НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
GD50RELPOLCategory: Electromagnetic Relays - Accessories
Description: Socket; PIN: 8; 8A; 300VAC; RMB841,RMB851; PCB; for PCB; -40÷70°C
Mounting: PCB
Body dimensions: 31.5x13x9mm
Operating temperature: -40...70°C
Relay series: RM63; RM64; RM83; RM84; RM85; RM87L; RM87P; RM94
Leads: for PCB
Related items: RMB841; RMB851
OEM number: 2613510
Number of pins: 8
Current rating: 8A
Rated voltage: 300V AC
Type of relays accessories: socket
на замовлення 2778 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+138.69 грн
5+ 121.86 грн
10+ 88.63 грн
25+ 83.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
GD50Altech CorporationDescription: RELAY SOCKET DR FORPCB RM84RM85R
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+159.95 грн
Мінімальне замовлення: 20
GD50AltechRelay Sockets & Fixings Relay socket, dr, for PCB
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+185.34 грн
10+ 171.23 грн
20+ 132.27 грн
100+ 118.98 грн
260+ 105.69 грн
500+ 99.04 грн
1000+ 92.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
GD50
Код товару: 132797
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товар відсутній
GD50RELPOLCategory: Electromagnetic Relays - Accessories
Description: Socket; PIN: 8; 8A; 300VAC; RMB841,RMB851; PCB; for PCB; -40÷70°C
Mounting: PCB
Body dimensions: 31.5x13x9mm
Operating temperature: -40...70°C
Relay series: RM63; RM64; RM83; RM84; RM85; RM87L; RM87P; RM94
Leads: for PCB
Related items: RMB841; RMB851
OEM number: 2613510
Number of pins: 8
Current rating: 8A
Rated voltage: 300V AC
Type of relays accessories: socket
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2778 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+166.43 грн
5+ 151.86 грн
10+ 106.35 грн
25+ 100.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
GD500033Sunbank / SouriauCircular MIL Spec Backshells STS ASSEMBLY
товар відсутній
GD500076Sunbank / SouriauCircular MIL Spec Backshells STS ASSEMBLY
товар відсутній
GD500566Sunbank / SouriauCircular MIL Spec Backshells STS ASSEMBLY
товар відсутній
GD509CJ.08+ DIP
на замовлення 625 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD50FFX65C5SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Case: C5 45mm
Type of module: IGBT
Technology: Trench FS IGBT
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 650V
Collector current: 50A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
GD50FFX65C5SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Case: C5 45mm
Type of module: IGBT
Technology: Trench FS IGBT
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 650V
Collector current: 50A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
товар відсутній
GD50FFX65C5SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD50FFX65C5S - IGBT-Modul, Dreiphasen-Vollbrücke, 72 A, 1.45 V, 189 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 72A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 189W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 189W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Vollbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 72A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3933.32 грн
GD50FFY120C5SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Case: C5 45mm
Type of module: IGBT
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
товар відсутній
GD50FFY120C5SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD50FFY120C5S - IGBT-Modul, Dreiphasen-Vollbrücke, 85 A, 1.7 V, 292 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 85A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 292W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 292W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Vollbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 85A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4712.52 грн
GD50FFY120C5SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Case: C5 45mm
Type of module: IGBT
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
GD50FSX65L2SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD50FSX65L2S - IGBT-Modul, Sechserpack, 89 A, 1.45 V, 258 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 89A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 258W
Bauform - Transistor: Module
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Sechserpack
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2547.15 грн
5+ 2420.39 грн
GD50FSX65L2SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; Urmax: 650V; Ic: 50A; L2.1
Case: L2.1
Type of module: IGBT
Technology: Trench FS IGBT
Topology: IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 650V
Collector current: 50A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
GD50FSX65L2SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; Urmax: 650V; Ic: 50A; L2.1
Case: L2.1
Type of module: IGBT
Technology: Trench FS IGBT
Topology: IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 650V
Collector current: 50A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
товар відсутній
GD50FSY120L3SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; Urmax: 1200V; Ic: 50A; L3.2
Case: L3.2
Type of module: IGBT
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
товар відсутній
GD50FSY120L3SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD50FSY120L3S - IGBT-Modul, Sechserpack, 100 A, 1.7 V, 380 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 100A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: Module
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Sechserpack
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4318.07 грн
5+ 4102.58 грн
10+ 3800.59 грн
GD50FSY120L3SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; Urmax: 1200V; Ic: 50A; L3.2
Case: L3.2
Type of module: IGBT
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 16 шт
товар відсутній
GD50HFU120C1SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 50A
Case: C1 34mm
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 100A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Gate-emitter voltage: ±20V
товар відсутній
GD50HFU120C1SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD50HFU120C1S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 78 A, 3.15 V, 414 W, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: NPT IGBT [Standard]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.15
Dauer-Kollektorstrom: 78
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.15
Verlustleistung Pd: 414
Verlustleistung: 414
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
DC-Kollektorstrom: 78
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: To Be Advised
товар відсутній
GD50HFU120C1SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 50A
Case: C1 34mm
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 100A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 24 шт
товар відсутній
GD50HFU120C1SDSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD50HFU120C1SD - IGBT-MODUL, HALBBRÜCKE, 1.2KV, 82A
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 1104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2893.13 грн
5+ 2748.47 грн
10+ 2546.4 грн
50+ 2326.43 грн
100+ 2104.66 грн
GD50HFX170C1SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 50A
Case: C1 34mm
Type of module: IGBT
Technology: Trench FS IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.7kV
Collector current: 50A
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 24 шт
товар відсутній
GD50HFX170C1SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD50HFX170C1S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 100 A, 1.85 V, 418 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Dauer-Kollektorstrom: 100A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 418W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 418W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 100A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3172.75 грн
5+ 3014.67 грн
10+ 2793.21 грн
GD50HFX170C1SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 50A
Case: C1 34mm
Type of module: IGBT
Technology: Trench FS IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.7kV
Collector current: 50A
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
товар відсутній
GD50HFX65C1SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 50A
Case: C1 34mm
Type of module: IGBT
Technology: Trench FS IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 650V
Collector current: 50A
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
товар відсутній
GD50HFX65C1SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 50A
Case: C1 34mm
Type of module: IGBT
Technology: Trench FS IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 650V
Collector current: 50A
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
GD50HFX65C1SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD50HFX65C1S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 75 A, 1.45 V, 205 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 75A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 205W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 205W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 75A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2384.6 грн
5+ 2265.29 грн
10+ 2099.01 грн
GD50HHU120C5SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; H-bridge; Urmax: 1200V; screw
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Collector current: 50A
Case: C5 45mm
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: Press-in PCB
Topology: H-bridge
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
GD50HHU120C5SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD50HHU120C5S - IGBT-Modul, H-Brücke, 77 A, 2.9 V, 396 W, 125 °C, Module
IGBT-Technologie: NPT Ultra Fast IGBT
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.9
Dauer-Kollektorstrom: 77
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.9
Verlustleistung Pd: 396
Verlustleistung: 396
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
IGBT-Konfiguration: H-Brücke
DC-Kollektorstrom: 77
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4341.19 грн
GD50HHU120C5SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; H-bridge; Urmax: 1200V; screw
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Collector current: 50A
Case: C5 45mm
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: Press-in PCB
Topology: H-bridge
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
товар відсутній
GD50MPS12-CALGeneSiC Semiconductor1200V 50A Bare Chip SiC Schottky MPS, Waffle Pack/s
товар відсутній
GD50MPS12HGeneSiC SemiconductorSilicon Carbide Schottky Diode
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+1742.13 грн
10+ 1559.85 грн
25+ 1479.01 грн
50+ 1371.15 грн
100+ 1225.24 грн
500+ 1117.46 грн
Мінімальне замовлення: 7
GD50MPS12HGeneSiC SemiconductorSchottky Diodes & Rectifiers 1200V 50A TO-247-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 1232 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1136.85 грн
10+ 1020.47 грн
30+ 854.8 грн
120+ 808.27 грн
270+ 778.36 грн
510+ 756.42 грн
1020+ 751.11 грн
GD50MPS12HGeneSiC Semiconductor1200V 50A TO-247-2 SiC Schottky MPS
товар відсутній
GD50MPS12HGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE SIL CARB 1.2KV 92A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1835pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 92A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 1200 V
на замовлення 357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1046.9 грн
10+ 918.11 грн
25+ 884.24 грн
100+ 784.21 грн
250+ 756.01 грн
GD50MPS12HGeneSiC SemiconductorSilicon Carbide Schottky Diode
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1089.28 грн
10+ 989.61 грн
25+ 947.02 грн
100+ 858.16 грн
250+ 759.94 грн
500+ 703.55 грн
GD50MPS12HGeneSiC SemiconductorSilicon Carbide Schottky Diode
товар відсутній
GD50MPS12HGeneSiC SemiconductorSilicon Carbide Schottky Diode
товар відсутній
GD50PIT120C6S
Код товару: 144882
Транзистори > IGBT
товар відсутній
GD50PIX120C6S
Код товару: 194384
Транзистори > IGBT
товар відсутній
GD50PIX65C5SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD50PIX65C5S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 72 A, 1.45 V, 148 W, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45
Verlustleistung Pd: 148
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650
Anzahl der Pins: 24
Produktpalette: -
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
Wandlerpolarität: Siebenfach N-Kanal
DC-Kollektorstrom: 72
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товар відсутній
GD50PIX65C5SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 50A
Case: C5 45mm
Type of module: IGBT
Technology: Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Semiconductor structure: diode/transistor
Max. off-state voltage: 650V
Collector current: 50A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
товар відсутній
GD50PIX65C5SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 50A
Case: C5 45mm
Type of module: IGBT
Technology: Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Semiconductor structure: diode/transistor
Max. off-state voltage: 650V
Collector current: 50A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
GD50PIY120C5SNSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; screw
Case: C5 45mm
Type of module: IGBT
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Semiconductor structure: diode/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
товар відсутній
GD50PIY120C5SNSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; screw
Case: C5 45mm
Type of module: IGBT
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Semiconductor structure: diode/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 12 шт
товар відсутній
GD50PIY120C5SNSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD50PIY120C5SN - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 85 A, 1.7 V, 292 W, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7
Dauer-Kollektorstrom: 85
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7
Verlustleistung Pd: 292
Verlustleistung: 292
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
DC-Kollektorstrom: 85
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товар відсутній
GD50PIY120C6SNSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; screw
Case: C6 62mm
Type of module: IGBT
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Semiconductor structure: diode/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 10 шт
товар відсутній
GD50PIY120C6SNSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD50PIY120C6SN - IGBT-Modul, PIM, 62 A, 1.7 V, 218 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 62A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 218W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 218W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 62A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6672.84 грн
GD50PIY120C6SNSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; screw
Case: C6 62mm
Type of module: IGBT
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Semiconductor structure: diode/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
товар відсутній
GD50PJX65L3SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 50A
Case: L3.0
Type of module: IGBT
Technology: Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Semiconductor structure: diode/transistor
Max. off-state voltage: 650V
Collector current: 50A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
товар відсутній
GD50PJX65L3SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 50A
Case: L3.0
Type of module: IGBT
Technology: Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Semiconductor structure: diode/transistor
Max. off-state voltage: 650V
Collector current: 50A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
GD50PJX65L3SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD50PJX65L3S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 91 A, 1.45 V, 264 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 91A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 264W
Bauform - Transistor: Module
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3699.18 грн
5+ 3514.26 грн
10+ 3256.26 грн
GD52R090NBThinking Electronics Industrial Co.Description: Gas Discharge Tube 2-Electrodes
Packaging: Bag
Tolerance: ±20%
Package / Case: Cylinder No Lead
Mounting Type: User Defined
Voltage - DC Spark Over (Nom): 90 V
Impulse Discharge Current (8/20µs): 5000A (5kA)
Fail Short: No
Part Status: Active
Number of Poles: 2
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+161.78 грн
5+ 148.86 грн
10+ 137.09 грн
15+ 120.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
GD53-21Laird Technologies IASDescription: ANT GRID 21DBI 5.1-5.3GHZ N FEM
товар відсутній
GD53-21LairdAntennas Grid,Wire,Fixed,NF
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
GD53-25LairdAntennas Grid,Wire,Fixed,NF
товар відсутній
GD53-25Laird Technologies IASDescription: ANT GRID 25DBI 5.1-5.3GHZ N FEM
товар відсутній
GD53-28Laird Technologies IASDescription: ANT GRID 28DBI 5.1-5.3GHZ N FEM
товар відсутній
GD53-28LairdAntennas Grid,Wire,Fixed,NF
товар відсутній
GD5401T-41QC-A-TAB1A.08+ QFP
на замовлення 625 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD5401T-41QCA-TAB1ACIRRUSQFP-128
на замовлення 8098 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD5425-TVQC-B-AEW1P
на замовлення 192 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD5429-86QC-C
на замовлення 2186 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD5430NEC95+
на замовлення 1773 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD5434-QCQFP
на замовлення 47 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD5434-QC95
на замовлення 47 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD544601+
на замовлення 95 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD5465-HC-C-00001
на замовлення 1192 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD5465-HC-C-00005
на замовлення 616 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD55B01GEFIRRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: 1GBIT, 3.3V, SOP16 300MIL, INDUS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 133 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 16-SOP
Part Status: Active
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI, DTR
Memory Organization: 128M x 8
товар відсутній
GD55B01GEFIRRGigaDeviceNOR Flash
на замовлення 726 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+898.78 грн
10+ 820.97 грн
25+ 697.27 грн
100+ 610.86 грн
250+ 604.21 грн
1000+ 533.75 грн
GD55B01GEFIRRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: 1GBIT, 3.3V, SOP16 300MIL, INDUS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 133 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 16-SOP
Part Status: Active
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI, DTR
Memory Organization: 128M x 8
на замовлення 909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+827.59 грн
10+ 737.95 грн
25+ 721.22 грн
50+ 673.2 грн
100+ 592.63 грн
250+ 563.22 грн
500+ 548.44 грн
GD55B02GEBIRYGigaDeviceNOR Flash
товар відсутній
GD55LB02GEBIRYGigaDeviceNOR Flash
товар відсутній
GD55LB02GEBJRYGigaDeviceNOR Flash
товар відсутній
GD55LT512WEFIRRGigaDeviceNOR Flash
товар відсутній
GD55LX01GEB2RYGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: LINEAR IC
Packaging: Tray
Package / Case: 24-TBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 2V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 24-TFBGA (6x8)
Memory Interface: SPI - Octal I/O, DTR
Memory Organization: 128M x 8
товар відсутній
GD55LX01GEB2RYGigaDeviceNOR Flash
товар відсутній
GD55LX01GEBIRYGigaDeviceNOR Flash
товар відсутній
GD55LX01GEBIRYGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: LINEAR IC
Packaging: Tray
Package / Case: 24-TBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 2V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 24-TFBGA (6x8)
Memory Interface: SPI - Octal I/O, DTR
Memory Organization: 128M x 8
товар відсутній
GD55LX01GEFIRRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: 1GBIT, 1.8V, SOP16 300MIL, INDUS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Voltage - Supply: 1.65V ~ 2V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 16-SOP
Part Status: Active
Memory Interface: SPI - Octal I/O, DTR
Memory Organization: 128M x 8
на замовлення 991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1177.04 грн
10+ 1049.46 грн
25+ 1035.21 грн
50+ 959.3 грн
100+ 840.7 грн
250+ 804.65 грн
500+ 786.31 грн
GD55LX01GEFIRRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: 1GBIT, 1.8V, SOP16 300MIL, INDUS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Voltage - Supply: 1.65V ~ 2V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 16-SOP
Part Status: Active
Memory Interface: SPI - Octal I/O, DTR
Memory Organization: 128M x 8
товар відсутній
GD55LX01GEFIRRGigaDeviceNOR Flash
товар відсутній
GD55SFantechDescription: STEEL DEHUMIDIFIER, 101 PINTS
Packaging: Box
Color: Black
Voltage: 115V
Material: Steel
Frequency: 60Hz
Temperature Range: 40 ~ 95°F
Weight: 50 lbs
Height: 21"
Approval Agency: cCSAus
Part Status: Active
Current Rating (Amps): 6.8
Depth: 18"
Width (Inches): 13-1/2
Air Flow - High: 325 CFM
Coverage Square Feet: 5500
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+55430.82 грн
GD55WB512MEYIGYGigaDeviceNOR Flash
товар відсутній
GD56V64164TC-5TPGIGADEVLCE07+ TSOPII54
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD56V64164TC-5TPGIGADEVLCETSOPII54 07+
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD56V64164TC-6TPGIGADEVLCETSOPII54 07+
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD56V64164TC-6TPGIGADEVLCE07+ TSOPII54
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD56V64164TC-7TPGIGADEVLCETSOPII54 07+
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD56V64164TC-7TPGIGADEVLCE07+ TSOPII54
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD57-21Laird Technologies IASDescription: ANT GRID 21DBI 5.4-5.7GHZ N FEM
товар відсутній
GD57-21LairdAntennas Grid,Wire,Fixed,NF
товар відсутній
GD57-25LairdAntennas Grid,Wire,Fixed,NF
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
GD57-25Laird Technologies IASDescription: ANT GRID 25DBI 5.4-5.7GHZ N FEM
товар відсутній
GD57-28LairdAntennas Grid,Wire,Fixed,NF
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
GD57-28Laird Technologies IASDescription: ANT GRID 28DBI 5.4-5.7GHZ N FEM
товар відсутній
GD58-22Laird Technologies IASDescription: ANT GRID 22DBI 5.8GHZ N FEMALE
товар відсутній
GD58-22LairdAntennas Grid,Wire,Fixed,NF
товар відсутній
GD58-26LairdAntennas Grid,Wire,Fixed,NF
товар відсутній
GD58-26Laird Technologies IASDescription: ANT GRID 26DBI 5.8GHZ N FEMALE
товар відсутній
GD58-26-FEEDTE Connectivity / Laird External AntennasAntennas FEED,MED,Wire Grid
товар відсутній
GD58-29Laird Technologies IASDescription: ANT GRID 29DBI 5.8GHZ N FEMALE
товар відсутній
GD58-29LairdAntennas Grid,Wire,Fixed,NF
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
GD58-29-FEEDLairdAntennas FEED,LRG,Wire Grid
товар відсутній
GD5F1GQ4REFIGRGigaDeviceNAND Flash
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
GD5F1GQ4RF9IGRGigaDeviceNAND Flash 1Gbit SPI NAND Flash /1.8V /WSON 8*6 /Industrial(-40? to +85?) /T&R
товар відсутній
GD5F1GQ4RF9IGRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD I/O 8LGA
товар відсутній
GD5F1GQ4RF9IGRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD I/O 8LGA
товар відсутній
GD5F1GQ4RF9IGYGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD I/O 8LGA
товар відсутній
GD5F1GQ4RF9IGYGigaDeviceNAND Flash 1Gbit SPI NAND Flash /1.8V /WSON 8*6 /Industrial(-40? to +85?) /Tray
товар відсутній
GD5F1GQ4UEFIGRGigaDeviceNAND Flash
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
GD5F1GQ4UEYIGRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 8WSON
товар відсутній
GD5F1GQ4UEYIGRGigaDeviceNAND Flash 1Gbit SPI NAND Flash /3.3V /WSON 8*6 /Industrial(-40? to +85?) /T&R
товар відсутній
GD5F1GQ4UEYIGYGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 8WSON
товар відсутній
GD5F1GQ4UEYIGYGigaDeviceNAND Flash 1Gbit SPI NAND Flash /3.3V /WSON 8*6 /Industrial(-40? to +85?) /Tray
товар відсутній
GD5F1GQ4UEYIHRGigaDeviceNAND Flash
товар відсутній
GD5F1GQ4UEYIHYGigaDeviceNAND Flash
товар відсутній
GD5F1GQ4UFYIGRGigaDeviceNAND Flash 1Gbit SPI NAND Flash /3.3V /WSON 8*6 /Industrial(-40? to +85?) /T&R
товар відсутній
GD5F1GQ4UFYIGRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 8WSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NAND
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 700µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Memory Organization: 128M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 12249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+348.01 грн
10+ 303.82 грн
25+ 297.23 грн
50+ 277.43 грн
100+ 248.76 грн
250+ 247.85 грн
500+ 234.88 грн
1000+ 223.3 грн
GD5F1GQ4UFYIGRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 8WSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NAND
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 700µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Memory Organization: 128M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+238.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
GD5F1GQ4UFYIGYGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 8WSON
товар відсутній
GD5F1GQ4UFYIGYGigaDeviceNAND Flash 1Gbit SPI NAND Flash /3.3V /WSON 8*6 /Industrial(-40? to +85?) /Tray
товар відсутній
GD5F1GQ5REWIGRGigaDeviceNAND Flash
товар відсутній
GD5F1GQ5REWIGYGigaDeviceNAND Flash
товар відсутній
GD5F1GQ5REYIGRGigaDeviceNAND Flash
на замовлення 2586 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+272.97 грн
10+ 244.61 грн
100+ 185.45 грн
250+ 184.79 грн
500+ 178.14 грн
3000+ 150.22 грн
6000+ 145.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
GD5F1GQ5REYIGYGigaDeviceNAND Flash
товар відсутній
GD5F1GQ5REYIHRGigaDeviceNAND Flash
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
GD5F1GQ5REYIHYGigaDeviceNAND Flash
товар відсутній
GD5F1GQ5UEBIGYGigaDeviceNAND Flash
товар відсутній
GD5F1GQ5UEYIGRGigaDevice SemiconductorGD5F1GQ5UEYIGR
товар відсутній
GD5F1GQ5UEYIGRGigaDeviceNAND Flash
на замовлення 2523 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+265.21 грн
10+ 237.73 грн
100+ 180.8 грн
250+ 180.13 грн
500+ 172.82 грн
3000+ 146.23 грн
6000+ 141.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
GD5F1GQ5UEYIGYGigaDeviceNAND Flash
на замовлення 4618 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+265.21 грн
10+ 237.73 грн
100+ 180.8 грн
250+ 180.13 грн
500+ 172.82 грн
1000+ 164.18 грн
2500+ 156.2 грн
Мінімальне замовлення: 2
GD5F1GQ5UEYIHRGigaDeviceNAND Flash
на замовлення 4646 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+265.21 грн
10+ 237.73 грн
100+ 180.8 грн
250+ 180.13 грн
500+ 172.82 грн
3000+ 146.23 грн
6000+ 141.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
GD5F1GQ5UEYIHYGigaDeviceNAND Flash
товар відсутній
GD5F2GM7REWIGYGigaDeviceNAND Flash
товар відсутній
GD5F2GM7REWIGYGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: LINEAR IC
Packaging: Tray
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 104 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (5x6)
Write Cycle Time - Word, Page: 600µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O, DTR
Access Time: 9 ns
Memory Organization: 512M x 4
товар відсутній
GD5F2GM7REYIGYGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: LINEAR IC
Packaging: Tray
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 104 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 600µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O, DTR
Access Time: 9 ns
Memory Organization: 512M x 4
товар відсутній
GD5F2GM7REYIGYGigaDeviceNAND Flash
товар відсутній
GD5F2GM7UEWIGYGigaDeviceNAND Flash
товар відсутній
GD5F2GM7UEWIGYGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: LINEAR IC
Packaging: Tray
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 133 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (5x6)
Write Cycle Time - Word, Page: 600µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O, DTR
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 256M x 8
товар відсутній
GD5F2GM7UEYIGYGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: LINEAR IC
Packaging: Tray
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 133 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 600µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O, DTR
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 256M x 8
товар відсутній
GD5F2GM7UEYIGYGigaDeviceNAND Flash
товар відсутній
GD5F2GQ4RF9IGRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 2GBIT SPI/QUAD I/O 8LGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VLGA Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: FLASH - NAND
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-LGA (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 700µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Memory Organization: 256M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
GD5F2GQ4RF9IGYGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 2GBIT SPI/QUAD I/O 8LGA
Packaging: Tray
Package / Case: 8-VLGA Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: FLASH - NAND
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-LGA (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 700µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Memory Organization: 256M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
GD5F2GQ4UEYIGRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 2GBIT SPI/QUAD 8WSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NAND
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 700µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Memory Organization: 256M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
GD5F2GQ4UEYIGYGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 2GBIT SPI/QUAD 8WSON
Packaging: Tray
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NAND
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 700µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Memory Organization: 256M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
GD5F2GQ4UF9IGRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 2GBIT SPI/QUAD I/O 8LGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VLGA Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NAND
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-LGA (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 700µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Memory Organization: 256M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
GD5F2GQ4UFYIGYGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 2GBIT SPI/QUAD 8WSON
Packaging: Tray
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NAND
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 700µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Memory Organization: 256M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
GD5F2GQ5REY2GYGigaDeviceNAND Flash
товар відсутній
GD5F2GQ5REY2GYGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: LINEAR IC
Packaging: Tray
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 80 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 600µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O, DTR
Access Time: 11 ns
Memory Organization: 512M x 4
товар відсутній
GD5F2GQ5REYIGRGigaDeviceNAND Flash
товар відсутній
GD5F2GQ5REYIGRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: LINEAR IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 80 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 600µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 11 ns
Memory Organization: 256M x 8
товар відсутній
GD5F2GQ5REYIGYGigaDeviceNAND Flash
товар відсутній
GD5F2GQ5REYIGYGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: LINEAR IC
Packaging: Tray
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 80 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 600µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 11 ns
Memory Organization: 256M x 8
товар відсутній
GD5F2GQ5REYIHRGigaDeviceNAND Flash
товар відсутній
GD5F2GQ5REYIHRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: LINEAR IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 80 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 600µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI, DTR
Access Time: 11 ns
Memory Organization: 512M x 4
товар відсутній
GD5F2GQ5REYIHYGigaDeviceNAND Flash
товар відсутній
GD5F2GQ5REYIHYGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: LINEAR IC
Packaging: Tray
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 80 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 600µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI, DTR
Access Time: 11 ns
Memory Organization: 512M x 4
товар відсутній
GD5F2GQ5REYJGRGigaDeviceNAND Flash
товар відсутній
GD5F2GQ5REYJGRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: LINEAR IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 80 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 600µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 11 ns
Memory Organization: 256M x 8
товар відсутній
GD5F2GQ5RFBIGYGigaDeviceNAND Flash
товар відсутній
GD5F2GQ5RFBIGYGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: LINEAR IC
Packaging: Tray
товар відсутній
GD5F2GQ5RFYIGYGigaDeviceNAND Flash
товар відсутній
GD5F2GQ5RFYIGYGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: LINEAR IC
Packaging: Tray
товар відсутній
GD5F2GQ5RFZIGYGigaDeviceNAND Flash
товар відсутній
GD5F2GQ5RFZIGYGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: LINEAR IC
Packaging: Tray
товар відсутній
GD5F2GQ5UEBIGYGigaDeviceNAND Flash
товар відсутній
GD5F2GQ5UEBIGYGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: LINEAR IC
Packaging: Tray
Package / Case: 24-TBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 104 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 24-TFBGA (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 600µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 9 ns
Memory Organization: 256M x 8
товар відсутній
GD5F2GQ5UEY2GYGigaDeviceNAND Flash
товар відсутній
GD5F2GQ5UEY2GYGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: LINEAR IC
Packaging: Tray
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 104 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 600µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O, DTR
Access Time: 9 ns
Memory Organization: 256M x 8
товар відсутній
GD5F2GQ5UEYIGRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: LINEAR IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 104 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 600µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 9 ns
Memory Organization: 256M x 8
товар відсутній
GD5F2GQ5UEYIGRGigaDeviceNAND Flash
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+431.17 грн
10+ 388.32 грн
100+ 295.12 грн
250+ 293.8 грн
500+ 277.84 грн
3000+ 236.63 грн
GD5F2GQ5UEYIGYGigaDeviceNAND Flash
товар відсутній
GD5F2GQ5UEYIGYGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: LINEAR IC
Packaging: Tray
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 104 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 600µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 9 ns
Memory Organization: 256M x 8
товар відсутній
GD5F2GQ5UEYIHRGigaDeviceNAND Flash
товар відсутній
GD5F2GQ5UEYIHRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: LINEAR IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 104 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 600µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI, DTR
Access Time: 9 ns
Memory Organization: 512M x 4
товар відсутній
GD5F2GQ5UEYIHYGigaDeviceNAND Flash
товар відсутній
GD5F2GQ5UEYIHYGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: LINEAR IC
Packaging: Tray
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 104 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 600µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI, DTR
Access Time: 9 ns
Memory Organization: 512M x 4
товар відсутній
GD5F2GQ5UEYJGRGigaDeviceNAND Flash
товар відсутній
GD5F2GQ5UEYJGRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: LINEAR IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 104 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 600µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 9 ns
Memory Organization: 256M x 8
товар відсутній
GD5F2GQ5UEZIGYGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: LINEAR IC
Packaging: Tray
Package / Case: 24-TBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 104 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 24-TFBGA (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 600µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 9 ns
Memory Organization: 256M x 8
товар відсутній
GD5F2GQ5UEZIGYGigaDeviceNAND Flash
товар відсутній
GD5F2GQ5UFYIGRGigaDeviceNAND Flash
товар відсутній
GD5F2GQ5UFYIGRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: LINEAR IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
товар відсутній
GD5F4GM8REWIGRGigaDeviceNAND Flash
товар відсутній
GD5F4GM8REWIGYGigaDeviceNAND Flash
товар відсутній
GD5F4GM8REYIGRGigaDeviceNAND Flash
товар відсутній
GD5F4GM8REYIGYGigaDeviceNAND Flash
товар відсутній
GD5F4GM8UEWIGRGigaDeviceNAND Flash
товар відсутній
GD5F4GM8UEWIGYGigaDeviceNAND Flash
товар відсутній
GD5F4GM8UEYIGRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: LINEAR IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 133 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 600µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O, DTR
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 1G x 4
товар відсутній
GD5F4GM8UEYIGRGigaDeviceNAND Flash
товар відсутній
GD5F4GM8UEYIGYGigaDeviceNAND Flash
товар відсутній
GD5F4GM8UEYIGYGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: LINEAR IC
Packaging: Tray
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 133 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 600µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O, DTR
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 1G x 4
товар відсутній
GD5F4GQ4RBYIGRGigaDeviceNAND Flash
товар відсутній
GD5F4GQ6RFYIGRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: SPI NAND FLASH 4GB WSON8
товар відсутній
GD5F4GQ6RFYIGRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: SPI NAND FLASH 4GB WSON8
товар відсутній
GD5F4GQ6RFYIGRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: SPI NAND FLASH 4GB WSON8
товар відсутній
GD5V_20ATV2-0001VicorModular Power Supplies GD50A50A
товар відсутній
GD5V_5A-5V_5AVicorModular Power Supplies GD5V5A5V5A PAC
товар відсутній
GD5W-21P-NFLaird Technologies IASDescription: ANT GRID 21DBI 4.9-5.8G 30"N FEM
товар відсутній
GD5W-21P-NFLaird ConnectivityAntennas Grid,WireWB,195-30in ,NF
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4975.47 грн
10+ 4658.25 грн
25+ 3997.48 грн
50+ 3864.54 грн
GD5W-25P-NFLaird ConnectivityAntennas Grid,WireWB,195-30in ,NF
товар відсутній
GD5W-25P-NFTE Connectivity LairdDescription: RF ANT 5.4GHZ GRID N FEM BRK 30"
Packaging: Bulk
Mounting Type: Bracket Mount
Frequency Range: 4.94GHz ~ 5.85GHz
Applications: WiMax™, WLAN
Gain: 25dBi
Termination: N Type Female
Number of Bands: 1
VSWR: 1.5
Antenna Type: Parabolic Grid
Height (Max): 24.000" (609.60mm)
Frequency Group: SHF (f > 4GHz)
Frequency (Center/Band): 5.4GHz
RF Family/Standard: WiFi
Power - Max: 100 W
товар відсутній
GD5W-25P-NFTE ConnectivityGrid,WireWB,195-30in,NF
товар відсутній
GD5W-28P-NFLaird Technologies IASDescription: ANT GRID 28DBI 4.9-5.8G 30"N FEM
товар відсутній
GD5W-28P-NFLaird ConnectivityAntennas Grid,WireWB,195-30in ,NF
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+6092.93 грн
10+ 5811.73 грн
25+ 4884.85 грн
GD5W-29FEEDLairdAntennas FEED,WB,LRG,Wire Gri d
товар відсутній
GD5W-29FEEDTE ConnectivityFEED,WB,LRG,Wire Grid,4900-5850MHz,29dBi,NF
товар відсутній
GD5X125-B/BCheckers Industrial ProductsDescription: 5 CH GUARD DOG, CABLE PROTECTOR
Packaging: Box
Color: Black
Type: Cable Protector
Part Status: Active
Construction: Urethane
Height (Inches): 1.875
Length (Inches): 36
Width (Inches): 19.75
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+23091.38 грн
GD5X125-O/BCheckers Industrial ProductsDescription: CABLE PROTECTOR, CHECKERS GUARD
Packaging: Box
Color: Orange Lid/Black Base
Type: Cable Protector
Part Status: Active
Construction: Urethane
Height (Inches): 1.875
Length (Inches): 36
Width (Inches): 19.75
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+19054.08 грн
GD5X75-ST-O/BCheckers Industrial ProductsDescription: 5 CH GUARD DOG,LOW PROFILE
Packaging: Box
Color: Orange Lid/Black Base
Type: Cable Protector
Part Status: Active
Construction: Urethane
Height (Inches): 1.25
Length (Inches): 36
Width (Inches): 16.9
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+17612.44 грн