Продукція > IGW
Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IGW03N120H2 | Infineon Technologies | IGBT Transistors HIGH SPEED 2 TECH 1200V 3A | на замовлення 501 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW03N120H2 | INFINEON | 06+ SOT-153 | на замовлення 70 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IGW03N120H2FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 9.6A 62500mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 540 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IGW03N120H2FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 3A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Td (on/off) @ 25°C: 9.2ns/281ns Switching Energy: 290µJ Test Condition: 800V, 3A, 82Ohm, 15V Gate Charge: 22 nC Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 9.6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 9.9 A Power - Max: 62.5 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IGW03N120H2FKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IGW08T120 | Rochester Electronics, LLC | Description: IGW08T120 - DISCRETE IGBT WITHOU | на замовлення 2662 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IGW08T120 | Infineon Technologies | IGBT Transistors LOW LOSS IGBT TECH 1200V 8A | на замовлення 164 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW08T120FKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IGW08T120FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 16A 70W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IGW08T120FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 16A 70W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW08T120FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 16A 70W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IGW08T120FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGW08T120FKSA1 - IGBT, 16 A, 1.7 V, 70 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 70W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchStop Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 16A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 282 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW08T120FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT NPT FS 1200V 16A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 8A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: NPT, Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 40ns/450ns Switching Energy: 1.37mJ Test Condition: 600V, 8A, 81Ohm, 15V Gate Charge: 53 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 16 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A Power - Max: 70 W | на замовлення 209 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW08T120FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 16A 70000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW100N60H3 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop | на замовлення 267 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW100N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 140A 714W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW100N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IGW100N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 140A 714W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IGW100N60H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | IGW100N60H3 THT IGBT transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IGW100N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 140A 714W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 320 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW100N60H3FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGW100N60H3FKSA1 - IGBT, 140 A, 1.85 V, 714 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 714W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 140A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW100N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 140A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 100A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 30ns/265ns Switching Energy: 3.7mJ (on), 1.9mJ (off) Test Condition: 400V, 100A, 3.5Ohm, 15V Gate Charge: 625 nC Current - Collector (Ic) (Max): 140 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 714 W | на замовлення 129 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW100N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 140A 714000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IGW100N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 140A 714W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 320 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW100N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 140A 714W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IGW100N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 140A 714W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 1920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW15N120H3 | Infineon Technologies | Description: IGW15N120 - DISCRETE IGBT WITHOU | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IGW15N120H3 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT PRODUCTS | на замовлення 644 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW15N120H3 | Infineon | Транз. IGBT UltraFast TO247-3 Uces=1200V; Ic=30A; Pdmax=217W | на замовлення 10 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW15N120H3FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGW15N120H3FKSA1 - IGBT, 30 A, 2.05 V, 217 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 217W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 125 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW15N120H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 665 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW15N120H3FKSA1 | Infineon | Trans IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 60A; 217W; 5,0V~6,5V; 75nC; -40°C~175°C; Odpowiednik: IGW15N120H3; IGW15N120H3FKSA1 TIGW15n120h3 кількість в упаковці: 2 шт | на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW15N120H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 233 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW15N120H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IGW15N120H3FKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IGW15N120H3FKSA1 Код товару: 189073
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
IGW15N120H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 577 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW15N120H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 217W; TO247-3; H3 Mounting: THT Manufacturer series: H3 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 217W Collector-emitter voltage: 1.2kV Technology: TRENCHSTOP™ 3 Case: TO247-3 Kind of package: tube Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 30A кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 42 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW15N120H3FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 21ns/260ns Switching Energy: 1.55mJ Test Condition: 600V, 15A, 35Ohm, 15V Gate Charge: 75 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 217 W | на замовлення 161 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW15N120H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 577 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW15N120H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 217W; TO247-3; H3 Mounting: THT Manufacturer series: H3 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 217W Collector-emitter voltage: 1.2kV Technology: TRENCHSTOP™ 3 Case: TO247-3 Kind of package: tube Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 30A | на замовлення 42 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW15N120H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 233 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW15T120 Код товару: 134152
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
IGW15T120 | Infineon Technologies | Description: IGW15T120 - DISCRETE IGBT WITHOU Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A Supplier Device Package: PG-TO247-3-21 Td (on/off) @ 25°C: 50ns/520ns Switching Energy: 1.3mJ (on), 1.4mJ (off) Test Condition: 600V, 15A, 56Ohm, 15V Gate Charge: 85 nC Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A Power - Max: 110 W | на замовлення 7690 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW15T120 | Infineon Technologies | IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 1200V 15A | на замовлення 388 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW15T120FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 110W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 45353 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW15T120FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 110W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW15T120FKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs INDUSTRY 14 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IGW15T120FKSA1 Код товару: 182831
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
IGW15T120FKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IGW15T120FKSA1 - IGW15T120 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSI tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 17520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW15T120FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 110000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IGW15T120FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 110W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 7155 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW15T120FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT NPT FS 1200V 30A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: NPT, Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 50ns/520ns Switching Energy: 2.7mJ Test Condition: 600V, 15A, 56Ohm, 15V Gate Charge: 85 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A Power - Max: 110 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IGW200 | IFM ELECTRONIC | IGW200 DC Cylindrical Inductive Sensors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IGW201 | IFM ELECTRONIC | IGW201 DC Cylindrical Inductive Sensors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IGW202 | IFM ELECTRONIC | IGW202 DC Cylindrical Inductive Sensors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IGW205 | IFM ELECTRONIC | Category: DC Cylindrical Inductive Sensors Description: Sensor: inductive Type of sensor: inductive | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IGW205 | IFM ELECTRONIC | Category: DC Cylindrical Inductive Sensors Description: Sensor: inductive Type of sensor: inductive кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IGW20N60H3 | Infineon Technologies | IGBTs 600V HI SPEED SW IGBT | на замовлення 633 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW20N60H3 | Infineon Technologies | Description: IGW20N60 - DISCRETE IGBT WITHOUT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IGW20N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 17ns/194ns Switching Energy: 800µJ Test Condition: 400V, 20A, 14.6Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Power - Max: 170 W | на замовлення 195 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW20N60H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO247-3; H3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 3 Power dissipation: 170W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Manufacturer series: H3 Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 20A | на замовлення 72 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW20N60H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO247-3; H3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 3 Power dissipation: 170W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Manufacturer series: H3 Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 20A кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 72 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW20N60H3FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGW20N60H3FKSA1 - IGBT, 40 A, 1.95 V, 170 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP Gen III Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 72 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW20N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IGW20N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW20N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs HOME APPLIANCES 14 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IGW20N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IGW25N120H3 Код товару: 160434
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
IGW25N120H3 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT PRODUCTS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IGW25N120H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IGW25N120H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW25N120H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 326W; TO247-3; H3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 50A Power dissipation: 326W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Technology: TRENCHSTOP™ 3 Manufacturer series: H3 кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 4 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW25N120H3FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 27ns/277ns Switching Energy: 2.65mJ Test Condition: 600V, 25A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 115 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A Power - Max: 326 W | на замовлення 2691 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW25N120H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 326W; TO247-3; H3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 50A Power dissipation: 326W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Technology: TRENCHSTOP™ 3 Manufacturer series: H3 | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW25N120H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IGW25N120H3FKSA1 | Infineon | на замовлення 180 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
IGW25N120H3FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGW25N120H3FKSA1 - IGBT, 50 A, 2.05 V, 326 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 326W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 494 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW25N120H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW25N120H3FKSA1 | Infineon | Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 50A; 100A; 326W; 5,0V~6,5V; 115nC; -40°C~175°C; IGW25N120H3FKSA1 IGW25N120H3 TIGW25n120h3 кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 27 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW25N120H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IGW25N120H3FKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT PRODUCTS | на замовлення 2064 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW25N120H3XK | Infineon Technologies | IGBTs IGBT PRODUCTS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IGW25T120 | Infineon Technologies | IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 1200V 50A | на замовлення 104 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW25T120 | Infineon Technologies | Description: IGW25T120 - DISCRETE IGBT WITHOU | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IGW25T120 Код товару: 153078
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності |
| |||||||||||||||||
IGW25T120FKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IGW25T120FKSA1 - IGW25T120 DISCRETE IGBT WITHOUT ANTI-PA tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IGW25T120FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IGW25T120FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 190W; TO247-3 Case: TO247-3 Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 25A Type of transistor: IGBT Power dissipation: 190W Kind of package: tube Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 21 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW25T120FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW25T120FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 190W; TO247-3 Case: TO247-3 Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 25A Type of transistor: IGBT Power dissipation: 190W Kind of package: tube Mounting: THT | на замовлення 21 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW25T120FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 2155 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW25T120FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGW25T120FKSA1 - IGBT, 25 A, 2.2 V, 190 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 190W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 25A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 186 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW25T120FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW25T120FKSA1 | Infineon | на замовлення 750 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
IGW25T120FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 2850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW25T120FKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IGW25T120FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 2640 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW25T120FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT NPT FS 1200V 50A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 25A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: NPT, Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 50ns/560ns Switching Energy: 4.2mJ Test Condition: 600V, 25A, 22Ohm, 15V Gate Charge: 155 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A Power - Max: 190 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IGW30N100T | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1000V 60A 412000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IGW30N100T | Infineon Technologies | IGBT Transistors LoLoss IGBT TrnchStp Fieldstop tech | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IGW30N100T | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1000V 60A 412W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IGW30N100T | Infineon | на замовлення 52505 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
IGW30N100TFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1000V 60A 412W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW30N100TFKSA1 Код товару: 145089
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
IGW30N100TFKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 1000V 60A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 33ns/535ns Switching Energy: 3.8mJ Test Condition: 600V, 30A, 16Ohm, 15V Gate Charge: 217 nC Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 412 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IGW30N100TFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1000V 60A 412W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IGW30N100TFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1000V 60A 412000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IGW30N100TFKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors LoLoss IGBT TrnchStp Fieldstop tech | на замовлення 76 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW30N60H3 | Infineon Technologies | Description: IGW30N60 - DISCRETE IGBT WITHOUT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IGW30N60H3 | Infineon Technologies | IGBTs 600V HI SPEED SW IGBT | на замовлення 808 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW30N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IGW30N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IGW30N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IGW30N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 185 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW30N60H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Power dissipation: 187W Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 30A кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 128 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW30N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 315 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW30N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 21ns/207ns Switching Energy: 1.38mJ Test Condition: 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V Gate Charge: 165 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 187 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IGW30N60H3FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGW30N60H3FKSA1 - IGBT, 60 A, 1.95 V, 187 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 187W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 4675 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW30N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IGW30N60H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Power dissipation: 187W Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 30A | на замовлення 128 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW30N60T Код товару: 101922
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | у наявності 1 шт: 1 шт - склад | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
IGW30N60T | Infineon Technologies | Description: IGW30N60 - DISCRETE IGBT WITHOUT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IGW30N60T | Infineon Technologies | IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 30A | на замовлення 240 шт: термін постачання 154-163 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW30N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 45A 187W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW30N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 45A 187W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IGW30N60TFKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGW30N60TFKSA1 - IGBT, 30 A, 2.05 V, 187 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 187W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 265 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW30N60TFKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs Y | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IGW30N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 45A 187W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 1396 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW30N60TFKSA1 | Infineon | Transistor IGBT ; 600V; 20V; 45A; 90A; 187W; 4,1V~5,7V; 167nC; -40°C~175°C; IGW30N60TFKSA1 IGW30N60T TIGW30n60t кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 25 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW30N60TFKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Power dissipation: 187W Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 30A | на замовлення 186 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW30N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 45A 187W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW30N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 45A 187W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 108 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW30N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 45A 187W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 108 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IGW30N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 23ns/254ns Switching Energy: 1.46mJ Test Condition: 400V, 30A, 10.6Ohm, 15V Gate Charge: 167 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 187 W | на замовлення 248 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW30N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 45A 187000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW30N60TFKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Power dissipation: 187W Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 30A кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 186 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW30N60TP | Infineon technologies | на замовлення 55 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
IGW30N60TP | Infineon Technologies | Description: IGW30N60 - DISCRETE IGBT WITHOUT Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 15ns/179ns Switching Energy: 710µJ (on), 420µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V Gate Charge: 130 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 53 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 200 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IGW30N60TPXKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 53A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 15ns/179ns Switching Energy: 710µJ (on), 420µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V Gate Charge: 130 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 53 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 200 W | на замовлення 4272 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW30N60TPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 45A 187W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 223 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW30N60TPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 45A 187W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 719 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW30N60TPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 45A 187000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 274 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW30N60TPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 45A 187W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 714 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW30N60TPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 45A 187W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IGW30N60TPXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGW30N60TPXKSA1 - IGBT, 53 A, 1.6 V, 200 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 53A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 787 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW30N60TPXKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs INDUSTRY 14 | на замовлення 232 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW30N60TPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 45A 187W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 223 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW30N65L5 | Infineon Technologies | IGBTs INDUSTRY 14 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IGW30N65L5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 85A 227000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW30N65L5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs 650V IGBT Trenchstop 5 | на замовлення 3029 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW30N65L5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 85A 227W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IGW30N65L5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 85A 227W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW30N65L5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGW30N65L5XKSA1 - IGBT, 85 A, 1.05 V, 227 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.05V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 227W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 85A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 979 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW30N65L5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 85A 227W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW30N65L5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT 650V 85A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Td (on/off) @ 25°C: 33ns/308ns Switching Energy: 470µJ (on), 1.35mJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 168 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 85 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 227 W | на замовлення 669 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW30N65L5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | IGW30N65L5XKSA1 THT IGBT transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IGW30N65L5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 85A 227W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IGW30N65L5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 85A 227W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW40N120H3 Код товару: 51727
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
IGW40N120H3 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT PRODUCTS | на замовлення 670 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW40N120H3FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGW40N120H3FKSA1 - IGBT, 40 A, 2.4 V, 483 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 483W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2054 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW40N120H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 483W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW40N120H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 483W; TO247-3; H3 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 483W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 40A Manufacturer series: H3 Technology: TRENCHSTOP™ 3 Gate-emitter voltage: ±20V | на замовлення 158 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW40N120H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 483W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IGW40N120H3FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 30ns/290ns Switching Energy: 3.16mJ Test Condition: 600V, 40A, 12Ohm, 15V Gate Charge: 185 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 483 W | на замовлення 5873 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW40N120H3FKSA1 | Infineon | на замовлення 240 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
IGW40N120H3FKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs Y | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IGW40N120H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 483W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW40N120H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 483W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 2158 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW40N120H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 483000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW40N120H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 483W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IGW40N120H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 483W; TO247-3; H3 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 483W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 40A Manufacturer series: H3 Technology: TRENCHSTOP™ 3 Gate-emitter voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 158 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW40N120H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 483W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW40N60H3 | Infineon Technologies | IGBTs 600V 40A 306W | на замовлення 424 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW40N60H3FKSA1 | Infineon | IGBT 600V 80A 306W IGW40N60H3FKSA1 TIGW40n60h3 кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW40N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 306W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 153 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW40N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 306000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 35 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW40N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 306W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 186 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW40N60H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 306W; TO247-3; H3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 3 Power dissipation: 306W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Manufacturer series: H3 Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 40A Collector-emitter voltage: 600V кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 208 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW40N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IGW40N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 306W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 155 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW40N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 306W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW40N60H3FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGW40N60H3FKSA1 - IGBT, 80 A, 1.95 V, 306 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 306W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW40N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 306W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IGW40N60H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 306W; TO247-3; H3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 3 Power dissipation: 306W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Manufacturer series: H3 Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 40A Collector-emitter voltage: 600V | на замовлення 208 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW40N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 19ns/197ns Switching Energy: 1.68mJ Test Condition: 400V, 40A, 7.9Ohm, 15V Gate Charge: 223 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 306 W | на замовлення 226 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW40N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 306W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 186 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW40N60TP | Infineon Technologies | Description: IGW40N60 - DISCRETE IGBT WITHOUT Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 18ns/222ns Switching Energy: 1.06mJ (on), 610µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 10.1Ohm, 15V Gate Charge: 177 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 67 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 246 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IGW40N60TP | Infineon technologies | на замовлення 48 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
IGW40N60TPXKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 67A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 18ns/222ns Switching Energy: 1.06mJ (on), 610µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 10.1Ohm, 15V Gate Charge: 177 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 67 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 246 W | на замовлення 359 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW40N60TPXKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs INDUSTRY 14 | на замовлення 188 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW40N60TPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 306mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IGW40N60TPXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGW40N60TPXKSA1 - IGBT, 67 A, 1.6 V, 246 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 246W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 67A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 479 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW40N65F5 | Infineon Technologies | Description: IGBT 650V 74A 255W PG-TO247-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IGW40N65F5 | Infineon Technologies | IGBTs ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT | на замовлення 960 шт: термін постачання 154-163 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW40N65F5A | Infineon | на замовлення 96720 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
IGW40N65F5A | Infineon Technologies | IGBT Transistors DISCRETE SWITCHES | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IGW40N65F5AXKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT 650V TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 19ns/165ns Switching Energy: 350µJ (on), 100µJ (off) Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 95 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 74 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 250 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IGW40N65F5AXKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors DISCRETE SWITCHES | на замовлення 237 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW40N65F5AXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IGW40N65F5AXKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IGW40N65F5AXKSA1 - IGW40N65F5A 650V IGBT HIGH SPEED SWITCH tariffCode: 85412900 euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: No usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 40202 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW40N65F5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW40N65F5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 80 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW40N65F5FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 250W; TO247-3; F5 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 46A Power dissipation: 250W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 20A Mounting: THT Kind of package: tube Manufacturer series: F5 Technology: TRENCHSTOP™ 5 | на замовлення 70 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW40N65F5FKSA1 | Infineon | IGBT 650V 74A 255W IGW40N65F5FKSA1 TIGW40n65f5 кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW40N65F5FKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT PRODUCTS | на замовлення 239 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW40N65F5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW40N65F5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IGW40N65F5FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGW40N65F5FKSA1 - IGBT, 40 A, 1.6 V, 255 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 255W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW40N65F5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 80 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW40N65F5FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT 650V 74A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Td (on/off) @ 25°C: 19ns/160ns Switching Energy: 360µJ (on), 100µJ (off) Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 95 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 74 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 255 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IGW40N65F5FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 250W; TO247-3; F5 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 46A Power dissipation: 250W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 20A Mounting: THT Kind of package: tube Manufacturer series: F5 Technology: TRENCHSTOP™ 5 кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 70 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW40N65F5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IGW40N65H5 | Infineon technologies | на замовлення 60 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
IGW40N65H5 | Infineon Technologies | IGBTs ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT | на замовлення 243 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW40N65H5 Код товару: 184903
Додати до обраних
Обраний товар
| товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
IGW40N65H5 | Infineon Technologies | Description: IGBT 650V 74A 255W PG-TO247-3 Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 45097 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW40N65H5AXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IGW40N65H5AXKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IGW40N65H5AXKSA1 - IGW40N65 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSIS tariffCode: 85412900 euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: No usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 3360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW40N65H5AXKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 650V 74A TO247-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 20ns/149ns Switching Energy: 360µJ (on), 110µJ (off) Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 92 nC Grade: Automotive Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 74 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 250 W Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW40N65H5AXKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS | на замовлення 235 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IGW40N65H5AXKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 650V 74A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 20ns/149ns Switching Energy: 360µJ (on), 110µJ (off) Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 92 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 74 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 250 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IGW40N65H5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW40N65H5FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT 650V 74A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Td (on/off) @ 25°C: 22ns/165ns Switching Energy: 390µJ (on), 120µJ (off) Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 95 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 74 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 255 W | на замовлення 142 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW40N65H5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 37025 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW40N65H5FKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT PRODUCTS | на замовлення 314 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW40N65H5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW40N65H5FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 250W; TO247-3; H5 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 46A Power dissipation: 250W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Kind of package: tube Manufacturer series: H5 Technology: TRENCHSTOP™ 5 кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 97 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW40N65H5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IGW40N65H5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 255000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IGW40N65H5FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGW40N65H5FKSA1 - IGBT, 40 A, 1.65 V, 255 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 255W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 126 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW40N65H5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW40N65H5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IGW40N65H5FKSA1 Код товару: 178084
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
IGW40N65H5FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 250W; TO247-3; H5 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 46A Power dissipation: 250W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Kind of package: tube Manufacturer series: H5 Technology: TRENCHSTOP™ 5 | на замовлення 97 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW40T120 | Infineon Technologies | IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 1200V 40A | на замовлення 244 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW40T120 (TO247-3) Код товару: 98711
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
IGW40T120FKSA1 Код товару: 153805
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
IGW40T120FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 270W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 345 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW40T120FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 270W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 40A Power dissipation: 270W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 105A Mounting: THT Kind of package: tube Technology: TRENCHSTOP™ кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 141 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW40T120FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 270000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 75 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IGW40T120FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGW40T120FKSA1 - IGBT, 40 A, 2.3 V, 270 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.3V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 270W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 415 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW40T120FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 270W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 186 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW40T120FKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs Y | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IGW40T120FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 270W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 40A Power dissipation: 270W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 105A Mounting: THT Kind of package: tube Technology: TRENCHSTOP™ | на замовлення 141 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW40T120FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 270W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW40T120FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT NPT FS 1200V 75A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: NPT, Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 48ns/480ns Switching Energy: 6.5mJ Test Condition: 600V, 40A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 203 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 75 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A Power - Max: 270 W | на замовлення 405 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW40T120FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 270W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 186 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW40T120FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 270W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW50N60H3 | Infineon Technologies | Description: IGW50N60 - DISCRETE IGBT WITHOUT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IGW50N60H3 Код товару: 107816
Додати до обраних
Обраний товар
| Infineon | Транзистори > IGBT Корпус: TO-247-3 Vces: 600 V Vce: 1,85 V Ic 25: 100 A Ic 100: 50 A Pd 25: 333 W td(on)/td(off) 100-150 град: 23/235 | товару немає в наявності |
| ||||||||||||||||
IGW50N60H3 | Infineon Technologies | IGBTs 600V 50A 333W | на замовлення 173 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW50N60H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3; H3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 50A Power dissipation: 333W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 200A Mounting: THT Kind of package: tube Technology: TRENCHSTOP™ 3 Manufacturer series: H3 | на замовлення 42 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW50N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW50N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IGW50N60H3FKSA1 | Infineon | IGBT 600V 100A 333W IGW50N60H3FKSA1 IGW50N60H3 TIGW50n60h3 кількість в упаковці: 2 шт | на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW50N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 249 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW50N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs INDUSTRY 14 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IGW50N60H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3; H3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 50A Power dissipation: 333W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 200A Mounting: THT Kind of package: tube Technology: TRENCHSTOP™ 3 Manufacturer series: H3 кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 42 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW50N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 333000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW50N60H3FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGW50N60H3FKSA1 - IGBT, 50 A, 2.3 V, 333 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.3V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 222 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW50N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 100A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 23ns/235ns Switching Energy: 2.36mJ Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V Gate Charge: 315 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 333 W | на замовлення 83 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW50N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW50N60T | Infineon Technologies | IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A | на замовлення 154 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW50N60T | Infineon Technologies | Description: IGW50N60 - DISCRETE IGBT WITHOUT Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns Switching Energy: 1.2mJ (on), 1.4mJ (off) Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V Gate Charge: 310 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 90 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 333 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IGW50N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 100A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns Switching Energy: 2.6mJ Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V Gate Charge: 310 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 333 W | на замовлення 109 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW50N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 90A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW50N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 90A 333000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IGW50N60TFKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGW50N60TFKSA1 - IGBT, 50 A, 2 V, 333 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 238 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW50N60TFKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 64A; 333W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 64A Power dissipation: 333W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Mounting: THT Kind of package: tube Technology: TRENCHSTOP™ | на замовлення 153 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW50N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 90A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IGW50N60TFKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A | на замовлення 188 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW50N60TFKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 64A; 333W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 64A Power dissipation: 333W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Mounting: THT Kind of package: tube Technology: TRENCHSTOP™ кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 153 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW50N60TP | Infineon technologies | на замовлення 51 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
IGW50N60TPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 90A 333000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW50N60TPXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGW50N60TPXKSA1 - IGBT, 80 A, 1.6 V, 319.2 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 319.2W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 111 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW50N60TPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 319.2W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW50N60TPXKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs INDUSTRY 14 | на замовлення 115 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW50N60TPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 319.2W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 96 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IGW50N60TPXKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 20ns/215ns Switching Energy: 1.53mJ (on), 850µJ (off) Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V Gate Charge: 249 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 319.2 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IGW50N60TPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 319.2W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IGW50N65F5 | Infineon Technologies | Description: IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IGW50N65F5 | Infineon Technologies | IGBTs ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT | на замовлення 114 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW50N65F5AXKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 21ns/156ns Switching Energy: 490µJ (on), 140µJ (off) Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V Gate Charge: 108 nC Grade: Automotive Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 270 W Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2773 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW50N65F5AXKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors DISCRETE SWITCHES | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IGW50N65F5AXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 270000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IGW50N65F5AXKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IGW50N65F5AXKSA1 - IGW50N65 - AUTOMOTIVE IGBT DISCRETES tariffCode: 85412900 euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: No usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2773 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW50N65F5AXKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 21ns/156ns Switching Energy: 490µJ (on), 140µJ (off) Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V Gate Charge: 108 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 270 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IGW50N65F5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 3879 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW50N65F5FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT 650V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Td (on/off) @ 25°C: 21ns/175ns Switching Energy: 490µJ (on), 160µJ (off) Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 305 W | на замовлення 35 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW50N65F5FKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT PRODUCTS | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW50N65F5FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 270W; TO247-3; F5 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 80A Power dissipation: 270W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Manufacturer series: F5 Technology: TRENCHSTOP™ 5 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IGW50N65F5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IGW50N65F5FKSA1 Код товару: 85495
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
IGW50N65F5FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGW50N65F5FKSA1 - IGBT, 50 A, 1.6 V, 305 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 305W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 170 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW50N65F5FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 270W; TO247-3; F5 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 80A Power dissipation: 270W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Manufacturer series: F5 Technology: TRENCHSTOP™ 5 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IGW50N65F5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IGW50N65F5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 70320 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW50N65F5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 3880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW50N65F5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IGW50N65F5FKSA1 | Infineon | IGBT 650V 80A 305W IGW50N65F5FKSA1 TIGW50n65f5 кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW50N65F5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW50N65H5 | Infineon technologies | на замовлення 35 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
IGW50N65H5 | Infineon Technologies | Description: IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IGW50N65H5 | Infineon Technologies | IGBTs ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT | на замовлення 222 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW50N65H5 Код товару: 182512
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
IGW50N65H5AXKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 21ns/173ns Switching Energy: 450µJ (on), 160µJ (off) Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V Gate Charge: 116 nC Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 270 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IGW50N65H5AXKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors DISCRETE SWITCHES | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IGW50N65H5AXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 270000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IGW50N65H5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 204 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW50N65H5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IGW50N65H5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 198 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW50N65H5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 204 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW50N65H5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW50N65H5FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGW50N65H5FKSA1 - IGBT, 50 A, 1.65 V, 305 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 305W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IGW50N65H5FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 50A Power dissipation: 305W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IGW50N65H5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IGW50N65H5FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT 650V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Td (on/off) @ 25°C: 21ns/180ns Switching Energy: 520µJ (on), 180µJ (off) Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 305 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IGW50N65H5FKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT PRODUCTS | на замовлення 297 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW50N65H5FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 50A Power dissipation: 305W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IGW50N65HS | Infineon Technologies | Description: IGBT WITHOUT ANTI-PARALLEL DIODE Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IGW60N60H3 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop | на замовлення 580 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW60N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 416W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IGW60N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 600V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 27ns/252ns Switching Energy: 2.1mJ (on), 1.13mJ (off) Test Condition: 400V, 60A, 6Ohm, 15V Gate Charge: 375 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A Power - Max: 416 W | на замовлення 279 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW60N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs Y | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IGW60N60H3FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGW60N60H3FKSA1 - IGBT, 80 A, 1.85 V, 416 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 416W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 3 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 131 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW60N60H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 3 Power dissipation: 416W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Manufacturer series: H3 Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 60A Pulsed collector current: 180A Collector-emitter voltage: 600V | на замовлення 37 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW60N60H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 3 Power dissipation: 416W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Manufacturer series: H3 Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 60A Pulsed collector current: 180A Collector-emitter voltage: 600V кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 37 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW60N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 416W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW60N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 416000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IGW60T120 Код товару: 114731
Додати до обраних
Обраний товар
| Infineon | Транзистори > IGBT Корпус: TO-247 Vces: 1200 Vce: 1,7 V Ic 25: 100 A Ic 100: 60 A Pd 25: 375 W td(on)/td(off) 100-150 град: 50/9,4 | у наявності 30 шт: 20 шт - склад2 шт - РАДІОМАГ-Київ 2 шт - РАДІОМАГ-Львів 2 шт - РАДІОМАГ-Харків 2 шт - РАДІОМАГ-Одеса 2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
| ||||||||||||||||
IGW60T120 | Infineon Technologies | Description: IGW60T120 - DISCRETE IGBT WITHOU | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IGW60T120 | Infineon Technologies | IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 1200V 60A | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW60T120FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 205 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW60T120FKSA1 | Infineon | IGBT 1200V 100A 375W IGW60T120FKSA1 IGW60T120 TIGW60t120 кількість в упаковці: 2 шт | на замовлення 40 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW60T120FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 36 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW60T120FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 1200V 100A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 60A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 50ns/480ns Switching Energy: 9.5mJ Test Condition: 600V, 60A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 280 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 375 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IGW60T120FKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 1200V 60A | на замовлення 534 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW60T120FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 173 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW60T120FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 375000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IGW60T120FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 47423 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW60T120FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 36 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IGW60T120FKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IGW60T120FKSA1 - IGW60T120 DISCRETE IGBT WITHOUT ANTI-PA tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 7200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW75N60H3 | Infineon Technologies | Description: IGBT WITHOUT ANTI-PARALLEL DIODE Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 31ns/265ns Switching Energy: 3mJ (on), 1.7mJ (off) Test Condition: 400V, 75A, 5.2Ohm, 15V Gate Charge: 470 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 140 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A Power - Max: 428 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IGW75N60H3 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop | на замовлення 170 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW75N60H3 Код товару: 150038
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
IGW75N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 140A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW75N60H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 428W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 75A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IGW75N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 140A 428000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IGW75N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 140A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IGW75N60H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 428W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 75A кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IGW75N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 140A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW75N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 140A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 31ns/265ns Switching Energy: 3mJ (on), 1.7mJ (off) Test Condition: 400V, 75A, 5.2Ohm, 15V Gate Charge: 470 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 140 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A Power - Max: 428 W | на замовлення 22 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW75N60H3FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGW75N60H3FKSA1 - IGBT, 140 A, 1.85 V, 428 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 428W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT3 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 140A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 204 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW75N60H3FKSA1 | Infineon | на замовлення 150 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
IGW75N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 140A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IGW75N60T | Infineon Technologies | IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 75A | на замовлення 340 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW75N60T Код товару: 150884
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
IGW75N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 150A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 33ns/330ns Switching Energy: 4.5mJ Test Condition: 400V, 75A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 470 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 150 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A Power - Max: 428 W | на замовлення 568 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW75N60TFKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 75A | на замовлення 402 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW75N60TFKSA1 | Infineon | Transistor IGBT ; 600V; 20V; 150A; 225A; 428W; 4,1V~5,7V; 470nC; -40°C~175°C; IGW75N60TFKSA1 IGW75N60T TIGW75n60t кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW75N60TFKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGW75N60TFKSA1 - IGBT, 75 A, 2 V, 428 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 428W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 75A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 231 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW75N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 150A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IGW75N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 150A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 1218 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW75N60TFKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 428W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 75A кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IGW75N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 150A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IGW75N60TFKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 428W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 75A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IGW75N60TFKSA1 | Infineon | Transistor IGBT ; 600V; 20V; 150A; 225A; 428W; 4,1V~5,7V; 470nC; -40°C~175°C; IGW75N60TFKSA1 IGW75N60T TIGW75n60t кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 5 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW75N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 150A 428000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IGW75N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 150A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW75N60TFKSA1 | Infineon | на замовлення 270 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
IGW75N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 150A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW75N65H5 | Infineon technologies | на замовлення 4 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
IGW75N65H5 | Infineon Technologies | IGBTs INDUSTRY 14 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IGW75N65H5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IGW75N65H5XKSA1 Код товару: 174179
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
IGW75N65H5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 198W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Power dissipation: 198W Gate charge: 160nC Collector-emitter voltage: 650V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 75A Pulsed collector current: 300A Turn-on time: 61ns Turn-off time: 215ns | на замовлення 26 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW75N65H5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs INDUSTRY 14 | на замовлення 701 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW75N65H5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 395000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IGW75N65H5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW75N65H5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IGW75N65H5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 650V 120A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 28ns/174ns Switching Energy: 2.25mJ (on), 950µJ (off) Test Condition: 400V, 75A, 8Ohm, 15V Gate Charge: 160 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 120 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 395 W | на замовлення 503 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW75N65H5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 225 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW75N65H5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGW75N65H5XKSA1 - IGBT, 120 A, 1.65 V, 395 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 395W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 120A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 139 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGW75N65H5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 198W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Power dissipation: 198W Gate charge: 160nC Collector-emitter voltage: 650V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 75A Pulsed collector current: 300A Turn-on time: 61ns Turn-off time: 215ns кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 26 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|