Продукція > DMN

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 16 20 24 28 32 36 40 44 46  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DMN2008LFU-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2008LFU-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2008LFU-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 14.5 A, 14.5 A, 0.0054 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 14.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 14.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2030
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0054ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2008LFU-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 3318 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2008LFU-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 14.5A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1418pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 5.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250A
Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B)
Part Status: Active
на замовлення 3590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.89 грн
10+43.55 грн
100+28.45 грн
500+20.59 грн
1000+18.62 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2008LFU-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2008LFU-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 14.5 A, 14.5 A, 0.0054 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 14.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 14.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2030
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0054ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2008LFU-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 14.5A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1418pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 5.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250A
Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B)
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2009LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 12A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2555 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 44028 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.49 грн
10+43.32 грн
100+29.31 грн
500+21.72 грн
1000+19.69 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2009LSS-13Diodes IncorporatedMOSFET NMOS SINGLE N-CHANNL 20V 12A
на замовлення 5979 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2009LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 12A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2555 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 42500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.77 грн
5000+17.12 грн
7500+15.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2009UCA4-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V 24V X4-DSN1717-4 T&R 3K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2009USS-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 6594 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2009USS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 8SOIC
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1706 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.4W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 10V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2009USS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2009USS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 12.1 A, 6300 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
Verlustleistung: 1.4W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2009USS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1706 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.4W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.33 грн
10+35.25 грн
100+24.36 грн
500+18.78 грн
1000+16.97 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2009USS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2009USS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 12.1 A, 6300 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
Verlustleistung: 1.4W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2010UDZ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 11A U-DFN2535-6
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2010UDZ-7Diodes IncorporatedMOSFET Dual N-Ch Enh FET 24V 8Vgss 0.7W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2010UDZ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 11A U-DFN2535-6
на замовлення 10644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2011UFDE-13Diodes IncorporatedMOSFETs 20V N-Ch Enh Mode 12Vgss 80A .61W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2011UFDE-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 11.7A 6UDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3372 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerUDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2011UFDE-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2011UFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 11.7 A, 0.0065 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.97W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2011UFDE-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 11.7A 6UDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2248 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerUDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2011UFDE-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 11.4A; Idm: 80A; 1.27W
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.27W
Gate charge: 84nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 11.4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Case: U-DFN2020-6
On-state resistance: 35mΩ
Pulsed drain current: 80A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2011UFDE-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2011UFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 11.7 A, 0.0065 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.97W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2011UFDE-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 11.7A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2248 pF @ 10 V
на замовлення 1888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.06 грн
10+56.53 грн
25+47.55 грн
50+39.36 грн
100+34.91 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2011UFDE-7Diodes IncorporatedMOSFETs 20V N-Ch Enh Mode 12Vgss 80A .61W
на замовлення 69546 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2011UFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 14.2A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2248 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2011UFDF-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V U-DFN2020-6 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2011UFDF-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 11.4A; Idm: 80A; 1.3W
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.3W
Gate charge: 56nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 11.4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Case: U-DFN2020-6
On-state resistance: 35mΩ
Pulsed drain current: 80A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2011UFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 14.2A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2248 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2011UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 14.2A 6UDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2248 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2011UFDF-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 11.4A; Idm: 80A; 1.3W
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.3W
Gate charge: 56nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 11.4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Case: U-DFN2020-6
On-state resistance: 35mΩ
Pulsed drain current: 80A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2011UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 14.2A 6UDFN
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2248 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2011UFDF-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V U-DFN2020-6 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2011UFX-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 12.2A 4VDFN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-VFDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: V-DFN2050-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2248pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 2.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2011UFX-7Diodes IncorporatedMOSFETs Dual N-Ch Enh FET 20Vds 12Vgs 2248pF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2011UFX-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 12.2A 4VDFN
Part Status: Active
Supplier Device Package: V-DFN2050-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2248pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 2.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-VFDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2011UFX-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 9.8A; Idm: 80A; 2.1W
Mounting: SMD
Power dissipation: 2.1W
Gate charge: 56nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 9.8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Case: V-DFN2050-4
On-state resistance: 13mΩ
Pulsed drain current: 80A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2011UTS-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 284 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2011UTS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 21A 8TSSOP
на замовлення 12723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.89 грн
10+35.70 грн
100+26.68 грн
500+19.67 грн
1000+15.20 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2011UTS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 21A 8TSSOP
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.34 грн
5000+13.82 грн
12500+12.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2012UCA6-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 24V 13A X3-DSN2718
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 820mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 24V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2417pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: X3-DSN2718-6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2012UCA6-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2013UFDE-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2013UFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 10.5 A, 8400 µohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.03W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8400µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2013UFDE-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 10.5A 6UDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2013UFDE-7DiodesMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2013UFDE-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 1667 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2013UFDE-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2013UFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 10.5 A, 8400 µohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.03W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8400µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2013UFDE-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 10.5A 6UDFN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2013UFDEQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V U-DFN2020-6 T&R 3K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2013UFX-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN
на замовлення 2828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2013UFX-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN
на замовлення 2828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2013UFX-7Diodes IncorporatedMOSFETs 20V N-Ch Enh Mode 8Vgss 10A 0.78W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2013UFX-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 10A 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2013UFX-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2014LHAB-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2030-6 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2014LHAB-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 9A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B)
на замовлення 9930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.22 грн
10+34.19 грн
100+22.08 грн
500+15.83 грн
1000+14.25 грн
2000+12.92 грн
5000+11.30 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2014LHAB-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2014LHAB-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 9.3 A, 9.3 A, 0.01 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.01ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2030
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.01ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2014LHAB-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 9A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B)
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2014LHAB-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2014LHAB-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 9.3 A, 9.3 A, 0.01 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.01ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2030
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.01ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2014LHAB-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 9A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2014LHAB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 9A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B)
Part Status: Active
на замовлення 2592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.22 грн
10+34.19 грн
100+22.08 грн
500+15.83 грн
1000+14.25 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2014LHAB-7Diodes IncorporatedMOSFET FET BVDSS 8V 24V N-Ch Dual 20V 1550pF
на замовлення 2763 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2014LHAB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 9A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B)
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2014LHAB-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 9A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2015UFDE-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 10.5A 6UDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1779 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 8.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerUDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 140960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.00 грн
10+34.87 грн
100+22.54 грн
500+16.16 грн
1000+14.55 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2015UFDE-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 2385 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2015UFDE-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2015UFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 10.5 A, 9300 µohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 660mW
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9300µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2015UFDE-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 10.5A 6UDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1779 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 8.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerUDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 138000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.62 грн
6000+11.24 грн
9000+10.78 грн
15000+10.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2015UFDE-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2015UFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 10.5 A, 9300 µohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 660mW
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9300µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2015UFDE-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 10.5A 6UDFN
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 8.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerUDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1779 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
на замовлення 138015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.89 грн
11+28.38 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2015UFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 15.2A 6UDFN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2015UFDF-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2015UFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2015UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 11.6 A, 6800 µohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 1.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
на замовлення 2755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2015UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 15.2A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 8.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1439 pF @ 10 V
на замовлення 192000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.77 грн
6000+9.49 грн
9000+9.04 грн
15000+8.01 грн
21000+7.73 грн
30000+7.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2015UFDF-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 2011 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2015UFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2015UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 11.6 A, 6800 µohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 1.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
на замовлення 2755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2015UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 15.2A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 8.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1439 pF @ 10 V
на замовлення 194767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.81 грн
11+28.46 грн
100+18.30 грн
500+13.05 грн
1000+11.72 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2016LFG-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET N-CHANNEL DFN DFN3030-8 GREEN 3K
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2016LFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8DFN
на замовлення 80900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.19 грн
10+40.83 грн
100+26.58 грн
500+19.18 грн
1000+17.32 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2016LFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 5.2A 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2016LFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8DFN
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.56 грн
6000+14.68 грн
9000+14.03 грн
15000+12.49 грн
21000+12.08 грн
30000+11.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2016LFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 5.2A 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2016LHAB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.84 грн
10+39.63 грн
100+25.78 грн
500+18.59 грн
1000+16.78 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2016LHAB-7Diodes IncorporatedMOSFET DUAL N-CH MOSFET 20V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2016LHAB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2016UFX-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2016UFX-7Diodes ZetexDual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2016UFX-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 24V 9.9A 4VDFN
Supplier Device Package: V-DFN2050-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 6.5A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 24V
Power - Max: 1.07W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-VFDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2016UTS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 880mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.58A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1495pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 9.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
на замовлення 117727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.22 грн
10+35.55 грн
100+21.18 грн
500+15.89 грн
1000+14.39 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2016UTS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 8.58A 8-Pin TSSOP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2016UTS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2016UTS-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 8.58 A, 8.58 A, 0.011 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.58A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.011ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 880mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.011ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 880mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2016UTS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 880mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.58A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1495pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 9.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
на замовлення 115000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+12.59 грн
5000+11.98 грн
7500+11.71 грн
12500+10.63 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2016UTS-13Diodes IncorporatedMOSFETs N-Ch Dual MOSFET 20V VDSS 8V VGSS
на замовлення 4985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2016UTS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 8.58A 8-Pin TSSOP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2016UTS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2016UTS-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 8.58 A, 8.58 A, 0.011 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.58A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.011ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 880mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.011ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 880mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2019UTS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2019UTS-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 5.4 A, 5.4 A, 0.0155 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0155ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 780mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0155ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 780mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2019UTS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 780mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Part Status: Active
на замовлення 21429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.46 грн
12+27.17 грн
100+17.44 грн
500+12.41 грн
1000+10.87 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2019UTS-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V 24V TSSOP-8 T&R 2.5
на замовлення 2357 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2019UTS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2019UTS-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 5.4 A, 5.4 A, 0.0155 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0155ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 780mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0155ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 780mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 16 20 24 28 32 36 40 44 46  [ Наступна Сторінка >> ]