Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (142403) > Сторінка 2254 з 2374

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 237 474 711 948 1185 1422 1659 1896 2133 2249 2250 2251 2252 2253 2254 2255 2256 2257 2258 2259 2370 2374  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NSVR0340HT1G NSVR0340HT1G ONSEMI 1840608.pdf Description: ONSEMI - NSVR0340HT1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 40 V, 250 mA, 590 mV, 1 A, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 1A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 590mV
Sperrverzögerungszeit: 5ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 250mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+5.46 грн
1000+4.40 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BCW68GLT1G BCW68GLT1G ONSEMI 2354270.pdf Description: ONSEMI - BCW68GLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 800 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+3.17 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
1SMB5940BT3G 1SMB5940BT3G ONSEMI 2160707.pdf Description: ONSEMI - 1SMB5940BT3G - Zener-Diode, Baureihe 1SMA59xxB, 43 V, 3 W, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1SMB59xxBT3G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 43V
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.28 грн
500+10.00 грн
1000+7.40 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BS170-D75Z BS170-D75Z ONSEMI ONSM-S-A0015183179-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BS170-D75Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 5 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830mW
Bauform - Transistor: TO-226AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+25.13 грн
54+15.98 грн
100+11.97 грн
500+10.00 грн
1000+9.01 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
NSVUMC2NT1G NSVUMC2NT1G ONSEMI UMC2NT1-D.PDF Description: ONSEMI - NSVUMC2NT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 22 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-353
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: UMC2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.21 грн
9000+6.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF170 MMBF170 ONSEMI MMBF170-D.PDF Description: ONSEMI - MMBF170 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 10615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+21.28 грн
64+13.42 грн
133+6.47 грн
500+5.85 грн
1500+5.29 грн
Мінімальне замовлення: 41
В кошику  од. на суму  грн.
NDS7002A NDS7002A ONSEMI 2304304.pdf Description: ONSEMI - NDS7002A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 280 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 280mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 10616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+18.72 грн
75+11.45 грн
124+6.90 грн
500+6.17 грн
1500+5.55 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5089LT1G MMBT5089LT1G ONSEMI ONSM-S-A0013776941-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT5089LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 25 V, 50 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 49734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+4.40 грн
1000+3.09 грн
13500+1.71 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60601MZ4T1G NSS60601MZ4T1G ONSEMI nss60601mz4-d.pdf Description: ONSEMI - NSS60601MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 6 A, 710 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+39.14 грн
200+30.40 грн
500+21.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60601MZ4T1G NSS60601MZ4T1G ONSEMI nss60601mz4-d.pdf Description: ONSEMI - NSS60601MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 6 A, 710 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+72.82 грн
19+45.55 грн
50+39.14 грн
200+30.40 грн
500+21.61 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
FQD8P10TM FQD8P10TM ONSEMI ONSM-S-A0003587793-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQD8P10TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.53 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 44W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 8010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+81.02 грн
50+60.94 грн
100+41.62 грн
500+30.08 грн
1000+25.20 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
FQD6N40CTM FQD6N40CTM ONSEMI 2304406.pdf Description: ONSEMI - FQD6N40CTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 4.5 A, 0.83 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.83ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 5736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+87.17 грн
13+68.29 грн
100+54.36 грн
500+48.97 грн
1000+41.98 грн
5000+40.44 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FQD8P10TM FQD8P10TM ONSEMI ONSM-S-A0003587793-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQD8P10TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.53 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 44W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 44W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.41ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 8010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+41.62 грн
500+30.08 грн
1000+25.20 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FQB34P10TM FQB34P10TM ONSEMI 2304414.pdf Description: ONSEMI - FQB34P10TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 33.5 A, 0.06 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.75W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB22P10TM FQB22P10TM ONSEMI ONSM-S-A0003590736-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQB22P10TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 22 A, 0.125 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.75W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 7036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+181.19 грн
10+138.45 грн
100+101.70 грн
500+85.71 грн
1000+66.08 грн
5000+64.76 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FQB22P10TM FQB22P10TM ONSEMI ONSM-S-A0003590736-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQB22P10TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 22 A, 0.125 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.75W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 7036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+101.70 грн
500+85.71 грн
1000+66.08 грн
5000+64.76 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002LT1G 2N7002LT1G ONSEMI 2354034.pdf Description: ONSEMI - 2N7002LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 7.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 28955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.93 грн
9000+2.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NUP4114HMR6T1G NUP4114HMR6T1G ONSEMI ONSM-S-A0014425831-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NUP4114HMR6T1G - ESD-Schutzbaustein, 10 V, TSOP, 6 Pin(s), 5.5 V, NUP4114
tariffCode: 85363010
Bauform - Diode: TSOP
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 10V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 5.5V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: NUP4114
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+17.69 грн
500+15.40 грн
1000+13.33 грн
5000+12.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138 BSS138 ONSEMI bss138-d.pdf Description: ONSEMI - BSS138 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 220 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 438000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.64 грн
9000+3.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FAN53730UCX FAN53730UCX ONSEMI fan53730-d.pdf Description: ONSEMI - FAN53730UCX - Abwärtsregler (Buck), konstante Einschaltzeit, 2.5MHz, 2.3-5.5Vin, 0.3-2V/3Aout, 1 Ausgang, WLCSP-12
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Ausgang: Einstellbar
Ausgangsspannung, min.: 300mV
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 2V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 3A
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 2.5MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 2.3V
Topologie: Buck (Abwärts)
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 3A
Wirkungsgrad: 89.3%
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+48.37 грн
500+34.68 грн
1000+29.01 грн
2500+28.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FAN53730UCX FAN53730UCX ONSEMI fan53730-d.pdf Description: ONSEMI - FAN53730UCX - Abwärtsregler (Buck), konstante Einschaltzeit, 2.5MHz, 2.3-5.5Vin, 0.3-2V/3Aout, 1 Ausgang, WLCSP-12
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Ausgang: Einstellbar
Ausgangsspannung, min.: 300mV
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 2V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 3A
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 2.5MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 2.3V
Topologie: Buck (Abwärts)
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 3A
Wirkungsgrad: 89.3%
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+121.36 грн
12+74.61 грн
100+48.37 грн
500+34.68 грн
1000+29.01 грн
2500+28.42 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NTF2955T1G NTF2955T1G ONSEMI ONSM-S-A0013670027-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTF2955T1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.6 A, 0.145 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+37.95 грн
3000+36.84 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
NCP114AMX330TBG NCP114AMX330TBG ONSEMI 2118270.pdf Description: ONSEMI - NCP114AMX330TBG - LDO-Festspannungsregler, 1.7V bis 5.5Vin, 135mV Dropout, 3.3V/0.3Aout, µDFN-4
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: µDFN
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.7V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: NCP114
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 135mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 135mV
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
66+12.99 грн
97+8.89 грн
135+6.33 грн
500+5.20 грн
1000+3.96 грн
5000+3.62 грн
Мінімальне замовлення: 66
В кошику  од. на суму  грн.
NCP114AMX330TBG NCP114AMX330TBG ONSEMI 2118270.pdf Description: ONSEMI - NCP114AMX330TBG - LDO-Festspannungsregler, 1.7V bis 5.5Vin, 135mV Dropout, 3.3V/0.3Aout, µDFN-4
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: µDFN
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.7V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: NCP114
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 135mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 135mV
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+5.20 грн
1000+3.96 грн
5000+3.62 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ5230BLT1G MMBZ5230BLT1G ONSEMI mmbz5221blt1-d.pdf Description: ONSEMI - MMBZ5230BLT1G - Zener-Diode, 4.7 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBZ52xxBLT1G
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 4.7V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 63996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
116+7.40 грн
241+3.56 грн
428+2.00 грн
500+1.64 грн
1000+1.40 грн
5000+0.94 грн
Мінімальне замовлення: 116
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ310LT3G MMBFJ310LT3G ONSEMI ONSMS21263-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBFJ310LT3G - JFET-Transistor, 25 V, 60 mA, 25 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 60mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 25V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 25V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.54 грн
250+9.06 грн
1000+7.56 грн
5000+6.90 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVB082N65S3F NVB082N65S3F ONSEMI 2736041.pdf Description: ONSEMI - NVB082N65S3F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.064 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+358.22 грн
250+356.76 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVB082N65S3F NVB082N65S3F ONSEMI 2736041.pdf Description: ONSEMI - NVB082N65S3F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.064 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+457.24 грн
5+440.15 грн
10+422.20 грн
50+391.25 грн
100+358.22 грн
250+356.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MBRS140T3G MBRS140T3G ONSEMI 1911628.pdf Description: ONSEMI - MBRS140T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 1 A, Einfach, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 600 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 40A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 600mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 107175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+32.48 грн
50+22.99 грн
250+17.09 грн
1000+10.71 грн
3000+6.80 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
MBRS140T3G MBRS140T3G ONSEMI 1911628.pdf Description: ONSEMI - MBRS140T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 1 A, Einfach, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 600 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 40A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 600mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 109155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.48 грн
250+16.49 грн
1000+10.79 грн
3000+6.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC3508 GBPC3508 ONSEMI ONSM-S-A0013296829-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - GBPC3508 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 800 V, 35 A, Modul, 4 Pin(s), 1.1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 400A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Bauform - Brückengleichrichter: Modul
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Panelmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 35A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: GBPC3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 800V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+521.34 грн
10+281.18 грн
100+257.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC2504 GBPC2504 ONSEMI ONSM-S-A0013296829-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - GBPC2504 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 400 V, 25 A, Modul, 4 Pin(s), 1.1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 300A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Bauform - Brückengleichrichter: Modul
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Panelmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 25A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: GBPC2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 400V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+478.60 грн
10+264.09 грн
100+253.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NCV5501DT33RKG NCV5501DT33RKG ONSEMI 1748771.pdf Description: ONSEMI - NCV5501DT33RKG - LDO-Festspannungsregler, 16Vin, 230V Dropout-Spannung, 3.3V/500mAout, TO-252-3
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: Y-EX
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK)
Nennausgangsspannung: 3.3V
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 16V
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 500mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 500mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 230V
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 230V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 7005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+138.45 грн
10+86.32 грн
100+56.41 грн
500+40.71 грн
1000+32.09 грн
2500+27.91 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NCV5501DT33RKG NCV5501DT33RKG ONSEMI 1748771.pdf Description: ONSEMI - NCV5501DT33RKG - LDO-Festspannungsregler, 16Vin, 230V Dropout-Spannung, 3.3V/500mAout, TO-252-3
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: Y-EX
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK)
Nennausgangsspannung: 3.3V
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 16V
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 500mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 500mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 230V
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 230V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 7005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+56.41 грн
500+40.71 грн
1000+32.09 грн
2500+27.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NCV8163ASN330T1G NCV8163ASN330T1G ONSEMI 2711408.pdf Description: ONSEMI - NCV8163ASN330T1G - LDO-Festspannungsregler, AEC-Q100, 2.2V bis 5.5V, 80mV Dropout, 3.3V/250mAout, TSOP-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 250mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 2.2V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 250mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 250mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 80mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 80mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+88.03 грн
16+56.49 грн
100+38.63 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NC7WZ02K8X NC7WZ02K8X ONSEMI 2288034.pdf Description: ONSEMI - NC7WZ02K8X - NOR-Gatter, NC7W02, 2 Eingänge, 32mA, 1.65V bis 5.5V, VSSOP-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: NOR-Gatter
Logik-IC-Familie: 7WZ
Anzahl der Elemente: Zwei
Bauform - Logikbaustein: VSSOP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 32mA
IC-Gehäuse / Bauform: VSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 7W02
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 1475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+22.90 грн
55+15.64 грн
100+11.88 грн
500+9.36 грн
1000+8.50 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
NC7WZ02K8X NC7WZ02K8X ONSEMI 2288034.pdf Description: ONSEMI - NC7WZ02K8X - NOR-Gatter, NC7W02, 2 Eingänge, 32mA, 1.65V bis 5.5V, VSSOP-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: NOR-Gatter
Logik-IC-Familie: 7WZ
Anzahl der Elemente: Zwei
Bauform - Logikbaustein: VSSOP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 32mA
IC-Gehäuse / Bauform: VSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 7W02
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 1475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.88 грн
500+9.36 грн
1000+8.50 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84 BSS84 ONSEMI 2298371.pdf Description: ONSEMI - BSS84 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, 10 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 303000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.96 грн
9000+6.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NCV8114ASN180T1G NCV8114ASN180T1G ONSEMI 2290242.pdf Description: ONSEMI - NCV8114ASN180T1G - LDO-Festspannungsregler, 1.7V bis 5.5V, 380mV Dropout, 1.8Vout/300mAout, TSOP-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Nennausgangsspannung: 1.8V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.7V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 1.8V 300mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 1.8V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+41.88 грн
35+24.44 грн
100+15.47 грн
500+10.95 грн
1000+8.72 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG030N120M3S NTBG030N120M3S ONSEMI ONSM-S-A0017896493-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTBG030N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 77 A, 1.2 kV, 0.029 ohm, D2PAK-7L
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 348W
Bauform - Transistor: D2PAK-7L
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+630.73 грн
50+538.86 грн
100+386.06 грн
250+378.00 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG070N120M3S NTBG070N120M3S ONSEMI ONSM-S-A0017896502-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTBG070N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 37 A, 1.2 kV, 0.091 ohm, D2PAK-7L
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 252W
Bauform - Transistor: D2PAK-7L
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.091ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+883.71 грн
50+735.67 грн
100+627.07 грн
250+585.31 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG070N120M3S NTBG070N120M3S ONSEMI ONSM-S-A0017896502-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTBG070N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 37 A, 1.2 kV, 0.091 ohm, D2PAK-7L
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 252W
Bauform - Transistor: D2PAK-7L
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.091ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1219.59 грн
5+1066.60 грн
10+883.71 грн
50+735.67 грн
100+627.07 грн
250+585.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG030N120M3S NTBG030N120M3S ONSEMI ONSM-S-A0017896493-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTBG030N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 77 A, 1.2 kV, 0.029 ohm, D2PAK-7L
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 348W
Bauform - Transistor: D2PAK-7L
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+863.20 грн
5+746.97 грн
10+630.73 грн
50+538.86 грн
100+386.06 грн
250+378.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NDS0610 NDS0610 ONSEMI 2304443.pdf Description: ONSEMI - NDS0610 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 120 mA, 10 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 32392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+16.24 грн
500+11.59 грн
1500+9.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MC74LCX08DTR2G MC74LCX08DTR2G ONSEMI 1878581.pdf Description: ONSEMI - MC74LCX08DTR2G - AND-Gatter, Baureihe 74LCX08, 2 Eingänge, 2V bis 3.6V Versorgungsspannung, TSSOP-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: AND-Gatter
Logik-IC-Familie: 74LCX
Anzahl der Elemente: Vier
Bauform - Logikbaustein: TSSOP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74LCX08
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+24.70 грн
500+20.24 грн
1000+16.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MURS320T3G MURS320T3G ONSEMI 1708332.pdf Description: ONSEMI - MURS320T3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 3 A, Einfach, 890 mV, 35 ns, 100 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
Durchlassstoßstrom: 100A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 890mV
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 15410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+28.63 грн
500+21.11 грн
1000+17.73 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4141 FDD4141 ONSEMI 4409139.pdf Description: ONSEMI - FDD4141 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0123 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 5748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+48.37 грн
500+35.87 грн
1000+29.74 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MC14504BDR2G MC14504BDR2G ONSEMI MC14504B-D.PDF description Description: ONSEMI - MC14504BDR2G - Spannungspegelumsetzer, 1 Eingang, 8.8mA, 160ns, 3V bis 18V, SOIC-16
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - Logikbaustein: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 8.8mA
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Logiktyp: Pegelumsetzer
euEccn: NLR
Ausbreitungsverzögerung: 160ns
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+32.56 грн
500+26.98 грн
1000+24.54 грн
2500+21.90 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MC33151DR2G MC33151DR2G ONSEMI 1748258.pdf Description: ONSEMI - MC33151DR2G - MOSFET-Treiber, 6.5V-18V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1.5A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.5A
Versorgungsspannung, min.: 6.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 18V
Eingabeverzögerung: 35ns
Ausgabeverzögerung: 36ns
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+92.85 грн
250+75.45 грн
500+68.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MBRB20100CTT4G MBRB20100CTT4G ONSEMI ONSM-S-A0013297311-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MBRB20100CTT4G - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 20 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Durchlassstoßstrom: 150A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 950mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MBRB2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 6311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+86.50 грн
250+78.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
LM201AVDR2G LM201AVDR2G ONSEMI 1674485.pdf Description: ONSEMI - LM201AVDR2G - Operationsverstärker, einfach, 1 Kanäle, 1 MHz, 0.5 V/µs, 3V bis 22V, NSOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 22V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.5V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1MHz
Eingangsoffsetspannung: 700µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 30nA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+17.43 грн
500+14.21 грн
1000+12.60 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
LM201ADR2G LM201ADR2G ONSEMI 1674485.pdf Description: ONSEMI - LM201ADR2G - Operationsverstärker, 1 Kanäle, 1 MHz, 0.5 V/µs, ± 5V bis ± 20V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: ± 5V bis ± 20V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.5V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1MHz
Eingangsoffsetspannung: 700µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 30nA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LP2951CDR2G LP2951CDR2G ONSEMI 2255355.pdf Description: ONSEMI - LP2951CDR2G - LDO Voltage Regulator, Adjustable, 2.25V to 30V in, 350mV drop, 1.25V to 29V/0.1A out, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Ausgang: Einstellbar
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 1.25V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 29V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 30V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 2.25V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 350mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 350mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.76 грн
500+19.68 грн
1000+17.43 грн
2500+16.92 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NCV7710DQBR2G NCV7710DQBR2G ONSEMI ncv7710-d.pdf Description: ONSEMI - NCV7710DQBR2G - Relaistreiber, AEC-Q100, 5.5V bis 28V Versorgungsspannung, SSOP-EP-36, 150°C
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 6A
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP-EP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -
Versorgungsspannung, min.: 5.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 28V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+676.03 грн
10+453.82 грн
25+395.70 грн
50+337.28 грн
100+283.50 грн
250+271.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NCV7710DQBR2G NCV7710DQBR2G ONSEMI ncv7710-d.pdf Description: ONSEMI - NCV7710DQBR2G - Relaistreiber, AEC-Q100, 5.5V bis 28V Versorgungsspannung, SSOP-EP-36, 150°C
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 6A
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP-EP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -
Versorgungsspannung, min.: 5.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 28V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+453.82 грн
25+395.70 грн
50+337.28 грн
100+283.50 грн
250+271.78 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS19LT1G NSVBAS19LT1G ONSEMI bas19lt1-d.pdf Description: ONSEMI - NSVBAS19LT1G - Kleinsignaldiode, Einfach, 120 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 2 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 120V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+2.95 грн
1000+2.59 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ177LT1G MMBFJ177LT1G ONSEMI 2353878.pdf Description: ONSEMI - MMBFJ177LT1G - JFET-Transistor, JFET, 30 V, -20 mA, 2.5 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: -20mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 2.5V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 32582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+16.24 грн
500+11.82 грн
1500+9.74 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BLT1G BC847BLT1G ONSEMI 2237008.pdf Description: ONSEMI - BC847BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.64 грн
9000+1.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
1N4733A 1N4733A ONSEMI 3658796.pdf Description: ONSEMI - 1N4733A - Zener-Diode, 5.1 V, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N47xxA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
63+13.59 грн
112+7.66 грн
210+4.09 грн
500+3.48 грн
1000+3.06 грн
5000+2.70 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
LM2903DR2G LM2903DR2G ONSEMI 2353740.pdf description Description: ONSEMI - LM2903DR2G - Analoger Komparator, Präzisionskomparator, 2 Kanäle, 1.5 µs, 2V bis 36V, ± 1V bis ± 18V, SOIC
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Komparatorausgang: CMOS, MOS, TTL, DTL, ECL
Versorgungsspannung: 2V bis 36V, ± 1V bis ± 18V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Komparatortyp: Präzisionskomparator
euEccn: NLR
Stromversorgung: Einfache & zweifache Spannungsversorgung
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ansprechzeit / Ausbreitungsverzögerung: 1.5µs
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 42040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.23 грн
500+7.37 грн
1000+6.24 грн
5000+5.88 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSVR0340HT1G 1840608.pdf
NSVR0340HT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSVR0340HT1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 40 V, 250 mA, 590 mV, 1 A, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 1A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 590mV
Sperrverzögerungszeit: 5ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 250mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+5.46 грн
1000+4.40 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BCW68GLT1G 2354270.pdf
BCW68GLT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BCW68GLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 800 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+3.17 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
1SMB5940BT3G 2160707.pdf
1SMB5940BT3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1SMB5940BT3G - Zener-Diode, Baureihe 1SMA59xxB, 43 V, 3 W, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1SMB59xxBT3G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 43V
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+11.28 грн
500+10.00 грн
1000+7.40 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BS170-D75Z ONSM-S-A0015183179-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BS170-D75Z
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BS170-D75Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 5 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830mW
Bauform - Transistor: TO-226AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
35+25.13 грн
54+15.98 грн
100+11.97 грн
500+10.00 грн
1000+9.01 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
NSVUMC2NT1G UMC2NT1-D.PDF
NSVUMC2NT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSVUMC2NT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 22 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-353
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: UMC2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.21 грн
9000+6.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF170 MMBF170-D.PDF
MMBF170
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBF170 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 10615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
41+21.28 грн
64+13.42 грн
133+6.47 грн
500+5.85 грн
1500+5.29 грн
Мінімальне замовлення: 41
В кошику  од. на суму  грн.
NDS7002A 2304304.pdf
NDS7002A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDS7002A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 280 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 280mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 10616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
46+18.72 грн
75+11.45 грн
124+6.90 грн
500+6.17 грн
1500+5.55 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5089LT1G ONSM-S-A0013776941-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMBT5089LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT5089LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 25 V, 50 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 49734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+4.40 грн
1000+3.09 грн
13500+1.71 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60601MZ4T1G nss60601mz4-d.pdf
NSS60601MZ4T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSS60601MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 6 A, 710 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+39.14 грн
200+30.40 грн
500+21.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60601MZ4T1G nss60601mz4-d.pdf
NSS60601MZ4T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSS60601MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 6 A, 710 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+72.82 грн
19+45.55 грн
50+39.14 грн
200+30.40 грн
500+21.61 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
FQD8P10TM ONSM-S-A0003587793-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FQD8P10TM
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQD8P10TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.53 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 44W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 8010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+81.02 грн
50+60.94 грн
100+41.62 грн
500+30.08 грн
1000+25.20 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
FQD6N40CTM 2304406.pdf
FQD6N40CTM
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQD6N40CTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 4.5 A, 0.83 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.83ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 5736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+87.17 грн
13+68.29 грн
100+54.36 грн
500+48.97 грн
1000+41.98 грн
5000+40.44 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FQD8P10TM ONSM-S-A0003587793-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FQD8P10TM
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQD8P10TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.53 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 44W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 44W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.41ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 8010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+41.62 грн
500+30.08 грн
1000+25.20 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FQB34P10TM 2304414.pdf
FQB34P10TM
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQB34P10TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 33.5 A, 0.06 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.75W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB22P10TM ONSM-S-A0003590736-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FQB22P10TM
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQB22P10TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 22 A, 0.125 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.75W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 7036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+181.19 грн
10+138.45 грн
100+101.70 грн
500+85.71 грн
1000+66.08 грн
5000+64.76 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FQB22P10TM ONSM-S-A0003590736-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FQB22P10TM
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQB22P10TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 22 A, 0.125 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.75W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 7036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+101.70 грн
500+85.71 грн
1000+66.08 грн
5000+64.76 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002LT1G 2354034.pdf
2N7002LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N7002LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 7.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 28955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.93 грн
9000+2.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NUP4114HMR6T1G ONSM-S-A0014425831-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NUP4114HMR6T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NUP4114HMR6T1G - ESD-Schutzbaustein, 10 V, TSOP, 6 Pin(s), 5.5 V, NUP4114
tariffCode: 85363010
Bauform - Diode: TSOP
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 10V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 5.5V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: NUP4114
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+17.69 грн
500+15.40 грн
1000+13.33 грн
5000+12.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138 bss138-d.pdf
BSS138
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BSS138 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 220 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 438000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.64 грн
9000+3.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FAN53730UCX fan53730-d.pdf
FAN53730UCX
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FAN53730UCX - Abwärtsregler (Buck), konstante Einschaltzeit, 2.5MHz, 2.3-5.5Vin, 0.3-2V/3Aout, 1 Ausgang, WLCSP-12
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Ausgang: Einstellbar
Ausgangsspannung, min.: 300mV
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 2V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 3A
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 2.5MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 2.3V
Topologie: Buck (Abwärts)
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 3A
Wirkungsgrad: 89.3%
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+48.37 грн
500+34.68 грн
1000+29.01 грн
2500+28.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FAN53730UCX fan53730-d.pdf
FAN53730UCX
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FAN53730UCX - Abwärtsregler (Buck), konstante Einschaltzeit, 2.5MHz, 2.3-5.5Vin, 0.3-2V/3Aout, 1 Ausgang, WLCSP-12
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Ausgang: Einstellbar
Ausgangsspannung, min.: 300mV
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 2V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 3A
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 2.5MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 2.3V
Topologie: Buck (Abwärts)
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 3A
Wirkungsgrad: 89.3%
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+121.36 грн
12+74.61 грн
100+48.37 грн
500+34.68 грн
1000+29.01 грн
2500+28.42 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NTF2955T1G ONSM-S-A0013670027-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTF2955T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTF2955T1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.6 A, 0.145 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+37.95 грн
3000+36.84 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
NCP114AMX330TBG 2118270.pdf
NCP114AMX330TBG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP114AMX330TBG - LDO-Festspannungsregler, 1.7V bis 5.5Vin, 135mV Dropout, 3.3V/0.3Aout, µDFN-4
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: µDFN
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.7V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: NCP114
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 135mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 135mV
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
66+12.99 грн
97+8.89 грн
135+6.33 грн
500+5.20 грн
1000+3.96 грн
5000+3.62 грн
Мінімальне замовлення: 66
В кошику  од. на суму  грн.
NCP114AMX330TBG 2118270.pdf
NCP114AMX330TBG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP114AMX330TBG - LDO-Festspannungsregler, 1.7V bis 5.5Vin, 135mV Dropout, 3.3V/0.3Aout, µDFN-4
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: µDFN
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.7V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: NCP114
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 135mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 135mV
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+5.20 грн
1000+3.96 грн
5000+3.62 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ5230BLT1G mmbz5221blt1-d.pdf
MMBZ5230BLT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBZ5230BLT1G - Zener-Diode, 4.7 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBZ52xxBLT1G
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 4.7V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 63996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
116+7.40 грн
241+3.56 грн
428+2.00 грн
500+1.64 грн
1000+1.40 грн
5000+0.94 грн
Мінімальне замовлення: 116
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ310LT3G ONSMS21263-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMBFJ310LT3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBFJ310LT3G - JFET-Transistor, 25 V, 60 mA, 25 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 60mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 25V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 25V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+11.54 грн
250+9.06 грн
1000+7.56 грн
5000+6.90 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVB082N65S3F 2736041.pdf
NVB082N65S3F
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVB082N65S3F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.064 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+358.22 грн
250+356.76 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVB082N65S3F 2736041.pdf
NVB082N65S3F
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVB082N65S3F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.064 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+457.24 грн
5+440.15 грн
10+422.20 грн
50+391.25 грн
100+358.22 грн
250+356.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MBRS140T3G 1911628.pdf
MBRS140T3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MBRS140T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 1 A, Einfach, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 600 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 40A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 600mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 107175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+32.48 грн
50+22.99 грн
250+17.09 грн
1000+10.71 грн
3000+6.80 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
MBRS140T3G 1911628.pdf
MBRS140T3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MBRS140T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 1 A, Einfach, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 600 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 40A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 600mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 109155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+22.48 грн
250+16.49 грн
1000+10.79 грн
3000+6.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC3508 ONSM-S-A0013296829-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
GBPC3508
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - GBPC3508 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 800 V, 35 A, Modul, 4 Pin(s), 1.1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 400A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Bauform - Brückengleichrichter: Modul
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Panelmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 35A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: GBPC3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 800V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+521.34 грн
10+281.18 грн
100+257.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC2504 ONSM-S-A0013296829-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
GBPC2504
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - GBPC2504 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 400 V, 25 A, Modul, 4 Pin(s), 1.1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 300A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Bauform - Brückengleichrichter: Modul
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Panelmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 25A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: GBPC2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 400V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+478.60 грн
10+264.09 грн
100+253.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NCV5501DT33RKG 1748771.pdf
NCV5501DT33RKG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV5501DT33RKG - LDO-Festspannungsregler, 16Vin, 230V Dropout-Spannung, 3.3V/500mAout, TO-252-3
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: Y-EX
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK)
Nennausgangsspannung: 3.3V
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 16V
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 500mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 500mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 230V
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 230V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 7005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+138.45 грн
10+86.32 грн
100+56.41 грн
500+40.71 грн
1000+32.09 грн
2500+27.91 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NCV5501DT33RKG 1748771.pdf
NCV5501DT33RKG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV5501DT33RKG - LDO-Festspannungsregler, 16Vin, 230V Dropout-Spannung, 3.3V/500mAout, TO-252-3
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: Y-EX
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK)
Nennausgangsspannung: 3.3V
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 16V
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 500mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 500mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 230V
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 230V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 7005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+56.41 грн
500+40.71 грн
1000+32.09 грн
2500+27.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NCV8163ASN330T1G 2711408.pdf
NCV8163ASN330T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV8163ASN330T1G - LDO-Festspannungsregler, AEC-Q100, 2.2V bis 5.5V, 80mV Dropout, 3.3V/250mAout, TSOP-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 250mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 2.2V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 250mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 250mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 80mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 80mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+88.03 грн
16+56.49 грн
100+38.63 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NC7WZ02K8X 2288034.pdf
NC7WZ02K8X
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7WZ02K8X - NOR-Gatter, NC7W02, 2 Eingänge, 32mA, 1.65V bis 5.5V, VSSOP-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: NOR-Gatter
Logik-IC-Familie: 7WZ
Anzahl der Elemente: Zwei
Bauform - Logikbaustein: VSSOP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 32mA
IC-Gehäuse / Bauform: VSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 7W02
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 1475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
38+22.90 грн
55+15.64 грн
100+11.88 грн
500+9.36 грн
1000+8.50 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
NC7WZ02K8X 2288034.pdf
NC7WZ02K8X
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7WZ02K8X - NOR-Gatter, NC7W02, 2 Eingänge, 32mA, 1.65V bis 5.5V, VSSOP-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: NOR-Gatter
Logik-IC-Familie: 7WZ
Anzahl der Elemente: Zwei
Bauform - Logikbaustein: VSSOP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 32mA
IC-Gehäuse / Bauform: VSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 7W02
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 1475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+11.88 грн
500+9.36 грн
1000+8.50 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84 2298371.pdf
BSS84
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BSS84 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, 10 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 303000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.96 грн
9000+6.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NCV8114ASN180T1G 2290242.pdf
NCV8114ASN180T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV8114ASN180T1G - LDO-Festspannungsregler, 1.7V bis 5.5V, 380mV Dropout, 1.8Vout/300mAout, TSOP-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Nennausgangsspannung: 1.8V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.7V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 1.8V 300mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 1.8V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+41.88 грн
35+24.44 грн
100+15.47 грн
500+10.95 грн
1000+8.72 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG030N120M3S ONSM-S-A0017896493-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTBG030N120M3S
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBG030N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 77 A, 1.2 kV, 0.029 ohm, D2PAK-7L
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 348W
Bauform - Transistor: D2PAK-7L
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+630.73 грн
50+538.86 грн
100+386.06 грн
250+378.00 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG070N120M3S ONSM-S-A0017896502-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTBG070N120M3S
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBG070N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 37 A, 1.2 kV, 0.091 ohm, D2PAK-7L
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 252W
Bauform - Transistor: D2PAK-7L
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.091ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+883.71 грн
50+735.67 грн
100+627.07 грн
250+585.31 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG070N120M3S ONSM-S-A0017896502-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTBG070N120M3S
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBG070N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 37 A, 1.2 kV, 0.091 ohm, D2PAK-7L
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 252W
Bauform - Transistor: D2PAK-7L
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.091ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1219.59 грн
5+1066.60 грн
10+883.71 грн
50+735.67 грн
100+627.07 грн
250+585.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG030N120M3S ONSM-S-A0017896493-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTBG030N120M3S
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBG030N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 77 A, 1.2 kV, 0.029 ohm, D2PAK-7L
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 348W
Bauform - Transistor: D2PAK-7L
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+863.20 грн
5+746.97 грн
10+630.73 грн
50+538.86 грн
100+386.06 грн
250+378.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NDS0610 2304443.pdf
NDS0610
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDS0610 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 120 mA, 10 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 32392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+16.24 грн
500+11.59 грн
1500+9.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MC74LCX08DTR2G 1878581.pdf
MC74LCX08DTR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC74LCX08DTR2G - AND-Gatter, Baureihe 74LCX08, 2 Eingänge, 2V bis 3.6V Versorgungsspannung, TSSOP-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: AND-Gatter
Logik-IC-Familie: 74LCX
Anzahl der Elemente: Vier
Bauform - Logikbaustein: TSSOP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74LCX08
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+24.70 грн
500+20.24 грн
1000+16.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MURS320T3G 1708332.pdf
MURS320T3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MURS320T3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 3 A, Einfach, 890 mV, 35 ns, 100 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
Durchlassstoßstrom: 100A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 890mV
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 15410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+28.63 грн
500+21.11 грн
1000+17.73 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4141 4409139.pdf
FDD4141
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD4141 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0123 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 5748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+48.37 грн
500+35.87 грн
1000+29.74 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MC14504BDR2G description MC14504B-D.PDF
MC14504BDR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC14504BDR2G - Spannungspegelumsetzer, 1 Eingang, 8.8mA, 160ns, 3V bis 18V, SOIC-16
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - Logikbaustein: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 8.8mA
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Logiktyp: Pegelumsetzer
euEccn: NLR
Ausbreitungsverzögerung: 160ns
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+32.56 грн
500+26.98 грн
1000+24.54 грн
2500+21.90 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MC33151DR2G 1748258.pdf
MC33151DR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC33151DR2G - MOSFET-Treiber, 6.5V-18V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1.5A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.5A
Versorgungsspannung, min.: 6.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 18V
Eingabeverzögerung: 35ns
Ausgabeverzögerung: 36ns
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+92.85 грн
250+75.45 грн
500+68.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MBRB20100CTT4G ONSM-S-A0013297311-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MBRB20100CTT4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MBRB20100CTT4G - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 20 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Durchlassstoßstrom: 150A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 950mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MBRB2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 6311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+86.50 грн
250+78.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
LM201AVDR2G 1674485.pdf
LM201AVDR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - LM201AVDR2G - Operationsverstärker, einfach, 1 Kanäle, 1 MHz, 0.5 V/µs, 3V bis 22V, NSOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 22V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.5V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1MHz
Eingangsoffsetspannung: 700µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 30nA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+17.43 грн
500+14.21 грн
1000+12.60 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
LM201ADR2G 1674485.pdf
LM201ADR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - LM201ADR2G - Operationsverstärker, 1 Kanäle, 1 MHz, 0.5 V/µs, ± 5V bis ± 20V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: ± 5V bis ± 20V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.5V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1MHz
Eingangsoffsetspannung: 700µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 30nA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LP2951CDR2G 2255355.pdf
LP2951CDR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - LP2951CDR2G - LDO Voltage Regulator, Adjustable, 2.25V to 30V in, 350mV drop, 1.25V to 29V/0.1A out, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Ausgang: Einstellbar
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 1.25V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 29V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 30V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 2.25V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 350mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 350mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+23.76 грн
500+19.68 грн
1000+17.43 грн
2500+16.92 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NCV7710DQBR2G ncv7710-d.pdf
NCV7710DQBR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV7710DQBR2G - Relaistreiber, AEC-Q100, 5.5V bis 28V Versorgungsspannung, SSOP-EP-36, 150°C
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 6A
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP-EP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -
Versorgungsspannung, min.: 5.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 28V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+676.03 грн
10+453.82 грн
25+395.70 грн
50+337.28 грн
100+283.50 грн
250+271.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NCV7710DQBR2G ncv7710-d.pdf
NCV7710DQBR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV7710DQBR2G - Relaistreiber, AEC-Q100, 5.5V bis 28V Versorgungsspannung, SSOP-EP-36, 150°C
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 6A
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP-EP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -
Versorgungsspannung, min.: 5.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 28V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+453.82 грн
25+395.70 грн
50+337.28 грн
100+283.50 грн
250+271.78 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS19LT1G bas19lt1-d.pdf
NSVBAS19LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSVBAS19LT1G - Kleinsignaldiode, Einfach, 120 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 2 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 120V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.95 грн
1000+2.59 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ177LT1G 2353878.pdf
MMBFJ177LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBFJ177LT1G - JFET-Transistor, JFET, 30 V, -20 mA, 2.5 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: -20mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 2.5V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 32582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+16.24 грн
500+11.82 грн
1500+9.74 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BLT1G 2237008.pdf
BC847BLT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC847BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.64 грн
9000+1.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
1N4733A 3658796.pdf
1N4733A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N4733A - Zener-Diode, 5.1 V, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N47xxA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
63+13.59 грн
112+7.66 грн
210+4.09 грн
500+3.48 грн
1000+3.06 грн
5000+2.70 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
LM2903DR2G description 2353740.pdf
LM2903DR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - LM2903DR2G - Analoger Komparator, Präzisionskomparator, 2 Kanäle, 1.5 µs, 2V bis 36V, ± 1V bis ± 18V, SOIC
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Komparatorausgang: CMOS, MOS, TTL, DTL, ECL
Versorgungsspannung: 2V bis 36V, ± 1V bis ± 18V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Komparatortyp: Präzisionskomparator
euEccn: NLR
Stromversorgung: Einfache & zweifache Spannungsversorgung
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ansprechzeit / Ausbreitungsverzögerung: 1.5µs
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 42040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+9.23 грн
500+7.37 грн
1000+6.24 грн
5000+5.88 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 237 474 711 948 1185 1422 1659 1896 2133 2249 2250 2251 2252 2253 2254 2255 2256 2257 2258 2259 2370 2374  [ Наступна Сторінка >> ]