Продукція > FDT

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDT-08-PED-CI3MDescription: MOUNTING BRACKET
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
товар відсутній
FDT-25OMEGADescription: OMEGA - FDT-25 - KIT DIGIT. ULTRASCHALL-DURCHFLUSSMESSER
tariffCode: 90261021
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Durchflussmesser, Messwandler & Kabel, Kette/Klemme/Maßband/RS232-Kabel, Netzadapter/Ladegerät, Akustik-Gel
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+129826.91 грн
FDT-40-PC-CABLEOMEGADescription: OMEGA - FDT-40-PC-CABLE - Messzubehör, USB-PC-Programmierkabel
Art des Zubehörs: USB-PC-Programmierkabel
Zur Verwendung mit: Ultraschall-Durchflussmesser der Produktreihe FDT-40 von OMEGA
Produktpalette: FDT-40 Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
FDT-40-RTD1OMEGADescription: OMEGA - FDT-40-RTD1 - Messzubehör, RTD-Kit, Anklemmen, 130C, 1000 Ohm, 6.1m
Art des Zubehörs: RTD-Kit, Anklemmen, 130C, 1000 Ohm, 6.1m
Zur Verwendung mit: Ultraschall-Energiedurchflussmesser der Produktreihe FDT-40E von OMEGA
Produktpalette: FDT-40 Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
FDT-40E-VDC-HTOMEGADescription: OMEGA - FDT-40E-VDC-HT - Anzeige, Energiedurchflussmesser, 10 bis 28V DC, -40°C bis 176°C, Produktreihe FDT-40E
Anschlussgröße: -
DC-Versorgungsspannung, min.: 10
Genauigkeit %: 1
Druck, max.: -
Durchflussrate: -
DC-Versorgungsspannung, max.: 28
Durchflussrate, max.: -
Produktpalette: FDT-40E Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
FDT-45-ANSI-HTOMEGADescription: OMEGA - FDT-45-ANSI-HT - Messzubehör, Durchflussmesser, Remote, 1.5" ANSI-Rohr
Art des Zubehörs: Durchflussmesser, Remote, 1.5" ANSI-Rohr
Zur Verwendung mit: Ultraschall-Energiedurchflussmesser der Produktreihe FDT-40E von OMEGA
Produktpalette: FDT-40 Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
FDT-47-100FTOMEGADescription: OMEGA - FDT-47-100FT - Messzubehör, Kabel, 30.48m, Durchflussmesser, Remote, Rohre mit 50.8mm bis 609.6mm
Art des Zubehörs: Durchflussmesser, Remote, Rohre mit 50.8mm bis 609.6mm
Zur Verwendung mit: Ultraschall-Energiedurchflussmesser der Produktreihe FDT-40E von OMEGA
Produktpalette: FDT-40 Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
FDT-70A-903Bansbach easyliftDescription: ROTARY DAMPER TORQUE 8.7NM
Features: Disk Type
Packaging: Bag
Type: Rotary Damper
Operating Temperature: -10°C ~ 50°C
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2197.41 грн
FDT-70B-903Bansbach easyliftDescription: ROTARY DAMPER TORQUE 8.7NM
Packaging: Bag
Features: Disk Type
Type: Rotary Damper
Operating Temperature: -10°C ~ 50°C
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2197.41 грн
FDT02106QFP-ESEPSON0317+
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDT09SG2M-K1019FCT GroupFCT Dual Port 09 Receptacle / 09 Receptacle With Hood
товар відсутній
FDT1-052KTE CONNECTIVITYDescription: TE CONNECTIVITY - FDT1-052K - Piezoelektrischer Foliensensor, Vibration, Baureihe FDT, flexible Anschlussdrähte, 0.74nF
tariffCode: 90318080
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Empfindlichkeit: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Versorgungsspannung, max.: -
usEccn: EAR99
Sensormontage: Durchsteckmontage
Produktpalette: FDT Series
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1575.47 грн
FDT1600N10ALZONSEMIDescription: ONSEMI - FDT1600N10ALZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.121 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10.42W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.121ohm
на замовлення 25502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+65.02 грн
14+ 53.97 грн
100+ 34.13 грн
500+ 26.42 грн
Мінімальне замовлення: 12
FDT1600N10ALZonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 5.6A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 10.42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 50 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+18.95 грн
8000+ 17.29 грн
Мінімальне замовлення: 4000
FDT1600N10ALZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 5.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
FDT1600N10ALZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 5.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
FDT1600N10ALZONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.5A; 10.42W; SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 10.42W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT223
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.5A
On-state resistance: 0.16Ω
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 3890 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+75.94 грн
12+ 30.12 грн
25+ 26.63 грн
34+ 23.45 грн
93+ 22.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDT1600N10ALZONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.5A; 10.42W; SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 10.42W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT223
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.5A
On-state resistance: 0.16Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3890 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+91.12 грн
7+ 37.54 грн
25+ 31.96 грн
34+ 28.14 грн
93+ 26.6 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDT1600N10ALZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 5.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
219+53.34 грн
221+ 52.8 грн
289+ 40.35 грн
292+ 38.52 грн
500+ 28.59 грн
1000+ 21.9 грн
Мінімальне замовлення: 219
FDT1600N10ALZONSEMIDescription: ONSEMI - FDT1600N10ALZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.121 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10.42W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.121ohm
на замовлення 25502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+34.13 грн
500+ 26.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDT1600N10ALZonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 5.6A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 10.42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 50 V
на замовлення 10590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+49.76 грн
10+ 41.62 грн
100+ 28.82 грн
500+ 22.6 грн
1000+ 19.23 грн
2000+ 17.13 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDT1600N10ALZonsemi / FairchildMOSFET 100V 160mOhm SOT223 GREEN EMC
на замовлення 26174 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+54.21 грн
10+ 46.25 грн
100+ 27.86 грн
500+ 23.26 грн
1000+ 19.85 грн
2000+ 17.68 грн
4000+ 17.35 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDT1600N10ALZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 5.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+59.7 грн
11+ 52.43 грн
100+ 40.21 грн
500+ 30.66 грн
1000+ 22.73 грн
2500+ 19.73 грн
Мінімальне замовлення: 10
FDT21624076BREckoDescription: 8" STANDARD DUCT, 25'L W/STRAP
Packaging: Box
Type: Standard Duct
Part Status: Active
Weight (Pounds): 16
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+19050.81 грн
FDT2363506NFMTFechometal USADescription: 304 SSEAR-LOKT BUCKLE 1/4" WIDTH
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDT3612ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
FDT3612ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.7A; 3W; SOT223
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 3W
Polarisation: unipolar
Drain current: 3.7A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT223
On-state resistance: 245mΩ
Mounting: SMD
товар відсутній
FDT3612onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 3.7A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 632 pF @ 50 V
на замовлення 39473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.5 грн
10+ 37.99 грн
100+ 26.32 грн
500+ 20.64 грн
1000+ 17.56 грн
2000+ 15.64 грн
Мінімальне замовлення: 7
FDT3612ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.7A; 3W; SOT223
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 3W
Polarisation: unipolar
Drain current: 3.7A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT223
On-state resistance: 245mΩ
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDT3612ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+38.41 грн
Мінімальне замовлення: 4000
FDT3612ONSEMIDescription: ONSEMI - FDT3612 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.7 A, 0.12 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.7
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 3
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.12
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+51.98 грн
16+ 46.08 грн
100+ 35.31 грн
500+ 18.83 грн
Мінімальне замовлення: 15
FDT3612onsemi / FairchildMOSFET 100V NCh PowerTrench
на замовлення 48273 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+49.22 грн
10+ 42.25 грн
100+ 25.5 грн
500+ 21.29 грн
1000+ 18.14 грн
2000+ 16.17 грн
4000+ 15.97 грн
Мінімальне замовлення: 7
FDT3612ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+19.45 грн
8000+ 18.28 грн
12000+ 17.26 грн
28000+ 16.62 грн
Мінімальне замовлення: 4000
FDT3612ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+47.44 грн
14+ 41.7 грн
25+ 41.3 грн
100+ 32.11 грн
250+ 28.3 грн
500+ 23.34 грн
1000+ 19.03 грн
3000+ 15.64 грн
Мінімальне замовлення: 13
FDT3612onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 3.7A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 632 pF @ 50 V
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+17.31 грн
8000+ 15.79 грн
12000+ 14.62 грн
28000+ 13.59 грн
Мінімальне замовлення: 4000
FDT3612ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+23.67 грн
Мінімальне замовлення: 4000
FDT3612Fairchild/ON SemiconductorN-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 3,7 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 632 @ 50; Qg, нКл = 20 @ 10 В; Rds = 120 мОм @ 3,7 A, 10 В; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; Р, Вт = 3; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOT-223
на замовлення 4 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
4+156 грн
10+ 62.4 грн
100+ 46.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDT3612ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+16.48 грн
Мінімальне замовлення: 4000
FDT3612ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
262+44.48 грн
325+ 35.86 грн
342+ 34.14 грн
500+ 28.28 грн
1000+ 21.34 грн
3000+ 16.84 грн
Мінімальне замовлення: 262
FDT3612-SB82273onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 3.7A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 632 pF @ 50 V
товар відсутній
FDT3612-SB82273onsemionsemi
товар відсутній
FDT3612-SN00151onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V SOT223
товар відсутній
FDT3612-SN00151onsemionsemi
товар відсутній
FDT3612/3612FAIR
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDT3612_NLFAIRCHIL09+ TO-220
на замовлення 850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDT3612_SN00151onsemionsemi
товар відсутній
FDT3622FAIRCHILDSOT-223
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDT3622FAIRCHILD07+ SOT-223
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDT3N40onsemionsemi UF 400V 3.4OHM SOT223
товар відсутній
FDT3N40TFonsemi / FairchildMOSFET 400V N-Chan UniFET
товар відсутній
FDT3N40TFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 400V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
FDT3N40TFONSEMIDescription: ONSEMI - FDT3N40TF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 2 A, 2.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400
Dauer-Drainstrom Id: 2
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.8
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товар відсутній
FDT3N40TFonsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 2A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 25 V
товар відсутній
FDT3N40TFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 400V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
FDT3N40TFONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.2A; 2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.2A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FDT3N40TFONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.2A; 2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.2A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDT3N40TFONSEMIDescription: ONSEMI - FDT3N40TF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 2 A, 2.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400
Dauer-Drainstrom Id: 2
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.8
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товар відсутній
FDT3N40TFonsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 2A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 25 V
товар відсутній
FDT3N40TFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 400V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDT434PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 6A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1187 pF @ 10 V
товар відсутній
FDT434PFairchild/ON SemiconductorP-канальний ПТ; Udss, В = 20; Id = 6 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 1187 @ 10; Qg, нКл = 19 @ 4,5 В; Rds = 50 мОм @ 6 A, 4,5 В; Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА; Р, Вт = 3 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOT-223
на замовлення 166 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
48+13.23 грн
51+ 12.36 грн
100+ 11.47 грн
Мінімальне замовлення: 48
FDT434PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
FDT434PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 6A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1187 pF @ 10 V
товар відсутній
FDT434Ponsemi / FairchildMOSFET SOT-223 P-CH -20V
товар відсутній
FDT434PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
FDT434P/434FAIRCHILD
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDT434P_F081onsemi / Fairchildonsemi
товар відсутній
FDT434P_NLonsemi / FairchildMOSFET 20V, 80MOHM P-CH MOSFET SOT223
товар відсутній
FDT434P_Qonsemi / FairchildMOSFET SOT-223 P-CH -20V
товар відсутній
FDT434P_Tonsemi / Fairchildonsemi
товар відсутній
FDT4395310NFMTFechometal USADescription: 304 SSEAR-LOKT BUCKLE 3/8" WIDTH
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDT439NON-SemicoductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 FDT439N TFDT439N
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 3950 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+23.03 грн
Мінімальне замовлення: 30
FDT439NONSEMIDescription: ONSEMI - FDT439N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.3 A, 0.038 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 670mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.038ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+72.69 грн
13+ 60.31 грн
100+ 43.42 грн
500+ 25.47 грн
Мінімальне замовлення: 11
FDT439NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDT439NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
FDT439NonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 6.3A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 6.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 15 V
на замовлення 16688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+56.87 грн
10+ 44.98 грн
100+ 35.02 грн
500+ 27.86 грн
1000+ 22.69 грн
2000+ 21.36 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDT439NONSEMIFDT439N SMD N channel transistors
на замовлення 1607 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+103.51 грн
26+ 36.97 грн
72+ 35.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDT439NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+23.54 грн
Мінімальне замовлення: 4000
FDT439NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
FDT439NonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 6.3A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 6.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 15 V
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+23.64 грн
8000+ 21.68 грн
12000+ 20.68 грн
Мінімальне замовлення: 4000
FDT439Nonsemi / FairchildMOSFET SOT-223 N-CH 30V
на замовлення 39265 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDT457NonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 5A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 15 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+25.99 грн
8000+ 23.84 грн
Мінімальне замовлення: 4000
FDT457NONSEMIDescription: ONSEMI - FDT457N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.06 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -888
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -888
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 26373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+29.56 грн
500+ 26.97 грн
1000+ 24.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDT457NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+25.84 грн
Мінімальне замовлення: 4000
FDT457NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
FDT457NON Semiconductor / FairchildMOSFET SOT-223 N-CH 30V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDT457NonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 5A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 15 V
на замовлення 15499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.27 грн
10+ 49.49 грн
100+ 38.51 грн
500+ 30.63 грн
1000+ 24.95 грн
2000+ 23.49 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDT457NONSEMIDescription: ONSEMI - FDT457N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.06 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -888
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -888
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 26373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+78.15 грн
25+ 30.15 грн
100+ 29.56 грн
500+ 26.97 грн
1000+ 24.39 грн
Мінімальне замовлення: 10
FDT457NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
FDT458Ponsemi / FairchildMOSFET 30V P-Ch PowerTrench
на замовлення 3468 шт:
термін постачання 1002-1011 дні (днів)
6+54.21 грн
10+ 47.69 грн
100+ 28.32 грн
500+ 23.59 грн
1000+ 20.11 грн
2000+ 18.2 грн
4000+ 16.96 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDT458PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 3.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
FDT458PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.4A; 3W; SOT223
Technology: PowerTrench®
Mounting: SMD
Case: SOT223
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.4A
On-state resistance: 210mΩ
Gate charge: 3.5nC
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Power dissipation: 3W
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: P-MOSFET
на замовлення 3964 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+30.96 грн
25+ 26.01 грн
40+ 19.17 грн
109+ 17.8 грн
Мінімальне замовлення: 12
FDT458PonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 3.4A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 205 pF @ 15 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+19.01 грн
Мінімальне замовлення: 4000
FDT458PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 3.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
FDT458PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 3.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
FDT458PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.4A; 3W; SOT223
Technology: PowerTrench®
Mounting: SMD
Case: SOT223
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.4A
On-state resistance: 210mΩ
Gate charge: 3.5nC
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Power dissipation: 3W
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: P-MOSFET
на замовлення 3964 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
8+37.16 грн
25+ 32.42 грн
40+ 23 грн
109+ 21.36 грн
Мінімальне замовлення: 8
FDT458PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 3.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
FDT458PonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 3.4A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 205 pF @ 15 V
на замовлення 6098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+49.76 грн
10+ 41.76 грн
100+ 28.9 грн
500+ 22.67 грн
1000+ 19.29 грн
2000+ 17.18 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDT458PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 3.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+18.32 грн
Мінімальне замовлення: 4000
FDT459FSC09+
на замовлення 138018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDT459NFairchild SemiconductorDescription: 6.5A, 30V, 0.035OHM, N-CHANNEL,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365 pF @ 15 V
на замовлення 9323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
634+31.63 грн
Мінімальне замовлення: 634
FDT459NON Semiconductor / FairchildMOSFET SOT-223 N-CH 30V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDT459NFAIRCHILDSOT-223
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDT461NFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 540MA SOT223-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 540mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.13W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 74 pF @ 25 V
на замовлення 47000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
606+35.55 грн
Мінімальне замовлення: 606
FDT461NFAIRCHILDSOT-223
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDT461NFAIRCHILD07+ SOT-223
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDT4N50NZUonsemiDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, UNIFETI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 476 pF @ 25 V
на замовлення 3799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.31 грн
10+ 67.23 грн
100+ 52.3 грн
500+ 41.6 грн
1000+ 33.89 грн
2000+ 31.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDT4N50NZUonsemiMOSFET UNIFET II, 3OHM, SOT223
на замовлення 7164 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+92.77 грн
10+ 75.2 грн
100+ 50.6 грн
500+ 42.91 грн
1000+ 34.96 грн
2000+ 32.86 грн
4000+ 32.79 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDT4N50NZUONSEMIDescription: ONSEMI - FDT4N50NZU - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2 A, 2.42 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: UniFET II Ultra FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.42ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.42ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDT4N50NZUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 2A Reel
товар відсутній
FDT4N50NZUonsemiDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, UNIFETI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 476 pF @ 25 V
товар відсутній
FDT4N50NZUONSEMIDescription: ONSEMI - FDT4N50NZU - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2 A, 2.42 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: UniFET II Ultra FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.42ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDT5060FAIRCHILDSOT-223
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDT5060FAIRCHILD07+ SOT-223
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDT5312712NFMTFechometal USADescription: 304 SSEAR-LOKT BUCKLE 1/2" WIDTH
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDT55AN06LA0Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 12.1A SOT223-4
товар відсутній
FDT55AN06LA0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 12.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
FDT55AN06LA0Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 12.1A SOT223-4
товар відсутній
FDT55AN06LA0onsemi / FairchildMOSFET 60V N-Channel PowerTrench
товар відсутній
FDT6315812NFMTFechometal USADescription: 304 SSEAR-LOKT BUCKLE 5/8" WIDTH
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDT7024L35PFI
на замовлення 194 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDT71B74-S10Y
на замовлення 1324 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDT74FCT240ATSOFDT
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDT8325415NFMTFechometal USADescription: 304 SSEAR-LOKT BUCKLE 1" WIDTH -
Packaging: Box
Color: Silver
Size / Dimension: 2.264" L x 1.476" W (57.50mm x 37.50mm)
Type: Buckle
Part Status: Active
товар відсутній
FDT86102LZONSEMIDescription: ONSEMI - FDT86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.022 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Anzahl der Pins: 4Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
на замовлення 1274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+166.61 грн
10+ 123.12 грн
100+ 89.94 грн
500+ 61.89 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDT86102LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 6.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
69+169.87 грн
77+ 152.8 грн
78+ 150.33 грн
100+ 117 грн
250+ 106.85 грн
Мінімальне замовлення: 69
FDT86102LZON-SemicoductorTrans MOSFET N-CH 100V 6.6A FDT86102LZ TFDT86102LZ
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
6+90.75 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDT86102LZonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 6.6A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 50 V
на замовлення 3215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.34 грн
10+ 111.04 грн
100+ 88.42 грн
500+ 70.21 грн
1000+ 59.57 грн
2000+ 56.6 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDT86102LZonsemi / FairchildMOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 4029 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+150.28 грн
10+ 123.19 грн
100+ 84.78 грн
250+ 78.86 грн
500+ 71.63 грн
1000+ 61.12 грн
2500+ 58.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDT86102LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 6.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
FDT86102LZONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.6A; 2.2W; SOT223
Technology: PowerTrench®
Mounting: SMD
Case: SOT223
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Power dissipation: 2.2W
On-state resistance: 46mΩ
Polarisation: unipolar
Gate charge: 25nC
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.6A
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 4000 шт
товар відсутній
FDT86102LZONSEMIDescription: ONSEMI - FDT86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.022 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 4327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+102.69 грн
500+ 78.36 грн
1000+ 60.35 грн
4000+ 58.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDT86102LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 6.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+50.76 грн
Мінімальне замовлення: 4000
FDT86102LZonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 6.6A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 50 V
товар відсутній
FDT86102LZONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.6A; 2.2W; SOT223
Technology: PowerTrench®
Mounting: SMD
Case: SOT223
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Power dissipation: 2.2W
On-state resistance: 46mΩ
Polarisation: unipolar
Gate charge: 25nC
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.6A
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
FDT86102LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 6.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+157.74 грн
10+ 141.89 грн
25+ 139.6 грн
100+ 108.64 грн
250+ 99.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDT86102LZ.ONSEMIDescription: ONSEMI - FDT86102LZ. - FET 100V 28.0 MOHM SOT223 / REEL 08AK6006
товар відсутній
FDT86106LZonsemi / FairchildMOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 20469 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+96.61 грн
10+ 77.84 грн
100+ 52.84 грн
500+ 44.82 грн
1000+ 36.47 грн
2000+ 34.37 грн
4000+ 32.73 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDT86106LZ
Код товару: 133317		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
FDT86106LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
FDT86106LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
FDT86106LZFairchildTrans MOSFET N-CH 100V 3.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 FDT86106LZ TFDT86106lz
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+21.15 грн
Мінімальне замовлення: 30
FDT86106LZONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.2A; 2.2W; SOT223
Mounting: SMD
Case: SOT223
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Power dissipation: 2.2W
On-state resistance: 189mΩ
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.2A
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
FDT86106LZonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 3.2A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 108mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 50 V
на замовлення 14121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.57 грн
10+ 70.37 грн
100+ 54.7 грн
500+ 43.51 грн
1000+ 35.45 грн
2000+ 33.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDT86106LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
FDT86106LZONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.2A; 2.2W; SOT223
Mounting: SMD
Case: SOT223
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Power dissipation: 2.2W
On-state resistance: 189mΩ
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.2A
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 4000 шт
товар відсутній
FDT86106LZonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 3.2A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 108mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 50 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+36.92 грн
8000+ 33.86 грн
12000+ 32.3 грн
Мінімальне замовлення: 4000
FDT86113LZONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.3A; 2.2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.3A
Power dissipation: 2.2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 189mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDT86113LZONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.3A; 2.2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.3A
Power dissipation: 2.2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 189mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FDT86113LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+29.59 грн
Мінімальне замовлення: 4000
FDT86113LZonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 3.3A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 50 V
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+24.98 грн
8000+ 22.91 грн
12000+ 21.85 грн
Мінімальне замовлення: 4000
FDT86113LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+29.87 грн
Мінімальне замовлення: 4000
FDT86113LZONSEMIDescription: ONSEMI - FDT86113LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.3 A, 0.075 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
товар відсутній
FDT86113LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
FDT86113LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
176+66.41 грн
179+ 65.13 грн
224+ 52.1 грн
250+ 48.3 грн
500+ 36.7 грн
1000+ 29.35 грн
Мінімальне замовлення: 176
FDT86113LZonsemi / FairchildMOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 9086 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+65.63 грн
10+ 52.9 грн
100+ 35.82 грн
500+ 30.36 грн
1000+ 24.78 грн
2000+ 23.26 грн
4000+ 23.13 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDT86113LZonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 3.3A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 50 V
на замовлення 28357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+60.43 грн
10+ 47.58 грн
100+ 37.01 грн
500+ 29.44 грн
1000+ 23.98 грн
2000+ 22.57 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDT86113LZONSEMIDescription: ONSEMI - FDT86113LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.3 A, 0.075 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
товар відсутній
FDT86113LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+69.07 грн
10+ 61.66 грн
25+ 60.48 грн
100+ 46.65 грн
250+ 41.53 грн
500+ 32.72 грн
1000+ 27.26 грн
Мінімальне замовлення: 9
FDT86113LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+24.84 грн
Мінімальне замовлення: 4000
FDT86244ONSEMIDescription: ONSEMI - FDT86244 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2.8 A, 0.106 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 29824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+68.49 грн
13+ 58.54 грн
100+ 42.02 грн
500+ 32.18 грн
1000+ 21.86 грн
5000+ 20.09 грн
Мінімальне замовлення: 11
FDT86244ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
FDT86244onsemi / FairchildMOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 43135 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+59.19 грн
10+ 48.44 грн
100+ 33.52 грн
500+ 28.39 грн
1000+ 23.13 грн
2000+ 21.82 грн
8000+ 20.11 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDT86244onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 2.8A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 128mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 395 pF @ 75 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+22.92 грн
Мінімальне замовлення: 4000
FDT86244ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+58.21 грн
12+ 52.27 грн
Мінімальне замовлення: 10
FDT86244ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
FDT86244ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
FDT86244onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 2.8A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 128mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 395 pF @ 75 V
на замовлення 7439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.45 грн
10+ 43.61 грн
100+ 33.95 грн
500+ 27 грн
1000+ 22 грн
2000+ 20.71 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDT86246ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
FDT86246onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 2A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 236mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 215 pF @ 75 V
на замовлення 9528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+78.91 грн
10+ 62.23 грн
100+ 48.39 грн
500+ 38.49 грн
1000+ 31.35 грн
2000+ 29.52 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDT86246ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+36.56 грн
Мінімальне замовлення: 4000
FDT86246onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 2A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 236mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 215 pF @ 75 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+32.66 грн
Мінімальне замовлення: 4000
FDT86246FairchildTrans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 FDT86246 TFDT86246
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+29.34 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDT86246ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
FDT86246ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+32.51 грн
Мінімальне замовлення: 4000
FDT86246ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+36.92 грн
Мінімальне замовлення: 4000
FDT86246onsemi / FairchildMOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 20303 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+67.78 грн
10+ 61.29 грн
100+ 44.03 грн
500+ 38.05 грн
1000+ 31.87 грн
2000+ 30.43 грн
4000+ 28.92 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDT86246LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
FDT86246LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+24.3 грн
Мінімальне замовлення: 4000
FDT86246LONSEMIDescription: ONSEMI - FDT86246L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2 A, 0.189 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
Verlustleistung: 2.2W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 6919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+43.35 грн
500+ 33.41 грн
1000+ 23.95 грн
4000+ 23.51 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDT86246LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+24.31 грн
Мінімальне замовлення: 4000
FDT86246LonsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 2A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 228mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 335 pF @ 75 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+24.41 грн
8000+ 22.38 грн
Мінімальне замовлення: 4000
FDT86246LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+56.54 грн
12+ 49.46 грн
25+ 48.96 грн
100+ 39.04 грн
250+ 35.79 грн
500+ 29.29 грн
1000+ 22.03 грн
3000+ 21.37 грн
Мінімальне замовлення: 11
FDT86246Lonsemi / FairchildMOSFET 150V 2A N-Channel Power Trench MOSFET
на замовлення 45506 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+60.65 грн
10+ 49.2 грн
100+ 33.91 грн
500+ 28.52 грн
1000+ 23.2 грн
2000+ 22.21 грн
4000+ 21.62 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDT86246LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+24.18 грн
Мінімальне замовлення: 4000
FDT86246LONSEMIDescription: ONSEMI - FDT86246L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2 A, 0.189 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 5222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+67.38 грн
14+ 55.15 грн
100+ 40.47 грн
500+ 34.71 грн
4000+ 29.38 грн
Мінімальне замовлення: 11
FDT86246LonsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 2A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 228mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 335 pF @ 75 V
на замовлення 16486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+59.01 грн
10+ 46.48 грн
100+ 36.16 грн
500+ 28.76 грн
1000+ 23.43 грн
2000+ 22.06 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDT86246LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
219+53.26 грн
221+ 52.72 грн
268+ 43.6 грн
270+ 41.62 грн
500+ 32.86 грн
1000+ 23.72 грн
3000+ 23.01 грн
Мінімальне замовлення: 219
FDT86246LONSEMIDescription: ONSEMI - FDT86246L - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
926+39.07 грн
Мінімальне замовлення: 926
FDT86256ONSEMIDescription: ONSEMI - FDT86256 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 3 A, 0.695 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.695ohm
на замовлення 2169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+54.04 грн
500+ 35.46 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDT86256onsemi / FairchildMOSFET 150V NCh MOSFET PowerTrench
на замовлення 7789 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+81.27 грн
10+ 70.97 грн
100+ 50.14 грн
500+ 43.51 грн
1000+ 36.21 грн
2000+ 34.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDT86256ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 1.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
FDT86256ONSEMIDescription: ONSEMI - FDT86256 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 3 A, 0.695 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.695ohm
на замовлення 2169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+84.04 грн
11+ 69.3 грн
100+ 54.04 грн
500+ 35.46 грн
Мінімальне замовлення: 9
FDT86256onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 1.2A/3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta), 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 845mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 10W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 75 V
товар відсутній
FDT86256
Код товару: 188041		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
FDT86256ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 1.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
FDT86256onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 1.2A/3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta), 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 845mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 10W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 75 V
на замовлення 1624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.86 грн
10+ 69.76 грн
100+ 54.25 грн
500+ 43.15 грн
1000+ 35.15 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDTC-08M-COUPLINGTRAY-4SCUPC3MDescription: WIRE SPLICE COUPLING TRAY
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товар відсутній
FDTC-08M-E-00N-00N-A3MDescription: WIRE SPLICE ENCLOSURE SYS
Packaging: Bulk
Features: Dome Latching System
Type: Enclosure System, Installed Sealing Gasket
Length - Overall: 15.20" (386.1mm)
Part Status: Active
товар відсутній
FDTC-08M-E-00N-01C-A-04-EPNA3MDescription: FIBER DOME TERMINAL CLOSURES
товар відсутній
FDTC-08M-E-00N-01C-A-06-DANN3MDescription: WIRE SPLICE ENCLOSURE SYS
Packaging: Bulk
Features: Dome Latching System
Type: Enclosure System, Installed Sealing Gasket
Length - Overall: 15.20" (386.1mm)
Part Status: Active
товар відсутній
FDTC-08M-E-00N-01C-A-06-EPNA3MDescription: WIRE SPLICE ENCLOSURE SYS
Packaging: Bulk
Features: Dome Latching System
Type: Enclosure System, Installed Sealing Gasket
Length - Overall: 15.20" (386.1mm)
Part Status: Active
товар відсутній
FDTC-08M-E-00N-01C-A-08-EPNA3MDescription: FIBER DOME TERMINAL CLOSURES
товар відсутній
FDTC-08M-E-00N-01C-A-DS3MDescription: WIRE SPLICE ENCLOSURE SYS
Packaging: Bulk
Features: Dome Latching System
Type: Enclosure System, Installed Sealing Gasket
Length - Overall: 15.20" (386.1mm)
Part Status: Active
товар відсутній
FDTC-08M-E-00N-02C-A-05-EPNN-A3MDescription: WIRE SPLICE ENCLOSURE SYS
Packaging: Bulk
Features: Dome Latching System
Type: Enclosure System, Installed Sealing Gasket
Length - Overall: 15.20" (386.1mm)
Part Status: Active
товар відсутній
FDTC-08M-E-00N-02C-A-09-EPNN-C3MDescription: WIRE SPLICE ENCLOSURE SYS
Packaging: Bulk
Features: Dome Latching System
Type: Enclosure System, Installed Sealing Gasket
Length - Overall: 15.20" (386.1mm)
Part Status: Active
товар відсутній
FDTC-08M-F-01U-01C-A-DS3MDescription: FIBER DOME TERMINAL CLOSURES
товар відсутній
FDTC-08ME-N-02M-00N-B-08-DANN3MDescription: FIBER DOME TERMINAL CLOSURE FDTC
товар відсутній
FDTC-08S-B-00N-01A-A-04-EPAA3MDescription: WIRE SPLICE ENCLOSURE SYS
Packaging: Bulk
Features: Dome Latching System
Type: Enclosure System, Installed Sealing Gasket
Length - Overall: 21.20" (538.5mm)
Part Status: Active
товар відсутній
FDTC-08S-E-00N-1A-A-04-EPNA3MDescription: FIBER DOME TERMINAL CLOSURES
товар відсутній
FDTC-08S-E-00N-1A-A-06-EPNA3MDescription: WIRE SPLICE ENCLOSURE SYS
Packaging: Bulk
Features: Dome Latching System
Type: Enclosure System, Installed Sealing Gasket
Length - Overall: 21.20" (538.5mm)
Part Status: Obsolete
товар відсутній
FDTC-08S-E-00N-1A-A-08-EPNA3MDescription: WIRE SPLICE ENCLOSURE SYS
Packaging: Bulk
Features: Dome Latching System
Type: Enclosure System, Installed Sealing Gasket
Length - Overall: 21.20" (538.5mm)
Part Status: Obsolete
товар відсутній
FDTC-08S-E-00N-1A-A-DS3MDescription: FIBER DOME TERMINAL CLOSURES
товар відсутній
FDTC-08S-G-00N-01A-B-02-DANA3MDescription: WIRE SPLICE ENCLOSURE SYS
Packaging: Bulk
Features: Dome Latching System
Type: Enclosure System, Installed Sealing Gasket
Length - Overall: 21.20" (538.5mm)
Part Status: Active
товар відсутній
FDTC-10S-COUPLINGTRAY-6SCAPC3MDescription: WIRE SPLICE COUPLING TRAY
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товар відсутній