Продукція > GD5

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
GD50AltechRelay Sockets & Fixings
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+208.57 грн
10+192.90 грн
20+149.34 грн
100+133.89 грн
260+119.18 грн
500+111.82 грн
1000+104.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GD50Altech CorporationDescription: RELAY SOCKET DR FORPCB RM84RM85R
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+153.43 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
GD50RELPOLCategory: Electromagnetic Relays - Accessories
Description: Socket; PIN: 8; 8A; 300VAC; PCB; for PCB; -40÷70°C; 31.5x13x9mm
Mounting: PCB
Body dimensions: 31.5x13x9mm
Operating temperature: -40...70°C
Related items: RMB841; RMB851
Number of pins: 8
Application - series/manufacturer: RM63; RM64; RM83; RM84; RM85; RM87L; RM87P; RM94
Current rating: 8A
Leads: for PCB
Rated voltage: 300V AC
Type of relays accessories: socket
OEM number: 2613510
на замовлення 9065 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+160.11 грн
5+141.01 грн
9+107.29 грн
23+101.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GD50
Код товару: 132797
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD50RELPOLCategory: Electromagnetic Relays - Accessories
Description: Socket; PIN: 8; 8A; 300VAC; PCB; for PCB; -40÷70°C; 31.5x13x9mm
Mounting: PCB
Body dimensions: 31.5x13x9mm
Operating temperature: -40...70°C
Related items: RMB841; RMB851
Number of pins: 8
Application - series/manufacturer: RM63; RM64; RM83; RM84; RM85; RM87L; RM87P; RM94
Current rating: 8A
Leads: for PCB
Rated voltage: 300V AC
Type of relays accessories: socket
OEM number: 2613510
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9065 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+192.13 грн
5+175.71 грн
9+128.74 грн
23+121.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GD500033Sunbank / SouriauCircular MIL Spec Backshells STS ASSEMBLY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD500076Sunbank / SouriauCircular MIL Spec Backshells STS ASSEMBLY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD500566Sunbank / SouriauCircular MIL Spec Backshells STS ASSEMBLY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD509CJ.08+ DIP
на замовлення 625 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD50FFX65C5SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD50FFX65C5S - IGBT-Modul, Dreiphasen-Vollbrücke, 72 A, 1.45 V, 189 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 72A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 189W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 189W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Vollbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 72A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2157.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD50FFX65C5SSTARPOWER SEMICONDUCTORGD50FFX65C5S IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD50FFY120C5SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Pulsed collector current: 100A
Collector current: 50A
Gate-emitter voltage: ±20V
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: C5 45mm
Type of module: IGBT
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD50FFY120C5SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Pulsed collector current: 100A
Collector current: 50A
Gate-emitter voltage: ±20V
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: C5 45mm
Type of module: IGBT
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD50FFY120C5SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD50FFY120C5S - IGBT-Modul, Dreiphasen-Vollbrücke, 85 A, 1.7 V, 292 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 85A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 292W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 292W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Vollbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 85A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD50FSX65L2SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD50FSX65L2S - IGBT-Modul, Sechserpack, 89 A, 1.45 V, 258 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 89A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 258W
Bauform - Transistor: Modul
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Sechserpack
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2642.56 грн
5+2541.05 грн
10+2345.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD50FSX65L2SSTARPOWER SEMICONDUCTORGD50FSX65L2S IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD50FSY120L3SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD50FSY120L3S - IGBT-Modul, Sechserpack, 100 A, 1.7 V, 380 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 380W
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
Dauer-Kollektorstrom: 100A
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4779.22 грн
5+4540.71 грн
10+4206.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD50FSY120L3SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; Urmax: 1200V; Ic: 50A; L3.2
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: L3.2
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 100A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor
кількість в упаковці: 16 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD50FSY120L3SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; Urmax: 1200V; Ic: 50A; L3.2
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: L3.2
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 100A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD50HFU120C1SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 50A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Case: C1 34mm
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 24 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD50HFU120C1SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 50A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Case: C1 34mm
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD50HFU120C1SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD50HFU120C1S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 78 A, 3.15 V, 414 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: NPT IGBT [Standard]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.15V
Dauer-Kollektorstrom: 78A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.15V
Verlustleistung Pd: 414W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 414W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 78A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3138.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD50HFU120C1SDSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD50HFU120C1SD - IGBT-Modul, Halbbrücke, 82 A, 2.9 V, 440 W, 125 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: NPT Ultra Fast IGBT
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.9V
Dauer-Kollektorstrom: 82A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Schraubanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 440W
Bauform - Transistor: Modul
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3000.73 грн
5+2885.19 грн
10+2663.19 грн
50+2446.14 грн
100+2192.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD50HFX170C1SSTARPOWER SEMICONDUCTORGD50HFX170C1S IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD50HFX170C1SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD50HFX170C1S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 100 A, 1.85 V, 418 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Dauer-Kollektorstrom: 100A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 418W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 418W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 100A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3366.33 грн
5+3198.80 грн
10+3033.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD50HFX65C1SSTARPOWER SEMICONDUCTORGD50HFX65C1S IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD50HFX65C1SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD50HFX65C1S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 75 A, 1.45 V, 205 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 75A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 205W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 205W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 75A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2554.25 грн
5+2385.90 грн
10+2217.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD50HHU120C5SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; H-bridge; Urmax: 1200V; screw
Case: C5 45mm
Pulsed collector current: 100A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Topology: H-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD50HHU120C5SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD50HHU120C5S - IGBT-Modul, H-Brücke, 77 A, 2.9 V, 396 W, 125 °C, Module
IGBT-Technologie: NPT Ultra Fast IGBT
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.9
Dauer-Kollektorstrom: 77
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.9
Verlustleistung Pd: 396
Verlustleistung: 396
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
IGBT-Konfiguration: H-Brücke
DC-Kollektorstrom: 77
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4804.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD50HHU120C5SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; H-bridge; Urmax: 1200V; screw
Case: C5 45mm
Pulsed collector current: 100A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Topology: H-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD50MPS12-CALGeneSiC Semiconductor1200V 50A Bare Chip SiC Schottky MPS, Waffle Pack/s
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD50MPS12HGeneSiC SemiconductorSilicon Carbide Schottky Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD50MPS12HGeneSiC SemiconductorSilicon Carbide Schottky Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD50MPS12HGeneSiC SemiconductorSiC Schottky Diodes 1200V 50A TO-247-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1258.26 грн
10+1129.46 грн
30+946.09 грн
120+894.59 грн
270+861.48 грн
510+837.21 грн
1020+831.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD50MPS12HGeneSiC SemiconductorSilicon Carbide Schottky Diode
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1273.54 грн
11+1119.89 грн
30+1059.13 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
GD50MPS12HGeneSiC Semiconductor1200V 50A TO-247-2 SiC Schottky MPS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD50MPS12HGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE SIL CARB 1.2KV 92A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1835pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 92A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 1200 V
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1158.70 грн
10+1015.93 грн
25+978.46 грн
100+867.77 грн
250+836.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD50MPS12HGeneSiC SemiconductorSilicon Carbide Schottky Diode
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1182.57 грн
10+1039.90 грн
30+983.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD50PIT120C6S
Код товару: 144882
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD50PIX120C6S
Код товару: 194384
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD50PIX65C5SSTARPOWER SEMICONDUCTORGD50PIX65C5S IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD50PIX65C5SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD50PIX65C5S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 72 A, 1.45 V, 148 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 72A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 148W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 148W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 72A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4915.39 грн
5+4664.51 грн
10+4418.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD50PIY120C5SNSTARPOWER SEMICONDUCTORGD50PIY120C5SN IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD50PIY120C5SNSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD50PIY120C5SN - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 85 A, 1.7 V, 292 W, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7
Dauer-Kollektorstrom: 85
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7
Verlustleistung Pd: 292
Verlustleistung: 292
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
DC-Kollektorstrom: 85
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD50PIY120C6SNSTARPOWER SEMICONDUCTORGD50PIY120C6SN IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD50PIY120C6SNSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD50PIY120C6SN - IGBT-Modul, PIM, 62 A, 1.7 V, 218 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 62A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 218W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 218W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 62A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6119.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD50PJX65L3SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 50A
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: L3.0
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 100A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD50PJX65L3SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD50PJX65L3S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 91 A, 1.45 V, 264 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 91A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 264W
Bauform - Transistor: Modul
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3777.33 грн
5+3679.94 грн
10+3495.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD50PJX65L3SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 50A
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: L3.0
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 100A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD52R090NBThinking Electronics Industrial Co.Description: Gas Discharge Tube 2-Electrodes
Tolerance: ±20%
Packaging: Bag
Package / Case: Cylinder No Lead
Mounting Type: User Defined
Voltage - DC Spark Over (Nom): 90 V
Impulse Discharge Current (8/20µs): 5000A (5kA)
Fail Short: No
Part Status: Active
Number of Poles: 2
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+179.06 грн
5+164.76 грн
10+151.73 грн
15+133.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GD53-21LairdAntennas Grid,Wire,Fixed,NF
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD53-21Laird Technologies IASDescription: ANT GRID 21DBI 5.1-5.3GHZ N FEM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD53-25Laird Technologies IASDescription: ANT GRID 25DBI 5.1-5.3GHZ N FEM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD53-25TE Connectivity / Laird External AntennasAntennas Grid,Wire,Fixed,NF
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4690.58 грн
10+4343.54 грн
25+3655.60 грн
100+3387.08 грн
250+3289.97 грн
5000+3289.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD53-28Laird Technologies IASDescription: ANT GRID 28DBI 5.1-5.3GHZ N FEM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD53-28LairdAntennas Grid,Wire,Fixed,NF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5401T-41QC-A-TAB1A.08+ QFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5401T-41QCA-TAB1ACIRRUSQFP-128
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5425-TVQC-B-AEW1P
на замовлення 192 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD5429-86QC-C
на замовлення 2186 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD5430NEC95+
на замовлення 1773 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD5434-QC95
на замовлення 47 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD5434-QCQFP
на замовлення 47 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD544601+
на замовлення 95 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD5465-HC-C-00001
на замовлення 1192 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD5465-HC-C-00005
на замовлення 616 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD5530622MA6NKYOCERA AVXDescription: MICRO-W SLC
Tolerance: ±20%
Packaging: Tray
Voltage - Rated: 25V
Package / Case: Nonstandard SMD
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.055" L x 0.055" W (1.40mm x 1.40mm)
Mounting Type: Surface Mount, SLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: General Purpose
Thickness (Max): 0.007" (0.18mm)
Capacitance: 6200 pF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5530622ZA6NKYOCERA AVXDescription: MICRO-W SLC
Tolerance: -20%, +80%
Packaging: Tray
Voltage - Rated: 25V
Package / Case: Nonstandard SMD
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.055" L x 0.055" W (1.40mm x 1.40mm)
Mounting Type: Surface Mount, SLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: General Purpose
Thickness (Max): 0.007" (0.18mm)
Capacitance: 6200 pF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD55B01GEBIRYGigaDeviceNOR Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD55B01GEFIRRGigaDeviceNOR Flash
на замовлення 717 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1030.81 грн
10+923.02 грн
25+751.87 грн
100+698.90 грн
250+665.06 грн
500+650.34 грн
1000+590.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD55B01GEFIRRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: 1GBIT, 3.3V, SOP16 300MIL, INDUS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 133 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 16-SOP
Part Status: Active
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI, DTR
Memory Organization: 128M x 8
на замовлення 909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+915.98 грн
10+816.76 грн
25+798.25 грн
50+745.10 грн
100+655.92 грн
250+623.37 грн
500+607.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD55B01GEFIRRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: 1GBIT, 3.3V, SOP16 300MIL, INDUS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 133 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 16-SOP
Part Status: Active
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI, DTR
Memory Organization: 128M x 8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD55B01GEFJRRGigaDeviceNOR Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD55B01GEYIGYGigaDeviceNOR Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD55B02GEBIRYGigaDeviceNOR Flash
на замовлення 4765 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1968.93 грн
10+1807.97 грн
25+1555.23 грн
50+1516.98 грн
100+1331.58 грн
250+1286.71 грн
500+1252.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD55F512MFWIGRGigaDeviceNOR Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD55LB02GEBIRYGigaDeviceNOR Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD55LB02GEBJRYGigaDeviceNOR Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD55LT02GEB2RYGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: LINEAR IC
Packaging: Tray
Package / Case: 24-TBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 2V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 24-TFBGA (6x8)
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI, DTR
Memory Organization: 256M x 8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD55LT02GEB2RYGigaDeviceNOR Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD55LT02GEBARYGigaDeviceNOR Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD55LT02GEBARYGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: LINEAR IC
Packaging: Tray
Package / Case: 24-TBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 2V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 24-TFBGA (6x8)
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI, DTR
Memory Organization: 256M x 8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD55LT02GEBIRYGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: LINEAR IC
Packaging: Tray
Package / Case: 24-TBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 2V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 24-TFBGA (6x8)
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI, DTR
Memory Organization: 256M x 8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD55LT02GEBIRYGigaDeviceNOR Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD55LT512WEFIRRGigaDeviceNOR Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD55LX01GEB2RYGigaDeviceNOR Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD55LX01GEB2RYGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 1GBIT SPI/OCT
Packaging: Tray
Package / Case: 24-TBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 2V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 24-TFBGA (6x8)
Memory Interface: SPI - Octal I/O, DTR
Memory Organization: 128M x 8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD55LX01GEBARYGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH
Packaging: Tray
Technology: FLASH - NOR
Memory Format: FLASH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD55LX01GEBARYGigaDeviceNOR Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD55LX01GEBIRYGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 1GBIT SPI/OCT
Packaging: Tray
Package / Case: 24-TBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 2V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 24-TFBGA (6x8)
Memory Interface: SPI - Octal I/O, DTR
Memory Organization: 128M x 8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD55LX01GEBIRYGigaDeviceNOR Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD55LX01GEF2RRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Technology: FLASH - NOR
Memory Format: FLASH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD55LX01GEF2RRGigaDeviceNOR Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD55LX01GEFIRRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 1GBIT SPI/OCT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Voltage - Supply: 1.65V ~ 2V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 16-SOP
Part Status: Active
Memory Interface: SPI - Octal I/O, DTR
Memory Organization: 128M x 8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD55LX01GEFIRRGigaDeviceNOR Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD55LX01GEFIRRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 1GBIT SPI/OCT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Voltage - Supply: 1.65V ~ 2V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 16-SOP
Part Status: Active
Memory Interface: SPI - Octal I/O, DTR
Memory Organization: 128M x 8
на замовлення 983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1392.67 грн
10+1190.50 грн
25+1135.28 грн
50+1027.80 грн
100+991.44 грн
250+945.26 грн
500+896.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD55LX02GEBARYGigaDeviceNOR Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD55SFantechDescription: STEEL DEHUMIDIFIER, 101 PINTS
Packaging: Box
Color: Black
Voltage: 115V
Material: Steel
Frequency: 60Hz
Temperature Range: 40 ~ 95°F
Weight: 50 lbs
Height: 21"
Approval Agency: cCSAus
Part Status: Active
Current Rating (Amps): 6.8
Depth: 18"
Width (Inches): 13-1/2
Air Flow - High: 325 CFM
Coverage Square Feet: 5500
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+61350.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD55T01GEYAGRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Technology: FLASH - NOR
Memory Format: FLASH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD55T01GEYAGRGigaDeviceNOR Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD55WB512MEYIGYGigaDeviceNOR Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD55X01GEF2RRGigaDeviceNOR Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD55X02GEB2RYGigaDeviceNOR Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD56V64164TC-5TPGIGADEVLCETSOPII54 07+
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD56V64164TC-5TPGIGADEVLCE07+ TSOPII54
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD56V64164TC-6TPGIGADEVLCE07+ TSOPII54
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD56V64164TC-6TPGIGADEVLCETSOPII54 07+
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD56V64164TC-7TPGIGADEVLCE07+ TSOPII54
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD56V64164TC-7TPGIGADEVLCETSOPII54 07+
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD57-21Laird Technologies IASDescription: ANT GRID 21DBI 5.4-5.7GHZ N FEM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD57-21LairdAntennas Grid,Wire,Fixed,NF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD57-25TE Connectivity LairdDescription: RF ANT 5.7GHZ GRID N FEM BRKT MT
Packaging: Bulk
Mounting Type: Bracket Mount
Frequency Range: 5.47GHz ~ 5.725GHz
Applications: WiMax™, WLAN
Gain: 25dBi
Termination: N Type Female
Number of Bands: 1
VSWR: 1.5
Antenna Type: Parabolic Grid
Height (Max): 24.000" (609.60mm)
Frequency Group: SHF (f > 4GHz)
Frequency (Center/Band): 5.7GHz
RF Family/Standard: WiFi
Power - Max: 100 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD57-25LairdAntennas Grid,Wire,Fixed,NF
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD57-28LairdAntennas Grid,Wire,Fixed,NF
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD57-28Laird Technologies IASDescription: ANT GRID 28DBI 5.4-5.7GHZ N FEM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD58-22Laird Technologies IASDescription: ANT GRID 22DBI 5.8GHZ N FEMALE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD58-22LairdAntennas Grid,Wire,Fixed,NF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD58-26Laird Technologies IASDescription: ANT GRID 26DBI 5.8GHZ N FEMALE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD58-26LairdAntennas Grid,Wire,Fixed,NF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD58-26-FEEDTE ConnectivityFEED,MED,Wire Grid, 5725-5850MHz,26dBi,NF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD58-26-FEEDTE Connectivity / Laird External AntennasAntennas FEED,MED,Wire Grid
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD58-29LairdAntennas Grid,Wire,Fixed,NF
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD58-29Laird Technologies IASDescription: ANT GRID 29DBI 5.8GHZ N FEMALE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD58-29-FEEDLairdAntennas FEED,LRG,Wire Grid
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GM7REWIGRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 104 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (5x6)
Write Cycle Time - Word, Page: 600µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O, DTR
Access Time: 9 ns
Memory Organization: 256M x 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GM7REWIGRGigaDeviceNAND Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GM7REWIGYGigaDeviceNAND Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GM7REWIGYGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD
Packaging: Tray
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 104 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (5x6)
Write Cycle Time - Word, Page: 600µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O, DTR
Access Time: 9 ns
Memory Organization: 256M x 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GM7REYIGRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 104 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 600µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O, DTR
Access Time: 9 ns
Memory Organization: 256M x 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GM7REYIGRGigaDeviceNAND Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GM7REYIGYGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD
Packaging: Tray
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 104 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 600µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O, DTR
Access Time: 9 ns
Memory Organization: 256M x 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GM7REYIGYGigaDeviceNAND Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GM7UEWIGRGigaDeviceNAND Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GM7UEWIGRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 133 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (5x6)
Write Cycle Time - Word, Page: 600µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O, DTR
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 256M x 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GM7UEWIGYGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD
Packaging: Tray
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 133 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (5x6)
Write Cycle Time - Word, Page: 600µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O, DTR
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 256M x 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GM7UEWIGYGigaDeviceNAND Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GM7UEYIGRGigaDeviceNAND Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GM7UEYIGRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 133 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 600µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O, DTR
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 128M x 8
на замовлення 2511 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+218.05 грн
10+195.57 грн
25+189.90 грн
50+174.13 грн
100+170.05 грн
250+164.68 грн
500+158.01 грн
1000+154.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GM7UEYIGRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 133 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 600µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O, DTR
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 128M x 8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GM7UEYIGYGigaDeviceNAND Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GM7UEYIGYGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD
Packaging: Tray
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 133 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 600µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O, DTR
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 256M x 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GM7UEYJGRGigaDeviceNAND Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GM7UEYJGRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 133 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 600µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O, DTR
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 256M x 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GQ4REFIGRGigaDeviceNAND Flash
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GQ4RF9IGRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD I/O 8LGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VLGA Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: FLASH - NAND
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-LGA (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 700µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Memory Organization: 128M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GQ4RF9IGRGigaDeviceNAND Flash 1Gbit SPI NAND Flash /1.8V /WSON 8*6 /Industrial(-40? to +85?) /T&R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GQ4RF9IGYGigaDeviceNAND Flash 1Gbit SPI NAND Flash /1.8V /WSON 8*6 /Industrial(-40? to +85?) /Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GQ4RF9IGYGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD I/O 8LGA
Packaging: Tray
Package / Case: 8-VLGA Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: FLASH - NAND
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-LGA (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 700µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Memory Organization: 128M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GQ4UCYIGYGigaDeviceNAND Flash USE GD5F1GQ4UFYIGR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GQ4UEFIGRGigaDeviceNAND Flash
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GQ4UEYIGRGigaDeviceNAND Flash 1Gbit SPI NAND Flash /3.3V /WSON 8*6 /Industrial(-40? to +85?) /T&R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GQ4UEYIGRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 8WSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NAND
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 700µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Memory Organization: 128M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GQ4UEYIGYGigaDeviceNAND Flash 1Gbit SPI NAND Flash /3.3V /WSON 8*6 /Industrial(-40? to +85?) /Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GQ4UEYIGYGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 8WSON
Packaging: Tray
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NAND
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 700µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Memory Organization: 128M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GQ4UEYIHRGigaDeviceNAND Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GQ4UEYIHYGigaDeviceNAND Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GQ4UFYIGRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 8WSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NAND
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 700µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Memory Organization: 128M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GQ4UFYIGRGigaDeviceNAND Flash 1Gbit SPI NAND Flash /3.3V /WSON 8*6 /Industrial(-40? to +85?) /T&R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GQ4UFYIGRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 8WSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NAND
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 700µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Memory Organization: 128M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GQ4UFYIGYGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 8WSON
Packaging: Tray
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NAND
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 700µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Memory Organization: 128M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GQ4UFYIGYGigaDeviceNAND Flash 1Gbit SPI NAND Flash /3.3V /WSON 8*6 /Industrial(-40? to +85?) /Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GQ5REWIGRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 104 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (5x6)
Write Cycle Time - Word, Page: 600µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI, DTR
Access Time: 9.5 ns
Memory Organization: 256M x 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GQ5REWIGRGigaDeviceNAND Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GQ5REWIGYGigaDeviceNAND Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GQ5REWIGYGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD
Packaging: Tray
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 104 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (5x6)
Write Cycle Time - Word, Page: 600µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI, DTR
Access Time: 9.5 ns
Memory Organization: 256M x 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GQ5REY2GRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Technology: FLASH - NAND
Memory Format: FLASH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GQ5REY2GRGigaDeviceNAND Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GQ5REY2GYGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD
Packaging: Tray
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 104 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 600µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O, DTR
Access Time: 9.5 ns
Memory Organization: 256M x 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GQ5REY2GYGigaDeviceNAND Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GQ5REYIGRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 104 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 600µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI, DTR
Access Time: 9.5 ns
Memory Organization: 256M x 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GQ5REYIGRGigaDeviceNAND Flash
на замовлення 1439 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+318.43 грн
10+284.27 грн
100+216.29 грн
250+215.55 грн
500+207.46 грн
1000+197.16 грн
3000+163.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GQ5REYIGYGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD
Packaging: Tray
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 104 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 600µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI, DTR
Access Time: 9.5 ns
Memory Organization: 256M x 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GQ5REYIGYGigaDeviceNAND Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GQ5REYIHRGigaDeviceNAND Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GQ5REYIHRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 104 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 600µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O, DTR
Access Time: 9.5 ns
Memory Organization: 256M x 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GQ5REYIHYGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD
Packaging: Tray
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 104 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 600µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O, DTR
Access Time: 9.5 ns
Memory Organization: 256M x 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GQ5REYIHYGigaDeviceNAND Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GQ5REYJGRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 104 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 600µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI, DTR
Access Time: 9.5 ns
Memory Organization: 256M x 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GQ5REYJGRGigaDeviceNAND Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GQ5UEBIGYGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD
Packaging: Tray
Package / Case: 24-TBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 133 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 24-TFBGA (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 600µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O, DTR
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 128M x 8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GQ5UEBIGYGigaDeviceNAND Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GQ5UEBJGYGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD
Packaging: Tray
Package / Case: 24-TBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 133 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 24-TFBGA (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 600µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O, DTR
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 256M x 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GQ5UEBJGYGigaDeviceNAND Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GQ5UEWIGRGigaDeviceNAND Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GQ5UEWIGRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 133 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (5x6)
Write Cycle Time - Word, Page: 600µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI, DTR
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 256M x 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GQ5UEY2GRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Technology: FLASH - NAND
Memory Format: FLASH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GQ5UEY2GRGigaDeviceNAND Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GQ5UEY2GYGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD
Packaging: Tray
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 133 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 600µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O, DTR
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 256M x 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GQ5UEY2GYGigaDeviceNAND Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GQ5UEYIGRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 133 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 600µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI, DTR
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 256M x 4
на замовлення 2754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+448.84 грн
10+291.44 грн
25+254.85 грн
100+200.65 грн
250+181.97 грн
500+170.58 грн
1000+158.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GQ5UEYIGRGigaDevice SemiconductorGD5F1GQ5UEYIGR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GQ5UEYIGRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 133 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 600µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI, DTR
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 256M x 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GQ5UEYIGRGigaDeviceNAND Flash
на замовлення 2452 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+300.40 грн
10+268.19 грн
100+203.78 грн
250+186.13 грн
500+174.36 грн
1000+164.06 грн
3000+158.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GQ5UEYIGYGigaDeviceNAND Flash
на замовлення 4568 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+293.54 грн
10+263.12 грн
100+200.11 грн
250+199.37 грн
500+191.28 грн
1000+181.71 грн
2500+172.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GQ5UEYIGYGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD
Packaging: Tray
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 133 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 600µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI, DTR
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 256M x 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GQ5UEYIHRGigaDeviceNAND Flash
на замовлення 4646 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+293.54 грн
10+263.12 грн
100+200.11 грн
250+199.37 грн
500+191.28 грн
3000+161.85 грн
6000+156.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GQ5UEYIHRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 133 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 600µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O, DTR
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 256M x 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GQ5UEYIHYGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD
Packaging: Tray
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 133 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 600µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O, DTR
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 256M x 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GQ5UEYIHYGigaDeviceNAND Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GQ5UEYJGRGigaDeviceNAND Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F1GQ5UEYJGRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 133 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 600µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI, DTR
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 256M x 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F2GM7REWIGYGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: LINEAR IC
Packaging: Tray
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 104 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (5x6)
Write Cycle Time - Word, Page: 600µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O, DTR
Access Time: 9 ns
Memory Organization: 512M x 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F2GM7REWIGYGigaDeviceNAND Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F2GM7REYIGYGigaDeviceNAND Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F2GM7REYIGYGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: LINEAR IC
Packaging: Tray
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 104 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 600µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O, DTR
Access Time: 9 ns
Memory Organization: 512M x 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F2GM7UEWIGYGigaDeviceNAND Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F2GM7UEWIGYGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: LINEAR IC
Packaging: Tray
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 133 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (5x6)
Write Cycle Time - Word, Page: 600µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O, DTR
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 256M x 8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F2GM7UEYIGYGigaDeviceNAND Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F2GM7UEYIGYGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: LINEAR IC
Packaging: Tray
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 133 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 600µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O, DTR
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 256M x 8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F2GQ4RF9IGRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 2GBIT SPI/QUAD I/O 8LGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VLGA Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: FLASH - NAND
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-LGA (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 700µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Memory Organization: 256M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F2GQ4RF9IGYGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 2GBIT SPI/QUAD I/O 8LGA
Packaging: Tray
Package / Case: 8-VLGA Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: FLASH - NAND
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-LGA (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 700µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Memory Organization: 256M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F2GQ4UEYIGRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 2GBIT SPI/QUAD 8WSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NAND
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 700µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Memory Organization: 256M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F2GQ4UEYIGYGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 2GBIT SPI/QUAD 8WSON
Packaging: Tray
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NAND
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 700µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Memory Organization: 256M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F2GQ4UF9IGRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 2GBIT SPI/QUAD I/O 8LGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VLGA Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NAND
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-LGA (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 700µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Memory Organization: 256M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F2GQ4UFYIGYGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 2GBIT SPI/QUAD 8WSON
Packaging: Tray
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NAND
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 700µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Memory Organization: 256M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F2GQ5REY2GYGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: LINEAR IC
Packaging: Tray
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 80 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 600µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O, DTR
Access Time: 11 ns
Memory Organization: 512M x 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F2GQ5REY2GYGigaDeviceNAND Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F2GQ5REYIGRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: LINEAR IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 80 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 600µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 11 ns
Memory Organization: 256M x 8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F2GQ5REYIGRGigaDeviceNAND Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F2GQ5REYIGYGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: LINEAR IC
Packaging: Tray
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 80 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 600µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 11 ns
Memory Organization: 256M x 8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F2GQ5REYIGYGigaDeviceNAND Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F2GQ5REYIHRGigaDeviceNAND Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F2GQ5REYIHRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: LINEAR IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 80 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 600µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI, DTR
Access Time: 11 ns
Memory Organization: 512M x 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F2GQ5REYIHYGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: LINEAR IC
Packaging: Tray
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 80 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 600µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI, DTR
Access Time: 11 ns
Memory Organization: 512M x 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F2GQ5REYIHYGigaDeviceNAND Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F2GQ5REYJGRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: LINEAR IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 80 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 600µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 11 ns
Memory Organization: 256M x 8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F2GQ5REYJGRGigaDeviceNAND Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F2GQ5RFBIGYGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: LINEAR IC
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F2GQ5RFBIGYGigaDeviceNAND Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F2GQ5RFYIGYGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: LINEAR IC
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F2GQ5RFYIGYGigaDeviceNAND Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F2GQ5RFZIGYGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: LINEAR IC
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F2GQ5RFZIGYGigaDeviceNAND Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F2GQ5UEBIGYGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: LINEAR IC
Packaging: Tray
Package / Case: 24-TBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 104 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 24-TFBGA (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 600µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 9 ns
Memory Organization: 256M x 8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F2GQ5UEBIGYGigaDeviceNAND Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F2GQ5UEY2GYGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: LINEAR IC
Packaging: Tray
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 104 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 600µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O, DTR
Access Time: 9 ns
Memory Organization: 256M x 8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F2GQ5UEY2GYGigaDeviceNAND Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F2GQ5UEYIGRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: LINEAR IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 104 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 600µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 9 ns
Memory Organization: 256M x 8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F2GQ5UEYIGRGigaDeviceNAND Flash
на замовлення 3347 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+487.51 грн
10+439.09 грн
100+333.26 грн
250+331.79 грн
500+314.14 грн
3000+267.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F2GQ5UEYIGYGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: LINEAR IC
Packaging: Tray
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 104 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 600µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 9 ns
Memory Organization: 256M x 8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F2GQ5UEYIGYGigaDeviceNAND Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F2GQ5UEYIHRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: LINEAR IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 104 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 600µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI, DTR
Access Time: 9 ns
Memory Organization: 512M x 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F2GQ5UEYIHRGigaDeviceNAND Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F2GQ5UEYIHYGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: LINEAR IC
Packaging: Tray
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 104 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 600µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI, DTR
Access Time: 9 ns
Memory Organization: 512M x 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F2GQ5UEYIHYGigaDeviceNAND Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F2GQ5UEYJGRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: LINEAR IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 104 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 600µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 9 ns
Memory Organization: 256M x 8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F2GQ5UEYJGRGigaDeviceNAND Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F2GQ5UEZIGYGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: LINEAR IC
Packaging: Tray
Package / Case: 24-TBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 104 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 24-TFBGA (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 600µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 9 ns
Memory Organization: 256M x 8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F2GQ5UEZIGYGigaDeviceNAND Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F2GQ5UFYIGRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: LINEAR IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F2GQ5UFYIGRGigaDeviceNAND Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F4GM8REWIGRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 4GBIT SPI/QUAD 8WSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 104 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (5x6)
Write Cycle Time - Word, Page: 600µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O, DTR
Access Time: 9 ns
Memory Organization: 1G x 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F4GM8REWIGRGigaDeviceNAND Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F4GM8REWIGYGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 4GBIT SPI/QUAD 8WSON
Packaging: Tray
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 104 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (5x6)
Write Cycle Time - Word, Page: 600µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O, DTR
Access Time: 9 ns
Memory Organization: 1G x 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F4GM8REWIGYGigaDeviceNAND Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F4GM8REY2GYGigaDeviceNAND Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F4GM8REYIGRGigaDeviceNAND Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F4GM8REYIGYGigaDeviceNAND Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F4GM8UEB2GYGigaDeviceNAND Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F4GM8UEBIGYGigaDeviceNAND Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F4GM8UEWIGRGigaDeviceNAND Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F4GM8UEWIGYGigaDeviceNAND Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F4GM8UEYIGRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 4GBIT SPI/QUAD 8WSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 133 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 600µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O, DTR
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 1G x 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F4GM8UEYIGRGigaDeviceNAND Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F4GM8UEYIGYGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 4GBIT SPI/QUAD 8WSON
Packaging: Tray
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 133 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 600µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O, DTR
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 1G x 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F4GM8UEYIGYGigaDeviceNAND Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F4GQ4RBYIGRGigaDeviceNAND Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F4GQ4UCYIGYGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 4GBIT SPI/QUAD 8WSON
Packaging: Tray
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NAND
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (6x8)
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Memory Organization: 512M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F4GQ6RFYIGRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: SPI NAND FLASH 4GB WSON8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F4GQ6RFYIGRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: SPI NAND FLASH 4GB WSON8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F4GQ6RFYIGRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: SPI NAND FLASH 4GB WSON8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5V_20ATV2-0001VicorModular Power Supplies GD50A50A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5V_5A-5V_5AVicorModular Power Supplies GD5V5A5V5A PAC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5W-21P-NFLaird ConnectivityAntennas Grid,WireWB,195-30in ,NF
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+5506.82 грн
10+5155.73 грн
25+4424.39 грн
50+4277.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD5W-21P-NFLaird Technologies IASDescription: ANT GRID 21DBI 4.9-5.8G 30"N FEM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5W-25P-NFTE ConnectivityGrid,WireWB,195-30in,NF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5W-25P-NFTE Connectivity LairdDescription: RF ANT 5.4GHZ GRID N FEM BRK 30"
Packaging: Bulk
Mounting Type: Bracket Mount
Frequency Range: 4.94GHz ~ 5.85GHz
Applications: WiMax™, WLAN
Gain: 25dBi
Termination: N Type Female
Number of Bands: 1
VSWR: 1.5
Antenna Type: Parabolic Grid
Height (Max): 24.000" (609.60mm)
Frequency Group: SHF (f > 4GHz)
Frequency (Center/Band): 5.4GHz
RF Family/Standard: WiFi
Power - Max: 100 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5W-25P-NFLaird ConnectivityAntennas Grid,WireWB,195-30in ,NF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5W-28P-NFLaird ConnectivityAntennas Grid,WireWB,195-30in ,NF
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+6743.63 грн
10+6432.40 грн
25+5406.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD5W-28P-NFLaird Technologies IASDescription: ANT GRID 28DBI 4.9-5.8G 30"N FEM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5W-29FEEDTE Connectivity / Laird External AntennasAntennas FEED,WB,LRG,Wire Gri d
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5W-29FEEDTE ConnectivityFEED,WB,LRG,Wire Grid,4900-5850MHz,29dBi,NF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD5X125-B/BCheckers Industrial ProductsDescription: 5 CH GUARD DOG, CABLE PROTECTOR
Packaging: Box
Color: Black
Type: Cable Protector
Part Status: Active
Construction: Urethane
Height (Inches): 1.875
Length (Inches): 36
Width (Inches): 19.75
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+25557.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD5X125-O/BCheckers Industrial ProductsDescription: CABLE PROTECTOR, CHECKERS GUARD
Packaging: Box
Color: Orange Lid/Black Base
Type: Cable Protector
Part Status: Active
Construction: Urethane
Height (Inches): 1.875
Length (Inches): 36
Width (Inches): 19.75
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+21088.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD5X75-ST-O/BCheckers Industrial ProductsDescription: 5 CH GUARD DOG,LOW PROFILE
Packaging: Box
Color: Orange Lid/Black Base
Type: Cable Protector
Part Status: Active
Construction: Urethane
Height (Inches): 1.25
Length (Inches): 36
Width (Inches): 16.9
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+19493.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.