Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (142675) > Сторінка 1792 з 2378

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 237 474 711 948 1185 1422 1659 1787 1788 1789 1790 1791 1792 1793 1794 1795 1796 1797 1896 2133 2370 2378  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BCX70K BCX70K ONSEMI 1863377.pdf Description: ONSEMI - BCX70K - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 200 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 100
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 350
Übergangsfrequenz ft: 125
Bauform - Transistor: SOT-23
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 45
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 200
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN028N20 ONSEMI 2907382.pdf Description: ONSEMI - FDN028N20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.1 A, 0.023 ohm, SuperSOT
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 6.1
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
Verlustleistung Pd: 1.5
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 900
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 1415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+55.13 грн
19+47.46 грн
100+35.44 грн
500+20.06 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
FQP3N30 FQP3N30 ONSEMI ONSM-S-A0003584516-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQP3N30 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 3.2 A, 1.65 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.65V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.65ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 1423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+56.61 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
FQP3P20 FQP3P20 ONSEMI ONSM-S-A0003585537-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQP3P20 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 2.8 A, 2.06 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 2.8
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 52
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.06
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF400N60 FCPF400N60 ONSEMI 2304389.pdf Description: ONSEMI - FCPF400N60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.35 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+259.52 грн
10+205.53 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF10N60NZ FDPF10N60NZ ONSEMI fdpf10n60nz-d.pdf Description: ONSEMI - FDPF10N60NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.64 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 10
Rds(on)-Messspannung Vgs: 640
Verlustleistung Pd: 38
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.64
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 1111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+269.10 грн
10+229.04 грн
100+195.08 грн
500+148.80 грн
1000+113.46 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N60C. FQPF5N60C. ONSEMI ONSM-S-A0003585476-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQPF5N60C. - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.5 A, 2.5 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+128.02 грн
10+101.02 грн
100+85.17 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3N80C FQPF3N80C ONSEMI 1847582.pdf Description: ONSEMI - FQPF3N80C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 4 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 3
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 39
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 4
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+146.31 грн
10+131.50 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FQP6N80C FQP6N80C ONSEMI ONSM-S-A0003584724-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQP6N80C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5.5 A, 2.1 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 5.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: -
Verlustleistung Pd: 158
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.1
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+167.21 грн
10+145.44 грн
100+117.57 грн
500+89.76 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FCH085N80-F155 FCH085N80-F155 ONSEMI 2304826.pdf Description: ONSEMI - FCH085N80-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 46 A, 0.067 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 46
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 446
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.067
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4.5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AR0238CSSC12SHRA0-DP2 AR0238CSSC12SHRA0-DP2 ONSEMI 2830061.pdf Description: ONSEMI - AR0238CSSC12SHRA0-DP2 - Bildsensor, 1928 x 1088, 3µm x 3µm, 60, RGB, LCC, 48 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Pixelgröße (H x B): 3µm x 3µm
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
usEccn: EAR99
Bildfarbe: RGB
Betriebstemperatur, min.: -30°C
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
Bauform - Sensor: LCC
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Aktiver Pixelbereich: 1928 x 1088
Bildrate, Bilder pro Sek.: 60
Versorgungsspannung, max.: 3.1V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+572.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
KSP2222ATA KSP2222ATA ONSEMI ONSM-S-A0013297940-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - KSP2222ATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 10888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+27.52 грн
60+14.72 грн
100+10.45 грн
500+7.43 грн
1000+6.08 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
KSP2907ATA KSP2907ATA ONSEMI ONSM-S-A0003589489-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - KSP2907ATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 625 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-226AA
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+21.68 грн
67+13.06 грн
106+8.26 грн
500+5.97 грн
1000+5.08 грн
Мінімальне замовлення: 41
В кошику  од. на суму  грн.
KSP2222ABU KSP2222ABU ONSEMI ONSM-S-A0013297940-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - KSP2222ABU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 24869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+28.04 грн
52+16.81 грн
100+10.54 грн
500+6.72 грн
1000+5.11 грн
5000+4.23 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
KSP2907ACTA KSP2907ACTA ONSEMI ONSM-S-A0003589489-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - KSP2907ACTA - PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86210-F085 FDBL86210-F085 ONSEMI 4320266.pdf Description: ONSEMI - FDBL86210-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 169 A, 0.0063 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 169A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0063ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+447.63 грн
10+329.19 грн
100+274.33 грн
500+242.60 грн
1000+212.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0630N150 FDBL0630N150 ONSEMI 2859344.pdf Description: ONSEMI - FDBL0630N150 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 169 A, 0.0063 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 169A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0063ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+519.05 грн
10+366.64 грн
100+279.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GF1A GF1A ONSEMI GF1A-D.PDF Description: ONSEMI - GF1A - Diode mit Standard-Erholzeit, 50 V, 1 A, Einfach, 1 V, 2 µs, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 2µs
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: GF1A
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 50V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 27341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+39.10 грн
34+26.39 грн
100+20.81 грн
500+14.72 грн
1000+10.38 грн
5000+9.41 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
FDLL3595 FDLL3595 ONSEMI 2572335.pdf Description: ONSEMI - FDLL3595 - Kleinsignaldiode, Einfach, 200 mA, 1 V, 3 µs, 4 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-80 (MiniMELF)
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 3µs
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: -
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
106+8.27 грн
147+5.96 грн
182+4.80 грн
500+3.69 грн
1000+3.26 грн
Мінімальне замовлення: 106
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS21HT3G NSVBAS21HT3G ONSEMI BAS21HT1-D.PDF Description: ONSEMI - NSVBAS21HT3G - 250 V SWITCHING DIODE HIGH VOLTAGE
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SHN2D02FUTW1T1G SHN2D02FUTW1T1G ONSEMI HN2D02FUTW1T1-D.PDF Description: ONSEMI - SHN2D02FUTW1T1G - ULTRA HIGH SPEED SWITCHING DIODE
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSD914XV2T5G NSD914XV2T5G ONSEMI NSD914XV2T1-D.PDF Description: ONSEMI - NSD914XV2T5G - 100 V HIGH SPEED SWITCHING DIODE
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAWH56WT1G BAWH56WT1G ONSEMI BAWH56W-D.PDF Description: ONSEMI - BAWH56WT1G - 70V COMMON ANODE SWITCHING DIODE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1SS400T5G NSV1SS400T5G ONSEMI 1SS400T1-D.PDF Description: ONSEMI - NSV1SS400T5G - SWITCHING DIODE, 100 V
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS20LT3G NSVBAS20LT3G ONSEMI BAS19LT1-D.PDF Description: ONSEMI - NSVBAS20LT3G - 200 V SWITCHING DIODE
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SZBZX84C18LT1G SZBZX84C18LT1G ONSEMI ONSM-S-A0013707653-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - SZBZX84C18LT1G - Zener-Diode, 18 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 250mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84CxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 18V
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 8814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+18.72 грн
52+16.98 грн
101+8.64 грн
500+4.67 грн
1000+2.99 грн
3000+2.20 грн
6000+1.96 грн
Мінімальне замовлення: 47
В кошику  од. на суму  грн.
BDV64BG BDV64BG ONSEMI bdv65b-d.pdf Description: ONSEMI - BDV64BG - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 125 W, 10 A, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 10A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+344.00 грн
10+189.85 грн
100+162.86 грн
500+125.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DF06S2 DF06S2 ONSEMI ONSM-S-A0003584401-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - DF06S2 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 600 V, 2 A, SDIP, 4 Pin(s), 1.1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 85A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Bauform - Brückengleichrichter: SDIP
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Oberflächenmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF06S2 DF06S2 ONSEMI ONSM-S-A0003584401-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - DF06S2 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 600 V, 2 A, SDIP, 4 Pin(s), 1.1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 85A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Bauform - Brückengleichrichter: SDIP
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Oberflächenmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF06S1 DF06S1 ONSEMI DF10S1-D.pdf Description: ONSEMI - DF06S1 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 600 V, 1 A, SDIP, 4 Pin(s), 1.1 V
Durchlassspannung Vf max.: 1.1
Durchlassspannung, max.: 1.1
Bauform - Brückengleichrichter: SDIP
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 1
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 600
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF06S. DF06S. ONSEMI 2303915.pdf Description: ONSEMI - DF06S. - DIODE, FULL REEL
Durchlassspannung Vf max.: 1.1
Durchlassspannung, max.: 1.1
Bauform - Brückengleichrichter: SDIP
Montage des Brückengleichrichters: Surface Mount
Anzahl der Phasen: Single Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 1.5
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 600
SVHC: Lead
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FSFR2100XS FSFR2100XS ONSEMI 2299864.pdf Description: ONSEMI - FSFR2100XS - Leistungsschalter für Halbbrücken-Resonanzwandler, High-Side, Low-Side, 1 Ausgang, 25V, 10.5A, SIP-9
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.41ohm
rohsCompliant: Y-EX
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Strombegrenzung: 10.5A
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side, Low-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 25V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: SIP
Betriebstemperatur, max.: 130°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N3773G 2N3773G ONSEMI ONSM-S-A0013339704-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: ONSEMI - 2N3773G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 140 V, 16 A, 150 W, TO-204AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 4hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-204AA
Dauerkollektorstrom: 16A
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 2NXXXX
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+593.07 грн
5+508.60 грн
10+424.12 грн
50+343.69 грн
100+270.22 грн
250+265.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BZX79-C8V2 BZX79-C8V2 ONSEMI ONSM-S-A0012500524-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BZX79-C8V2 - Zener-Diode, 8.2 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-35
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX79 Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 8.2V
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 1915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
102+8.60 грн
159+5.50 грн
338+2.58 грн
500+2.24 грн
1000+1.84 грн
Мінімальне замовлення: 102
В кошику  од. на суму  грн.
BZX79C8V2 BZX79C8V2 ONSEMI ONSM-S-A0003579732-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BZX79C8V2 - Zener-Diode, 500 mW, DO-35 (DO-204AH), 2 Pin(s), 200 °C
Bauform - Diode: DO-35 (DO-204AH)
Qualifikation: -
Zener-Spannung Vz, typ.: 8.2
Verlustleistung Pd: 500
Toleranz ±: 5
Verlustleistung: 500
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 200
Zener-Spannung, nom.: 8.2
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX79C8V2-T50A BZX79C8V2-T50A ONSEMI ONSM-S-A0003579732-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BZX79C8V2-T50A - Zener-Diode, 500 mW, DO-35 (DO-204AH), 2 Pin(s), 200 °C
Bauform - Diode: DO-35 (DO-204AH)
Qualifikation: -
Zener-Spannung Vz, typ.: 8.2
Verlustleistung Pd: 500
Toleranz ±: 5
Verlustleistung: 500
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 200
Zener-Spannung, nom.: 8.2
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX85-C5V6 BZX85-C5V6 ONSEMI 2288275.pdf Description: ONSEMI - BZX85-C5V6 - Zener-Diode, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Qualifikation: -
Zener-Spannung Vz, typ.: 5.6
Verlustleistung Pd: 1
Toleranz ±: 5
Verlustleistung: 1
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: BZX85C
Betriebstemperatur, max.: 200
Zener-Spannung, nom.: 5.6
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX85-C6V8 BZX85-C6V8 ONSEMI 2284018.pdf Description: ONSEMI - BZX85-C6V8 - Zener-Diode, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Qualifikation: -
Zener-Spannung Vz, typ.: 6.8
Verlustleistung Pd: 1
Toleranz ±: 5
Verlustleistung: 1
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: BZX85C
Betriebstemperatur, max.: 200
Zener-Spannung, nom.: 6.8
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
J105 J105 ONSEMI 2304100.pdf Description: ONSEMI - J105 - JFET-Transistor, JFET, -25 V, 500 mA, 10 V, TO-92, JFET
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: -
Durchbruchspannung Vbr: -25
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, max.: 500
Gate-Source-Sperrspannung Vgs(off), max.: 10
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C3V3LT1G BZX84C3V3LT1G ONSEMI bzx84c2v4lt1-d.pdf Description: ONSEMI - BZX84C3V3LT1G - Zener-Diode, 3.3 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84CxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 3.3V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 28257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
84+10.45 грн
174+5.03 грн
295+2.95 грн
1000+2.18 грн
15000+0.97 грн
Мінімальне замовлення: 84
В кошику  од. на суму  грн.
1N5404RLG 1N5404RLG ONSEMI 112069.pdf Description: ONSEMI - 1N5404RLG - Diode mit Standard-Erholzeit, 400 V, 3 A, Einfach, 1 V, 200 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Axial bedrahtet
Durchlassstoßstrom: 200A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N5404
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 400V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 11930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+33.09 грн
56+15.59 грн
59+14.80 грн
200+12.94 грн
500+11.50 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
US1GFA US1GFA ONSEMI 2572320.pdf Description: ONSEMI - US1GFA - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 400 V, 1 A, Einfach, 1.3 V, 50 ns, 30 A
tariffCode: 85412900
Bauform - Diode: SOD-123FA
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 400V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+30.13 грн
43+20.55 грн
100+18.46 грн
500+14.56 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
US1GFA US1GFA ONSEMI 2572320.pdf Description: ONSEMI - US1GFA - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 400 V, 1 A, Einfach, 1.3 V, 50 ns, 30 A
tariffCode: 85412900
Bauform - Diode: SOD-123FA
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 400V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+18.46 грн
500+14.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NCV1406SNT1G NCV1406SNT1G ONSEMI NCP1406-D.PDF Description: ONSEMI - NCV1406SNT1G - BOOST CONVERTER, PFM, DC-DC, 25 V, 25 MA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX79C15 BZX79C15 ONSEMI ONSM-S-A0012500524-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BZX79C15 - Zener-Diode, 15 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-35
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX79
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 15V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 37141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
72+12.11 грн
160+5.47 грн
334+2.61 грн
500+2.18 грн
1000+1.56 грн
5000+1.49 грн
Мінімальне замовлення: 72
В кошику  од. на суму  грн.
BZX79-C4V7 BZX79-C4V7 ONSEMI 2303921.pdf Description: ONSEMI - BZX79-C4V7 - Zener-Diode, 4.7 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-35
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX79 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 4.7V
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 4231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
69+12.71 грн
106+8.23 грн
257+3.40 грн
500+2.91 грн
1000+2.32 грн
Мінімальне замовлення: 69
В кошику  од. на суму  грн.
BZX79C3V3 BZX79C3V3 ONSEMI ONSM-S-A0012500524-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BZX79C3V3 - Zener-Diode, 3.3 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-35
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX79
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 3.3V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
94+9.32 грн
132+6.64 грн
353+2.47 грн
500+2.13 грн
1000+1.82 грн
5000+1.78 грн
Мінімальне замовлення: 94
В кошику  од. на суму  грн.
BZX79-C10 BZX79-C10 ONSEMI 2303921.pdf Description: ONSEMI - BZX79-C10 - Zener-Diode, 10 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-35
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX79 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 10V
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 8275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
101+8.67 грн
186+4.69 грн
347+2.52 грн
500+2.18 грн
1000+1.87 грн
5000+1.78 грн
Мінімальне замовлення: 101
В кошику  од. на суму  грн.
BZX79-C9V1 BZX79-C9V1 ONSEMI ONSM-S-A0012500524-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BZX79-C9V1 - Zener-Diode, 9.1 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-35
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX79 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 9.1V
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 3806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
73+11.93 грн
133+6.55 грн
218+4.00 грн
500+3.00 грн
1000+1.90 грн
Мінімальне замовлення: 73
В кошику  од. на суму  грн.
KSP13BU KSP13BU ONSEMI 2572472.pdf Description: ONSEMI - KSP13BU - Darlington-Transistor, NPN, 30 V, 625 mW, 500 mA, TO-92, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 10000hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 625mW
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-92
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 500mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+28.39 грн
50+17.77 грн
100+10.97 грн
500+7.59 грн
1000+5.65 грн
5000+4.73 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
KSP13TA KSP13TA ONSEMI 2572472.pdf Description: ONSEMI - KSP13TA - Darlington-Transistor, NPN, 30 V, 625 mW, 500 mA, TO-92, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 10000hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 625mW
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-92
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 500mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+26.56 грн
51+17.16 грн
100+11.15 грн
500+7.63 грн
1000+6.05 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
BUV21G BUV21G ONSEMI ONSM-S-A0013215054-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BUV21G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 200 V, 40 A, 250 W, TO-3, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-3
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1794.02 грн
5+1483.11 грн
10+1172.21 грн
50+1031.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BD682G BD682G ONSEMI 1912207.pdf Description: ONSEMI - BD682G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 40 W, 4 A, TO-225, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 750hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 40W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-225
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 4A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+128.89 грн
11+81.43 грн
100+53.91 грн
500+39.54 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6322C FDG6322C ONSEMI fdg6322c-d.pdf Description: ONSEMI - FDG6322C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 220 mA, 220 mA, 2.6 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NUP4114UCW1T2G NUP4114UCW1T2G ONSEMI nup4114-d.pdf Description: ONSEMI - NUP4114UCW1T2G - ESD-Schutzbaustein, 10 V, SC-88, 6 Pin(s), 5.5 V, NUP4114
tariffCode: 85363010
Bauform - Diode: SC-88
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 10V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 5.5V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: NUP4114
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 12019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+33.70 грн
50+22.64 грн
100+15.33 грн
500+11.08 грн
1500+9.03 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
NUP4114UCLW1T2G NUP4114UCLW1T2G ONSEMI ONSM-S-A0014425831-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NUP4114UCLW1T2G - ESD-Schutzbaustein, 10 V, SC-88, 6 Pin(s), 5.5 V, NUP4114
tariffCode: 85363010
Bauform - Diode: SC-88
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 10V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 5.5V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: NUP4114
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+31.61 грн
40+21.77 грн
100+14.37 грн
500+10.59 грн
1000+8.29 грн
5000+6.77 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
FDD9511L-F085 FDD9511L-F085 ONSEMI 2711348.pdf Description: ONSEMI - FDD9511L-F085 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 25 A, 0.017 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 25
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 48.4
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.017
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1.8
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD9511L-F085 FDD9511L-F085 ONSEMI 2711348.pdf Description: ONSEMI - FDD9511L-F085 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 25 A, 0.017 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 25
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 48.4
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.017
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1.8
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC847AWT1G BC847AWT1G ONSEMI ONSM-S-A0013684657-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BC847AWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
65+13.41 грн
110+7.95 грн
171+5.10 грн
500+3.66 грн
1500+2.94 грн
Мінімальне замовлення: 65
В кошику  од. на суму  грн.
PCA9655EDWR2G PCA9655EDWR2G ONSEMI 1878425.pdf Description: ONSEMI - PCA9655EDWR2G - I/O-Erweiterung, 16bit, 1 MHz, I2C, 1.65 V, 5.5 V, SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
IC-Schnittstelle: I2C
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Busfrequenz: 1
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 16
Anzahl der Pins: 24
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Bauform - Schnittstellenbaustein: SOIC
Chipkonfiguration: 16bit
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+330.06 грн
10+275.20 грн
100+230.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BCX70K 1863377.pdf
BCX70K
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BCX70K - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 200 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 100
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 350
Übergangsfrequenz ft: 125
Bauform - Transistor: SOT-23
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 45
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 200
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN028N20 2907382.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN028N20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.1 A, 0.023 ohm, SuperSOT
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 6.1
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
Verlustleistung Pd: 1.5
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 900
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 1415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+55.13 грн
19+47.46 грн
100+35.44 грн
500+20.06 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
FQP3N30 ONSM-S-A0003584516-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FQP3N30
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQP3N30 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 3.2 A, 1.65 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.65V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.65ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 1423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
250+56.61 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
FQP3P20 ONSM-S-A0003585537-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FQP3P20
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQP3P20 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 2.8 A, 2.06 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 2.8
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 52
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.06
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF400N60 2304389.pdf
FCPF400N60
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCPF400N60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.35 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+259.52 грн
10+205.53 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF10N60NZ fdpf10n60nz-d.pdf
FDPF10N60NZ
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDPF10N60NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.64 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 10
Rds(on)-Messspannung Vgs: 640
Verlustleistung Pd: 38
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.64
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 1111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+269.10 грн
10+229.04 грн
100+195.08 грн
500+148.80 грн
1000+113.46 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N60C. ONSM-S-A0003585476-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FQPF5N60C.
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQPF5N60C. - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.5 A, 2.5 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+128.02 грн
10+101.02 грн
100+85.17 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3N80C 1847582.pdf
FQPF3N80C
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQPF3N80C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 4 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 3
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 39
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 4
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+146.31 грн
10+131.50 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FQP6N80C ONSM-S-A0003584724-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FQP6N80C
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQP6N80C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5.5 A, 2.1 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 5.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: -
Verlustleistung Pd: 158
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.1
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+167.21 грн
10+145.44 грн
100+117.57 грн
500+89.76 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FCH085N80-F155 2304826.pdf
FCH085N80-F155
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCH085N80-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 46 A, 0.067 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 46
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 446
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.067
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4.5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AR0238CSSC12SHRA0-DP2 2830061.pdf
AR0238CSSC12SHRA0-DP2
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0238CSSC12SHRA0-DP2 - Bildsensor, 1928 x 1088, 3µm x 3µm, 60, RGB, LCC, 48 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Pixelgröße (H x B): 3µm x 3µm
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
usEccn: EAR99
Bildfarbe: RGB
Betriebstemperatur, min.: -30°C
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
Bauform - Sensor: LCC
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Aktiver Pixelbereich: 1928 x 1088
Bildrate, Bilder pro Sek.: 60
Versorgungsspannung, max.: 3.1V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+572.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
KSP2222ATA ONSM-S-A0013297940-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
KSP2222ATA
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSP2222ATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 10888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
32+27.52 грн
60+14.72 грн
100+10.45 грн
500+7.43 грн
1000+6.08 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
KSP2907ATA ONSM-S-A0003589489-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
KSP2907ATA
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSP2907ATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 625 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-226AA
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
41+21.68 грн
67+13.06 грн
106+8.26 грн
500+5.97 грн
1000+5.08 грн
Мінімальне замовлення: 41
В кошику  од. на суму  грн.
KSP2222ABU ONSM-S-A0013297940-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
KSP2222ABU
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSP2222ABU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 24869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
32+28.04 грн
52+16.81 грн
100+10.54 грн
500+6.72 грн
1000+5.11 грн
5000+4.23 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
KSP2907ACTA ONSM-S-A0003589489-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
KSP2907ACTA
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSP2907ACTA - PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86210-F085 4320266.pdf
FDBL86210-F085
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDBL86210-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 169 A, 0.0063 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 169A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0063ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+447.63 грн
10+329.19 грн
100+274.33 грн
500+242.60 грн
1000+212.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0630N150 2859344.pdf
FDBL0630N150
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDBL0630N150 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 169 A, 0.0063 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 169A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0063ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+519.05 грн
10+366.64 грн
100+279.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GF1A GF1A-D.PDF
GF1A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - GF1A - Diode mit Standard-Erholzeit, 50 V, 1 A, Einfach, 1 V, 2 µs, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 2µs
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: GF1A
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 50V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 27341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+39.10 грн
34+26.39 грн
100+20.81 грн
500+14.72 грн
1000+10.38 грн
5000+9.41 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
FDLL3595 2572335.pdf
FDLL3595
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDLL3595 - Kleinsignaldiode, Einfach, 200 mA, 1 V, 3 µs, 4 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-80 (MiniMELF)
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 3µs
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: -
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
106+8.27 грн
147+5.96 грн
182+4.80 грн
500+3.69 грн
1000+3.26 грн
Мінімальне замовлення: 106
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS21HT3G BAS21HT1-D.PDF
NSVBAS21HT3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSVBAS21HT3G - 250 V SWITCHING DIODE HIGH VOLTAGE
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SHN2D02FUTW1T1G HN2D02FUTW1T1-D.PDF
SHN2D02FUTW1T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SHN2D02FUTW1T1G - ULTRA HIGH SPEED SWITCHING DIODE
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSD914XV2T5G NSD914XV2T1-D.PDF
NSD914XV2T5G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSD914XV2T5G - 100 V HIGH SPEED SWITCHING DIODE
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAWH56WT1G BAWH56W-D.PDF
BAWH56WT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BAWH56WT1G - 70V COMMON ANODE SWITCHING DIODE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1SS400T5G 1SS400T1-D.PDF
NSV1SS400T5G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSV1SS400T5G - SWITCHING DIODE, 100 V
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS20LT3G BAS19LT1-D.PDF
NSVBAS20LT3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSVBAS20LT3G - 200 V SWITCHING DIODE
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SZBZX84C18LT1G ONSM-S-A0013707653-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SZBZX84C18LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SZBZX84C18LT1G - Zener-Diode, 18 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 250mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84CxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 18V
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 8814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
47+18.72 грн
52+16.98 грн
101+8.64 грн
500+4.67 грн
1000+2.99 грн
3000+2.20 грн
6000+1.96 грн
Мінімальне замовлення: 47
В кошику  од. на суму  грн.
BDV64BG bdv65b-d.pdf
BDV64BG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BDV64BG - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 125 W, 10 A, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 10A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+344.00 грн
10+189.85 грн
100+162.86 грн
500+125.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DF06S2 ONSM-S-A0003584401-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DF06S2
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - DF06S2 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 600 V, 2 A, SDIP, 4 Pin(s), 1.1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 85A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Bauform - Brückengleichrichter: SDIP
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Oberflächenmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF06S2 ONSM-S-A0003584401-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DF06S2
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - DF06S2 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 600 V, 2 A, SDIP, 4 Pin(s), 1.1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 85A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Bauform - Brückengleichrichter: SDIP
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Oberflächenmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF06S1 DF10S1-D.pdf
DF06S1
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - DF06S1 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 600 V, 1 A, SDIP, 4 Pin(s), 1.1 V
Durchlassspannung Vf max.: 1.1
Durchlassspannung, max.: 1.1
Bauform - Brückengleichrichter: SDIP
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 1
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 600
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF06S. 2303915.pdf
DF06S.
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - DF06S. - DIODE, FULL REEL
Durchlassspannung Vf max.: 1.1
Durchlassspannung, max.: 1.1
Bauform - Brückengleichrichter: SDIP
Montage des Brückengleichrichters: Surface Mount
Anzahl der Phasen: Single Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 1.5
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 600
SVHC: Lead
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FSFR2100XS 2299864.pdf
FSFR2100XS
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FSFR2100XS - Leistungsschalter für Halbbrücken-Resonanzwandler, High-Side, Low-Side, 1 Ausgang, 25V, 10.5A, SIP-9
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.41ohm
rohsCompliant: Y-EX
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Strombegrenzung: 10.5A
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side, Low-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 25V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: SIP
Betriebstemperatur, max.: 130°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N3773G description ONSM-S-A0013339704-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2N3773G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N3773G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 140 V, 16 A, 150 W, TO-204AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 4hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-204AA
Dauerkollektorstrom: 16A
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 2NXXXX
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+593.07 грн
5+508.60 грн
10+424.12 грн
50+343.69 грн
100+270.22 грн
250+265.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BZX79-C8V2 ONSM-S-A0012500524-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BZX79-C8V2
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX79-C8V2 - Zener-Diode, 8.2 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-35
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX79 Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 8.2V
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 1915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
102+8.60 грн
159+5.50 грн
338+2.58 грн
500+2.24 грн
1000+1.84 грн
Мінімальне замовлення: 102
В кошику  од. на суму  грн.
BZX79C8V2 ONSM-S-A0003579732-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BZX79C8V2
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX79C8V2 - Zener-Diode, 500 mW, DO-35 (DO-204AH), 2 Pin(s), 200 °C
Bauform - Diode: DO-35 (DO-204AH)
Qualifikation: -
Zener-Spannung Vz, typ.: 8.2
Verlustleistung Pd: 500
Toleranz ±: 5
Verlustleistung: 500
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 200
Zener-Spannung, nom.: 8.2
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX79C8V2-T50A ONSM-S-A0003579732-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BZX79C8V2-T50A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX79C8V2-T50A - Zener-Diode, 500 mW, DO-35 (DO-204AH), 2 Pin(s), 200 °C
Bauform - Diode: DO-35 (DO-204AH)
Qualifikation: -
Zener-Spannung Vz, typ.: 8.2
Verlustleistung Pd: 500
Toleranz ±: 5
Verlustleistung: 500
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 200
Zener-Spannung, nom.: 8.2
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX85-C5V6 2288275.pdf
BZX85-C5V6
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX85-C5V6 - Zener-Diode, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Qualifikation: -
Zener-Spannung Vz, typ.: 5.6
Verlustleistung Pd: 1
Toleranz ±: 5
Verlustleistung: 1
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: BZX85C
Betriebstemperatur, max.: 200
Zener-Spannung, nom.: 5.6
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX85-C6V8 2284018.pdf
BZX85-C6V8
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX85-C6V8 - Zener-Diode, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Qualifikation: -
Zener-Spannung Vz, typ.: 6.8
Verlustleistung Pd: 1
Toleranz ±: 5
Verlustleistung: 1
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: BZX85C
Betriebstemperatur, max.: 200
Zener-Spannung, nom.: 6.8
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
J105 2304100.pdf
J105
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - J105 - JFET-Transistor, JFET, -25 V, 500 mA, 10 V, TO-92, JFET
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: -
Durchbruchspannung Vbr: -25
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, max.: 500
Gate-Source-Sperrspannung Vgs(off), max.: 10
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C3V3LT1G bzx84c2v4lt1-d.pdf
BZX84C3V3LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX84C3V3LT1G - Zener-Diode, 3.3 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84CxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 3.3V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 28257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
84+10.45 грн
174+5.03 грн
295+2.95 грн
1000+2.18 грн
15000+0.97 грн
Мінімальне замовлення: 84
В кошику  од. на суму  грн.
1N5404RLG 112069.pdf
1N5404RLG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N5404RLG - Diode mit Standard-Erholzeit, 400 V, 3 A, Einfach, 1 V, 200 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Axial bedrahtet
Durchlassstoßstrom: 200A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N5404
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 400V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 11930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+33.09 грн
56+15.59 грн
59+14.80 грн
200+12.94 грн
500+11.50 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
US1GFA 2572320.pdf
US1GFA
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - US1GFA - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 400 V, 1 A, Einfach, 1.3 V, 50 ns, 30 A
tariffCode: 85412900
Bauform - Diode: SOD-123FA
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 400V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+30.13 грн
43+20.55 грн
100+18.46 грн
500+14.56 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
US1GFA 2572320.pdf
US1GFA
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - US1GFA - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 400 V, 1 A, Einfach, 1.3 V, 50 ns, 30 A
tariffCode: 85412900
Bauform - Diode: SOD-123FA
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 400V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+18.46 грн
500+14.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NCV1406SNT1G NCP1406-D.PDF
NCV1406SNT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV1406SNT1G - BOOST CONVERTER, PFM, DC-DC, 25 V, 25 MA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX79C15 ONSM-S-A0012500524-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BZX79C15
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX79C15 - Zener-Diode, 15 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-35
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX79
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 15V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 37141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
72+12.11 грн
160+5.47 грн
334+2.61 грн
500+2.18 грн
1000+1.56 грн
5000+1.49 грн
Мінімальне замовлення: 72
В кошику  од. на суму  грн.
BZX79-C4V7 2303921.pdf
BZX79-C4V7
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX79-C4V7 - Zener-Diode, 4.7 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-35
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX79 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 4.7V
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 4231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
69+12.71 грн
106+8.23 грн
257+3.40 грн
500+2.91 грн
1000+2.32 грн
Мінімальне замовлення: 69
В кошику  од. на суму  грн.
BZX79C3V3 ONSM-S-A0012500524-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BZX79C3V3
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX79C3V3 - Zener-Diode, 3.3 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-35
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX79
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 3.3V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
94+9.32 грн
132+6.64 грн
353+2.47 грн
500+2.13 грн
1000+1.82 грн
5000+1.78 грн
Мінімальне замовлення: 94
В кошику  од. на суму  грн.
BZX79-C10 2303921.pdf
BZX79-C10
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX79-C10 - Zener-Diode, 10 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-35
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX79 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 10V
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 8275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
101+8.67 грн
186+4.69 грн
347+2.52 грн
500+2.18 грн
1000+1.87 грн
5000+1.78 грн
Мінімальне замовлення: 101
В кошику  од. на суму  грн.
BZX79-C9V1 ONSM-S-A0012500524-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BZX79-C9V1
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX79-C9V1 - Zener-Diode, 9.1 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-35
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX79 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 9.1V
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 3806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
73+11.93 грн
133+6.55 грн
218+4.00 грн
500+3.00 грн
1000+1.90 грн
Мінімальне замовлення: 73
В кошику  од. на суму  грн.
KSP13BU 2572472.pdf
KSP13BU
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSP13BU - Darlington-Transistor, NPN, 30 V, 625 mW, 500 mA, TO-92, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 10000hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 625mW
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-92
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 500mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
31+28.39 грн
50+17.77 грн
100+10.97 грн
500+7.59 грн
1000+5.65 грн
5000+4.73 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
KSP13TA 2572472.pdf
KSP13TA
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSP13TA - Darlington-Transistor, NPN, 30 V, 625 mW, 500 mA, TO-92, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 10000hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 625mW
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-92
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 500mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
33+26.56 грн
51+17.16 грн
100+11.15 грн
500+7.63 грн
1000+6.05 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
BUV21G ONSM-S-A0013215054-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BUV21G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BUV21G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 200 V, 40 A, 250 W, TO-3, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-3
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1794.02 грн
5+1483.11 грн
10+1172.21 грн
50+1031.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BD682G 1912207.pdf
BD682G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BD682G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 40 W, 4 A, TO-225, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 750hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 40W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-225
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 4A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+128.89 грн
11+81.43 грн
100+53.91 грн
500+39.54 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6322C fdg6322c-d.pdf
FDG6322C
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDG6322C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 220 mA, 220 mA, 2.6 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NUP4114UCW1T2G nup4114-d.pdf
NUP4114UCW1T2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NUP4114UCW1T2G - ESD-Schutzbaustein, 10 V, SC-88, 6 Pin(s), 5.5 V, NUP4114
tariffCode: 85363010
Bauform - Diode: SC-88
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 10V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 5.5V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: NUP4114
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 12019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
26+33.70 грн
50+22.64 грн
100+15.33 грн
500+11.08 грн
1500+9.03 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
NUP4114UCLW1T2G ONSM-S-A0014425831-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NUP4114UCLW1T2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NUP4114UCLW1T2G - ESD-Schutzbaustein, 10 V, SC-88, 6 Pin(s), 5.5 V, NUP4114
tariffCode: 85363010
Bauform - Diode: SC-88
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 10V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 5.5V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: NUP4114
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
28+31.61 грн
40+21.77 грн
100+14.37 грн
500+10.59 грн
1000+8.29 грн
5000+6.77 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
FDD9511L-F085 2711348.pdf
FDD9511L-F085
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD9511L-F085 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 25 A, 0.017 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 25
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 48.4
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.017
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1.8
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD9511L-F085 2711348.pdf
FDD9511L-F085
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD9511L-F085 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 25 A, 0.017 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 25
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 48.4
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.017
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1.8
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC847AWT1G ONSM-S-A0013684657-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BC847AWT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC847AWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
65+13.41 грн
110+7.95 грн
171+5.10 грн
500+3.66 грн
1500+2.94 грн
Мінімальне замовлення: 65
В кошику  од. на суму  грн.
PCA9655EDWR2G 1878425.pdf
PCA9655EDWR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - PCA9655EDWR2G - I/O-Erweiterung, 16bit, 1 MHz, I2C, 1.65 V, 5.5 V, SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
IC-Schnittstelle: I2C
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Busfrequenz: 1
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 16
Anzahl der Pins: 24
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Bauform - Schnittstellenbaustein: SOIC
Chipkonfiguration: 16bit
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+330.06 грн
10+275.20 грн
100+230.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 237 474 711 948 1185 1422 1659 1787 1788 1789 1790 1791 1792 1793 1794 1795 1796 1797 1896 2133 2370 2378  [ Наступна Сторінка >> ]