Продукція > IXS

Обрати Сторінку:   1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IXS 60K-3KERNDescription: KERN - IXS 60K-3 - Waage, Plattformwaage, 60kg, Edelstahl-Auswertegerät, Produktreihe IXS
Lademasse, max.: 60
Waage: Tafelwaage
Auflösung (g): 2
Produktpalette: IXS Series
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXS 60K-3LKERNDescription: KERN - IXS 60K-3L - Waage, Plattformwaage, 60kg, Edelstahl-Auswertegerät, Produktreihe IXS
Lademasse, max.: 60
Waage: Tafelwaage
Auflösung (g): 2
Produktpalette: IXS Series
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXS100004+
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXS839AQ2IXYSDescription: IC MOSFET DRIVER SYNC BUCK 10QFN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 484 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXS839AQ2IXYS Integrated CircuitsGate Drivers 2 / 4 Amps 30V 2.2 / 1.2 Ohm Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXS839AQ2T/RIXYSDescription: IC MOSFET DRIVER SYNC BUCK 10QFN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXS839BQ2IXYSDescription: IC MOSFET DRIVER SYNC BUCK 10QFN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 363 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXS839BQ2T/RIXYSDescription: IC MOSFET DRIVER SYNC BUCK 10QFN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXS839S1IXYSDescription: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
DigiKey Programmable: Not Verified
Current - Peak Output (Source, Sink): 2A, 4A
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2V
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Number of Drivers: 2
Driven Configuration: Half-Bridge
Channel Type: Synchronous
Rise / Fall Time (Typ): 20ns, 15ns
Supplier Device Package: 8-SOIC
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 24 V
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXS839S1T/RIXYSDescription: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 24 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 20ns, 15ns
Channel Type: Synchronous
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2V
Current - Peak Output (Source, Sink): 2A, 4A
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXSA025000AVC5*725MKDS
на замовлення 830 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXSA10N60B2D1IXYSDescription: IGBT 600V 20A 100W TO263
Power - Max: 100 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Gate Charge: 17 nC
Test Condition: 480V, 10A, 30Ohm, 15V
Switching Energy: 430µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/180ns
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: TO-263AA
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 10A
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSA110N65L2-7TRIXYSDescription: 650V 25M (110A @ 25C) SIC MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 111A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 12mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3090 pF @ 600 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+390.92 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXSA110N65L2-7TRIXYSSiC MOSFETs 650V 25mohm (110A a. 25C) SiC MOSFET in TO263-7L
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+907.68 грн
10+622.41 грн
100+430.77 грн
500+407.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXSA110N65L2-7TRIXYSDescription: 650V 25M (110A @ 25C) SIC MOSFET
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 111A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 12mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3090 pF @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSA110N65L2-7TRIXYSDescription: 650V 25M (110A @ 25C) SIC MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 111A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 12mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3090 pF @ 600 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+864.39 грн
10+579.15 грн
100+460.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXSA15N120BIXYSDescription: IGBT PT 1200V 30A TO-263AA
Packaging: Box
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-263AA
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/148ns
Switching Energy: 1.75mJ (off)
Test Condition: 960V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 57 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 150 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSA20N120L2-7TRIXYSDescription: 1200V 60M (20A @25C) SIC MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Supplier Device Package: TO-263-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2mA
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 5A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+440.35 грн
10+285.46 грн
100+208.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXSA20N120L2-7TRIXYSSiC MOSFETs SiC MOSFET in TO263
на замовлення 894 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+541.23 грн
10+361.22 грн
100+229.19 грн
500+209.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXSA20N120L2-7TRIXYSDescription: 1200V 60M (20A @25C) SIC MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Supplier Device Package: TO-263-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2mA
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 5A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXSA20N120L2-7TRIXYSSiC MOSFETs 1200V 60mohm (20A a.25C) SiC MOSFET in TO263-7L
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXSA20N60B2D1IXYSDescription: IGBT PT 600V 35A TO-263AA
Power - Max: 190 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Gate Charge: 33 nC
Test Condition: 480V, 16A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 380µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/116ns
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: TO-263AA
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 16A
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Box
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXSA40N120L2-7TRIXYSDescription: 1200V 80m (40A @ 25C) SiC MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1214 pF @ 800 V
на замовлення 797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+584.81 грн
10+383.66 грн
100+282.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXSA40N120L2-7TRIXYSSiC MOSFETs 1200V 80mohm (40A a. 25C) SiC MOSFET in TO267-7L
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+674.12 грн
10+455.69 грн
100+298.92 грн
500+283.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXSA40N120L2-7TRIXYSDescription: 1200V 80m (40A @ 25C) SiC MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1214 pF @ 800 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXSA40N65L2-7TRIXYSDescription: 650V 60M (40A @ 25C) SIC MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 174W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1218 pF @ 600 V
на замовлення 1680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+593.35 грн
10+389.64 грн
100+286.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXSA40N65L2-7TRIXYSDescription: 650V 60M (40A @ 25C) SIC MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 174W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1218 pF @ 600 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+241.89 грн
1600+232.09 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXSA40N65L2-7TRIXYSSiC MOSFETs SiC MOSFET in TO263-7L
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+617.74 грн
10+416.00 грн
100+265.78 грн
500+249.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXSA60N65L2-7TRIXYSSiC MOSFETs SiC MOSFET in TO263-7L
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+748.21 грн
10+508.09 грн
100+338.96 грн
500+320.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXSA60N65L2-7TRIXYSDescription: 650V 40M (80A @ 25C) SIC MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 249W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 7.5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94.7 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 600 V
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+718.39 грн
10+476.39 грн
100+365.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXSA60N65L2-7TRIXYSDescription: 650V 40M (80A @ 25C) SIC MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 249W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 7.5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94.7 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 600 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+309.88 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXSA65N120L2-7TRIXYSSiC MOSFETs 1200V 40mohm (65A a. 25C) SiC MOSFET in TO-263-7L
на замовлення 815 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+833.59 грн
10+581.13 грн
100+421.11 грн
500+367.95 грн
800+355.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXSA80N120L2-7TRIXYSSiC MOSFETs 1200V 30mohm (80A a. 25C) SiC MOSFET in TO267-7L
на замовлення 539 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+869.83 грн
10+697.83 грн
100+475.64 грн
500+450.79 грн
800+436.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXSA80N120L2-7TRIXYSDescription: 1200V 30m (80A @ 25C) SiC MOSF
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Supplier Device Package: TO-263-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 12mA
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 30A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+869.05 грн
10+582.22 грн
100+438.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXSA80N120L2-7TRIXYSDescription: 1200V 30m (80A @ 25C) SiC MOSF
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Supplier Device Package: TO-263-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 12mA
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 30A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+424.45 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXSG110N65L2KIXYSSiC MOSFETs 650V 25mohm (110A a. 25C) SiC MOSFET in TOLL
на замовлення 2090 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+907.68 грн
10+622.41 грн
100+430.77 грн
1000+407.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXSG110N65L2KLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXSG110N65L2K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 111 A, 650 V, 0.033 ohm, TOLL
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 111A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 600W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+896.41 грн
5+760.30 грн
10+623.38 грн
50+519.77 грн
100+425.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXSG110N65L2KIXYSDescription: 650V 25M (110A @ 25C) SIC MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 111A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 12mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3090 pF @ 600 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXSG110N65L2KLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXSG110N65L2K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 111 A, 650 V, 0.033 ohm, TOLL
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXSG110N65L2KIXYSDescription: 650V 25M (110A @ 25C) SIC MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 111A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 12mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3090 pF @ 600 V
на замовлення 1998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+864.39 грн
10+579.15 грн
100+460.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXSG40N65L2KIXYSDescription: 650V 60M (40A @ 25C) SIC MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 174W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1218 pF @ 600 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXSG40N65L2KIXYSSiC MOSFETs SiC MOSFET in TOLL
на замовлення 2095 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+611.30 грн
10+410.44 грн
100+262.33 грн
500+259.57 грн
1000+245.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXSG40N65L2KIXYSDescription: 650V 60M (40A @ 25C) SIC MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 174W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1218 pF @ 600 V
на замовлення 1966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+587.13 грн
10+384.70 грн
100+282.77 грн
500+262.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXSG60N65L2KIXYSDescription: 650V 40M (40A @ 25C) SIC MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 249W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 7.5mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94.7 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 600 V
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+709.84 грн
10+470.56 грн
100+359.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXSG60N65L2KIXYSSiC MOSFETs SiC MOSFET in TOLL
на замовлення 2090 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+739.36 грн
10+501.74 грн
100+333.43 грн
1000+316.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXSG60N65L2KIXYSDescription: 650V 40M (40A @ 25C) SIC MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 249W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 7.5mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94.7 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 600 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+305.10 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH100N65L2KHVIXYSSiC MOSFETs 650V 25mohm (100A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+923.79 грн
10+635.11 грн
100+417.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH10N120AU1IXYSLittelfuse
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH10N60B2D1IXYSDescription: IGBT PT 600V 20A TO-247AD
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Gate Charge: 17 nC
Test Condition: 480V, 10A, 30Ohm, 15V
Switching Energy: 430µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/180ns
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: TO-247AD
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 10A
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Box
Power - Max: 100 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH15N120BIXYSIGBT Transistors 30 Amps 1200V 3.4 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH15N120BIXYSDescription: IGBT PT 1200V 30A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/148ns
Switching Energy: 1.5mJ (off)
Test Condition: 960V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 57 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 150 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH15N120BD1IXYSIGBT Transistors 30 Amps 1200V 3.4 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH15N120BD1IXYSDescription: IGBT PT 1200V 30A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/148ns
Switching Energy: 1.5mJ (off)
Test Condition: 960V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 57 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 150 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH16N60U1IXYSLittelfuse
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH20N120L2KHVIXYSSiC MOSFETs TO247 1200V N CH 20A
на замовлення 546 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+515.45 грн
10+343.76 грн
100+196.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH20N120L2KHVIXYSDescription: 1200V 60M (20A @25C) SIC MOSFET
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 5A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Supplier Device Package: TO-247-4L
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2mA
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+420.16 грн
10+271.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH20N120L2KHVIXYSSiC MOSFETs 1200V 60mohm (20A a.25C) SiC MOSFET in TO247-4L
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH20N60B2D1IXYSIGBT Transistors 20 Amps 600V 2.5 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH20N60B2D1IXYSDescription: IGBT PT 600V 35A TO-247AD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 16A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/116ns
Switching Energy: 380µJ (off)
Test Condition: 480V, 16A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 33 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 190 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH24N60IXYSIGBT Transistors 48 Amps 600V 2.2 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH24N60IXYSDescription: IGBT 600V 48A 150W TO247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH24N60AIXYSIGBT Transistors S-SERIES LO VCE SNGL 600V 24A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH24N60AIXYSDescription: IGBT 600V 48A 150W TO247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH24N60AU1IXYSMODULE
на замовлення 87 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH24N60AU1IXYSIGBT Transistors 48 Amps 600V 2.7 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH24N60AU1IXYSDescription: IGBT 600V 48A 150W TO247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH24N60BIXYSIGBT Transistors 48 Amps 600V 2.5 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH24N60BIXYSDescription: IGBT PT 600V 48A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 24A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/150ns
Switching Energy: 1.3mJ (off)
Test Condition: 480V, 24A, 33Ohm, 15V
Gate Charge: 41 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 150 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH24N60BD1IXYSIGBT Transistors 48 Amps 600V 2.5 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH24N60BD1IXYSDescription: IGBT 600V 48A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 24A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/150ns
Switching Energy: 1.3mJ (off)
Test Condition: 480V, 24A, 33Ohm, 15V
Gate Charge: 41 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 150 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH24N60U1IXYSIGBT Transistors S-SERIE MED SPD IGBT FREEWHEELING 600V48A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH24N60U1IXYSDescription: IGBT 600V 48A 150W TO247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH25N100IXYSIGBT Transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH25N100AIXYSLittelfuse
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH25N120AIXYSDescription: IGBT 1200V 50A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 100ns/450ns
Switching Energy: 9.6mJ (off)
Test Condition: 960V, 25A, 18Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 200 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH25N120AIXYSIGBT Transistors 50 Amps 1200V 4.0 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH25N120AU1IXYSDescription: IGBT 1200V 50A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 100ns/450ns
Switching Energy: 9.6mJ (off)
Test Condition: 960V, 25A, 18Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 200 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH30N60IXYSIGBTs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH30N60IXYSMODULE
на замовлення 94 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH30N60AU1IXYSDescription: IGBT 600V 50A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 60ns/400ns
Switching Energy: 2.5mJ (off)
Test Condition: 480V, 30A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 200 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH30N60AU1IXYSIGBT Transistors 30 Amps 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH30N60BIXYSDescription: IGBT PT 600V 55A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/150ns
Switching Energy: 1.5mJ (off)
Test Condition: 480V, 30A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 110 A
Power - Max: 200 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH30N60BIXYSIGBT Transistors 55 Amps 600V 2 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH30N60B2D1IXYSDescription: IGBT PT 600V 48A TO-247AD
Power - Max: 250 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Gate Charge: 50 nC
Test Condition: 400V, 24A, 5Ohm, 15V
Switching Energy: 550µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/130ns
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: TO-247AD
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 24A
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH30N60B2D1IXYSIGBT Transistors 30 Amps 600V 2.5 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH30N60BD1IXYSDescription: IGBT 600V 55A TO-247AD
Power - Max: 200 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 110 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Gate Charge: 100 nC
Test Condition: 480V, 30A, 4.7Ohm, 15V
Switching Energy: 1.5mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/150ns
Supplier Device Package: TO-247AD
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 55A
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH30N60BD1IXYSIGBT Transistors 55 Amps 600V 2 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH30N60CIGBT 600V 55A TO-247AD Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH30N60CIXYSDescription: IGBT 600V 55A 200W TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/90ns
Switching Energy: 700µJ (off)
Test Condition: 480V, 30A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 110 A
Power - Max: 200 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH30N60CIXYSIGBT Transistors 55 Amps 600V 2.5 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH30N60CD1IXYSDescription: IGBT 600V 55A TO-247AD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/90ns
Switching Energy: 700µJ (off)
Test Condition: 480V, 30A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 110 A
Power - Max: 200 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH30N60CD1IXYSIGBT Transistors 55 Amps 600V 2.5 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH30N60U1IXYSDescription: IGBT 600V 50A 200W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 60ns/400ns
Switching Energy: 2.5mJ (off)
Test Condition: 480V, 30A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 200 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH30N60U1IXYSIGBT Transistors 30 Amps 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH35N100AIXYSDescription: IGBT 1000V 70A TO-247AD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 35A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 80ns/400ns
Switching Energy: 10mJ (off)
Test Condition: 800V, 35A, 2.7Ohm, 15V
Gate Charge: 180 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 140 A
Power - Max: 300 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH35N100AIXYSIGBT Transistors 35 Amps 1000V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH35N100AТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH35N120AIXYSDescription: IGBT 1200V 70A 300W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 35A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 80ns/400ns
Switching Energy: 10mJ (off)
Test Condition: 960V, 35A, 2.7Ohm, 15V
Gate Charge: 150 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 140 A
Power - Max: 300 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH35N120AIXYSIGBT Transistors HIGH SPEED IGBT 1200V, 70A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH35N120BТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]