Продукція > GD5
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| GD50 | Altech Corporation | Description: RELAY SOCKET DR FORPCB RM84RM85R Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GD50 | RELPOL S.A. | GD50 | на замовлення 6190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GD50 | Altech | Relay Sockets & Fixings Relay socket, dr, for PCB | на замовлення 21 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GD50 | RELPOL | Category: Electromagnetic Relays - Accessories Description: Socket; PIN: 8; 8A; 300VAC; PCB; for PCB; -40÷70°C; 31.5x13x9mm Mounting: PCB Body dimensions: 31.5x13x9mm Related items: RMB841; RMB851 OEM number: 2613510 Current rating: 8A Operating temperature: -40...70°C Number of pins: 8 Rated voltage: 300V AC Type of relays accessories: socket Application - series/manufacturer: RM63; RM64; RM83; RM84; RM85; RM87L; RM87P; RM94 Leads: for PCB | на замовлення 2927 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GD50 Код товару: 132797
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| GD50 | Relpol | Колодка для реле RMB841, RMB851, 8A/300VAC, на плату Реле електромеханічні та геркони | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GD500033 | Sunbank / Souriau | Circular MIL Spec Backshells STS ASSEMBLY | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GD500076 | Sunbank / Souriau | Circular MIL Spec Backshells STS ASSEMBLY | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GD500566 | Sunbank / Souriau | Circular MIL Spec Backshells STS ASSEMBLY | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GD509CJ | . | 08+ DIP | на замовлення 625 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GD50FFX65C5S | STARPOWER | Description: STARPOWER - GD50FFX65C5S - IGBT-Modul, Dreiphasen-Vollbrücke, 72 A, 1.45 V, 189 W, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench/Feldstop Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V Dauer-Kollektorstrom: 72A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V Verlustleistung Pd: 189W euEccn: NLR Verlustleistung: 189W Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Vollbrücke productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 72A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GD50FFY120C5S | STARPOWER | Description: STARPOWER - GD50FFY120C5S - IGBT-Modul, Dreiphasen-Vollbrücke, 85 A, 1.7 V, 292 W, 150 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench/Feldstop Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V Dauer-Kollektorstrom: 85A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V Verlustleistung Pd: 292W euEccn: NLR Verlustleistung: 292W Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Vollbrücke productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 85A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GD50FSX65L2S | STARPOWER | Description: STARPOWER - GD50FSX65L2S - IGBT-Modul, Sechserpack, 89 A, 1.45 V, 258 W, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Modul rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench/Feldstop hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Lötanschluss euEccn: NLR Verlustleistung: 258W Bauform - Transistor: Modul Dauerkollektorstrom: 89A Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V IGBT-Konfiguration: Sechserpack productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GD50FSY120L3S | STARPOWER | Description: STARPOWER - GD50FSY120L3S - IGBT-Modul, Sechserpack, 100 A, 1.7 V, 380 W, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Modul rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench/Feldstop hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Lötanschluss euEccn: NLR Verlustleistung: 380W Bauform - Transistor: Modul Dauerkollektorstrom: 100A Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Sechserpack productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GD50HFU120C1S | STARPOWER | Description: STARPOWER - GD50HFU120C1S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 78 A, 3.15 V, 414 W, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: NPT IGBT [Standard] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.15V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.15V Verlustleistung Pd: 414W euEccn: NLR Verlustleistung: 414W Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Dauerkollektorstrom: 78A Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Halbbrücke productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 78A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GD50HFU120C1SD | STARPOWER | Description: STARPOWER - GD50HFU120C1SD - IGBT-Modul, Halbbrücke, 82 A, 2.9 V, 440 W, 125 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: NPT Ultra Fast IGBT hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.9V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Schraubanschluss euEccn: NLR Verlustleistung: 440W Bauform - Transistor: Modul Dauerkollektorstrom: 82A Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Halbbrücke productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 1553 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GD50HFX170C1S | STARPOWER | Description: STARPOWER - GD50HFX170C1S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 100 A, 1.85 V, 418 W, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench-Transistor Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V Verlustleistung Pd: 418W euEccn: NLR Verlustleistung: 418W Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV Dauerkollektorstrom: 100A Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV IGBT-Konfiguration: Halbbrücke productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 100A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GD50HFX65C1S | STARPOWER | Description: STARPOWER - GD50HFX65C1S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 75 A, 1.45 V, 205 W, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench-Transistor Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V Verlustleistung Pd: 205W euEccn: NLR Verlustleistung: 205W Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V Dauerkollektorstrom: 75A Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V IGBT-Konfiguration: Halbbrücke productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 75A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 37 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GD50HHU120C5S | STARPOWER | Description: STARPOWER - GD50HHU120C5S - IGBT-Modul, H-Brücke, 77 A, 2.9 V, 396 W, 125 °C, Module IGBT-Technologie: NPT Ultra Fast IGBT Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.9 Dauer-Kollektorstrom: 77 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.9 Verlustleistung Pd: 396 Verlustleistung: 396 Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2 IGBT-Konfiguration: H-Brücke DC-Kollektorstrom: 77 Betriebstemperatur, max.: 125 SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GD50MPS12H | GeneSiC Semiconductor | Diode Schottky 1.2KV 86A 2-Pin(2+Tab) TO-247 | на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GD50MPS12H | GeneSiC Semiconductor | SiC Schottky Diodes 1200V 50A TO-247-2 SiC Schottky MPS | на замовлення 264 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GD50MPS12H | GeneSiC Semiconductor | Diode Schottky 1.2KV 86A 2-Pin(2+Tab) TO-247 | на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GD50MPS12H | GeneSiC Semiconductor | Diode Schottky 1.2KV 86A 2-Pin(2+Tab) TO-247 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GD50MPS12H | GENESIC | Description: GENESIC - GD50MPS12H - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 1.2 kV, 86 A, 162 nC, TO-247 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 162nC euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchschnittlicher Durchlassstrom: 86A SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: MPS Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 576 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GD50MPS12H | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 92A TO247-2 Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-2 Packaging: Tube Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: TO-247-2 Current - Average Rectified (Io): 92A Capacitance @ Vr, F: 1835pF @ 1V, 1MHz | на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GD50MPS12H | Navitas Semiconductor | GD50MPS12H | на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GD50PIT120C6S Код товару: 144882
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| GD50PIX120C6S Код товару: 194384
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| GD50PIX65C5S | STARPOWER | Description: STARPOWER - GD50PIX65C5S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 72 A, 1.45 V, 148 W, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench/Feldstop Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V Verlustleistung Pd: 148W euEccn: NLR Verlustleistung: 148W Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V Dauerkollektorstrom: 72A Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 72A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GD50PIY120C5SN | STARPOWER | Description: STARPOWER - GD50PIY120C5SN - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 85 A, 1.7 V, 292 W, 150 °C, Module IGBT-Technologie: Trench/Feldstop Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7 Dauer-Kollektorstrom: 85 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7 Verlustleistung Pd: 292 Verlustleistung: 292 Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2 IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter DC-Kollektorstrom: 85 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GD50PIY120C6SN | STARPOWER | Description: STARPOWER - GD50PIY120C6SN - IGBT-Modul, PIM, 62 A, 1.7 V, 218 W, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench-Transistor Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V Verlustleistung Pd: 218W euEccn: NLR Verlustleistung: 218W Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Dauerkollektorstrom: 62A Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: PIM productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 62A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GD50PJX65L3S | STARPOWER | Description: STARPOWER - GD50PJX65L3S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 91 A, 1.45 V, 264 W, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Modul rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench/Feldstop hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Lötanschluss euEccn: NLR Verlustleistung: 264W Bauform - Transistor: Modul Dauerkollektorstrom: 91A Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GD52R090NB | Thinking Electronics Industrial Co. | Description: Gas Discharge Tube 2-Electrodes Number of Poles: 2 Part Status: Active Fail Short: No Impulse Discharge Current (8/20µs): 5000A (5kA) Voltage - DC Spark Over (Nom): 90 V Mounting Type: User Defined Package / Case: Cylinder No Lead Tolerance: ±20% Packaging: Bag | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GD53-21 | Laird Technologies IAS | Description: ANT GRID 21DBI 5.1-5.3GHZ N FEM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GD53-21 | Laird | Antennas Grid,Wire,Fixed,NF | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GD53-25 | TE Connectivity / Laird External Antennas | Antennas Grid,Wire,Fixed,NF | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GD53-25 | Laird Technologies IAS | Description: ANT GRID 25DBI 5.1-5.3GHZ N FEM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GD53-28 | Laird Technologies IAS | Description: ANT GRID 28DBI 5.1-5.3GHZ N FEM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GD53-28 | Laird | Antennas Grid,Wire,Fixed,NF | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GD5401T-41QC-A-TAB1A | . | 08+ QFP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GD5401T-41QCA-TAB1A | CIRRUS | QFP-128 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GD5425-TVQC-B-AEW1P | на замовлення 192 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| GD5429-86QC-C | на замовлення 2186 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| GD5430 | NEC | 95+ | на замовлення 1773 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GD5434-QC | QFP | на замовлення 47 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| GD5446 | 01+ | на замовлення 95 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| GD5465-HC-C-00001 | на замовлення 1192 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| GD5465-HC-C-00005 | на замовлення 616 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| GD5530622MA6N | KYOCERA AVX | Description: MICRO-W SLC Tolerance: ±20% Packaging: Tray Voltage - Rated: 25V Package / Case: Nonstandard SMD Temperature Coefficient: X7R Size / Dimension: 0.055" L x 0.055" W (1.40mm x 1.40mm) Mounting Type: Surface Mount, SLCC Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Applications: General Purpose Thickness (Max): 0.007" (0.18mm) Capacitance: 6200 pF | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GD5530622ZA6N | KYOCERA AVX | Description: MICRO-W SLC Tolerance: -20%, +80% Packaging: Tray Voltage - Rated: 25V Package / Case: Nonstandard SMD Temperature Coefficient: X7R Size / Dimension: 0.055" L x 0.055" W (1.40mm x 1.40mm) Mounting Type: Surface Mount, SLCC Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Applications: General Purpose Thickness (Max): 0.007" (0.18mm) Capacitance: 6200 pF | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GD55B01GEBIRY | GigaDevice | NOR Flash | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GD55B01GEFIRR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | Description: IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD Part Status: Active Supplier Device Package: 16-SOP Memory Format: FLASH Clock Frequency: 133 MHz Technology: FLASH - NOR (SLC) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 1Gbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) Memory Organization: 128M x 8 Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI, DTR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GD55B01GEFIRR | GigaDevice | NOR Flash | на замовлення 700 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GD55B01GEFIRR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | Description: IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD Memory Organization: 128M x 8 Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI, DTR Part Status: Active Supplier Device Package: 16-SOP Memory Format: FLASH Clock Frequency: 133 MHz Technology: FLASH - NOR (SLC) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 1Gbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 871 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GD55B01GEFJRR | GigaDevice | NOR Flash | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GD55B01GEYIGY | GigaDevice | NOR Flash | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GD55B02GEBIRY Код товару: 212325
Додати до обраних
Обраний товар
| Мікросхеми > Пам'ять | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| GD55B02GEBIRY | GigaDevice | NOR Flash | на замовлення 22 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GD55B02GFB2RY | GigaDevice | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4800 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| GD55F02GFB2RY | GigaDevice | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4800 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| GD55F512MFWIGR | GigaDevice | NOR Flash | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GD55LB01GEBIRY | GigaDevice | NOR Flash | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GD55LB01GEYAGR | Gigadevice Electronics Singapore PTE.LTD. | Description: NOR FLASH Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GD55LB01GEYAGR | GigaDevice | NOR Flash | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GD55LB02GEBIRY | GigaDevice | NOR Flash | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GD55LB02GEBJRY | GigaDevice | NOR Flash | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GD55LF01GFB2RY | GigaDevice | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4800 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| GD55LF02GFB2RY | GigaDevice | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4800 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| GD55LT01GEBIRY | GigaDevice | NOR Flash | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GD55LT02GEB2RY | GigaDevice | NOR Flash | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GD55LT02GEB2RY | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | Description: LINEAR IC Memory Organization: 256M x 8 Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI, DTR Supplier Device Package: 24-TFBGA (6x8) Memory Format: FLASH Clock Frequency: 166 MHz Technology: FLASH - NOR (SLC) Voltage - Supply: 1.65V ~ 2V Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 2Gbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 24-TBGA Packaging: Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GD55LT02GEBARY | GigaDevice | NOR Flash | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GD55LT02GEBARY | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | Description: LINEAR IC Memory Organization: 256M x 8 Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI, DTR Supplier Device Package: 24-TFBGA (6x8) Memory Format: FLASH Clock Frequency: 166 MHz Technology: FLASH - NOR (SLC) Voltage - Supply: 1.65V ~ 2V Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 2Gbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 24-TBGA Packaging: Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GD55LT02GEBIRY | GigaDevice | NOR Flash | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GD55LT02GEBIRY | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | Description: LINEAR IC Memory Organization: 256M x 8 Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI, DTR Supplier Device Package: 24-TFBGA (6x8) Memory Format: FLASH Clock Frequency: 166 MHz Technology: FLASH - NOR (SLC) Voltage - Supply: 1.65V ~ 2V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 2Gbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 24-TBGA Packaging: Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GD55LT512WEBIRY | GigaDevice | NOR Flash | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GD55LT512WEFIRR | GigaDevice | NOR Flash | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GD55LX01GEB2RY | GigaDevice | NOR Flash | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GD55LX01GEB2RY | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | Description: IC FLASH 1GBIT SPI/OCT Packaging: Tray Package / Case: 24-TBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 1Gbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA) Voltage - Supply: 1.65V ~ 2V Technology: FLASH - NOR (SLC) Clock Frequency: 200 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 24-TFBGA (6x8) Memory Interface: SPI - Octal I/O, DTR Memory Organization: 128M x 8 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GD55LX01GEBARY | GigaDevice | NOR Flash | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GD55LX01GEBARY | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | Description: IC FLASH Packaging: Tray Technology: FLASH - NOR Memory Format: FLASH | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GD55LX01GEBIRY | GigaDevice | NOR Flash | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GD55LX01GEBIRY | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | Description: IC FLASH 1GBIT SPI/OCT Packaging: Tray Package / Case: 24-TBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 1Gbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.65V ~ 2V Technology: FLASH - NOR (SLC) Clock Frequency: 200 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 24-TFBGA (6x8) Memory Interface: SPI - Octal I/O, DTR Memory Organization: 128M x 8 | на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GD55LX01GEBJRY | GigaDevice | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4800 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| GD55LX01GEF2RR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | Description: IC FLASH Packaging: Tape & Reel (TR) Technology: FLASH - NOR Memory Format: FLASH | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GD55LX01GEF2RR | GigaDevice | NOR Flash | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GD55LX01GEFIRR | GigaDevice | NOR Flash | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GD55LX01GEFIRR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | Description: IC FLASH 1GBIT SPI/OCT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 1Gbit Memory Type: Non-Volatile Voltage - Supply: 1.65V ~ 2V Technology: FLASH - NOR (SLC) Clock Frequency: 200 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 16-SOP Part Status: Active Memory Interface: SPI - Octal I/O, DTR Memory Organization: 128M x 8 | на замовлення 938 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GD55LX01GEFIRR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | Description: IC FLASH 1GBIT SPI/OCT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 1Gbit Memory Type: Non-Volatile Voltage - Supply: 1.65V ~ 2V Technology: FLASH - NOR (SLC) Clock Frequency: 200 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 16-SOP Part Status: Active Memory Interface: SPI - Octal I/O, DTR Memory Organization: 128M x 8 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GD55LX02GEBARY | GigaDevice | NOR Flash | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GD55LX02GEBIRY | GigaDevice | NOR Flash | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GD55LX512WEBIRY | GigaDevice | NOR Flash | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GD55S | Fantech | Description: STEEL DEHUMIDIFIER, 101 PINTS Packaging: Box Color: Black Voltage: 115V Material: Steel Frequency: 60Hz Temperature Range: 40 ~ 95°F Weight: 50 lbs Height: 21" Approval Agency: cCSAus Part Status: Active Current Rating (Amps): 6.8 Depth: 18" Width (Inches): 13-1/2 Air Flow - High: 325 CFM Coverage Square Feet: 5500 | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| GD55T01GEBIRY | GigaDevice | NOR Flash | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GD55T01GEYAGR | GigaDevice | NOR Flash | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GD55T01GEYAGR | Gigadevice Electronics Singapore PTE.LTD. | Description: IC FLASH Packaging: Tape & Reel (TR) Technology: FLASH - NOR Memory Format: FLASH | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GD55T02GEBIRY | GigaDevice | NOR Flash | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GD55WB512MEYIGY | GigaDevice | NOR Flash | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GD55X01GEBIRY | GigaDevice | NOR Flash | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GD55X01GEF2RR | GigaDevice | NOR Flash | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. |

