Продукція > SSM

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SSM6J414TU,LF(TToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 6A 6-Pin UF T/R
на замовлення 3562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
443+31.98 грн
513+27.59 грн
594+23.82 грн
685+19.92 грн
783+16.15 грн
918+13.21 грн
1044+11.61 грн
Мінімальне замовлення: 443 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J414TU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6J414TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0225 ohm, SOT-363F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-363F
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0225ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J422TU,LFToshibaMOSFETs Small Signal MOSFET P-ch VDSS=-20V, VGSS=+6/-8V, ID=-4.0A, RDS(ON)=0.0427Ohm at 4.5V, in UF6 package
на замовлення 3582 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J422TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 4A UF6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.7mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
на замовлення 3895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.49 грн
15+20.68 грн
100+13.11 грн
500+9.23 грн
1000+8.24 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J422TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 4A UF6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.7mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J422TU,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: SMOS P-CH VDSS=-20V, VGSS=+6/-8V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.7mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
на замовлення 2567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.14 грн
12+26.72 грн
100+19.97 грн
500+14.73 грн
1000+11.38 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J422TU,LXHFToshibaMOSFETs SMOS P-ch VDSS=-20V, VGSS=+6/-8V, ID=-4.
на замовлення 8560 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J422TU,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: SMOS P-CH VDSS=-20V, VGSS=+6/-8V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.7mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J422TU,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6J422TU,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.0427 ohm, SOT-363F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-363F
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0427ohm
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J422TU,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6J422TU,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.0427 ohm, SOT-363F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-363F
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0427ohm
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J424TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 6A UF6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.5mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J424TU,LFToshibaMOSFET Small Signal MOSFET P-ch VDSS=-20V, VGSS=+6/-8V, ID=-6.0A, RDS(ON)=0.0225Ohm a. 4.5V, in UF6 package
на замовлення 4345 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J424TU,LFToshibaP-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 6 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1650 @ 10, Qg, нКл = 23,1 @ 4,5 В, Rds = 22,5 мОм @ 6 A, 4,5 В, Ugs(th) = 1 В @ 1000 мкА, Р, Вт = 1, Тексп, °C = до 150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SMD-6 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J424TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 6A UF6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.5mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 10 V
на замовлення 504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.84 грн
11+28.68 грн
100+19.53 грн
500+13.74 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J501NU,JFTOSHIBAQFN
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J501NU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 10A 6UDFNB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.3mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 10 V
на замовлення 222000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.83 грн
9000+9.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J501NU,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 10A 6-Pin UDFN-B EP T/R
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J501NU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 10A 6UDFNB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.3mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 10 V
на замовлення 224473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.03 грн
11+28.08 грн
50+20.44 грн
100+16.87 грн
500+12.79 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J501NU,LFToshibaMOSFETs PWR MGT 1.5V Drive P-Ch MOS -20V
на замовлення 18682 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J501NU,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 10A 6-Pin UDFN-B EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J501NU,LF(BToshibaTrans MOSFET P-CH 20V 10A 6-Pin UDFN-B EP
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
304+46.65 грн
316+44.78 грн
500+43.17 грн
1000+40.27 грн
Мінімальне замовлення: 304 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J501NU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6J501NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 10 A, 0.012 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-1220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.012ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J501NU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6J501NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 10 A, 0.012 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J501NU,LF(TToshibaTrans MOSFET P-CH 20V 10A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 2981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
361+39.22 грн
492+28.76 грн
521+27.16 грн
1000+26.09 грн
Мінімальне замовлення: 361 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J502NUToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J502NU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 6A 6UDFNB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.1mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 10 V
на замовлення 9005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.11 грн
12+25.96 грн
100+16.56 грн
500+11.74 грн
1000+10.51 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J502NU,LFToshibaMOSFETs SM Sig P-CH MOS ID -6A -20V -8 VGSS
на замовлення 3065 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J502NU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 6A 6UDFNB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.1mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.91 грн
6000+8.70 грн
9000+8.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J502NU,LF(TToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P CH 20V 6A 2-2AA1A
на замовлення 5968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J502NU,LF(TToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P CH 20V 6A 2-2AA1A
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J502NU,LF(TToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P CH 20V 6A 2-2AA1A
на замовлення 5968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J502NU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6J502NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0231 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0231ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J502NULF(TToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J503NU,LFToshibaMOSFETs SM Sig P-CH MOS ID -6A -20V -8 VGSS
на замовлення 8788 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J503NU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 6A 6UDFNB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.4mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J503NU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 6A 6UDFNB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.4mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
на замовлення 2710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.06 грн
11+28.30 грн
100+19.28 грн
500+13.57 грн
1000+10.17 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J505NU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 12V 12A 6UDFNB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J505NU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 12V 12A 6UDFNB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 10 V
на замовлення 2640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.27 грн
11+28.98 грн
100+20.14 грн
500+14.75 грн
1000+11.99 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J505NU,LFToshibaMOSFETs P-Ch U-MOS VI FET ID -12A -12V 1200pF
на замовлення 26686 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J505NU,LF(TToshibaTrans MOSFET P-CH Si 12V 12A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 1151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
341+41.59 грн
410+34.54 грн
512+27.63 грн
671+20.34 грн
827+15.27 грн
Мінімальне замовлення: 341 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J505NU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6J505NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 A, 9000 µohm, UDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 1.25W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: UDFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
на замовлення 4339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J505NU,LF(TToshibaTrans MOSFET P-CH Si 12V 12A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 1151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+41.59 грн
22+34.54 грн
28+27.63 грн
100+20.34 грн
500+15.27 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J507NUToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J507NU,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 30V 10A 6-Pin UDFN-B EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J507NU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 10A 6UDFNB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +20V, -25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 15 V
на замовлення 36497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.87 грн
10+32.76 грн
50+23.94 грн
100+19.81 грн
500+15.10 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J507NU,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 30V 10A 6-Pin UDFN-B EP T/R
на замовлення 1115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+44.65 грн
21+36.66 грн
25+36.29 грн
100+22.21 грн
250+17.38 грн
500+15.45 грн
1000+10.36 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J507NU,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 30V 10A 6-Pin UDFN-B EP T/R
на замовлення 1115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J507NU,LFToshibaMOSFET P-CH 30V 10A UDFNB-6 Транзистори
на замовлення 1 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
1+780.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J507NU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 10A 6UDFNB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +20V, -25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 15 V
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.89 грн
9000+10.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J507NU,LFToshibaMOSFETs Small Signal MOSFET V=30V, I-10A
на замовлення 26453 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J507NU,LF(BToshibaTrans MOSFET P-CH Si 30V 10A 6-Pin UDFN-B EP
на замовлення 1521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
354+40.04 грн
369+38.42 грн
500+37.04 грн
1000+34.55 грн
Мінімальне замовлення: 354 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J507NU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6J507NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 10 A, 0.02 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 3472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J507NU,LF(TToshibaTrans MOSFET P-CH Si 30V 10A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 11379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+57.88 грн
17+44.71 грн
25+39.86 грн
100+34.53 грн
500+30.04 грн
1000+26.53 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J507NU,LF(TToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J507NU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6J507NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 10 A, 0.02 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 3472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J507NU,LF(TToshibaTrans MOSFET P-CH Si 30V 10A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 11379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
245+57.88 грн
317+44.71 грн
355+39.86 грн
395+34.53 грн
500+30.04 грн
1000+26.53 грн
Мінімальне замовлення: 245 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J507NULF(TToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J50TUTOSHIBA
на замовлення 20200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J50TU(TE85L,F)ToshibaMOSFET Vds=-20V Id=-2.5A 6Pin
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J50TU,LFToshibaMOSFETs LowON Res MOSFET ID=-2.5A VDSS=-20V
на замовлення 3772 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J50TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 2.5A UF6
на замовлення 3461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J50TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 2.5A UF6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J511NU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 12V 14A 6UDFNB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 4A, 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3350 pF @ 6 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.93 грн
9000+9.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J511NU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 12V 14A 6UDFNB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 4A, 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3350 pF @ 6 V
на замовлення 29010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.81 грн
11+28.30 грн
50+20.61 грн
100+17.01 грн
500+12.90 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J511NU,LFToshibaMOSFETs Small-signal MOSFET Power MGMT switch
на замовлення 19750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J511NU,LF(TTOSHIBACategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -14A; 1.25W; uDFN6; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -14A
Power dissipation: 1.25W
Case: uDFN6
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 19.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 6024 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
15+31.07 грн
17+25.75 грн
50+19.37 грн
100+17.02 грн
200+14.93 грн
500+12.50 грн
1000+11.07 грн
3000+10.40 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J511NU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6J511NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 14 A, 6500 µohm, UDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: UDFN
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 7730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J511NU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6J511NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 14 A, 6500 µohm, UDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.25W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: UDFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0065ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J512NU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 12V 10A 6UDFNB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.2mOhm @ 4A, 8V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 6 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J512NU,LFToshibaMOSFETs Small-signal MOSFET Vdss=-12V, Id=-10A
на замовлення 13337 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J512NU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 12V 10A 6UDFNB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.2mOhm @ 4A, 8V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 6 V
на замовлення 2561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.30 грн
18+17.74 грн
100+10.66 грн
500+9.26 грн
1000+6.52 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J512NU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6J512NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 10 A, 0.0162 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0162ohm
на замовлення 597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J512NU,LF(TToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J512NU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6J512NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 10 A, 0.0162 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0162ohm
на замовлення 597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J51TUTOSHIBA09+
на замовлення 5418 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J51TU(TE85L,F)TOSHIBASOT26
на замовлення 6300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J51TUTE85LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 12V 4A UF6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J51TUTE85LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 12V 4A UF6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J51TUTE85LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 12V 4A UF6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J51TUTE85LFToshibaMOSFET Vds=-12V Id=-4A 6Pin
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J53FETOSHIBA09+
на замовлення 88018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J53FEToshibaMOSFET Vds=-20V Id=1.8A 6Pin
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J53FE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 1.8A ES6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J53FE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 1.8A ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J53FE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 1.8A ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J771G,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 5A 6WCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 3A, 8.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J771G,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 5A 6WCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 3A, 8.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 10 V
на замовлення 1012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.98 грн
10+41.59 грн
100+27.19 грн
500+19.70 грн
1000+17.83 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J771G,LFToshibaMOSFETs P-Ch SSM -5A -20V 12V VGSS 0.035Ohm
на замовлення 2847 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J771G,LF(STOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6J771G,LF(S - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5 A, 0.031 ohm, WCSP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: WCSP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 8.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
на замовлення 2646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J771G,LF(STOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6J771G,LF(S - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5 A, 0.031 ohm, WCSP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: WCSP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 8.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
на замовлення 2646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J801R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 6A 6TSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J801R,LFToshibaMOSFETs Small-signal MOSFET ID=-6A VDSS=-20V
на замовлення 4148 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J801R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 6A 6TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J808R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: P-CH MOSFET, -40 V, -7 A, 0.035O
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.71 грн
10+37.74 грн
100+24.55 грн
500+17.70 грн
1000+15.97 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J808R,LFToshibaMOSFETs MOSFET, P-CH, 40V, 7A, TSOP
на замовлення 23237 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J808R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: P-CH MOSFET, -40 V, -7 A, 0.035O
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.25 грн
6000+13.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J808R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6J808R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 7 A, 0.035 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J808R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6J808R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 7 A, 0.035 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J808R,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q SS MOS P-CH LOGIC-LEV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.95 грн
10+48.61 грн
100+31.96 грн
500+23.27 грн
1000+21.10 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J808R,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q SS MOS P-CH LOGIC-LEV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.