Продукція > IKF
Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IKF68331-A0-PB0-C | INKAOS | 0622+ | на замовлення 87 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKF68331-A0-PB0-C | INKAOS | 09+ | на замовлення 105 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKF68331-A0-PB1-C | IKANOS | 07+ЙўРВ | на замовлення 754 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKF68331-A0-PB1-C | IKANOS | 09+ | на замовлення 772 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKF68331-A0-PB1-C | IKANOS | 07+Йў? | на замовлення 754 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKF68331-A0-PB1-C-R | IKANOS | 2006 | на замовлення 450 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKF68331-A0-PB1-L | IKANOS | 07+ BGA; | на замовлення 9 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKF68331-A1-PB1-C | iKANOS Fusiv | 05+ BGA | на замовлення 520 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKF68331-A1-PB1-C | iKANOS Fusiv | BGA 05+ | на замовлення 520 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKF68331-AO-PB1-C-R | IKANOS | 09+ | на замовлення 468 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKF6834-A0-PB1-C | BGA | на замовлення 400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IKF6834-A0-PB1-C | BGA | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IKF6834-AO-PB1-C | на замовлення 3325 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IKF6834-AO-PB1-C | BGA | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IKF6836-A0-PB1-C | IKANOS | 07+Йў? | на замовлення 14 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKF6836-AO-PB1-C | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IKF6836-AO-PB1-C | QFP | на замовлення 3325 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IKF6836-AO-PBI-C | на замовлення 325 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IKF6843-AO-QL1-L | IKANOS | QFP | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKFW40N60DH3E | Infineon technologies | на замовлення 20 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IKFW40N60DH3EXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 34A 111000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKFW40N60DH3EXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 34A 111W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKFW40N60DH3EXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 28A; 81W; PG-TO247-3-AI Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 81W Case: PG-TO247-3-AI Mounting: THT Gate charge: 107nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 28A Pulsed collector current: 90A Turn-on time: 52ns Turn-off time: 160ns Collector-emitter voltage: 600V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKFW40N60DH3EXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 34A 111W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKFW40N60DH3EXKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 34A TO-247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 72 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3-AI IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 18ns/144ns Switching Energy: 870µJ (on), 360µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 107 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 34 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 111 W | на замовлення 199 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKFW40N60DH3EXKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs HOME APPLIANCES 14 | на замовлення 824 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKFW40N60DH3EXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 34A 111W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKFW40N60DH3EXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 28A; 81W; PG-TO247-3-AI Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 81W Case: PG-TO247-3-AI Mounting: THT Gate charge: 107nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 28A Pulsed collector current: 90A Turn-on time: 52ns Turn-off time: 160ns Collector-emitter voltage: 600V кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKFW40N65DH5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKFW40N65DH5XKSA1 - IGBT, 53 A, 1.8 V, 106 W, 650 V, HSIP247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 106 Bauform - Transistor: HSIP247 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: PW Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175 Kontinuierlicher Kollektorstrom: 53 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 237 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKFW40N65DH5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 650V 53A HSIP247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 64 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-HSIP247-3-2 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 18ns/105ns Switching Energy: 1.17mJ (on), 500µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 14Ohm, 15V Gate Charge: 70 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 53 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 106 W | на замовлення 203 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKFW40N65DH5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs 650 V, 40 A IGBT in TO-247 advanced isolation package | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKFW40N65DH5XKSA1 | Infineon Technologies | SP001728800 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKFW40N65DH5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Discrete Chip | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKFW40N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs INDUSTRY 14 | на замовлення 166 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKFW40N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | SP005401489 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKFW40N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | High Speed Fast IGBT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKFW40N65ES5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKFW40N65ES5XKSA1 - IGBT, 650V, 60A, 106W, HSIP247, 1.35Vsat tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 106W Bauform - Transistor: HSIP247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 42 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKFW40N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 650V 60A HSIP247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-HSIP247-3-2 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 17ns/124ns Switching Energy: 560µJ (on), 320µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 13Ohm, 15V Gate Charge: 70 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 106 W | на замовлення 33 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKFW50N60DH3EXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 130W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 266 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKFW50N60DH3EXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKFW50N60DH3EXKSA1 - IGBT, 40 A, 2.2 V, 130 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 130W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 3 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 70 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKFW50N60DH3EXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 130W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 266 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKFW50N60DH3EXKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO-247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 64 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3-AI IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 21ns/174ns Switching Energy: 1.28mJ (on), 560µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 8Ohm, 15V Gate Charge: 160 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 130 W | на замовлення 143 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKFW50N60DH3EXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 37A; 95W; PG-TO247-3-AI Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 95W Case: PG-TO247-3-AI Mounting: THT Gate charge: 160nC Kind of package: tube Turn-off time: 192ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 37A Pulsed collector current: 120A Turn-on time: 60ns кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 6 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKFW50N60DH3EXKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs HOME APPLIANCES 14 | на замовлення 290 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKFW50N60DH3EXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 130W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 2640 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKFW50N60DH3EXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 37A; 95W; PG-TO247-3-AI Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 95W Case: PG-TO247-3-AI Mounting: THT Gate charge: 160nC Kind of package: tube Turn-off time: 192ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 37A Pulsed collector current: 120A Turn-on time: 60ns | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKFW50N60DH3EXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKFW50N60DH3EXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 130W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKFW50N60DH3XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 53A TO-247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 64 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3-AI IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 25ns/212ns Switching Energy: 1.22mJ (on), 610µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 8Ohm, 15V Gate Charge: 210 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 53 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 145 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKFW50N60DH3XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs INDUSTRY 14 | на замовлення 133 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKFW50N60DH3XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 53A 145W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKFW50N60DH3XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 53A 145000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKFW50N60DH3XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 53A 145W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKFW50N60DH3XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 53A 145W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKFW50N60ETXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 73A 164000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKFW50N60ETXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 73A 164W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKFW50N60ETXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 59A; 120W; PG-TO247-3-AI Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 120W Case: PG-TO247-3-AI Mounting: THT Gate charge: 290nC Kind of package: tube Turn-off time: 332ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 59A Pulsed collector current: 150A Turn-on time: 61ns кількість в упаковці: 240 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKFW50N60ETXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 73A 164W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKFW50N60ETXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 59A; 120W; PG-TO247-3-AI Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 120W Case: PG-TO247-3-AI Mounting: THT Gate charge: 290nC Kind of package: tube Turn-off time: 332ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 59A Pulsed collector current: 150A Turn-on time: 61ns | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKFW50N60ETXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 73A 164W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 189 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKFW50N60ETXKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 73A TO-247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 91 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-3-AI IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 28ns/305ns Switching Energy: 1.5mJ (on), 1.42mJ (off) Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V Gate Charge: 290 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 73 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 164 W | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKFW50N60ETXKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs INDUSTRY 14 | на замовлення 275 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKFW50N60ETXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 73A 164W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 189 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKFW50N65DH5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 650V 59A HSIP247-3-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 68 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-HSIP247-3-2 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 23ns/131ns Switching Energy: 1.46mJ (on), 630µJ (off) Test Condition: 400V, 50A, 12.2Ohm, 15V Gate Charge: 95 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 59 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 124 W | на замовлення 180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKFW50N65DH5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs HOME APPLIANCES 14 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKFW50N65DH5XKSA1 | Infineon Technologies | High speed 5 IGBT in Trench Stop | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKFW50N65DH5XKSA1 | Infineon Technologies | High speed 5 IGBT in Trench Stop | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKFW50N65DH5XKSA1 | Infineon | на замовлення 240 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IKFW50N65EH5XKSA1 | Infineon Technologies | High Speed Fast IGBT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKFW50N65EH5XKSA1 | Infineon Technologies | SP001728804 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKFW50N65EH5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKFW50N65EH5XKSA1 - IGBT, 650V, 59A, 124W, HSIP247, 1.65Vsat tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 124W Bauform - Transistor: HSIP247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 59A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 32 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKFW50N65EH5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 650V 59A HSIP247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 52 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-HSIP247-3-2 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 20ns/138ns Switching Energy: 1.2mJ (on), 400µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 15.1Ohm, 15V Gate Charge: 95 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 59 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 124 W | на замовлення 105 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKFW50N65EH5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs INDUSTRY 14 | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKFW50N65ES5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKFW50N65ES5XKSA1 - IGBT, 650 V, 74 A, 127W, HSIP247, 1.35 Vsat tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 127 Bauform - Transistor: HSIP247 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175 Kontinuierlicher Kollektorstrom: 74 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 93 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKFW50N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 650V 74A HSIP247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 69 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-HSIP247-3-2 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 19ns/130ns Switching Energy: 860µJ (on), 400µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 95 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 74 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 127 W | на замовлення 66 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKFW50N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs INDUSTRY 14 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKFW50N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | High Speed Fast IGBT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKFW50N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | SP001728802 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKFW60N60DH3E | Infineon technologies | на замовлення 60 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IKFW60N60DH3EXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKFW60N60DH3EXKSA1 - IGBT, 53 A, 2.2 V, 141 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 141 Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: TRENCHSTOP 3 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600 productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175 Kontinuierlicher Kollektorstrom: 53 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKFW60N60DH3EXKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 53A TO-247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 68 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-3-AI IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 23ns/170ns Switching Energy: 1.57mJ (on), 720µJ (off) Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V Gate Charge: 210 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 53 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 141 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKFW60N60DH3EXKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs HOME APPLIANCES 14 | на замовлення 438 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKFW60N60DH3EXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 53A 141W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKFW60N60DH3EXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 53A 141000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKFW60N60DH3EXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 53A 141W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKFW60N60DH3EXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 53A 141W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKFW60N60DH3EXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 44A; 104W; PG-TO247-3-AI Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 104W Case: PG-TO247-3-AI Mounting: THT Gate charge: 0.21µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 44A Pulsed collector current: 150A Turn-on time: 62ns Turn-off time: 189ns Collector-emitter voltage: 600V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKFW60N60DH3EXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 44A; 104W; PG-TO247-3-AI Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 104W Case: PG-TO247-3-AI Mounting: THT Gate charge: 0.21µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 44A Pulsed collector current: 150A Turn-on time: 62ns Turn-off time: 189ns Collector-emitter voltage: 600V кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKFW60N60DH3EXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 53A 141W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKFW60N60EH3XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 164W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 164W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 290nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 50A Pulsed collector current: 200A Turn-on time: 64ns Turn-off time: 253ns Collector-emitter voltage: 600V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKFW60N60EH3XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 164W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 164W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 290nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 50A Pulsed collector current: 200A Turn-on time: 64ns Turn-off time: 253ns Collector-emitter voltage: 600V кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKFW60N60EH3XKSA1 | Infineon Technologies | High speed switching series third generation IGBT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKFW60N60EH3XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT Packaging: Tube Part Status: Active | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKFW60N60EH3XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs INDUSTRY 14 | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKFW60N60EH3XKSA1 | Infineon Technologies | High speed switching series third generation IGBT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKFW60N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | Cost Effective Integrated IGBT With Diode | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKFW60N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 650V 77A HSIP247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 77 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-HSIP247-3-2 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 20ns/127ns Switching Energy: 1.23mJ (on), 550µJ (off) Test Condition: 400V, 50A, 8.2Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 77 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 138 W | на замовлення 235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKFW60N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs INDUSTRY 14 | на замовлення 275 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKFW60N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | SP001878206 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKFW60N65ES5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKFW60N65ES5XKSA1 - IGBT, 650V, 77A, 138W, HSIP247, 1.35Vsat tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 138W Bauform - Transistor: HSIP247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 77A SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 255 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKFW75N60ETXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 178000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKFW75N60ETXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 178W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKFW75N60ETXKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 107 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A Supplier Device Package: PG-TO247-3-AI IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 33ns/340ns Switching Energy: 2.7mJ (on), 2.35J (off) Test Condition: 400V, 75A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 440 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A Power - Max: 178 W | на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKFW75N60ETXKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs INDUSTRY 14 | на замовлення 554 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKFW75N65EH5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKFW75N65EH5XKSA1 - IGBT, 650V, 80A, 148W, HSIP247, 1.65Vsat Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 Verlustleistung: 148 Anzahl der Pins: 3 Bauform - Transistor: HSIP247 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65 Kollektorstrom: 80 Betriebstemperatur, max.: 175 Produktpalette: TRENCHSTOP 5 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKFW75N65EH5XKSA1 | Infineon Technologies | High Speed Fast IGBT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKFW75N65EH5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A HSIP247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 60A Supplier Device Package: PG-HSIP247-3-2 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 30ns/206ns Switching Energy: 1.8mJ (on), 600µJ (off) Test Condition: 400V, 60A, 12Ohm, 15V Gate Charge: 144 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A Power - Max: 148 W | на замовлення 38 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKFW75N65EH5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs INDUSTRY 14 | на замовлення 383 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKFW75N65EH5XKSA1 | Infineon Technologies | SP001728808 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKFW75N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A HSIP247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 71 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 60A Supplier Device Package: PG-HSIP247-3-2 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 24ns/152ns Switching Energy: 1.48mJ (on), 660µJ (off) Test Condition: 400V, 60A, 8Ohm, 15V Gate Charge: 144 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A Power - Max: 148 W | на замовлення 241 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKFW75N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs INDUSTRY 14 | на замовлення 244 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKFW75N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | Hard-switching IGBT5 Discrete | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKFW75N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | SP001728806 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKFW75N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | Hard-switching IGBT5 Discrete | на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKFW75N65ES5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKFW75N65ES5XKSA1 - IGBT, 650V, 80A, 148W, HSIP247, 1.35Vsat tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 148W Bauform - Transistor: HSIP247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 1647 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKFW75N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | Hard-switching IGBT5 Discrete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKFW90N60EH3XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | IKFW90N60EH3XKSA1 THT IGBT transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKFW90N60EH3XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 77A 178W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKFW90N60EH3XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKFW90N60EH3XKSA1 - IGBT, 77 A, 1.85 V, 178 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 178W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 77A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 279 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKFW90N60EH3XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 77A TO-247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 107 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A Supplier Device Package: PG-TO247-3-AI IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 32ns/210ns Switching Energy: 2.65mJ (on), 1.3mJ (off) Test Condition: 400V, 75A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 440 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 77 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 178 W | на замовлення 244 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKFW90N60EH3XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 | на замовлення 126 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKFW90N60EH3XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 77A 178W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKFW90N60EH3XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 77A 178W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKFW90N60EH3XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 77A 178000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKFW90N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A HSIP247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 89 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 75A Supplier Device Package: PG-HSIP247-3-2 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 42ns/151ns Switching Energy: 2.5mJ (on), 990µJ (off) Test Condition: 400V, 75A, 16Ohm, 15V Gate Charge: 165 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 154 W | на замовлення 218 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKFW90N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs INDUSTRY 14 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKFW90N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Discrete Chip | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKFW90N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | SP001728810 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |