Продукція > FDT

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
FDT-08-PED-CI3MDescription: MOUNTING BRACKET
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT-25OMEGADescription: OMEGA - FDT-25 - Ultraschall-Durchflussmesser, tragbar, digital, 0.03-105 FPS, 3/4"- bis 4"-Rohr, aufladbar, LCD
tariffCode: 90261021
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Durchflussmesser, Messwandler & Kabel, Kette/Klemme/Maßband/RS232-Kabel, Netzadapter/Ladegerät, Akustik-Gel
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT-25WOmegaDescription: ULTRASONIC FLOW METER, CLEAN FLU
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT-40-PC-CABLEOMEGADescription: OMEGA - FDT-40-PC-CABLE - Messzubehör, USB-PC-Programmierkabel
Art des Zubehörs: USB-PC-Programmierkabel
Zur Verwendung mit: Ultraschall-Durchflussmesser der Produktreihe FDT-40 von OMEGA
Produktpalette: FDT-40 Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT-40-PC-CABLEOmegaDescription: FDT-40-PC-CABLE
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT-40-RTD1OmegaDescription: FDT-40-RTD1
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT-40-RTD1OMEGADescription: OMEGA - FDT-40-RTD1 - Messzubehör, RTD-Kit, Anklemmen, 130C, 1000 Ohm, 6.1m
Art des Zubehörs: RTD-Kit, Anklemmen, 130C, 1000 Ohm, 6.1m
Zur Verwendung mit: Ultraschall-Energiedurchflussmesser der Produktreihe FDT-40E von OMEGA
Produktpalette: FDT-40 Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT-40E-VDC-HTOMEGADescription: OMEGA - FDT-40E-VDC-HT - Anzeige, Energiedurchflussmesser, 10 bis 28V DC, -40°C bis 176°C, Produktreihe FDT-40E
Anschlussgröße: -
DC-Versorgungsspannung, min.: 10
Genauigkeit %: 1
Druck, max.: -
Durchflussrate: -
DC-Versorgungsspannung, max.: 28
Durchflussrate, max.: -
Produktpalette: FDT-40E Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT-41-TUBE-HTOmegaDescription: FDT-41-TUBE-HT
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT-41-TUBE-HT-100FTOmegaDescription: FDT-41-TUBE-HT-100FT
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT-42-TUBE-HTOmegaDescription: FDT-42-TUBE-HT
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT-42-TUBE-HT-100FTOmegaDescription: FDT-42-TUBE-HT-100FT
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT-43-TUBE-HTOmegaDescription: FDT-43-TUBE-HT
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT-43-TUBE-HT-100FTOmegaDescription: FDT-43-TUBE-HT-100FT
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT-44-TUBE-HTOmegaDescription: FDT-44-TUBE-HT
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT-44-TUBE-HT-100FTOmegaDescription: FDT-44-TUBE-HT-100FT
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT-45-ANSI-HTOMEGADescription: OMEGA - FDT-45-ANSI-HT - Messzubehör, Durchflussmesser, Remote, 1.5" ANSI-Rohr
Art des Zubehörs: Durchflussmesser, Remote, 1.5" ANSI-Rohr
Zur Verwendung mit: Ultraschall-Energiedurchflussmesser der Produktreihe FDT-40E von OMEGA
Produktpalette: FDT-40 Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT-45-ANSI-HTOmegaDescription: FDT-45-ANSI-HT
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT-45-ANSI-HT-100FTOmegaDescription: FDT-45-ANSI-HT-100FT
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT-45-TUBE-HTOmegaDescription: FDT-45-TUBE-HT
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT-45-TUBE-HT-100FTOmegaDescription: FDT-45-TUBE-HT-100FT
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT-46-TUBE-HTOmegaDescription: FDT-46-TUBE-HT
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT-46-TUBE-HT-100FTOmegaDescription: FDT-46-TUBE-HT-100FT
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT-47-100FTOmegaDescription: FDT-47-100FT
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT-47-100FTOMEGADescription: OMEGA - FDT-47-100FT - Messzubehör, Kabel, 30.48m, Durchflussmesser, Remote, Rohre mit 50.8mm bis 609.6mm
Art des Zubehörs: Durchflussmesser, Remote, Rohre mit 50.8mm bis 609.6mm
Zur Verwendung mit: Ultraschall-Energiedurchflussmesser der Produktreihe FDT-40E von OMEGA
Produktpalette: FDT-40 Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT-70A-903Bansbach easyliftDescription: ROTARY DAMPER TORQUE 8.7NM
Features: Disk Type
Packaging: Bag
Type: Rotary Damper
Operating Temperature: -10°C ~ 50°C
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2524.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDT-70B-903Bansbach easyliftDescription: ROTARY DAMPER TORQUE 8.7NM
Packaging: Bag
Features: Disk Type
Type: Rotary Damper
Operating Temperature: -10°C ~ 50°C
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2524.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDT02106QFP-ESEPSON0317+
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDT09SG1M-K1019MolexArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT09SG2M-K1019FCT GroupFCT Dual Port 09 Receptacle / 09 Receptacle With Hood
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT1-052KTE CONNECTIVITYDescription: TE CONNECTIVITY - FDT1-052K - Piezoelektrischer Foliensensor, Vibration, Baureihe FDT, flexible Anschlussdrähte, 0.74nF
tariffCode: 90318080
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Empfindlichkeit: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Versorgungsspannung, max.: -
usEccn: EAR99
Sensormontage: Durchsteckmontage
Produktpalette: FDT Series
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1814.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDT1600N10ALZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 5.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+76.81 грн
13+54.96 грн
25+49.73 грн
100+36.46 грн
250+31.78 грн
500+19.50 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDT1600N10ALZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 5.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT1600N10ALZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 5.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
278+44.56 грн
366+33.83 грн
387+32.02 грн
527+22.68 грн
Мінімальне замовлення: 278
В кошику  од. на суму  грн.
FDT1600N10ALZONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.5A; 10.42W; SOT223
Case: SOT223
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.16Ω
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 10.42W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2577 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+78.25 грн
10+58.21 грн
25+47.28 грн
34+32.84 грн
93+31.05 грн
250+30.86 грн
500+29.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDT1600N10ALZONSEMIDescription: ONSEMI - FDT1600N10ALZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.121 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10.42W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.121ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 25002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+39.21 грн
500+30.35 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDT1600N10ALZonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 5.6A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 10.42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 50 V
на замовлення 3028 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.04 грн
10+46.95 грн
100+32.03 грн
500+24.25 грн
1000+22.00 грн
2000+20.01 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDT1600N10ALZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 5.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+22.81 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
FDT1600N10ALZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 5.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT1600N10ALZONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.5A; 10.42W; SOT223
Case: SOT223
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.16Ω
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 10.42W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
на замовлення 2577 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+65.21 грн
10+46.71 грн
25+39.40 грн
34+27.36 грн
93+25.87 грн
250+25.71 грн
500+24.85 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDT1600N10ALZonsemi / FairchildMOSFETs 100V 160mOhm SOT223 GREEN EMC
на замовлення 6394 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+74.95 грн
10+50.96 грн
100+30.27 грн
500+24.38 грн
1000+22.04 грн
2000+20.16 грн
4000+18.95 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDT1600N10ALZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 5.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
242+51.29 грн
267+46.42 грн
351+35.29 грн
373+32.03 грн
583+18.96 грн
Мінімальне замовлення: 242
В кошику  од. на суму  грн.
FDT1600N10ALZONSEMIDescription: ONSEMI - FDT1600N10ALZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.121 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10.42W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.121ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 25002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+74.69 грн
14+61.99 грн
100+39.21 грн
500+30.35 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
FDT1600N10ALZonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 5.6A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 10.42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT1600N10ALZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 5.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+21.07 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
FDT21624076BREckoDescription: 8" STANDARD DUCT, 25'L W/STRAP
Packaging: Box
Type: Standard Duct
Part Status: Active
Weight (Pounds): 16
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+21883.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDT2363506NFMTFechometal USADescription: 304 SSEAR-LOKT BUCKLE 1/4" WIDTH
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDT3612Fairchild/ON SemiconductorN-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 3,7 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 632 @ 50; Qg, нКл = 20 @ 10 В; Rds = 120 мОм @ 3,7 A, 10 В; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; Р, Вт = 3; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOT-223
на замовлення 4 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDT3612ONSEMIDescription: ONSEMI - FDT3612 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.7 A, 0.12 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.7
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 3
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.12
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+59.70 грн
16+52.93 грн
100+40.56 грн
500+21.62 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
FDT3612ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+23.85 грн
8000+22.42 грн
12000+21.17 грн
28000+20.38 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
FDT3612ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+58.20 грн
14+51.15 грн
25+50.67 грн
100+39.39 грн
250+34.72 грн
500+28.63 грн
1000+23.34 грн
3000+19.19 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
FDT3612onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 3.7A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 632 pF @ 50 V
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+19.88 грн
8000+18.13 грн
12000+16.79 грн
28000+15.60 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
FDT3612onsemi / FairchildMOSFETs 100V NCh PowerTrench
на замовлення 40607 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+68.17 грн
10+48.70 грн
100+28.91 грн
500+23.70 грн
1000+21.44 грн
2000+19.63 грн
4000+16.68 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDT3612ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+25.16 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
FDT3612ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
262+47.29 грн
325+38.12 грн
342+36.29 грн
500+30.06 грн
1000+22.69 грн
3000+17.91 грн
Мінімальне замовлення: 262
В кошику  од. на суму  грн.
FDT3612ONSEMIFDT3612 SMD N channel transistors
на замовлення 2978 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+72.46 грн
41+27.27 грн
113+25.76 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDT3612ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT3612onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 3.7A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 632 pF @ 50 V
на замовлення 35314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+52.26 грн
10+43.64 грн
100+30.22 грн
500+23.70 грн
1000+20.17 грн
2000+17.96 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDT3612ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+18.94 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
FDT3612ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+40.84 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
FDT3612-SB82273onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 3.7A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 632 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT3612-SB82273onsemionsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT3612-SN00151onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V SOT223
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT3612-SN00151onsemionsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT3612/3612FAIR
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDT3612_NLFAIRCHIL09+ TO-220
на замовлення 850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDT3612_SN00151onsemionsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT3622FAIRCHILDSOT-223
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDT3622FAIRCHILD07+ SOT-223
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDT3N40onsemi UF 400V 3.4OHM SOT223
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT3N40TFONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.2A; 2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.2A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT3N40TFonsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 2A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT3N40TFONSEMIDescription: ONSEMI - FDT3N40TF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 2 A, 2.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400
Dauer-Drainstrom Id: 2
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.8
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT3N40TFonsemi / FairchildMOSFET 400V N-Chan UniFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT3N40TFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 400V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT3N40TFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 400V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT3N40TFonsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 2A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT3N40TFONSEMIDescription: ONSEMI - FDT3N40TF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 2 A, 2.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400
Dauer-Drainstrom Id: 2
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.8
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT3N40TFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 400V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDT434PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT434PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 6A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1187 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT434PFairchild/ON SemiconductorP-канальний ПТ; Udss, В = 20; Id = 6 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 1187 @ 10; Qg, нКл = 19 @ 4,5 В; Rds = 50 мОм @ 6 A, 4,5 В; Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА; Р, Вт = 3 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOT-223
на замовлення 166 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDT434P
Код товару: 209155
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT434PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT434PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 6A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1187 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT434Ponsemi / FairchildMOSFET SOT-223 P-CH -20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT434P/434FAIRCHILD
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDT434P_F081onsemi / Fairchildonsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT434P_NLonsemi / FairchildMOSFET 20V, 80MOHM P-CH MOSFET SOT223
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT434P_Qonsemi / FairchildMOSFET SOT-223 P-CH -20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT434P_Tonsemi / Fairchildonsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT4395310NFMTFechometal USADescription: 304 SSEAR-LOKT BUCKLE 3/8" WIDTH
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDT439NonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 6.3A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 6.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 15 V
на замовлення 28111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.14 грн
10+46.55 грн
100+35.43 грн
500+27.22 грн
1000+24.75 грн
2000+23.01 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDT439NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDT439NONSEMIDescription: ONSEMI - FDT439N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.3 A, 0.045 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 670mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 12179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+51.74 грн
250+43.36 грн
1000+29.72 грн
2000+25.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDT439NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT439NonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 6.3A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 6.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 15 V
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+22.44 грн
8000+20.43 грн
12000+20.03 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
FDT439NON-SemicoductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 FDT439N TFDT439N
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 3468 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+26.52 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
FDT439Nonsemi / FairchildMOSFETs SOT-223 N-CH 30V
на замовлення 7899 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+63.59 грн
10+46.01 грн
100+31.48 грн
500+26.65 грн
1000+24.69 грн
2000+23.40 грн
4000+20.38 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDT439NONSEMIDescription: ONSEMI - FDT439N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.3 A, 0.045 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 670mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 11249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+77.06 грн
50+56.06 грн
250+42.68 грн
1000+29.96 грн
2000+25.84 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
FDT439NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+27.04 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
FDT439NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT457NONSEMIDescription: ONSEMI - FDT457N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.06 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Compute Module 3+ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 18001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+102.47 грн
50+64.02 грн
250+42.17 грн
1000+27.60 грн
2000+25.19 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDT457NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+32.21 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
FDT457NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+36.67 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
FDT457NonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 5A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 15 V
на замовлення 7793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.81 грн
10+61.96 грн
100+43.01 грн
500+32.54 грн
1000+29.66 грн
2000+28.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDT457Nonsemi / FairchildMOSFETs SOT-223 N-CH 30V
на замовлення 1984 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+89.83 грн
10+63.11 грн
100+43.26 грн
500+34.05 грн
1000+30.65 грн
2000+28.23 грн
4000+26.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDT457NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+30.06 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
FDT457NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+29.68 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
FDT457NONSEMIDescription: ONSEMI - FDT457N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.06 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Compute Module 3+ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 18001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+64.02 грн
250+42.17 грн
1000+27.60 грн
2000+25.19 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDT457NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT457NonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 5A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 15 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+27.06 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
FDT457NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+29.89 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
FDT458PonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 3.4A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 205 pF @ 15 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+21.84 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
FDT458Ponsemi / FairchildMOSFET 30V P-Ch PowerTrench
на замовлення 3468 шт:
термін постачання 1002-1011 дні (днів)
6+62.27 грн
10+54.78 грн
100+32.54 грн
500+27.10 грн
1000+23.10 грн
2000+20.91 грн
4000+19.48 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDT458PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 3.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT458PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 3.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+21.05 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
FDT458PONSEMIDescription: ONSEMI - FDT458P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.4 A, 0.13 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+74.10 грн
50+50.13 грн
250+37.09 грн
1000+25.16 грн
2000+21.05 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
FDT458PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 3.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT458PONSEMIFDT458P SMD P channel transistors
на замовлення 3074 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+82.11 грн
38+29.44 грн
104+27.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDT458PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 3.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+24.06 грн
8000+22.66 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
FDT458PonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 3.4A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 205 pF @ 15 V
на замовлення 6098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.16 грн
10+47.97 грн
100+33.20 грн
500+26.04 грн
1000+22.16 грн
2000+19.73 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDT458PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 3.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT458PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 3.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT459FSC09+
на замовлення 138018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDT459NonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 6.5A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT459NFAIRCHILDSOT-223
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDT459NON Semiconductor / FairchildMOSFET SOT-223 N-CH 30V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDT459NonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 6.5A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT461NFAIRCHILD07+ SOT-223
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDT461NFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 540MA SOT223-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 540mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.13W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 74 pF @ 25 V
на замовлення 47000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
497+42.09 грн
Мінімальне замовлення: 497
В кошику  од. на суму  грн.
FDT461NFAIRCHILDSOT-223
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDT4N50NZUonsemiDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, UNIFETI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 476 pF @ 25 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+35.43 грн
8000+32.89 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
FDT4N50NZUonsemiMOSFETs UNIFET II 3OHM SOT223
на замовлення 5056 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+114.49 грн
10+78.39 грн
100+51.48 грн
500+41.44 грн
1000+38.27 грн
2000+35.48 грн
4000+32.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDT4N50NZUONSEMIDescription: ONSEMI - FDT4N50NZU - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2 A, 2.42 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: UniFET II Ultra FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.42ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.42ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+56.65 грн
500+42.70 грн
1000+37.60 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDT4N50NZUonsemiDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, UNIFETI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 476 pF @ 25 V
на замовлення 15453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+108.61 грн
10+77.06 грн
100+54.85 грн
500+40.78 грн
1000+37.78 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDT4N50NZUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 2A Reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT4N50NZUONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2A; Idm: 6A; 2W; SOT223
Mounting: SMD
Case: SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 9.1nC
Drain current: 2A
Power dissipation: 2W
Pulsed drain current: 6A
On-state resistance: 3Ω
Gate-source voltage: ±25V
Drain-source voltage: 500V
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT4N50NZUONSEMIDescription: ONSEMI - FDT4N50NZU - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2 A, 2.42 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: UniFET II Ultra FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.42ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+136.34 грн
10+90.61 грн
100+61.65 грн
500+45.61 грн
1000+38.69 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDT5060FAIRCHILD07+ SOT-223
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDT5060FAIRCHILDSOT-223
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDT5312712NFMTFechometal USADescription: 304 SSEAR-LOKT BUCKLE 1/2" WIDTH
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDT55AN06LA0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 12.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT55AN06LA0Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 12.1A SOT223-4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT55AN06LA0Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 12.1A SOT223-4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT55AN06LA0onsemi / FairchildMOSFET 60V N-Channel PowerTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT6315812NFMTFechometal USADescription: 304 SSEAR-LOKT BUCKLE 5/8" WIDTH
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDT7024L35PFI
на замовлення 194 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDT71B74-S10Y
на замовлення 1324 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDT74FCT240ATSOFDT
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDT8325415NFMTFechometal USADescription: 304 SSEAR-LOKT BUCKLE 1" WIDTH -
Packaging: Box
Color: Silver
Size / Dimension: 2.264" L x 1.476" W (57.50mm x 37.50mm)
Type: Buckle
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86102LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 6.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+88.77 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86102LZMULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - FDT86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.028 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86102LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 6.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+91.71 грн
10+80.23 грн
25+78.61 грн
100+61.67 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86102LZonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 6.6A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 50 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+23.00 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86102LZONSEMIDescription: ONSEMI - FDT86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.028 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 8157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+110.94 грн
50+83.67 грн
250+54.11 грн
1000+31.45 грн
2000+27.66 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86102LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 6.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+73.80 грн
4000+69.19 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86102LZON-SemicoductorTrans MOSFET N-CH 100V 6.6A FDT86102LZ TFDT86102LZ
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
6+104.52 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86102LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 6.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
173+71.87 грн
176+70.39 грн
208+59.74 грн
209+57.21 грн
Мінімальне замовлення: 173
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86102LZonsemi / FairchildMOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 32021 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+143.56 грн
10+118.07 грн
25+86.81 грн
100+62.35 грн
250+61.07 грн
500+48.46 грн
1000+39.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86102LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 6.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+55.41 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86102LZMULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - FDT86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.028 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86102LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 6.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86102LZonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 6.6A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 50 V
на замовлення 7324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.72 грн
10+66.37 грн
100+42.82 грн
500+28.60 грн
1000+26.03 грн
2000+24.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86102LZONSEMIDescription: ONSEMI - FDT86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.022 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 9667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+132.11 грн
250+94.85 грн
1000+68.02 грн
2000+61.84 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86102LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 6.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
166+74.88 грн
169+73.36 грн
208+59.69 грн
Мінімальне замовлення: 166
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86102LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 6.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+58.30 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86102LZ.ONSEMIDescription: ONSEMI - FDT86102LZ. - FET 100V 28.0 MOHM SOT223 / REEL 08AK6006
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86106LZonsemi / FairchildMOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 12076 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+122.42 грн
10+85.94 грн
100+51.48 грн
500+44.09 грн
1000+40.39 грн
2000+40.09 грн
4000+36.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86106LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
247+50.17 грн
Мінімальне замовлення: 247
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86106LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+64.57 грн
13+58.45 грн
25+58.09 грн
100+48.59 грн
250+44.79 грн
500+39.80 грн
1000+39.72 грн
3000+39.65 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86106LZ
Код товару: 133317
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86106LZonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 3.2A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 108mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 50 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+37.35 грн
8000+35.26 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86106LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+42.35 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86106LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86106LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 7730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
435+71.28 грн
500+64.15 грн
1000+59.16 грн
Мінімальне замовлення: 435
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86106LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86106LZFairchildTrans MOSFET N-CH 100V 3.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 FDT86106LZ TFDT86106lz
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+20.24 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86106LZonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 3.2A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 108mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 50 V
на замовлення 27124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.69 грн
10+77.53 грн
100+53.46 грн
500+43.37 грн
1000+40.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86106LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
227+54.55 грн
229+54.21 грн
264+47.03 грн
265+45.15 грн
500+38.69 грн
1000+37.08 грн
3000+37.00 грн
Мінімальне замовлення: 227
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86113LZONSEMIDescription: ONSEMI - FDT86113LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.3 A, 0.1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 6984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+121.94 грн
50+76.47 грн
250+50.90 грн
1000+32.63 грн
2000+28.89 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86113LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+28.54 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86113LZonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 3.3A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 50 V
на замовлення 10286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+106.16 грн
10+64.40 грн
100+42.84 грн
500+31.50 грн
1000+27.80 грн
2000+27.40 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86113LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86113LZONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.3A; 2.2W; SOT223
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT223
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 189mΩ
Power dissipation: 2.2W
Drain current: 3.3A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
на замовлення 2166 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+89.76 грн
7+56.62 грн
10+50.09 грн
50+38.69 грн
100+34.91 грн
250+32.48 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86113LZONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.3A; 2.2W; SOT223
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT223
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 189mΩ
Power dissipation: 2.2W
Drain current: 3.3A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2166 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+107.72 грн
5+70.55 грн
10+60.11 грн
50+46.43 грн
100+41.90 грн
250+38.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86113LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+40.01 грн
4000+37.48 грн
8000+36.91 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86113LZonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 3.3A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 50 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+26.96 грн
8000+24.19 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86113LZONSEMIDescription: ONSEMI - FDT86113LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.3 A, 0.075 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 8014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+60.89 грн
250+44.20 грн
1000+30.35 грн
2000+26.49 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86113LZonsemi / FairchildMOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 9862 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+97.76 грн
10+63.37 грн
25+54.81 грн
100+39.78 грн
500+32.99 грн
1000+27.55 грн
2000+26.65 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86113LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+56.61 грн
15+47.21 грн
25+45.60 грн
100+38.25 грн
250+35.21 грн
500+30.02 грн
1000+26.82 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86113LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
281+44.06 грн
291+42.56 грн
335+37.02 грн
337+35.50 грн
500+29.18 грн
1000+25.03 грн
Мінімальне замовлення: 281
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86244ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
778+39.81 грн
1000+36.72 грн
Мінімальне замовлення: 778
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86244ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86244MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - FDT86244 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2.8 A, 0.285 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro MOSFET Transistros
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.285ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+101.62 грн
11+81.55 грн
100+58.35 грн
500+37.82 грн
1000+24.97 грн
5000+21.85 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86244onsemi / FairchildMOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 29202 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+88.95 грн
10+59.55 грн
100+38.50 грн
500+31.55 грн
1000+26.95 грн
2000+25.89 грн
4000+23.78 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86244ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+26.16 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86244ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+50.55 грн
17+42.90 грн
100+37.11 грн
500+31.99 грн
1000+26.46 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86244ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
311+39.85 грн
359+34.48 грн
500+30.82 грн
1000+26.54 грн
Мінімальне замовлення: 311
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86244onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 2.8A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 128mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 395 pF @ 75 V
на замовлення 5488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+77.58 грн
10+50.88 грн
100+37.86 грн
500+29.38 грн
1000+25.83 грн
2000+25.13 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86244ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
313+39.57 грн
314+39.46 грн
365+33.95 грн
366+32.68 грн
500+26.86 грн
1000+22.97 грн
Мінімальне замовлення: 313
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86244ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+26.07 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86244ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
778+39.81 грн
1000+36.72 грн
Мінімальне замовлення: 778
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86244ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+50.23 грн
17+42.39 грн
25+42.28 грн
100+35.07 грн
250+32.42 грн
500+27.63 грн
1000+24.61 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86244onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 2.8A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 128mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 395 pF @ 75 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+24.31 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86244MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - FDT86244 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2.8 A, 0.285 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro MOSFET Transistros
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.285ohm
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+58.35 грн
500+37.82 грн
1000+24.97 грн
5000+21.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86244ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 29016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
778+39.81 грн
1000+36.72 грн
10000+32.74 грн
Мінімальне замовлення: 778
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86246FAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
491+63.03 грн
546+56.73 грн
1000+52.32 грн
Мінімальне замовлення: 491
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86246ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+41.10 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86246FairchildTrans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 FDT86246 TFDT86246
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+28.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86246ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
138+89.94 грн
161+77.32 грн
200+70.39 грн
500+52.28 грн
1000+45.24 грн
2000+38.26 грн
Мінімальне замовлення: 138
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86246ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
491+63.03 грн
546+56.73 грн
1000+52.32 грн
Мінімальне замовлення: 491
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86246ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86246onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 2A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 236mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 215 pF @ 75 V
на замовлення 5672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.29 грн
10+68.96 грн
100+48.31 грн
500+38.88 грн
1000+35.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86246FAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
491+63.03 грн
546+56.73 грн
1000+52.32 грн
Мінімальне замовлення: 491
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86246ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+38.32 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86246onsemi / FairchildMOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 13716 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+87.90 грн
10+74.40 грн
100+45.37 грн
500+36.24 грн
1000+33.97 грн
4000+30.42 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86246ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86246ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
491+63.03 грн
Мінімальне замовлення: 491
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86246ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86246onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 2A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 236mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 215 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86246LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 44000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
730+42.40 грн
1000+39.10 грн
10000+34.86 грн
Мінімальне замовлення: 730
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86246LonsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 2A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 228mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 335 pF @ 75 V
на замовлення 8051 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.48 грн
11+31.22 грн
100+29.13 грн
2000+26.77 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86246LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 11206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
730+42.40 грн
1000+39.10 грн
10000+34.86 грн
Мінімальне замовлення: 730
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86246LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+33.70 грн
22+33.18 грн
25+32.66 грн
100+30.99 грн
250+28.23 грн
500+26.66 грн
1000+26.21 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86246LONSEMIDescription: ONSEMI - FDT86246L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2 A, 0.189 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 8781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+36.16 грн
50+33.70 грн
250+32.01 грн
1000+28.07 грн
2000+25.84 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86246LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
400+30.97 грн
407+30.48 грн
413+29.99 грн
420+28.45 грн
500+25.92 грн
1000+24.46 грн
Мінімальне замовлення: 400
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86246Lonsemi / FairchildMOSFETs 150V 2A N-Channel Power Trench MOSFET
на замовлення 27103 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+29.34 грн
100+25.06 грн
500+24.91 грн
2000+24.84 грн
4000+22.80 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86246LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86246LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+38.76 грн
4000+36.53 грн
8000+35.27 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86246LonsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 2A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 228mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 335 pF @ 75 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+25.63 грн
8000+23.71 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86246LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
386+32.14 грн
Мінімальне замовлення: 386
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86246LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86246LONSEMIDescription: ONSEMI - FDT86246L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2 A, 0.189 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 8781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+33.70 грн
250+32.01 грн
1000+28.07 грн
2000+25.84 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86256onsemi / FairchildMOSFETs 150V NCh MOSFET PowerTrench
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+121.54 грн
10+91.15 грн
100+61.52 грн
500+52.16 грн
1000+42.43 грн
2000+39.93 грн
4000+38.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86256ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 1.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86256ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 1.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
417+74.21 грн
500+66.80 грн
1000+61.60 грн
Мінімальне замовлення: 417
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86256ONSEMIDescription: ONSEMI - FDT86256 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 3 A, 0.695 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.695ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+65.55 грн
1000+44.35 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86256onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 1.2A/3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta), 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 845mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 10W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 75 V
на замовлення 859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+135.55 грн
10+83.27 грн
100+56.11 грн
500+41.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86256ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 1.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 17327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
417+74.21 грн
500+66.80 грн
1000+61.60 грн
10000+52.95 грн
Мінімальне замовлення: 417
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86256ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 1.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
417+74.21 грн
500+66.80 грн
1000+61.60 грн
Мінімальне замовлення: 417
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86256ONSEMIDescription: ONSEMI - FDT86256 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 3 A, 0.695 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.695ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+116.86 грн
50+88.92 грн
250+65.55 грн
1000+44.35 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86256onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 1.2A/3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta), 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 845mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 10W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86256
Код товару: 188041
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86256ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 1.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
417+74.21 грн
500+66.80 грн
1000+61.60 грн
Мінімальне замовлення: 417
В кошику  од. на суму  грн.
FDTC-08M-COUPLINGTRAY-4SCUPC3MDescription: WIRE SPLICE COUPLING TRAY
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDTC-08M-E-00N-00N-A3MDescription: WIRE SPLICE ENCLOSURE SYS
Features: Dome Latching System
Packaging: Bulk
Type: Enclosure System, Installed Sealing Gasket
Length - Overall: 15.20" (386.1mm)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDTC-08M-E-00N-01C-A-04-EPNA3MDescription: FIBER DOME TERMINAL CLOSURES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDTC-08M-E-00N-01C-A-06-DANN3MDescription: WIRE SPLICE ENCLOSURE SYS
Features: Dome Latching System
Packaging: Bulk
Type: Enclosure System, Installed Sealing Gasket
Length - Overall: 15.20" (386.1mm)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDTC-08M-E-00N-01C-A-06-EPNA3MDescription: WIRE SPLICE ENCLOSURE SYS
Features: Dome Latching System
Packaging: Bulk
Type: Enclosure System, Installed Sealing Gasket
Length - Overall: 15.20" (386.1mm)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDTC-08M-E-00N-01C-A-08-EPNA3MDescription: FIBER DOME TERMINAL CLOSURES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDTC-08M-E-00N-01C-A-DS3MDescription: WIRE SPLICE ENCLOSURE SYS
Features: Dome Latching System
Packaging: Bulk
Type: Enclosure System, Installed Sealing Gasket
Length - Overall: 15.20" (386.1mm)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDTC-08M-E-00N-02C-A-05-EPNN-A3MDescription: WIRE SPLICE ENCLOSURE SYS
Features: Dome Latching System
Packaging: Bulk
Type: Enclosure System, Installed Sealing Gasket
Length - Overall: 15.20" (386.1mm)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDTC-08M-E-00N-02C-A-09-EPNN-C3MDescription: WIRE SPLICE ENCLOSURE SYS
Features: Dome Latching System
Packaging: Bulk
Type: Enclosure System, Installed Sealing Gasket
Length - Overall: 15.20" (386.1mm)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDTC-08M-F-01U-01C-A-DS3MDescription: FIBER DOME TERMINAL CLOSURES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDTC-08ME-N-02M-00N-B-08-DANN3MDescription: FIBER DOME TERMINAL CLOSURE FDTC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDTC-08S-B-00N-01A-A-04-EPAA3MDescription: WIRE SPLICE ENCLOSURE SYS
Features: Dome Latching System
Packaging: Bulk
Type: Enclosure System, Installed Sealing Gasket
Length - Overall: 21.20" (538.5mm)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDTC-08S-E-00N-1A-A-04-EPNA3MDescription: FIBER DOME TERMINAL CLOSURES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDTC-08S-E-00N-1A-A-06-EPNA3MDescription: WIRE SPLICE ENCLOSURE SYS
Features: Dome Latching System
Packaging: Bulk
Type: Enclosure System, Installed Sealing Gasket
Length - Overall: 21.20" (538.5mm)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDTC-08S-E-00N-1A-A-08-EPNA3MDescription: WIRE SPLICE ENCLOSURE SYS
Features: Dome Latching System
Packaging: Bulk
Type: Enclosure System, Installed Sealing Gasket
Length - Overall: 21.20" (538.5mm)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDTC-08S-E-00N-1A-A-DS3MDescription: FIBER DOME TERMINAL CLOSURES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDTC-08S-G-00N-01A-B-02-DANA3MDescription: WIRE SPLICE ENCLOSURE SYS
Features: Dome Latching System
Packaging: Bulk
Type: Enclosure System, Installed Sealing Gasket
Length - Overall: 21.20" (538.5mm)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDTC-10S-COUPLINGTRAY-6SCAPC3MDescription: WIRE SPLICE COUPLING TRAY
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.