Продукція > GD5

Обрати Сторінку:   1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
GD50RELPOLCategory: Electromagnetic Relays - Accessories
Description: Socket; PIN: 8; 8A; 300VAC; PCB; for PCB; -40÷70°C; 31.5x13x9mm
Number of pins: 8
Operating temperature: -40...70°C
Current rating: 8A
Related items: RMB841; RMB851
Body dimensions: 31.5x13x9mm
Application - series/manufacturer: RM63; RM64; RM83; RM84; RM85; RM87L; RM87P; RM94
Leads: for PCB
OEM number: 2613510
Type of relays accessories: socket
Mounting: PCB
Rated voltage: 300V AC
на замовлення 2604 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+177.92 грн
5+156.83 грн
20+144.25 грн
100+135.86 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD50
Код товару: 132797
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD50RelpolКолодка для реле RMB841, RMB851, 8A/300VAC, на плату Реле електромеханічні та геркони
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD50Altech CorporationDescription: RELAY SOCKET DR FORPCB RM84RM85R
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+143.24 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD50AltechRelay Sockets & Fixings Relay socket, dr, for PCB
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD50RELPOL S.A.GD50
на замовлення 6190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+272.87 грн
100+253.32 грн
Мінімальне замовлення: 52 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD500033Sunbank / SouriauCircular MIL Spec Backshells STS ASSEMBLY
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD500076Sunbank / SouriauCircular MIL Spec Backshells STS ASSEMBLY
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD500566Sunbank / SouriauCircular MIL Spec Backshells STS ASSEMBLY
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD509CJ.08+ DIP
на замовлення 625 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD50FFX65C5SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Max. off-state voltage: 650V
Collector current: 50A
Case: C5 45mm
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD50FFX65C5SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD50FFX65C5S - IGBT-Modul, Dreiphasen-Vollbrücke, 72 A, 1.45 V, 189 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 72A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 189W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 189W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Vollbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 72A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD50FFY120C5SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Case: C5 45mm
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD50FFY120C5SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD50FFY120C5S - IGBT-Modul, Dreiphasen-Vollbrücke, 85 A, 1.7 V, 292 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 85A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 292W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 292W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Vollbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 85A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD50FSX65L2SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD50FSX65L2S - IGBT-Modul, Sechserpack, 89 A, 1.45 V, 258 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 258W
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 89A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Sechserpack
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD50FSX65L2SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; Urmax: 650V; Ic: 50A; L2.1
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor
Max. off-state voltage: 650V
Collector current: 50A
Case: L2.1
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD50FSY120L3SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; Urmax: 1200V; Ic: 50A; L3.2
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: L3.2
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 100A
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Topology: IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD50FSY120L3SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD50FSY120L3S - IGBT-Modul, Sechserpack, 100 A, 1.7 V, 380 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Verlustleistung: 380W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 100A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Sechserpack
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD50HFX170C1SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 50A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.7kV
Collector current: 50A
Case: C1 34mm
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD50HFX170C1SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD50HFX170C1S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 100 A, 1.85 V, 418 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 418W
Verlustleistung: 418W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Dauerkollektorstrom: 100A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 100A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD50HFX65C1SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD50HFX65C1S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 75 A, 1.45 V, 205 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 205W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 205W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Dauerkollektorstrom: 75A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 75A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD50HHU120C5SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD50HHU120C5S - IGBT-Modul, H-Brücke, 77 A, 2.9 V, 396 W, 125 °C, Module
IGBT-Technologie: NPT Ultra Fast IGBT
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.9
Dauer-Kollektorstrom: 77
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.9
Verlustleistung Pd: 396
Verlustleistung: 396
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
IGBT-Konfiguration: H-Brücke
DC-Kollektorstrom: 77
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD50MPS12HGENESICDescription: GENESIC - GD50MPS12H - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 1.2 kV, 86 A, 162 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 162nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 86A
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD50MPS12HGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE SIL CARB 1.2KV 92A TO247-2
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 92A
Capacitance @ Vr, F: 1835pF @ 1V, 1MHz
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1141.23 грн
10+1000.62 грн
25+963.71 грн
100+854.69 грн
250+823.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD50MPS12HGeneSiC SemiconductorDiode Schottky 1.2KV 86A 2-Pin(2+Tab) TO-247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD50MPS12HGeneSiC SemiconductorSiC Schottky Diodes 1200V 50A TO-247-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD50MPS12HNavitas SemiconductorGD50MPS12H
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1840.16 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD50MPS12HGeneSiC SemiconductorDiode Schottky 1.2KV 86A 2-Pin(2+Tab) TO-247
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1221.34 грн
120+1163.35 грн
270+1123.28 грн
510+1067.43 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD50MPS12HGeneSiC SemiconductorDiode Schottky 1.2KV 86A 2-Pin(2+Tab) TO-247
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1221.34 грн
120+1163.35 грн
270+1123.28 грн
510+1067.43 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD50PIT120C6S
Код товару: 144882
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD50PIX120C6S
Код товару: 194384
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD50PIX65C5SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 50A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 650V
Collector current: 50A
Case: C5 45mm
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD50PIX65C5SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD50PIX65C5S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 72 A, 1.45 V, 148 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 148W
Verlustleistung: 148W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Dauerkollektorstrom: 72A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: No
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 72A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD50PIY120C5SNSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Case: C5 45mm
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD50PIY120C5SNSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD50PIY120C5SN - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 85 A, 1.7 V, 292 W, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7
Dauer-Kollektorstrom: 85
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7
Verlustleistung Pd: 292
Verlustleistung: 292
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
DC-Kollektorstrom: 85
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD50PIY120C6SNSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Case: C6 62mm
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD50PIY120C6SNSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD50PIY120C6SN - IGBT-Modul, PIM, 62 A, 1.7 V, 218 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 218W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 218W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 62A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 62A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD50PJX65L3SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 50A
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: L3.0
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 100A
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD50PJX65L3SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD50PJX65L3S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 91 A, 1.45 V, 264 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Verlustleistung: 264W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 91A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD52R090NBThinking Electronics Industrial Co.Description: Gas Discharge Tube 2-Electrodes
Number of Poles: 2
Part Status: Active
Fail Short: No
Impulse Discharge Current (8/20µs): 5000A (5kA)
Voltage - DC Spark Over (Nom): 90 V
Mounting Type: User Defined
Package / Case: Cylinder No Lead
Tolerance: ±20%
Packaging: Bag
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+176.36 грн
5+162.28 грн
10+149.45 грн
15+131.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD53-21Laird Technologies IASDescription: ANT GRID 21DBI 5.1-5.3GHZ N FEM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD53-21LairdAntennas Grid,Wire,Fixed,NF
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD53-25TE Connectivity / Laird External AntennasAntennas Grid,Wire,Fixed,NF
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD53-25Laird Technologies IASDescription: ANT GRID 25DBI 5.1-5.3GHZ N FEM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD53-28Laird Technologies IASDescription: ANT GRID 28DBI 5.1-5.3GHZ N FEM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD53-28LairdAntennas Grid,Wire,Fixed,NF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5401T-41QC-A-TAB1A.08+ QFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5401T-41QCA-TAB1ACIRRUSQFP-128
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5425-TVQC-B-AEW1P
на замовлення 192 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD5429-86QC-C
на замовлення 2186 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD5430NEC95+
на замовлення 1773 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD5434-QCQFP
на замовлення 47 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD544601+
на замовлення 95 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD5465-HC-C-00001
на замовлення 1192 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD5465-HC-C-00005
на замовлення 616 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD5530622MA6NKYOCERA AVXDescription: MICRO-W SLC
Tolerance: ±20%
Packaging: Tray
Voltage - Rated: 25V
Package / Case: Nonstandard SMD
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.055" L x 0.055" W (1.40mm x 1.40mm)
Mounting Type: Surface Mount, SLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: General Purpose
Thickness (Max): 0.007" (0.18mm)
Capacitance: 6200 pF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5530622ZA6NKYOCERA AVXDescription: MICRO-W SLC
Tolerance: -20%, +80%
Packaging: Tray
Voltage - Rated: 25V
Package / Case: Nonstandard SMD
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.055" L x 0.055" W (1.40mm x 1.40mm)
Mounting Type: Surface Mount, SLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: General Purpose
Thickness (Max): 0.007" (0.18mm)
Capacitance: 6200 pF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD55B01GEBIRYGigaDeviceNOR Flash
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD55B01GEFIRRGigaDeviceNOR Flash
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD55B01GEFIRRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD
Part Status: Active
Supplier Device Package: 16-SOP
Memory Format: FLASH
Clock Frequency: 133 MHz
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 1Gbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Memory Organization: 128M x 8
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI, DTR
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD55B01GEFIRRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD
Memory Organization: 128M x 8
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI, DTR
Part Status: Active
Supplier Device Package: 16-SOP
Memory Format: FLASH
Clock Frequency: 133 MHz
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 1Gbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+818.30 грн
10+731.08 грн
25+708.41 грн
50+648.77 грн
100+632.83 грн
250+619.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD55B01GEFJRRGigaDeviceNOR Flash
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD55B01GEYIGYGigaDeviceNOR Flash
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD55B02GEBIRY
Код товару: 212325
Додати до обраних Обраний товар
Мікросхеми > Пам'ять
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD55B02GEBIRYGigaDeviceNOR Flash
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD55B02GFB2RYGigaDevice
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD55F02GFB2RYGigaDevice
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD55F512MFWIGRGigaDeviceNOR Flash
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD55LB01GEBIRYGigaDeviceNOR Flash
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD55LB01GEYAGRGigadevice Electronics Singapore PTE.LTD.Description: NOR FLASH
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD55LB01GEYAGRGigaDeviceNOR Flash
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD55LB02GEBIRYGigaDeviceNOR Flash
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD55LB02GEBJRYGigaDeviceNOR Flash
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD55LF01GFB2RYGigaDevice
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD55LF02GFB2RYGigaDevice
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD55LT01GEBIRYGigaDeviceNOR Flash
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD55LT02GEB2RYGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: LINEAR IC
Memory Organization: 256M x 8
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI, DTR
Supplier Device Package: 24-TFBGA (6x8)
Memory Format: FLASH
Clock Frequency: 166 MHz
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 2V
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 2Gbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 24-TBGA
Packaging: Tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD55LT02GEB2RYGigaDeviceNOR Flash
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD55LT02GEBARYGigaDeviceNOR Flash
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD55LT02GEBARYGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: LINEAR IC
Memory Organization: 256M x 8
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI, DTR
Supplier Device Package: 24-TFBGA (6x8)
Memory Format: FLASH
Clock Frequency: 166 MHz
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 2V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 2Gbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 24-TBGA
Packaging: Tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD55LT02GEBIRYGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: LINEAR IC
Memory Organization: 256M x 8
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI, DTR
Supplier Device Package: 24-TFBGA (6x8)
Memory Format: FLASH
Clock Frequency: 166 MHz
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 2V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 2Gbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 24-TBGA
Packaging: Tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD55LT02GEBIRYGigaDeviceNOR Flash
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD55LT512WEBIRYGigaDeviceNOR Flash
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD55LT512WEFIRRGigaDeviceNOR Flash
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD55LX01GEB2RYGigaDeviceNOR Flash
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD55LX01GEB2RYGigadevice Electronics Singapore PTE.LTD.Description: IC FLASH 1GBIT SPI/OCT
Packaging: Tray
Package / Case: 24-TBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 2V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 24-TFBGA (6x8)
Memory Interface: SPI - Octal I/O, DTR
Memory Organization: 128M x 8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD55LX01GEBARYGigaDeviceNOR Flash
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD55LX01GEBARYGigadevice Electronics Singapore PTE.LTD.Description: IC FLASH
Packaging: Tray
Technology: FLASH - NOR
Memory Format: FLASH
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD55LX01GEBIRYGigadevice Electronics Singapore PTE.LTD.Description: IC FLASH 1GBIT SPI/OCT
Packaging: Tray
Package / Case: 24-TBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 2V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 24-TFBGA (6x8)
Memory Interface: SPI - Octal I/O, DTR
Memory Organization: 128M x 8
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1819.23 грн
10+1622.71 грн
25+1571.34 грн
50+1438.45 грн
100+1402.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD55LX01GEBIRYGigaDeviceNOR Flash
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD55LX01GEBJRYGigaDeviceNOR Flash
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD55LX01GEBJRYGigadevice Electronics Singapore PTE.LTD.Description: NOR FLASH
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD55LX01GEF2RRGigadevice Electronics Singapore PTE.LTD.Description: IC FLASH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Technology: FLASH - NOR
Memory Format: FLASH
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD55LX01GEF2RRGigaDeviceNOR Flash
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD55LX01GEFIRRGigadevice Electronics Singapore PTE.LTD.Description: IC FLASH 1GBIT SPI/OCT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Voltage - Supply: 1.65V ~ 2V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 16-SOP
Part Status: Active
Memory Interface: SPI - Octal I/O, DTR
Memory Organization: 128M x 8
на замовлення 935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1787.10 грн
10+1593.73 грн
25+1543.29 грн
50+1412.80 грн
100+1377.66 грн
250+1331.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD55LX01GEFIRRGigaDeviceNOR Flash
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD55LX01GEFIRRGigadevice Electronics Singapore PTE.LTD.Description: IC FLASH 1GBIT SPI/OCT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Voltage - Supply: 1.65V ~ 2V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 16-SOP
Part Status: Active
Memory Interface: SPI - Octal I/O, DTR
Memory Organization: 128M x 8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD55LX02GEBARYGigaDeviceNOR Flash
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD55LX02GEBIRYGigaDeviceNOR Flash
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD55LX512WEBIRYGigaDeviceNOR Flash
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]