Продукція > FDT

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
FDT-08-PED-CI3MDescription: MOUNTING BRACKET
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT-25OMEGADescription: OMEGA - FDT-25 - Ultraschall-Durchflussmesser, tragbar, digital, 0.03-105 FPS, 3/4"- bis 4"-Rohr, aufladbar, LCD
tariffCode: 90261021
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Durchflussmesser, Messwandler & Kabel, Kette/Klemme/Maßband/RS232-Kabel, Netzadapter/Ladegerät, Akustik-Gel
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+165201.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDT-40-PC-CABLEOMEGADescription: OMEGA - FDT-40-PC-CABLE - Messzubehör, USB-PC-Programmierkabel
Art des Zubehörs: USB-PC-Programmierkabel
Zur Verwendung mit: Ultraschall-Durchflussmesser der Produktreihe FDT-40 von OMEGA
Produktpalette: FDT-40 Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT-40-RTD1OMEGADescription: OMEGA - FDT-40-RTD1 - Messzubehör, RTD-Kit, Anklemmen, 130C, 1000 Ohm, 6.1m
Art des Zubehörs: RTD-Kit, Anklemmen, 130C, 1000 Ohm, 6.1m
Zur Verwendung mit: Ultraschall-Energiedurchflussmesser der Produktreihe FDT-40E von OMEGA
Produktpalette: FDT-40 Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT-40E-VDC-HTOMEGADescription: OMEGA - FDT-40E-VDC-HT - Anzeige, Energiedurchflussmesser, 10 bis 28V DC, -40°C bis 176°C, Produktreihe FDT-40E
Anschlussgröße: -
DC-Versorgungsspannung, min.: 10
Genauigkeit %: 1
Druck, max.: -
Durchflussrate: -
DC-Versorgungsspannung, max.: 28
Durchflussrate, max.: -
Produktpalette: FDT-40E Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT-45-ANSI-HTOMEGADescription: OMEGA - FDT-45-ANSI-HT - Messzubehör, Durchflussmesser, Remote, 1.5" ANSI-Rohr
Art des Zubehörs: Durchflussmesser, Remote, 1.5" ANSI-Rohr
Zur Verwendung mit: Ultraschall-Energiedurchflussmesser der Produktreihe FDT-40E von OMEGA
Produktpalette: FDT-40 Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT-47-100FTOMEGADescription: OMEGA - FDT-47-100FT - Messzubehör, Kabel, 30.48m, Durchflussmesser, Remote, Rohre mit 50.8mm bis 609.6mm
Art des Zubehörs: Durchflussmesser, Remote, Rohre mit 50.8mm bis 609.6mm
Zur Verwendung mit: Ultraschall-Energiedurchflussmesser der Produktreihe FDT-40E von OMEGA
Produktpalette: FDT-40 Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT-70A-903Bansbach easyliftDescription: ROTARY DAMPER TORQUE 8.7NM
Features: Disk Type
Packaging: Bag
Type: Rotary Damper
Operating Temperature: -10°C ~ 50°C
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2488.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDT-70B-903Bansbach easyliftDescription: ROTARY DAMPER TORQUE 8.7NM
Packaging: Bag
Features: Disk Type
Type: Rotary Damper
Operating Temperature: -10°C ~ 50°C
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2488.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDT02106QFP-ESEPSON0317+
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDT09SG1M-K1019MolexArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT09SG2M-K1019FCT GroupFCT Dual Port 09 Receptacle / 09 Receptacle With Hood
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT1-052KTE CONNECTIVITYDescription: TE CONNECTIVITY - FDT1-052K - Piezoelektrischer Foliensensor, Vibration, Baureihe FDT, flexible Anschlussdrähte, 0.74nF
tariffCode: 90318080
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Empfindlichkeit: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Versorgungsspannung, max.: -
usEccn: EAR99
Sensormontage: Durchsteckmontage
Produktpalette: FDT Series
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1788.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDT1600N10ALZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 5.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+19.49 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
FDT1600N10ALZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 5.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT1600N10ALZONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.5A; 10.42W; SOT223
Mounting: SMD
Case: SOT223
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.5A
On-state resistance: 0.16Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 10.42W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 2602 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+57.60 грн
10+39.61 грн
25+34.42 грн
34+26.98 грн
93+25.50 грн
250+24.49 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDT1600N10ALZonsemi / FairchildMOSFETs 100V 160mOhm SOT223 GREEN EMC
на замовлення 11205 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+80.04 грн
10+54.43 грн
100+32.22 грн
500+26.57 грн
1000+22.99 грн
2000+20.76 грн
4000+19.27 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDT1600N10ALZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 5.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
242+50.56 грн
267+45.75 грн
351+34.79 грн
373+31.58 грн
583+18.69 грн
Мінімальне замовлення: 242
В кошику  од. на суму  грн.
FDT1600N10ALZONSEMIDescription: ONSEMI - FDT1600N10ALZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.121 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10.42W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.121ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 25002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+73.63 грн
14+61.11 грн
100+38.65 грн
500+29.92 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
FDT1600N10ALZonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 5.6A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 10.42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 50 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+21.76 грн
8000+19.85 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
FDT1600N10ALZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 5.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+20.77 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
FDT1600N10ALZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 5.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+65.62 грн
13+46.95 грн
25+42.49 грн
100+31.15 грн
250+27.15 грн
500+16.66 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDT1600N10ALZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 5.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT1600N10ALZONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.5A; 10.42W; SOT223
Mounting: SMD
Case: SOT223
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.5A
On-state resistance: 0.16Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 10.42W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2602 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+69.12 грн
10+49.36 грн
25+41.30 грн
34+32.37 грн
93+30.60 грн
250+29.39 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDT1600N10ALZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 5.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
278+43.92 грн
366+33.35 грн
387+31.56 грн
527+22.35 грн
Мінімальне замовлення: 278
В кошику  од. на суму  грн.
FDT1600N10ALZONSEMIDescription: ONSEMI - FDT1600N10ALZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.121 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10.42W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.121ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 25002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+38.65 грн
500+29.92 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDT1600N10ALZonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 5.6A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 10.42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 50 V
на замовлення 9487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.15 грн
10+47.75 грн
100+33.09 грн
500+25.94 грн
1000+22.08 грн
2000+19.66 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDT21624076BREckoDescription: 8" STANDARD DUCT, 25'L W/STRAP
Packaging: Box
Type: Standard Duct
Part Status: Active
Weight (Pounds): 16
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+21571.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDT2363506NFMTFechometal USADescription: 304 SSEAR-LOKT BUCKLE 1/4" WIDTH
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDT3612ONSEMIFDT3612 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT3612ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT3612onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 3.7A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 632 pF @ 50 V
на замовлення 35314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.52 грн
10+43.02 грн
100+29.79 грн
500+23.36 грн
1000+19.88 грн
2000+17.71 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDT3612ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+18.67 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
FDT3612ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+40.26 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
FDT3612Fairchild/ON SemiconductorN-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 3,7 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 632 @ 50; Qg, нКл = 20 @ 10 В; Rds = 120 мОм @ 3,7 A, 10 В; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; Р, Вт = 3; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOT-223
на замовлення 4 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDT3612ONSEMIDescription: ONSEMI - FDT3612 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.7 A, 0.12 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.7
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 3
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.12
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+58.85 грн
16+52.17 грн
100+39.99 грн
500+21.32 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
FDT3612ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+20.38 грн
8000+19.15 грн
12000+18.09 грн
28000+17.41 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
FDT3612ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+49.72 грн
14+43.70 грн
25+43.29 грн
100+33.65 грн
250+29.66 грн
500+24.46 грн
1000+19.94 грн
3000+16.39 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
FDT3612onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 3.7A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 632 pF @ 50 V
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+19.59 грн
8000+17.88 грн
12000+16.55 грн
28000+15.38 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
FDT3612onsemi / FairchildMOSFETs 100V NCh PowerTrench
на замовлення 45042 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+67.02 грн
10+44.16 грн
100+26.49 грн
500+21.06 грн
1000+19.27 грн
2000+17.71 грн
4000+16.45 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDT3612ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+24.80 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
FDT3612ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
262+46.62 грн
325+37.58 грн
342+35.77 грн
500+29.63 грн
1000+22.37 грн
3000+17.65 грн
Мінімальне замовлення: 262
В кошику  од. на суму  грн.
FDT3612-SB82273onsemionsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT3612-SB82273onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 3.7A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 632 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT3612-SN00151onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V SOT223
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT3612-SN00151onsemionsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT3612/3612FAIR
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDT3612_NLFAIRCHIL09+ TO-220
на замовлення 850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDT3612_SN00151onsemionsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT3622FAIRCHILDSOT-223
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDT3622FAIRCHILD07+ SOT-223
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDT3N40onsemionsemi UF 400V 3.4OHM SOT223
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT3N40TFonsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 2A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT3N40TFONSEMIDescription: ONSEMI - FDT3N40TF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 2 A, 2.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400
Dauer-Drainstrom Id: 2
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.8
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT3N40TFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 400V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDT3N40TFonsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 2A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT3N40TFONSEMIDescription: ONSEMI - FDT3N40TF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 2 A, 2.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400
Dauer-Drainstrom Id: 2
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.8
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT3N40TFonsemi / FairchildMOSFET 400V N-Chan UniFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT3N40TFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 400V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT3N40TFONSEMIFDT3N40TF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT3N40TFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 400V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT434PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT434PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 6A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1187 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT434Ponsemi / FairchildMOSFET SOT-223 P-CH -20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT434PFairchild/ON SemiconductorP-канальний ПТ; Udss, В = 20; Id = 6 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 1187 @ 10; Qg, нКл = 19 @ 4,5 В; Rds = 50 мОм @ 6 A, 4,5 В; Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА; Р, Вт = 3 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOT-223
на замовлення 166 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDT434PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT434P
Код товару: 209155
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT434PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 6A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1187 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT434P/434FAIRCHILD
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDT434P_F081onsemi / Fairchildonsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT434P_NLonsemi / FairchildMOSFET 20V, 80MOHM P-CH MOSFET SOT223
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT434P_Qonsemi / FairchildMOSFET SOT-223 P-CH -20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT434P_Tonsemi / Fairchildonsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT4395310NFMTFechometal USADescription: 304 SSEAR-LOKT BUCKLE 3/8" WIDTH
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDT439NonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 6.3A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 6.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT439Nonsemi / FairchildMOSFET SOT-223 N-CH 30V
на замовлення 39265 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDT439NONSEMIDescription: ONSEMI - FDT439N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.3 A, 0.038 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 670mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Compute Module 3+ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 12659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+74.88 грн
50+55.60 грн
250+40.24 грн
1000+25.58 грн
2000+23.11 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
FDT439NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT439NON-SemicoductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 FDT439N TFDT439N
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 3868 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+25.44 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
FDT439NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+26.65 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
FDT439NonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 6.3A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 6.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 15 V
на замовлення 859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.91 грн
10+59.45 грн
100+40.40 грн
500+30.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDT439NONSEMIFDT439N SMD N channel transistors
на замовлення 597 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+117.20 грн
26+41.86 грн
72+40.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDT439NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDT439NONSEMIDescription: ONSEMI - FDT439N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.3 A, 0.038 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 670mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Compute Module 3+ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 12694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+55.60 грн
250+40.24 грн
1000+25.58 грн
2000+23.11 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDT439NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT457NONSEMIDescription: ONSEMI - FDT457N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.06 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Startech USB to DC Barrel Leads
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 19787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+74.29 грн
250+50.09 грн
1000+32.94 грн
2000+28.41 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDT457NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT457NonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 5A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 15 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+26.67 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
FDT457NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+29.46 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
FDT457NONSEMIDescription: ONSEMI - FDT457N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.06 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Compute Module 3+ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 19432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+89.32 грн
50+63.61 грн
250+50.09 грн
1000+32.94 грн
2000+28.05 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDT457NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+27.52 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
FDT457NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+31.33 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
FDT457NonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 5A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 15 V
на замовлення 7793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.40 грн
10+61.08 грн
100+42.40 грн
500+32.08 грн
1000+29.24 грн
2000+28.10 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDT457NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+29.63 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
FDT457Nonsemi / FairchildMOSFETs SOT-223 N-CH 30V
на замовлення 1984 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+88.55 грн
10+62.21 грн
100+42.64 грн
500+33.56 грн
1000+30.21 грн
2000+27.83 грн
4000+25.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDT457NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+29.26 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
FDT458PonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 3.4A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 205 pF @ 15 V
на замовлення 6098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.35 грн
10+47.28 грн
100+32.73 грн
500+25.66 грн
1000+21.84 грн
2000+19.45 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDT458PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 3.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT458PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 3.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT458PonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 3.4A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 205 pF @ 15 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+21.53 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
FDT458PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 3.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT458Ponsemi / FairchildMOSFET 30V P-Ch PowerTrench
на замовлення 3468 шт:
термін постачання 1002-1011 дні (днів)
6+61.38 грн
10+54.00 грн
100+32.07 грн
500+26.71 грн
1000+22.77 грн
2000+20.61 грн
4000+19.20 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDT458PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 3.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+20.75 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
FDT458PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 3.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT458PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 3.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+20.55 грн
8000+19.36 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
FDT458PONSEMIFDT458P SMD P channel transistors
на замовлення 498 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+103.78 грн
43+25.11 грн
118+24.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDT459FSC09+
на замовлення 138018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDT459NON Semiconductor / FairchildMOSFET SOT-223 N-CH 30V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDT459NFAIRCHILDSOT-223
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDT459NonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 6.5A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT459NonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 6.5A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT461NFAIRCHILDSOT-223
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDT461NFAIRCHILD07+ SOT-223
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDT461NFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 540MA SOT223-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 540mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.13W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 74 pF @ 25 V
на замовлення 47000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
606+38.31 грн
Мінімальне замовлення: 606
В кошику  од. на суму  грн.
FDT4N50NZUonsemiDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, UNIFETI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 476 pF @ 25 V
на замовлення 4359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.08 грн
10+74.34 грн
100+54.85 грн
500+41.20 грн
1000+38.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDT4N50NZUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 2A Reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT4N50NZUONSEMIDescription: ONSEMI - FDT4N50NZU - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2 A, 2.42 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: UniFET II Ultra FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.42ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.42ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+55.85 грн
500+42.09 грн
1000+37.06 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDT4N50NZUonsemiDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, UNIFETI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 476 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+34.72 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
FDT4N50NZUONSEMIDescription: ONSEMI - FDT4N50NZU - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2 A, 2.42 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: UniFET II Ultra FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.42ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+134.40 грн
10+89.32 грн
100+60.77 грн
500+44.96 грн
1000+38.14 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDT4N50NZUonsemiMOSFETs UNIFET II, 3OHM, SOT223
на замовлення 3056 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+119.81 грн
10+79.41 грн
100+48.59 грн
500+39.36 грн
1000+36.39 грн
4000+35.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDT4N50NZUONSEMIFDT4N50NZU SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT5060FAIRCHILDSOT-223
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDT5060FAIRCHILD07+ SOT-223
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDT5312712NFMTFechometal USADescription: 304 SSEAR-LOKT BUCKLE 1/2" WIDTH
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDT55AN06LA0Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 12.1A SOT223-4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT55AN06LA0onsemi / FairchildMOSFET 60V N-Channel PowerTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT55AN06LA0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 12.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT55AN06LA0Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 12.1A SOT223-4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT6315812NFMTFechometal USADescription: 304 SSEAR-LOKT BUCKLE 5/8" WIDTH
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDT7024L35PFI
на замовлення 194 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDT71B74-S10Y
на замовлення 1324 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDT74FCT240ATSOFDT
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDT8325415NFMTFechometal USADescription: 304 SSEAR-LOKT BUCKLE 1" WIDTH -
Packaging: Box
Color: Silver
Size / Dimension: 2.264" L x 1.476" W (57.50mm x 37.50mm)
Type: Buckle
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86102LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 6.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+47.33 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86102LZONSEMIDescription: ONSEMI - FDT86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.022 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 9667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+184.48 грн
50+130.22 грн
250+93.49 грн
1000+67.05 грн
2000+60.96 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86102LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 6.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86102LZON-SemicoductorTrans MOSFET N-CH 100V 6.6A FDT86102LZ TFDT86102LZ
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
6+100.24 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86102LZonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 6.6A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 50 V
на замовлення 5058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+102.23 грн
10+76.12 грн
100+51.42 грн
500+38.99 грн
1000+32.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86102LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 6.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
166+73.82 грн
169+72.32 грн
208+58.84 грн
Мінімальне замовлення: 166
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86102LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 6.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+57.47 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86102LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 6.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+87.51 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86102LZMULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - FDT86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.028 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86102LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 6.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+78.35 грн
10+68.54 грн
25+67.15 грн
100+52.69 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86102LZONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.6A; 2.2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.6A
Power dissipation: 2.2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 46mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86102LZonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 6.6A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 50 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+26.15 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86102LZONSEMIDescription: ONSEMI - FDT86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.022 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 9667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+130.22 грн
250+93.49 грн
1000+67.05 грн
2000+60.96 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86102LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 6.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+72.75 грн
4000+68.20 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86102LZONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.6A; 2.2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.6A
Power dissipation: 2.2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 46mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86102LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 6.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
173+70.85 грн
176+69.38 грн
208+58.89 грн
209+56.39 грн
Мінімальне замовлення: 173
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86102LZMULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - FDT86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.028 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86102LZonsemi / FairchildMOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 32021 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+141.51 грн
10+116.38 грн
25+85.58 грн
100+61.47 грн
250+60.20 грн
500+47.77 грн
1000+38.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86102LZ.ONSEMIDescription: ONSEMI - FDT86102LZ. - FET 100V 28.0 MOHM SOT223 / REEL 08AK6006
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86106LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 7730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
435+70.26 грн
500+63.23 грн
1000+58.31 грн
Мінімальне замовлення: 435
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86106LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86106LZFairchildTrans MOSFET N-CH 100V 3.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 FDT86106LZ TFDT86106lz
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+21.29 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86106LZONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.2A; 2.2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 2.2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 189mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86106LZonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 3.2A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 108mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 50 V
на замовлення 27124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.08 грн
10+76.43 грн
100+52.69 грн
500+42.75 грн
1000+39.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86106LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
227+53.77 грн
229+53.44 грн
264+46.36 грн
265+44.50 грн
500+38.14 грн
1000+36.55 грн
3000+36.48 грн
Мінімальне замовлення: 227
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86106LZ
Код товару: 133317
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86106LZonsemi / FairchildMOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 12042 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+126.75 грн
10+89.85 грн
100+53.58 грн
500+45.91 грн
1000+41.97 грн
2000+41.15 грн
4000+37.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86106LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
247+49.45 грн
Мінімальне замовлення: 247
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86106LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+55.17 грн
13+49.93 грн
25+49.62 грн
100+41.51 грн
250+38.26 грн
500+34.00 грн
1000+33.94 грн
3000+33.87 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86106LZONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.2A; 2.2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 2.2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 189mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86106LZonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 3.2A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 108mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 50 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+36.82 грн
8000+34.76 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86106LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+41.74 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86106LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86113LZonsemi / FairchildMOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 9892 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+98.97 грн
10+65.89 грн
25+57.08 грн
100+41.45 грн
500+34.38 грн
1000+28.65 грн
2000+27.68 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86113LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+48.36 грн
15+40.33 грн
25+38.96 грн
100+32.68 грн
250+30.08 грн
500+25.64 грн
1000+22.91 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86113LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
281+43.44 грн
291+41.96 грн
335+36.50 грн
337+34.99 грн
500+28.77 грн
1000+24.67 грн
Мінімальне замовлення: 281
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86113LZONSEMIDescription: ONSEMI - FDT86113LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.3 A, 0.075 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 8014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+60.02 грн
250+43.58 грн
1000+29.92 грн
2000+26.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86113LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+28.13 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86113LZonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 3.3A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 50 V
на замовлення 10286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+104.64 грн
10+63.48 грн
100+42.23 грн
500+31.05 грн
1000+27.40 грн
2000+27.01 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86113LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86113LZONSEMIDescription: ONSEMI - FDT86113LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.3 A, 0.075 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 8014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+78.89 грн
50+60.02 грн
250+43.58 грн
1000+29.92 грн
2000+26.12 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86113LZONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.3A; 2.2W; SOT223
Mounting: SMD
Case: SOT223
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.3A
On-state resistance: 189mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3016 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+85.15 грн
10+63.85 грн
26+42.51 грн
71+40.18 грн
500+38.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86113LZONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.3A; 2.2W; SOT223
Mounting: SMD
Case: SOT223
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.3A
On-state resistance: 189mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 3016 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+70.96 грн
10+51.24 грн
26+35.42 грн
71+33.49 грн
500+32.01 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86113LZonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 3.3A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 50 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+26.58 грн
8000+23.84 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86113LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+39.44 грн
4000+36.94 грн
8000+36.38 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86244ONSEMIDescription: ONSEMI - FDT86244 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2.8 A, 0.106 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Compute Module 3+ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 5348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+84.31 грн
15+57.60 грн
100+43.66 грн
500+33.18 грн
1000+25.76 грн
5000+23.76 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86244ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+25.70 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86244ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
778+39.25 грн
1000+36.20 грн
Мінімальне замовлення: 778
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86244onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 2.8A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 128mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 395 pF @ 75 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+23.97 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86244ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+42.92 грн
17+36.22 грн
25+36.12 грн
100+29.96 грн
250+27.70 грн
500+23.60 грн
1000+21.02 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86244MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - FDT86244 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2.8 A, 0.285 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro MOSFET Transistros
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.285ohm
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+55.60 грн
500+36.12 грн
1000+23.90 грн
5000+20.89 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86244ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 29016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
778+39.25 грн
1000+36.20 грн
10000+32.28 грн
Мінімальне замовлення: 778
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86244ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 2.8A; Idm: 12A; 2.2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 2.8A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 2.2W
Case: SOT223
On-state resistance: 128mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86244ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 2.8A; Idm: 12A; 2.2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 2.8A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 2.2W
Case: SOT223
On-state resistance: 128mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86244ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
778+39.25 грн
1000+36.20 грн
Мінімальне замовлення: 778
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86244ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86244MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - FDT86244 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2.8 A, 0.285 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro MOSFET Transistros
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.285ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+96.83 грн
11+77.88 грн
100+55.60 грн
500+36.12 грн
1000+23.90 грн
5000+20.89 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86244onsemi / FairchildMOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 29202 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+87.68 грн
10+58.71 грн
100+37.95 грн
500+31.10 грн
1000+26.57 грн
2000+25.52 грн
4000+23.44 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86244ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+25.78 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86244ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+43.19 грн
17+36.65 грн
100+31.71 грн
500+27.33 грн
1000+22.61 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86244onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 2.8A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 128mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 395 pF @ 75 V
на замовлення 5488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.47 грн
10+50.15 грн
100+37.32 грн
500+28.96 грн
1000+25.46 грн
2000+24.78 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86244ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
311+39.28 грн
359+33.99 грн
500+30.38 грн
1000+26.17 грн
Мінімальне замовлення: 311
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86244ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
313+39.00 грн
314+38.90 грн
365+33.46 грн
366+32.21 грн
500+26.48 грн
1000+22.64 грн
Мінімальне замовлення: 313
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86246ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 2A; Idm: 8A; 2.2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 2.2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 236mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86246ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 2A; Idm: 8A; 2.2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 2.2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 236mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86246FAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
491+62.14 грн
546+55.92 грн
1000+51.57 грн
Мінімальне замовлення: 491
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86246ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+37.77 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86246onsemi / FairchildMOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 15802 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+93.76 грн
10+79.41 грн
100+48.44 грн
250+48.37 грн
500+38.17 грн
1000+36.83 грн
2000+36.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86246ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86246ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
491+62.14 грн
Мінімальне замовлення: 491
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86246ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86246onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 2A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 236mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 215 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86246FAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
491+62.14 грн
546+55.92 грн
1000+51.57 грн
Мінімальне замовлення: 491
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86246ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+35.11 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86246FairchildTrans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 FDT86246 TFDT86246
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+29.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86246ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
138+88.66 грн
161+76.22 грн
200+69.38 грн
500+51.53 грн
1000+44.59 грн
2000+37.72 грн
Мінімальне замовлення: 138
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86246ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
491+62.14 грн
546+55.92 грн
1000+51.57 грн
Мінімальне замовлення: 491
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86246ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86246onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 2A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 236mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 215 pF @ 75 V
на замовлення 5672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.11 грн
10+67.98 грн
100+47.62 грн
500+38.33 грн
1000+35.32 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86246LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+38.21 грн
4000+36.01 грн
8000+34.76 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86246LonsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 2A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 228mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 335 pF @ 75 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+25.27 грн
8000+23.38 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86246LONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 2A; Idm: 20A; 2.2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 2.2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 228mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86246LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
386+31.68 грн
Мінімальне замовлення: 386
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86246LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86246LONSEMIDescription: ONSEMI - FDT86246L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2 A, 0.189 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 8781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+33.22 грн
250+31.55 грн
1000+27.67 грн
2000+25.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86246LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 44000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
730+41.80 грн
1000+38.55 грн
10000+34.37 грн
Мінімальне замовлення: 730
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86246LonsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 2A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 228mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 335 pF @ 75 V
на замовлення 8051 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.00 грн
11+30.77 грн
100+28.71 грн
2000+26.39 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86246LONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 2A; Idm: 20A; 2.2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 2.2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 228mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86246LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 11206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
730+41.80 грн
1000+38.55 грн
10000+34.37 грн
Мінімальне замовлення: 730
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86246LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+28.79 грн
22+28.35 грн
25+27.90 грн
100+26.47 грн
250+24.12 грн
500+22.78 грн
1000+22.39 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86246LONSEMIDescription: ONSEMI - FDT86246L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2 A, 0.189 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 8781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+35.64 грн
50+33.22 грн
250+31.55 грн
1000+27.67 грн
2000+25.47 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86246LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
400+30.53 грн
407+30.05 грн
413+29.57 грн
420+28.05 грн
500+25.55 грн
1000+24.12 грн
Мінімальне замовлення: 400
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86246Lonsemi / FairchildMOSFETs 150V 2A N-Channel Power Trench MOSFET
на замовлення 34532 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+35.51 грн
11+33.37 грн
25+28.57 грн
100+27.61 грн
250+27.16 грн
500+26.94 грн
1000+26.42 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86246LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86256ONSEMIDescription: ONSEMI - FDT86256 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 3 A, 0.695 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.695ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+115.20 грн
50+87.65 грн
250+64.61 грн
1000+43.72 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86256
Код товару: 188041
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
очікується 3 шт:
3 шт - очікується
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86256ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 1.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
417+73.16 грн
500+65.84 грн
1000+60.72 грн
Мінімальне замовлення: 417
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86256onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 1.2A/3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta), 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 845mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 10W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86256ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 1.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
417+73.16 грн
500+65.84 грн
1000+60.72 грн
Мінімальне замовлення: 417
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86256onsemi / FairchildMOSFETs 150V NCh MOSFET PowerTrench
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+119.81 грн
10+89.85 грн
100+60.65 грн
500+51.42 грн
1000+41.82 грн
2000+39.36 грн
4000+37.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86256ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 1.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86256ONSEMIDescription: ONSEMI - FDT86256 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 3 A, 0.695 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.695ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+64.61 грн
1000+43.72 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86256ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 1.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
417+73.16 грн
500+65.84 грн
1000+60.72 грн
Мінімальне замовлення: 417
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86256onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 1.2A/3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta), 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 845mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 10W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 75 V
на замовлення 859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+133.62 грн
10+82.09 грн
100+55.31 грн
500+41.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86256ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 1.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 17327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
417+73.16 грн
500+65.84 грн
1000+60.72 грн
10000+52.20 грн
Мінімальне замовлення: 417
В кошику  од. на суму  грн.
FDTC-08M-COUPLINGTRAY-4SCUPC3MDescription: WIRE SPLICE COUPLING TRAY
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDTC-08M-E-00N-00N-A3MDescription: WIRE SPLICE ENCLOSURE SYS
Packaging: Bulk
Features: Dome Latching System
Type: Enclosure System, Installed Sealing Gasket
Length - Overall: 15.20" (386.1mm)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDTC-08M-E-00N-01C-A-04-EPNA3MDescription: FIBER DOME TERMINAL CLOSURES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDTC-08M-E-00N-01C-A-06-DANN3MDescription: WIRE SPLICE ENCLOSURE SYS
Packaging: Bulk
Features: Dome Latching System
Type: Enclosure System, Installed Sealing Gasket
Length - Overall: 15.20" (386.1mm)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDTC-08M-E-00N-01C-A-06-EPNA3MDescription: WIRE SPLICE ENCLOSURE SYS
Packaging: Bulk
Features: Dome Latching System
Type: Enclosure System, Installed Sealing Gasket
Length - Overall: 15.20" (386.1mm)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDTC-08M-E-00N-01C-A-08-EPNA3MDescription: FIBER DOME TERMINAL CLOSURES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDTC-08M-E-00N-01C-A-DS3MDescription: WIRE SPLICE ENCLOSURE SYS
Packaging: Bulk
Features: Dome Latching System
Type: Enclosure System, Installed Sealing Gasket
Length - Overall: 15.20" (386.1mm)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDTC-08M-E-00N-02C-A-05-EPNN-A3MDescription: WIRE SPLICE ENCLOSURE SYS
Features: Dome Latching System
Packaging: Bulk
Type: Enclosure System, Installed Sealing Gasket
Length - Overall: 15.20" (386.1mm)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDTC-08M-E-00N-02C-A-09-EPNN-C3MDescription: WIRE SPLICE ENCLOSURE SYS
Features: Dome Latching System
Packaging: Bulk
Type: Enclosure System, Installed Sealing Gasket
Length - Overall: 15.20" (386.1mm)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDTC-08M-F-01U-01C-A-DS3MDescription: FIBER DOME TERMINAL CLOSURES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDTC-08ME-N-02M-00N-B-08-DANN3MDescription: FIBER DOME TERMINAL CLOSURE FDTC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDTC-08S-B-00N-01A-A-04-EPAA3MDescription: WIRE SPLICE ENCLOSURE SYS
Packaging: Bulk
Features: Dome Latching System
Type: Enclosure System, Installed Sealing Gasket
Length - Overall: 21.20" (538.5mm)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDTC-08S-E-00N-1A-A-04-EPNA3MDescription: FIBER DOME TERMINAL CLOSURES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDTC-08S-E-00N-1A-A-06-EPNA3MDescription: WIRE SPLICE ENCLOSURE SYS
Packaging: Bulk
Features: Dome Latching System
Type: Enclosure System, Installed Sealing Gasket
Length - Overall: 21.20" (538.5mm)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDTC-08S-E-00N-1A-A-08-EPNA3MDescription: WIRE SPLICE ENCLOSURE SYS
Packaging: Bulk
Features: Dome Latching System
Type: Enclosure System, Installed Sealing Gasket
Length - Overall: 21.20" (538.5mm)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDTC-08S-E-00N-1A-A-DS3MDescription: FIBER DOME TERMINAL CLOSURES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDTC-08S-G-00N-01A-B-02-DANA3MDescription: WIRE SPLICE ENCLOSURE SYS
Packaging: Bulk
Features: Dome Latching System
Type: Enclosure System, Installed Sealing Gasket
Length - Overall: 21.20" (538.5mm)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDTC-10S-COUPLINGTRAY-6SCAPC3MDescription: WIRE SPLICE COUPLING TRAY
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.