Продукція > GS-

Обрати Сторінку:   1 2 3 4 5  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
GS--R400VEUPECMODULE
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GS-010-120-1-P-E01-MRInfineon TechnologiesGaN FETs 100V, 120A, GaN E-mode, GaNPX package, Bottom-side cooled
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GS-010-120-1-TGaN SystemsRF MOSFET Transistors 100V, 120A, E-Mode GaN, Top-side Cooled
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GS-010-120-1-T-E01GaN SystemsMOSFET 100V, 120A, E-Mode GaN, Top-side Cooled
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GS-0150400Smiths Interconnect / IDISmiths Connectors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GS-050Global SpecialtiesABS Plastic 50 Tie Point Breadboard
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GS-060Global SpecialtiesPCBs & Breadboards 4X.375 60 Tie Points 12 Term Clips
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GS-060Global SpecialtiesDescription: BREADBRD DISTI STRIP 4X0.69" 2PC
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+231.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-004-1-LGaN SystemsMOSFET 650V, 4A, GaN E-HEMT, 5x6 PDFN, Bottom-side cooled
на замовлення 2677 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+240.81 грн
10+214.35 грн
25+176.04 грн
100+151.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-004-1-L-MRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS-065-004-1-L-MR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 570mOhm @ 1.2A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-004-1-L-MRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS-065-004-1-L-MR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 570mOhm @ 1.2A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-004-1-L-MR
Код товару: 195374
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-004-1-L-MRInfineon TechnologiesGaN FETs 650V, 4A, GaN E-mode, 5x6 PDFN, Bottom-side cooled
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-004-1-L-TRInfineon TechnologiesGaN FETs 650V, 4A, GaN E-mode, 5x6 PDFN, Bottom-side cooled
на замовлення 4100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+240.01 грн
10+198.47 грн
25+162.92 грн
100+139.45 грн
250+131.86 грн
500+124.26 грн
1000+113.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-004-1-L-TRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS-065-004-1-L-TR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 570mOhm @ 1.2A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-004-6-L-MRInfineon TechnologiesGaN FETs LEGACY GAN SYSTEMS
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+239.20 грн
10+154.02 грн
100+102.17 грн
500+84.91 грн
1000+73.18 грн
2500+69.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-004-6-L-MRGaN Systems IncGS-065-004-6-L-MR
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-004-6-L-MRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS-065-004-6-L-MR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 455mOhm @ 1.2A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26 pF @ 400 V
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+121.11 грн
500+107.89 грн
750+100.41 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-004-6-L-MRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS-065-004-6-L-MR
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 6 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 455mOhm @ 1.2A, 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+271.82 грн
10+171.26 грн
100+136.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-004-6-L-TRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS-065-004-6-L-TR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 455mOhm @ 1.2A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-004-6-L-TRInfineon TechnologiesMOSFETs
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-008-1-LGaN SystemsMOSFET 650V, 8A, GaN E-HEMT, 5x6 PDFN, Bottom-side cooled
на замовлення 2341 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+287.53 грн
10+255.63 грн
25+209.86 грн
100+182.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-008-1-L-MRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS-065-008-1-L-MR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 2.2A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 1.74mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-008-1-L-MRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS-065-008-1-L-MR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 2.2A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 1.74mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-008-1-L-MRInfineon TechnologiesGaN FETs 650V, 8A, GaN E-mode, 5x6 PDFN, Bottom-side cooled
на замовлення 337 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+331.02 грн
10+261.19 грн
100+184.32 грн
500+162.92 грн
1000+139.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-008-1-L-TRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS-065-008-1-L-TR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 2.2A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 1.74mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-008-1-L-TRInfineon TechnologiesGaN FETs 650V, 8A, GaN E-mode, 5x6 PDFN, Bottom-side cooled
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-008-6-L-MRInfineon TechnologiesGaN FETs LEGACY GAN SYSTEMS
на замовлення 184 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+301.22 грн
10+196.09 грн
100+111.14 грн
500+110.45 грн
5000+107.69 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-008-6-L-MRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS-065-008-6-L-MR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 2.2A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1.7mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 54 pF @ 400 V
на замовлення 942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+392.98 грн
10+265.27 грн
100+197.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-008-6-L-MRGaN Systems IncGS-065-008-6-L-MR
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-008-6-L-MRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS-065-008-6-L-MR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 2.2A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1.7mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 54 pF @ 400 V
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+186.78 грн
500+175.91 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-008-6-L-TRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS-065-008-6-L-TR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 2.2A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1.7mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 54 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-008-6-L-TRInfineon TechnologiesMOSFETs
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-011-1-LGaN SystemsMOSFET 650V, 11A, GaN E-HEMT, 5x6 PDFN, Bottom-side cooled
на замовлення 4789 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+551.70 грн
10+489.83 грн
25+402.47 грн
100+348.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-011-1-L-MRGaN Systems IncTrans MOSFET N-CH GaN 650V 11A 7-Pin PDFN EP
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+368.55 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-011-1-L-MRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS-065-011-1-L-MR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 3.2A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 2.4mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 400 V
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+497.82 грн
10+324.05 грн
100+235.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-011-1-L-MRGaN Systems IncTrans MOSFET N-CH GaN 650V 11A 7-Pin PDFN EP
на замовлення 62000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+240.98 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-011-1-L-MRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS-065-011-1-L-MR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 3.2A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 2.4mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-011-1-L-MRInfineon TechnologiesGaN FETs LEGACY GAN SYSTEMS
на замовлення 2537 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+394.64 грн
10+236.58 грн
100+146.35 грн
500+136.00 грн
1000+124.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-011-1-L-TRInfineon TechnologiesGaN FETs LEGACY GAN SYSTEMS
на замовлення 2083 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+392.23 грн
10+273.10 грн
100+167.75 грн
500+155.33 грн
1000+138.07 грн
3000+124.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-011-1-L-TRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS-065-011-1-L-TR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 3.2A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 2.4mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-011-2-L-MRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS-065-011-2-L-MR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 3.2A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 2.4mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 400 V
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+430.25 грн
10+277.91 грн
100+200.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-011-2-L-MRGaN Systems IncTrans MOSFET N-CH GaN 650V 11A 8-Pin PDFN EP
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+259.88 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-011-2-L-MRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS-065-011-2-L-MR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 3.2A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 2.4mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-011-2-L-MRGaN Systems IncTrans MOSFET N-CH GaN 650V 11A 8-Pin PDFN EP
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+387.45 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-011-2-L-MRInfineon TechnologiesGaN FETs LEGACY GAN SYSTEMS
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+442.97 грн
10+285.80 грн
100+180.18 грн
500+162.92 грн
1000+144.97 грн
2500+139.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-011-2-L-TRInfineon TechnologiesGaN FETs LEGACY GAN SYSTEMS
на замовлення 3081 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+442.97 грн
10+285.80 грн
100+182.94 грн
500+162.92 грн
1000+143.59 грн
3000+135.31 грн
6000+131.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-011-2-L-TRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS-065-011-2-L-TR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 3.2A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 2.4mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-011-6-L-MRInfineon TechnologiesGaN FETs LEGACY GAN SYSTEMS
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+383.37 грн
10+270.72 грн
100+158.09 грн
500+131.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-011-6-L-MRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS-065-011-6-L-MR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 3.2A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 2.4mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-011-6-L-MRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS-065-011-6-L-MR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 3.2A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 2.4mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-011-6-L-TRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS-065-011-6-L-TR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 3.2A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 2.4mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-011-6-L-TRGaN SystemsMOSFETs
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-011-6-LR-MRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS-065-011-6-LR-MR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 3.2A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 2.4mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 400 V
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+202.69 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-011-6-LR-MRInfineon TechnologiesGaN FETs LEGACY GAN SYSTEMS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-011-6-LR-MRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS-065-011-6-LR-MR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 3.2A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 2.4mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 400 V
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+422.49 грн
10+285.76 грн
100+214.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-011-6-LR-TRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS-065-011-6-LR-TR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 3.2A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 2.4mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-011-6-LR-TRGaN SystemsMOSFETs
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-014-6-L-MRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS-065-014-6-L-MR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 138mOhm @ 4A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 3mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-014-6-L-MRInfineon TechnologiesGaN FETs CoolGaN Transistor 700 V G4 for ultimate efficiency and reliability
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+409.95 грн
10+304.85 грн
100+214.70 грн
500+190.53 грн
1000+163.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-014-6-L-MRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS-065-014-6-L-MR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 138mOhm @ 4A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 3mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-014-6-L-TRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS-065-014-6-L-TR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 138mOhm @ 4A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 3mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-014-6-L-TRGaN SystemsMOSFETs
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-014-6-LR-MRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS-065-014-6-LR-MR
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 3mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 138mOhm @ 4A, 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 6 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Vgs (Max): +7V, -10V
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+528.11 грн
10+361.37 грн
100+274.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-014-6-LR-MRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS-065-014-6-LR-MR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 138mOhm @ 4A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 3mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-014-6-LR-MRInfineon TechnologiesGaN FETs CoolGaN Transistor 700 V G4 for ultimate efficiency and reliability
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+393.84 грн
10+310.41 грн
100+218.15 грн
500+193.99 грн
1000+166.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-014-6-LR-TRGaN SystemsMOSFETs
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-014-6-LR-TRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS-065-014-6-LR-TR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 138mOhm @ 4A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 3mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-018-2-L-MRGaN Systems IncGS-065-018-2-L-MR
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+457.47 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-018-2-L-MRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS-065-018-2-L-MR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 5.5A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 4.8mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 132 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-018-2-L-MRGaN Systems IncGS-065-018-2-L-MR
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+457.47 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-018-2-L-MRGaN Systems IncGS-065-018-2-L-MR
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+571.72 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-018-2-L-MRInfineon TechnologiesGaN FETs 650V, 18A, GaN E-mode, 8x8 PDFN, Bottom-side cooled
на замовлення 322 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+657.20 грн
10+481.89 грн
100+349.31 грн
500+311.34 грн
1000+276.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-018-2-L-MRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS-065-018-2-L-MR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 5.5A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 4.8mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 132 pF @ 400 V
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+701.30 грн
10+463.08 грн
100+349.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-018-2-L-TRInfineon TechnologiesGaN FETs 650V, 18A, GaN E-mode, 8x8 PDFN, Bottom-side cooled
на замовлення 439 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+657.20 грн
10+481.89 грн
100+349.31 грн
500+313.41 грн
3000+265.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-018-2-L-TRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS-065-018-2-L-TR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 5.5A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 4.8mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 132 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-018-6-LR-MRInfineon TechnologiesGaN FETs CoolGaN Transistor 700 V G4 for ultimate efficiency and reliability
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+522.70 грн
10+363.60 грн
100+263.71 грн
500+234.72 грн
1000+209.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-018-6-LR-MRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS-065-018-6-LR-MR
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 4.8mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5.5A, 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 132 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2 nC @ 6 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+345.24 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-018-6-LR-MRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS-065-018-6-LR-MR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5.5A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 4.8mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 132 pF @ 400 V
на замовлення 325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+643.83 грн
10+444.16 грн
100+340.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-018-6-LR-TRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS-065-018-6-LR-TR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5.5A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 4.8mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 132 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-018-6-LR-TRGaN SystemsMOSFETs
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-030-2-L-MRInfineon TechnologiesGaN FETs 650V, 30A, GaN E-mode, 8x8 PDFN, Bottom-side cooled
на замовлення 231 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+800.57 грн
10+642.26 грн
100+465.98 грн
500+414.20 грн
1000+352.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-030-2-L-MRInfineon TechnologiesDescription: GS-065-030-2-L-MR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 5.5A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 7.5mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 400 V
на замовлення 567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+805.37 грн
10+572.94 грн
100+532.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-030-2-L-MRGaN Systems IncTrans MOSFET N-CH GaN 650V 30A 8-Pin PDFN EP T/R
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+1044.22 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-030-2-L-MRInfineon TechnologiesDescription: GS-065-030-2-L-MR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 5.5A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 7.5mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 400 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+389.80 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-030-2-L-TRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS-065-030-2-L-TR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 5.5A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 7.5mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-030-2-L-TRGaN Systems IncTrans MOSFET N-CH GaN 850V 30A 8-Pin PDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+444.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-030-2-L-TR---MOSFET 650V, 30A, GaN E-mode Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-030-2-L-TRInfineon TechnologiesGaN FETs 650V, 30A, GaN E-mode, 8x8 PDFN, Bottom-side cooled
на замовлення 3210 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+800.57 грн
10+642.26 грн
100+465.98 грн
500+414.89 грн
1000+414.20 грн
3000+352.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-030-6-LL-MRInfineon TechnologiesGaN FETs LEGACY GAN SYSTEMS
на замовлення 244 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+639.49 грн
10+455.69 грн
100+280.97 грн
500+269.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-030-6-LL-MRInfineon TechnologiesGS-065-030-6-LL-MR
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+858.04 грн
23+629.86 грн
100+551.98 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-030-6-LL-MRGaN SystemsMOSFETs
на замовлення 500 шт:
термін постачання 175-184 дні (днів)
1+949.56 грн
10+824.85 грн
25+697.93 грн
50+659.28 грн
100+658.59 грн
250+559.18 грн
1000+514.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-030-6-LL-MRGaN Systems IncGS-065-030-6-LL-MR
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-030-6-LL-TRGaN SystemsMOSFETs
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-030-6-LL-TRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS-065-030-6-LL-TR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 5.5A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 7.5mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-030-6-LR-MRInfineon TechnologiesGaN FETs CoolGaN Transistor 700 V G4 for ultimate efficiency and reliability
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-030-6-LR-MRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS-065-030-6-LR-MR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 5.5A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 7.5mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-030-6-LR-MRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS-065-030-6-LR-MR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 5.5A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 7.5mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 400 V
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+926.52 грн
10+650.27 грн
100+526.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-030-6-LR-TRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS-065-030-6-LR-TR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 5.5A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 7.5mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-030-6-LR-TRGaN SystemsMOSFETs
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2 3 4 5  [ Наступна Сторінка >> ]