Продукція > VS-

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 17 34 51 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 85 102 119 136 153 170 174  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
VS-3C08ET07T-M3Vishay SemiconductorsSiC Schottky Diodes RECT 650V 8A RDL POWER SIC
на замовлення 1325 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C08EV07T-M3/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE SIL CARB 650V 8A SLIMDPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 340pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: SlimDPAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 650 V
на замовлення 4263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+227.82 грн
10+158.12 грн
100+120.38 грн
500+101.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C08EV07T-M3/IVishay SemiconductorsSiC Schottky Diodes SIC-G3-SLIMDPAK 2L
на замовлення 8716 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C08EV07T-M3/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE SIL CARB 650V 8A SLIMDPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 340pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: SlimDPAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 650 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C10CP12L-M3VishaySchottky Diodes & Rectifiers SIC 1.2KV 2X 5A GEN 3 SCHOTTKY
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C10EP12L-M3VishaySiC Schottky Diodes RECT 1.2KV 10A RDL POWER SIC
на замовлення 846 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C10ET07S2L-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 445pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 55 µA @ 650 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+243.66 грн
1600+205.84 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C10ET07S2L-M3Vishay SemiconductorsSiC Schottky Diodes RECT 650V 10A SM POWER SIC
на замовлення 1334 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C10ET07S2L-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 445pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 55 µA @ 650 V
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+389.00 грн
10+336.39 грн
100+275.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C10ET07T-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 445pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 55 µA @ 650 V
на замовлення 3047 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+367.31 грн
10+317.36 грн
100+260.03 грн
500+207.74 грн
1000+182.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C10ET07T-M3Vishay SemiconductorsSiC Schottky Diodes RECT 650V 10A RDL POWER SIC
на замовлення 1549 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C10ET12S2L-M3VishaySiC Schottky Diodes SILICON CARBIDE DIODE - D2-PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C10ET12T-M3VishaySiC Schottky Diodes SILICON CARBIDE DIODE - TO-220
на замовлення 1948 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C10EV07T-M3/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE SIL CARB 650V 10A SLIMDPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 445pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: SlimDPAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 55 µA @ 650 V
на замовлення 4392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+265.79 грн
10+195.51 грн
100+148.41 грн
500+125.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C10EV07T-M3/IVishay SemiconductorsSiC Schottky Diodes SIC-G3-SLIMDPAK 2L
на замовлення 8434 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C10EV07T-M3/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE SIL CARB 650V 10A SLIMDPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 445pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: SlimDPAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 55 µA @ 650 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C12ED07T-M3/IVishaySiC Schottky Diodes SIC-G3-SMPD 2L 12A 650V
на замовлення 1953 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C12ED07T-M3/IVishayDescription: RF DIODE SCHOTTKY 650V 105W SMPD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), Variant
Diode Type: Schottky - Single
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 54pF @ 400V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 650V
Supplier Device Package: SMPD
Current - Max: 12 A
Power Dissipation (Max): 105 W
на замовлення 1989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+291.37 грн
10+212.52 грн
25+195.66 грн
100+166.16 грн
250+157.84 грн
500+152.83 грн
1000+146.26 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C12ED07T-M3/IVISHAYDescription: VISHAY - VS-3C12ED07T-M3/I - SiC-Schottky-Diode, eSMP Series, Einfach, 650 V, 12 A, 34 nC, SMPD
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SMPD
Kapazitive Gesamtladung: 34nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: eSMP Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C12ED07T-M3/IVishayDescription: RF DIODE SCHOTTKY 650V 105W SMPD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), Variant
Diode Type: Schottky - Single
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 54pF @ 400V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 650V
Supplier Device Package: SMPD
Current - Max: 12 A
Power Dissipation (Max): 105 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C12ED07T-M3\IVishay Sic-G3-SMPD 2L
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C12ET07S2L-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 535pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 65 µA @ 650 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+302.57 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C12ET07S2L-M3VISHAYDescription: VISHAY - VS-3C12ET07S2L-M3 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 12 A, 34 nC, TO-263AB (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263AB (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 34nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C12ET07S2L-M3Vishay SemiconductorsSiC Schottky Diodes RECT 650V 12A SM POWER SIC
на замовлення 1464 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C12ET07S2L-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 535pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 65 µA @ 650 V
на замовлення 1557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+469.59 грн
10+405.94 грн
100+332.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C12ET07S2L-M3VISHAYDescription: VISHAY - VS-3C12ET07S2L-M3 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 12 A, 34 nC, TO-263AB (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263AB (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 34nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C12ET07T-M3Vishay SemiconductorsSiC Schottky Diodes RECT 650V 12A RDL POWER SIC
на замовлення 1624 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C12ET07T-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 535pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 65 µA @ 650 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+447.12 грн
10+386.54 грн
100+316.69 грн
500+253.00 грн
1000+221.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C12ET07T-M3VISHAYDescription: VISHAY - VS-3C12ET07T-M3 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Kathode, 650 V, 12 A, 34 nC, TO-220AC
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Kapazitive Gesamtladung: 34nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Kathode
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C15EP12L-M3VishaySchottky Diodes & Rectifiers SIC 1.2KV 15A GEN 3 SCHOTTKY
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C15ET12S2L-M3VishaySiC Schottky Diodes SILICON CARBIDE DIODE - D2-PAK
на замовлення 1502 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C15ET12S2L-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: 15A 1200V SIC ZERO QRR SINGLE TJ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Schottky - Single
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 56pF @ 800V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 1200V
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Current - Max: 15 A
Power Dissipation (Max): 111 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 1200 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+517.64 грн
10+353.70 грн
100+268.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C15ET12S2L-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: 15A 1200V SIC ZERO QRR SINGLE TJ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Schottky - Single
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 56pF @ 800V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 1200V
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Current - Max: 15 A
Power Dissipation (Max): 111 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 1200 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+261.73 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C15ET12T-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: 15A 1200V SIC ZERO QRR SINGLE TJ
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Schottky - Single
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 56pF @ 800V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 1200V
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Current - Max: 15 A
Power Dissipation (Max): 111 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 1200 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+493.62 грн
50+314.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C15ET12T-M3Vishay SemiconductorsSiC Schottky Diodes SILICON CARBIDE DIODE - TO-220
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C16CP07L-M3Vishay SemiconductorsSiC Schottky Diodes RECT 650V 8A RDL POWER SIC
на замовлення 886 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C16CP07L-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE ARR SIC SCHOT 650V TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 8A (DC)
Supplier Device Package: TO-247AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 45 µA @ 650 V
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+495.17 грн
25+380.92 грн
100+340.82 грн
500+282.21 грн
1000+253.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C16ED07T-M3/IVishaySchottky Diodes & Rectifiers SIC-G3-SMPD 2L 16A 650V
на замовлення 1769 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C16ET07S2L-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 700pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 85 µA @ 650 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+384.22 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C16ET07S2L-M3Vishay SemiconductorsSiC Schottky Diodes RECT 650V 16A SM POWER SIC
на замовлення 1276 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C16ET07S2L-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 700pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 85 µA @ 650 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+571.11 грн
10+496.60 грн
100+411.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C16ET07T-M3Vishay SemiconductorsSiC Schottky Diodes RECT 650V 16A RDL POWER SIC
на замовлення 1287 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C16ET07T-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 700pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 85 µA @ 650 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+550.96 грн
10+479.36 грн
100+396.89 грн
500+324.33 грн
1000+304.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C20CP07L-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 55 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247AD
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A (DC)
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+660.22 грн
10+545.18 грн
100+454.33 грн
500+376.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C20CP07L-M3Vishay SemiconductorsSiC Schottky Diodes RECT 650V 20A RDL POWER SIC
на замовлення 512 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C20CP12L-M3VishaySchottky Diodes & Rectifiers SIC 1.2KV 2 X 10A GEN 3 SCHTKY
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C20CP12L-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE SIL CARB 1200V 20A TO247AD
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+933.76 грн
25+556.64 грн
100+475.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C20ED07T-M3/IVISHAYDescription: VISHAY - VS-3C20ED07T-M3/I - SiC-Schottky-Diode, eSMP Series, Einfach, 650 V, 20 A, 53 nC, SMPD
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
Kapazitive Gesamtladung: 53nC
rohsCompliant: YES
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C20ED07T-M3/IVISHAYDescription: VISHAY - VS-3C20ED07T-M3/I - SiC-Schottky-Diode, eSMP Series, Einfach, 650 V, 20 A, 53 nC, SMPD
Bauform - Diode: SMPD
Kapazitive Gesamtladung: 53nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: eSMP Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C20ED07T-M3/IVishaySchottky Diodes & Rectifiers SIC-G3-SMPD 2L 20A 650V
на замовлення 1994 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C20EP12L-M3VishaySchottky Diodes & Rectifiers SIC 1.2KV 20A GEN 3 SCHOTTKY
на замовлення 465 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C20ET07S2L-M3Vishay SemiconductorsSiC Schottky Diodes RECT 650V 20A SM POWER SIC
на замовлення 1166 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C20ET07S2L-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 845pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C20ET07S2L-M3VISHAYDescription: VISHAY - VS-3C20ET07S2L-M3 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 20 A, 53 nC, TO-263AB (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263AB (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 53nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C20ET07S2L-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 845pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
на замовлення 663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+735.39 грн
10+640.02 грн
100+529.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C20ET07S2L-M3VISHAYDescription: VISHAY - VS-3C20ET07S2L-M3 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 20 A, 53 nC, TO-263AB (D2PAK)
Bauform - Diode: TO-263AB (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 53nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C20ET07T-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 845pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+736.16 грн
10+640.62 грн
100+530.37 грн
500+435.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C20ET07T-M3VISHAYDescription: VISHAY - VS-3C20ET07T-M3 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Kathode, 650 V, 20 A, 53 nC, TO-220AC
Bauform - Diode: TO-220AC
Kapazitive Gesamtladung: 53nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C20ET07T-M3Vishay SemiconductorsSiC Schottky Diodes RECT 650V 20A RDL POWER SIC
на замовлення 789 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C20ET12S2L-M3VishaySiC Schottky Diodes SILICON CARBIDE DIODE - D2-PAK
на замовлення 1340 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C20ET12T-M3VishaySiC Schottky Diodes SIC 1.2KV 20A GEN 3 SCHOTTKY
на замовлення 1959 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C30CP12L-M3VishaySchottky Diodes & Rectifiers SILICON CARBIDE DIODE - TO-247
на замовлення 473 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C30EP12L-M3VishaySchottky Diodes & Rectifiers SIC 1.2KV 30A GEN 3 SCHOTTKY
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C40CP07L-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE ARR SIC 650V 20A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A (DC)
Supplier Device Package: TO-247AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
на замовлення 494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1143.76 грн
25+891.54 грн
100+839.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C40CP07L-M3VISHAYDescription: VISHAY - VS-3C40CP07L-M3 - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 20 A, 53 nC, TO-247AD
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247AD
Kapazitive Gesamtladung: 53nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C40CP07L-M3Vishay SemiconductorsSiC Schottky Diodes RECT 650V 20A RDL POWER SIC
на замовлення 672 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C40CP12L-M3VishaySiC Schottky Diodes RECT 1.2KV 40A RDL POWER SIC
на замовлення 792 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3EAH02-M3/HVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE STANDARD 200V 3A DFN3820A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-VDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DFN3820A
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 960 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V
на замовлення 4871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.22 грн
16+19.25 грн
100+15.25 грн
500+10.79 грн
1000+9.43 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3EAH02-M3/HVISHAYDescription: VISHAY - VS-3EAH02-M3/H - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 3 A, Einfach, 960 mV, 11 ns, 61 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN3820A
Durchlassstoßstrom: 61A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 960mV
Sperrverzögerungszeit: 11ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: FRED Pt Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 3480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3EAH02-M3/HVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE STANDARD 200V 3A DFN3820A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-VDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DFN3820A
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 960 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3EAH02-M3/HVISHAYDescription: VISHAY - VS-3EAH02-M3/H - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 3 A, Einfach, 960 mV, 11 ns, 61 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN3820A
Durchlassstoßstrom: 61A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 960mV
Sperrverzögerungszeit: 11ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: FRED Pt Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 3480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3EAH02-M3/HVishayRectifiers REDS - DFN3820A-E3
на замовлення 6715 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3EAH02-M3/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: 3A, 200V, FRED HYPERFAST RECTIFI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-VDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DFN3820A
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 960 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.00 грн
13+23.13 грн
100+13.86 грн
500+12.05 грн
1000+8.19 грн
2000+7.54 грн
5000+7.11 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3EAH02-M3/IVishayRectifiers REDS - DFN3820A-E3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 14000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3EAH02-M3/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: 3A, 200V, FRED HYPERFAST RECTIFI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-VDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DFN3820A
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 960 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14000+7.20 грн
Мінімальне замовлення: 14000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3EAH02HM3/HVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE STANDARD 200V 3A DFN3820A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-VDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DFN3820A
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 960 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3EAH02HM3/HVishayRectifiers FREDS - DFN3820A-E3
на замовлення 5680 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3EAH02HM3/HVISHAYDescription: VISHAY - VS-3EAH02HM3/H - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 3 A, Einfach, 960 mV, 11 ns, 61 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN3820A
Durchlassstoßstrom: 61A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 960mV
Sperrverzögerungszeit: 11ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: FRED Pt Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3EAH02HM3/HVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE STANDARD 200V 3A DFN3820A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-VDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DFN3820A
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 960 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.42 грн
13+23.13 грн
100+18.21 грн
500+12.99 грн
1000+11.67 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3EAH02HM3/HVISHAYDescription: VISHAY - VS-3EAH02HM3/H - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 3 A, Einfach, 960 mV, 11 ns, 61 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN3820A
Durchlassstoßstrom: 61A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 960mV
Sperrverzögerungszeit: 11ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: FRED Pt Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3EAH02HM3/IVISHAYDescription: VISHAY - VS-3EAH02HM3/I - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 3 A, Einfach, 960 mV, 11 ns, 61 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN3820A
Durchlassstoßstrom: 61A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 960mV
Sperrverzögerungszeit: 11ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: FRED Pt Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 13955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3EAH02HM3/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: 3A, 200V, FRED HYPERFAST RECTIFI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-VDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DFN3820A
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 960 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14000+8.67 грн
Мінімальне замовлення: 14000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3EAH02HM3/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: 3A, 200V, FRED HYPERFAST RECTIFI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-VDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DFN3820A
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 960 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.45 грн
13+24.03 грн
100+16.69 грн
500+12.23 грн
1000+9.94 грн
2000+8.89 грн
5000+8.30 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3ECH01-M3/9ATVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AB, SMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Current - Average Rectified (Io): 3A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3ECH01-M3/9ATVishay SemiconductorsRectifiers fred 100V 3A - SMC
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3ECH01HM3/9ATVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Current - Average Rectified (Io): 3A
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AB, SMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3ECH01HM3/9ATVishay SemiconductorsRectifiers fred 100V 3A - SMC
на замовлення 3127 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3ECH02-M3/9ATVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Current - Average Rectified (Io): 3A
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AB, SMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3ECH02-M3/9ATVishay SemiconductorsRectifiers fred 200V 3A - SMC
на замовлення 2687 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3ECH02HM3/9ATVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3500+15.21 грн
Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3ECH02HM3/9ATVishay SemiconductorsRectifiers fred 200V 3A - SMC
на замовлення 3319 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3ECH02HM3/9ATVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+44.94 грн
10+37.16 грн
100+25.81 грн
500+18.92 грн
1000+15.37 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3EGH06-M3/5BTVishay SemiconductorsRectifiers 3 Amp 600 Volts Hyperfast - Low QRR
на замовлення 4050 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3EGH06-M3/5BTVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE FRED SMB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3EGU06-M3/5BTVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 600 V
на замовлення 628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.22 грн
12+25.15 грн
100+17.51 грн
500+12.83 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3EGU06-M3/5BTVishay SemiconductorsRectifiers 3 Amp 600 Volts Ultrafast - Low VF
на замовлення 5837 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3EGU06-M3/5BTVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 600 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3EGU06WHM3/5BTVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3EGU06WHM3/5BTVishay SemiconductorsRectifiers fred 600V 3A - SMB
на замовлення 5390 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3EGU06WHM3/5BTVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.32 грн
11+27.54 грн
100+19.15 грн
500+14.03 грн
1000+11.41 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 17 34 51 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 85 102 119 136 153 170 174  [ Наступна Сторінка >> ]