Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (144954) > Сторінка 2256 з 2416

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 241 482 723 964 1205 1446 1687 1928 2169 2251 2252 2253 2254 2255 2256 2257 2258 2259 2260 2261 2410 2416  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FJP5555ATU ONSEMI Description: ONSEMI - FJP5555ATU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 10676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 916 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40500UW3T2G ONSEMI nss40500uw3-d.pdf Description: ONSEMI - NSS40500UW3T2G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 36300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FMM7G20US60N ONSEMI FAIRS20859-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FMM7G20US60N - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSC2785YTA ONSEMI FAIRS20668-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - KSC2785YTA - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 338995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 13889 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MCT5211TVM MCT5211TVM ONSEMI FAIR-S-A0001709394-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - MCT5211TVM - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSB772YS ONSEMI FAIRS20558-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - KSB772YS - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1972 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S20N36G3VLS ONSEMI FAIRS35255-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - HGT1S20N36G3VLS - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 48196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 179 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSB1151YSTSTU KSB1151YSTSTU ONSEMI FAIRS01685-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw ksb1151-d.pdf Description: ONSEMI - KSB1151YSTSTU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1233 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5131T1G ONSEMI DTA123E-D.PDF Description: ONSEMI - MUN5131T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 721000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5136DW1T1G ONSEMI DTA115ED-D.PDF Description: ONSEMI - MUN5136DW1T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FJN3304RBU ONSEMI FJN3304R.pdf Description: ONSEMI - FJN3304RBU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 54050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 13889 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD535J ONSEMI FAIRS02865-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - BD535J - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1687 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD4N50TF ONSEMI FAIRS18122-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FQD4N50TF - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 822 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOC8111TM MOC8111TM ONSEMI FAIRS29291-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - MOC8111TM - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1781 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CS951254DR8G ONSEMI nd_datasheet Description: ONSEMI - CS951254DR8G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 517 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FJT44KTF ONSEMI fjt44-d.pdf Description: ONSEMI - FJT44KTF - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
H11D2SR2VM ONSEMI moc8204m-d.pdf FAIRS29253-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - H11D2SR2VM - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 891 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2114T1G ONSEMI dta114y-d.pdf Description: ONSEMI - MUN2114T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 530511 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGD2N40L ONSEMI FAIRS25663-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FGD2N40L - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 30317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1394 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FJP5555STU ONSEMI Description: ONSEMI - FJP5555STU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 8888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 891 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FJP5555TU ONSEMI FJP5555-D.PDF Description: ONSEMI - FJP5555TU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 7090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FJZ733OTF ONSEMI FAIRS35701-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FJZ733OTF - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 501 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C453NLWFTAG NVTFS5C453NLWFTAG ONSEMI 2339393.pdf Description: ONSEMI - NVTFS5C453NLWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 107 A, 3100 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 107A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 16455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C02NTAG NVTFS4C02NTAG ONSEMI 3191530.pdf Description: ONSEMI - NVTFS4C02NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 162 A, 0.0019 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C02NTAG NVTFS4C02NTAG ONSEMI 3191530.pdf Description: ONSEMI - NVTFS4C02NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 162 A, 0.0019 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: WDFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0019ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBR2H200SFT3G MBR2H200SFT3G ONSEMI MBR2H200SF-D.PDF Description: ONSEMI - MBR2H200SFT3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 200 V, 2 A, Einfach, SOD-123FL, 2 Pin(s), 940 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123FL
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 940mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CAT1640LI-45-G CAT1640LI-45-G ONSEMI ONSMS21183-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - CAT1640LI-45-G - VOLTAGE DETECTOR, PDIP-8, -40 TO 85DEG C
tariffCode: 85423190
Reset-Schwellenspannung, max.: 4.75V
rohsCompliant: YES
Reset-Schwellenspannung, min.: 4.5V
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verzögerungszeit: 200ms
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: PDIP
Reset-Ausgang: Aktiv-Low, Open-Drain
Anzahl der überwachten Spannungen: 1Monitors
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CAT1641LI-42-G CAT1641LI-42-G ONSEMI ONSMS21183-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - CAT1641LI-42-G - VOLTAGE DETECTOR, PDIP-8, -40 TO 85DEG C
tariffCode: 85423190
Reset-Schwellenspannung, max.: 4.5V
rohsCompliant: YES
Reset-Schwellenspannung, min.: 4.25V
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verzögerungszeit: 200ms
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: PDIP
Reset-Ausgang: Active-High, Open-Drain
Anzahl der überwachten Spannungen: 1Monitors
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CAT1640LI-25-G CAT1640LI-25-G ONSEMI ONSMS21183-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - CAT1640LI-25-G - VOLTAGE DETECTOR, PDIP-8, -40 TO 85DEG C
tariffCode: 85423190
Reset-Schwellenspannung, max.: 0
rohsCompliant: YES
Reset-Schwellenspannung, min.: 2.55V
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verzögerungszeit: 200ms
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: PDIP
Reset-Ausgang: Aktiv-Low, Open-Drain
Anzahl der überwachten Spannungen: 1Monitors
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CAT1320LI-45-G CAT1320LI-45-G ONSEMI ONSMS21179-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - CAT1320LI-45-G - VOLTAGE DETECTOR, PDIP-8, -40 TO 85DEG C
tariffCode: 85423190
Reset-Schwellenspannung, max.: 4.75V
rohsCompliant: YES
Reset-Schwellenspannung, min.: 4.5V
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verzögerungszeit: 200ms
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: PDIP
Reset-Ausgang: Aktiv-Low, Open-Drain
Anzahl der überwachten Spannungen: 1Monitors
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFPF10F150STU FFPF10F150STU ONSEMI ONSM-S-A0007706920-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FFPF10F150STU - Diode mit Standard-Erholzeit, 1.5 kV, 10 A, Einfach, 1.6 V, 170 ns, 100 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220F
Durchlassstoßstrom: 100A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.6V
Sperrverzögerungszeit: 170ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.5kV
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: FFPF1
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 5203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NCV7329MW0R2G NCV7329MW0R2G ONSEMI 2711402.pdf Description: ONSEMI - NCV7329MW0R2G - LIN-TRANSCEIVER, AEC-Q100, DFN-EP-8
tariffCode: 85423990
Bausteintyp: LIN-Transceiver
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Baudrate: 20Kbaud
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: DFN-EP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Ausgangsspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 2764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCV663SQ33T1G NCV663SQ33T1G ONSEMI 2255390.pdf Description: ONSEMI - NCV663SQ33T1G - LDO-Festspannungsregler, AEC-Q100, max. 6Vin, 230mV Dropout-Spannung, 3.3V/100mAout, SC-82AB-4
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SC-82AB
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 100mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 230mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 230mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCD57100 NCD57100 ONSEMI 4332468.pdf Description: ONSEMI - NCD57100 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET, 16 Pin(s), WSOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 7.1A
Treiberkonfiguration: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 7.8A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5V
Eingabeverzögerung: 70ns
Ausgabeverzögerung: 70ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCD57100 NCD57100 ONSEMI 4332468.pdf Description: ONSEMI - NCD57100 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET, 16 Pin(s), WSOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 7.1A
Treiberkonfiguration: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 7.8A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5V
Eingabeverzögerung: 70ns
Ausgabeverzögerung: 70ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H800NT1G NVMFS6H800NT1G ONSEMI nvmfs6h800n-d.pdf Description: ONSEMI - NVMFS6H800NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 203 A, 0.0021 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 203A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H800NT1G NVMFS6H800NT1G ONSEMI nvmfs6h800n-d.pdf Description: ONSEMI - NVMFS6H800NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 203 A, 0.0021 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 203A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D7N06CLTXG NVMTS0D7N06CLTXG ONSEMI 2711444.pdf Description: ONSEMI - NVMTS0D7N06CLTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 464 A, 720 µohm, DFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 464A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 124W
Bauform - Transistor: DFNW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 720µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 16300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D7N06CLTXG NVMTS0D7N06CLTXG ONSEMI 2711444.pdf Description: ONSEMI - NVMTS0D7N06CLTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 464 A, 720 µohm, DFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 464A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 124W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 124W
Bauform - Transistor: DFNW
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 550µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 720µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 16300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D7N06CTXG NVMTS0D7N06CTXG ONSEMI 2785854.pdf Description: ONSEMI - NVMTS0D7N06CTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 464 A, 720 µohm, DFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 464A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 294.6W
Bauform - Transistor: DFNW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 720µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1732 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D7N06CTXG NVMTS0D7N06CTXG ONSEMI 2785854.pdf Description: ONSEMI - NVMTS0D7N06CTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 464 A, 720 µohm, DFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 464A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 294.6W
Bauform - Transistor: DFNW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 720µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1732 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NUP412VP5T5G NUP412VP5T5G ONSEMI ONSM-S-A0013296024-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NUP412VP5T5G - ESD-Schutzbaustein, unidirektional, SOT-953, 5 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-953
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: -
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 187 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NUP412VP5T5G NUP412VP5T5G ONSEMI ONSM-S-A0013296024-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NUP412VP5T5G - ESD-Schutzbaustein, unidirektional, SOT-953, 5 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-953
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: -
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 187 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBR5H100MFST1G MBR5H100MFST1G ONSEMI ONSM-S-A0013297083-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MBR5H100MFST1G - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 5 A, Einfach, DFN, 8 Pin(s), 730 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Durchlassstoßstrom: 200A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 730mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: MBR5H
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MBR5H100MFST1G MBR5H100MFST1G ONSEMI ONSM-S-A0013297083-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MBR5H100MFST1G - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 5 A, Einfach, DFN, 8 Pin(s), 730 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Durchlassstoßstrom: 200A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 730mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: MBR5H
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ5240B ONSEMI ONSM-S-A0003587601-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBZ5240B - DIODE, ZENER 350MW 10V
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 89973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 13889 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ5240BLT1G MMBZ5240BLT1G ONSEMI 2236794.pdf Description: ONSEMI - MMBZ5240BLT1G - Zener-Diode, 10 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBZ52xxBLT1G
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 10V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ5240BLT1G MMBZ5240BLT1G ONSEMI 2236794.pdf Description: ONSEMI - MMBZ5240BLT1G - Zener-Diode, 10 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBZ52xxBLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 10V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ5240BLT3 ONSEMI ONSMS21285-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBZ5240BLT3 - DIODE ZENER 10V 225MW SOT23-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 460000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1623T-TD-E 2SD1623T-TD-E ONSEMI en1727-d.pdf Description: ONSEMI - 2SD1623T-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 500mW
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1623T-TD-E 2SD1623T-TD-E ONSEMI en1727-d.pdf Description: ONSEMI - 2SD1623T-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 500mW
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S10N120BNST HGT1S10N120BNST ONSEMI ONSM-S-A0003590769-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - HGT1S10N120BNST - IGBT, 35 A, 2.45 V, 298 W, 1.2 kV, TO-263AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.45V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Dauerkollektorstrom: 35A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S10N120BNST HGT1S10N120BNST ONSEMI ONSM-S-A0003590769-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - HGT1S10N120BNST - IGBT, 35 A, 2.45 V, 298 W, 1.2 kV, TO-263AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.45V
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.45V
Verlustleistung Pd: 298W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 35A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 35A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCP4331DBR2G NCP4331DBR2G ONSEMI ONSM-S-A0013303354-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NCP4331DBR2G - NCP4331DBR2G, IC'S
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCP4326DR2G NCP4326DR2G ONSEMI ONSM-S-A0013303323-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NCP4326DR2G - AC/DC-Wandler, Buck / Flyback, 12Vin, 0°C bis 105°C, SOIC-16
tariffCode: 85429000
Schaltfrequenz: -
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung Leistungsschalter: -
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Maximale Nennleistung: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Eingangsspannung, max.: 12V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: -
Topologie: Buck, Flyback
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Isolation: -
Nennstrom Leistungsschalter: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 102500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCP4331DR2G NCP4331DR2G ONSEMI ONSM-S-A0013303354-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NCP4331DR2G - NCP4331DR2G, IC'S
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCP434FCT2G ONSEMI ONSM-S-A0015820668-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NCP434FCT2G - NCP434FCT2G, MOTOR DRIVERS / CONTROLLERS
tariffCode: 85423190
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 212038 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NC7SZ57P6X. NC7SZ57P6X. ONSEMI 2304280.pdf Description: ONSEMI - NC7SZ57P6X. - Multifunktions-Logikgatter, NC7S57, 3 Eingänge, 32mA, 1.65V bis 5.5V, SC-70-6
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Konfigurierbares Multifunktionsgatter
Logik-IC-Familie: 7SZ
Anzahl der Elemente: Eins
Bauform - Logikbaustein: SC-70
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 32mA
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
MSL: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: 7S57
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 11638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NC7SZ00M5X NC7SZ00M5X ONSEMI NC7SZ00-D.PDF Description: ONSEMI - NC7SZ00M5X - NAND-Gatter, NC7S00, 2 Eingänge, 32mA, 1.65V bis 5.5V, SOT-23-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: NAND-Gatter
Logik-IC-Familie: 7SZ
Anzahl der Elemente: Eins
Bauform - Logikbaustein: SOT-23
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 32mA
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 7S00
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NC7SZ74L8X NC7SZ74L8X ONSEMI 2287744.pdf Description: ONSEMI - NC7SZ74L8X - Flipflop, Komplementär-Ausgang, positive Taktflanke, NC7S74, D, 250 MHz, MLP
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
Logik-IC-Sockelnummer: 7474
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: NC7S
Bauform - Logikbaustein: MLP
IC-Ausgang: Komplementär
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: MLP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Frequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Flip-Flop-Typ: D
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
Logikfamilie / Sockelnummer: NC7S74
Ausbreitungsverzögerung: -
Triggertyp: Positive Taktflanke
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 2195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FJP5555ATU
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FJP5555ATU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 10676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 916 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40500UW3T2G nss40500uw3-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSS40500UW3T2G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 36300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FMM7G20US60N FAIRS20859-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FMM7G20US60N - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSC2785YTA FAIRS20668-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSC2785YTA - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 338995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 13889 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MCT5211TVM FAIR-S-A0001709394-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
MCT5211TVM
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MCT5211TVM - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSB772YS FAIRS20558-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSB772YS - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1972 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S20N36G3VLS FAIRS35255-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - HGT1S20N36G3VLS - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 48196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 179 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSB1151YSTSTU FAIRS01685-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw ksb1151-d.pdf
KSB1151YSTSTU
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSB1151YSTSTU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1233 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5131T1G DTA123E-D.PDF
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUN5131T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 721000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5136DW1T1G DTA115ED-D.PDF
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUN5136DW1T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FJN3304RBU FJN3304R.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FJN3304RBU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 54050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 13889 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD535J FAIRS02865-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BD535J - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1687 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD4N50TF FAIRS18122-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQD4N50TF - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 822 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOC8111TM FAIRS29291-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
MOC8111TM
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MOC8111TM - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1781 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CS951254DR8G nd_datasheet
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CS951254DR8G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 517 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FJT44KTF fjt44-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FJT44KTF - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
H11D2SR2VM moc8204m-d.pdf FAIRS29253-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - H11D2SR2VM - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 891 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2114T1G dta114y-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUN2114T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 530511 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGD2N40L FAIRS25663-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGD2N40L - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 30317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1394 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FJP5555STU
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FJP5555STU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 8888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 891 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FJP5555TU FJP5555-D.PDF
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FJP5555TU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 7090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FJZ733OTF FAIRS35701-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FJZ733OTF - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 501 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C453NLWFTAG 2339393.pdf
NVTFS5C453NLWFTAG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVTFS5C453NLWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 107 A, 3100 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 107A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 16455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C02NTAG 3191530.pdf
NVTFS4C02NTAG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVTFS4C02NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 162 A, 0.0019 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C02NTAG 3191530.pdf
NVTFS4C02NTAG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVTFS4C02NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 162 A, 0.0019 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: WDFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0019ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBR2H200SFT3G MBR2H200SF-D.PDF
MBR2H200SFT3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MBR2H200SFT3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 200 V, 2 A, Einfach, SOD-123FL, 2 Pin(s), 940 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123FL
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 940mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CAT1640LI-45-G ONSMS21183-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CAT1640LI-45-G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT1640LI-45-G - VOLTAGE DETECTOR, PDIP-8, -40 TO 85DEG C
tariffCode: 85423190
Reset-Schwellenspannung, max.: 4.75V
rohsCompliant: YES
Reset-Schwellenspannung, min.: 4.5V
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verzögerungszeit: 200ms
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: PDIP
Reset-Ausgang: Aktiv-Low, Open-Drain
Anzahl der überwachten Spannungen: 1Monitors
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CAT1641LI-42-G ONSMS21183-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CAT1641LI-42-G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT1641LI-42-G - VOLTAGE DETECTOR, PDIP-8, -40 TO 85DEG C
tariffCode: 85423190
Reset-Schwellenspannung, max.: 4.5V
rohsCompliant: YES
Reset-Schwellenspannung, min.: 4.25V
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verzögerungszeit: 200ms
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: PDIP
Reset-Ausgang: Active-High, Open-Drain
Anzahl der überwachten Spannungen: 1Monitors
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CAT1640LI-25-G ONSMS21183-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CAT1640LI-25-G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT1640LI-25-G - VOLTAGE DETECTOR, PDIP-8, -40 TO 85DEG C
tariffCode: 85423190
Reset-Schwellenspannung, max.: 0
rohsCompliant: YES
Reset-Schwellenspannung, min.: 2.55V
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verzögerungszeit: 200ms
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: PDIP
Reset-Ausgang: Aktiv-Low, Open-Drain
Anzahl der überwachten Spannungen: 1Monitors
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CAT1320LI-45-G ONSMS21179-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CAT1320LI-45-G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT1320LI-45-G - VOLTAGE DETECTOR, PDIP-8, -40 TO 85DEG C
tariffCode: 85423190
Reset-Schwellenspannung, max.: 4.75V
rohsCompliant: YES
Reset-Schwellenspannung, min.: 4.5V
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verzögerungszeit: 200ms
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: PDIP
Reset-Ausgang: Aktiv-Low, Open-Drain
Anzahl der überwachten Spannungen: 1Monitors
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFPF10F150STU ONSM-S-A0007706920-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FFPF10F150STU
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FFPF10F150STU - Diode mit Standard-Erholzeit, 1.5 kV, 10 A, Einfach, 1.6 V, 170 ns, 100 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220F
Durchlassstoßstrom: 100A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.6V
Sperrverzögerungszeit: 170ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.5kV
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: FFPF1
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 5203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NCV7329MW0R2G 2711402.pdf
NCV7329MW0R2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV7329MW0R2G - LIN-TRANSCEIVER, AEC-Q100, DFN-EP-8
tariffCode: 85423990
Bausteintyp: LIN-Transceiver
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Baudrate: 20Kbaud
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: DFN-EP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Ausgangsspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 2764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCV663SQ33T1G 2255390.pdf
NCV663SQ33T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV663SQ33T1G - LDO-Festspannungsregler, AEC-Q100, max. 6Vin, 230mV Dropout-Spannung, 3.3V/100mAout, SC-82AB-4
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SC-82AB
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 100mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 230mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 230mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCD57100 4332468.pdf
NCD57100
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCD57100 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET, 16 Pin(s), WSOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 7.1A
Treiberkonfiguration: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 7.8A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5V
Eingabeverzögerung: 70ns
Ausgabeverzögerung: 70ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCD57100 4332468.pdf
NCD57100
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCD57100 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET, 16 Pin(s), WSOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 7.1A
Treiberkonfiguration: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 7.8A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5V
Eingabeverzögerung: 70ns
Ausgabeverzögerung: 70ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H800NT1G nvmfs6h800n-d.pdf
NVMFS6H800NT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS6H800NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 203 A, 0.0021 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 203A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H800NT1G nvmfs6h800n-d.pdf
NVMFS6H800NT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS6H800NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 203 A, 0.0021 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 203A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D7N06CLTXG 2711444.pdf
NVMTS0D7N06CLTXG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMTS0D7N06CLTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 464 A, 720 µohm, DFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 464A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 124W
Bauform - Transistor: DFNW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 720µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 16300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D7N06CLTXG 2711444.pdf
NVMTS0D7N06CLTXG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMTS0D7N06CLTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 464 A, 720 µohm, DFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 464A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 124W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 124W
Bauform - Transistor: DFNW
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 550µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 720µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 16300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D7N06CTXG 2785854.pdf
NVMTS0D7N06CTXG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMTS0D7N06CTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 464 A, 720 µohm, DFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 464A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 294.6W
Bauform - Transistor: DFNW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 720µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1732 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D7N06CTXG 2785854.pdf
NVMTS0D7N06CTXG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMTS0D7N06CTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 464 A, 720 µohm, DFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 464A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 294.6W
Bauform - Transistor: DFNW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 720µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1732 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NUP412VP5T5G ONSM-S-A0013296024-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NUP412VP5T5G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NUP412VP5T5G - ESD-Schutzbaustein, unidirektional, SOT-953, 5 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-953
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: -
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 187 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NUP412VP5T5G ONSM-S-A0013296024-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NUP412VP5T5G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NUP412VP5T5G - ESD-Schutzbaustein, unidirektional, SOT-953, 5 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-953
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: -
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 187 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBR5H100MFST1G ONSM-S-A0013297083-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MBR5H100MFST1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MBR5H100MFST1G - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 5 A, Einfach, DFN, 8 Pin(s), 730 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Durchlassstoßstrom: 200A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 730mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: MBR5H
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MBR5H100MFST1G ONSM-S-A0013297083-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MBR5H100MFST1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MBR5H100MFST1G - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 5 A, Einfach, DFN, 8 Pin(s), 730 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Durchlassstoßstrom: 200A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 730mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: MBR5H
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ5240B ONSM-S-A0003587601-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBZ5240B - DIODE, ZENER 350MW 10V
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 89973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 13889 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ5240BLT1G 2236794.pdf
MMBZ5240BLT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBZ5240BLT1G - Zener-Diode, 10 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBZ52xxBLT1G
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 10V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ5240BLT1G 2236794.pdf
MMBZ5240BLT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBZ5240BLT1G - Zener-Diode, 10 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBZ52xxBLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 10V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ5240BLT3 ONSMS21285-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBZ5240BLT3 - DIODE ZENER 10V 225MW SOT23-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 460000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1623T-TD-E en1727-d.pdf
2SD1623T-TD-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1623T-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 500mW
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1623T-TD-E en1727-d.pdf
2SD1623T-TD-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1623T-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 500mW
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S10N120BNST ONSM-S-A0003590769-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
HGT1S10N120BNST
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - HGT1S10N120BNST - IGBT, 35 A, 2.45 V, 298 W, 1.2 kV, TO-263AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.45V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Dauerkollektorstrom: 35A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S10N120BNST ONSM-S-A0003590769-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
HGT1S10N120BNST
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - HGT1S10N120BNST - IGBT, 35 A, 2.45 V, 298 W, 1.2 kV, TO-263AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.45V
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.45V
Verlustleistung Pd: 298W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 35A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 35A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCP4331DBR2G ONSM-S-A0013303354-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NCP4331DBR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP4331DBR2G - NCP4331DBR2G, IC'S
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCP4326DR2G ONSM-S-A0013303323-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NCP4326DR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP4326DR2G - AC/DC-Wandler, Buck / Flyback, 12Vin, 0°C bis 105°C, SOIC-16
tariffCode: 85429000
Schaltfrequenz: -
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung Leistungsschalter: -
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Maximale Nennleistung: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Eingangsspannung, max.: 12V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: -
Topologie: Buck, Flyback
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Isolation: -
Nennstrom Leistungsschalter: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 102500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCP4331DR2G ONSM-S-A0013303354-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NCP4331DR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP4331DR2G - NCP4331DR2G, IC'S
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCP434FCT2G ONSM-S-A0015820668-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP434FCT2G - NCP434FCT2G, MOTOR DRIVERS / CONTROLLERS
tariffCode: 85423190
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 212038 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NC7SZ57P6X. 2304280.pdf
NC7SZ57P6X.
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7SZ57P6X. - Multifunktions-Logikgatter, NC7S57, 3 Eingänge, 32mA, 1.65V bis 5.5V, SC-70-6
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Konfigurierbares Multifunktionsgatter
Logik-IC-Familie: 7SZ
Anzahl der Elemente: Eins
Bauform - Logikbaustein: SC-70
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 32mA
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
MSL: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: 7S57
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 11638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NC7SZ00M5X NC7SZ00-D.PDF
NC7SZ00M5X
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7SZ00M5X - NAND-Gatter, NC7S00, 2 Eingänge, 32mA, 1.65V bis 5.5V, SOT-23-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: NAND-Gatter
Logik-IC-Familie: 7SZ
Anzahl der Elemente: Eins
Bauform - Logikbaustein: SOT-23
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 32mA
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 7S00
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NC7SZ74L8X 2287744.pdf
NC7SZ74L8X
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7SZ74L8X - Flipflop, Komplementär-Ausgang, positive Taktflanke, NC7S74, D, 250 MHz, MLP
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
Logik-IC-Sockelnummer: 7474
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: NC7S
Bauform - Logikbaustein: MLP
IC-Ausgang: Komplementär
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: MLP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Frequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Flip-Flop-Typ: D
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
Logikfamilie / Sockelnummer: NC7S74
Ausbreitungsverzögerung: -
Triggertyp: Positive Taktflanke
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 2195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 241 482 723 964 1205 1446 1687 1928 2169 2251 2252 2253 2254 2255 2256 2257 2258 2259 2260 2261 2410 2416  [ Наступна Сторінка >> ]