Продукція > IXS

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IXS 60K-3KERNDescription: KERN - IXS 60K-3 - Waage, Plattformwaage, 60kg, Edelstahl-Auswertegerät, Produktreihe IXS
Lademasse, max.: 60
Waage: Tafelwaage
Auflösung (g): 2
Produktpalette: IXS Series
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXS 60K-3LKERNDescription: KERN - IXS 60K-3L - Waage, Plattformwaage, 60kg, Edelstahl-Auswertegerät, Produktreihe IXS
Lademasse, max.: 60
Waage: Tafelwaage
Auflösung (g): 2
Produktpalette: IXS Series
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXS100004+
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXS839AQ2IXYSDescription: IC MOSFET DRIVER SYNC BUCK 10QFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXS839AQ2T/RIXYSDescription: IC MOSFET DRIVER SYNC BUCK 10QFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXS839BQ2IXYSDescription: IC MOSFET DRIVER SYNC BUCK 10QFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXS839BQ2T/RIXYSDescription: IC MOSFET DRIVER SYNC BUCK 10QFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXS839S1IXYSDescription: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 24 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 20ns, 15ns
Channel Type: Synchronous
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2V
Current - Peak Output (Source, Sink): 2A, 4A
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXS839S1T/RIXYSDescription: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 24 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 20ns, 15ns
Channel Type: Synchronous
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2V
Current - Peak Output (Source, Sink): 2A, 4A
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSA025000AVC5*725MKDS
на замовлення 830 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXSA10N60B2D1IXYSDescription: IGBT 600V 20A 100W TO263
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-263AA
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/180ns
Switching Energy: 430µJ (off)
Test Condition: 480V, 10A, 30Ohm, 15V
Gate Charge: 17 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 100 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSA110N65L2-7TRIXYSDescription: 650V 25M (110A @ 25C) SIC MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 111A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 12mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3090 pF @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSA110N65L2-7TRIXYSDescription: 650V 25M (110A @ 25C) SIC MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 111A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 12mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3090 pF @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSA110N65L2-7TRIXYSSiC MOSFETs 650V 25mohm (110A a. 25C) SiC MOSFET in TO263-7L
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+842.13 грн
10+649.30 грн
100+470.89 грн
500+419.78 грн
800+356.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXSA110N65L2-7TRIXYSDescription: 650V 25M (110A @ 25C) SIC MOSFET
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 111A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 12mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3090 pF @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSA15N120BIXYSDescription: IGBT PT 1200V 30A TO-263AA
Packaging: Box
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-263AA
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/148ns
Switching Energy: 1.75mJ (off)
Test Condition: 960V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 57 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 150 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSA20N120L2-7TRIXYSSiC MOSFETs 1200V 60mohm (20A a.25C) SiC MOSFET in TO263-7L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSA20N120L2-7TRIXYSDescription: 1200V 60M (20A @25C) SIC MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 5A, 18V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 800 V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+475.03 грн
10+307.94 грн
100+224.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXSA20N120L2-7TRIXYSSiC MOSFETs 1200V 60mohm (20A a.25C) SiC MOSFET in TO263-7L
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+479.80 грн
10+363.39 грн
100+254.81 грн
500+226.15 грн
800+193.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXSA20N120L2-7TRIXYSDescription: 1200V 60M (20A @25C) SIC MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 5A, 18V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSA20N60B2D1IXYSDescription: IGBT PT 600V 35A TO-263AA
Packaging: Box
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 16A
Supplier Device Package: TO-263AA
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/116ns
Switching Energy: 380µJ (off)
Test Condition: 480V, 16A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 33 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 190 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSA40N120L2-7TRIXYSDescription: 1200V 80m (40A @ 25C) SiC MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1214 pF @ 800 V
на замовлення 1597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+597.35 грн
10+391.85 грн
100+304.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXSA40N120L2-7TRIXYSSiC MOSFETs 1200V 80mohm (40A a. 25C) SiC MOSFET in TO267-7L
на замовлення 716 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+639.73 грн
10+629.70 грн
500+525.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXSA40N120L2-7TRIXYSDescription: 1200V 80m (40A @ 25C) SiC MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1214 pF @ 800 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+258.69 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IXSA40N65L2-7TRIXYSSiC MOSFETs 650V 60mohm (40A a. 25C) SiC MOSFET in TO267-7L
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+571.96 грн
10+398.13 грн
100+288.11 грн
500+257.13 грн
800+228.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXSA60N65L2-7TRIXYSDescription: 650V 40M (80A @ 25C) SIC MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 249W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 7.5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94.7 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 600 V
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+656.83 грн
10+432.91 грн
100+345.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXSA60N65L2-7TRIXYSSiC MOSFETs 650V 40mohm (80A a. 25C) SiC MOSFET in TO267-7L
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+712.92 грн
10+511.24 грн
100+370.98 грн
500+330.71 грн
800+293.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXSA60N65L2-7TRIXYSDescription: 650V 40M (80A @ 25C) SIC MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 249W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 7.5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94.7 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 600 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+293.06 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IXSA65N120L2-7TRIXYSSiC MOSFETs 1200V 40mohm (65A a. 25C) SiC MOSFET in TO-263-7L
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+758.10 грн
10+566.46 грн
100+411.26 грн
500+366.34 грн
800+326.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXSA80N120L2-7TRIXYSDescription: 1200V 30m (80A @ 25C) SiC MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 12mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 800 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+457.87 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IXSA80N120L2-7TRIXYSDescription: 1200V 30m (80A @ 25C) SiC MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 12mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 800 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+937.49 грн
10+628.07 грн
100+472.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXSA80N120L2-7TRIXYSSiC MOSFETs 1200V 30mohm (80A a. 25C) SiC MOSFET in TO267-7L
на замовлення 539 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+975.86 грн
10+782.90 грн
100+533.63 грн
500+505.74 грн
800+489.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXSG110N65L2KIXYSDescription: 650V 25M (110A @ 25C) SIC MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 111A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 12mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3090 pF @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSG110N65L2KIXYSSiC MOSFETs 650V 25mohm (110A a. 25C) SiC MOSFET in TOLL
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+842.13 грн
10+649.30 грн
100+470.89 грн
500+419.78 грн
1000+356.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXSG110N65L2KIXYSDescription: 650V 25M (110A @ 25C) SIC MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 111A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 12mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3090 pF @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSG40N65L2KIXYSSiC MOSFETs 650V 60mohm (40A a. 25C) SiC MOSFET in TOLL
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+576.48 грн
10+385.66 грн
100+253.26 грн
1000+240.09 грн
2000+214.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXSG60N65L2KIXYSDescription: 650V 40M (40A @ 25C) SIC MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 249W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 7.5mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94.7 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 600 V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+649.29 грн
10+427.59 грн
100+340.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXSG60N65L2KIXYSDescription: 650V 40M (40A @ 25C) SIC MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 249W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 7.5mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94.7 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSG60N65L2KIXYSSiC MOSFETs 650V 40mohm (40A a. 25C) SiC MOSFET in TOLL
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+702.08 грн
10+503.23 грн
100+364.01 грн
500+325.29 грн
1000+288.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH100N65L2KHVIXYSSiC MOSFETs 650V 25mohm (100A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+863.82 грн
10+666.22 грн
100+483.28 грн
450+430.62 грн
900+365.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH10N120AU1IXYSLittelfuse
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH10N60B2D1IXYSDescription: IGBT PT 600V 20A TO-247AD
Packaging: Box
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/180ns
Switching Energy: 430µJ (off)
Test Condition: 480V, 10A, 30Ohm, 15V
Gate Charge: 17 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 100 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH15N120BIXYSDescription: IGBT PT 1200V 30A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/148ns
Switching Energy: 1.5mJ (off)
Test Condition: 960V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 57 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 150 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH15N120BIXYSIGBT Transistors 30 Amps 1200V 3.4 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH15N120BD1IXYSIGBT Transistors 30 Amps 1200V 3.4 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH15N120BD1IXYSDescription: IGBT PT 1200V 30A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/148ns
Switching Energy: 1.5mJ (off)
Test Condition: 960V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 57 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 150 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH16N60U1IXYSLittelfuse
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH20N120L2KHVIXYSSiC MOSFETs 1200V 60mohm (20A a.25C) SiC MOSFET in TO247-4L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH20N120L2KHVIXYSDescription: 1200V 60M (20A @25C) SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 5A, 18V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 800 V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+453.25 грн
10+292.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH20N120L2KHVIXYSSiC MOSFETs 1200V 60mohm (20A a.25C) SiC MOSFET in TO247-4L
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+458.11 грн
10+341.13 грн
100+240.09 грн
450+212.21 грн
900+182.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH20N60B2D1IXYSDescription: IGBT PT 600V 35A TO-247AD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 16A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/116ns
Switching Energy: 380µJ (off)
Test Condition: 480V, 16A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 33 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 190 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH20N60B2D1IXYSIGBT Transistors 20 Amps 600V 2.5 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH24N60IXYSIGBT Transistors 48 Amps 600V 2.2 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH24N60IXYSDescription: IGBT 600V 48A 150W TO247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH24N60AIXYSDescription: IGBT 600V 48A 150W TO247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH24N60AIXYSIGBT Transistors S-SERIES LO VCE SNGL 600V 24A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH24N60AU1IXYSIGBT Transistors 48 Amps 600V 2.7 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH24N60AU1IXYSMODULE
на замовлення 87 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH24N60AU1IXYSDescription: IGBT 600V 48A 150W TO247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH24N60BIXYSDescription: IGBT PT 600V 48A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 24A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/150ns
Switching Energy: 1.3mJ (off)
Test Condition: 480V, 24A, 33Ohm, 15V
Gate Charge: 41 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 150 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH24N60BIXYSIGBT Transistors 48 Amps 600V 2.5 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH24N60BD1IXYSDescription: IGBT 600V 48A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 24A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/150ns
Switching Energy: 1.3mJ (off)
Test Condition: 480V, 24A, 33Ohm, 15V
Gate Charge: 41 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 150 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH24N60BD1IXYSIGBT Transistors 48 Amps 600V 2.5 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH24N60U1IXYSDescription: IGBT 600V 48A 150W TO247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH24N60U1IXYSIGBT Transistors S-SERIE MED SPD IGBT FREEWHEELING 600V48A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH25N100IXYSIGBT Transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH25N100AIXYSLittelfuse
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH25N120AIXYSDescription: IGBT 1200V 50A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 100ns/450ns
Switching Energy: 9.6mJ (off)
Test Condition: 960V, 25A, 18Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 200 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH25N120AIXYSIGBT Transistors 50 Amps 1200V 4.0 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH25N120AU1IXYSDescription: IGBT 1200V 50A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 100ns/450ns
Switching Energy: 9.6mJ (off)
Test Condition: 960V, 25A, 18Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 200 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH30N60IXYSIGBTs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH30N60IXYSMODULE
на замовлення 94 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH30N60AU1IXYSDescription: IGBT 600V 50A 200W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 60ns/400ns
Switching Energy: 2.5mJ (off)
Test Condition: 480V, 30A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 200 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH30N60AU1IXYSIGBT Transistors 30 Amps 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH30N60BIXYSIGBT Transistors 55 Amps 600V 2 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH30N60BIXYSDescription: IGBT PT 600V 55A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/150ns
Switching Energy: 1.5mJ (off)
Test Condition: 480V, 30A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 110 A
Power - Max: 200 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH30N60B2D1IXYSIGBT Transistors 30 Amps 600V 2.5 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH30N60B2D1IXYSDescription: IGBT PT 600V 48A TO-247AD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 24A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/130ns
Switching Energy: 550µJ (off)
Test Condition: 400V, 24A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 50 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 250 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH30N60BD1IXYSDescription: IGBT 600V 55A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 55A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/150ns
Switching Energy: 1.5mJ (off)
Test Condition: 480V, 30A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 110 A
Power - Max: 200 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH30N60BD1IXYSIGBT Transistors 55 Amps 600V 2 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH30N60CIXYSIGBT Transistors 55 Amps 600V 2.5 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH30N60CIXYSDescription: IGBT 600V 55A 200W TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/90ns
Switching Energy: 700µJ (off)
Test Condition: 480V, 30A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 110 A
Power - Max: 200 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH30N60CD1IXYSDescription: IGBT 600V 55A TO-247AD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/90ns
Switching Energy: 700µJ (off)
Test Condition: 480V, 30A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 110 A
Power - Max: 200 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH30N60CD1IXYSIGBT Transistors 55 Amps 600V 2.5 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH30N60U1IXYSIGBT Transistors 30 Amps 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH30N60U1IXYSDescription: IGBT 600V 50A 200W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 60ns/400ns
Switching Energy: 2.5mJ (off)
Test Condition: 480V, 30A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 200 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH35N100AIXYSIGBT Transistors 35 Amps 1000V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH35N100AIXYSDescription: IGBT 1000V 70A TO-247AD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 35A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 80ns/400ns
Switching Energy: 10mJ (off)
Test Condition: 800V, 35A, 2.7Ohm, 15V
Gate Charge: 180 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 140 A
Power - Max: 300 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH35N120AIXYSDescription: IGBT 1200V 70A 300W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 35A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 80ns/400ns
Switching Energy: 10mJ (off)
Test Condition: 960V, 35A, 2.7Ohm, 15V
Gate Charge: 150 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 140 A
Power - Max: 300 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH35N120AIXYSIGBT Transistors HIGH SPEED IGBT 1200V, 70A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH35N120BIXYSIGBT Transistors 70 Amps 1200V 3.6 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH35N120BIXYSDescription: IGBT PT 1200V 70A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 35A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/160ns
Switching Energy: 5mJ (off)
Test Condition: 960V, 35A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 140 A
Power - Max: 300 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH35N140AIXYSDescription: IGBT 1400V 70A 300W TO247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH35N140A
Код товару: 62775
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH35N140AIXYSIGBT Transistors 70 Amps 1400V 4 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH40N120L2KHVIXYSSiC MOSFETs 1200V 80mohm (40A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L
на замовлення 408 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+675.88 грн
120+640.39 грн
510+546.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH40N120L2KHVIXYSDescription: 1200V 80M (40A @ 25C) SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1214 pF @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH40N60IXYSIGBT Transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH40N60AIXYSDescription: IGBT 600V 75A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 55ns/400ns
Switching Energy: 2.5mJ (off)
Test Condition: 480V, 40A, 2.7Ohm, 15V
Gate Charge: 190 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 300 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH40N60AIXYSIGBT Transistors HIGH SPEED IGBT 600V, 40A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH40N60BIXYSDescription: IGBT PT 600V 75A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/110ns
Switching Energy: 1.8mJ (off)
Test Condition: 480V, 40A, 2.7Ohm, 15V
Gate Charge: 190 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 280 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH40N60BIXYSIGBT Transistors 75 Amps 600V 2.2 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH40N60BIXYSMODULE
на замовлення 63 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH40N60B2D1IXYSDescription: IGBT 600V 48A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH40N60B2D1IXYSIGBT Transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH40N65L2KHVIXYSDescription: 650V 60M (40A @ 25C) SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 174W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1218 pF @ 600 V
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+551.27 грн
10+359.98 грн
450+224.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH40N65L2KHVIXYSSiC MOSFETs 650V 60mohm (40A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+583.71 грн
10+406.14 грн
100+294.31 грн
450+261.78 грн
900+233.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH45N100IXYSIGBT Transistors IGBT SCSOA 1000V 50A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH45N100IXYSDescription: IGBT 1000V 75A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 45A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 80ns/400ns
Switching Energy: 15mJ (off)
Test Condition: 800V, 45A, 2.7Ohm, 15V
Gate Charge: 165 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 300 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH45N120IXYSDescription: IGBT 1200V 75A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 45A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 80ns/400ns
Switching Energy: 21mJ (off)
Test Condition: 960V, 45A, 2.7Ohm, 15V
Gate Charge: 150 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 300 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH45N120IXYSIGBT Transistors 45 Amps 1200V 3 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH45N120(транзистор)
Код товару: 82135
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH45N120BIXYSDescription: IGBT PT 1200V 75A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 45A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/360ns
Switching Energy: 13mJ (off)
Test Condition: 960V, 45A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 300 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH45N120BIXYSIGBT Transistors 75 Amps 1200V 3 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH50N60BIXYSDescription: IGBT 600V 75A 250W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 70ns/150ns
Switching Energy: 3.3mJ (off)
Test Condition: 480V, 50A, 2.7Ohm, 15V
Gate Charge: 167 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 250 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH60N65L2KHVIXYSDescription: 650V 40M (40A @ 25C) SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 249W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 7.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94.7 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 600 V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+661.02 грн
10+436.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH60N65L2KHVIXYSSiC MOSFETs 650V 40mohm (40A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+702.98 грн
10+515.70 грн
100+373.31 грн
450+333.03 грн
900+296.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH65N120L2KHVIXYSSiC MOSFETs 1200V 40mohm (65A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+778.88 грн
10+582.50 грн
100+421.32 грн
450+375.63 грн
900+335.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH80N120L2KHVIXYSSiC MOSFETs 1200V 30mohm (80A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+967.73 грн
10+776.66 грн
120+563.06 грн
510+501.10 грн
1020+468.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH80N120L2KHVIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 58A; Idm: 198A; 395W
Mounting: THT
Case: TO247-4
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Gate-source voltage: -10...23V
Gate charge: 135nC
On-state resistance: 58mΩ
Drain current: 58A
Power dissipation: 395W
Drain-source voltage: 1.2kV
Pulsed drain current: 198A
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSJ25N120R1IXYSSiC MOSFETs 1200V 62mohm (25A a. 25C) SiC MOSFET in isolated TO247-3L
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1068.03 грн
10+785.57 грн
120+590.94 грн
510+559.18 грн
1020+475.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXSJ25N120R1IXYSDescription: 1200V 62M (25A @ 25C) SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 12A, 18V
Power Dissipation (Max): 75.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 5.3mA
Supplier Device Package: ISO247-3L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1435 pF @ 800 V
на замовлення 292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+982.73 грн
30+574.79 грн
120+493.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXSJ43N120R1IXYSSiC MOSFETs 1200V 36mohm (43A a. 25C) SiC MOSFET in isolated TO247-3L
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1449.34 грн
10+1143.62 грн
120+859.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXSJ43N120R1IXYSDescription: 1200V 36M (43A @ 25C) SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 1A, 18V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 11.1mA
Supplier Device Package: ISO247-3L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +12V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2453 pF @ 800 V
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1304.45 грн
30+782.70 грн
120+690.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXSJ43N120R1KIXYSDescription: 1200V 36M (43A @ 25C) SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 143.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 11.1mA
Supplier Device Package: ISO247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2343 pF @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSJ43N120R1KIXYSSiC MOSFETs 1200V 36mohm (43A a. 25C) SiC MOSFET in isolated TO247-4L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSJ50N60B4D1IXYSNTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors 34 Amps 600V 2 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSJ80N120R1IXYSSiC MOSFETs 1200V 18mohm (30A a. 25C) SiC MOSFET in isolated TO247-3L
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2364.66 грн
10+1947.89 грн
120+1481.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXSK30N60BD1IXYSIGBT Transistors 55 Amps 600V 2 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSK30N60BD1IXYSDescription: IGBT 600V 55A TO-264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 55A
Supplier Device Package: TO-264AA (IXSK)
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/150ns
Switching Energy: 1.5mJ (off)
Test Condition: 480V, 30A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 110 A
Power - Max: 200 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSK30N60CD1IXYS
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXSK30N60CD1IXYSIGBT Transistors 55 Amps 600V 2.5 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSK30N60CD1IXYSDescription: IGBT 600V 55A 200W TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-264AA (IXSK)
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/90ns
Switching Energy: 700µJ (off)
Test Condition: 480V, 30A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 110 A
Power - Max: 200 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSK30N60CD1
Код товару: 37957
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSK35N120AU1IXYSDescription: IGBT 1200V 70A 300W TO264
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 35A
Supplier Device Package: TO-264AA (IXSK)
Td (on/off) @ 25°C: 80ns/400ns
Switching Energy: 10mJ (off)
Test Condition: 960V, 35A, 2.7Ohm, 15V
Gate Charge: 150 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 140 A
Power - Max: 300 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSK35N120BD1IXYSDescription: IGBT 1200V 70A 300W TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 35A
Supplier Device Package: TO-264AA (IXSK)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/160ns
Switching Energy: 5mJ (off)
Test Condition: 960V, 35A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 140 A
Power - Max: 300 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSK40N60BD1IXYSDescription: IGBT 600V 75A 280W TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-264AA (IXSK)
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/110ns
Switching Energy: 1.8mJ (off)
Test Condition: 480V, 40A, 2.7Ohm, 15V
Gate Charge: 190 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 280 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSK40N60CD1IXYSDescription: IGBT 600V 75A 280W TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-264AA (IXSK)
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/70ns
Switching Energy: 1mJ (off)
Test Condition: 480V, 40A, 2.7Ohm, 15V
Gate Charge: 190 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 280 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSK50N60AU1IXYSDescription: IGBT 600V 75A 300W TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-264AA (IXSK)
Td (on/off) @ 25°C: 70ns/200ns
Switching Energy: 6mJ (off)
Test Condition: 480V, 50A, 2.7Ohm, 15V
Gate Charge: 190 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 300 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSK50N60AU1IXYS09+ QFN
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXSK50N60BD1IXYSDescription: IGBT 600V 75A 300W TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-264AA (IXSK)
Td (on/off) @ 25°C: 70ns/150ns
Switching Energy: 3.3mJ (off)
Test Condition: 480V, 50A, 2.7Ohm, 15V
Gate Charge: 167 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 300 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSK50N60BU1IXYSDescription: IGBT 600V 75A 300W TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-264AA (IXSK)
Td (on/off) @ 25°C: 70ns/150ns
Switching Energy: 3.3mJ (off)
Test Condition: 480V, 50A, 2.7Ohm, 15V
Gate Charge: 167 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 300 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSK80N60BIXYSDescription: IGBT 600V 160A 500W TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 80A
Supplier Device Package: TO-264AA (IXSK)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 60ns/140ns
Switching Energy: 4.2mJ (off)
Test Condition: 480V, 80A, 2.7Ohm, 15V
Gate Charge: 240 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 500 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSN35N100U1IXYS
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXSN35N100U1IXYSDescription: IGBT MOD 1000V 38A 205W SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 25A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 38 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 205 W
Current - Collector Cutoff (Max): 750 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.5 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSN35N100U1IXYSIGBT Transistors 35 Amps 1000V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSN35N100U1IXYSMODULE
на замовлення 605 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXSN35N120AU1IXYSDescription: IGBT MOD 1200V 70A 300W SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 35A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: PT
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 300 W
Current - Collector Cutoff (Max): 750 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.9 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSN35N120AU1IXYSIGBT Transistors 35 Amps 1200V 4 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSN35N120U1IXYS05+ WL
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXSN40N60AU1IXYS
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXSN50N60BD2IXYSDescription: IGBT 75A 600V SOT-227B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSN50N60BD3IXYSDescription: IGBT 75A 600V SOT-227B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSN50N60BD3IXYSIGBTs 75 Amps 600V 2.5 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSN50N60U1IXYS
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXSN52N60AU1IXYS
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXSN52N60AU1IXYS52A/600V/IGBT/1U
на замовлення 56 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXSN52N60AU1IXYSDescription: IGBT MOD 600V 80A 250W SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 40A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: PT
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 250 W
Current - Collector Cutoff (Max): 750 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.5 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSN55N120AIXYSDescription: IGBT MOD 1200V 110A 500W SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 55A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
Current - Collector (Ic) (Max): 110 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 500 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 8 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSN55N120AU1IXYSDescription: IGBT MOD 1200V 110A 500W SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 55A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
Current - Collector (Ic) (Max): 110 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 500 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 8 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSN55N12AU1IXYS
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXSN62N60U1IXYS
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXSN62N60U1IXYSMODULE
на замовлення 323 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXSN62N60U1IXYS60A/600V/IGBT/1U
на замовлення 57 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXSN62N60U1IXYSDescription: IGBT 90A 600V SOT-227B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSN62N60U1 IGBTIXYS07+;
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXSN80N60AU1IXYSDescription: IGBT MOD 600V 160A 500W SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 80A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 500 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 8.5 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSN80N60BD1
Код товару: 168773
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSN80N60BD1IXYSDescription: IGBT MOD 600V 160A 420W SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 80A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 420 W
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.6 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSP10N60B2D1IXYSDescription: IGBT PT 600V 20A TO-220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-220-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/180ns
Switching Energy: 430µJ (off)
Test Condition: 480V, 10A, 30Ohm, 15V
Gate Charge: 17 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 100 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSP10N60B2D1
Код товару: 105391
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSP15N120BIXYSDescription: IGBT 1200V 30A TO-220-3
Packaging: Box
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-220-3
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/148ns
Switching Energy: 1.75mJ (off)
Test Condition: 960V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 57 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 150 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSP20N60B2D1IXYSDescription: IGBT PT 600V 35A TO-220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 16A
Supplier Device Package: TO-220-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/116ns
Switching Energy: 380µJ (off)
Test Condition: 480V, 16A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 33 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 190 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSP24N60BIXYSDescription: IGBT PT 600V 48A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 24A
Supplier Device Package: TO-220-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/150ns
Switching Energy: 1.3mJ (off)
Test Condition: 480V, 24A, 33Ohm, 15V
Gate Charge: 41 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 150 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSQ20N60B2D1IXYSDescription: IGBT PT 600V 35A TO-3P
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 16A
Supplier Device Package: TO-3P
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/116ns
Switching Energy: 380µJ (off)
Gate Charge: 33 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 190 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSR35N120BD1IXYSDescription: IGBT 1200V 70A 250W ISOPLUS247
Packaging: Box
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 35A
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/160ns
Switching Energy: 5mJ (off)
Test Condition: 960V, 35A, 2.7Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 140 A
Power - Max: 250 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSR40N60BD1IXYSDescription: IGBT PT 600V 70A ISOPLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/110ns
Switching Energy: 1.8mJ (off)
Test Condition: 480V, 40A, 2.7Ohm, 15V
Gate Charge: 190 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 170 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSR40N60CD1IXYSDescription: IGBT PT 600V 62A ISOPLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/70ns
Switching Energy: 1mJ (off)
Test Condition: 480V, 40A, 2.7Ohm, 15V
Gate Charge: 190 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 62 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 210 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSR50N60BIXYSDescription: IGBT 600V ISOPLUS247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSR50N60BU1IXYSDescription: IGBT 600V ISOPLUS247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXST15N120BIXYSDescription: IGBT PT 1200V 30A TO-268AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-268AA
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/148ns
Switching Energy: 1.5mJ (off)
Test Condition: 960V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 57 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 150 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXST15N120BIXYSIGBTs 30 Amps 1200V 3.4 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXST15N120BD1IXYSDescription: IGBT PT 1200V 30A TO-268AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-268AA
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/148ns
Switching Energy: 1.5mJ (off)
Test Condition: 960V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 57 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 150 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXST24N60BD1IXYSDescription: IGBT 600V 48A TO-268AA
Packaging: Box
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 24A
Supplier Device Package: TO-268AA
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/150ns
Switching Energy: 1.3mJ (off)
Test Condition: 480V, 24A, 33Ohm, 15V
Gate Charge: 41 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 150 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXST30N60BIXYSDescription: IGBT PT 600V 55A TO-268AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-268AA
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/150ns
Switching Energy: 1.5mJ (off)
Test Condition: 480V, 30A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 110 A
Power - Max: 200 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXST30N60B2D1IXYSDescription: IGBT 600V 48A 250W TO268
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 24A
Supplier Device Package: TO-268AA
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/130ns
Switching Energy: 550µJ (off)
Test Condition: 400V, 24A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 50 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 250 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXST30N60BD1IXYSIGBTs 55 Amps 600V 2 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXST30N60BD1IXYSDescription: IGBT 600V 55A 200W TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 55A
Supplier Device Package: TO-268AA
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/150ns
Switching Energy: 1.5mJ (off)
Test Condition: 480V, 30A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 110 A
Power - Max: 200 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXST30N60CIXYSDescription: IGBT 600V 55A 200W TO268
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXST30N60CIXYSIGBTs 55 Amps 600V 2.5 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXST30N60CD1IXYSDescription: IGBT 600V 55A 200W TO268
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXST35N120BIXYSDescription: IGBT 1200V 70A 300W TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 35A
Supplier Device Package: TO-268AA
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/160ns
Switching Energy: 5mJ (off)
Test Condition: 960V, 35A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 140 A
Power - Max: 300 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXST40N60BIXYSDescription: IGBT PT 600V 75A TO268AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-268AA
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/110ns
Switching Energy: 1.8mJ (off)
Test Condition: 480V, 40A, 2.7Ohm, 15V
Gate Charge: 190 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 280 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXST40N60B2D1IXYSDescription: IGBT 600V 48A TO268
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXST45N120BIXYSDescription: IGBT PT 1200V 75A TO-268AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 45A
Supplier Device Package: TO-268AA
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/360ns
Switching Energy: 13mJ (off)
Test Condition: 960V, 45A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 300 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSX35N120BD1IXYSDescription: IGBT 1200V 70A 300W PLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 35A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/160ns
Switching Energy: 5mJ (off)
Test Condition: 960V, 35A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 140 A
Power - Max: 300 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSX40N60BD1IXYSDescription: IGBT 600V 75A PLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/110ns
Switching Energy: 1.8mJ (off)
Test Condition: 480V, 40A, 2.7Ohm, 15V
Gate Charge: 190 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 280 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSX40N60CD1IXYSDescription: IGBT 600V 75A PLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/70ns
Switching Energy: 1mJ (off)
Test Condition: 480V, 40A, 2.7Ohm, 15V
Gate Charge: 190 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 280 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSX50N60AU1IXYSDescription: IGBT 600V 75A PLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Td (on/off) @ 25°C: 70ns/200ns
Switching Energy: 6mJ (off)
Test Condition: 480V, 50A, 2.7Ohm, 15V
Gate Charge: 190 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 300 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSX50N60BD1IXYSDescription: IGBT 600V 75A 300W PLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Td (on/off) @ 25°C: 70ns/150ns
Switching Energy: 3.3mJ (off)
Test Condition: 480V, 50A, 2.7Ohm, 15V
Gate Charge: 167 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 300 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSX50N60BU1IXYSDescription: IGBT 600V 75A 300W PLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Td (on/off) @ 25°C: 70ns/150ns
Switching Energy: 3.3mJ (off)
Test Condition: 480V, 50A, 2.7Ohm, 15V
Gate Charge: 167 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 300 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSX80N60BIXYSDescription: IGBT PT 600V 160A PLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 80A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 60ns/140ns
Switching Energy: 4.2mJ (off)
Test Condition: 480V, 80A, 2.7Ohm, 15V
Gate Charge: 240 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 500 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.