Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (142401) > Сторінка 1793 з 2374

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 237 474 711 948 1185 1422 1659 1788 1789 1790 1791 1792 1793 1794 1795 1796 1797 1798 1896 2133 2370 2374  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NCP1399ATDR2G NCP1399ATDR2G ONSEMI NCP1399-D.PDF Description: ONSEMI - NCP1399ATDR2G - AC / DC CONVERTERS
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP1399AFDR2G NCP1399AFDR2G ONSEMI NCP1399-D.PDF Description: ONSEMI - NCP1399AFDR2G - AC / DC CONVERTERS
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP1399ANDR2G NCP1399ANDR2G ONSEMI NCP1399-D.PDF Description: ONSEMI - NCP1399ANDR2G - AC / DC CONVERTERS
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP1399BADR2G NCP1399BADR2G ONSEMI NCP1399-D.PDF Description: ONSEMI - NCP1399BADR2G - AC / DC CONVERTERS
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FSB50550AS FSB50550AS ONSEMI 2859372.pdf Description: ONSEMI - FSB50550AS - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), MOSFET, 500 V, 2 A, 1.5 kV, SPM5Q-023, SPM5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: SPM5Q-023
Nennspannung (Vces / Vdss): 500V
Isolationsspannung: 1.5kV
euEccn: NLR
Nennstrom (Ic/Id): 2A
Produktpalette: Motion SPM 5 Series
IPM-Leistungsbaustein: MOSFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: SPM5
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+503.39 грн
50+430.13 грн
100+265.19 грн
250+260.06 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FSB50550AS FSB50550AS ONSEMI 2859372.pdf Description: ONSEMI - FSB50550AS - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), MOSFET, 500 V, 2 A, 1.5 kV, SPM5Q-023, SPM5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: SPM5Q-023
Nennspannung (Vces / Vdss): 500V
Isolationsspannung: 1.5kV
euEccn: NLR
Nennstrom (Ic/Id): 2A
Produktpalette: Motion SPM 5 Series
IPM-Leistungsbaustein: MOSFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: SPM5
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+730.73 грн
5+617.06 грн
10+503.39 грн
50+430.13 грн
100+265.19 грн
250+260.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DVK-SFAZ-1-GEVK DVK-SFAZ-1-GEVK ONSEMI 2339414.pdf Description: ONSEMI - DVK-SFAZ-1-GEVK - Development Kit, HF-Transceiver-SoC AX-SFAZ, Sigfox™ RCZ4, äußerst energiesparend, API-Bibliothek
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: AX-SFAZ-1-01
Kit-Anwendungsbereich: Wireless-Konnektivität
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Mini-Modul mit SoC, Debugging-Adapter mit Flachbandkabel, Mini-USB-Kabel und SMA-Antenne
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: HF-Transceiver - Sigfox-Netzwerke Australien/Neuseeland
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 5A992.c
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7840.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TIP121G TIP121G ONSEMI 1916291.pdf Description: ONSEMI - TIP121G - Darlington-Transistor, NPN, 80 V, 65 W, 5 A, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 65W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 5A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+127.34 грн
15+57.01 грн
100+53.50 грн
500+39.05 грн
1000+30.18 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TIP125G TIP125G ONSEMI 1916291.pdf Description: ONSEMI - TIP125G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 5 A, 65 W, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 1000
Verlustleistung Pd: 65
Übergangsfrequenz ft: -
Bauform - Transistor: TO-220AB
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DAN222T1G DAN222T1G ONSEMI ONSM-S-A0013339360-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - DAN222T1G - Kleinsignaldiode, schaltend, Zweifach, gemeinsame Kathode, 80 V, 100 mA, 1.2 V, 4 ns, 2 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-416
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.2V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DAN22
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 80V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 34900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
116+7.41 грн
160+5.34 грн
193+4.44 грн
500+2.66 грн
1000+2.05 грн
Мінімальне замовлення: 116
В кошику  од. на суму  грн.
ESD7351HT1G ESD7351HT1G ONSEMI 2578333.pdf Description: ONSEMI - ESD7351HT1G - ESD-Schutzbaustein, 10 V, SOD-323, 2 Pin(s), 150 mW, ESD7351
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150mW
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 10V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: ESD7351
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
49+17.69 грн
80+10.68 грн
117+7.34 грн
500+6.59 грн
1000+5.86 грн
Мінімальне замовлення: 49
В кошику  од. на суму  грн.
ESD7351HT1G ESD7351HT1G ONSEMI 2578333.pdf Description: ONSEMI - ESD7351HT1G - ESD-Schutzbaustein, 10 V, SOD-323, 2 Pin(s), 150 mW, ESD7351
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150mW
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 10V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: ESD7351
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+6.59 грн
1000+5.86 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NCP1013AP133G NCP1013AP133G ONSEMI 2236898.pdf Description: ONSEMI - NCP1013AP133G - AC/DC-Flyback-Schaltnetzteil, feste Frequenz, Current-Mode-Controller, 100V AC-250V AC, 19W, DIP-7
AC-Eingangsspannung, max.: 250
Nennleistung: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Bauform - AC/DC-Wandler: DIP
Topologie: Flyback
Anzahl der Pins: 7
Produktpalette: -
AC-Eingangsspannung, min.: 100
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S310 S310 ONSEMI FAIR-S-A0002364049-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - S310 - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 3 A, Einfach, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s), 850 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
Durchlassstoßstrom: 100A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 850mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: S310
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+50.85 грн
19+45.04 грн
100+36.75 грн
500+30.95 грн
1000+25.57 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
S310FA ONSEMI 2552647.pdf Description: ONSEMI - S310FA - 3 A, 100 V Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers/ REEL 01AC9762
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 5148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
KSC3503DS KSC3503DS ONSEMI FAIRS26222-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - KSC3503DS - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 100 mA, 7 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: TO-225AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3703-1E 2SK3703-1E ONSEMI 2371188.pdf Description: ONSEMI - 2SK3703-1E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 30 A, 0.02 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 30
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 25
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: -
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KSC2073H2TU KSC2073H2TU ONSEMI FAIRS30498-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - KSC2073H2TU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 150 V, 1.5 A, 25 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: KSC2073
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+85.47 грн
15+60.77 грн
100+51.62 грн
500+35.47 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
KSC2073TU KSC2073TU ONSEMI 1863476.pdf Description: ONSEMI - KSC2073TU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 150 V, 1.5 A, 25 W, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 40
Verlustleistung Pd: 25
Übergangsfrequenz ft: 4
Bauform - Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 150
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 1.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCV7471BDQ5R2G NCV7471BDQ5R2G ONSEMI ONSM-S-A0013749958-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NCV7471BDQ5R2G - System-Basis-Chip, CAN, ISO 11898-2/17987-4, LIN 2.X, SAE J2602, 2.5V-28V Versorgung, SSOP-36
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
euEccn: NLR
Unterstützte Protokolle: CAN, LIN
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 28V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Unterstützte Standards: ISO 11898-2, ISO 17987-4, LIN 2.X, SAE J2602
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+385.45 грн
10+346.99 грн
25+320.49 грн
50+277.76 грн
100+238.81 грн
250+217.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NCV7471BDQ5R2G NCV7471BDQ5R2G ONSEMI ONSM-S-A0013749958-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NCV7471BDQ5R2G - System-Basis-Chip, CAN, ISO 11898-2/17987-4, LIN 2.X, SAE J2602, 2.5V-28V Versorgung, SSOP-36
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
euEccn: NLR
Unterstützte Protokolle: CAN, LIN
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 28V
Bauform - Schnittstellenbaustein: SSOP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Unterstützte Standards: ISO 11898-2, ISO 17987-4, LIN 2.X, SAE J2602
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+238.81 грн
250+217.57 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NL17SZ17DFT2G NL17SZ17DFT2G ONSEMI 2160691.pdf Description: ONSEMI - NL17SZ17DFT2G - Puffer, 1.65V bis 5.5V, SOT-353-5
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: -
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 17SZ
Bauform - Logikbaustein: SOT-353
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-353
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
Logikfamilie / Sockelnummer: -
euEccn: NLR
Logikbaustein: Puffer, Schmitt-Trigger
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
105+8.19 грн
184+4.67 грн
249+3.44 грн
500+2.74 грн
1000+2.31 грн
Мінімальне замовлення: 105
В кошику  од. на суму  грн.
NLV17SZ17DFT2G NLV17SZ17DFT2G ONSEMI 2160691.pdf Description: ONSEMI - NLV17SZ17DFT2G - Logik, Puffer, Schmitt-Trigger, Baureihe NL17SZ17, 1.65V-5.5V Versorgungsspannung, SOT-553-5
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: -
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: -
Bauform - Logikbaustein: SOT-353
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
Logikfamilie / Sockelnummer: NL17SZ17
euEccn: NLR
Logikbaustein: Puffer, Schmitt-Trigger
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 7145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+35.98 грн
33+26.24 грн
100+15.73 грн
500+12.06 грн
1000+8.35 грн
3000+7.16 грн
6000+7.14 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
FJL4215OTU FJL4215OTU ONSEMI FJL4215-D.pdf Description: ONSEMI - FJL4215OTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 250 V, 17 A, 150 W, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 17A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: FJL4215
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+462.37 грн
10+320.49 грн
100+278.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP7N60A4 HGTP7N60A4 ONSEMI 2284605.pdf Description: ONSEMI - HGTP7N60A4 - IGBT, 34 A, 2.7 V, 125 W, 600 V, TO-220AB, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.7
DC-Kollektorstrom: 34
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-220AB
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 125
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+150.42 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N60B3D.. HGTG30N60B3D.. ONSEMI ONSM-S-A0013297138-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - HGTG30N60B3D.. - IGBT, 60 A, 1.9 V, 208 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.9
DC-Kollektorstrom: 60
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 208
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD1N120BNS9A HGTD1N120BNS9A ONSEMI ONSM-S-A0003591140-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - HGTD1N120BNS9A - IGBT, 5.3 A, 2.5 V, 60 W, 1.2 kV, TO-252AA, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.5V
Verlustleistung Pd: 60W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 5.3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 5.3A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 10153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+73.07 грн
500+56.82 грн
1000+49.30 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD1N120BNS9A HGTD1N120BNS9A ONSEMI ONSM-S-A0003591140-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - HGTD1N120BNS9A - IGBT, 5.3 A, 2.5 V, 60 W, 1.2 kV, TO-252AA, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Dauerkollektorstrom: 5.3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 10153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+137.60 грн
50+97.43 грн
100+73.07 грн
500+56.82 грн
1000+49.30 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG18N120BND HGTG18N120BND ONSEMI 2303946.pdf Description: ONSEMI - HGTG18N120BND - IGBT, 54 A, 2.7 V, 390 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.7V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 390W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 54A
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+408.52 грн
10+399.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG40N60B3 HGTG40N60B3 ONSEMI 2286043.pdf Description: ONSEMI - HGTG40N60B3 - IGBT, 70 A, 2 V, 290 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2
DC-Kollektorstrom: 70
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 290
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG5N120BND HGTG5N120BND ONSEMI 2298743.pdf Description: ONSEMI - HGTG5N120BND - IGBT, 21 A, 2.7 V, 167 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.7
DC-Kollektorstrom: 21
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Verlustleistung Pd: 167
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N60C3D HGTG30N60C3D ONSEMI 2286242.pdf Description: ONSEMI - HGTG30N60C3D - IGBT, 63 A, 1.8 V, 208 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8
DC-Kollektorstrom: 63
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 208
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N60B3 HGTG30N60B3 ONSEMI FAIRS45873-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw hgtg30n60b3-d.pdf Description: ONSEMI - HGTG30N60B3 - IGBT, 60 A, 1.45 V, 208 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 16153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+234.17 грн
10+180.33 грн
100+158.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG27N120BN HGTG27N120BN ONSEMI 2286338.pdf Description: ONSEMI - HGTG27N120BN - IGBT, 72 A, 2.7 V, 500 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.7
DC-Kollektorstrom: 72
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Verlustleistung Pd: 500
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP7N60A4-F102 HGTP7N60A4-F102 ONSEMI HGTP7N60A4-D.PDF Description: ONSEMI - HGTP7N60A4-F102 - IGBT, 600V, SMPS
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8447L FDD8447L ONSEMI 2284191.pdf description Description: ONSEMI - FDD8447L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 8500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 44W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 8897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+80.34 грн
50+57.95 грн
100+40.42 грн
500+29.52 грн
1000+24.03 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8447L-F085 FDD8447L-F085 ONSEMI 2724464.pdf Description: ONSEMI - FDD8447L-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.007 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Wandlerpolarität: n-Kanal
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: PowerTrench
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8447L-F085 FDD8447L-F085 ONSEMI 2724464.pdf Description: ONSEMI - FDD8447L-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.007 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 50
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 65
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.007
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1.9
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TIP126TU TIP126TU ONSEMI 2284309.pdf Description: ONSEMI - TIP126TU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Zweifach pnp, 80 V, 5 A, 65 W, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 1000
Verlustleistung Pd: 65
Übergangsfrequenz ft: -
Bauform - Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
DC-Kollektorstrom: 5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SECO-RSL10-TAG-GEVB SECO-RSL10-TAG-GEVB ONSEMI 3764911.pdf Description: ONSEMI - SECO-RSL10-TAG-GEVB - Evaluationsboard, FPF1005/NCH-RSL10-101Q48-ABG, Asset-Überwachung und -Tracking, Industry 4.0
tariffCode: 84715000
Kit-Anwendungsbereich: Wireless-Konnektivität
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard FPF1005/NCH-RSL10-101Q48-ABG
Prozessorhersteller: On Semiconductor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Prozessorserie: Cortex-M3
Unterart Anwendung: Asset-Überwachung und -Tracking, Industry 4.0
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: -
euEccn: NLR
Prozessorkern: FPF1005, NCH-RSL10-101Q48-ABG
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: ARM
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH023N65S3L4 ONSEMI 2859339.pdf Description: ONSEMI - FCH023N65S3L4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.0195 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 75
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 595
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: SuperFET III
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0195
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4.5
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1211.90 грн
5+1198.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH043N60 ONSEMI 2907349.pdf Description: ONSEMI - FCH043N60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 75 A, 0.037 ohm, TO-247
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 75
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 592
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SUPERFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.037
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3.5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1465.73 грн
5+1378.55 грн
10+1291.38 грн
50+1128.51 грн
100+975.77 грн
250+867.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH029N65S3-F155 FCH029N65S3-F155 ONSEMI 3168453.pdf Description: ONSEMI - FCH029N65S3-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.0237 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 463W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0237ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1473.42 грн
5+1368.30 грн
10+1262.32 грн
50+1101.52 грн
100+978.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH023N65S3-F155 FCH023N65S3-F155 ONSEMI ONSM-S-A0013669727-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FCH023N65S3-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.0195 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 595W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1513.59 грн
5+1512.73 грн
10+1511.02 грн
50+1034.07 грн
100+935.48 грн
250+916.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NCV20084DR2G NCV20084DR2G ONSEMI ncs2008-d.pdf Description: ONSEMI - NCV20084DR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 1.2 MHz, 0.4 V/µs, 1.8V bis 5.5V, NSOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.4V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1.2MHz
Eingangsoffsetspannung: 500µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 1pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+69.14 грн
18+50.00 грн
50+45.21 грн
100+37.06 грн
250+32.01 грн
500+30.69 грн
1000+28.50 грн
2500+27.47 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NCS20084DR2G NCS20084DR2G ONSEMI 3213427.pdf Description: ONSEMI - NCS20084DR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 1.2 MHz, 0.4 V/µs, 1.8V bis 5.5V, NSOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.4V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1.2MHz
Eingangsoffsetspannung: 500µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 1pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+109.40 грн
13+69.14 грн
50+59.23 грн
100+43.09 грн
250+34.36 грн
500+31.06 грн
1000+29.08 грн
2500+27.03 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NCV20084DTBR2G NCV20084DTBR2G ONSEMI 3213427.pdf Description: ONSEMI - NCV20084DTBR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 1.2 MHz, 0.4 V/µs, 1.8V bis 5.5V, WTSSOP, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.4V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: WTSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1.2MHz
Eingangsoffsetspannung: 500µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 1pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+147.85 грн
10+92.30 грн
50+77.77 грн
100+57.22 грн
250+45.93 грн
500+41.76 грн
1000+37.58 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NCS20084DTBR2G NCS20084DTBR2G ONSEMI 3213427.pdf Description: ONSEMI - NCS20084DTBR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 1.2 MHz, 0.4 V/µs, 1.8V bis 5.5V, WTSSOP, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.4V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WTSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1.2MHz
Eingangsoffsetspannung: 500µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 1pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+46.58 грн
23+37.60 грн
50+36.75 грн
100+33.41 грн
250+30.11 грн
500+29.38 грн
1000+28.72 грн
2500+27.98 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
NCV20084DR2G NCV20084DR2G ONSEMI 3213427.pdf Description: ONSEMI - NCV20084DR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 1.2 MHz, 0.4 V/µs, 1.8V bis 5.5V, NSOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.4V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1.2MHz
Eingangsoffsetspannung: 500µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 1pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+37.06 грн
250+32.01 грн
500+30.69 грн
1000+28.50 грн
2500+27.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NCV20084DTBR2G NCV20084DTBR2G ONSEMI 3213427.pdf Description: ONSEMI - NCV20084DTBR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 1.2 MHz, 0.4 V/µs, 1.8V bis 5.5V, WTSSOP, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.4V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: WTSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1.2MHz
Eingangsoffsetspannung: 500µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 1pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+57.22 грн
250+45.93 грн
500+41.76 грн
1000+37.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NCS20084DR2G NCS20084DR2G ONSEMI 3213427.pdf Description: ONSEMI - NCS20084DR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 1.2 MHz, 0.4 V/µs, 1.8V bis 5.5V, NSOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.4V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1.2MHz
Eingangsoffsetspannung: 500µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 1pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+43.09 грн
250+34.36 грн
500+31.06 грн
1000+29.08 грн
2500+27.03 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ATP114-TL-H ATP114-TL-H ONSEMI 2371191.pdf Description: ONSEMI - ATP114-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 55 A, 0.012 ohm, ATPAK, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 55
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 60
Bauform - Transistor: ATPAK
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.012
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: -
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ATP114-TL-H ATP114-TL-H ONSEMI 2371191.pdf Description: ONSEMI - ATP114-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 55 A, 0.012 ohm, ATPAK, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Wandlerpolarität: p-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 55
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PCA9535EDWR2G ONSEMI 2907258.pdf Description: ONSEMI - PCA9535EDWR2G - I/O-Erweiterung, 16bit, 1 MHz, I2C, SMBus, 1.65 V, 5.5 V, WSOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
IC-Schnittstelle: I2C, SMBus
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Busfrequenz: 1
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 16
Anzahl der Pins: 24
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Bauform - Schnittstellenbaustein: WSOIC
Chipkonfiguration: 16bit
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+97.43 грн
11+82.90 грн
100+66.24 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PCA9535EDWR2G ONSEMI 2907258.pdf Description: ONSEMI - PCA9535EDWR2G - I/O-Erweiterung, 16bit, 1 MHz, I2C, SMBus, 1.65 V, 5.5 V, WSOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
IC-Schnittstelle: I2C, SMBus
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Busfrequenz: 1
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 16
Anzahl der Pins: 24
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Bauform - Schnittstellenbaustein: WSOIC
Chipkonfiguration: 16bit
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+66.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PCA9535EDTR2G PCA9535EDTR2G ONSEMI 2255425.pdf Description: ONSEMI - PCA9535EDTR2G - I/O-Erweiterung, 16 bit, I2C, SMBus, 1.6 V, 5.5 V, TSSOP, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 1.6V
Anzahl der Bits: 16bit
euEccn: NLR
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 16I/O(s)
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: Startech USB to DC Barrel Leads
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, SMBus
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+295.71 грн
10+202.55 грн
25+175.20 грн
50+148.40 грн
100+123.80 грн
250+111.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PCA9535ECDTR2G PCA9535ECDTR2G ONSEMI 2337896.pdf Description: ONSEMI - PCA9535ECDTR2G - I/O-Erweiterung, 16 bit, I2C, 1.65 V, 5.5 V, TSSOP, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
Anzahl der Bits: 16bit
euEccn: NLR
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 16I/O(s)
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+302.55 грн
10+254.69 грн
25+246.99 грн
50+200.78 грн
100+167.76 грн
250+158.97 грн
500+153.10 грн
1000+127.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDN342P FDN342P ONSEMI fdn342p-d.pdf Description: ONSEMI - FDN342P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.062 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.05V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Compute Module 3+ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+49.74 грн
20+42.73 грн
100+29.66 грн
500+21.59 грн
1000+16.19 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
TIP47G TIP47G ONSEMI 1921112.pdf Description: ONSEMI - TIP47G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 250 V, 1 A, 40 W, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+123.92 грн
19+47.09 грн
100+47.01 грн
500+32.06 грн
1000+28.72 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
AX8052F131-3-TX30 AX8052F131-3-TX30 ONSEMI AX8052F131.pdf Description: ONSEMI - AX8052F131-3-TX30 - RF MICROCONTROLLER, ULTRA-LOW POWER
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP1399ATDR2G NCP1399-D.PDF
NCP1399ATDR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1399ATDR2G - AC / DC CONVERTERS
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP1399AFDR2G NCP1399-D.PDF
NCP1399AFDR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1399AFDR2G - AC / DC CONVERTERS
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP1399ANDR2G NCP1399-D.PDF
NCP1399ANDR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1399ANDR2G - AC / DC CONVERTERS
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP1399BADR2G NCP1399-D.PDF
NCP1399BADR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1399BADR2G - AC / DC CONVERTERS
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FSB50550AS 2859372.pdf
FSB50550AS
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FSB50550AS - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), MOSFET, 500 V, 2 A, 1.5 kV, SPM5Q-023, SPM5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: SPM5Q-023
Nennspannung (Vces / Vdss): 500V
Isolationsspannung: 1.5kV
euEccn: NLR
Nennstrom (Ic/Id): 2A
Produktpalette: Motion SPM 5 Series
IPM-Leistungsbaustein: MOSFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: SPM5
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+503.39 грн
50+430.13 грн
100+265.19 грн
250+260.06 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FSB50550AS 2859372.pdf
FSB50550AS
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FSB50550AS - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), MOSFET, 500 V, 2 A, 1.5 kV, SPM5Q-023, SPM5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: SPM5Q-023
Nennspannung (Vces / Vdss): 500V
Isolationsspannung: 1.5kV
euEccn: NLR
Nennstrom (Ic/Id): 2A
Produktpalette: Motion SPM 5 Series
IPM-Leistungsbaustein: MOSFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: SPM5
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+730.73 грн
5+617.06 грн
10+503.39 грн
50+430.13 грн
100+265.19 грн
250+260.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DVK-SFAZ-1-GEVK 2339414.pdf
DVK-SFAZ-1-GEVK
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - DVK-SFAZ-1-GEVK - Development Kit, HF-Transceiver-SoC AX-SFAZ, Sigfox™ RCZ4, äußerst energiesparend, API-Bibliothek
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: AX-SFAZ-1-01
Kit-Anwendungsbereich: Wireless-Konnektivität
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Mini-Modul mit SoC, Debugging-Adapter mit Flachbandkabel, Mini-USB-Kabel und SMA-Antenne
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: HF-Transceiver - Sigfox-Netzwerke Australien/Neuseeland
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 5A992.c
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+7840.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TIP121G 1916291.pdf
TIP121G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - TIP121G - Darlington-Transistor, NPN, 80 V, 65 W, 5 A, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 65W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 5A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+127.34 грн
15+57.01 грн
100+53.50 грн
500+39.05 грн
1000+30.18 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TIP125G 1916291.pdf
TIP125G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - TIP125G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 5 A, 65 W, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 1000
Verlustleistung Pd: 65
Übergangsfrequenz ft: -
Bauform - Transistor: TO-220AB
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DAN222T1G ONSM-S-A0013339360-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DAN222T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - DAN222T1G - Kleinsignaldiode, schaltend, Zweifach, gemeinsame Kathode, 80 V, 100 mA, 1.2 V, 4 ns, 2 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-416
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.2V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DAN22
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 80V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 34900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
116+7.41 грн
160+5.34 грн
193+4.44 грн
500+2.66 грн
1000+2.05 грн
Мінімальне замовлення: 116
В кошику  од. на суму  грн.
ESD7351HT1G 2578333.pdf
ESD7351HT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ESD7351HT1G - ESD-Schutzbaustein, 10 V, SOD-323, 2 Pin(s), 150 mW, ESD7351
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150mW
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 10V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: ESD7351
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
49+17.69 грн
80+10.68 грн
117+7.34 грн
500+6.59 грн
1000+5.86 грн
Мінімальне замовлення: 49
В кошику  од. на суму  грн.
ESD7351HT1G 2578333.pdf
ESD7351HT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ESD7351HT1G - ESD-Schutzbaustein, 10 V, SOD-323, 2 Pin(s), 150 mW, ESD7351
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150mW
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 10V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: ESD7351
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+6.59 грн
1000+5.86 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NCP1013AP133G 2236898.pdf
NCP1013AP133G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1013AP133G - AC/DC-Flyback-Schaltnetzteil, feste Frequenz, Current-Mode-Controller, 100V AC-250V AC, 19W, DIP-7
AC-Eingangsspannung, max.: 250
Nennleistung: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Bauform - AC/DC-Wandler: DIP
Topologie: Flyback
Anzahl der Pins: 7
Produktpalette: -
AC-Eingangsspannung, min.: 100
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S310 FAIR-S-A0002364049-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
S310
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - S310 - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 3 A, Einfach, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s), 850 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
Durchlassstoßstrom: 100A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 850mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: S310
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+50.85 грн
19+45.04 грн
100+36.75 грн
500+30.95 грн
1000+25.57 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
S310FA 2552647.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - S310FA - 3 A, 100 V Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers/ REEL 01AC9762
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 5148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+20.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
KSC3503DS FAIRS26222-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
KSC3503DS
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSC3503DS - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 100 mA, 7 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: TO-225AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3703-1E 2371188.pdf
2SK3703-1E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SK3703-1E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 30 A, 0.02 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 30
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 25
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: -
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KSC2073H2TU FAIRS30498-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
KSC2073H2TU
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSC2073H2TU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 150 V, 1.5 A, 25 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: KSC2073
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+85.47 грн
15+60.77 грн
100+51.62 грн
500+35.47 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
KSC2073TU 1863476.pdf
KSC2073TU
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSC2073TU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 150 V, 1.5 A, 25 W, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 40
Verlustleistung Pd: 25
Übergangsfrequenz ft: 4
Bauform - Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 150
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 1.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCV7471BDQ5R2G ONSM-S-A0013749958-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NCV7471BDQ5R2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV7471BDQ5R2G - System-Basis-Chip, CAN, ISO 11898-2/17987-4, LIN 2.X, SAE J2602, 2.5V-28V Versorgung, SSOP-36
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
euEccn: NLR
Unterstützte Protokolle: CAN, LIN
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 28V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Unterstützte Standards: ISO 11898-2, ISO 17987-4, LIN 2.X, SAE J2602
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+385.45 грн
10+346.99 грн
25+320.49 грн
50+277.76 грн
100+238.81 грн
250+217.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NCV7471BDQ5R2G ONSM-S-A0013749958-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NCV7471BDQ5R2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV7471BDQ5R2G - System-Basis-Chip, CAN, ISO 11898-2/17987-4, LIN 2.X, SAE J2602, 2.5V-28V Versorgung, SSOP-36
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
euEccn: NLR
Unterstützte Protokolle: CAN, LIN
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 28V
Bauform - Schnittstellenbaustein: SSOP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Unterstützte Standards: ISO 11898-2, ISO 17987-4, LIN 2.X, SAE J2602
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+238.81 грн
250+217.57 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NL17SZ17DFT2G 2160691.pdf
NL17SZ17DFT2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NL17SZ17DFT2G - Puffer, 1.65V bis 5.5V, SOT-353-5
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: -
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 17SZ
Bauform - Logikbaustein: SOT-353
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-353
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
Logikfamilie / Sockelnummer: -
euEccn: NLR
Logikbaustein: Puffer, Schmitt-Trigger
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
105+8.19 грн
184+4.67 грн
249+3.44 грн
500+2.74 грн
1000+2.31 грн
Мінімальне замовлення: 105
В кошику  од. на суму  грн.
NLV17SZ17DFT2G 2160691.pdf
NLV17SZ17DFT2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLV17SZ17DFT2G - Logik, Puffer, Schmitt-Trigger, Baureihe NL17SZ17, 1.65V-5.5V Versorgungsspannung, SOT-553-5
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: -
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: -
Bauform - Logikbaustein: SOT-353
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
Logikfamilie / Sockelnummer: NL17SZ17
euEccn: NLR
Logikbaustein: Puffer, Schmitt-Trigger
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 7145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+35.98 грн
33+26.24 грн
100+15.73 грн
500+12.06 грн
1000+8.35 грн
3000+7.16 грн
6000+7.14 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
FJL4215OTU FJL4215-D.pdf
FJL4215OTU
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FJL4215OTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 250 V, 17 A, 150 W, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 17A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: FJL4215
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+462.37 грн
10+320.49 грн
100+278.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP7N60A4 2284605.pdf
HGTP7N60A4
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - HGTP7N60A4 - IGBT, 34 A, 2.7 V, 125 W, 600 V, TO-220AB, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.7
DC-Kollektorstrom: 34
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-220AB
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 125
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+150.42 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N60B3D.. ONSM-S-A0013297138-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
HGTG30N60B3D..
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - HGTG30N60B3D.. - IGBT, 60 A, 1.9 V, 208 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.9
DC-Kollektorstrom: 60
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 208
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD1N120BNS9A ONSM-S-A0003591140-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
HGTD1N120BNS9A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - HGTD1N120BNS9A - IGBT, 5.3 A, 2.5 V, 60 W, 1.2 kV, TO-252AA, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.5V
Verlustleistung Pd: 60W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 5.3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 5.3A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 10153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+73.07 грн
500+56.82 грн
1000+49.30 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD1N120BNS9A ONSM-S-A0003591140-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
HGTD1N120BNS9A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - HGTD1N120BNS9A - IGBT, 5.3 A, 2.5 V, 60 W, 1.2 kV, TO-252AA, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Dauerkollektorstrom: 5.3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 10153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+137.60 грн
50+97.43 грн
100+73.07 грн
500+56.82 грн
1000+49.30 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG18N120BND 2303946.pdf
HGTG18N120BND
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - HGTG18N120BND - IGBT, 54 A, 2.7 V, 390 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.7V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 390W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 54A
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+408.52 грн
10+399.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG40N60B3 2286043.pdf
HGTG40N60B3
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - HGTG40N60B3 - IGBT, 70 A, 2 V, 290 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2
DC-Kollektorstrom: 70
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 290
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG5N120BND 2298743.pdf
HGTG5N120BND
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - HGTG5N120BND - IGBT, 21 A, 2.7 V, 167 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.7
DC-Kollektorstrom: 21
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Verlustleistung Pd: 167
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N60C3D 2286242.pdf
HGTG30N60C3D
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - HGTG30N60C3D - IGBT, 63 A, 1.8 V, 208 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8
DC-Kollektorstrom: 63
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 208
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N60B3 FAIRS45873-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw hgtg30n60b3-d.pdf
HGTG30N60B3
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - HGTG30N60B3 - IGBT, 60 A, 1.45 V, 208 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 16153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+234.17 грн
10+180.33 грн
100+158.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG27N120BN 2286338.pdf
HGTG27N120BN
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - HGTG27N120BN - IGBT, 72 A, 2.7 V, 500 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.7
DC-Kollektorstrom: 72
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Verlustleistung Pd: 500
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP7N60A4-F102 HGTP7N60A4-D.PDF
HGTP7N60A4-F102
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - HGTP7N60A4-F102 - IGBT, 600V, SMPS
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8447L description 2284191.pdf
FDD8447L
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD8447L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 8500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 44W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 8897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+80.34 грн
50+57.95 грн
100+40.42 грн
500+29.52 грн
1000+24.03 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8447L-F085 2724464.pdf
FDD8447L-F085
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD8447L-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.007 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Wandlerpolarität: n-Kanal
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: PowerTrench
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8447L-F085 2724464.pdf
FDD8447L-F085
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD8447L-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.007 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 50
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 65
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.007
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1.9
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TIP126TU 2284309.pdf
TIP126TU
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - TIP126TU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Zweifach pnp, 80 V, 5 A, 65 W, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 1000
Verlustleistung Pd: 65
Übergangsfrequenz ft: -
Bauform - Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
DC-Kollektorstrom: 5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SECO-RSL10-TAG-GEVB 3764911.pdf
SECO-RSL10-TAG-GEVB
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SECO-RSL10-TAG-GEVB - Evaluationsboard, FPF1005/NCH-RSL10-101Q48-ABG, Asset-Überwachung und -Tracking, Industry 4.0
tariffCode: 84715000
Kit-Anwendungsbereich: Wireless-Konnektivität
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard FPF1005/NCH-RSL10-101Q48-ABG
Prozessorhersteller: On Semiconductor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Prozessorserie: Cortex-M3
Unterart Anwendung: Asset-Überwachung und -Tracking, Industry 4.0
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: -
euEccn: NLR
Prozessorkern: FPF1005, NCH-RSL10-101Q48-ABG
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: ARM
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH023N65S3L4 2859339.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCH023N65S3L4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.0195 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 75
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 595
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: SuperFET III
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0195
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4.5
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1211.90 грн
5+1198.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH043N60 2907349.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCH043N60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 75 A, 0.037 ohm, TO-247
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 75
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 592
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SUPERFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.037
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3.5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1465.73 грн
5+1378.55 грн
10+1291.38 грн
50+1128.51 грн
100+975.77 грн
250+867.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH029N65S3-F155 3168453.pdf
FCH029N65S3-F155
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCH029N65S3-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.0237 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 463W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0237ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1473.42 грн
5+1368.30 грн
10+1262.32 грн
50+1101.52 грн
100+978.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH023N65S3-F155 ONSM-S-A0013669727-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FCH023N65S3-F155
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCH023N65S3-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.0195 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 595W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1513.59 грн
5+1512.73 грн
10+1511.02 грн
50+1034.07 грн
100+935.48 грн
250+916.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NCV20084DR2G ncs2008-d.pdf
NCV20084DR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV20084DR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 1.2 MHz, 0.4 V/µs, 1.8V bis 5.5V, NSOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.4V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1.2MHz
Eingangsoffsetspannung: 500µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 1pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+69.14 грн
18+50.00 грн
50+45.21 грн
100+37.06 грн
250+32.01 грн
500+30.69 грн
1000+28.50 грн
2500+27.47 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NCS20084DR2G 3213427.pdf
NCS20084DR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCS20084DR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 1.2 MHz, 0.4 V/µs, 1.8V bis 5.5V, NSOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.4V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1.2MHz
Eingangsoffsetspannung: 500µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 1pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+109.40 грн
13+69.14 грн
50+59.23 грн
100+43.09 грн
250+34.36 грн
500+31.06 грн
1000+29.08 грн
2500+27.03 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NCV20084DTBR2G 3213427.pdf
NCV20084DTBR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV20084DTBR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 1.2 MHz, 0.4 V/µs, 1.8V bis 5.5V, WTSSOP, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.4V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: WTSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1.2MHz
Eingangsoffsetspannung: 500µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 1pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+147.85 грн
10+92.30 грн
50+77.77 грн
100+57.22 грн
250+45.93 грн
500+41.76 грн
1000+37.58 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NCS20084DTBR2G 3213427.pdf
NCS20084DTBR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCS20084DTBR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 1.2 MHz, 0.4 V/µs, 1.8V bis 5.5V, WTSSOP, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.4V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WTSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1.2MHz
Eingangsoffsetspannung: 500µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 1pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+46.58 грн
23+37.60 грн
50+36.75 грн
100+33.41 грн
250+30.11 грн
500+29.38 грн
1000+28.72 грн
2500+27.98 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
NCV20084DR2G 3213427.pdf
NCV20084DR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV20084DR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 1.2 MHz, 0.4 V/µs, 1.8V bis 5.5V, NSOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.4V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1.2MHz
Eingangsoffsetspannung: 500µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 1pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+37.06 грн
250+32.01 грн
500+30.69 грн
1000+28.50 грн
2500+27.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NCV20084DTBR2G 3213427.pdf
NCV20084DTBR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV20084DTBR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 1.2 MHz, 0.4 V/µs, 1.8V bis 5.5V, WTSSOP, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.4V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: WTSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1.2MHz
Eingangsoffsetspannung: 500µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 1pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+57.22 грн
250+45.93 грн
500+41.76 грн
1000+37.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NCS20084DR2G 3213427.pdf
NCS20084DR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCS20084DR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 1.2 MHz, 0.4 V/µs, 1.8V bis 5.5V, NSOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.4V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1.2MHz
Eingangsoffsetspannung: 500µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 1pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+43.09 грн
250+34.36 грн
500+31.06 грн
1000+29.08 грн
2500+27.03 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ATP114-TL-H 2371191.pdf
ATP114-TL-H
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ATP114-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 55 A, 0.012 ohm, ATPAK, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 55
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 60
Bauform - Transistor: ATPAK
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.012
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: -
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ATP114-TL-H 2371191.pdf
ATP114-TL-H
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ATP114-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 55 A, 0.012 ohm, ATPAK, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Wandlerpolarität: p-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 55
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PCA9535EDWR2G 2907258.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - PCA9535EDWR2G - I/O-Erweiterung, 16bit, 1 MHz, I2C, SMBus, 1.65 V, 5.5 V, WSOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
IC-Schnittstelle: I2C, SMBus
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Busfrequenz: 1
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 16
Anzahl der Pins: 24
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Bauform - Schnittstellenbaustein: WSOIC
Chipkonfiguration: 16bit
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+97.43 грн
11+82.90 грн
100+66.24 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PCA9535EDWR2G 2907258.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - PCA9535EDWR2G - I/O-Erweiterung, 16bit, 1 MHz, I2C, SMBus, 1.65 V, 5.5 V, WSOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
IC-Schnittstelle: I2C, SMBus
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Busfrequenz: 1
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 16
Anzahl der Pins: 24
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Bauform - Schnittstellenbaustein: WSOIC
Chipkonfiguration: 16bit
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+66.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PCA9535EDTR2G 2255425.pdf
PCA9535EDTR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - PCA9535EDTR2G - I/O-Erweiterung, 16 bit, I2C, SMBus, 1.6 V, 5.5 V, TSSOP, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 1.6V
Anzahl der Bits: 16bit
euEccn: NLR
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 16I/O(s)
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: Startech USB to DC Barrel Leads
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, SMBus
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+295.71 грн
10+202.55 грн
25+175.20 грн
50+148.40 грн
100+123.80 грн
250+111.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PCA9535ECDTR2G 2337896.pdf
PCA9535ECDTR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - PCA9535ECDTR2G - I/O-Erweiterung, 16 bit, I2C, 1.65 V, 5.5 V, TSSOP, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
Anzahl der Bits: 16bit
euEccn: NLR
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 16I/O(s)
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+302.55 грн
10+254.69 грн
25+246.99 грн
50+200.78 грн
100+167.76 грн
250+158.97 грн
500+153.10 грн
1000+127.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDN342P fdn342p-d.pdf
FDN342P
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN342P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.062 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.05V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Compute Module 3+ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+49.74 грн
20+42.73 грн
100+29.66 грн
500+21.59 грн
1000+16.19 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
TIP47G 1921112.pdf
TIP47G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - TIP47G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 250 V, 1 A, 40 W, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+123.92 грн
19+47.09 грн
100+47.01 грн
500+32.06 грн
1000+28.72 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
AX8052F131-3-TX30 AX8052F131.pdf
AX8052F131-3-TX30
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AX8052F131-3-TX30 - RF MICROCONTROLLER, ULTRA-LOW POWER
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 237 474 711 948 1185 1422 1659 1788 1789 1790 1791 1792 1793 1794 1795 1796 1797 1798 1896 2133 2370 2374  [ Наступна Сторінка >> ]