Продукція > IGW
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IGW03N120H2 | INFINEON | 06+ SOT-153 | на замовлення 70 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGW03N120H2 | Infineon Technologies | IGBT Transistors HIGH SPEED 2 TECH 1200V 3A | на замовлення 501 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGW03N120H2FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT 1200V 9.6A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 3A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Td (on/off) @ 25°C: 9.2ns/281ns Switching Energy: 290µJ Test Condition: 800V, 3A, 82Ohm, 15V Gate Charge: 22 nC Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 9.6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 9.9 A Power - Max: 62.5 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGW03N120H2FKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGW03N120H2FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT 1200V 9.6A TO247-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 3A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Td (on/off) @ 25°C: 9.2ns/281ns Switching Energy: 290µJ Test Condition: 800V, 3A, 82Ohm, 15V Gate Charge: 22 nC Current - Collector (Ic) (Max): 9.6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 9.9 A Power - Max: 62.5 W | на замовлення 564 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGW08T120 | Infineon Technologies | IGBT Transistors LOW LOSS IGBT TECH 1200V 8A | на замовлення 164 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGW08T120 | Rochester Electronics, LLC | Description: IGW08T120 - DISCRETE IGBT WITHOU | на замовлення 2662 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 162 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGW08T120FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT NPT FS 1200V 16A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 8A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: NPT, Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 40ns/450ns Switching Energy: 1.37mJ Test Condition: 600V, 8A, 81Ohm, 15V Gate Charge: 53 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 16 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A Power - Max: 70 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGW08T120FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 16A 70W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGW08T120FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 16A 70W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGW08T120FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGW08T120FKSA1 - IGBT, 16 A, 1.7 V, 70 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 70W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 16A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchStop Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 282 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGW08T120FKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGW08T120FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 16A 70W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGW100N60H3 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop | на замовлення 183 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGW100N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 140A 714W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 320 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGW100N60H3FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGW100N60H3FKSA1 - IGBT, 140 A, 1.85 V, 714 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V MSL: - Verlustleistung: 714W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 140A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGW100N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 140A 714W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 320 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGW100N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 140A 714W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGW100N60H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 100A; 714W; TO247-3; H3 Technology: TRENCHSTOP™ 3 Case: TO247-3 Mounting: THT Manufacturer series: H3 Type of transistor: IGBT Kind of package: tube Collector current: 100A Gate-emitter voltage: ±20V Power dissipation: 714W Collector-emitter voltage: 600V | на замовлення 2 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGW100N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 140A 714W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 1920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGW100N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 140A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 100A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 30ns/265ns Switching Energy: 3.7mJ (on), 1.9mJ (off) Test Condition: 400V, 100A, 3.5Ohm, 15V Gate Charge: 625 nC Current - Collector (Ic) (Max): 140 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 714 W | на замовлення 114 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGW100N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 140A 714W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGW100N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGW100N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 140A 714W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGW15N120H3 | Infineon Technologies | Description: IGW15N120 - DISCRETE IGBT WITHOU | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGW15N120H3 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT PRODUCTS | на замовлення 174 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGW15N120H3FKSA1 Код товару: 189073
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IGW15N120H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 217W; TO247-3; H3 Mounting: THT Manufacturer series: H3 Collector-emitter voltage: 1.2kV Type of transistor: IGBT Case: TO247-3 Technology: TRENCHSTOP™ 3 Kind of package: tube Collector current: 30A Gate-emitter voltage: ±20V Power dissipation: 217W | на замовлення 39 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGW15N120H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGW15N120H3FKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGW15N120H3FKSA1 | Infineon | Trans IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 60A; 217W; 5,0V~6,5V; 75nC; -40°C~175°C; Odpowiednik: IGW15N120H3; IGW15N120H3FKSA1 TIGW15n120h3 кількість в упаковці: 2 шт | на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGW15N120H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGW15N120H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGW15N120H3FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGW15N120H3FKSA1 - IGBT, 30 A, 2.05 V, 217 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 217W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 30A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 211 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGW15N120H3FKSA1 | Infineon | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGW15N120H3FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 21ns/260ns Switching Energy: 1.55mJ Test Condition: 600V, 15A, 35Ohm, 15V Gate Charge: 75 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 217 W | на замовлення 56 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGW15N120H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGW15T120 | Infineon Technologies | Description: IGW15T120 - DISCRETE IGBT WITHOU Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A Supplier Device Package: PG-TO247-3-21 Td (on/off) @ 25°C: 50ns/520ns Switching Energy: 1.3mJ (on), 1.4mJ (off) Test Condition: 600V, 15A, 56Ohm, 15V Gate Charge: 85 nC Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A Power - Max: 110 W | на замовлення 7690 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGW15T120 Код товару: 134152
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IGW15T120 | Infineon Technologies | IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 1200V 15A | на замовлення 430 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGW15T120FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT NPT FS 1200V 30A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: NPT, Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 50ns/520ns Switching Energy: 2.7mJ Test Condition: 600V, 15A, 56Ohm, 15V Gate Charge: 85 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A Power - Max: 110 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGW15T120FKSA1 Код товару: 182831
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IGW15T120FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 110W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 43103 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGW15T120FKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs INDUSTRY 14 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGW15T120FKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IGW15T120FKSA1 - IGW15T120 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSI tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 17520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGW15T120FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 110W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGW15T120FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 110W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 7005 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGW200 | IFM ELECTRONIC | Category: DC Cylindrical Inductive Sensors Description: Sensor: inductive Type of sensor: inductive | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGW20N60H3 | Infineon | IGBT-модуль1200V 100A 400W Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGW20N60H3 | Infineon Technologies | Description: IGW20N60 - DISCRETE IGBT WITHOUT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGW20N60H3 | Infineon | IGBT 600V 20A 170W TO247-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGW20N60H3 | Infineon Technologies | IGBTs 600V HI SPEED SW IGBT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGW20N60H3FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGW20N60H3FKSA1 - IGBT, 40 A, 1.95 V, 170 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V Verlustleistung: 170W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 40A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP Gen III Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 41 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGW20N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGW20N60H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO247-3; H3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 3 Power dissipation: 170W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 600V Manufacturer series: H3 Collector current: 20A Gate-emitter voltage: ±20V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGW20N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 17ns/194ns Switching Energy: 800µJ Test Condition: 400V, 20A, 14.6Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Power - Max: 170 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGW20N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs HOME APPLIANCES 14 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGW20N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGW25N120H3 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT PRODUCTS | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGW25N120H3 Код товару: 160434
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IGW25N120H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGW25N120H3FKSA1 | Infineon | на замовлення 180 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IGW25N120H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGW25N120H3FKSA1 | Infineon | Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 50A; 100A; 326W; 5,0V~6,5V; 115nC; -40°C~175°C; IGW25N120H3FKSA1 IGW25N120H3 TIGW25n120h3 кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 27 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGW25N120H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGW25N120H3FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGW25N120H3FKSA1 - IGBT, 50 A, 2.05 V, 326 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 326W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 50A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1531 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGW25N120H3FKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT PRODUCTS | на замовлення 3600 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGW25N120H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 326W; TO247-3; H3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 50A Power dissipation: 326W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Technology: TRENCHSTOP™ 3 Manufacturer series: H3 | на замовлення 160 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGW25N120H3FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 27ns/277ns Switching Energy: 2.65mJ Test Condition: 600V, 25A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 115 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A Power - Max: 326 W | на замовлення 2855 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGW25N120H3FKSA1 | ONS/FAI | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326mW TO-247 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGW25N120H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGW25N120H3XK | Infineon Technologies | IGBTs IGBT PRODUCTS | на замовлення 121 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGW25T120 Код товару: 153078
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності
|
| |||||||||||||||
| IGW25T120 | Infineon Technologies | Description: IGW25T120 - DISCRETE IGBT WITHOU | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 109 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGW25T120 | Infineon Technologies | IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 1200V 50A | на замовлення 29 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGW25T120FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT NPT FS 1200V 50A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 25A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: NPT, Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 50ns/560ns Switching Energy: 4.2mJ Test Condition: 600V, 25A, 22Ohm, 15V Gate Charge: 155 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A Power - Max: 190 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGW25T120FKSA1 | Infineon | на замовлення 750 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IGW25T120FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 984 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGW25T120FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGW25T120FKSA1 - IGBT, 25 A, 2.2 V, 190 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 190W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 25A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 95 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGW25T120FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 1259 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGW25T120FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 340 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGW25T120FKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGW25T120FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGW25T120FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 238 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGW25T120FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGW25T120FKSA1 IGW25T120 | Infineon | IGBT 1200V 50A 190W TO247-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGW30N100T | Infineon Technologies | IGBT Transistors LoLoss IGBT TrnchStp Fieldstop tech | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGW30N100T | Infineon | на замовлення 52505 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IGW30N100T | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1000V 60A 412W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 13 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGW30N100TFKSA1 Код товару: 145089
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IGW30N100TFKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 1000V 60A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 33ns/535ns Switching Energy: 3.8mJ Test Condition: 600V, 30A, 16Ohm, 15V Gate Charge: 217 nC Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 412 W | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGW30N100TFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1000V 60A 412W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGW30N100TFKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 1000V 60A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 33ns/535ns Switching Energy: 3.8mJ Test Condition: 600V, 30A, 16Ohm, 15V Gate Charge: 217 nC Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 412 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGW30N100TFKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors LoLoss IGBT TrnchStp Fieldstop tech | на замовлення 76 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGW30N100TFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1000V 60A 412W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGW30N60H3 | Infineon Technologies | IGBTs 600V HI SPEED SW IGBT | на замовлення 65 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGW30N60H3 | Infineon Technologies | Description: IGW30N60 - DISCRETE IGBT WITHOUT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGW30N60H3 | Infineon | IGBT 600V 30A 187W TO247-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGW30N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGW30N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 23 шт В кошику од. на суму грн. |

