Продукція > FDT

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
FDT-08-PED-CI3MDescription: MOUNTING BRACKET
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT-25OMEGADescription: OMEGA - FDT-25 - Ultraschall-Durchflussmesser, tragbar, digital, 0.03-105 FPS, 3/4"- bis 4"-Rohr, aufladbar, LCD
tariffCode: 90261021
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Durchflussmesser, Messwandler & Kabel, Kette/Klemme/Maßband/RS232-Kabel, Netzadapter/Ladegerät, Akustik-Gel
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+153502.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDT-40-PC-CABLEOMEGADescription: OMEGA - FDT-40-PC-CABLE - Messzubehör, USB-PC-Programmierkabel
Art des Zubehörs: USB-PC-Programmierkabel
Zur Verwendung mit: Ultraschall-Durchflussmesser der Produktreihe FDT-40 von OMEGA
Produktpalette: FDT-40 Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT-40-RTD1OMEGADescription: OMEGA - FDT-40-RTD1 - Messzubehör, RTD-Kit, Anklemmen, 130C, 1000 Ohm, 6.1m
Art des Zubehörs: RTD-Kit, Anklemmen, 130C, 1000 Ohm, 6.1m
Zur Verwendung mit: Ultraschall-Energiedurchflussmesser der Produktreihe FDT-40E von OMEGA
Produktpalette: FDT-40 Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT-40E-VDC-HTOMEGADescription: OMEGA - FDT-40E-VDC-HT - Anzeige, Energiedurchflussmesser, 10 bis 28V DC, -40°C bis 176°C, Produktreihe FDT-40E
Anschlussgröße: -
DC-Versorgungsspannung, min.: 10
Genauigkeit %: 1
Druck, max.: -
Durchflussrate: -
DC-Versorgungsspannung, max.: 28
Durchflussrate, max.: -
Produktpalette: FDT-40E Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT-45-ANSI-HTOMEGADescription: OMEGA - FDT-45-ANSI-HT - Messzubehör, Durchflussmesser, Remote, 1.5" ANSI-Rohr
Art des Zubehörs: Durchflussmesser, Remote, 1.5" ANSI-Rohr
Zur Verwendung mit: Ultraschall-Energiedurchflussmesser der Produktreihe FDT-40E von OMEGA
Produktpalette: FDT-40 Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT-47-100FTOMEGADescription: OMEGA - FDT-47-100FT - Messzubehör, Kabel, 30.48m, Durchflussmesser, Remote, Rohre mit 50.8mm bis 609.6mm
Art des Zubehörs: Durchflussmesser, Remote, Rohre mit 50.8mm bis 609.6mm
Zur Verwendung mit: Ultraschall-Energiedurchflussmesser der Produktreihe FDT-40E von OMEGA
Produktpalette: FDT-40 Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT-70A-903Bansbach easyliftDescription: ROTARY DAMPER TORQUE 8.7NM
Features: Disk Type
Packaging: Bag
Type: Rotary Damper
Operating Temperature: -10°C ~ 50°C
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2459.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDT-70B-903Bansbach easyliftDescription: ROTARY DAMPER TORQUE 8.7NM
Packaging: Bag
Features: Disk Type
Type: Rotary Damper
Operating Temperature: -10°C ~ 50°C
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2459.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDT02106QFP-ESEPSON0317+
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDT09SG1M-K1019MolexArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT09SG2M-K1019FCT GroupFCT Dual Port 09 Receptacle / 09 Receptacle With Hood
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT1-052KTE CONNECTIVITYDescription: TE CONNECTIVITY - FDT1-052K - Piezoelektrischer Foliensensor, Vibration, Baureihe FDT, flexible Anschlussdrähte, 0.74nF
tariffCode: 90318080
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Empfindlichkeit: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Versorgungsspannung, max.: -
usEccn: EAR99
Sensormontage: Durchsteckmontage
Produktpalette: FDT Series
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1768.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDT1600N10ALZonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 5.6A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 10.42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 50 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+21.51 грн
8000+19.63 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
FDT1600N10ALZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 5.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT1600N10ALZONSEMIFDT1600N10ALZ SMD N channel transistors
на замовлення 3259 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+76.16 грн
34+31.91 грн
93+30.16 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDT1600N10ALZONSEMIDescription: ONSEMI - FDT1600N10ALZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.121 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10.42W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.121ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 25002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+38.21 грн
500+29.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDT1600N10ALZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 5.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT1600N10ALZonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 5.6A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 10.42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 50 V
на замовлення 9487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.50 грн
10+47.21 грн
100+32.71 грн
500+25.65 грн
1000+21.83 грн
2000+19.44 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDT1600N10ALZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 5.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
254+48.22 грн
283+43.23 грн
347+35.17 грн
376+31.33 грн
500+25.46 грн
1000+19.81 грн
3000+17.94 грн
Мінімальне замовлення: 254
В кошику  од. на суму  грн.
FDT1600N10ALZonsemi / FairchildMOSFETs 100V 160mOhm SOT223 GREEN EMC
на замовлення 25303 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+71.84 грн
10+54.99 грн
100+31.78 грн
500+24.87 грн
1000+22.51 грн
2000+20.53 грн
4000+18.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDT1600N10ALZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 5.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+51.08 грн
14+44.77 грн
25+40.14 грн
100+31.49 грн
250+26.94 грн
500+22.69 грн
1000+18.40 грн
3000+16.66 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
FDT1600N10ALZONSEMIDescription: ONSEMI - FDT1600N10ALZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.121 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10.42W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.121ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 25002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+72.79 грн
14+60.41 грн
100+38.21 грн
500+29.58 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
FDT21624076BREckoDescription: 8" STANDARD DUCT, 25'L W/STRAP
Packaging: Box
Type: Standard Duct
Part Status: Active
Weight (Pounds): 16
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+21326.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDT2363506NFMTFechometal USADescription: 304 SSEAR-LOKT BUCKLE 1/4" WIDTH
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDT3612onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 3.7A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 632 pF @ 50 V
на замовлення 35314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.93 грн
10+42.53 грн
100+29.45 грн
500+23.10 грн
1000+19.66 грн
2000+17.51 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDT3612ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT3612Fairchild/ON SemiconductorN-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 3,7 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 632 @ 50; Qg, нКл = 20 @ 10 В; Rds = 120 мОм @ 3,7 A, 10 В; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; Р, Вт = 3; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOT-223
на замовлення 4 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
4+156.00 грн
10+62.40 грн
100+46.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDT3612ONSEMIDescription: ONSEMI - FDT3612 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.7 A, 0.12 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.7
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 3
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.12
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+58.18 грн
16+51.58 грн
100+39.53 грн
500+21.07 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
FDT3612ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+18.45 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
FDT3612ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+40.26 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
FDT3612onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 3.7A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 632 pF @ 50 V
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+19.37 грн
8000+17.67 грн
12000+16.36 грн
28000+15.20 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
FDT3612onsemi / FairchildMOSFETs 100V NCh PowerTrench
на замовлення 45042 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+66.26 грн
10+43.66 грн
100+26.19 грн
500+20.82 грн
1000+19.05 грн
2000+17.51 грн
4000+16.26 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDT3612ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+20.38 грн
8000+19.15 грн
12000+18.09 грн
28000+17.41 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
FDT3612ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+49.72 грн
14+43.70 грн
25+43.29 грн
100+33.65 грн
250+29.66 грн
500+24.46 грн
1000+19.94 грн
3000+16.39 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
FDT3612ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+24.80 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
FDT3612ONSEMIFDT3612 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT3612ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
262+46.62 грн
325+37.58 грн
342+35.77 грн
500+29.63 грн
1000+22.37 грн
3000+17.65 грн
Мінімальне замовлення: 262
В кошику  од. на суму  грн.
FDT3612-SB82273onsemionsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT3612-SB82273onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 3.7A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 632 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT3612-SN00151onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V SOT223
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT3612-SN00151onsemionsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT3612/3612FAIR
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDT3612_NLFAIRCHIL09+ TO-220
на замовлення 850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDT3612_SN00151onsemionsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT3622FAIRCHILDSOT-223
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDT3622FAIRCHILD07+ SOT-223
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDT3N40onsemionsemi UF 400V 3.4OHM SOT223
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT3N40TFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 400V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDT3N40TFONSEMIDescription: ONSEMI - FDT3N40TF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 2 A, 2.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400
Dauer-Drainstrom Id: 2
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.8
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT3N40TFonsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 2A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT3N40TFonsemi / FairchildMOSFET 400V N-Chan UniFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT3N40TFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 400V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT3N40TFONSEMIFDT3N40TF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT3N40TFONSEMIDescription: ONSEMI - FDT3N40TF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 2 A, 2.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400
Dauer-Drainstrom Id: 2
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.8
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT3N40TFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 400V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT3N40TFonsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 2A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT434PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 6A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1187 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT434Ponsemi / FairchildMOSFET SOT-223 P-CH -20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT434PFairchild/ON SemiconductorP-канальний ПТ; Udss, В = 20; Id = 6 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 1187 @ 10; Qg, нКл = 19 @ 4,5 В; Rds = 50 мОм @ 6 A, 4,5 В; Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА; Р, Вт = 3 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOT-223
на замовлення 166 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
48+13.23 грн
51+12.36 грн
100+11.47 грн
Мінімальне замовлення: 48
В кошику  од. на суму  грн.
FDT434PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT434P
Код товару: 209155
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT434PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 6A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1187 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT434PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT434P/434FAIRCHILD
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDT434P_F081onsemi / Fairchildonsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT434P_NLonsemi / FairchildMOSFET 20V, 80MOHM P-CH MOSFET SOT223
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT434P_Qonsemi / FairchildMOSFET SOT-223 P-CH -20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT434P_Tonsemi / Fairchildonsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT4395310NFMTFechometal USADescription: 304 SSEAR-LOKT BUCKLE 3/8" WIDTH
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDT439Nonsemi / FairchildMOSFET SOT-223 N-CH 30V
на замовлення 39265 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDT439NON-SemicoductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 FDT439N TFDT439N
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 3868 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+25.44 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
FDT439NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+26.35 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
FDT439NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT439NonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 6.3A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 6.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 15 V
на замовлення 859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.97 грн
10+58.78 грн
100+39.94 грн
500+29.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDT439NONSEMIFDT439N SMD N channel transistors
на замовлення 597 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+115.87 грн
26+41.38 грн
72+39.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDT439NONSEMIDescription: ONSEMI - FDT439N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.3 A, 0.038 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 670mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Compute Module 3+ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 12694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+54.96 грн
250+39.78 грн
1000+25.29 грн
2000+22.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDT439NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDT439NonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 6.3A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 6.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT439NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT439NONSEMIDescription: ONSEMI - FDT439N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.3 A, 0.038 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 670mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Compute Module 3+ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 12694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+74.03 грн
50+54.96 грн
250+39.78 грн
1000+25.29 грн
2000+22.85 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
FDT457NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT457NONSEMIDescription: ONSEMI - FDT457N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.06 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Compute Module 3+ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 19432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+88.31 грн
50+62.89 грн
250+49.52 грн
1000+32.57 грн
2000+27.73 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDT457NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+29.46 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
FDT457NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+27.52 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
FDT457NonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 5A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 15 V
на замовлення 7793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.07 грн
10+63.30 грн
100+43.83 грн
500+32.27 грн
1000+29.42 грн
2000+27.02 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDT457Nonsemi / FairchildMOSFETs SOT-223 N-CH 30V
на замовлення 1984 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+87.55 грн
10+61.51 грн
100+42.15 грн
500+33.18 грн
1000+29.87 грн
2000+27.51 грн
4000+25.68 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDT457NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+31.33 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
FDT457NONSEMIDescription: ONSEMI - FDT457N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.06 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Startech USB to DC Barrel Leads
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 19787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+73.45 грн
250+49.52 грн
1000+32.57 грн
2000+28.08 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDT457NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+28.92 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
FDT457NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+29.63 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
FDT457NonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 5A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 15 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+27.67 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
FDT458PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 3.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT458PonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 3.4A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 205 pF @ 15 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+21.28 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
FDT458Ponsemi / FairchildMOSFET 30V P-Ch PowerTrench
на замовлення 3468 шт:
термін постачання 1002-1011 дні (днів)
6+60.68 грн
10+53.38 грн
100+31.71 грн
500+26.41 грн
1000+22.51 грн
2000+20.38 грн
4000+18.98 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDT458PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 3.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT458PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 3.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+20.51 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
FDT458PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 3.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT458PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 3.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT458PONSEMIFDT458P SMD P channel transistors
на замовлення 498 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+102.60 грн
43+24.83 грн
118+23.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDT458PonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 3.4A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 205 pF @ 15 V
на замовлення 6098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.71 грн
10+46.75 грн
100+32.35 грн
500+25.37 грн
1000+21.59 грн
2000+19.23 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDT458PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 3.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+20.55 грн
8000+19.36 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
FDT459FSC09+
на замовлення 138018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDT459NonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 6.5A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT459NON Semiconductor / FairchildMOSFET SOT-223 N-CH 30V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDT459NFAIRCHILDSOT-223
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDT459NonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 6.5A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT461NFAIRCHILDSOT-223
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDT461NFAIRCHILD07+ SOT-223
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDT461NFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 540MA SOT223-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 540mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.13W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 74 pF @ 25 V
на замовлення 47000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
606+37.87 грн
Мінімальне замовлення: 606
В кошику  од. на суму  грн.
FDT4N50NZUonsemiDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, UNIFETI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 476 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+36.01 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
FDT4N50NZUONSEMIDescription: ONSEMI - FDT4N50NZU - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2 A, 2.42 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: UniFET II Ultra FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.42ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+132.87 грн
10+88.31 грн
100+60.08 грн
500+44.45 грн
1000+37.70 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDT4N50NZUonsemiMOSFETs UNIFET II, 3OHM, SOT223
на замовлення 3056 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+118.44 грн
10+78.51 грн
100+48.04 грн
500+38.92 грн
1000+35.97 грн
4000+34.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDT4N50NZUONSEMIFDT4N50NZU SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT4N50NZUonsemiDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, UNIFETI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 476 pF @ 25 V
на замовлення 4410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+135.29 грн
10+82.76 грн
100+55.75 грн
500+41.45 грн
1000+37.95 грн
2000+35.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDT4N50NZUONSEMIDescription: ONSEMI - FDT4N50NZU - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2 A, 2.42 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: UniFET II Ultra FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.42ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.42ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+55.21 грн
500+41.61 грн
1000+36.64 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDT4N50NZUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 2A Reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT5060FAIRCHILD07+ SOT-223
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDT5060FAIRCHILDSOT-223
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDT5312712NFMTFechometal USADescription: 304 SSEAR-LOKT BUCKLE 1/2" WIDTH
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDT55AN06LA0Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 12.1A SOT223-4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT55AN06LA0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 12.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT55AN06LA0Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 12.1A SOT223-4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT55AN06LA0onsemi / FairchildMOSFET 60V N-Channel PowerTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT6315812NFMTFechometal USADescription: 304 SSEAR-LOKT BUCKLE 5/8" WIDTH
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDT7024L35PFI
на замовлення 194 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDT71B74-S10Y
на замовлення 1324 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDT74FCT240ATSOFDT
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDT8325415NFMTFechometal USADescription: 304 SSEAR-LOKT BUCKLE 1" WIDTH -
Packaging: Box
Color: Silver
Size / Dimension: 2.264" L x 1.476" W (57.50mm x 37.50mm)
Type: Buckle
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86102LZMULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - FDT86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.028 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.73 грн
500+21.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86102LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 6.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+56.82 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86102LZONSEMIFDT86102LZ SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86102LZonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 6.6A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 50 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+65.17 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86102LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 6.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+165.30 грн
10+148.70 грн
25+146.29 грн
100+113.85 грн
250+103.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86102LZMULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - FDT86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.028 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+34.66 грн
27+30.70 грн
100+27.73 грн
500+21.61 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86102LZonsemi / FairchildMOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 41924 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+186.25 грн
10+126.06 грн
100+80.19 грн
500+66.06 грн
1000+64.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86102LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 6.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
69+178.02 грн
77+160.13 грн
78+157.55 грн
100+122.61 грн
250+111.98 грн
Мінімальне замовлення: 69
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86102LZONSEMIDescription: ONSEMI - FDT86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.022 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 9827 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+182.39 грн
50+128.74 грн
250+92.43 грн
1000+66.29 грн
2000+60.27 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86102LZON-SemicoductorTrans MOSFET N-CH 100V 6.6A FDT86102LZ TFDT86102LZ
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
6+100.24 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86102LZonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 6.6A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 50 V
на замовлення 5783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+184.63 грн
10+123.30 грн
100+89.41 грн
500+68.16 грн
1000+62.96 грн
2000+58.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86102LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 6.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86102LZ.ONSEMIDescription: ONSEMI - FDT86102LZ. - FET 100V 28.0 MOHM SOT223 / REEL 08AK6006
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86106LZonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 3.2A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 108mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 50 V
на замовлення 27513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.58 грн
10+77.55 грн
100+54.26 грн
500+43.03 грн
1000+39.47 грн
2000+36.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86106LZ
Код товару: 133317
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86106LZonsemi / FairchildMOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 18572 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+108.15 грн
10+87.99 грн
100+59.15 грн
500+50.17 грн
1000+40.83 грн
2000+38.48 грн
4000+37.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86106LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+78.47 грн
10+62.74 грн
25+62.12 грн
100+47.70 грн
250+43.72 грн
500+37.05 грн
1000+35.46 грн
3000+33.87 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86106LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+47.41 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86106LZONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.2A; 2.2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 2.2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 189mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86106LZonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 3.2A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 108mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 50 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+38.70 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86106LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 7730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
589+51.85 грн
1000+48.97 грн
Мінімальне замовлення: 589
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86106LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86106LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86106LZONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.2A; 2.2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 2.2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 189mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86106LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
181+67.57 грн
183+66.89 грн
230+53.27 грн
250+50.85 грн
500+41.56 грн
1000+38.19 грн
3000+36.48 грн
Мінімальне замовлення: 181
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86106LZFairchildTrans MOSFET N-CH 100V 3.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 FDT86106LZ TFDT86106lz
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+21.29 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86113LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+72.39 грн
10+64.62 грн
25+63.38 грн
100+48.89 грн
250+43.52 грн
500+34.29 грн
1000+28.56 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86113LZonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 3.3A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 50 V
на замовлення 14223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.03 грн
10+65.90 грн
100+43.80 грн
500+32.21 грн
1000+28.42 грн
2000+26.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86113LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+27.81 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86113LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+31.01 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86113LZONSEMIDescription: ONSEMI - FDT86113LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.3 A, 0.075 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86113LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+31.31 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86113LZONSEMIFDT86113LZ SMD N channel transistors
на замовлення 3235 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+100.62 грн
26+41.66 грн
72+39.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86113LZonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 3.3A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 50 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+27.57 грн
8000+25.11 грн
12000+24.39 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86113LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86113LZonsemi / FairchildMOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 8799 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+73.47 грн
10+59.22 грн
100+40.09 грн
500+33.99 грн
1000+27.74 грн
2000+26.04 грн
4000+25.90 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86113LZONSEMIDescription: ONSEMI - FDT86113LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.3 A, 0.075 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 12140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+63.30 грн
50+45.14 грн
250+38.29 грн
1000+32.49 грн
2000+27.09 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86113LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
176+69.59 грн
179+68.25 грн
224+54.60 грн
250+50.62 грн
500+38.46 грн
1000+30.76 грн
Мінімальне замовлення: 176
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86244ONSEMIDescription: ONSEMI - FDT86244 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2.8 A, 0.106 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 29824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+76.67 грн
13+65.53 грн
100+47.04 грн
500+36.02 грн
1000+24.48 грн
5000+22.49 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86244ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86244ONSEMIFDT86244 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86244onsemi / FairchildMOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 35416 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+66.26 грн
10+54.23 грн
100+36.71 грн
500+31.19 грн
1000+25.38 грн
2000+23.98 грн
4000+23.91 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86244onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 2.8A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 128mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 395 pF @ 75 V
на замовлення 9040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.24 грн
10+51.19 грн
100+37.42 грн
500+28.07 грн
1000+25.54 грн
2000+23.41 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86244ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+25.49 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86244ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+61.01 грн
12+54.77 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86244onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 2.8A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 128mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 395 pF @ 75 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+23.92 грн
8000+21.63 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86244ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+25.41 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86246onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 2A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 236mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 215 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86246ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+38.69 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86246ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86246ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86246FairchildTrans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 FDT86246 TFDT86246
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+29.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86246ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+38.32 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86246onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 2A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 236mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 215 pF @ 75 V
на замовлення 5772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.15 грн
10+69.97 грн
100+49.04 грн
500+38.50 грн
1000+36.39 грн
2000+32.85 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86246ONSEMIFDT86246 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86246ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86246onsemi / FairchildMOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 18577 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+90.12 грн
10+75.47 грн
100+45.98 грн
500+36.93 грн
1000+35.17 грн
2000+32.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86246LAptina ImagingTrans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
336+36.39 грн
338+36.17 грн
393+31.10 грн
395+29.79 грн
500+26.35 грн
1000+24.12 грн
Мінімальне замовлення: 336
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86246LAptina ImagingTrans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+38.55 грн
4000+36.10 грн
8000+35.56 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86246LONSEMIDescription: ONSEMI - FDT86246L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2 A, 0.189 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 8231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+38.79 грн
250+33.18 грн
1000+30.27 грн
2000+27.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86246LonsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 2A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 228mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 335 pF @ 75 V
на замовлення 10611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.16 грн
10+44.83 грн
100+36.29 грн
500+30.55 грн
1000+27.84 грн
2000+26.60 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86246LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86246LAptina ImagingTrans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+52.70 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86246Lonsemi / FairchildMOSFETs 150V 2A N-Channel Power Trench MOSFET
на замовлення 37935 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+48.15 грн
10+46.70 грн
100+32.30 грн
500+27.51 грн
1000+26.04 грн
2000+25.23 грн
4000+24.50 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86246LAptina ImagingTrans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
890+34.28 грн
1000+32.37 грн
Мінімальне замовлення: 890
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86246LONSEMIDescription: ONSEMI - FDT86246L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2 A, 0.189 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 7696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+49.10 грн
50+38.87 грн
250+33.26 грн
1000+30.35 грн
2000+27.38 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86246LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+33.79 грн
25+33.59 грн
100+27.84 грн
250+25.61 грн
500+23.49 грн
1000+22.39 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86246LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86246LAptina ImagingTrans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 11206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
890+34.28 грн
1000+32.37 грн
Мінімальне замовлення: 890
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86246LonsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 2A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 228mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 335 pF @ 75 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+26.65 грн
8000+24.73 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86246LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+27.39 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86246LONSEMIFDT86246L SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86256ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 1.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
417+73.16 грн
Мінімальне замовлення: 417
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86256onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 1.2A/3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta), 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 845mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 10W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86256onsemi / FairchildMOSFET 150V NCh MOSFET PowerTrench
на замовлення 7707 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+90.98 грн
10+79.44 грн
100+56.13 грн
500+48.70 грн
1000+40.54 грн
2000+38.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86256ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 1.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
417+73.16 грн
Мінімальне замовлення: 417
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86256ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 1.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86256ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 1.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 17327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
417+73.16 грн
Мінімальне замовлення: 417
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86256ONSEMIDescription: ONSEMI - FDT86256 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 3 A, 0.695 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.695ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+64.62 грн
1000+43.30 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86256onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 1.2A/3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta), 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 845mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 10W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 75 V
на замовлення 929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+138.47 грн
10+85.14 грн
100+57.38 грн
500+42.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86256ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 1.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
417+73.16 грн
Мінімальне замовлення: 417
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86256
Код товару: 188041
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86256ONSEMIDescription: ONSEMI - FDT86256 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 3 A, 0.695 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.695ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+89.96 грн
50+79.56 грн
250+64.62 грн
1000+43.30 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDTC-08M-COUPLINGTRAY-4SCUPC3MDescription: WIRE SPLICE COUPLING TRAY
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDTC-08M-E-00N-00N-A3MDescription: WIRE SPLICE ENCLOSURE SYS
Packaging: Bulk
Features: Dome Latching System
Type: Enclosure System, Installed Sealing Gasket
Length - Overall: 15.20" (386.1mm)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDTC-08M-E-00N-01C-A-04-EPNA3MDescription: FIBER DOME TERMINAL CLOSURES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDTC-08M-E-00N-01C-A-06-DANN3MDescription: WIRE SPLICE ENCLOSURE SYS
Packaging: Bulk
Features: Dome Latching System
Type: Enclosure System, Installed Sealing Gasket
Length - Overall: 15.20" (386.1mm)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDTC-08M-E-00N-01C-A-06-EPNA3MDescription: WIRE SPLICE ENCLOSURE SYS
Packaging: Bulk
Features: Dome Latching System
Type: Enclosure System, Installed Sealing Gasket
Length - Overall: 15.20" (386.1mm)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDTC-08M-E-00N-01C-A-08-EPNA3MDescription: FIBER DOME TERMINAL CLOSURES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDTC-08M-E-00N-01C-A-DS3MDescription: WIRE SPLICE ENCLOSURE SYS
Packaging: Bulk
Features: Dome Latching System
Type: Enclosure System, Installed Sealing Gasket
Length - Overall: 15.20" (386.1mm)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDTC-08M-E-00N-02C-A-05-EPNN-A3MDescription: WIRE SPLICE ENCLOSURE SYS
Features: Dome Latching System
Packaging: Bulk
Type: Enclosure System, Installed Sealing Gasket
Length - Overall: 15.20" (386.1mm)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDTC-08M-E-00N-02C-A-09-EPNN-C3MDescription: WIRE SPLICE ENCLOSURE SYS
Features: Dome Latching System
Packaging: Bulk
Type: Enclosure System, Installed Sealing Gasket
Length - Overall: 15.20" (386.1mm)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDTC-08M-F-01U-01C-A-DS3MDescription: FIBER DOME TERMINAL CLOSURES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDTC-08ME-N-02M-00N-B-08-DANN3MDescription: FIBER DOME TERMINAL CLOSURE FDTC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDTC-08S-B-00N-01A-A-04-EPAA3MDescription: WIRE SPLICE ENCLOSURE SYS
Packaging: Bulk
Features: Dome Latching System
Type: Enclosure System, Installed Sealing Gasket
Length - Overall: 21.20" (538.5mm)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDTC-08S-E-00N-1A-A-04-EPNA3MDescription: FIBER DOME TERMINAL CLOSURES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDTC-08S-E-00N-1A-A-06-EPNA3MDescription: WIRE SPLICE ENCLOSURE SYS
Packaging: Bulk
Features: Dome Latching System
Type: Enclosure System, Installed Sealing Gasket
Length - Overall: 21.20" (538.5mm)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDTC-08S-E-00N-1A-A-08-EPNA3MDescription: WIRE SPLICE ENCLOSURE SYS
Packaging: Bulk
Features: Dome Latching System
Type: Enclosure System, Installed Sealing Gasket
Length - Overall: 21.20" (538.5mm)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDTC-08S-E-00N-1A-A-DS3MDescription: FIBER DOME TERMINAL CLOSURES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDTC-08S-G-00N-01A-B-02-DANA3MDescription: WIRE SPLICE ENCLOSURE SYS
Packaging: Bulk
Features: Dome Latching System
Type: Enclosure System, Installed Sealing Gasket
Length - Overall: 21.20" (538.5mm)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDTC-10S-COUPLINGTRAY-6SCAPC3MDescription: WIRE SPLICE COUPLING TRAY
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.