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NCP603SNADJT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP603SNADJT1G - LDO-Spannungsregler, einstellbar, 1.75V bis 6V, 375mV Dropout, 1.25V bis 5V/300mAout, TSOP-5tariffCode: 85423990 Ausgang: Einstellbar rohsCompliant: YES Ausgangsspannung, min.: 1.25V IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: 5V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSOP MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 6V euEccn: NLR Ausgangsstrom, max.: 300mA Polarität: Positiver Ausgang Eingangsspannung, min.: 1.75V Anzahl der Pins: 5Pins Produktpalette: Adj 300mA LDO Voltage Regulators Ausgangsspannung, nom.: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Ausgangsstrom, max.: 300mA Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 375mV Typische Dropout-Spannung bei Strom: 375mV Betriebstemperatur, max.: 125°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2605 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCP603SN300T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP603SN300T1G - LDO VOLTAGE REGULATORSMSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
товару немає в наявності |
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NCP603SN130T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP603SN130T1G - LDO VOLTAGE REGULATORSMSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
товару немає в наявності |
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FDS6681Z | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS6681Z - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 20 A, 4600 µohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 11879 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDS9431A | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS9431A - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.5 A, 0.13 ohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1019 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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1SV251-TB-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1SV251-TB-E - HF/pin-Diode, Zweifach in Reihe, 4.5 ohm, 50 V, SOT-23, 3 Pins, 0.23 pFtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Sperrspannung: 50V euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Durchlassspannung: 920mV Diodenkapazität: 0.23pF Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Durchlassstrom: 50mA Betriebstemperatur, max.: 125°C Widerstand bei If: 4.5ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BAS40LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BAS40LT1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 40 V, 120 mA, 1 V, 200 mA, 150 °CtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 Durchlassstoßstrom: 200mA rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 120mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BAS40 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 40V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 4022 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCP730ASNADJT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP730ASNADJT1G - LDO EINST 1.2-24V 0.15A -40 BIS 125°CtariffCode: 85423990 Ausgang: Einstellbar rohsCompliant: YES Ausgangsspannung, min.: 1.2V IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: 24V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSOP MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 38V euEccn: NLR Polarität: Positiver Ausgang Eingangsspannung, min.: 2.7V Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: Adj 150mA LDO Voltage Regulators Ausgangsspannung, nom.: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Ausgangsstrom, max.: 150mA Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 290mV Betriebstemperatur, max.: 125°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NSVF5501SKT3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSVF5501SKT3G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 10 V, 5.5 GHz, 250 mW, 70 mA, SOT-623tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-623 Dauerkollektorstrom: 70mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 10V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 5.5GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 7257 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NSVF5501SKT3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSVF5501SKT3G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 10 V, 5.5 GHz, 250 mW, 70 mA, SOT-623tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 100hFE Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 250mW euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-623 Bauform - HF-Transistor: SOT-623 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 10V Dauerkollektorstrom: 70mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 10V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 70mA Übergangsfrequenz: 5.5GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 7257 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BD809G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BD809G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 10 A, 90 W, TO-220, DurchsteckmontageTransistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung hFE: 15 Verlustleistung Pd: 90 Übergangsfrequenz ft: 1.5 Bauform - Transistor: TO-220 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: Lead (16-Jan-2020) |
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BD810G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BD810G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 10 A, 90 W, TO-220, DurchsteckmontageTransistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung hFE: 15 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 90 Übergangsfrequenz ft: 1.5 Bauform - Transistor: TO-220 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
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NSR0340V2T5G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSR0340V2T5G - 40 V, 0.25 A LOW VF SOD-523 SCHOTTKY DIOSVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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NCP3170ADR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP3170ADR2G - DC/DC-Abwärts-Schaltregler (Buck), einstellbar, 4.5V-18Vin, 1.25V-5Vout, 3Aout, SOIC-8tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Ausgang: Einstellbar Ausgangsspannung, min.: 1.25V Ausgangsspannung, max.: 5V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 3A IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 18V euEccn: NLR Eingangsspannung, min.: 4.5V Topologie: Synchroner Buck (Abwärts) Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 85°C Anzahl der Ausgänge: 1Outputs SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
на замовлення 2830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCP3170BDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP3170BDR2G - DC/DC-Abwärts-Schaltregler (Buck), einstellbar, 4.5V-18Vin, 1.25V-5V/3Aout, 1MHz, SOIC-8Schaltfrequenz: 1 Bauform - DC/DC-Wandler-IC: SOIC Ausgangsspannung, min.: 1.25 Ausgangsspannung, max.: 5 Ausgangsstrom: 3 MSL: MSL 3 - 168 Stunden Eingangsspannung, max.: 18 Eingangsspannung, min.: 4.5 Topologie: Buck (Abwärts) Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Betriebstemperatur, max.: 85 Anzahl der Ausgänge: 1 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
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NCP3170ADR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP3170ADR2G - DC/DC-Abwärts-Schaltregler (Buck), einstellbar, 4.5V-18Vin, 1.25V-5Vout, 3Aout, SOIC-8tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Ausgang: Einstellbar Ausgangsspannung, min.: 1.25V Ausgangsspannung, max.: 5V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 3A IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 18V euEccn: NLR Eingangsspannung, min.: 4.5V Topologie: Synchroner Buck (Abwärts) Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 85°C Anzahl der Ausgänge: 1Outputs SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
на замовлення 2830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCP3170BDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP3170BDR2G - DC/DC-Abwärts-Schaltregler (Buck), einstellbar, 4.5V-18Vin, 1.25V-5V/3Aout, 1MHz, SOIC-8Schaltfrequenz: 1 Bauform - DC/DC-Wandler-IC: SOIC Ausgangsspannung, min.: 1.25 Ausgangsspannung, max.: 5 Ausgangsstrom: 3 MSL: MSL 3 - 168 Stunden Eingangsspannung, max.: 18 Eingangsspannung, min.: 4.5 Topologie: Buck (Abwärts) Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Betriebstemperatur, max.: 85 Anzahl der Ausgänge: 1 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
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| NCP115ASN180T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP115ASN180T1G - LDO VOLTAGE REGULATORSAusgang: Fest Feste Ausgangsspannung, nom.: 1.8 Ausgangsstrom: 300 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Einstellbare Ausgangsspannung, max.: - Bauform - LDO-Regler: TSOP Betriebstemperatur, min.: -40 Einstellbare Ausgangsspannung, min.: - Eingangsspannung, max.: 5.5 Eingangsspannung, min.: 1.9 Anzahl der Pins: 5 Produktpalette: 1.8V 300mA LDO Voltage Regulators Dropout-Spannung Vdo: 445 Betriebstemperatur, max.: 85 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
на замовлення 1810 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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LC717A00ARGEVK | ONSEMI |
Description: ONSEMI - LC717A00ARGEVK - Evaluationsboard, kapazitiver BerührungssensorProzessorkern: LC717A00AR Kit-Anwendungsbereich: Sensor Prozessorhersteller: On Semiconductor Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard LC717A00AR01GEVB, LC717A00AR02GEVB, LC717A00AR03GEVB, LC717A00ARGPGEVB, MM-FT232H-Modul Unterart Anwendung: Kapazitive Berührungstechnik Produktpalette: - SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
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NLAS4684FCT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NLAS4684FCT1G - Analogschalter, 2 Kanäle, SPDT, 0.8 ohm, 1.8V bis 5.5V, Micro-Bump, 10 Pin(s)Bauform - Analogschalter: Micro-Bump Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V Analogschalter: SPDT MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Kanäle: 2 Betriebstemperatur, min.: -55 Anzahl der Pins: 10 Produktpalette: - Durchlasswiderstand, max.: 0.8 Betriebstemperatur, max.: 125 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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NLAS4684FCT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NLAS4684FCT1G - Analogschalter, 2 Kanäle, SPDT, 0.8 ohm, 1.8V bis 5.5V, Micro-Bump, 10 Pin(s)Bauform - Analogschalter: Micro-Bump Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V Analogschalter: SPDT MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Kanäle: 2 Betriebstemperatur, min.: -55 Anzahl der Pins: 10 Produktpalette: - Durchlasswiderstand, max.: 0.8 Betriebstemperatur, max.: 125 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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FDD8424H | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD8424H - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 9 A, 9 A, 0.019 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm Verlustleistung, p-Kanal: 35W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: Startech USB to DC Barrel Leads Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDD8424H | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD8424H - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 9 A, 9 A, 0.019 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm Verlustleistung, p-Kanal: 35W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: Startech USB to DC Barrel Leads Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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ESD5Z3.3T5G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - ESD5Z3.3T5G - ESD-Schutzbaustein, 14.1 V, SOD-523, 2 Pin(s), 3.3 V, 500 mW, ESD5ZAnzahl der Pins: 2 Bauform - Diode: SOD-523 Begrenzungsspannung Vc, max.: 14.1 Betriebsspannung: 3.3 Verlustleistung Pd: 500 Produktpalette: ESD5Z SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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FCP165N60E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FCP165N60E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23 A, 0.132 ohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 23A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 227W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperFET II productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.132ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 1221 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FCPF190N60E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FCPF190N60E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20.6 A, 0.19 ohm, TO-220F, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 20.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 39W Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1472 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FCP7N60 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FCP7N60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.53 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85423990 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 492 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FCPF099N65S3 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FCPF099N65S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.085 ohm, TO-220FP, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 43W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperFET III productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 2743 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FCPF400N80Z | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FCPF400N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.34 ohm, TO-220F, DurchsteckmontageTransistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800 Dauer-Drainstrom Id: 11 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 35.7 Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.34 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 4.5 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
на замовлення 1064 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FCPF7N60 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FCPF7N60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.53 ohm, TO-220F, DurchsteckmontagetariffCode: 85423990 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 31W Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 993 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FCPF250N65S3R0L-F154 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FCPF250N65S3R0L-F154 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.21 ohm, TO-220F, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 31W Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SUPERFET III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 631 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FCP380N60 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FCP380N60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10.2 A, 0.33 ohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 10.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 106W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperFET II productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 307 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FCPF250N65S3L1-F154 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FCPF250N65S3L1-F154 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.21 ohm, TO-220F, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 31W Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SUPERFET III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
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FCP125N65S3R0 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FCP125N65S3R0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.105 ohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 181W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SUPERFET III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 736 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FCP650N80Z | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FCP650N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 10 A, 0.53 ohm, TO-220, DurchsteckmontageTransistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800 Dauer-Drainstrom Id: 10 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 162 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: SuperFET II Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.53 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 4.5 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
на замовлення 320 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FCP104N60 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FCP104N60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37 A, 0.096 ohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 37A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 357W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperFET II productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 303 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FCPF600N65S3R0L-F154 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FCPF600N65S3R0L-F154 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 6 A, 0.474 ohm, TO-220F, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 24W Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SUPERFET III productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.474ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 478 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FCPF360N65S3R0L-F154 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FCPF360N65S3R0L-F154 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10 A, 0.36 ohm, TO-220F, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 27W Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SUPERFET III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1281 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NTTFS4C13NTWG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTTFS4C13NTWG - MOSFET'S - SINGLEMSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
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NCN8024DWR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCN8024DWR2G - Spezielle Schnittstelle, Set-Top-Boxen, Pay-TV, CAM, POS/ATM, Zugangskontrolle, 2.7V-5.5V, SOIC-28tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Schnittstellenanwendungsbereich: Set-Top-Boxen, bedingter Zugang, Pay-TV, CAM, POS/ATM, Zugangskontrolle & Identifizierung hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 IC-Schnittstelle: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 28Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Bauform - Schnittstellenbaustein: SOIC Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 122 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDD13AN06A0 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD13AN06A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0135 ohm, TO-252AA, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 115W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDD13AN06A0-F085 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD13AN06A0-F085 - MOSFET'S - SINGLEMSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
товару немає в наявності |
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FDN359AN | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDN359AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.046 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 37904 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCP51198PDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP51198PDR2G - Linearer Festspannungsregler, 2.2V bis 5.5Vin, 1.5Aout, SOIC-8Ausgang: Fest Feste Ausgangsspannung, nom.: - Ausgangsstrom: 1.5 MSL: MSL 3 - 168 Stunden Einstellbare Ausgangsspannung, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40 Einstellbare Ausgangsspannung, min.: - Eingangsspannung, max.: 5.5 Bauform - Linearregler: SOIC Eingangsspannung, min.: 2.2 Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Betriebstemperatur, max.: 125 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
товару немає в наявності |
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NCP51198PDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP51198PDR2G - Linearer Festspannungsregler, 2.2V bis 5.5Vin, 1.5Aout, SOIC-8Ausgang: Fest Feste Ausgangsspannung, nom.: - Ausgangsstrom: 1.5 MSL: MSL 3 - 168 Stunden Einstellbare Ausgangsspannung, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40 Einstellbare Ausgangsspannung, min.: - Eingangsspannung, max.: 5.5 Bauform - Linearregler: SOIC Eingangsspannung, min.: 2.2 Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Betriebstemperatur, max.: 125 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
товару немає в наявності |
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TIG056BF-1E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - TIG056BF-1E - IGBT, 240 A, 3.6 V, 30 W, 430 V, TO-220F, 3 Pin(s)Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.6 DC-Kollektorstrom: 240 Anzahl der Pins: 3 Bauform - Transistor: TO-220F Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 430 Verlustleistung Pd: 30 Betriebstemperatur, max.: 150 Produktpalette: - SVHC: Lead (27-Jun-2018) |
товару немає в наявності |
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NCP4305ADR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP4305ADR2G - Synchrongleichrichter-Controller, 5V bis 35V, SOIC-8IC-Funktion: Synchrongleichrichter-Controller MSL: MSL 3 - 168 Stunden IC-Bauform: SOIC Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: - Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 35 Betriebstemperatur, max.: 125 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
на замовлення 2050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCP4305ADR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP4305ADR2G - Synchrongleichrichter-Controller, 5V bis 35V, SOIC-8SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
на замовлення 2050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCP4305DDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP4305DDR2G - Sekundärseitiger Synchrongleichrichter-Treiber, max. 35V Versorgungsspannung, SOIC-8tariffCode: 85423990 IC-Funktion: Sekundärseitiger Synchrongleichrichter-Treiber rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 IC-Bauform: SOIC Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: - euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 35V Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1302 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCP4305DDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP4305DDR2G - Sekundärseitiger Synchrongleichrichter-Treiber, max. 35V Versorgungsspannung, SOIC-8tariffCode: 85423990 IC-Funktion: Sekundärseitiger Synchrongleichrichter-Treiber rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 IC-Bauform: SOIC Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: - euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 35V Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1302 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCP4305QDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP4305QDR2G - SPECIAL FUNCTION ICMSL: MSL 3 - 168 Stunden SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
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FQA46N15 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQA46N15 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.033 ohm, TO-3PN, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-3PN Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
на замовлення 888 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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CAT3200TDI-GT3 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - CAT3200TDI-GT3 - DC/DC-Aufwärts-Schaltregler, einstellbar, 2.7V-4.5Vin, 2.7V-6Vout, 100mAout, SOT-23-6 tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Nominelle feste Ausgangsspannung: 5V IC-Gehäuse / Bauform: TSOT-23 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Einstellbare Ausgangsspannung, max.: 5.2V Betriebstemperatur, min.: -40°C Einstellbare Ausgangsspannung, min.: 4.8V Eingangsspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Ausgangsstrom, max.: 100mA Eingangsspannung, min.: 2.7V Topologie: Boost (Aufwärts) Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 213 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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QRE1113 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - QRE1113 - Reflexlichtschranke, Miniatur, Fototransistor, Durchsteckmontage, 1mm, 50mA, 5Vr, 1.2VftariffCode: 85414900 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Messabstand / Gabelweite: - IP-Schutzart: - usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Durchlassstrom If: 50mA Sensormontage: Durchsteckmontage Versorgungsspannung, min.: - Sensorgehäuse/-bauform: DIP Sensorausgang: Fototransistor euEccn: NLR Durchlassspannung: 1.2V Messmethode: Reflektiv Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V Kollektorstrom Ic, max.: 20mA Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Sperrspannung, Vr: 5V Versorgungsspannung, max.: - Betriebstemperatur, max.: 85°C Erfassungsabstand: 1mm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 5490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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QRE1113GR. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - QRE1113GR. - Reflexlichtschranke, Fototransistor, SMD Gull-Wing, 5mm, 50mA, 5Vr, 1.2VfErfassungsabstand: 5 Durchlassstrom If: 50 Durchlassspannung: 1.2 Sperrspannung, Vr: 5 Sensorausgang: Fototransistor Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30 Sensormontage: SMD Produktpalette: QRE1113GR SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
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KA7552A | ONSEMI |
Description: ONSEMI - KA7552A - PWM-Controller, 30V-10V Versorgungsspannung, 135kHz, 16.5V/100mAout, DIP-8Bauform - Controller-IC: DIP Ausgangsstrom: 100 Ausgangsspannung: 16.5 Frequenz: 135 Betriebstemperatur, min.: -25 Versorgungsspannung, min.: 10 Eingangsspannung: - Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 30 Betriebstemperatur, max.: 85 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
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FDC655BN | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC655BN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.3 A, 0.025 ohm, SuperSOT, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 800mW Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 58175 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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2N6043G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N6043G - Darlington-Transistor, NPN, 60 V, 75 W, 8 A, TO-220, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 75W euEccn: NLR Bauform - HF-Transistor: TO-220 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 8A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 218 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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2N6034G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N6034G - Darlington-Transistor, PNP, 40 V, 40 W, 4 A, TO-225, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 100hFE Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 40W euEccn: NLR Bauform - HF-Transistor: TO-225 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 40V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 4A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2589 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCP1075AAP065G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP1075AAP065G - AC/DC-Flyback-Wandler, Offline-Schaltnetzteil, feste Frequenz, 85V AC bis 265V AC, 10W, DIP-7tariffCode: 85423990 Schaltfrequenz: 65kHz rohsCompliant: YES IC-Montage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Nennspannung Leistungsschalter: 700V Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: DIP Maximale Nennleistung: 10W MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 265VAC euEccn: NLR Eingangsspannung, min.: 85VAC Topologie: Flyback Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C Isolation: Isoliert Nennstrom Leistungsschalter: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| NCP603SNADJT1G |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP603SNADJT1G - LDO-Spannungsregler, einstellbar, 1.75V bis 6V, 375mV Dropout, 1.25V bis 5V/300mAout, TSOP-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Einstellbar
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 1.25V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.75V
Anzahl der Pins: 5Pins
Produktpalette: Adj 300mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 375mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 375mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NCP603SNADJT1G - LDO-Spannungsregler, einstellbar, 1.75V bis 6V, 375mV Dropout, 1.25V bis 5V/300mAout, TSOP-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Einstellbar
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 1.25V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.75V
Anzahl der Pins: 5Pins
Produktpalette: Adj 300mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 375mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 375mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 67.67 грн |
| 16+ | 54.15 грн |
| 100+ | 30.33 грн |
| 500+ | 28.01 грн |
| 1000+ | 19.70 грн |
| 2500+ | 17.67 грн |
| NCP603SN300T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP603SN300T1G - LDO VOLTAGE REGULATORS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NCP603SN300T1G - LDO VOLTAGE REGULATORS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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| NCP603SN130T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP603SN130T1G - LDO VOLTAGE REGULATORS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - NCP603SN130T1G - LDO VOLTAGE REGULATORS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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| FDS6681Z |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6681Z - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 20 A, 4600 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FDS6681Z - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 20 A, 4600 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 11879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 194.31 грн |
| 50+ | 115.74 грн |
| 100+ | 96.31 грн |
| 500+ | 84.72 грн |
| 1000+ | 74.59 грн |
| FDS9431A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS9431A - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.5 A, 0.13 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FDS9431A - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.5 A, 0.13 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 92.93 грн |
| 50+ | 58.38 грн |
| 100+ | 38.95 грн |
| 500+ | 28.87 грн |
| 1000+ | 23.90 грн |
| 1SV251-TB-E |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1SV251-TB-E - HF/pin-Diode, Zweifach in Reihe, 4.5 ohm, 50 V, SOT-23, 3 Pins, 0.23 pF
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 50V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Durchlassspannung: 920mV
Diodenkapazität: 0.23pF
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Durchlassstrom: 50mA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Widerstand bei If: 4.5ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - 1SV251-TB-E - HF/pin-Diode, Zweifach in Reihe, 4.5 ohm, 50 V, SOT-23, 3 Pins, 0.23 pF
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 50V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Durchlassspannung: 920mV
Diodenkapazität: 0.23pF
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Durchlassstrom: 50mA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Widerstand bei If: 4.5ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 10.39 грн |
| BAS40LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BAS40LT1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 40 V, 120 mA, 1 V, 200 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 200mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 120mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAS40
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - BAS40LT1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 40 V, 120 mA, 1 V, 200 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 200mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 120mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAS40
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4022 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 105+ | 8.09 грн |
| 148+ | 5.74 грн |
| 181+ | 4.69 грн |
| 500+ | 3.15 грн |
| 1500+ | 2.43 грн |
| NCP730ASNADJT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP730ASNADJT1G - LDO EINST 1.2-24V 0.15A -40 BIS 125°C
tariffCode: 85423990
Ausgang: Einstellbar
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 1.2V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 24V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 38V
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 2.7V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: Adj 150mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 150mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 290mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NCP730ASNADJT1G - LDO EINST 1.2-24V 0.15A -40 BIS 125°C
tariffCode: 85423990
Ausgang: Einstellbar
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 1.2V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 24V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 38V
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 2.7V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: Adj 150mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 150mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 290mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 110.67 грн |
| 12+ | 74.18 грн |
| 100+ | 48.66 грн |
| 500+ | 36.24 грн |
| 1000+ | 27.30 грн |
| 2500+ | 26.72 грн |
| NSVF5501SKT3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSVF5501SKT3G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 10 V, 5.5 GHz, 250 mW, 70 mA, SOT-623
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-623
Dauerkollektorstrom: 70mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 10V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 5.5GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NSVF5501SKT3G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 10 V, 5.5 GHz, 250 mW, 70 mA, SOT-623
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-623
Dauerkollektorstrom: 70mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 10V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 5.5GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 43.42 грн |
| 27+ | 32.02 грн |
| 100+ | 23.91 грн |
| 500+ | 15.77 грн |
| 1000+ | 11.44 грн |
| 5000+ | 9.99 грн |
| NSVF5501SKT3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSVF5501SKT3G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 10 V, 5.5 GHz, 250 mW, 70 mA, SOT-623
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 100hFE
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 250mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-623
Bauform - HF-Transistor: SOT-623
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 10V
Dauerkollektorstrom: 70mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 10V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 70mA
Übergangsfrequenz: 5.5GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NSVF5501SKT3G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 10 V, 5.5 GHz, 250 mW, 70 mA, SOT-623
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 100hFE
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 250mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-623
Bauform - HF-Transistor: SOT-623
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 10V
Dauerkollektorstrom: 70mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 10V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 70mA
Übergangsfrequenz: 5.5GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 23.91 грн |
| 500+ | 15.77 грн |
| 1000+ | 11.44 грн |
| 5000+ | 9.99 грн |
| BD809G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BD809G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 10 A, 90 W, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 15
Verlustleistung Pd: 90
Übergangsfrequenz ft: 1.5
Bauform - Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (16-Jan-2020)
Description: ONSEMI - BD809G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 10 A, 90 W, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 15
Verlustleistung Pd: 90
Übergangsfrequenz ft: 1.5
Bauform - Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (16-Jan-2020)
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| BD810G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BD810G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 10 A, 90 W, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 15
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 90
Übergangsfrequenz ft: 1.5
Bauform - Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - BD810G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 10 A, 90 W, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 15
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 90
Übergangsfrequenz ft: 1.5
Bauform - Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
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| NSR0340V2T5G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSR0340V2T5G - 40 V, 0.25 A LOW VF SOD-523 SCHOTTKY DIO
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NSR0340V2T5G - 40 V, 0.25 A LOW VF SOD-523 SCHOTTKY DIO
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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| NCP3170ADR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP3170ADR2G - DC/DC-Abwärts-Schaltregler (Buck), einstellbar, 4.5V-18Vin, 1.25V-5Vout, 3Aout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Ausgang: Einstellbar
Ausgangsspannung, min.: 1.25V
Ausgangsspannung, max.: 5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 3A
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 18V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 4.5V
Topologie: Synchroner Buck (Abwärts)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Outputs
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - NCP3170ADR2G - DC/DC-Abwärts-Schaltregler (Buck), einstellbar, 4.5V-18Vin, 1.25V-5Vout, 3Aout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Ausgang: Einstellbar
Ausgangsspannung, min.: 1.25V
Ausgangsspannung, max.: 5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 3A
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 18V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 4.5V
Topologie: Synchroner Buck (Abwärts)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Outputs
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 2830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 103.07 грн |
| 11+ | 82.12 грн |
| 100+ | 52.04 грн |
| 500+ | 35.62 грн |
| 2500+ | 31.21 грн |
| NCP3170BDR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP3170BDR2G - DC/DC-Abwärts-Schaltregler (Buck), einstellbar, 4.5V-18Vin, 1.25V-5V/3Aout, 1MHz, SOIC-8
Schaltfrequenz: 1
Bauform - DC/DC-Wandler-IC: SOIC
Ausgangsspannung, min.: 1.25
Ausgangsspannung, max.: 5
Ausgangsstrom: 3
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Eingangsspannung, max.: 18
Eingangsspannung, min.: 4.5
Topologie: Buck (Abwärts)
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - NCP3170BDR2G - DC/DC-Abwärts-Schaltregler (Buck), einstellbar, 4.5V-18Vin, 1.25V-5V/3Aout, 1MHz, SOIC-8
Schaltfrequenz: 1
Bauform - DC/DC-Wandler-IC: SOIC
Ausgangsspannung, min.: 1.25
Ausgangsspannung, max.: 5
Ausgangsstrom: 3
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Eingangsspannung, max.: 18
Eingangsspannung, min.: 4.5
Topologie: Buck (Abwärts)
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
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| NCP3170ADR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP3170ADR2G - DC/DC-Abwärts-Schaltregler (Buck), einstellbar, 4.5V-18Vin, 1.25V-5Vout, 3Aout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Ausgang: Einstellbar
Ausgangsspannung, min.: 1.25V
Ausgangsspannung, max.: 5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 3A
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 18V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 4.5V
Topologie: Synchroner Buck (Abwärts)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Outputs
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - NCP3170ADR2G - DC/DC-Abwärts-Schaltregler (Buck), einstellbar, 4.5V-18Vin, 1.25V-5Vout, 3Aout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Ausgang: Einstellbar
Ausgangsspannung, min.: 1.25V
Ausgangsspannung, max.: 5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 3A
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 18V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 4.5V
Topologie: Synchroner Buck (Abwärts)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Outputs
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 2830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 52.04 грн |
| 500+ | 35.62 грн |
| 2500+ | 31.21 грн |
| NCP3170BDR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP3170BDR2G - DC/DC-Abwärts-Schaltregler (Buck), einstellbar, 4.5V-18Vin, 1.25V-5V/3Aout, 1MHz, SOIC-8
Schaltfrequenz: 1
Bauform - DC/DC-Wandler-IC: SOIC
Ausgangsspannung, min.: 1.25
Ausgangsspannung, max.: 5
Ausgangsstrom: 3
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Eingangsspannung, max.: 18
Eingangsspannung, min.: 4.5
Topologie: Buck (Abwärts)
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - NCP3170BDR2G - DC/DC-Abwärts-Schaltregler (Buck), einstellbar, 4.5V-18Vin, 1.25V-5V/3Aout, 1MHz, SOIC-8
Schaltfrequenz: 1
Bauform - DC/DC-Wandler-IC: SOIC
Ausgangsspannung, min.: 1.25
Ausgangsspannung, max.: 5
Ausgangsstrom: 3
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Eingangsspannung, max.: 18
Eingangsspannung, min.: 4.5
Topologie: Buck (Abwärts)
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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| NCP115ASN180T1G |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP115ASN180T1G - LDO VOLTAGE REGULATORS
Ausgang: Fest
Feste Ausgangsspannung, nom.: 1.8
Ausgangsstrom: 300
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
Bauform - LDO-Regler: TSOP
Betriebstemperatur, min.: -40
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Eingangsspannung, max.: 5.5
Eingangsspannung, min.: 1.9
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: 1.8V 300mA LDO Voltage Regulators
Dropout-Spannung Vdo: 445
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NCP115ASN180T1G - LDO VOLTAGE REGULATORS
Ausgang: Fest
Feste Ausgangsspannung, nom.: 1.8
Ausgangsstrom: 300
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
Bauform - LDO-Regler: TSOP
Betriebstemperatur, min.: -40
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Eingangsspannung, max.: 5.5
Eingangsspannung, min.: 1.9
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: 1.8V 300mA LDO Voltage Regulators
Dropout-Spannung Vdo: 445
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 1810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 34.22 грн |
| 34+ | 25.51 грн |
| 100+ | 12.84 грн |
| 500+ | 6.91 грн |
| LC717A00ARGEVK |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - LC717A00ARGEVK - Evaluationsboard, kapazitiver Berührungssensor
Prozessorkern: LC717A00AR
Kit-Anwendungsbereich: Sensor
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard LC717A00AR01GEVB, LC717A00AR02GEVB, LC717A00AR03GEVB, LC717A00ARGPGEVB, MM-FT232H-Modul
Unterart Anwendung: Kapazitive Berührungstechnik
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - LC717A00ARGEVK - Evaluationsboard, kapazitiver Berührungssensor
Prozessorkern: LC717A00AR
Kit-Anwendungsbereich: Sensor
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard LC717A00AR01GEVB, LC717A00AR02GEVB, LC717A00AR03GEVB, LC717A00ARGPGEVB, MM-FT232H-Modul
Unterart Anwendung: Kapazitive Berührungstechnik
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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| NLAS4684FCT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLAS4684FCT1G - Analogschalter, 2 Kanäle, SPDT, 0.8 ohm, 1.8V bis 5.5V, Micro-Bump, 10 Pin(s)
Bauform - Analogschalter: Micro-Bump
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
Analogschalter: SPDT
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 2
Betriebstemperatur, min.: -55
Anzahl der Pins: 10
Produktpalette: -
Durchlasswiderstand, max.: 0.8
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NLAS4684FCT1G - Analogschalter, 2 Kanäle, SPDT, 0.8 ohm, 1.8V bis 5.5V, Micro-Bump, 10 Pin(s)
Bauform - Analogschalter: Micro-Bump
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
Analogschalter: SPDT
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 2
Betriebstemperatur, min.: -55
Anzahl der Pins: 10
Produktpalette: -
Durchlasswiderstand, max.: 0.8
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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| NLAS4684FCT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLAS4684FCT1G - Analogschalter, 2 Kanäle, SPDT, 0.8 ohm, 1.8V bis 5.5V, Micro-Bump, 10 Pin(s)
Bauform - Analogschalter: Micro-Bump
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
Analogschalter: SPDT
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 2
Betriebstemperatur, min.: -55
Anzahl der Pins: 10
Produktpalette: -
Durchlasswiderstand, max.: 0.8
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NLAS4684FCT1G - Analogschalter, 2 Kanäle, SPDT, 0.8 ohm, 1.8V bis 5.5V, Micro-Bump, 10 Pin(s)
Bauform - Analogschalter: Micro-Bump
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
Analogschalter: SPDT
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 2
Betriebstemperatur, min.: -55
Anzahl der Pins: 10
Produktpalette: -
Durchlasswiderstand, max.: 0.8
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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| FDD8424H |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD8424H - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 9 A, 9 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 35W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: Startech USB to DC Barrel Leads
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - FDD8424H - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 9 A, 9 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 35W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: Startech USB to DC Barrel Leads
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| FDD8424H |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD8424H - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 9 A, 9 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 35W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: Startech USB to DC Barrel Leads
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - FDD8424H - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 9 A, 9 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 35W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: Startech USB to DC Barrel Leads
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| ESD5Z3.3T5G |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ESD5Z3.3T5G - ESD-Schutzbaustein, 14.1 V, SOD-523, 2 Pin(s), 3.3 V, 500 mW, ESD5Z
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: SOD-523
Begrenzungsspannung Vc, max.: 14.1
Betriebsspannung: 3.3
Verlustleistung Pd: 500
Produktpalette: ESD5Z
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - ESD5Z3.3T5G - ESD-Schutzbaustein, 14.1 V, SOD-523, 2 Pin(s), 3.3 V, 500 mW, ESD5Z
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: SOD-523
Begrenzungsspannung Vc, max.: 14.1
Betriebsspannung: 3.3
Verlustleistung Pd: 500
Produktpalette: ESD5Z
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
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| FCP165N60E |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCP165N60E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23 A, 0.132 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.132ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - FCP165N60E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23 A, 0.132 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.132ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 217.97 грн |
| 10+ | 179.95 грн |
| 100+ | 155.45 грн |
| 500+ | 143.56 грн |
| 1000+ | 131.79 грн |
| FCPF190N60E |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCPF190N60E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20.6 A, 0.19 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FCPF190N60E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20.6 A, 0.19 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 309.21 грн |
| 10+ | 278.79 грн |
| 100+ | 164.74 грн |
| 500+ | 143.56 грн |
| 1000+ | 128.17 грн |
| FCP7N60 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCP7N60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.53 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - FCP7N60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.53 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 249.22 грн |
| 10+ | 224.72 грн |
| 100+ | 121.66 грн |
| FCPF099N65S3 |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCPF099N65S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.085 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FCPF099N65S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.085 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 426.64 грн |
| 10+ | 252.60 грн |
| 100+ | 230.64 грн |
| 500+ | 165.53 грн |
| 1000+ | 149.17 грн |
| FCPF400N80Z |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCPF400N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.34 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 11
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 35.7
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.34
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4.5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FCPF400N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.34 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 11
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 35.7
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.34
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4.5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 1064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 245.00 грн |
| 10+ | 208.67 грн |
| 100+ | 177.41 грн |
| 500+ | 135.72 грн |
| 1000+ | 102.83 грн |
| FCPF7N60 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCPF7N60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.53 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - FCPF7N60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.53 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 166.43 грн |
| 10+ | 116.59 грн |
| 100+ | 107.29 грн |
| 500+ | 90.22 грн |
| FCPF250N65S3R0L-F154 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCPF250N65S3R0L-F154 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.21 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FCPF250N65S3R0L-F154 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.21 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 631 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 224.72 грн |
| 10+ | 177.41 грн |
| 100+ | 129.26 грн |
| 500+ | 115.32 грн |
| FCP380N60 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCP380N60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10.2 A, 0.33 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 106W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET II
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FCP380N60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10.2 A, 0.33 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 106W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET II
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 245.00 грн |
| 10+ | 234.02 грн |
| 100+ | 125.88 грн |
| FCPF250N65S3L1-F154 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCPF250N65S3L1-F154 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.21 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FCPF250N65S3L1-F154 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.21 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| FCP125N65S3R0 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCP125N65S3R0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.105 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 181W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - FCP125N65S3R0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.105 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 181W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 309.21 грн |
| 10+ | 212.05 грн |
| 100+ | 187.55 грн |
| 500+ | 149.05 грн |
| FCP650N80Z |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCP650N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 10 A, 0.53 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 10
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 162
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.53
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4.5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FCP650N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 10 A, 0.53 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 10
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 162
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.53
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4.5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 230.64 грн |
| 10+ | 196.00 грн |
| 100+ | 169.81 грн |
| FCP104N60 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCP104N60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37 A, 0.096 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FCP104N60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37 A, 0.096 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 492.53 грн |
| 10+ | 477.33 грн |
| 100+ | 288.93 грн |
| FCPF600N65S3R0L-F154 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCPF600N65S3R0L-F154 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 6 A, 0.474 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 24W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.474ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FCPF600N65S3R0L-F154 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 6 A, 0.474 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 24W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.474ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 276.26 грн |
| 10+ | 181.64 грн |
| 100+ | 143.62 грн |
| FCPF360N65S3R0L-F154 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCPF360N65S3R0L-F154 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10 A, 0.36 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FCPF360N65S3R0L-F154 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10 A, 0.36 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 277.10 грн |
| 10+ | 136.02 грн |
| 100+ | 135.17 грн |
| 500+ | 109.83 грн |
| 1000+ | 100.66 грн |
| NTTFS4C13NTWG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTTFS4C13NTWG - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - NTTFS4C13NTWG - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
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В кошику
од. на суму грн.
| NCN8024DWR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCN8024DWR2G - Spezielle Schnittstelle, Set-Top-Boxen, Pay-TV, CAM, POS/ATM, Zugangskontrolle, 2.7V-5.5V, SOIC-28
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Schnittstellenanwendungsbereich: Set-Top-Boxen, bedingter Zugang, Pay-TV, CAM, POS/ATM, Zugangskontrolle & Identifizierung
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
IC-Schnittstelle: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Bauform - Schnittstellenbaustein: SOIC
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NCN8024DWR2G - Spezielle Schnittstelle, Set-Top-Boxen, Pay-TV, CAM, POS/ATM, Zugangskontrolle, 2.7V-5.5V, SOIC-28
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Schnittstellenanwendungsbereich: Set-Top-Boxen, bedingter Zugang, Pay-TV, CAM, POS/ATM, Zugangskontrolle & Identifizierung
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
IC-Schnittstelle: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Bauform - Schnittstellenbaustein: SOIC
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 160.52 грн |
| 10+ | 103.07 грн |
| 50+ | 92.09 грн |
| 100+ | 70.05 грн |
| FDD13AN06A0 |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD13AN06A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0135 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FDD13AN06A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0135 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 173.19 грн |
| 50+ | 119.97 грн |
| 100+ | 90.40 грн |
| 500+ | 67.62 грн |
| 1000+ | 58.87 грн |
| FDD13AN06A0-F085 |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD13AN06A0-F085 - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FDD13AN06A0-F085 - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
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| FDN359AN |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN359AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.046 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FDN359AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.046 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 37904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17+ | 50.52 грн |
| 50+ | 36.07 грн |
| 100+ | 24.75 грн |
| 500+ | 17.65 грн |
| 1500+ | 14.56 грн |
| NCP51198PDR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP51198PDR2G - Linearer Festspannungsregler, 2.2V bis 5.5Vin, 1.5Aout, SOIC-8
Ausgang: Fest
Feste Ausgangsspannung, nom.: -
Ausgangsstrom: 1.5
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Eingangsspannung, max.: 5.5
Bauform - Linearregler: SOIC
Eingangsspannung, min.: 2.2
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NCP51198PDR2G - Linearer Festspannungsregler, 2.2V bis 5.5Vin, 1.5Aout, SOIC-8
Ausgang: Fest
Feste Ausgangsspannung, nom.: -
Ausgangsstrom: 1.5
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Eingangsspannung, max.: 5.5
Bauform - Linearregler: SOIC
Eingangsspannung, min.: 2.2
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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| NCP51198PDR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP51198PDR2G - Linearer Festspannungsregler, 2.2V bis 5.5Vin, 1.5Aout, SOIC-8
Ausgang: Fest
Feste Ausgangsspannung, nom.: -
Ausgangsstrom: 1.5
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Eingangsspannung, max.: 5.5
Bauform - Linearregler: SOIC
Eingangsspannung, min.: 2.2
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NCP51198PDR2G - Linearer Festspannungsregler, 2.2V bis 5.5Vin, 1.5Aout, SOIC-8
Ausgang: Fest
Feste Ausgangsspannung, nom.: -
Ausgangsstrom: 1.5
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Eingangsspannung, max.: 5.5
Bauform - Linearregler: SOIC
Eingangsspannung, min.: 2.2
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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| TIG056BF-1E |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - TIG056BF-1E - IGBT, 240 A, 3.6 V, 30 W, 430 V, TO-220F, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.6
DC-Kollektorstrom: 240
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-220F
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 430
Verlustleistung Pd: 30
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
Description: ONSEMI - TIG056BF-1E - IGBT, 240 A, 3.6 V, 30 W, 430 V, TO-220F, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.6
DC-Kollektorstrom: 240
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-220F
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 430
Verlustleistung Pd: 30
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
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| NCP4305ADR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP4305ADR2G - Synchrongleichrichter-Controller, 5V bis 35V, SOIC-8
IC-Funktion: Synchrongleichrichter-Controller
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
IC-Bauform: SOIC
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 35
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NCP4305ADR2G - Synchrongleichrichter-Controller, 5V bis 35V, SOIC-8
IC-Funktion: Synchrongleichrichter-Controller
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
IC-Bauform: SOIC
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 35
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 28+ | 30.33 грн |
| NCP4305ADR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP4305ADR2G - Synchrongleichrichter-Controller, 5V bis 35V, SOIC-8
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NCP4305ADR2G - Synchrongleichrichter-Controller, 5V bis 35V, SOIC-8
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 30.33 грн |
| NCP4305DDR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP4305DDR2G - Sekundärseitiger Synchrongleichrichter-Treiber, max. 35V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Sekundärseitiger Synchrongleichrichter-Treiber
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
IC-Bauform: SOIC
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 35V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NCP4305DDR2G - Sekundärseitiger Synchrongleichrichter-Treiber, max. 35V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Sekundärseitiger Synchrongleichrichter-Treiber
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
IC-Bauform: SOIC
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 35V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 108.98 грн |
| 11+ | 83.89 грн |
| 50+ | 70.46 грн |
| 100+ | 52.95 грн |
| 250+ | 47.65 грн |
| 500+ | 46.34 грн |
| 1000+ | 39.32 грн |
| NCP4305DDR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP4305DDR2G - Sekundärseitiger Synchrongleichrichter-Treiber, max. 35V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Sekundärseitiger Synchrongleichrichter-Treiber
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
IC-Bauform: SOIC
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 35V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NCP4305DDR2G - Sekundärseitiger Synchrongleichrichter-Treiber, max. 35V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Sekundärseitiger Synchrongleichrichter-Treiber
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
IC-Bauform: SOIC
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 35V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 52.95 грн |
| 250+ | 47.65 грн |
| 500+ | 46.34 грн |
| 1000+ | 39.32 грн |
| NCP4305QDR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP4305QDR2G - SPECIAL FUNCTION IC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NCP4305QDR2G - SPECIAL FUNCTION IC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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| FQA46N15 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQA46N15 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.033 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FQA46N15 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.033 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 221.34 грн |
| 10+ | 191.78 грн |
| 100+ | 188.40 грн |
| 500+ | 143.56 грн |
| CAT3200TDI-GT3 |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT3200TDI-GT3 - DC/DC-Aufwärts-Schaltregler, einstellbar, 2.7V-4.5Vin, 2.7V-6Vout, 100mAout, SOT-23-6
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nominelle feste Ausgangsspannung: 5V
IC-Gehäuse / Bauform: TSOT-23
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: 5.2V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: 4.8V
Eingangsspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Eingangsspannung, min.: 2.7V
Topologie: Boost (Aufwärts)
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - CAT3200TDI-GT3 - DC/DC-Aufwärts-Schaltregler, einstellbar, 2.7V-4.5Vin, 2.7V-6Vout, 100mAout, SOT-23-6
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nominelle feste Ausgangsspannung: 5V
IC-Gehäuse / Bauform: TSOT-23
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: 5.2V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: 4.8V
Eingangsspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Eingangsspannung, min.: 2.7V
Topologie: Boost (Aufwärts)
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 147.00 грн |
| 10+ | 114.90 грн |
| 100+ | 77.30 грн |
| QRE1113 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - QRE1113 - Reflexlichtschranke, Miniatur, Fototransistor, Durchsteckmontage, 1mm, 50mA, 5Vr, 1.2Vf
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Messabstand / Gabelweite: -
IP-Schutzart: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Durchlassstrom If: 50mA
Sensormontage: Durchsteckmontage
Versorgungsspannung, min.: -
Sensorgehäuse/-bauform: DIP
Sensorausgang: Fototransistor
euEccn: NLR
Durchlassspannung: 1.2V
Messmethode: Reflektiv
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V
Kollektorstrom Ic, max.: 20mA
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Sperrspannung, Vr: 5V
Versorgungsspannung, max.: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Erfassungsabstand: 1mm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - QRE1113 - Reflexlichtschranke, Miniatur, Fototransistor, Durchsteckmontage, 1mm, 50mA, 5Vr, 1.2Vf
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Messabstand / Gabelweite: -
IP-Schutzart: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Durchlassstrom If: 50mA
Sensormontage: Durchsteckmontage
Versorgungsspannung, min.: -
Sensorgehäuse/-bauform: DIP
Sensorausgang: Fototransistor
euEccn: NLR
Durchlassspannung: 1.2V
Messmethode: Reflektiv
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V
Kollektorstrom Ic, max.: 20mA
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Sperrspannung, Vr: 5V
Versorgungsspannung, max.: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Erfassungsabstand: 1mm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 78.65 грн |
| 13+ | 65.73 грн |
| 25+ | 60.07 грн |
| 50+ | 50.52 грн |
| 100+ | 41.78 грн |
| 500+ | 35.27 грн |
| QRE1113GR. |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - QRE1113GR. - Reflexlichtschranke, Fototransistor, SMD Gull-Wing, 5mm, 50mA, 5Vr, 1.2Vf
Erfassungsabstand: 5
Durchlassstrom If: 50
Durchlassspannung: 1.2
Sperrspannung, Vr: 5
Sensorausgang: Fototransistor
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30
Sensormontage: SMD
Produktpalette: QRE1113GR
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - QRE1113GR. - Reflexlichtschranke, Fototransistor, SMD Gull-Wing, 5mm, 50mA, 5Vr, 1.2Vf
Erfassungsabstand: 5
Durchlassstrom If: 50
Durchlassspannung: 1.2
Sperrspannung, Vr: 5
Sensorausgang: Fototransistor
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30
Sensormontage: SMD
Produktpalette: QRE1113GR
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| KA7552A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KA7552A - PWM-Controller, 30V-10V Versorgungsspannung, 135kHz, 16.5V/100mAout, DIP-8
Bauform - Controller-IC: DIP
Ausgangsstrom: 100
Ausgangsspannung: 16.5
Frequenz: 135
Betriebstemperatur, min.: -25
Versorgungsspannung, min.: 10
Eingangsspannung: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 30
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - KA7552A - PWM-Controller, 30V-10V Versorgungsspannung, 135kHz, 16.5V/100mAout, DIP-8
Bauform - Controller-IC: DIP
Ausgangsstrom: 100
Ausgangsspannung: 16.5
Frequenz: 135
Betriebstemperatur, min.: -25
Versorgungsspannung, min.: 10
Eingangsspannung: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 30
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| FDC655BN |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC655BN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.3 A, 0.025 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FDC655BN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.3 A, 0.025 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 58175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18+ | 49.08 грн |
| 27+ | 31.60 грн |
| 100+ | 22.89 грн |
| 500+ | 15.45 грн |
| 1000+ | 12.82 грн |
| 5000+ | 10.36 грн |
| 2N6043G |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N6043G - Darlington-Transistor, NPN, 60 V, 75 W, 8 A, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 75W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - 2N6043G - Darlington-Transistor, NPN, 60 V, 75 W, 8 A, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 75W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 123.34 грн |
| 16+ | 54.83 грн |
| 100+ | 43.93 грн |
| 2N6034G |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N6034G - Darlington-Transistor, PNP, 40 V, 40 W, 4 A, TO-225, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 100hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 40W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-225
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 40V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 4A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - 2N6034G - Darlington-Transistor, PNP, 40 V, 40 W, 4 A, TO-225, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 100hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 40W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-225
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 40V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 4A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 25.26 грн |
| NCP1075AAP065G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1075AAP065G - AC/DC-Flyback-Wandler, Offline-Schaltnetzteil, feste Frequenz, 85V AC bis 265V AC, 10W, DIP-7
tariffCode: 85423990
Schaltfrequenz: 65kHz
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung Leistungsschalter: 700V
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
Maximale Nennleistung: 10W
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 265VAC
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 85VAC
Topologie: Flyback
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Isolation: Isoliert
Nennstrom Leistungsschalter: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NCP1075AAP065G - AC/DC-Flyback-Wandler, Offline-Schaltnetzteil, feste Frequenz, 85V AC bis 265V AC, 10W, DIP-7
tariffCode: 85423990
Schaltfrequenz: 65kHz
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung Leistungsschalter: 700V
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
Maximale Nennleistung: 10W
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 265VAC
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 85VAC
Topologie: Flyback
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Isolation: Isoliert
Nennstrom Leistungsschalter: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 212.05 грн |
| 10+ | 134.33 грн |



























