| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NTHL060N090SC1 | ONSEMI |
NTHL060N090SC1 THT N channel transistors |
на замовлення 41 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| NTJD1155LT1G | ONSEMI |
NTJD1155LT1G Power switches - integrated circuits |
на замовлення 647 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
NTJD4001NT1G | ONSEMI |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.18A; 0.272W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.272W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.18A On-state resistance: 1.5Ω Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1789 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NTJD4401NT1G | ONSEMI |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.46A; 0.27W; ESD Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.27W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.46A Gate charge: 1.3nC On-state resistance: 445mΩ Gate-source voltage: ±12V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4569 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NTJD5121NT1G | ONSEMI |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.295A; 0.25W; ESD Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.25W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.295A Gate charge: 0.9nC On-state resistance: 2.5Ω Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTJS4151PT1G | ONSEMI |
NTJS4151PT1G SMD P channel transistors |
на замовлення 160 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| NTK3043NT1G | ONSEMI |
NTK3043NT1G SMD N channel transistors |
на замовлення 1636 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| NTK3134NT1G | ONSEMI |
NTK3134NT1G SMD N channel transistors |
на замовлення 160 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| NTK3139PT1G | ONSEMI |
NTK3139PT1G SMD P channel transistors |
на замовлення 1795 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| NTMFS5C426NT1G | ONSEMI |
NTMFS5C426NT1G SMD N channel transistors |
на замовлення 1447 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| NTMFS5C604NLT1G | ONSEMI |
NTMFS5C604NLT1G SMD N channel transistors |
на замовлення 875 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
NTMFS5C628NLT1G | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 150A; Idm: 900A; 56W; DFN5 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 150A Pulsed drain current: 900A Power dissipation: 56W Case: DFN5 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 52nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1120 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NTMFS5C670NLT1G | ONSEMI |
NTMFS5C670NLT1G SMD N channel transistors |
на замовлення 1622 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| NTP067N65S3H | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 40A; Idm: 112A; 266W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 40A Pulsed drain current: 112A Power dissipation: 266W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 67mΩ Mounting: THT Gate charge: 80nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 48 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
NTP165N65S3H | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 53A; 142W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 19A Pulsed drain current: 53A Power dissipation: 142W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.165Ω Mounting: THT Gate charge: 35nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 82 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NTP360N80S3Z | ONSEMI |
NTP360N80S3Z THT N channel transistors |
на замовлення 50 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| NTP6412ANG | ONSEMI |
NTP6412ANG THT N channel transistors |
на замовлення 96 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
NTR0202PLT1G | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.4A; 0.225W; SOT23 Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -0.4A Gate charge: 2.18nC Power dissipation: 0.225W On-state resistance: 0.55Ω Gate-source voltage: ±20V Case: SOT23 Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 988 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NTR1P02LT1G | ONSEMI |
NTR1P02LT1G SMD P channel transistors |
на замовлення 2215 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| NTR1P02T1G | ONSEMI |
NTR1P02T1G SMD P channel transistors |
на замовлення 140 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| NTR2101PT1G | ONSEMI |
NTR2101PT1G SMD P channel transistors |
на замовлення 1431 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| NTR3C21NZT1G | ONSEMI |
NTR3C21NZT1G SMD N channel transistors |
на замовлення 2975 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| NTR4003NT1G | ONSEMI |
NTR4003NT1G SMD N channel transistors |
на замовлення 3115 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| NTR4101PT1G | ONSEMI |
NTR4101PT1G SMD P channel transistors |
на замовлення 10 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| NTR4170NT1G | ONSEMI |
NTR4170NT1G SMD N channel transistors |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| NTR4171PT1G | ONSEMI |
NTR4171PT1G SMD P channel transistors |
на замовлення 193 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
NTR4501NT1G | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.4A; Idm: 10A; 1.25W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 2.4A Pulsed drain current: 10A Power dissipation: 1.25W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.105Ω Mounting: SMD Gate charge: 6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 6921 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NTR4503NT1G | ONSEMI |
NTR4503NT1G SMD N channel transistors |
на замовлення 2816 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| NTR5103NT1G | ONSEMI |
NTR5103NT1G SMD N channel transistors |
на замовлення 1268 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
NTR5105PT1G | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.141A; 0.347W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -0.141A Power dissipation: 0.347W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1144 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NTR5198NLT1G | ONSEMI |
NTR5198NLT1G SMD N channel transistors |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
NTS2101PT1G | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -8V; -1.1A; 0.29W; SC70,SOT323 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -8V Drain current: -1.1A On-state resistance: 0.1Ω Power dissipation: 0.29W Gate-source voltage: ±8V Case: SC70; SOT323 Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 895 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NTS4001NT1G | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.2A; 0.33W; SC70,SOT323 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.2A On-state resistance: 1.5Ω Power dissipation: 0.33W Gate-source voltage: ±20V Case: SC70; SOT323 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2789 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NTS4101PT1G | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.62A; 0.329W; SC70,SOT323 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -0.62A Gate charge: 6.4nC On-state resistance: 0.16Ω Power dissipation: 0.329W Gate-source voltage: ±8V Case: SC70; SOT323 Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2833 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NTS4173PT1G | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.8A; Idm: -5A; 290mW Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Pulsed drain current: -5A Drain current: -800mA Gate charge: 10.1nC On-state resistance: 0.15Ω Power dissipation: 0.29W Gate-source voltage: ±12V Case: SC70; SOT323 Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1978 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NTS4409NT1G | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.75A; 0.28W; SC70,SOT323 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 0.75A Gate charge: 1.2nC On-state resistance: 0.4Ω Power dissipation: 0.28W Gate-source voltage: ±8V Case: SC70; SOT323 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 6 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NTZD3152PT1G | ONSEMI |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -0.43A; 0.25W; SOT563 Type of transistor: P-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -0.43A Power dissipation: 0.25W Case: SOT563 Gate-source voltage: ±6V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 1.7nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1830 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NTZD3154NT1G | ONSEMI |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.54A; 0.25W; SOT563 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.54A Power dissipation: 0.25W Case: SOT563 Gate-source voltage: ±7V On-state resistance: 0.9Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 1.5nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1393 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NTZD3155CT1G | ONSEMI |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 0.39/-0.31A Power dissipation: 0.25W Case: SOT563F Gate-source voltage: ±6V On-state resistance: 400/500mΩ Mounting: SMD Gate charge: 1.5/1.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Kind of transistor: complementary pair кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3198 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NTZD3155CT2G | ONSEMI |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: complementary pair Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 0.39/-0.31A Power dissipation: 0.25W Case: SOT563F Gate-source voltage: ±6V On-state resistance: 0.55/0.9Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3459 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NUD4001DR2G | ONSEMI |
Category: LED driversDescription: IC: driver; LED driver; SO8; 500mA; 28V; Ch: 1; PWM Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: LED driver Output current: 0.5A Case: SO8 Mounting: SMD Number of channels: 1 Operating temperature: -40...125°C Integrated circuit features: PWM Output voltage: 28V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1990 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NUF2042XV6T1G | ONSEMI |
Category: Filters - integrated circuitsDescription: Filter: digital; line terminator; lowpass,EMI; SOT563; Ch: 2 Type of filter: digital Kind of integrated circuit: line terminator Kind of filter: EMI; lowpass Case: SOT563 Mounting: SMD Number of channels: 2 Application: USB port ESD protection кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NUF2101MT1G | ONSEMI |
Category: Protection diodes - arraysDescription: Diode: TVS array; bidirectional; TSOP6; Ch: 3; reel,tape Kind of package: reel; tape Case: TSOP6 Type of diode: TVS array Mounting: SMD Number of channels: 3 Application: USB Semiconductor structure: bidirectional кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2180 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NUP1301ML3T1G | ONSEMI |
NUP1301ML3T1G Protection diodes - arrays |
на замовлення 2740 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
NUP2105LT1G | ONSEMI |
Category: Protection diodes - arraysDescription: Diode: TVS array; 26.2÷32V; 350W; bidirectional,double; SOT23 Type of diode: TVS array Breakdown voltage: 26.2...32V Peak pulse power dissipation: 0.35kW Semiconductor structure: bidirectional; double Mounting: SMD Case: SOT23 Max. off-state voltage: 24V Number of channels: 2 Kind of package: reel; tape Application: CAN Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 6048 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NUP2114UPXV5T1G | ONSEMI |
NUP2114UPXV5T1G Protection diodes - arrays |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| NUP2201MR6T1G | ONSEMI |
NUP2201MR6T1G Protection diodes - arrays |
на замовлення 5364 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| NUP2301MW6T1G | ONSEMI |
NUP2301MW6T1G Protection diodes - arrays |
на замовлення 2668 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| NUP4114HMR6T1G | ONSEMI |
NUP4114HMR6T1G Protection diodes - arrays |
на замовлення 2995 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
NUP4114UCLW1T2G | ONSEMI |
Category: Protection diodes - arraysDescription: Diode: TVS array; 6.5V; 12A; unidirectional; SC88; Ch: 4; reel,tape Case: SC88 Version: ESD Application: universal Mounting: SMD Type of diode: TVS array Semiconductor structure: unidirectional Leakage current: 1µA Number of channels: 4 Max. off-state voltage: 5.5V Breakdown voltage: 6.5V Max. forward impulse current: 12A Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1478 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NUP4114UCW1T2G | ONSEMI |
NUP4114UCW1T2G Protection diodes - arrays |
на замовлення 2188 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| NUP4301MR6T1G | ONSEMI |
NUP4301MR6T1G Protection diodes - arrays |
на замовлення 2650 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| NVD5C688NLT4G | ONSEMI |
NVD5C688NLT4G SMD N channel transistors |
на замовлення 1712 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| NVF2955T1G | ONSEMI |
NVF2955T1G SMD P channel transistors |
на замовлення 710 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
NVJD5121NT1G | ONSEMI |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.212A; 0.25W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.25W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.212A On-state resistance: 1.6Ω Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3050 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NVMFS5C426NAFT1G | ONSEMI |
NVMFS5C426NAFT1G SMD N channel transistors |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| NVMFS6H800NLT1G | ONSEMI |
NVMFS6H800NLT1G SMD N channel transistors |
на замовлення 1490 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
NVR4501NT1G | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.4A; Idm: 10A; 1.25W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 2.4A Pulsed drain current: 10A Power dissipation: 1.25W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.105Ω Mounting: SMD Gate charge: 6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2341 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NVR5124PLT1G | ONSEMI |
NVR5124PLT1G SMD P channel transistors |
на замовлення 1773 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| NVR5198NLT1G | ONSEMI |
NVR5198NLT1G SMD N channel transistors |
на замовлення 943 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
| NTHL060N090SC1 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTHL060N090SC1 THT N channel transistors
NTHL060N090SC1 THT N channel transistors
на замовлення 41 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1044.90 грн |
| 2+ | 865.45 грн |
| 4+ | 817.54 грн |
| NTJD1155LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTJD1155LT1G Power switches - integrated circuits
NTJD1155LT1G Power switches - integrated circuits
на замовлення 647 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 50.63 грн |
| 65+ | 18.37 грн |
| 178+ | 17.37 грн |
| NTJD4001NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.18A; 0.272W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.272W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.18A
On-state resistance: 1.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.18A; 0.272W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.272W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.18A
On-state resistance: 1.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1789 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 33.32 грн |
| 14+ | 23.12 грн |
| 50+ | 15.27 грн |
| 100+ | 12.88 грн |
| 500+ | 9.28 грн |
| NTJD4401NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.46A; 0.27W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.27W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.46A
Gate charge: 1.3nC
On-state resistance: 445mΩ
Gate-source voltage: ±12V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.46A; 0.27W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.27W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.46A
Gate charge: 1.3nC
On-state resistance: 445mΩ
Gate-source voltage: ±12V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4569 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 35.48 грн |
| 11+ | 28.82 грн |
| 13+ | 24.26 грн |
| 100+ | 14.07 грн |
| 500+ | 9.88 грн |
| 1000+ | 8.78 грн |
| NTJD5121NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.295A; 0.25W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.25W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.295A
Gate charge: 0.9nC
On-state resistance: 2.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.295A; 0.25W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.25W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.295A
Gate charge: 0.9nC
On-state resistance: 2.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| NTJS4151PT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTJS4151PT1G SMD P channel transistors
NTJS4151PT1G SMD P channel transistors
на замовлення 160 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 28.70 грн |
| 117+ | 10.18 грн |
| 322+ | 9.58 грн |
| NTK3043NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTK3043NT1G SMD N channel transistors
NTK3043NT1G SMD N channel transistors
на замовлення 1636 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 19+ | 17.45 грн |
| 347+ | 3.43 грн |
| 952+ | 3.24 грн |
| NTK3134NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTK3134NT1G SMD N channel transistors
NTK3134NT1G SMD N channel transistors
на замовлення 160 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 38.81 грн |
| 73+ | 16.27 грн |
| 201+ | 15.37 грн |
| 1000+ | 15.34 грн |
| NTK3139PT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTK3139PT1G SMD P channel transistors
NTK3139PT1G SMD P channel transistors
на замовлення 1795 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 20.30 грн |
| 269+ | 4.42 грн |
| 739+ | 4.18 грн |
| NTMFS5C426NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTMFS5C426NT1G SMD N channel transistors
NTMFS5C426NT1G SMD N channel transistors
на замовлення 1447 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 122.55 грн |
| 22+ | 54.90 грн |
| 60+ | 51.91 грн |
| NTMFS5C604NLT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTMFS5C604NLT1G SMD N channel transistors
NTMFS5C604NLT1G SMD N channel transistors
на замовлення 875 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 225.75 грн |
| 11+ | 110.80 грн |
| 30+ | 104.81 грн |
| NTMFS5C628NLT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 150A; Idm: 900A; 56W; DFN5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 150A
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 56W
Case: DFN5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 52nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 150A; Idm: 900A; 56W; DFN5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 150A
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 56W
Case: DFN5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 52nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1120 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 74.18 грн |
| 10+ | 64.27 грн |
| 100+ | 56.90 грн |
| 250+ | 54.90 грн |
| 500+ | 48.91 грн |
| 1000+ | 46.92 грн |
| NTMFS5C670NLT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTMFS5C670NLT1G SMD N channel transistors
NTMFS5C670NLT1G SMD N channel transistors
на замовлення 1622 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 86.00 грн |
| 1500+ | 33.17 грн |
| NTP067N65S3H |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 40A; Idm: 112A; 266W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 112A
Power dissipation: 266W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 67mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 40A; Idm: 112A; 266W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 112A
Power dissipation: 266W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 67mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 48 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 462.25 грн |
| NTP165N65S3H |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 53A; 142W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 53A
Power dissipation: 142W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 53A; 142W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 53A
Power dissipation: 142W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 82 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 260.19 грн |
| 10+ | 235.58 грн |
| NTP360N80S3Z |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTP360N80S3Z THT N channel transistors
NTP360N80S3Z THT N channel transistors
на замовлення 50 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 385.92 грн |
| 7+ | 193.65 грн |
| 17+ | 183.67 грн |
| NTP6412ANG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTP6412ANG THT N channel transistors
NTP6412ANG THT N channel transistors
на замовлення 96 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 227.90 грн |
| 11+ | 112.80 грн |
| 30+ | 105.81 грн |
| NTR0202PLT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.4A; 0.225W; SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.4A
Gate charge: 2.18nC
Power dissipation: 0.225W
On-state resistance: 0.55Ω
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.4A; 0.225W; SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.4A
Gate charge: 2.18nC
Power dissipation: 0.225W
On-state resistance: 0.55Ω
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 988 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 38+ | 8.60 грн |
| 43+ | 7.26 грн |
| 54+ | 5.63 грн |
| 100+ | 5.09 грн |
| 500+ | 4.13 грн |
| 1000+ | 3.84 грн |
| 1500+ | 3.69 грн |
| NTR1P02LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTR1P02LT1G SMD P channel transistors
NTR1P02LT1G SMD P channel transistors
на замовлення 2215 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 31.18 грн |
| 184+ | 6.49 грн |
| 506+ | 6.09 грн |
| NTR1P02T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTR1P02T1G SMD P channel transistors
NTR1P02T1G SMD P channel transistors
на замовлення 140 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 22.25 грн |
| 184+ | 6.49 грн |
| 506+ | 6.09 грн |
| NTR2101PT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTR2101PT1G SMD P channel transistors
NTR2101PT1G SMD P channel transistors
на замовлення 1431 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 35.90 грн |
| 137+ | 8.68 грн |
| 375+ | 8.29 грн |
| NTR3C21NZT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTR3C21NZT1G SMD N channel transistors
NTR3C21NZT1G SMD N channel transistors
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 35.15 грн |
| 115+ | 10.38 грн |
| 316+ | 9.78 грн |
| NTR4003NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTR4003NT1G SMD N channel transistors
NTR4003NT1G SMD N channel transistors
на замовлення 3115 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 51+ | 6.43 грн |
| 433+ | 2.75 грн |
| 1190+ | 2.60 грн |
| NTR4101PT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTR4101PT1G SMD P channel transistors
NTR4101PT1G SMD P channel transistors
на замовлення 10 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 32.25 грн |
| 248+ | 4.81 грн |
| 680+ | 4.54 грн |
| NTR4170NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTR4170NT1G SMD N channel transistors
NTR4170NT1G SMD N channel transistors
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 36.01 грн |
| 102+ | 11.68 грн |
| 281+ | 10.98 грн |
| NTR4171PT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTR4171PT1G SMD P channel transistors
NTR4171PT1G SMD P channel transistors
на замовлення 193 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 25.91 грн |
| 140+ | 8.48 грн |
| 384+ | 8.09 грн |
| NTR4501NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.4A; Idm: 10A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.4A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.4A; Idm: 10A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.4A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6921 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 19+ | 17.20 грн |
| 27+ | 11.61 грн |
| 50+ | 8.35 грн |
| 100+ | 7.38 грн |
| 500+ | 5.62 грн |
| 1000+ | 5.09 грн |
| 1500+ | 4.74 грн |
| NTR4503NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTR4503NT1G SMD N channel transistors
NTR4503NT1G SMD N channel transistors
на замовлення 2816 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 16.56 грн |
| 183+ | 6.49 грн |
| 502+ | 6.19 грн |
| NTR5103NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTR5103NT1G SMD N channel transistors
NTR5103NT1G SMD N channel transistors
на замовлення 1268 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 23+ | 14.43 грн |
| 412+ | 2.88 грн |
| 1133+ | 2.73 грн |
| NTR5105PT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.141A; 0.347W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.141A
Power dissipation: 0.347W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.141A; 0.347W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.141A
Power dissipation: 0.347W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1144 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 22+ | 15.05 грн |
| 33+ | 9.54 грн |
| 50+ | 6.39 грн |
| 100+ | 5.51 грн |
| 500+ | 5.28 грн |
| NTR5198NLT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTR5198NLT1G SMD N channel transistors
NTR5198NLT1G SMD N channel transistors
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 32.90 грн |
| 197+ | 5.99 грн |
| 540+ | 5.69 грн |
| NTS2101PT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -8V; -1.1A; 0.29W; SC70,SOT323
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -1.1A
On-state resistance: 0.1Ω
Power dissipation: 0.29W
Gate-source voltage: ±8V
Case: SC70; SOT323
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -8V; -1.1A; 0.29W; SC70,SOT323
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -1.1A
On-state resistance: 0.1Ω
Power dissipation: 0.29W
Gate-source voltage: ±8V
Case: SC70; SOT323
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 895 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 25.80 грн |
| 16+ | 20.52 грн |
| 25+ | 17.87 грн |
| 50+ | 16.27 грн |
| 100+ | 14.67 грн |
| 500+ | 10.98 грн |
| 1000+ | 9.28 грн |
| NTS4001NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.2A; 0.33W; SC70,SOT323
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.2A
On-state resistance: 1.5Ω
Power dissipation: 0.33W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SC70; SOT323
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.2A; 0.33W; SC70,SOT323
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.2A
On-state resistance: 1.5Ω
Power dissipation: 0.33W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SC70; SOT323
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2789 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 12.90 грн |
| 31+ | 10.16 грн |
| 36+ | 8.38 грн |
| 53+ | 5.67 грн |
| 100+ | 4.94 грн |
| 250+ | 4.34 грн |
| 500+ | 4.06 грн |
| NTS4101PT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.62A; 0.329W; SC70,SOT323
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.62A
Gate charge: 6.4nC
On-state resistance: 0.16Ω
Power dissipation: 0.329W
Gate-source voltage: ±8V
Case: SC70; SOT323
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.62A; 0.329W; SC70,SOT323
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.62A
Gate charge: 6.4nC
On-state resistance: 0.16Ω
Power dissipation: 0.329W
Gate-source voltage: ±8V
Case: SC70; SOT323
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2833 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 31.18 грн |
| 16+ | 20.21 грн |
| 50+ | 12.48 грн |
| 100+ | 10.38 грн |
| 500+ | 7.29 грн |
| 1000+ | 6.49 грн |
| NTS4173PT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.8A; Idm: -5A; 290mW
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Pulsed drain current: -5A
Drain current: -800mA
Gate charge: 10.1nC
On-state resistance: 0.15Ω
Power dissipation: 0.29W
Gate-source voltage: ±12V
Case: SC70; SOT323
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.8A; Idm: -5A; 290mW
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Pulsed drain current: -5A
Drain current: -800mA
Gate charge: 10.1nC
On-state resistance: 0.15Ω
Power dissipation: 0.29W
Gate-source voltage: ±12V
Case: SC70; SOT323
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1978 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 21.50 грн |
| 21+ | 15.45 грн |
| 50+ | 10.08 грн |
| 100+ | 8.38 грн |
| 500+ | 5.99 грн |
| NTS4409NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.75A; 0.28W; SC70,SOT323
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.75A
Gate charge: 1.2nC
On-state resistance: 0.4Ω
Power dissipation: 0.28W
Gate-source voltage: ±8V
Case: SC70; SOT323
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.75A; 0.28W; SC70,SOT323
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.75A
Gate charge: 1.2nC
On-state resistance: 0.4Ω
Power dissipation: 0.28W
Gate-source voltage: ±8V
Case: SC70; SOT323
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 53.75 грн |
| 10+ | 31.10 грн |
| 25+ | 13.58 грн |
| 50+ | 11.78 грн |
| 100+ | 10.18 грн |
| 500+ | 7.39 грн |
| 1000+ | 6.79 грн |
| NTZD3152PT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -0.43A; 0.25W; SOT563
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.43A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 1.7nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -0.43A; 0.25W; SOT563
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.43A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 1.7nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1830 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 27.95 грн |
| 18+ | 17.83 грн |
| 25+ | 13.68 грн |
| 100+ | 9.78 грн |
| NTZD3154NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.54A; 0.25W; SOT563
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.54A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±7V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 1.5nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.54A; 0.25W; SOT563
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.54A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±7V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 1.5nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1393 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 29.02 грн |
| 15+ | 21.98 грн |
| 17+ | 17.67 грн |
| 50+ | 10.78 грн |
| 100+ | 8.88 грн |
| 500+ | 6.79 грн |
| NTZD3155CT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.39/-0.31A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT563F
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 400/500mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.5/1.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: complementary pair
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.39/-0.31A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT563F
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 400/500mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.5/1.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: complementary pair
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3198 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 30.10 грн |
| 13+ | 24.26 грн |
| 50+ | 15.17 грн |
| 100+ | 12.58 грн |
| 250+ | 10.08 грн |
| 500+ | 8.98 грн |
| NTZD3155CT2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.39/-0.31A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT563F
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 0.55/0.9Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.39/-0.31A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT563F
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 0.55/0.9Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3459 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 33.32 грн |
| 15+ | 20.73 грн |
| 25+ | 15.37 грн |
| 100+ | 10.58 грн |
| 500+ | 8.29 грн |
| NUD4001DR2G | ![]() |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: LED drivers
Description: IC: driver; LED driver; SO8; 500mA; 28V; Ch: 1; PWM
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: LED driver
Output current: 0.5A
Case: SO8
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Operating temperature: -40...125°C
Integrated circuit features: PWM
Output voltage: 28V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: LED drivers
Description: IC: driver; LED driver; SO8; 500mA; 28V; Ch: 1; PWM
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: LED driver
Output current: 0.5A
Case: SO8
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Operating temperature: -40...125°C
Integrated circuit features: PWM
Output voltage: 28V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 130.08 грн |
| 10+ | 68.00 грн |
| 25+ | 56.30 грн |
| 50+ | 50.71 грн |
| 100+ | 46.02 грн |
| 250+ | 43.72 грн |
| NUF2042XV6T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Filters - integrated circuits
Description: Filter: digital; line terminator; lowpass,EMI; SOT563; Ch: 2
Type of filter: digital
Kind of integrated circuit: line terminator
Kind of filter: EMI; lowpass
Case: SOT563
Mounting: SMD
Number of channels: 2
Application: USB port ESD protection
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Filters - integrated circuits
Description: Filter: digital; line terminator; lowpass,EMI; SOT563; Ch: 2
Type of filter: digital
Kind of integrated circuit: line terminator
Kind of filter: EMI; lowpass
Case: SOT563
Mounting: SMD
Number of channels: 2
Application: USB port ESD protection
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 80.62 грн |
| 5+ | 62.20 грн |
| 10+ | 31.34 грн |
| 50+ | 26.45 грн |
| 250+ | 22.56 грн |
| NUF2101MT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; bidirectional; TSOP6; Ch: 3; reel,tape
Kind of package: reel; tape
Case: TSOP6
Type of diode: TVS array
Mounting: SMD
Number of channels: 3
Application: USB
Semiconductor structure: bidirectional
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; bidirectional; TSOP6; Ch: 3; reel,tape
Kind of package: reel; tape
Case: TSOP6
Type of diode: TVS array
Mounting: SMD
Number of channels: 3
Application: USB
Semiconductor structure: bidirectional
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2180 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 39.78 грн |
| 10+ | 31.72 грн |
| 25+ | 27.75 грн |
| 50+ | 25.75 грн |
| 100+ | 23.96 грн |
| 250+ | 22.66 грн |
| NUP1301ML3T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NUP1301ML3T1G Protection diodes - arrays
NUP1301ML3T1G Protection diodes - arrays
на замовлення 2740 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 26.55 грн |
| 158+ | 7.59 грн |
| 434+ | 7.09 грн |
| NUP2105LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 26.2÷32V; 350W; bidirectional,double; SOT23
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 26.2...32V
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Semiconductor structure: bidirectional; double
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 24V
Number of channels: 2
Kind of package: reel; tape
Application: CAN
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 26.2÷32V; 350W; bidirectional,double; SOT23
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 26.2...32V
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Semiconductor structure: bidirectional; double
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 24V
Number of channels: 2
Kind of package: reel; tape
Application: CAN
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6048 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 30.10 грн |
| 27+ | 11.61 грн |
| 50+ | 9.36 грн |
| 100+ | 8.65 грн |
| 500+ | 7.20 грн |
| 1000+ | 6.63 грн |
| 1500+ | 6.32 грн |
| NUP2114UPXV5T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NUP2114UPXV5T1G Protection diodes - arrays
NUP2114UPXV5T1G Protection diodes - arrays
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 31.18 грн |
| 102+ | 11.78 грн |
| 279+ | 11.08 грн |
| NUP2201MR6T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NUP2201MR6T1G Protection diodes - arrays
NUP2201MR6T1G Protection diodes - arrays
на замовлення 5364 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 44.29 грн |
| 74+ | 16.17 грн |
| 202+ | 15.37 грн |
| NUP2301MW6T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NUP2301MW6T1G Protection diodes - arrays
NUP2301MW6T1G Protection diodes - arrays
на замовлення 2668 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 36.87 грн |
| 65+ | 18.47 грн |
| 178+ | 17.47 грн |
| 1000+ | 17.42 грн |
| NUP4114HMR6T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NUP4114HMR6T1G Protection diodes - arrays
NUP4114HMR6T1G Protection diodes - arrays
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 38.06 грн |
| 60+ | 19.86 грн |
| 165+ | 18.87 грн |
| NUP4114UCLW1T2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6.5V; 12A; unidirectional; SC88; Ch: 4; reel,tape
Case: SC88
Version: ESD
Application: universal
Mounting: SMD
Type of diode: TVS array
Semiconductor structure: unidirectional
Leakage current: 1µA
Number of channels: 4
Max. off-state voltage: 5.5V
Breakdown voltage: 6.5V
Max. forward impulse current: 12A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6.5V; 12A; unidirectional; SC88; Ch: 4; reel,tape
Case: SC88
Version: ESD
Application: universal
Mounting: SMD
Type of diode: TVS array
Semiconductor structure: unidirectional
Leakage current: 1µA
Number of channels: 4
Max. off-state voltage: 5.5V
Breakdown voltage: 6.5V
Max. forward impulse current: 12A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1478 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 31.18 грн |
| 13+ | 24.26 грн |
| 15+ | 20.86 грн |
| 50+ | 15.67 грн |
| 100+ | 13.88 грн |
| 250+ | 11.58 грн |
| 500+ | 10.08 грн |
| NUP4114UCW1T2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NUP4114UCW1T2G Protection diodes - arrays
NUP4114UCW1T2G Protection diodes - arrays
на замовлення 2188 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 33.54 грн |
| 113+ | 10.58 грн |
| 309+ | 9.98 грн |
| NUP4301MR6T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NUP4301MR6T1G Protection diodes - arrays
NUP4301MR6T1G Protection diodes - arrays
на замовлення 2650 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 27.30 грн |
| 152+ | 7.89 грн |
| 417+ | 7.39 грн |
| NVD5C688NLT4G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NVD5C688NLT4G SMD N channel transistors
NVD5C688NLT4G SMD N channel transistors
на замовлення 1712 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 93.52 грн |
| 13+ | 91.84 грн |
| 25+ | 87.08 грн |
| 36+ | 86.84 грн |
| NVF2955T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NVF2955T1G SMD P channel transistors
NVF2955T1G SMD P channel transistors
на замовлення 710 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 98.90 грн |
| 18+ | 66.88 грн |
| 49+ | 63.89 грн |
| 100+ | 63.23 грн |
| NVJD5121NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.212A; 0.25W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.25W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.212A
On-state resistance: 1.6Ω
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.212A; 0.25W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.25W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.212A
On-state resistance: 1.6Ω
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3050 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 22.58 грн |
| 28+ | 11.20 грн |
| 100+ | 8.38 грн |
| 500+ | 7.59 грн |
| 1000+ | 7.09 грн |
| NVMFS5C426NAFT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NVMFS5C426NAFT1G SMD N channel transistors
NVMFS5C426NAFT1G SMD N channel transistors
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 284.88 грн |
| 8+ | 166.70 грн |
| 20+ | 156.72 грн |
| NVMFS6H800NLT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NVMFS6H800NLT1G SMD N channel transistors
NVMFS6H800NLT1G SMD N channel transistors
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 478.38 грн |
| 5+ | 279.50 грн |
| 12+ | 264.53 грн |
| NVR4501NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.4A; Idm: 10A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.4A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.4A; Idm: 10A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.4A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2341 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 60.20 грн |
| 10+ | 35.56 грн |
| 100+ | 22.36 грн |
| 250+ | 19.17 грн |
| 500+ | 17.17 грн |
| 1000+ | 15.47 грн |
| 3000+ | 14.97 грн |
| NVR5124PLT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NVR5124PLT1G SMD P channel transistors
NVR5124PLT1G SMD P channel transistors
на замовлення 1773 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 45.47 грн |
| 72+ | 16.67 грн |
| 197+ | 15.77 грн |
| 3000+ | 15.76 грн |
| NVR5198NLT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NVR5198NLT1G SMD N channel transistors
NVR5198NLT1G SMD N channel transistors
на замовлення 943 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 40.31 грн |
| 85+ | 13.98 грн |
| 233+ | 13.28 грн |
| 3000+ | 13.27 грн |













