Продукція > GS-

Обрати Сторінку:   1 2 3 4 5  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
GS--R400VEUPECMODULE
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GS-010-120-1-P-E01-MRInfineon TechnologiesGaN FETs 100V, 120A, GaN E-mode, GaNPX package, Bottom-side cooled
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GS-010-120-1-TGaN SystemsRF MOSFET Transistors 100V, 120A, E-Mode GaN, Top-side Cooled
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GS-010-120-1-T-E01GaN SystemsMOSFET 100V, 120A, E-Mode GaN, Top-side Cooled
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GS-0150400Smiths Interconnect / IDISmiths Connectors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GS-050Global SpecialtiesABS Plastic 50 Tie Point Breadboard
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GS-060Global SpecialtiesDescription: BREADBRD DISTI STRIP 4X0.69" 2PC
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+233.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS-060Global SpecialtiesPCBs & Breadboards 4X.375 60 Tie Points 12 Term Clips
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-004-1-LGaN SystemsMOSFET 650V, 4A, GaN E-HEMT, 5x6 PDFN, Bottom-side cooled
на замовлення 2677 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-004-1-L-MR
Код товару: 195374
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-004-1-L-MRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS-065-004-1-L-MR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 570mOhm @ 1.2A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-004-1-L-MRInfineon TechnologiesGaN FETs 650V, 4A, GaN E-mode, 5x6 PDFN, Bottom-side cooled
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-004-1-L-MRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS-065-004-1-L-MR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 570mOhm @ 1.2A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-004-1-L-TRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS-065-004-1-L-TR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 570mOhm @ 1.2A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-004-1-L-TRInfineon TechnologiesGaN FETs 650V, 4A, GaN E-mode, 5x6 PDFN, Bottom-side cooled
на замовлення 4100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-004-6-L-MRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS-065-004-6-L-MR
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 6 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 455mOhm @ 1.2A, 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+274.34 грн
10+172.85 грн
100+138.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-004-6-L-MRGaN Systems IncGS-065-004-6-L-MR
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-004-6-L-MRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS-065-004-6-L-MR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 455mOhm @ 1.2A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26 pF @ 400 V
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+122.23 грн
500+108.89 грн
750+101.34 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-004-6-L-MRInfineon TechnologiesGaN FETs LEGACY GAN SYSTEMS
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-004-6-L-TRInfineon TechnologiesMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-004-6-L-TRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS-065-004-6-L-TR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 455mOhm @ 1.2A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-008-1-LGaN SystemsMOSFET 650V, 8A, GaN E-HEMT, 5x6 PDFN, Bottom-side cooled
на замовлення 2341 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-008-1-L-MRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS-065-008-1-L-MR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 2.2A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 1.74mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-008-1-L-MRInfineon TechnologiesGaN FETs LEGACY GAN SYSTEMS
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-008-1-L-MRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS-065-008-1-L-MR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 2.2A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 1.74mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-008-1-L-TRInfineon TechnologiesGaN FETs 650V, 8A, GaN E-mode, 5x6 PDFN, Bottom-side cooled
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-008-1-L-TRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS-065-008-1-L-TR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 2.2A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 1.74mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-008-6-L-MRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS-065-008-6-L-MR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 2.2A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1.7mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 54 pF @ 400 V
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+188.50 грн
500+177.53 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-008-6-L-MRInfineon TechnologiesGaN FETs LEGACY GAN SYSTEMS
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-008-6-L-MRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS-065-008-6-L-MR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 2.2A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1.7mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 54 pF @ 400 V
на замовлення 942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+396.61 грн
10+267.72 грн
100+199.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-008-6-L-MRGaN Systems IncGS-065-008-6-L-MR
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-008-6-L-TRInfineon TechnologiesMOSFETs
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-008-6-L-TRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS-065-008-6-L-TR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 2.2A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1.7mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 54 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-011-1-LGaN SystemsMOSFET 650V, 11A, GaN E-HEMT, 5x6 PDFN, Bottom-side cooled
на замовлення 4789 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-011-1-L-MRGaN Systems IncTrans MOSFET N-CH GaN 650V 11A 7-Pin PDFN EP
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+367.73 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-011-1-L-MRInfineon TechnologiesGaN FETs LEGACY GAN SYSTEMS
на замовлення 2537 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-011-1-L-MRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS-065-011-1-L-MR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 3.2A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 2.4mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 400 V
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+502.43 грн
10+327.05 грн
100+238.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-011-1-L-MRGaN Systems IncTrans MOSFET N-CH GaN 650V 11A 7-Pin PDFN EP
на замовлення 62000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+240.44 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-011-1-L-MRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS-065-011-1-L-MR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 3.2A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 2.4mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-011-1-L-TRInfineon TechnologiesGaN FETs LEGACY GAN SYSTEMS
на замовлення 2083 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-011-1-L-TRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS-065-011-1-L-TR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 3.2A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 2.4mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-011-2-L-MRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS-065-011-2-L-MR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 3.2A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 2.4mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 400 V
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+434.23 грн
10+280.48 грн
100+202.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-011-2-L-MRGaN Systems IncTrans MOSFET N-CH GaN 650V 11A 8-Pin PDFN EP
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+259.30 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-011-2-L-MRInfineon TechnologiesGaN FETs LEGACY GAN SYSTEMS
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-011-2-L-MRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS-065-011-2-L-MR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 3.2A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 2.4mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-011-2-L-MRGaN Systems IncTrans MOSFET N-CH GaN 650V 11A 8-Pin PDFN EP
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+386.59 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-011-2-L-TRInfineon TechnologiesGaN FETs LEGACY GAN SYSTEMS
на замовлення 3081 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-011-2-L-TRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS-065-011-2-L-TR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 3.2A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 2.4mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-011-6-L-MRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS-065-011-6-L-MR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 3.2A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 2.4mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-011-6-L-MRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS-065-011-6-L-MR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 3.2A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 2.4mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-011-6-L-MRInfineon TechnologiesGaN FETs LEGACY GAN SYSTEMS
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-011-6-L-TRInfineon TechnologiesGaN FETs LEGACY GAN SYSTEMS
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-011-6-L-TRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS-065-011-6-L-TR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 3.2A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 2.4mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-011-6-LR-MRInfineon TechnologiesGaN FETs LEGACY GAN SYSTEMS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-011-6-LR-MRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS-065-011-6-LR-MR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 3.2A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 2.4mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 400 V
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+204.57 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-011-6-LR-MRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS-065-011-6-LR-MR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 3.2A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 2.4mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 400 V
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+426.40 грн
10+288.40 грн
100+216.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-011-6-LR-TRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS-065-011-6-LR-TR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 3.2A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 2.4mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-011-6-LR-TRGaN SystemsMOSFETs
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-014-6-L-MRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS-065-014-6-L-MR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 138mOhm @ 4A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 3mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-014-6-L-MRInfineon TechnologiesGaN FETs CoolGaN Transistor 700 V G4 for ultimate efficiency and reliability
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-014-6-L-MRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS-065-014-6-L-MR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 138mOhm @ 4A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 3mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-014-6-L-TRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS-065-014-6-L-TR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 138mOhm @ 4A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 3mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-014-6-L-TRGaN SystemsMOSFETs
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-014-6-LR-MRInfineon TechnologiesGaN FETs CoolGaN Transistor 700 V G4 for ultimate efficiency and reliability
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-014-6-LR-MRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS-065-014-6-LR-MR
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 3mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 138mOhm @ 4A, 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 6 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Vgs (Max): +7V, -10V
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+532.99 грн
10+364.71 грн
100+276.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-014-6-LR-MRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS-065-014-6-LR-MR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 138mOhm @ 4A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 3mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-014-6-LR-TRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS-065-014-6-LR-TR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 138mOhm @ 4A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 3mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-014-6-LR-TRGaN SystemsMOSFETs
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-018-2-L-MRGaN Systems IncGS-065-018-2-L-MR
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+456.46 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-018-2-L-MRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS-065-018-2-L-MR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 5.5A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 4.8mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 132 pF @ 400 V
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+707.78 грн
10+467.36 грн
100+352.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-018-2-L-MRGaN Systems IncGS-065-018-2-L-MR
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+456.46 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-018-2-L-MRInfineon TechnologiesGaN FETs LEGACY GAN SYSTEMS
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-018-2-L-MRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS-065-018-2-L-MR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 5.5A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 4.8mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 132 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-018-2-L-MRGaN Systems IncGS-065-018-2-L-MR
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+570.45 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-018-2-L-TRInfineon TechnologiesGaN FETs LEGACY GAN SYSTEMS
на замовлення 324 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-018-2-L-TRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS-065-018-2-L-TR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 5.5A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 4.8mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 132 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-018-6-LR-MRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS-065-018-6-LR-MR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5.5A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 4.8mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 132 pF @ 400 V
на замовлення 325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+649.78 грн
10+448.27 грн
100+344.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-018-6-LR-MRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS-065-018-6-LR-MR
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 4.8mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5.5A, 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 132 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2 nC @ 6 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+348.43 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-018-6-LR-MRInfineon TechnologiesGaN FETs CoolGaN Transistor 700 V G4 for ultimate efficiency and reliability
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-018-6-LR-TRGaN SystemsMOSFETs
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-018-6-LR-TRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS-065-018-6-LR-TR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5.5A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 4.8mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 132 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-030-2-L-MRInfineon TechnologiesDescription: GS-065-030-2-L-MR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 5.5A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 7.5mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 400 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+393.41 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-030-2-L-MRGaN Systems IncTrans MOSFET N-CH GaN 650V 30A 8-Pin PDFN EP T/R
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+1041.90 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-030-2-L-MRInfineon TechnologiesDescription: GS-065-030-2-L-MR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 5.5A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 7.5mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 400 V
на замовлення 567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+812.82 грн
10+578.24 грн
100+537.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-030-2-L-MRInfineon TechnologiesGaN FETs LEGACY GAN SYSTEMS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-030-2-L-TRGaN Systems IncTrans MOSFET N-CH GaN 850V 30A 8-Pin PDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+443.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-030-2-L-TRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS-065-030-2-L-TR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 5.5A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 7.5mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-030-2-L-TR---GS-065-030-2-L-TR MOSFET 650V, 30A, GaN E-mode Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-030-2-L-TRInfineon TechnologiesGaN FETs LEGACY GAN SYSTEMS
на замовлення 2967 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-030-6-LL-MRInfineon TechnologiesGaN FETs LEGACY GAN SYSTEMS
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-030-6-LL-MRInfineon TechnologiesGS-065-030-6-LL-MR
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+856.13 грн
23+628.46 грн
100+550.76 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-030-6-LL-MRGaN Systems IncGS-065-030-6-LL-MR
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-030-6-LL-TRGaN SystemsMOSFETs
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-030-6-LL-TRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS-065-030-6-LL-TR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 5.5A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 7.5mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-030-6-LR-MRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS-065-030-6-LR-MR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 5.5A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 7.5mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 400 V
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+935.09 грн
10+656.29 грн
100+531.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-030-6-LR-MRInfineon TechnologiesGaN FETs LEGACY GAN SYSTEMS
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-030-6-LR-MRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS-065-030-6-LR-MR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 5.5A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 7.5mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-030-6-LR-TRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS-065-030-6-LR-TR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 5.5A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 7.5mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-030-6-LR-TRGaN SystemsMOSFETs
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-030-6-LT-MRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS-065-030-6-LT-MR
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2 3 4 5  [ Наступна Сторінка >> ]