Продукція > DMN

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 16 20 24 28 32 36 40 44 46  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DMN2005UFG-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 18A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UFG-13Diodes IncorporatedMOSFETs 20V N-Ch Enh Mode FET 12Vgss 1.05W
на замовлення 3663 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+78.28 грн
10+47.08 грн
100+28.99 грн
500+23.54 грн
1000+21.33 грн
3000+17.05 грн
9000+16.84 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UFG-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 14A; Idm: 130A; 2.27W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 2.27W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 8.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 164nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 18A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 18.1A PWRDI3333
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6495 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.05W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 14123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.46 грн
10+38.59 грн
100+25.14 грн
500+18.14 грн
1000+16.39 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UFG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2005UFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 50 A, 4000 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.05W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+34.71 грн
33+25.05 грн
100+19.57 грн
500+14.13 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UFG-7Diodes IncorporatedMOSFETs 20V N-Ch Enh FET 6495pF 66.8nC
на замовлення 881 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+82.96 грн
10+51.36 грн
100+29.27 грн
500+22.71 грн
1000+20.57 грн
2000+18.71 грн
4000+16.43 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 18A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1656+8.56 грн
1906+7.44 грн
Мінімальне замовлення: 1656 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 18.1A PWRDI3333
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6495 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.05W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+16.01 грн
4000+14.13 грн
6000+13.48 грн
10000+11.96 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 18A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+20.01 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UFG-7
Код товару: 201744
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UFG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2005UFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 50 A, 4000 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.05W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.57 грн
500+14.13 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 18A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
609+7.34 грн
1000+6.37 грн
Мінімальне замовлення: 609 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UFGQ-13Diodes Zetex20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PowerDI3333-8 Automotive AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+33.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UFGQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 14A; Idm: 130A; 2.27W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 2.27W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 8.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 164nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UFGQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 18A PWRDI3333
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.05W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6495 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+27.37 грн
6000+24.49 грн
9000+24.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UFGQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UFGQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 18A PWRDI3333
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6495 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.05W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+28.82 грн
4000+25.67 грн
6000+24.62 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UFGQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UFGQ-7Diodes Zetex20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PowerDI3333-8 Automotive AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+33.42 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 20A POWERDI5060
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5337 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 142 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.92 грн
5000+22.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2005UPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 A, 4600 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+37.05 грн
500+26.85 грн
1000+22.51 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UPS-13Diodes Zetex20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
на замовлення 2488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+32.96 грн
24+31.69 грн
100+28.91 грн
500+26.44 грн
1000+22.33 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs N-Ch Enh Mode FET 20Vdss 12Vgss 30A
на замовлення 2367 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+101.48 грн
10+59.46 грн
100+36.38 грн
500+28.65 грн
1000+26.09 грн
2500+23.26 грн
5000+21.68 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UPS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 15A; Idm: 150A; 2.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 2.5W
Case: PowerDI5060-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 8.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 142nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2005UPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 A, 4600 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+77.96 грн
17+49.85 грн
100+37.05 грн
500+26.85 грн
1000+22.51 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UPS-13Diodes Zetex20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.77 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 20A POWERDI5060
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5337 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 142 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
на замовлення 7375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.58 грн
10+47.41 грн
100+36.91 грн
500+29.36 грн
1000+23.92 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UPS-13Diodes Zetex20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.77 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2008LFU-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 14.5A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1418pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 5.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B)
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2008LFU-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2008LFU-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2008LFU-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 14.5 A, 14.5 A, 0.0054 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 14.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 14.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2030
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0054ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+30.20 грн
500+22.88 грн
1000+19.19 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2008LFU-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 3318 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+59.60 грн
10+39.46 грн
100+23.26 грн
500+18.98 грн
1000+17.19 грн
3000+14.36 грн
6000+13.94 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2008LFU-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 14.5A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1418pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 5.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250A
Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B)
Part Status: Active
на замовлення 3590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.23 грн
10+43.15 грн
100+28.19 грн
500+20.40 грн
1000+18.45 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2008LFU-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2008LFU-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 14.5 A, 14.5 A, 0.0054 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 14.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 14.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2030
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0054ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+66.28 грн
19+44.54 грн
100+30.20 грн
500+22.88 грн
1000+19.19 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2008LFU-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 14.5A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1418pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 5.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250A
Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B)
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2009LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 12A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2555 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 42500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.60 грн
5000+16.96 грн
7500+15.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2009LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 12A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2555 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 44028 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.91 грн
10+42.93 грн
100+29.04 грн
500+21.52 грн
1000+19.51 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2009LSS-13Diodes IncorporatedMOSFET NMOS SINGLE N-CHANNL 20V 12A
на замовлення 5979 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2009UCA4-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V 24V X4-DSN1717-4 T&R 3K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2009USS-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 6594 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+44.94 грн
10+38.74 грн
100+22.99 грн
500+19.26 грн
1000+16.36 грн
2500+13.12 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2009USS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 8SOIC
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1706 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.4W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 10V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2009USS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2009USS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 12.1 A, 6300 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
Verlustleistung: 1.4W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+78.04 грн
18+46.31 грн
100+30.44 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2009USS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1706 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.4W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.94 грн
10+34.93 грн
100+24.13 грн
500+18.61 грн
1000+16.82 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2009USS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2009USS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 12.1 A, 6300 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
Verlustleistung: 1.4W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+30.44 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2010UDZ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 11A U-DFN2535-6
на замовлення 10644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2010UDZ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 11A U-DFN2535-6
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2010UDZ-7Diodes IncorporatedMOSFET Dual N-Ch Enh FET 24V 8Vgss 0.7W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2011UFDE-13Diodes IncorporatedMOSFETs 20V N-Ch Enh Mode 12Vgss 80A .61W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2011UFDE-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 11.7A 6UDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3372 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerUDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2011UFDE-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2011UFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 11.7 A, 0.0065 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.97W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+46.87 грн
20+40.99 грн
100+27.14 грн
500+19.89 грн
1000+16.78 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2011UFDE-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 11.7A 6UDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2248 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerUDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.00 грн
6000+13.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2011UFDE-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2011UFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 11.7 A, 0.0065 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.97W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.22 грн
500+19.97 грн
1000+16.43 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2011UFDE-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 11.7A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2248 pF @ 10 V
на замовлення 107118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.94 грн
10+35.90 грн
100+23.62 грн
500+19.36 грн
1000+17.41 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2011UFDE-7Diodes IncorporatedMOSFETs 20V N-Ch Enh Mode 12Vgss 80A .61W
на замовлення 73086 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+84.57 грн
10+47.87 грн
100+29.55 грн
500+24.23 грн
1000+21.95 грн
3000+17.33 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2011UFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 14.2A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2248 pF @ 10 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+9.63 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2011UFDF-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2011UFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 14.2A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2248 pF @ 10 V
на замовлення 12325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.93 грн
11+29.39 грн
100+18.90 грн
500+13.50 грн
1000+12.14 грн
2000+10.99 грн
5000+9.58 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2011UFDF-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 3136 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+42.12 грн
12+27.87 грн
100+16.50 грн
500+13.94 грн
1000+11.87 грн
3000+9.87 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2011UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 14.2A 6UDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2248 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+52.03 грн
10+31.04 грн
100+19.98 грн
500+14.31 грн
1000+12.87 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2011UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 14.2A 6UDFN
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2248 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2011UFX-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 12.2A 4VDFN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-VFDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: V-DFN2050-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2248pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 2.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
на замовлення 4797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.88 грн
10+50.78 грн
100+33.47 грн
500+24.44 грн
1000+22.19 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2011UFX-7Diodes IncorporatedMOSFETs Dual N-Ch Enh FET 20Vds 12Vgs 2248pF
на замовлення 5919 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+68.54 грн
10+45.57 грн
100+27.48 грн
500+23.95 грн
1000+20.85 грн
3000+16.98 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2011UFX-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 12.2A 4VDFN
Part Status: Active
Supplier Device Package: V-DFN2050-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2248pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 2.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-VFDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2011UTS-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 284 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+41.96 грн
10+35.57 грн
100+21.54 грн
500+16.84 грн
1000+13.67 грн
2500+11.74 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2011UTS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 21A 8TSSOP
на замовлення 12723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.49 грн
10+35.37 грн
100+26.44 грн
500+19.49 грн
1000+15.06 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2011UTS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 21A 8TSSOP
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.20 грн
5000+13.69 грн
12500+12.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2012UCA6-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 24V 13A X3-DSN2718
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 820mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 24V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2417pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: X3-DSN2718-6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2012UCA6-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2013UFDE-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2013UFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 10.5 A, 8400 µohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.03W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8400µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+41.72 грн
500+37.09 грн
1000+33.55 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2013UFDE-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 10.5A 6UDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2013UFDE-7DiodesMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2013UFDE-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 1667 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+51.22 грн
10+42.55 грн
3000+10.63 грн
6000+10.08 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2013UFDE-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 10.5A 6UDFN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2013UFDE-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2013UFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 10.5 A, 8400 µohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.03W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8400µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+51.63 грн
19+43.41 грн
100+41.72 грн
500+37.09 грн
1000+33.55 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2013UFDEQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V U-DFN2020-6 T&R 3K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2013UFX-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN
на замовлення 2828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2013UFX-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 10A 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2013UFX-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN
на замовлення 2828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2013UFX-7Diodes IncorporatedMOSFETs 20V N-Ch Enh Mode 8Vgss 10A 0.78W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2013UFX-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2014LHAB-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2014LHAB-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 9.3 A, 9.3 A, 0.01 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.01ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2030
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.01ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+32.22 грн
500+25.20 грн
1000+19.88 грн
5000+12.15 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2014LHAB-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2030-6 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2014LHAB-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 9A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B)
на замовлення 9930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.69 грн
10+33.88 грн
100+21.88 грн
500+15.68 грн
1000+14.12 грн
2000+12.81 грн
5000+11.19 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2014LHAB-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2014LHAB-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 9.3 A, 9.3 A, 0.01 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.01ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2030
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.01ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+68.46 грн
21+40.03 грн
100+32.22 грн
500+25.20 грн
1000+19.88 грн
5000+12.15 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2014LHAB-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 9A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B)
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2014LHAB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 9A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B)
Part Status: Active
на замовлення 2592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.69 грн
10+33.88 грн
100+21.88 грн
500+15.68 грн
1000+14.12 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2014LHAB-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 9A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2014LHAB-7Diodes IncorporatedMOSFET FET BVDSS 8V 24V N-Ch Dual 20V 1550pF
на замовлення 2763 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+38.18 грн
10+32.95 грн
100+21.40 грн
500+16.78 грн
1000+12.98 грн
3000+11.80 грн
9000+10.84 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2014LHAB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 9A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B)
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2014LHAB-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 9A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2015UFDE-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 10.5A 6UDFN
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 8.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerUDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1779 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
на замовлення 138015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.49 грн
11+28.12 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2015UFDE-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2015UFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 10.5 A, 9300 µohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 660mW
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9300µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+17.88 грн
500+13.69 грн
1000+11.32 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2015UFDE-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 10.5A 6UDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1779 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 8.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerUDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 140960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.47 грн
10+34.55 грн
100+22.33 грн
500+16.01 грн
1000+14.42 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2015UFDE-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 2385 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+63.71 грн
10+39.22 грн
100+22.16 грн
500+16.98 грн
1000+15.33 грн
3000+13.12 грн
6000+12.08 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2015UFDE-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2015UFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 10.5 A, 9300 µohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 660mW
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9300µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+38.58 грн
30+26.98 грн
100+17.88 грн
500+13.69 грн
1000+11.32 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2015UFDE-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 10.5A 6UDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1779 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 8.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerUDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 138000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.50 грн
6000+11.14 грн
9000+10.68 грн
15000+9.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2015UFDF-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2015UFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 15.2A 6UDFN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2015UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 15.2A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 8.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1439 pF @ 10 V
на замовлення 194767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.37 грн
11+28.19 грн
100+18.13 грн
500+12.93 грн
1000+11.61 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 16 20 24 28 32 36 40 44 46  [ Наступна Сторінка >> ]