Продукція > VS-

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 17 34 51 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 85 102 119 136 153 170 176  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
VS-36MT80VS-36MT80 36MT80 Three-phase 35A, 800V, D-63 Силові випрямляючі мости
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-36MT80VISHAYCategory: Three phase diode bridge rectifiers
Description: Bridge rectifier: three-phase; Urmax: 800V; If: 35A; Ifsm: 475A; THT
Type of bridge rectifier: three-phase
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 35A
Max. forward impulse current: 475A
Electrical mounting: THT
Leads: connectors FASTON
Case: D-63
Version: square
Max. forward voltage: 1.19V
Kind of package: bulk
Leads dimensions: 6.3x0.8mm
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1269.99 грн
3+1044.38 грн
5+962.94 грн
10+928.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-36MT80 (діодний міст)
Код товару: 35799
Додати до обраних Обраний товар
VishayДіоди, діодні мости, стабілітрони > Діодні мости та збірки
Корпус: D-34A (D-63, MB, SKBPC)
Напруга зворотна Uзвор, В: 800 В
Струм прямий Iпр, А: 35 А
Тип діодного моста: Трифазний
Може замінити:: SKBPC35-08
УКТЗЕД: 8541 10 00 10
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C01EJ12-M3/HVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: RECTIFIER, SIC, 1200V, 1A, SINGL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C01EJ12-M3/HVishaySiC Schottky Diodes RECT 1.2KV 1A SM SIC SKY
на замовлення 4149 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C01EJ12-M3/HVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: RECTIFIER, SIC, 1200V, 1A, SINGL
на замовлення 2731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.54 грн
10+51.92 грн
25+46.91 грн
100+38.85 грн
250+36.37 грн
500+34.88 грн
1000+33.78 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C02EJ07-M3/HVishaySiC Schottky Diodes RECT 650V 2A SM SIC SKY
на замовлення 5629 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C02EJ07-M3/HVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: RECTIFIER, SIC, 650V, 2A, SINGLE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Diode Type: Schottky - Single
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 12.5pF @ 400V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 650V
Supplier Device Package: DO-221AC (SlimSMA)
Current - Max: 2 A
Power Dissipation (Max): 12.5 W
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3500+35.58 грн
Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C02EJ07-M3/HVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: RECTIFIER, SIC, 650V, 2A, SINGLE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Diode Type: Schottky - Single
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 12.5pF @ 400V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 650V
Supplier Device Package: DO-221AC (SlimSMA)
Current - Max: 2 A
Power Dissipation (Max): 12.5 W
на замовлення 4110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.33 грн
10+52.30 грн
25+47.22 грн
100+39.10 грн
250+36.61 грн
500+35.10 грн
1000+34.00 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C02EJ12-M3/HVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: RECTIFIER, SIC, 1200V, 2A, SINGL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Diode Type: Schottky - Single
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 9.5pF @ 800V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 1200V
Supplier Device Package: DO-221AC (SlimSMA)
Current - Max: 2 A
Power Dissipation (Max): 12.5 W
на замовлення 5069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.35 грн
10+82.69 грн
25+75.13 грн
100+62.71 грн
250+58.99 грн
500+56.98 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C02EJ12-M3/HVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: RECTIFIER, SIC, 1200V, 2A, SINGL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Diode Type: Schottky - Single
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 9.5pF @ 800V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 1200V
Supplier Device Package: DO-221AC (SlimSMA)
Current - Max: 2 A
Power Dissipation (Max): 12.5 W
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3500+57.95 грн
Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C04ED07T-M3/IVISHAYDescription: VISHAY - VS-3C04ED07T-M3/I - SiC-Schottky-Diode, eSMP Series, Einfach, 650 V, 4 A, 12 nC, SMPD
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
Kapazitive Gesamtladung: 12nC
rohsCompliant: YES
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
hazardous: false
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C04ED07T-M3/IVISHAYDescription: VISHAY - VS-3C04ED07T-M3/I - SiC-Schottky-Diode, eSMP Series, Einfach, 650 V, 4 A, 12 nC, SMPD
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SMPD
Kapazitive Gesamtladung: 12nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: eSMP Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C04ED07T-M3/IVishaySiC Schottky Diodes SIC-G3-SMPD 2L 4A 650V
на замовлення 1910 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C04ET07S2L-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE SIL CARB 650V 4A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 175pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 650 V
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+247.39 грн
10+155.16 грн
50+119.34 грн
100+101.19 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C04ET07S2L-M3VISHAYCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 650V; 4A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: D2PAK
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 29A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C04ET07S2L-M3Vishay SemiconductorsSiC Schottky Diodes SILICON CARBIDE DIODE - D2-PAK
на замовлення 1499 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C04ET07S2L-M3VISHAYDescription: VISHAY - VS-3C04ET07S2L-M3 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 12 nC, TO-263AB (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263AB (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 12nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C04ET07S2L-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE SIL CARB 650V 4A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 175pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 650 V
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+86.27 грн
2400+74.35 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C04ET07S2L-M3VISHAYDescription: VISHAY - VS-3C04ET07S2L-M3 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 12 nC, TO-263AB (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263AB (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 12nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C04ET07T-M3VISHAYCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.85V
Max. forward impulse current: 26A
Kind of package: tube
на замовлення 990 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+191.87 грн
10+151.86 грн
20+129.81 грн
50+91.63 грн
100+88.23 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C04ET07T-M3Vishay SemiconductorsSiC Schottky Diodes RECT 650V 4A RDL POWER SIC
на замовлення 1065 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C04ET07T-M3VISHAYDescription: VISHAY - VS-3C04ET07T-M3 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Kathode, 650 V, 4 A, 12 nC, TO-220AC
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Kapazitive Gesamtladung: 12nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Kathode
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C04ET07T-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 175pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 650 V
на замовлення 1962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+169.69 грн
50+131.42 грн
100+108.13 грн
500+85.86 грн
1000+72.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C04EV07T-M3/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE SIL CARB 650V 4A SLIMDPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 175pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: SlimDPAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 650 V
на замовлення 4120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+157.00 грн
10+108.12 грн
100+81.72 грн
500+63.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C04EV07T-M3/IVISHAYDescription: VISHAY - VS-3C04EV07T-M3/I - SiC-Schottky-Diode, eSMP Series, Einfach, 650 V, 4 A, 12 nC, SlimDPAK
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
Kapazitive Gesamtladung: 12nC
rohsCompliant: YES
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
hazardous: false
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C04EV07T-M3/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE SIL CARB 650V 4A SLIMDPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 175pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: SlimDPAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 650 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C04EV07T-M3/IVishay SemiconductorsSiC Schottky Diodes SIC-G3-SLIMDPAK 2L
на замовлення 12014 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C04EV07T-M3/IVISHAYDescription: VISHAY - VS-3C04EV07T-M3/I - SiC-Schottky-Diode, eSMP Series, Einfach, 650 V, 4 A, 12 nC, SlimDPAK
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SlimDPAK
Kapazitive Gesamtladung: 12nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: eSMP Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C05ET12S2L-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE SIL CARB 1200V 5A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Schottky - Single
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 800V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 1200V
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Current - Max: 5 A
Power Dissipation (Max): 60 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 1200 V
на замовлення 796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+362.37 грн
10+230.82 грн
100+163.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C05ET12S2L-M3VishaySiC Schottky Diodes SILICON CARBIDE DIODE - D2-PAK
на замовлення 1318 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C05ET12S2L-M3VISHAYCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 1.2kV; 5A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 5A
Semiconductor structure: single diode
Case: D2PAK
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 42A
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 30µA
Power dissipation: 60W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C05ET12S2L-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE SIL CARB 1200V 5A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Schottky - Single
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 800V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 1200V
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Current - Max: 5 A
Power Dissipation (Max): 60 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C05ET12T-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE SIL CARB 1200V 5A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Schottky - Single
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 800V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 1200V
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Current - Max: 5 A
Power Dissipation (Max): 60 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 1200 V
на замовлення 939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+316.38 грн
50+169.56 грн
100+155.80 грн
500+123.75 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C05ET12T-M3VishaySiC Schottky Diodes SIC 1.2KV 5A GEN 3 SCHOTTKY
на замовлення 1810 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C06ED07T-M3/IVishaySchottky Diodes & Rectifiers SIC-G3-SMPD 2L 6A 650V
на замовлення 1998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C06ED07T-M3/IVISHAYDescription: VISHAY - VS-3C06ED07T-M3/I - SiC-Schottky-Diode, eSMP Series, Einfach, 650 V, 6 A, 17 nC, SMPD
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SMPD
Kapazitive Gesamtladung: 17nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: eSMP Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C06ED07T-M3/IVISHAYDescription: VISHAY - VS-3C06ED07T-M3/I - SiC-Schottky-Diode, eSMP Series, Einfach, 650 V, 6 A, 17 nC, SMPD
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
Kapazitive Gesamtladung: 17nC
rohsCompliant: YES
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
hazardous: false
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C06ET07S2L-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 255pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 35 µA @ 650 V
на замовлення 1598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+251.36 грн
10+217.31 грн
100+178.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C06ET07S2L-M3Vishay SemiconductorsSiC Schottky Diodes RECT 650V 6A SM POWER SIC
на замовлення 1269 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C06ET07S2L-M3VISHAYDescription: VISHAY - VS-3C06ET07S2L-M3 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 17 nC, TO-263AB (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263AB (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 17nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C06ET07S2L-M3VISHAYCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 650V; 6A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Case: D2PAK
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 42A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C06ET07S2L-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 255pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 35 µA @ 650 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+161.99 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C06ET07S2L-M3VISHAYDescription: VISHAY - VS-3C06ET07S2L-M3 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 17 nC, TO-263AB (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263AB (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 17nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C06ET07T-M3VISHAYDescription: VISHAY - VS-3C06ET07T-M3 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Kathode, 650 V, 6 A, 17 nC, TO-220AC
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Kapazitive Gesamtladung: 17nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C06ET07T-M3Vishay SemiconductorsSiC Schottky Diodes RECT 650V 6A RDL POWER SIC
на замовлення 986 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C06ET07T-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 255pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 35 µA @ 650 V
на замовлення 3370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+205.37 грн
50+156.45 грн
100+134.10 грн
500+111.86 грн
1000+95.78 грн
2000+90.19 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C06ET07T-M3VISHAYCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220-2; Ufmax: 1.5V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 42A
Kind of package: tube
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+210.14 грн
10+138.29 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C06EV07T-M3/IVishay SemiconductorsSiC Schottky Diodes SIC-G3-SLIMDPAK 2L
на замовлення 11206 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C06EV07T-M3/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE SIL CARB 650V 6A SLIMDPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 255pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: SlimDPAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 47 µA @ 650 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C06EV07T-M3/IVISHAYDescription: VISHAY - VS-3C06EV07T-M3/I - SiC-Schottky-Diode, eSMP Series, Einfach, 650 V, 6 A, 17 nC, SlimDPAK
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SlimDPAK
Kapazitive Gesamtladung: 17nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: eSMP Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C06EV07T-M3/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE SIL CARB 650V 6A SLIMDPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 255pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: SlimDPAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 47 µA @ 650 V
на замовлення 4332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+195.06 грн
10+143.01 грн
100+105.99 грн
500+85.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C06EV07T-M3/IVISHAYDescription: VISHAY - VS-3C06EV07T-M3/I - SiC-Schottky-Diode, eSMP Series, Einfach, 650 V, 6 A, 17 nC, SlimDPAK
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
Kapazitive Gesamtladung: 17nC
rohsCompliant: YES
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
hazardous: false
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C08ED07T-M3/IVISHAYDescription: VISHAY - VS-3C08ED07T-M3/I - SiC-Schottky-Diode, eSMP Series, Einfach, 650 V, 8 A, 22 nC, SMPD
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
Kapazitive Gesamtladung: 22nC
rohsCompliant: YES
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C08ED07T-M3/IVISHAYDescription: VISHAY - VS-3C08ED07T-M3/I - SiC-Schottky-Diode, eSMP Series, Einfach, 650 V, 8 A, 22 nC, SMPD
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SMPD
Kapazitive Gesamtladung: 22nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: eSMP Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C08ED07T-M3/IVishaySiC Schottky Diodes SIC-G3-SMPD 2L 8A 650V
на замовлення 1677 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C08ET07S2L-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 340pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 45 µA @ 650 V
на замовлення 2376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+290.21 грн
10+234.80 грн
100+189.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C08ET07S2L-M3Vishay SemiconductorsSiC Schottky Diodes RECT 650V 8A SM POWER SIC
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C08ET07S2L-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 340pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 45 µA @ 650 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+132.83 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C08ET07S2L-M3VISHAYCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 650V; 8A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: D2PAK
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 54A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C08ET07T-M3Vishay SemiconductorsSiC Schottky Diodes RECT 650V 8A RDL POWER SIC
на замовлення 1325 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C08ET07T-M3VISHAYCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220-2; Ufmax: 1.5V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 54A
Kind of package: tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+230.24 грн
10+184.10 грн
25+181.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C08ET07T-M3VISHAYDescription: VISHAY - VS-3C08ET07T-M3 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Kathode, 650 V, 8 A, 22 nC, TO-220AC
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Kapazitive Gesamtladung: 22nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Kathode
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C08ET07T-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 340pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 45 µA @ 650 V
на замовлення 1934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+189.51 грн
50+144.76 грн
100+124.07 грн
500+113.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C08EV07T-M3/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE SIL CARB 650V 8A SLIMDPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 340pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: SlimDPAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 650 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C08EV07T-M3/IVishay SemiconductorsSiC Schottky Diodes SIC-G3-SLIMDPAK 2L
на замовлення 8716 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C08EV07T-M3/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE SIL CARB 650V 8A SLIMDPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 340pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: SlimDPAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 650 V
на замовлення 4263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+233.12 грн
10+161.80 грн
100+123.18 грн
500+103.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C10CP12L-M3VishaySchottky Diodes & Rectifiers SIC 1.2KV 2X 5A GEN 3 SCHOTTKY
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C10CP12L-M3VISHAYCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5Ax2; TO247-3; Ir: 30uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 5A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.5V
Kind of package: tube
Leakage current: 30µA
Power dissipation: 83W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C10EP12L-M3VISHAYCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO247-2; Ir: 60uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.5V
Kind of package: tube
Leakage current: 60µA
Power dissipation: 115W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C10EP12L-M3VishaySiC Schottky Diodes RECT 1.2KV 10A RDL POWER SIC
на замовлення 846 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C10ET07S2L-M3Vishay SemiconductorsSiC Schottky Diodes RECT 650V 10A SM POWER SIC
на замовлення 1334 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C10ET07S2L-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE SIL CARB 650V 10A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 445pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 55 µA @ 650 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+118.40 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C10ET07S2L-M3VISHAYCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 650V; 10A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: D2PAK
Max. forward voltage: 1.46V
Max. forward impulse current: 60A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C10ET07S2L-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE SIL CARB 650V 10A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 445pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 55 µA @ 650 V
на замовлення 2136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+324.31 грн
10+206.16 грн
50+160.38 грн
100+136.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C10ET07T-M3VISHAYCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.46V
Max. forward impulse current: 60A
Kind of package: tube
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+274.10 грн
10+224.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C10ET07T-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 445pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 55 µA @ 650 V
на замовлення 3047 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+375.85 грн
10+324.74 грн
100+266.08 грн
500+212.57 грн
1000+186.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C10ET07T-M3VISHAYDescription: VISHAY - VS-3C10ET07T-M3 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Kathode, 650 V, 10 A, 29 nC, TO-220AC
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Kapazitive Gesamtladung: 29nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Kathode
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C10ET07T-M3Vishay SemiconductorsSiC Schottky Diodes RECT 650V 10A RDL POWER SIC
на замовлення 1529 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C10ET12S2L-M3VishaySiC Schottky Diodes SILICON CARBIDE DIODE - D2-PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C10ET12S2L-M3VISHAYCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 1.2kV; 10A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: D2PAK
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 84A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 94W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C10ET12T-M3VishaySiC Schottky Diodes SILICON CARBIDE DIODE - TO-220
на замовлення 1948 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C10ET12T-M3VISHAYCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO220-2; Ir: 60uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.5V
Kind of package: tube
Leakage current: 60µA
Power dissipation: 94W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C10EV07T-M3/IVISHAYDescription: VISHAY - VS-3C10EV07T-M3/I - SiC-Schottky-Diode, eSMP Series, Einfach, 650 V, 10 A, 29 nC, SlimDPAK
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SlimDPAK
Kapazitive Gesamtladung: 29nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: eSMP Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C10EV07T-M3/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE SIL CARB 650V 10A SLIMDPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 445pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: SlimDPAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 55 µA @ 650 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C10EV07T-M3/IVISHAYDescription: VISHAY - VS-3C10EV07T-M3/I - SiC-Schottky-Diode, eSMP Series, Einfach, 650 V, 10 A, 29 nC, SlimDPAK
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
Kapazitive Gesamtladung: 29nC
rohsCompliant: YES
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C10EV07T-M3/IVishay SemiconductorsSiC Schottky Diodes SIC-G3-SLIMDPAK 2L
на замовлення 8434 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C10EV07T-M3/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE SIL CARB 650V 10A SLIMDPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 445pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: SlimDPAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 55 µA @ 650 V
на замовлення 4392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+271.97 грн
10+200.05 грн
100+151.86 грн
500+128.69 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C12ED07T-M3/IVISHAYDescription: VISHAY - VS-3C12ED07T-M3/I - SiC-Schottky-Diode, eSMP Series, Einfach, 650 V, 12 A, 34 nC, SMPD
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
Kapazitive Gesamtladung: 34nC
rohsCompliant: YES
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C12ED07T-M3/IVishaySiC Schottky Diodes SIC-G3-SMPD 2L 12A 650V
на замовлення 1953 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C12ED07T-M3/IVishayDescription: RF DIODE SCHOTTKY 650V 105W SMPD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), Variant
Diode Type: Schottky - Single
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 54pF @ 400V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 650V
Supplier Device Package: SMPD
Current - Max: 12 A
Power Dissipation (Max): 105 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C12ED07T-M3/IVISHAYDescription: VISHAY - VS-3C12ED07T-M3/I - SiC-Schottky-Diode, eSMP Series, Einfach, 650 V, 12 A, 34 nC, SMPD
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SMPD
Kapazitive Gesamtladung: 34nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: eSMP Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C12ED07T-M3/IVishayDescription: RF DIODE SCHOTTKY 650V 105W SMPD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), Variant
Diode Type: Schottky - Single
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 54pF @ 400V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 650V
Supplier Device Package: SMPD
Current - Max: 12 A
Power Dissipation (Max): 105 W
на замовлення 1989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+298.14 грн
10+217.46 грн
25+200.21 грн
100+170.03 грн
250+161.51 грн
500+156.38 грн
1000+149.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C12ED07T-M3\IVishay Sic-G3-SMPD 2L
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C12ET07S2L-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 535pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 65 µA @ 650 V
на замовлення 1557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+480.51 грн
10+415.38 грн
100+340.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C12ET07S2L-M3VISHAYCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 650V; 12A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 12A
Semiconductor structure: single diode
Case: D2PAK
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 83A
Kind of package: reel; tape
на замовлення 795 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+419.37 грн
5+327.48 грн
10+291.00 грн
25+263.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C12ET07S2L-M3VISHAYDescription: VISHAY - VS-3C12ET07S2L-M3 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 12 A, 34 nC, TO-263AB (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263AB (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 34nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C12ET07S2L-M3Vishay SemiconductorsSiC Schottky Diodes RECT 650V 12A SM POWER SIC
на замовлення 1464 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C12ET07S2L-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 535pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 65 µA @ 650 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+309.60 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C12ET07S2L-M3VISHAYDescription: VISHAY - VS-3C12ET07S2L-M3 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 12 A, 34 nC, TO-263AB (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263AB (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 34nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 17 34 51 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 85 102 119 136 153 170 176  [ Наступна Сторінка >> ]