Продукція > IAU

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IAUMN04S7N005GAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(20V 40V)
Package / Case: 4-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.5mOhm @ 125A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-4-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12674 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUMN04S7N006GAUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs 200 A, 40 V, Automotive Power MOSFET with OptiMOS-7 Technology
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IAUMN04S7N009GATMA1Infineon TechnologiesMOSFET MOSFET_(20V 40V)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUMN04S7N009GAUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs 200 A, 40 V, Automotive Power MOSFET with OptiMOS-7 Technology
на замовлення 133 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IAUMN04S7N011GAUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs 150 A, 40 V, Automotive Power MOSFET with OptiMOS-7 Technology
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IAUMN08S5N012GAUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 1883 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IAUMN08S5N012GAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(75V 120V(
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13550 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 194 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-HSOG-4-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 232µA
Power Dissipation (Max): 325W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUMN08S5N012GAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUMN08S5N012GAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 0.0012 ohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 325W
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+372.28 грн
10+304.82 грн
100+266.61 грн
500+227.19 грн
1000+192.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUMN08S5N012GAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(75V 120V(
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13550 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 194 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-HSOG-4-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 232µA
Power Dissipation (Max): 325W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+304.90 грн
10+245.76 грн
100+193.80 грн
500+161.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUMN08S5N013GAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Tray
Package / Case: 4-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 307W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 214µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-4-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12496 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUMN08S5N013GAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUMN08S5N013GAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 250 A, 0.0013 ohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 307W
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+354.40 грн
10+290.19 грн
100+253.61 грн
500+216.62 грн
1000+183.94 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUMN08S5N013GAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 307W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 214µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-4-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12496 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+291.58 грн
10+212.40 грн
25+195.25 грн
100+165.53 грн
250+157.11 грн
500+152.03 грн
1000+145.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUMN08S5N013GAUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 3445 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IAUMN10S5N016GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUMN10S5N016GAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 325W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-4-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13570 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUMN10S5N016GAUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 4139 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IAUMN10S5N016GAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUMN10S5N016GAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 220 A, 0.0016 ohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 325W
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+342.21 грн
10+300.75 грн
100+264.17 грн
500+227.94 грн
1000+202.05 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUMN10S5N016GAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 325W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-4-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13570 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+426.40 грн
10+274.52 грн
100+197.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IAUMN10S5N017GAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 307W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 215µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-4-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12514 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+268.85 грн
10+195.87 грн
25+180.09 грн
100+152.72 грн
250+144.95 грн
500+140.27 грн
1000+134.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUMN10S5N017GAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUMN10S5N017GAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 200 A, 1700 µohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 307W
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+217.84 грн
500+180.39 грн
1000+158.85 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUMN10S5N017GAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 307W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 215µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-4-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12514 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUMN10S5N017GAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUMN10S5N017GAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 200 A, 1700 µohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 307W
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+389.35 грн
10+273.93 грн
100+217.84 грн
500+180.39 грн
1000+158.85 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS165N08S5N029Infineon TechnologiesMOSFET MOSFET_(75V 120V(
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS165N08S5N029Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 165A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+328.75 грн
45+314.63 грн
50+302.64 грн
100+281.93 грн
250+253.13 грн
500+236.39 грн
1000+230.61 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS165N08S5N029ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 165A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R
на замовлення 2930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+176.79 грн
500+169.72 грн
1000+160.29 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS165N08S5N029ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 165A HSOG-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 165A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6370 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+272.77 грн
10+172.69 грн
100+121.57 грн
500+103.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS165N08S5N029ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 165A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+174.87 грн
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS165N08S5N029ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 165A HSOG-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 165A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6370 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS165N08S5N029ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 386 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS165N08S5N029ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 165A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS180N04S4N015ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET MOSFET_(20V 40V)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS200N08S5N023Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(75V 120V(
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS200N08S5N023ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 200A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
182+194.47 грн
Мінімальне замовлення: 182 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS200N08S5N023ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUS200N08S5N023ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 200 A, 1800 µohm, PG-HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: PG-HSOG
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+156.07 грн
500+134.35 грн
1000+118.44 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS200N08S5N023ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 200A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS200N08S5N023ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 200A HSOG-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7670 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+293.15 грн
10+186.05 грн
100+131.54 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS200N08S5N023ATMA1Infineon TechnologiesN-канальний ПТ, Udss, В = 80, Id = 200 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 7670 @ 40, Qg, нКл = 110, Rds = 2,3 мОм, Ugs(th) = 3,8 В, Р, Вт = 200, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: PowerSMD-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1800 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
1800+214.82 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS200N08S5N023ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 1205 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS200N08S5N023ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 200A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
182+194.47 грн
500+186.22 грн
1000+176.79 грн
Мінімальне замовлення: 182 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS200N08S5N023ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUS200N08S5N023ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 200 A, 1800 µohm, PG-HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: PG-HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+289.37 грн
10+199.96 грн
100+156.07 грн
500+134.35 грн
1000+118.44 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS200N08S5N023ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 200A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+192.53 грн
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS200N08S5N023ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 200A HSOG-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7670 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS200N08S5N023ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 200A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+383.05 грн
50+285.23 грн
63+226.30 грн
1000+190.94 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS200N08S5N023ATMA1 транзистор
Код товару: 197348
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS240N08S5N019ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 240A HSOG-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9264 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+119.21 грн
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS240N08S5N019ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 3900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS240N08S5N019ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 240A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R
на замовлення 1789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+433.73 грн
44+321.76 грн
52+276.98 грн
500+265.95 грн
1000+223.10 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS240N08S5N019ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUS240N08S5N019ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 240 A, 1500 µohm, PG-HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: PG-HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1099 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+307.26 грн
10+217.03 грн
100+170.70 грн
500+153.22 грн
1000+125.41 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS240N08S5N019ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 240A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS240N08S5N019ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 240A HSOG-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9264 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2061 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+345.66 грн
10+220.77 грн
100+157.03 грн
500+129.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS240N08S5N019ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUS240N08S5N019ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 240 A, 1500 µohm, PG-HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 230W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: PG-HSOG
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0015ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1099 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+170.70 грн
500+153.22 грн
1000+125.41 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS240N08S5N019ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 240A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+219.34 грн
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS240N08S5N019ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 240A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS260N10S5N019TATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 260A 16-Pin HDSOP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS260N10S5N019TATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 260A HDSOP-16-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 210µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11830 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+180.51 грн
3600+164.83 грн
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS260N10S5N019TATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 260A 16-Pin HDSOP EP T/R
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+695.39 грн
31+470.27 грн
50+424.30 грн
100+395.51 грн
500+364.11 грн
1000+313.18 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS260N10S5N019TATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUS260N10S5N019TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 260 A, 1600 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HDSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0016ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+336.52 грн
100+269.05 грн
500+248.32 грн
1000+218.77 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS260N10S5N019TATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 260A 16-Pin HDSOP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS260N10S5N019TATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 5259 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS260N10S5N019TATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 260A 16-Pin HDSOP EP T/R
на замовлення 1010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
113+314.69 грн
500+301.73 грн
1000+284.05 грн
Мінімальне замовлення: 113 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS260N10S5N019TATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 260A HDSOP-16-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 210µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11830 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4071 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+503.21 грн
10+324.56 грн
100+233.85 грн
500+183.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS260N10S5N019TATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 260A 16-Pin HDSOP EP T/R
на замовлення 14695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
113+314.69 грн
500+301.73 грн
1000+284.05 грн
Мінімальне замовлення: 113 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS260N10S5N019TATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUS260N10S5N019TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 260 A, 1600 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+477.95 грн
10+336.52 грн
100+269.05 грн
500+248.32 грн
1000+218.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS260N10S5N019TATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 91A; Idm: 995A; 300W
Case: PG-HDSOP-16
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 5
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 166nC
On-state resistance: 2.6mΩ
Drain current: 91A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 995A
Power dissipation: 300W
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N04S4N007ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET MOSFET_(20V 40V)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N04S4N007ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(20V 40V) PG-HSOG-8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27356 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 342 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 275µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.74mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N04S4N007ATMA1Infineon TechnologiesN-channel - Enhancement mode MOSFET Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N08S5N011ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 410A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 19800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+318.98 грн
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N08S5N011ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 410A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N08S5N011ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 410A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N08S5N011ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(75V 120V(
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N08S5N011ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 410A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 9503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
110+322.94 грн
500+309.98 грн
1000+292.30 грн
Мінімальне замовлення: 110 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N08S5N011ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOG-8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16250 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N08S5N011TATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 400A 16-Pin HDSOP EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N08S5N011TATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUS300N08S5N011TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 1100 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+670.60 грн
50+452.75 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N08S5N011TATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 300A HDSOP-16-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16250 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+591.00 грн
10+384.26 грн
100+279.69 грн
500+220.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N08S5N011TATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 400A 16-Pin HDSOP EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1654 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+541.98 грн
28+518.70 грн
50+498.94 грн
100+464.79 грн
250+417.31 грн
500+389.71 грн
1000+380.19 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N08S5N011TATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 7150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N08S5N011TATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 400A 16-Pin HDSOP EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N08S5N011TATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 300A HDSOP-16-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16250 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+218.61 грн
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N08S5N011TATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 400A 16-Pin HDSOP EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 31953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
92+385.41 грн
100+370.09 грн
500+354.77 грн
1000+322.77 грн
Мінімальне замовлення: 92 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N08S5N011TATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUS300N08S5N011TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 1100 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 375W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HDSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.001ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+670.60 грн
50+452.75 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N08S5N012Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 300A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R
на замовлення 1766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+631.52 грн
25+604.39 грн
50+581.36 грн
100+541.58 грн
250+486.25 грн
500+454.10 грн
1000+442.99 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N08S5N012Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(75V 120V(
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N08S5N012ATMA1Infineon TechnologiesIAUS300N08S5N012ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R - Arrow.com
на замовлення 899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+543.39 грн
10+369.05 грн
100+283.91 грн
500+260.67 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N08S5N012ATMA1Infineon TechnologiesIAUS300N08S5N012ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R - Arrow.com
на замовлення 26546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
124+286.41 грн
500+271.08 грн
1000+256.94 грн
10000+232.99 грн
Мінімальне замовлення: 124 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N08S5N012ATMA1Infineon TechnologiesIAUS300N08S5N012ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R - Arrow.com
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+332.66 грн
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N08S5N012ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUS300N08S5N012ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 1200 µohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
на замовлення 1807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+446.25 грн
50+299.13 грн
100+216.22 грн
500+193.98 грн
1000+175.57 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N08S5N012ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 300A HSOG-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16250 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+344.09 грн
10+243.57 грн
100+198.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N08S5N012ATMA1Infineon TechnologiesIAUS300N08S5N012ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R - Arrow.com
на замовлення 899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+543.39 грн
39+369.05 грн
100+283.91 грн
500+260.67 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N08S5N012ATMA1Infineon TechnologiesIAUS300N08S5N012ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R - Arrow.com
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N08S5N012ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 300A; Idm: 1.2kA; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 300A
Pulsed drain current: 1.2kA
Power dissipation: 375W
Case: PG-HSOG-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 73nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N08S5N012ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 2358 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N08S5N012ATMA1Infineon TechnologiesIAUS300N08S5N012ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R - Arrow.com
на замовлення 785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
124+286.41 грн
500+271.08 грн
Мінімальне замовлення: 124 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N08S5N012ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 300A HSOG-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16250 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N08S5N012ATMA1Infineon TechnologiesIAUS300N08S5N012ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R - Arrow.com
на замовлення 3549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+558.57 грн
38+379.33 грн
100+291.78 грн
500+267.82 грн
1800+236.91 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N08S5N012ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUS300N08S5N012ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 1200 µohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 375W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOG
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.001ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
на замовлення 1807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+216.22 грн
500+193.98 грн
1000+175.57 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N08S5N012TInfineon TechnologiesIAUS300N08S5N012T
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+744.97 грн
25+710.57 грн
50+681.97 грн
100+634.44 грн
250+569.22 грн
500+531.47 грн
1000+518.57 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N08S5N012TATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 400A Automotive 16-Pin HDSOP EP T/R
на замовлення 3611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
111+320.59 грн
500+302.91 грн
1000+286.41 грн
Мінімальне замовлення: 111 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N08S5N012TATMA1InfineonMosfet, N-Ch, 80V, 300A, Hdsop Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11  [ Наступна Сторінка >> ]