Продукція > IKF

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IKF68331-A0-PB0-CINKAOS0622+
на замовлення 87 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKF68331-A0-PB0-CINKAOS09+
на замовлення 105 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKF68331-A0-PB1-CIKANOS07+ЙўРВ
на замовлення 754 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKF68331-A0-PB1-CIKANOS09+
на замовлення 772 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKF68331-A0-PB1-CIKANOS07+Йў?
на замовлення 754 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKF68331-A0-PB1-C-RIKANOS2006
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKF68331-A0-PB1-LIKANOS07+ BGA;
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKF68331-A1-PB1-CiKANOS Fusiv05+ BGA
на замовлення 520 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKF68331-A1-PB1-CiKANOS FusivBGA 05+
на замовлення 520 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKF68331-AO-PB1-C-RIKANOS09+
на замовлення 468 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKF6834-A0-PB1-CBGA
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKF6834-A0-PB1-CBGA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKF6834-AO-PB1-C
на замовлення 3325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKF6834-AO-PB1-CBGA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKF6836-A0-PB1-CIKANOS07+Йў?
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKF6836-AO-PB1-C
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKF6836-AO-PB1-CQFP
на замовлення 3325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKF6836-AO-PBI-C
на замовлення 325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKF6843-AO-QL1-LIKANOSQFP
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKFW40N60DH3EInfineon technologies
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKFW40N60DH3EXKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 867 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+397.45 грн
10+ 329.09 грн
25+ 269.29 грн
100+ 231.01 грн
240+ 179.74 грн
480+ 171.31 грн
1200+ 165.47 грн
IKFW40N60DH3EXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 34A 111W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+431.28 грн
29+ 396.76 грн
31+ 379.07 грн
100+ 321.45 грн
Мінімальне замовлення: 27
IKFW40N60DH3EXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 34A 111W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKFW40N60DH3EXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 34A 111W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+435.77 грн
10+ 400.89 грн
25+ 383.02 грн
100+ 324.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKFW40N60DH3EXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 34A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 72 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-AI
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/144ns
Switching Energy: 870µJ (on), 360µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 107 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 34 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 111 W
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+365.7 грн
30+ 278.87 грн
120+ 239.03 грн
IKFW40N60DH3EXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 34A 111000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKFW40N60DH3EXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 28A; 81W; PG-TO247-3-AI
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 28A
Power dissipation: 81W
Case: PG-TO247-3-AI
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 107nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 52ns
Turn-off time: 160ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
IKFW40N60DH3EXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 28A; 81W; PG-TO247-3-AI
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 28A
Power dissipation: 81W
Case: PG-TO247-3-AI
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 107nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 52ns
Turn-off time: 160ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKFW40N65DH5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKFW40N65DH5XKSA1 - IGBT, 53 A, 1.8 V, 106 W, 650 V, HSIP247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 106
Bauform - Transistor: HSIP247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 53
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+321.02 грн
10+ 314.46 грн
100+ 307.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKFW40N65DH5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: HOME APPLIANCES 14 PG-HSIP247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 64 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-HSIP247-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/105ns
Switching Energy: 1.17mJ (on), 500µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 14Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 53 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 106 W
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+367.81 грн
10+ 297.82 грн
240+ 227.52 грн
IKFW40N65DH5XKSA1Infineon TechnologiesSP001728800
товар відсутній
IKFW40N65DH5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
товар відсутній
IKFW40N65DH5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Discrete Chip
товар відсутній
IKFW40N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesSP005401489
товар відсутній
IKFW40N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+568.54 грн
10+ 479.82 грн
25+ 378.3 грн
100+ 347.81 грн
240+ 281.62 грн
480+ 279.02 грн
1200+ 263.45 грн
IKFW40N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesHigh Speed Fast IGBT
товар відсутній
IKFW40N65ES5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKFW40N65ES5XKSA1 - IGBT, 650V, 60A, 106W, HSIP247, 1.35Vsat
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 106W
Bauform - Transistor: HSIP247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+462.96 грн
5+ 409.09 грн
10+ 355.23 грн
50+ 300.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKFW40N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 60A HSIP247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-HSIP247-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/124ns
Switching Energy: 560µJ (on), 320µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 13Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 106 W
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+522.94 грн
30+ 402.13 грн
IKFW50N60DH3EXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 130W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKFW50N60DH3EXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 130W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+383.26 грн
32+ 361.26 грн
33+ 357.66 грн
100+ 310.08 грн
240+ 233.6 грн
Мінімальне замовлення: 30
IKFW50N60DH3EXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKFW50N60DH3EXKSA1 - IGBT, 40 A, 2.2 V, 130 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+545.22 грн
5+ 487.71 грн
10+ 429.48 грн
50+ 365 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKFW50N60DH3EXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 64 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-AI
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/174ns
Switching Energy: 1.28mJ (on), 560µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 8Ohm, 15V
Gate Charge: 160 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 130 W
на замовлення 152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+398.7 грн
30+ 304.1 грн
120+ 260.67 грн
IKFW50N60DH3EXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 37A; 95W; PG-TO247-3-AI
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 37A
Power dissipation: 95W
Case: PG-TO247-3-AI
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 192ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+320.29 грн
3+ 262.94 грн
4+ 240.63 грн
9+ 227.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKFW50N60DH3EXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 37A; 95W; PG-TO247-3-AI
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 37A
Power dissipation: 95W
Case: PG-TO247-3-AI
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 192ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+384.34 грн
3+ 327.66 грн
4+ 288.76 грн
9+ 273.35 грн
30+ 264.42 грн
IKFW50N60DH3EXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKFW50N60DH3EXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 130W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+355.88 грн
10+ 335.46 грн
25+ 332.11 грн
100+ 287.93 грн
240+ 216.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKFW50N60DH3EXKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+433.03 грн
10+ 389.53 грн
25+ 294.6 грн
100+ 252.42 грн
240+ 250.47 грн
480+ 191.42 грн
1200+ 180.39 грн
IKFW50N60DH3EXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 130W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+328.48 грн
Мінімальне замовлення: 240
IKFW50N60DH3XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 53A 145W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKFW50N60DH3XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH/FS 600V 53A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 64 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-AI
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/212ns
Switching Energy: 1.22mJ (on), 610µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 8Ohm, 15V
Gate Charge: 210 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 53 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 145 W
товар відсутній
IKFW50N60DH3XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 53A 145000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKFW50N60DH3XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 212 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+345.97 грн
10+ 323.12 грн
25+ 279.67 грн
240+ 261.5 грн
1200+ 257.61 грн
IKFW50N60DH3XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 53A 145W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+535.99 грн
10+ 501.19 грн
25+ 482.69 грн
50+ 448.16 грн
100+ 360.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKFW50N60DH3XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 53A 145W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+577.22 грн
22+ 539.75 грн
25+ 519.82 грн
50+ 482.63 грн
100+ 388.24 грн
Мінімальне замовлення: 20
IKFW50N60ETXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 73A 164W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+569.87 грн
24+ 497.14 грн
26+ 455.22 грн
100+ 404.45 грн
Мінімальне замовлення: 21
IKFW50N60ETXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 59A; 120W; PG-TO247-3-AI
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 59A
Power dissipation: 120W
Case: PG-TO247-3-AI
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 290nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 332ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
IKFW50N60ETXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 59A; 120W; PG-TO247-3-AI
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 59A
Power dissipation: 120W
Case: PG-TO247-3-AI
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 290nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 332ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 240 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
240+410.55 грн
Мінімальне замовлення: 240
IKFW50N60ETXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 73A 164W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKFW50N60ETXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 73A 164W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKFW50N60ETXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 73A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 91 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-AI
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/305ns
Switching Energy: 1.5mJ (on), 1.42mJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V
Gate Charge: 290 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 73 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 164 W
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+672.45 грн
10+ 554.8 грн
240+ 435.17 грн
IKFW50N60ETXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 73A 164W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+529.16 грн
10+ 461.63 грн
25+ 422.7 грн
100+ 375.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKFW50N60ETXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 73A 164000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKFW50N60ETXKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+729.79 грн
10+ 616.38 грн
25+ 486.67 грн
100+ 446.44 грн
240+ 420.48 грн
480+ 393.88 грн
1200+ 354.94 грн
IKFW50N65DH5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: HOME APPLIANCES 14 PG-HSIP247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 68 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-HSIP247-3-2
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/131ns
Switching Energy: 1.46mJ (on), 630µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 12.2Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 59 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 124 W
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+558.03 грн
10+ 460.38 грн
240+ 361.1 грн
IKFW50N65DH5XKSA1Infineon TechnologiesHigh speed 5 IGBT in Trench Stop
товар відсутній
IKFW50N65DH5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
товар відсутній
IKFW50N65DH5XKSA1Infineon TechnologiesHigh speed 5 IGBT in Trench Stop
товар відсутній
IKFW50N65DH5XKSA1Infineon
на замовлення 240 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKFW50N65EH5XKSA1Infineon TechnologiesSP001728804
товар відсутній
IKFW50N65EH5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+443.63 грн
10+ 402.96 грн
25+ 299.79 грн
100+ 269.29 грн
240+ 265.4 грн
480+ 215.43 грн
1200+ 205.7 грн
IKFW50N65EH5XKSA1Infineon TechnologiesHigh Speed Fast IGBT
товар відсутній
IKFW50N65EH5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 59A HSIP247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 52 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-HSIP247-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/138ns
Switching Energy: 1.2mJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 15.1Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 59 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 124 W
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+552.42 грн
30+ 424.78 грн
IKFW50N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 74A HSIP247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 69 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-HSIP247-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/130ns
Switching Energy: 860µJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 127 W
на замовлення 214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+555.93 грн
30+ 427.35 грн
120+ 382.36 грн
IKFW50N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesSP001728802
товар відсутній
IKFW50N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
товар відсутній
IKFW50N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesHigh Speed Fast IGBT
товар відсутній
IKFW50N65ES5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKFW50N65ES5XKSA1 - IGBT, 650 V, 74 A, 127W, HSIP247, 1.35 Vsat
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 127
Bauform - Transistor: HSIP247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 74
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+441.85 грн
5+ 411.28 грн
10+ 379.98 грн
50+ 323.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKFW60N60DH3EInfineon technologies
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKFW60N60DH3EXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 600V 50A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 68 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-AI
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/170ns
Switching Energy: 1.57mJ (on), 720µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V
Gate Charge: 210 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 53 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 141 W
товар відсутній
IKFW60N60DH3EXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 53A 141W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKFW60N60DH3EXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 53A 141000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKFW60N60DH3EXKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 456 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+433.03 грн
10+ 365.65 грн
25+ 288.76 грн
100+ 252.42 грн
240+ 215.43 грн
480+ 210.24 грн
1200+ 200.51 грн
IKFW60N60DH3EXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 53A 141W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKFW60N60DH3EXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKFW60N60DH3EXKSA1 - IGBT, 53 A, 2.2 V, 141 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 141
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TRENCHSTOP 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 53
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+353.77 грн
5+ 335.57 грн
10+ 316.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKFW60N60DH3EXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 53A 141W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKFW60N60DH3EXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 44A; 104W; PG-TO247-3-AI
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 44A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO247-3-AI
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 62ns
Turn-off time: 189ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
IKFW60N60DH3EXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 44A; 104W; PG-TO247-3-AI
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 44A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO247-3-AI
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 62ns
Turn-off time: 189ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKFW60N60DH3EXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 53A 141W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKFW60N60EH3XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 164W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 164W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 290nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 253ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
IKFW60N60EH3XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 164W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 164W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 290nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 253ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKFW60N60EH3XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT
Packaging: Tube
Part Status: Active
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+661.92 грн
10+ 546.22 грн
240+ 428.39 грн
IKFW60N60EH3XKSA1Infineon TechnologiesHigh speed switching series third generation IGBT
товар відсутній
IKFW60N60EH3XKSA1Infineon TechnologiesHigh speed switching series third generation IGBT
товар відсутній
IKFW60N60EH3XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 240 шт:
термін постачання 175-184 дні (днів)
1+719.19 грн
10+ 606.68 грн
25+ 500.95 грн
100+ 491.21 грн
240+ 401.02 грн
480+ 388.04 грн
1200+ 349.1 грн
IKFW60N65ES5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKFW60N65ES5XKSA1 - IGBT, 650V, 77A, 138W, HSIP247, 1.35Vsat
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 138W
Bauform - Transistor: HSIP247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 77A
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+302.09 грн
5+ 296.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKFW60N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 77A HSIP247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 77 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-HSIP247-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/127ns
Switching Energy: 1.23mJ (on), 550µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 8.2Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 77 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 138 W
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+593.83 грн
IKFW60N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesCost Effective Integrated IGBT With Diode
товар відсутній
IKFW60N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesSP001878206
товар відсутній
IKFW60N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+645 грн
10+ 544.75 грн
25+ 429.57 грн
100+ 401.02 грн
240+ 340.67 грн
480+ 328.99 грн
1200+ 304.33 грн
IKFW60N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 77A HSIP247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 77 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-HSIP247-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/127ns
Switching Energy: 1.23mJ (on), 550µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 8.2Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 77 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 138 W
на замовлення 9540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+356.49 грн
Мінімальне замовлення: 55
IKFW75N60ETXKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 554 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+729.03 грн
10+ 624.59 грн
25+ 521.71 грн
50+ 508.08 грн
100+ 489.27 грн
240+ 432.81 грн
480+ 419.83 грн
IKFW75N60ETXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 107 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-AI
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/340ns
Switching Energy: 2.7mJ (on), 2.35J (off)
Test Condition: 400V, 75A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 440 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 178 W
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+711.76 грн
10+ 603.94 грн
IKFW75N60ETXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 178W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKFW75N60ETXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 178000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKFW75N65EH5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A HSIP247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: PG-HSIP247-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/206ns
Switching Energy: 1.8mJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 144 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 148 W
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+628.93 грн
30+ 483.49 грн
120+ 432.59 грн
IKFW75N65EH5XKSA1Infineon TechnologiesHigh Speed Fast IGBT
товар відсутній
IKFW75N65EH5XKSA1Infineon TechnologiesSP001728808
товар відсутній
IKFW75N65EH5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKFW75N65EH5XKSA1 - IGBT, 650V, 80A, 148W, HSIP247, 1.65Vsat
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Verlustleistung: 148
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: HSIP247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65
Kollektorstrom: 80
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+599.81 грн
5+ 558.32 грн
10+ 516.83 грн
50+ 470.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKFW75N65EH5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 705 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+682.85 грн
10+ 576.83 грн
25+ 454.87 грн
100+ 417.89 грн
240+ 340.02 грн
480+ 339.37 грн
2640+ 316.66 грн
IKFW75N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesHard-switching IGBT5 Discrete
товар відсутній
IKFW75N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesSP001728806
товар відсутній
IKFW75N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A HSIP247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 71 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: PG-HSIP247-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/152ns
Switching Energy: 1.48mJ (on), 660µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 8Ohm, 15V
Gate Charge: 144 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 148 W
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+375.93 грн
Мінімальне замовлення: 60
IKFW75N65ES5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKFW75N65ES5XKSA1 - IGBT, 650V, 80A, 148W, HSIP247, 1.35Vsat
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Verlustleistung: 148
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80
Bauform - Transistor: HSIP247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+880.79 грн
5+ 800.72 грн
10+ 719.92 грн
50+ 611.04 грн
100+ 511 грн
IKFW75N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 1951 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+700.26 грн
10+ 658.17 грн
25+ 488.62 грн
100+ 435.41 грн
240+ 349.75 грн
480+ 321.85 грн
IKFW75N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A HSIP247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 71 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: PG-HSIP247-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/152ns
Switching Energy: 1.48mJ (on), 660µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 8Ohm, 15V
Gate Charge: 144 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 148 W
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+625.42 грн
IKFW90N60EH3XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESIKFW90N60EH3XKSA1 THT IGBT transistors
товар відсутній
IKFW90N60EH3XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 77A 178W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+764.6 грн
10+ 699.96 грн
25+ 673.43 грн
100+ 570.79 грн
IKFW90N60EH3XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 77A 178W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+756.72 грн
17+ 692.74 грн
25+ 666.5 грн
100+ 564.91 грн
Мінімальне замовлення: 16
IKFW90N60EH3XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 77A 178000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+384.58 грн
IKFW90N60EH3XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 77A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 107 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-AI
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/210ns
Switching Energy: 2.65mJ (on), 1.3mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 440 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 77 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 178 W
на замовлення 244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+709.65 грн
30+ 553.27 грн
120+ 520.71 грн
IKFW90N60EH3XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 77A 178W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKFW90N60EH3XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 126 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+907.69 грн
10+ 807.42 грн
25+ 669.66 грн
100+ 581.41 грн
240+ 554.8 грн
480+ 506.14 грн
1200+ 496.4 грн
IKFW90N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesSP001728810
товар відсутній
IKFW90N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: INDUSTRY 14 PG-HSIP247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 89 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-HSIP247-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 42ns/151ns
Switching Energy: 2.5mJ (on), 990µJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 16Ohm, 15V
Gate Charge: 165 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 154 W
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+508.9 грн
10+ 419.89 грн
100+ 349.92 грн
IKFW90N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Discrete Chip
товар відсутній
IKFW90N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
товар відсутній