/60A FS7 IGBT SCR TO247
на замовлення 465 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL60T120RWDONSEMIDescription: ONSEMI - FGHL60T120RWD - IGBT, 120 A, 1.48 V, 833 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.48V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 833W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 120A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench Field Stop VII Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+787.65 грн
5+629.14 грн
10+472.26 грн
50+437.78 грн
100+403.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL60T120RWDonsemiDescription: IGBT FS 1200V 120A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 257 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 51ns/250ns
Switching Energy: 4.5mJ (on), 3.4mJ (off)
Test Condition: 600V, 60A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 256 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 833 W
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+683.49 грн
30+389.87 грн
120+331.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL75T65LQDTON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 469000mW Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL75T65LQDTONN
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL75T65LQDTonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 152 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 48ns/568ns
Switching Energy: 1.88mJ (on), 2.38mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 793 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 469 W
на замовлення 213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+560.43 грн
10+367.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL75T65LQDTONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 234W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 234W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 793nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL75T65LQDTonsemiIGBTs FS4 LOW VCESAT IGBT 650V 75A TO247-3L WITH FULL RATED CURRENT DIODE
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL75T65LQDTONSEMIDescription: ONSEMI - FGHL75T65LQDT - IGBT, 80 A, 1.15 V, 469 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.15V
Verlustleistung: 469W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+587.69 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL75T65LQDTL4onsemiIGBTs FS4 LOW VCESAT IGBT 650V 75A TO247-4L WITH FULL RATED CURRENT DIODE
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL75T65LQDTL4ONSEMIDescription: ONSEMI - FGHL75T65LQDTL4 - IGBT, 80 A, 1.15 V, 469 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.15V
Verlustleistung: 469W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+570.62 грн
5+451.13 грн
10+331.64 грн
50+283.04 грн
100+244.55 грн
250+227.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL75T65LQDTL4ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 469000mW Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL75T65LQDTL4onsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 87 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/548ns
Switching Energy: 1.01mJ (on), 2.53mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 779 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 469 W
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+587.86 грн
30+331.48 грн
120+279.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL75T65MQDONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 188W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 188W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7  [ Наступна Сторінка >> ]