Продукція > SSM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 10 20 30 40 50 60 70 80 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SSM6K781G,LFToshibaMOSFETs WCSP6C S-MOS TRSTR Pd=0mW F=1MHz
на замовлення 51800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K804R,LFToshibaMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOSIX-H)
на замовлення 9208 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K809R,LFToshibaMOSFETs Small Signal MOSFET N-ch VDSS=60V, VGSS=+/-20V, RDS(a.4.5V)=0.051?, ID=6.0A
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K809R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: SMALL SIGNAL MOSFET N-CH VDSS=60
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K809R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: SMALL SIGNAL MOSFET N-CH VDSS=60
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
на замовлення 5412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.46 грн
11+28.00 грн
100+18.65 грн
500+14.57 грн
1000+13.11 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K809R,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q SS MOS N-CH LOGIC-LEV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K809R,LXHFToshibaMOSFETs AUTO AEC-Q SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:60V IC:6.0A PD:1.5W TSOP6F
на замовлення 37637 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K809R,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q SS MOS N-CH LOGIC-LEV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.17 грн
10+47.25 грн
100+30.97 грн
500+22.48 грн
1000+20.35 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K809R,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6K809R,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6 A, 0.036 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 3W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+31.29 грн
500+20.61 грн
1000+17.28 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K809R,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6K809R,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6 A, 0.036 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 3W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+76.65 грн
18+47.71 грн
100+31.29 грн
500+20.61 грн
1000+17.28 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K810R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: SMALL SIGNAL MOSFET N-CH VDSS=10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 15 V
на замовлення 5720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.68 грн
11+27.63 грн
100+18.39 грн
500+14.37 грн
1000+12.92 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K810R,LFToshibaMOSFETs Small Signal MOSFET N-ch VDSS=100V, VGSS=+/-20V, RDS(a.4.5V)=0.092ohm, ID=3.5A
на замовлення 2881 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K810R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: SMALL SIGNAL MOSFET N-CH VDSS=10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K810R,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q SS MOS N-CH LOGIC-LEV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+78.38 грн
10+47.32 грн
100+31.00 грн
500+22.50 грн
1000+20.37 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K810R,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q SS MOS N-CH LOGIC-LEV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K810R,LXHFToshibaMOSFETs AUTO AEC-Q SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:100V IC:3.5A PD:1.5W TSOP6F
на замовлення 4724 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K810R,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6K810R,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.5 A, 0.069 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+34.46 грн
500+24.76 грн
1000+20.69 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K810R,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6K810R,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.5 A, 0.069 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+84.54 грн
16+52.59 грн
100+34.46 грн
500+24.76 грн
1000+20.69 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K818R,LFToshibaMOSFETs
на замовлення 11972 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K818R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: N-CH MOSFET 30V, +/-20V, 15A ,0.
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.17 грн
10+47.70 грн
100+31.24 грн
500+22.68 грн
1000+20.54 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K818R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: N-CH MOSFET 30V, +/-20V, 15A ,0.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K819R,LFToshibaMOSFETs
на замовлення 10941 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K819R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: N-CH MOSFET, 100 V, 10 A, 0.0258
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.8mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.94 грн
6000+16.82 грн
9000+16.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K819R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: N-CH MOSFET, 100 V, 10 A, 0.0258
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.8mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
на замовлення 11892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.81 грн
10+46.04 грн
100+30.11 грн
500+21.82 грн
1000+19.75 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K819R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6K819R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.0258 ohm, TSOP-F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: TSOP-F
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0258ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+81.28 грн
50+51.05 грн
100+33.33 грн
500+23.93 грн
1500+20.00 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K819R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6K819R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.0258 ohm, TSOP-F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: TSOP-F
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0258ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+33.33 грн
500+23.93 грн
1500+20.00 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K819R,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q SS MOS N-CH LOGIC-LEV
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.8mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+29.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K819R,LXHFToshibaMOSFETs AUTO AEC-Q SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:100V IC:10A PD:1.5W TSOP6F
на замовлення 7784 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K819R,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q SS MOS N-CH LOGIC-LEV
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.8mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3028 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.73 грн
10+66.95 грн
100+44.67 грн
500+32.93 грн
1000+30.04 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K819R,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6K819R,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.0258 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0258ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+121.93 грн
11+76.90 грн
100+51.37 грн
500+37.59 грн
1000+31.56 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K819R,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6K819R,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.0258 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0258ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+51.37 грн
500+37.59 грн
1000+31.56 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K824R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: N-CH MOSFET 20V, +/-8V, 6A ,0.03
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.14 грн
15+20.76 грн
100+14.04 грн
500+10.27 грн
1000+9.31 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K824R,LFToshibaMOSFETs
на замовлення 11875 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K824R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: N-CH MOSFET 20V, +/-8V, 6A ,0.03
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L05FUTOSHIBA
на замовлення 15263 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L05FU(TE85L)TOSHIBASOT363-K4
на замовлення 6870 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L05FU(TE85L) SOT363-TOSHIBA
на замовлення 6870 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L05FU(TE85L)SOT363-K4
на замовлення 6870 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L05FUTE85LSOT363-K4TOSHIBA
на замовлення 6615 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L09FU
на замовлення 2670 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L09FUTE85LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N/P-CH 30V 0.4A US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA, 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 200MA, 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 100µA
Supplier Device Package: US6
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.94 грн
6000+5.40 грн
9000+5.10 грн
15000+4.69 грн
21000+4.68 грн
30000+4.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L09FUTE85LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N/P-CH 30V 0.4A US6
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: US6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 100µA
FET Feature: Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 200MA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20pF @ 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA, 200mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 300mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 53604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.92 грн
16+19.47 грн
100+12.35 грн
500+8.68 грн
1000+7.74 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L09FUTE85LFToshibaMOSFETs N-Ch P-Ch Sg FET 0.4A -0.2A 30V -30V
на замовлення 817706 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L10TU
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L11TU(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.5A UF6 S
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L11TU(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.5A UF6 S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L11TU(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.5A UF6 S
на замовлення 2314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L12TUTOSHIBA
на замовлення 8700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L12TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N/P-CH 30V 500MA UF6
Part Status: Active
Supplier Device Package: UF6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 500mA, 4.5V, 260mOhm @ 250mA, 4V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 245pF @ 10V, 218pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V
Power - Max: 500mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.97 грн
10+31.40 грн
100+21.40 грн
500+15.06 грн
1000+11.29 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L12TU,LFToshibaMOSFETs LowON Res MOSFET ID=-0.5A VDSS=-30V
на замовлення 17627 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L12TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N/P-CH 30V 500MA UF6
Part Status: Active
Supplier Device Package: UF6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 500mA, 4.5V, 260mOhm @ 250mA, 4V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 245pF @ 10V, 218pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V
Power - Max: 500mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L12TU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6L12TU,LF(T - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 20 V, 500 mA, 500 mA, 0.145 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 500mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.26ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-363F
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.145ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+17.72 грн
500+11.47 грн
1500+9.41 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L12TU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6L12TU,LF(T - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 20 V, 500 mA, 500 mA, 0.145 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 500mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.26ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-363F
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.145ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+44.71 грн
50+27.72 грн
100+17.72 грн
500+11.47 грн
1500+9.41 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L13TU
на замовлення 867000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L14FE(TE85L,F)TOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6L14FE(TE85L,F) - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 800 mA, 720 mA, 0.24 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 720mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 800mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.24ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+32.84 грн
41+20.00 грн
100+12.68 грн
500+8.76 грн
1000+7.25 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L14FE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.8A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta), 720mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90pF @ 10V, 110pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 500mA, 4.5V, 300mOhm @ 400mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V, 1.76nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 26440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.92 грн
16+19.32 грн
100+12.24 грн
500+8.59 грн
1000+6.63 грн
2000+6.56 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L14FE(TE85L,F)TOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6L14FE(TE85L,F) - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 800 mA, 720 mA, 0.24 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 720mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 800mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.24ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.68 грн
500+8.76 грн
1000+7.25 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L14FE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.8A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta), 720mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90pF @ 10V, 110pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 500mA, 4.5V, 300mOhm @ 400mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V, 1.76nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+6.52 грн
8000+5.21 грн
12000+5.19 грн
20000+4.84 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L14FE(TE85L,F)ToshibaMOSFETs LowON Res MOSFET ID=0.8A VDSS=20V
на замовлення 247587 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L14FETE85L
на замовлення 3878 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L16FE
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L16FE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.1A ES6
на замовлення 3829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L16FE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.1A ES6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L16FE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.1A ES6
на замовлення 3829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L16FETE85LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A ES6
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L16FETE85LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A ES6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L35FE,LMToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA, 100mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 50mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.04 грн
8000+4.64 грн
12000+4.02 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L35FE,LMToshibaMOSFET Small Signal MOSFET
на замовлення 6152 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L35FE,LMToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA, 100mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 50mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 27310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.22 грн
16+18.95 грн
100+9.54 грн
500+7.30 грн
1000+5.42 грн
2000+4.56 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L35FE,LM(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6L35FE,LM(T - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 180 mA, 100 mA, 3 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 180mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 8ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+23.74 грн
56+14.71 грн
250+9.27 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L35FE,LM(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6L35FE,LM(T - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 180 mA, 100 mA, 3 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 180mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 8ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+14.71 грн
250+9.27 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L35FUToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L35FU(TE85L,F)ToshibaTrans MOSFET N/P-CH Si 20V 0.18A/0.1A 6-Pin US T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L35FU(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A US6
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: US6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 50mA, 4V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 3V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA, 100mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 200mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.35 грн
14+22.95 грн
100+14.29 грн
500+9.18 грн
1000+7.06 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L35FU(TE85L,F)ToshibaMOSFET N-Ch Sm Sig FET 0.1A -0.1A 20V 2-in1
на замовлення 35261 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L35FU(TE85L,F)ToshibaTrans MOSFET N/P-CH Si 20V 0.18A/0.1A 6-Pin US T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L35FU(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A US6
Part Status: Active
Supplier Device Package: US6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 50mA, 4V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 3V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA, 100mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 200mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2900 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L36FE
на замовлення 2820 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L36FE,LMToshibaMOSFET Small-signal MOSFET 2-in-1
на замовлення 81779 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L36FE,LMToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.5A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA, 330mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 200mA, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23nC @ 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L36FE,LMToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.5A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA, 330mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 200mA, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23nC @ 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 1295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.65 грн
20+15.62 грн
100+9.81 грн
500+6.84 грн
1000+6.08 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L36FE,LM(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6L36FE,LM(T - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 500 mA, 330 mA, 0.63 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 330mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 500mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.31ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.63ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+25.85 грн
52+15.93 грн
250+10.00 грн
1000+6.11 грн
2000+4.97 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L36FE,LM(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6L36FE,LM(T - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 500 mA, 330 mA, 0.63 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 330mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 500mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.31ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.63ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+15.93 грн
250+10.00 грн
1000+6.11 грн
2000+4.97 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L36FE,LM(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6L36FE,LM(T - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 500 mA, 330 mA, 0.63 ohm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 330mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 500mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.31ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.63ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+4.25 грн
12000+3.79 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L36FE,LM(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6L36FE,LM(T - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 500 mA, 330 mA, 0.63 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 330mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 500mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.31ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.63ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+4.25 грн
12000+3.79 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L36FETE85L
на замовлення 9768 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L36FETE85L,F
на замовлення 9768 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L36TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.5A UF6
Part Status: Active
Supplier Device Package: UF6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23nC @ 4V, 1.2nC @ 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 200mA, 5V, 1.31Ohm @ 100mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 10V, 43pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta), 330mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 500mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.87 грн
16+19.40 грн
100+11.62 грн
500+10.09 грн
1000+6.86 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L36TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.5A UF6
Part Status: Active
Supplier Device Package: UF6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23nC @ 4V, 1.2nC @ 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 200mA, 5V, 1.31Ohm @ 100mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 10V, 43pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta), 330mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 500mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L36TU,LFToshibaMOSFETs Small Signal MOSFET N-ch + P-ch VDSS=20V, VGSS=+/-10V, ID=0.5A, RDS(ON)=0.66ohm at 4.5V, in UF6 package
на замовлення 2399 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L39TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.8A UF6
Part Status: Active
Supplier Device Package: UF6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate, 1.8V Drive
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 143mOhm @ 600MA, 4V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 268pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 500mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.33 грн
12+25.36 грн
100+16.20 грн
500+11.49 грн
1000+10.29 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L39TU,LFToshibaMOSFETs Small Signal MOSFET
на замовлення 12747 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L39TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.8A UF6
Part Status: Active
Supplier Device Package: UF6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate, 1.8V Drive
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 143mOhm @ 600MA, 4V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 268pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 500mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L39TU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6L39TU,LF(T - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 1.6 A, 1.6 A, 0.087 ohm
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.087ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363F
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.087ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 7523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.60 грн
500+15.55 грн
1000+12.75 грн
5000+9.96 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L39TU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6L39TU,LF(T - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 1.6 A, 1.6 A, 0.087 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.087ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363F
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.087ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 7388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+44.95 грн
25+33.00 грн
100+20.32 грн
500+13.66 грн
1000+11.08 грн
5000+9.55 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L39TULF(TToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L40TU(TE85L,F)
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L40TU(TE85L,F)ToshibaMOSFET N-Ch FET 30V 1.6A 1V 500mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L40TU,LFToshibaMOSFETs LowON Res MOSFET ID=1.6A VDSS=30V
на замовлення 139300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L40TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N/P-CH 30V 1.6A UF6
Part Status: Active
Supplier Device Package: UF6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA, 2V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate, 4V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1nC @ 10V, 2.9nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 122mOhm @ 1A, 10V, 226mOhm @ 1A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 15V, 120pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta), 1.4A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 500mW (Ta)
на замовлення 94343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.89 грн
12+25.96 грн
100+16.60 грн
500+11.77 грн
1000+10.54 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 10 20 30 40 50 60 70 80 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101  [ Наступна Сторінка >> ]