Продукція > GD5

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
GD50RELPOLCategory: Electromagnetic Relays - Accessories
Description: Socket; PIN: 8; 8A; 300VAC; PCB; for PCB; -40÷70°C; 31.5x13x9mm
Mounting: PCB
Body dimensions: 31.5x13x9mm
Operating temperature: -40...70°C
Related items: RMB841; RMB851
OEM number: 2613510
Number of pins: 8
Type of relays accessories: socket
Leads: for PCB
Current rating: 8A
Rated voltage: 300V AC
Application - series/manufacturer: RM63; RM64; RM83; RM84; RM85; RM87L; RM87P; RM94
на замовлення 5908 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+169.09 грн
5+149.04 грн
9+113.18 грн
23+107.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GD50RELPOL S.A.GD50
на замовлення 6774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+233.69 грн
100+216.95 грн
Мінімальне замовлення: 52
В кошику  од. на суму  грн.
GD50
Код товару: 132797
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD50RELPOLCategory: Electromagnetic Relays - Accessories
Description: Socket; PIN: 8; 8A; 300VAC; PCB; for PCB; -40÷70°C; 31.5x13x9mm
Mounting: PCB
Body dimensions: 31.5x13x9mm
Operating temperature: -40...70°C
Related items: RMB841; RMB851
OEM number: 2613510
Number of pins: 8
Type of relays accessories: socket
Leads: for PCB
Current rating: 8A
Rated voltage: 300V AC
Application - series/manufacturer: RM63; RM64; RM83; RM84; RM85; RM87L; RM87P; RM94
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5908 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+202.91 грн
5+185.73 грн
9+135.81 грн
23+129.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GD50AltechRelay Sockets & Fixings Relay socket, dr, for PCB
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+222.27 грн
10+205.90 грн
20+161.45 грн
60+148.44 грн
100+130.84 грн
260+125.48 грн
500+120.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GD50Altech CorporationDescription: RELAY SOCKET DR FORPCB RM84RM85R
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+148.61 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
GD500033Sunbank / SouriauCircular MIL Spec Backshells STS ASSEMBLY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD500076Sunbank / SouriauCircular MIL Spec Backshells STS ASSEMBLY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD500566Sunbank / SouriauCircular MIL Spec Backshells STS ASSEMBLY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD509CJ.08+ DIP
на замовлення 625 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD50FFX65C5SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD50FFX65C5S - IGBT-Modul, Dreiphasen-Vollbrücke, 72 A, 1.45 V, 189 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 72A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 189W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 189W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Vollbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 72A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2243.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD50FFX65C5SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Max. off-state voltage: 650V
Collector current: 50A
Case: C5 45mm
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD50FFX65C5SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Max. off-state voltage: 650V
Collector current: 50A
Case: C5 45mm
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD50FFY120C5SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD50FFY120C5S - IGBT-Modul, Dreiphasen-Vollbrücke, 85 A, 1.7 V, 292 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 85A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 292W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 292W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Vollbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 85A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD50FFY120C5SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Case: C5 45mm
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD50FFY120C5SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Case: C5 45mm
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD50FSX65L2SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; Urmax: 650V; Ic: 50A; L2.1
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor
Max. off-state voltage: 650V
Collector current: 50A
Case: L2.1
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD50FSX65L2SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD50FSX65L2S - IGBT-Modul, Sechserpack, 89 A, 1.45 V, 258 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 258W
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 89A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Sechserpack
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2818.77 грн
5+2656.54 грн
10+2484.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD50FSX65L2SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; Urmax: 650V; Ic: 50A; L2.1
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor
Max. off-state voltage: 650V
Collector current: 50A
Case: L2.1
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD50FSY120L3SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD50FSY120L3S - IGBT-Modul, Sechserpack, 100 A, 1.7 V, 380 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 100A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Sechserpack
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4948.29 грн
5+4671.91 грн
10+4361.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD50FSY120L3SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; Urmax: 1200V; Ic: 50A; L3.2
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Case: L3.2
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD50FSY120L3SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; Urmax: 1200V; Ic: 50A; L3.2
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Case: L3.2
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 16 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD50HFU120C1SSTARPOWER SEMICONDUCTORGD50HFU120C1S IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD50HFU120C1SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD50HFU120C1S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 78 A, 3.15 V, 414 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: NPT IGBT [Standard]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.15V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.15V
Verlustleistung Pd: 414W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 414W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 78A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 78A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3199.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD50HFU120C1SDSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD50HFU120C1SD - IGBT-Modul, Halbbrücke, 82 A, 2.9 V, 440 W, 125 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: NPT Ultra Fast IGBT
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.9V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Schraubanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 440W
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 82A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3199.87 грн
5+3016.18 грн
10+2820.48 грн
50+2524.17 грн
100+2260.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD50HFX170C1SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD50HFX170C1S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 100 A, 1.85 V, 418 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 418W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 418W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Dauerkollektorstrom: 100A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 100A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3175.83 грн
5+2952.67 грн
10+2687.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD50HFX170C1SSTARPOWER SEMICONDUCTORGD50HFX170C1S IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD50HFX65C1SSTARPOWER SEMICONDUCTORGD50HFX65C1S IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD50HFX65C1SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD50HFX65C1S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 75 A, 1.45 V, 205 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 205W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 205W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Dauerkollektorstrom: 75A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 75A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2638.52 грн
5+2486.59 грн
10+2325.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD50HHU120C5SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; H-bridge; Urmax: 1200V; screw
Case: C5 45mm
Topology: H-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 100A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD50HHU120C5SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; H-bridge; Urmax: 1200V; screw
Case: C5 45mm
Topology: H-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 100A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD50HHU120C5SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD50HHU120C5S - IGBT-Modul, H-Brücke, 77 A, 2.9 V, 396 W, 125 °C, Module
IGBT-Technologie: NPT Ultra Fast IGBT
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.9
Dauer-Kollektorstrom: 77
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.9
Verlustleistung Pd: 396
Verlustleistung: 396
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
IGBT-Konfiguration: H-Brücke
DC-Kollektorstrom: 77
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4997.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD50MPS12-CALGeneSiC Semiconductor1200V 50A Bare Chip SiC Schottky MPS, Waffle Pack/s
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD50MPS12HGeneSiC SemiconductorDiode Schottky 1.2KV 86A
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1022.97 грн
120+990.91 грн
270+961.59 грн
510+915.03 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
GD50MPS12HGeneSiC SemiconductorSilicon Carbide Schottky Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD50MPS12HGeneSiC SemiconductorSiC Schottky Diodes 1200V 50A TO-247-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 288 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1175.64 грн
10+1034.78 грн
30+855.43 грн
120+822.53 грн
270+799.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD50MPS12HGeneSiC SemiconductorDiode Schottky 1.2KV 86A
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1096.04 грн
120+1061.69 грн
270+1030.28 грн
510+980.39 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
GD50MPS12HGeneSiC Semiconductor1200V 50A TO-247-2 SiC Schottky MPS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD50MPS12HGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE SIL CARB 1.2KV 92A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1835pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 92A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 1200 V
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1205.10 грн
10+1056.61 грн
25+1017.64 грн
100+902.52 грн
250+870.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD50MPS12HGeneSiC SemiconductorDiode Schottky 1.2KV 86A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD50MPS12HGENESICDescription: GENESIC - GD50MPS12H - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 1.2 kV, 86 A, 162 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 162nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 86A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1215.40 грн
5+1147.59 грн
10+1079.78 грн
50+989.90 грн
100+901.99 грн
250+890.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD50MPS12HNavitas SemiconductorGD50MPS12H
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1575.96 грн
25+1415.42 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
GD50PIT120C6S
Код товару: 144882
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD50PIX120C6S
Код товару: 194384
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD50PIX65C5SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD50PIX65C5S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 72 A, 1.45 V, 148 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 148W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 148W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Dauerkollektorstrom: 72A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 72A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5287.33 грн
5+4992.07 грн
10+4659.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD50PIX65C5SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 50A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 650V
Collector current: 50A
Case: C5 45mm
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD50PIX65C5SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 50A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 650V
Collector current: 50A
Case: C5 45mm
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD50PIY120C5SNSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD50PIY120C5SN - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 85 A, 1.7 V, 292 W, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7
Dauer-Kollektorstrom: 85
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7
Verlustleistung Pd: 292
Verlustleistung: 292
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
DC-Kollektorstrom: 85
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD50PIY120C5SNSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Case: C5 45mm
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD50PIY120C5SNSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Case: C5 45mm
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 12 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD50PIY120C6SNSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD50PIY120C6SN - IGBT-Modul, PIM, 62 A, 1.7 V, 218 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 218W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 218W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 62A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 62A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6853.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD50PIY120C6SNSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Case: C6 62mm
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD50PIY120C6SNSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Case: C6 62mm
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 10 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD50PJX65L3SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD50PJX65L3S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 91 A, 1.45 V, 264 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 264W
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 91A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4041.89 грн
5+3813.58 грн
10+3551.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD50PJX65L3SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 50A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 650V
Collector current: 50A
Case: L3.0
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD50PJX65L3SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 50A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 650V
Collector current: 50A
Case: L3.0
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD52R090NBThinking Electronics Industrial Co.Description: Gas Discharge Tube 2-Electrodes
Tolerance: ±20%
Packaging: Bag
Package / Case: Cylinder No Lead
Mounting Type: User Defined
Voltage - DC Spark Over (Nom): 90 V
Impulse Discharge Current (8/20µs): 5000A (5kA)
Fail Short: No
Part Status: Active
Number of Poles: 2
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+186.23 грн
5+171.36 грн
10+157.81 грн
15+138.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GD53-21Laird Technologies IASDescription: ANT GRID 21DBI 5.1-5.3GHZ N FEM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD53-21LairdAntennas Grid,Wire,Fixed,NF
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD53-25Laird Technologies IASDescription: ANT GRID 25DBI 5.1-5.3GHZ N FEM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD53-25TE Connectivity / Laird External AntennasAntennas Grid,Wire,Fixed,NF
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4878.42 грн
10+4517.48 грн
25+3801.99 грн
100+3522.72 грн
250+3421.72 грн
5000+3420.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD53-28LairdAntennas Grid,Wire,Fixed,NF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD53-28Laird Technologies IASDescription: ANT GRID 28DBI 5.1-5.3GHZ N FEM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5401T-41QC-A-TAB1A.08+ QFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5401T-41QCA-TAB1ACIRRUSQFP-128
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5425-TVQC-B-AEW1P
на замовлення 192 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD5429-86QC-C
на замовлення 2186 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD5430NEC95+
на замовлення 1773 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD5434-QCQFP
на замовлення 47 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD5434-QC95
на замовлення 47 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD544601+
на замовлення 95 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD5465-HC-C-00001
на замовлення 1192 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD5465-HC-C-00005
на замовлення 616 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD5530622MA6NKYOCERA AVXDescription: MICRO-W SLC
Tolerance: ±20%
Packaging: Tray
Voltage - Rated: 25V
Package / Case: Nonstandard SMD
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.055" L x 0.055" W (1.40mm x 1.40mm)
Mounting Type: Surface Mount, SLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: General Purpose
Thickness (Max): 0.007" (0.18mm)
Capacitance: 6200 pF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5530622ZA6NKYOCERA AVXDescription: MICRO-W SLC
Tolerance: -20%, +80%
Packaging: Tray
Voltage - Rated: 25V
Package / Case: Nonstandard SMD
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.055" L x 0.055" W (1.40mm x 1.40mm)
Mounting Type: Surface Mount, SLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: General Purpose
Thickness (Max): 0.007" (0.18mm)
Capacitance: 6200 pF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD55B01GEBIRYGigaDeviceNOR Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD55B01GEFIRRGigaDeviceNOR Flash
на замовлення 705 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+932.84 грн
10+853.52 грн
25+719.23 грн
50+701.64 грн
100+684.04 грн
250+669.50 грн
500+667.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD55B01GEFIRRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 133 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 16-SOP
Part Status: Active
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI, DTR
Memory Organization: 128M x 8
на замовлення 871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+864.10 грн
10+772.00 грн
25+748.05 грн
50+685.07 грн
100+668.25 грн
250+653.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD55B01GEFIRRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 133 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 16-SOP
Part Status: Active
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI, DTR
Memory Organization: 128M x 8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD55B01GEFJRRGigaDeviceNOR Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD55B01GEYIGYGigaDeviceNOR Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD55B02GEBIRYGigaDeviceNOR Flash
на замовлення 4741 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1987.97 грн
10+1824.06 грн
25+1570.07 грн
50+1531.05 грн
100+1364.25 грн
250+1337.47 грн
500+1336.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD55B02GEBIRY
Код товару: 212325
Додати до обраних Обраний товар

Мікросхеми > Пам'ять
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD55B02GFB2RYGigaDevice
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD55F02GFB2RYGigaDevice
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD55F512MFWIGRGigaDeviceNOR Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD55LB01GEYAGRGigaDevice
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD55LB02GEBIRYGigaDeviceNOR Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD55LB02GEBJRYGigaDeviceNOR Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD55LF01GFB2RYGigaDevice
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD55LF02GFB2RYGigaDevice
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD55LT02GEB2RYGigaDeviceNOR Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD55LT02GEB2RYGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: LINEAR IC
Packaging: Tray
Package / Case: 24-TBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 2V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 24-TFBGA (6x8)
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI, DTR
Memory Organization: 256M x 8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD55LT02GEBARYGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: LINEAR IC
Packaging: Tray
Package / Case: 24-TBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 2V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 24-TFBGA (6x8)
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI, DTR
Memory Organization: 256M x 8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD55LT02GEBARYGigaDeviceNOR Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD55LT02GEBIRYGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: LINEAR IC
Packaging: Tray
Package / Case: 24-TBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 2V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 24-TFBGA (6x8)
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI, DTR
Memory Organization: 256M x 8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD55LT02GEBIRYGigaDeviceNOR Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD55LT512WEBIRYGigaDeviceNOR Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD55LT512WEFIRRGigaDeviceNOR Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD55LX01GEB2RYGigaDeviceNOR Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD55LX01GEB2RYGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 1GBIT SPI/OCT
Packaging: Tray
Package / Case: 24-TBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 2V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 24-TFBGA (6x8)
Memory Interface: SPI - Octal I/O, DTR
Memory Organization: 128M x 8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD55LX01GEBARYGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH
Packaging: Tray
Technology: FLASH - NOR
Memory Format: FLASH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD55LX01GEBARYGigaDeviceNOR Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD55LX01GEBIRYGigaDeviceNOR Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD55LX01GEBIRYGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 1GBIT SPI/OCT
Packaging: Tray
Package / Case: 24-TBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 2V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 24-TFBGA (6x8)
Memory Interface: SPI - Octal I/O, DTR
Memory Organization: 128M x 8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD55LX01GEF2RRGigaDeviceNOR Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD55LX01GEF2RRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Technology: FLASH - NOR
Memory Format: FLASH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD55LX01GEFIRRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 1GBIT SPI/OCT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Voltage - Supply: 1.65V ~ 2V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 16-SOP
Part Status: Active
Memory Interface: SPI - Octal I/O, DTR
Memory Organization: 128M x 8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD55LX01GEFIRRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 1GBIT SPI/OCT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Voltage - Supply: 1.65V ~ 2V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 16-SOP
Part Status: Active
Memory Interface: SPI - Octal I/O, DTR
Memory Organization: 128M x 8
на замовлення 983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1448.44 грн
10+1238.18 грн
25+1180.74 грн
50+1068.96 грн
100+1031.15 грн
250+983.11 грн
500+932.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD55LX01GEFIRRGigaDeviceNOR Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD55LX02GEBARYGigaDeviceNOR Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD55SFantechDescription: STEEL DEHUMIDIFIER, 101 PINTS
Packaging: Box
Color: Black
Voltage: 115V
Material: Steel
Frequency: 60Hz
Temperature Range: 40 ~ 95°F
Weight: 50 lbs
Height: 21"
Approval Agency: cCSAus
Part Status: Active
Current Rating (Amps): 6.8
Depth: 18"
Width (Inches): 13-1/2
Air Flow - High: 325 CFM
Coverage Square Feet: 5500
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+63807.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD55T01GEYAGRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Technology: FLASH - NOR
Memory Format: FLASH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD55T01GEYAGRGigaDeviceNOR Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD55WB512MEYIGYGigaDeviceNOR Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD55X01GEF2RRGigaDeviceNOR Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD55X02GEB2RYGigaDeviceNOR Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD56V64164TC-5TPGIGADEVLCE07+ TSOPII54
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD56V64164TC-5TPGIGADEVLCETSOPII54 07+
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD56V64164TC-6TPGIGADEVLCE07+ TSOPII54
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD56V64164TC-6TPGIGADEVLCETSOPII54 07+
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD56V64164TC-7TPGIGADEVLCETSOPII54 07+
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD56V64164TC-7TPGIGADEVLCE07+ TSOPII54
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD57-21LairdAntennas Grid,Wire,Fixed,NF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD57-21Laird Technologies IASDescription: ANT GRID 21DBI 5.4-5.7GHZ N FEM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD57-25TE Connectivity LairdDescription: RF ANT 5.7GHZ GRID N FEM BRKT MT
Packaging: Bulk
Mounting Type: Bracket Mount
Frequency Range: 5.47GHz ~ 5.725GHz
Applications: WiMax™, WLAN
Gain: 25dBi
Termination: N Type Female
Number of Bands: 1
VSWR: 1.5
Antenna Type: Parabolic Grid
Height (Max): 24.000" (609.60mm)
Frequency Group: SHF (f > 4GHz)
Frequency (Center/Band): 5.7GHz
RF Family/Standard: WiFi
Power - Max: 100 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD57-25LairdAntennas Grid,Wire,Fixed,NF
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD57-28LairdAntennas Grid,Wire,Fixed,NF
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD57-28Laird Technologies IASDescription: ANT GRID 28DBI 5.4-5.7GHZ N FEM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD58-22LairdAntennas Grid,Wire,Fixed,NF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD58-22Laird Technologies IASDescription: ANT GRID 22DBI 5.8GHZ N FEMALE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD58-26LairdAntennas Grid,Wire,Fixed,NF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD58-26Laird Technologies IASDescription: ANT GRID 26DBI 5.8GHZ N FEMALE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD58-26-FEEDTE Connectivity / Laird External AntennasAntennas FEED,MED,Wire Grid
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD58-26-FEEDTE ConnectivityFEED,MED,Wire Grid, 5725-5850MHz,26dBi,NF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD58-29Laird Technologies IASDescription: ANT GRID 29DBI 5.8GHZ N FEMALE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD58-29LairdAntennas Grid,Wire,Fixed,NF
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD58-29-FEEDLairdAntennas FEED,LRG,Wire Grid
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GM7REWIGRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 104 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (5x6)
Write Cycle Time - Word, Page: 600µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O, DTR
Access Time: 9 ns
Memory Organization: 256M x 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GM7REWIGRGigaDeviceNAND Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GM7REWIGYGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD
Packaging: Tray
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 104 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (5x6)
Write Cycle Time - Word, Page: 600µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O, DTR
Access Time: 9 ns
Memory Organization: 256M x 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GM7REWIGYGigaDeviceNAND Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GM7REYIGRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 104 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 600µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O, DTR
Access Time: 9 ns
Memory Organization: 256M x 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GM7REYIGRGigaDeviceNAND Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GM7REYIGYGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD
Packaging: Tray
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 104 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 600µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O, DTR
Access Time: 9 ns
Memory Organization: 256M x 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GM7REYIGYGigaDeviceNAND Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GM7UEWIGRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 133 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (5x6)
Write Cycle Time - Word, Page: 600µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O, DTR
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 256M x 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GM7UEWIGRGigaDeviceNAND Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GM7UEWIGYGigaDeviceNAND Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GM7UEWIGYGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD
Packaging: Tray
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 133 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (5x6)
Write Cycle Time - Word, Page: 600µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O, DTR
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 256M x 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GM7UEYIGRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 133 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 600µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O, DTR
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 128M x 8
на замовлення 2511 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+226.78 грн
10+203.40 грн
25+197.50 грн
50+181.10 грн
100+176.86 грн
250+171.27 грн
500+164.34 грн
1000+160.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GM7UEYIGRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 133 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 600µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O, DTR
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 128M x 8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GM7UEYIGRGigaDeviceNAND Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GM7UEYIGYGigaDeviceNAND Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GM7UEYIGYGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD
Packaging: Tray
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 133 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 600µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O, DTR
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 256M x 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GM7UEYJGRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 133 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 600µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O, DTR
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 256M x 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GM7UEYJGRGigaDeviceNAND Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GM9REYIGRGigaDevice
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GQ4REFIGRGigaDeviceNAND Flash
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GQ4RF9IGRGigaDeviceNAND Flash 1Gbit SPI NAND Flash /1.8V /WSON 8*6 /Industrial(-40? to +85?) /T&R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GQ4RF9IGRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD I/O 8LGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VLGA Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: FLASH - NAND
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-LGA (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 700µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Memory Organization: 128M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GQ4RF9IGYGigaDeviceNAND Flash 1Gbit SPI NAND Flash /1.8V /WSON 8*6 /Industrial(-40? to +85?) /Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GQ4RF9IGYGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD I/O 8LGA
Packaging: Tray
Package / Case: 8-VLGA Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: FLASH - NAND
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-LGA (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 700µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Memory Organization: 128M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GQ4UCYIGYGigaDeviceNAND Flash USE GD5F1GQ4UFYIGR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GQ4UEFIGRGigaDeviceNAND Flash
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GQ4UEYIGRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 8WSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NAND
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 700µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Memory Organization: 128M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GQ4UEYIGRGigaDeviceNAND Flash 1Gbit SPI NAND Flash /3.3V /WSON 8*6 /Industrial(-40? to +85?) /T&R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GQ4UEYIGYGigaDeviceNAND Flash 1Gbit SPI NAND Flash /3.3V /WSON 8*6 /Industrial(-40? to +85?) /Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GQ4UEYIGYGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 8WSON
Packaging: Tray
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NAND
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 700µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Memory Organization: 128M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GQ4UEYIHRGigaDeviceNAND Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GQ4UEYIHYGigaDeviceNAND Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GQ4UFYIGRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 8WSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NAND
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 700µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Memory Organization: 128M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GQ4UFYIGRGigaDeviceNAND Flash 1Gbit SPI NAND Flash /3.3V /WSON 8*6 /Industrial(-40? to +85?) /T&R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GQ4UFYIGRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 8WSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NAND
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 700µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Memory Organization: 128M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GQ4UFYIGYGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 8WSON
Packaging: Tray
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NAND
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 700µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Memory Organization: 128M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GQ4UFYIGYGigaDeviceNAND Flash 1Gbit SPI NAND Flash /3.3V /WSON 8*6 /Industrial(-40? to +85?) /Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GQ5REWIGRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 104 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (5x6)
Write Cycle Time - Word, Page: 600µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI, DTR
Access Time: 9.5 ns
Memory Organization: 256M x 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GQ5REWIGRGigaDeviceNAND Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GQ5REWIGYGigaDeviceNAND Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GQ5REWIGYGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD
Packaging: Tray
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 104 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (5x6)
Write Cycle Time - Word, Page: 600µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI, DTR
Access Time: 9.5 ns
Memory Organization: 256M x 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GQ5REY2GRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Technology: FLASH - NAND
Memory Format: FLASH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GQ5REY2GRGigaDeviceNAND Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GQ5REY2GYGigaDeviceNAND Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GQ5REY2GYGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD
Packaging: Tray
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 104 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 600µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O, DTR
Access Time: 9.5 ns
Memory Organization: 256M x 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GQ5REYIGRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 104 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 600µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI, DTR
Access Time: 9.5 ns
Memory Organization: 256M x 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GQ5REYIGRGigaDeviceNAND Flash
на замовлення 1259 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+305.29 грн
10+272.77 грн
25+232.60 грн
50+218.83 грн
100+207.35 грн
250+206.59 грн
500+198.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GQ5REYIGYGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD
Packaging: Tray
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 104 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 600µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI, DTR
Access Time: 9.5 ns
Memory Organization: 256M x 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GQ5REYIGYGigaDeviceNAND Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GQ5REYIHRGigaDeviceNAND Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GQ5REYIHRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 104 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 600µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O, DTR
Access Time: 9.5 ns
Memory Organization: 256M x 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GQ5REYIHYGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD
Packaging: Tray
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 104 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 600µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O, DTR
Access Time: 9.5 ns
Memory Organization: 256M x 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GQ5REYIHYGigaDeviceNAND Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GQ5REYJGRGigaDeviceNAND Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GQ5REYJGRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 104 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 600µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI, DTR
Access Time: 9.5 ns
Memory Organization: 256M x 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GQ5UEBIGYGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD
Packaging: Tray
Package / Case: 24-TBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 133 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 24-TFBGA (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 600µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O, DTR
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 128M x 8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GQ5UEBIGYGigaDeviceNAND Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GQ5UEBJGYGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD
Packaging: Tray
Package / Case: 24-TBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 133 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 24-TFBGA (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 600µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O, DTR
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 256M x 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GQ5UEBJGYGigaDeviceNAND Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GQ5UEWIGRGigaDeviceNAND Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GQ5UEWIGRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 133 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (5x6)
Write Cycle Time - Word, Page: 600µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI, DTR
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 256M x 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GQ5UEY2GRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Technology: FLASH - NAND
Memory Format: FLASH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GQ5UEY2GRGigaDeviceNAND Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GQ5UEY2GYGigaDeviceNAND Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GQ5UEY2GYGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD
Packaging: Tray
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 133 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 600µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O, DTR
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 256M x 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GQ5UEYIGRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 133 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 600µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI, DTR
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 256M x 4
на замовлення 2754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+466.81 грн
10+303.11 грн
25+265.06 грн
100+208.69 грн
250+189.25 грн
500+177.41 грн
1000+164.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GQ5UEYIGRGigaDevice SemiconductorGD5F1GQ5UEYIGR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GQ5UEYIGRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 133 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 600µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI, DTR
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 256M x 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GQ5UEYIGRGigaDeviceNAND Flash
на замовлення 2267 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+345.46 грн
10+272.77 грн
25+228.01 грн
50+218.83 грн
100+192.82 грн
250+175.22 грн
500+163.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GQ5UEYIGYGigaDeviceNAND Flash
на замовлення 4548 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+312.43 грн
10+278.93 грн
100+211.94 грн
250+211.18 грн
500+203.53 грн
1000+193.58 грн
2500+183.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GQ5UEYIGYGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD
Packaging: Tray
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 133 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 600µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI, DTR
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 256M x 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GQ5UEYIHRGigaDeviceNAND Flash
на замовлення 4394 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+297.26 грн
10+265.73 грн
25+225.72 грн
50+213.47 грн
100+201.23 грн
250+200.47 грн
500+193.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GQ5UEYIHRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 133 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 600µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O, DTR
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 256M x 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GQ5UEYIHYGigaDeviceNAND Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GQ5UEYIHYGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD
Packaging: Tray
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 133 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 600µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O, DTR
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 256M x 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GQ5UEYJGRGigaDeviceNAND Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GQ5UEYJGRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 133 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 600µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI, DTR
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 256M x 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F2GM7REWIGYGigaDeviceNAND Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F2GM7REWIGYGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: LINEAR IC
Packaging: Tray
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 104 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (5x6)
Write Cycle Time - Word, Page: 600µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O, DTR
Access Time: 9 ns
Memory Organization: 512M x 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F2GM7REYIGYGigaDeviceNAND Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F2GM7REYIGYGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: LINEAR IC
Packaging: Tray
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 104 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 600µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O, DTR
Access Time: 9 ns
Memory Organization: 512M x 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F2GM7UEWIGYGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: LINEAR IC
Packaging: Tray
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 133 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (5x6)
Write Cycle Time - Word, Page: 600µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O, DTR
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 256M x 8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F2GM7UEWIGYGigaDeviceNAND Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F2GM7UEYIGYGigaDeviceNAND Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F2GM7UEYIGYGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: LINEAR IC
Packaging: Tray
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 133 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 600µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O, DTR
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 256M x 8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F2GQ4RF9IGRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 2GBIT SPI/QUAD I/O 8LGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VLGA Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: FLASH - NAND
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-LGA (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 700µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Memory Organization: 256M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F2GQ4RF9IGYGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 2GBIT SPI/QUAD I/O 8LGA
Packaging: Tray
Package / Case: 8-VLGA Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: FLASH - NAND
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-LGA (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 700µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Memory Organization: 256M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F2GQ4UEYIGRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 2GBIT SPI/QUAD 8WSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NAND
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 700µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Memory Organization: 256M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F2GQ4UEYIGYGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 2GBIT SPI/QUAD 8WSON
Packaging: Tray
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NAND
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 700µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Memory Organization: 256M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F2GQ4UF9IGRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 2GBIT SPI/QUAD I/O 8LGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VLGA Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NAND
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-LGA (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 700µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Memory Organization: 256M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F2GQ4UFYIGYGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 2GBIT SPI/QUAD 8WSON
Packaging: Tray
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NAND
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 700µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Memory Organization: 256M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F2GQ5REY2GYGigaDeviceNAND Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F2GQ5REY2GYGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: LINEAR IC
Packaging: Tray
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 80 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 600µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O, DTR
Access Time: 11 ns
Memory Organization: 512M x 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F2GQ5REYIGRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: LINEAR IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 80 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 600µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 11 ns
Memory Organization: 256M x 8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F2GQ5REYIGRGigaDeviceNAND Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F2GQ5REYIGYGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: LINEAR IC
Packaging: Tray
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 80 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 600µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 11 ns
Memory Organization: 256M x 8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F2GQ5REYIGYGigaDeviceNAND Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F2GQ5REYIHRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: LINEAR IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 80 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 600µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI, DTR
Access Time: 11 ns
Memory Organization: 512M x 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F2GQ5REYIHRGigaDeviceNAND Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F2GQ5REYIHYGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: LINEAR IC
Packaging: Tray
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 80 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 600µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI, DTR
Access Time: 11 ns
Memory Organization: 512M x 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F2GQ5REYIHYGigaDeviceNAND Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F2GQ5REYJGRGigaDeviceNAND Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F2GQ5REYJGRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: LINEAR IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 80 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 600µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 11 ns
Memory Organization: 256M x 8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F2GQ5RFBIGYGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: LINEAR IC
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F2GQ5RFBIGYGigaDeviceNAND Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F2GQ5RFYIGYGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: LINEAR IC
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F2GQ5RFYIGYGigaDeviceNAND Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F2GQ5RFZIGYGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: LINEAR IC
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F2GQ5RFZIGYGigaDeviceNAND Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F2GQ5UEBIGYGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: LINEAR IC
Packaging: Tray
Package / Case: 24-TBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 104 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 24-TFBGA (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 600µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 9 ns
Memory Organization: 256M x 8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F2GQ5UEBIGYGigaDeviceNAND Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F2GQ5UEY2GYGigaDeviceNAND Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F2GQ5UEY2GYGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: LINEAR IC
Packaging: Tray
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 104 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 600µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O, DTR
Access Time: 9 ns
Memory Organization: 256M x 8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F2GQ5UEYIGRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: LINEAR IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 104 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 600µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 9 ns
Memory Organization: 256M x 8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F2GQ5UEYIGRGigaDeviceNAND Flash
на замовлення 2008 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+482.04 грн
10+433.80 грн
25+369.56 грн
50+367.27 грн
100+329.01 грн
250+328.25 грн
500+307.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F2GQ5UEYIGYGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: LINEAR IC
Packaging: Tray
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 104 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 600µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 9 ns
Memory Organization: 256M x 8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F2GQ5UEYIGYGigaDeviceNAND Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F2GQ5UEYIHRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: LINEAR IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 104 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 600µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI, DTR
Access Time: 9 ns
Memory Organization: 512M x 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F2GQ5UEYIHRGigaDeviceNAND Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F2GQ5UEYIHYGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: LINEAR IC
Packaging: Tray
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 104 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 600µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI, DTR
Access Time: 9 ns
Memory Organization: 512M x 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F2GQ5UEYIHYGigaDeviceNAND Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F2GQ5UEYJGRGigaDeviceNAND Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F2GQ5UEYJGRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: LINEAR IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 104 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 600µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 9 ns
Memory Organization: 256M x 8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F2GQ5UEZIGYGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: LINEAR IC
Packaging: Tray
Package / Case: 24-TBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 104 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 24-TFBGA (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 600µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 9 ns
Memory Organization: 256M x 8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F2GQ5UEZIGYGigaDeviceNAND Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F2GQ5UFYIGRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: LINEAR IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F2GQ5UFYIGRGigaDeviceNAND Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F4GM8REWIGRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 4GBIT SPI/QUAD 8WSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 104 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (5x6)
Write Cycle Time - Word, Page: 600µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O, DTR
Access Time: 9 ns
Memory Organization: 1G x 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F4GM8REWIGRGigaDeviceNAND Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F4GM8REWIGYGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 4GBIT SPI/QUAD 8WSON
Packaging: Tray
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 104 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (5x6)
Write Cycle Time - Word, Page: 600µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O, DTR
Access Time: 9 ns
Memory Organization: 1G x 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F4GM8REWIGYGigaDeviceNAND Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F4GM8REY2GYGigaDeviceNAND Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F4GM8REYIGRGigaDeviceNAND Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F4GM8REYIGYGigaDeviceNAND Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F4GM8UEB2GYGigaDeviceNAND Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F4GM8UEBIGYGigaDeviceNAND Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F4GM8UEWIGRGigaDeviceNAND Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F4GM8UEWIGYGigaDeviceNAND Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F4GM8UEYIGRGigaDeviceNAND Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F4GM8UEYIGRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 4GBIT SPI/QUAD 8WSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 133 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 600µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O, DTR
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 1G x 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F4GM8UEYIGYGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 4GBIT SPI/QUAD 8WSON
Packaging: Tray
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 133 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 600µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O, DTR
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 1G x 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F4GM8UEYIGYGigaDeviceNAND Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F4GQ4RBYIGRGigaDeviceNAND Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F4GQ4UCYIGYGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 4GBIT SPI/QUAD 8WSON
Packaging: Tray
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NAND
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (6x8)
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Memory Organization: 512M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F4GQ6RFYIGRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: SPI NAND FLASH 4GB WSON8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F4GQ6RFYIGRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: SPI NAND FLASH 4GB WSON8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F4GQ6RFYIGRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: SPI NAND FLASH 4GB WSON8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5V_20ATV2-0001VicorModular Power Supplies GD50A50A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5V_5A-5V_5AVicorModular Power Supplies GD5V5A5V5A PAC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5W-21P-NFLaird ConnectivityAntennas Grid,WireWB,195-30in ,NF
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+5727.35 грн
10+5362.20 грн
25+4601.57 грн
50+4448.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD5W-21P-NFLaird Technologies IASDescription: ANT GRID 21DBI 4.9-5.8G 30"N FEM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5W-25P-NFLaird ConnectivityAntennas Grid,WireWB,195-30in ,NF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5W-25P-NFTE ConnectivityGrid,WireWB,195-30in,NF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5W-25P-NFTE Connectivity LairdDescription: RF ANT 5.4GHZ GRID N FEM BRK 30"
Packaging: Bulk
Mounting Type: Bracket Mount
Frequency Range: 4.94GHz ~ 5.85GHz
Applications: WiMax™, WLAN
Gain: 25dBi
Termination: N Type Female
Number of Bands: 1
VSWR: 1.5
Antenna Type: Parabolic Grid
Height (Max): 24.000" (609.60mm)
Frequency Group: SHF (f > 4GHz)
Frequency (Center/Band): 5.4GHz
RF Family/Standard: WiFi
Power - Max: 100 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5W-28P-NFLaird ConnectivityAntennas Grid,WireWB,195-30in ,NF
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+7013.68 грн
10+6689.99 грн
25+5623.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD5W-28P-NFLaird Technologies IASDescription: ANT GRID 28DBI 4.9-5.8G 30"N FEM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5W-29FEEDTE ConnectivityFEED,WB,LRG,Wire Grid,4900-5850MHz,29dBi,NF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5W-29FEEDTE Connectivity / Laird External AntennasAntennas FEED,WB,LRG,Wire Gri d
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5X125-B/BCheckers Industrial ProductsDescription: 5 CH GUARD DOG, CABLE PROTECTOR
Packaging: Box
Color: Black
Type: Cable Protector
Part Status: Active
Construction: Urethane
Height (Inches): 1.875
Length (Inches): 36
Width (Inches): 19.75
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+26580.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD5X125-O/BCheckers Industrial ProductsDescription: CABLE PROTECTOR, CHECKERS GUARD
Packaging: Box
Color: Orange Lid/Black Base
Type: Cable Protector
Part Status: Active
Construction: Urethane
Height (Inches): 1.875
Length (Inches): 36
Width (Inches): 19.75
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+21933.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD5X75-ST-O/BCheckers Industrial ProductsDescription: 5 CH GUARD DOG,LOW PROFILE
Packaging: Box
Color: Orange Lid/Black Base
Type: Cable Protector
Part Status: Active
Construction: Urethane
Height (Inches): 1.25
Length (Inches): 36
Width (Inches): 16.9
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+20273.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.