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Доступність |
Ціна |
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MC33152DR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MC33152DR2G - MOSFET-Treiber, 6.1V-18V Versorgungsspannung, SOIC-8tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 1.5A Treiberkonfiguration: Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 1.5A Versorgungsspannung, min.: 6.1V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 18V Eingabeverzögerung: 55ns Ausgabeverzögerung: 40ns Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2079 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MMBZ5230BLT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBZ5230BLT1G - Zener-Diode, 4.7 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBZ52xxBLT1G productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 4.7V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 63996 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDT458P | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDT458P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.4 A, 0.13 ohm, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 3065 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MC7805CDTRKG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MC7805CDTRKG - Linearer Festspannungsregler, 5.0V bis 18Vin, 5.0 V / 1Aout, DPAK-3tariffCode: 85423990 Ausgang: Fest rohsCompliant: Y-EX Ausgangsspannung, min.: - IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK) Nennausgangsspannung: 5V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: 0°C Eingangsspannung, max.: 35V euEccn: NLR Ausgangsstrom, max.: 1A Eingangsspannung, min.: 7V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: 5V 1A Linear Voltage Regulators Ausgangsspannung, nom.: 5V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Ausgangsstrom, max.: 1A Betriebstemperatur, max.: 125°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 11770 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MBRB2545CTT4G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MBRB2545CTT4G - Schottky-Gleichrichterdiode, Universal, 45 V, 30 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-263 (D2PAK)tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK) Durchlassstoßstrom: 150A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 820mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: MBRB2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 45V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1117 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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1N4148WS | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1N4148WS - Kleinsignaldiode, Einfach, 75 V, 150 mA, 1 V, 4 ns, 4 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-323FL Durchlassstoßstrom: 4A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: 4ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 150mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 1N4148 productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 75V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 789434 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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1N4148WS | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1N4148WS - Kleinsignaldiode, Einfach, 75 V, 150 mA, 1 V, 4 ns, 4 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-323FL Durchlassstoßstrom: 4A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: 4ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 150mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 1N4148 productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 75V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 789434 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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1N4148WS | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1N4148WS - Kleinsignaldiode, Einfach, 75 V, 150 mA, 1 V, 4 ns, 4 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-323FL Durchlassstoßstrom: 4A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: 4ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 150mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 1N4148 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 75V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MC33272ADR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MC33272ADR2G - Operationsverstärker, 2 Kanäle, 24 MHz, 10 V/µs, 3V bis 36V, ± 1.5V bis ± 18V, SOIC, 8 Pin(s)tariffCode: 85423390 Verstärkertyp: Universell rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 3V bis 36V, ± 1.5V bis ± 18V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anstiegsrate: 10V/µs Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Rail-to-Rail: - Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 24MHz Eingangsoffsetspannung: 100µV euEccn: NLR Eingangsruhestrom: 300nA Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2934 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MM74HCT245MTCX | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MM74HCT245MTCX - Puffer, 74HCT245, 4.5V bis 5.5V, TSSOP-20tariffCode: 85423990 Logik-IC-Sockelnummer: 74245 rohsCompliant: YES Logik-IC-Familie: 74HCT Bauform - Logikbaustein: TSSOP hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP MSL: - usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V Logikfamilie / Sockelnummer: 74HCT245 euEccn: NLR Logikbaustein: Puffer, nicht invertierend Anzahl der Pins: 20Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1103 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SZMMSZ5236BT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SZMMSZ5236BT1G - Zener-Diode, 7.5 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-123 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: SZMMSZ52xxxT1G productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 7.5V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1434 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SZMMSZ15ET1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SZMMSZ15ET1G - Zener-Diode, 15 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-123 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 15V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 11961 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCV57540DWKR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV57540DWKR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side, Low-Side, Halbbrücke, IGBT, WSOIC-16tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 6.5A Treiberkonfiguration: High-Side, Low-Side, Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC Eingang: Nicht invertierend usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 6.5A Versorgungsspannung, min.: 3.3V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 60ns Ausgabeverzögerung: 60ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NJT4030PT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NJT4030PT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 160MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 805 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NJV4031NT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NJV4031NT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 215MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 2815 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NVMFD5C446NLT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVMFD5C446NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 145 A, 145 A, 0.0022 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 145A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 145A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0022ohm Verlustleistung, p-Kanal: 125W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0022ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 125W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 3722 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NVMFD5C446NLT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVMFD5C446NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 145 A, 145 A, 0.0022 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 145A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 145A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0022ohm Verlustleistung, p-Kanal: 125W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0022ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 125W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 3722 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NVMFD5C680NLT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVMFD5C680NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 26 A, 26 A, 0.023 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 26A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 26A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm Verlustleistung, p-Kanal: 19W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 19W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1252 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NVMFD5C680NLT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVMFD5C680NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 26 A, 26 A, 0.023 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 26A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 26A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm Verlustleistung, p-Kanal: 19W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 19W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1252 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCP5501DT50RKG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP5501DT50RKG - LDO-Festspannungsregler, 2.5V-16Vin, 230mV Dropout, 5V/500mAout, TO-252-3tariffCode: 85423990 Ausgang: Fest rohsCompliant: Y-EX Ausgangsspannung, min.: - IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK) Nennausgangsspannung: 5V usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 16V euEccn: NLR Polarität: Positiver Ausgang Eingangsspannung, min.: 2.5V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: 5V 500mA LDO Voltage Regulators Ausgangsspannung, nom.: 5V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Ausgangsstrom, max.: 500mA Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 230mV Typische Dropout-Spannung bei Strom: 230mV Betriebstemperatur, max.: 85°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 3398 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MC74ACT14DR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MC74ACT14DR2G - Inverter, Schmitt-Trigger, 74ACT14, 6 Eingänge, 50mA, 4.5V bis 5.5V, SOIC-14tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Logikfunktion: Wechselrichter Logik-IC-Familie: 74ACT Anzahl der Elemente: Sechs Bauform - Logikbaustein: SOIC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 50mA IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: 74ACT14 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Anzahl der Eingänge: 1Inputs Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1574 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MB6S | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MB6S - Brückengleichrichter, Eine Phase, 600 V, 500 mA, SOIC, 4 Pin(s), 1 VtariffCode: 85369010 Durchlassstoßstrom: 35A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchlassspannung, max.: 1V Bauform - Brückengleichrichter: SOIC usEccn: EAR99 Montage des Brückengleichrichters: Oberflächenmontage Anzahl der Phasen: Eine Phase Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: MB6S productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 28784 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MB6S | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MB6S - Brückengleichrichter, Eine Phase, 600 V, 500 mA, SOIC, 4 Pin(s), 1 VtariffCode: 85369010 Durchlassstoßstrom: 35A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchlassspannung, max.: 1V Bauform - Brückengleichrichter: SOIC usEccn: EAR99 Montage des Brückengleichrichters: Oberflächenmontage Anzahl der Phasen: Eine Phase Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: MB6S productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 28784 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDS2672 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS2672 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3.9 A, 0.07 ohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 6136 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDS2672 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS2672 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3.9 A, 0.07 ohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 6136 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SZBZX84B5V1LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SZBZX84B5V1LT1G - Zener-Diode, 5.1 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SZBZX84BxxxLT1G productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 5.1V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 455 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
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NV25640DWVLT3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NV25640DWVLT3G - EEPROM, AEC-Q100, 64 Kbit, 8K x 8 Bit, SPI, 20 MHz, SOIC, 8 Pin(s)tariffCode: 85423269 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Speicherdichte: 64Kbit usEccn: EAR99 Taktfrequenz, max.: 20MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: 64Kbit SPI Serial EEPROM productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 125°C |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NV25160DTVLT3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NV25160DTVLT3G - EEPROM, AEC-Q100, 16 Kbit, 2K x 8 Bit, SPI, 20 MHz, TSSOP, 8 Pin(s)tariffCode: 85423269 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Speicherdichte: 16Kbit usEccn: EAR99 Taktfrequenz, max.: 20MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: 16Kbit SPI Serial EEPROM productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 125°C |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NV25160DWVLT3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NV25160DWVLT3G - EEPROM, AEC-Q100, 16 Kbit, 2K x 8 Bit, SPI, 20 MHz, SOIC, 8 Pin(s)tariffCode: 85423269 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Speicherdichte: 16Kbit usEccn: EAR99 Taktfrequenz, max.: 20MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: 16Kbit SPI Serial EEPROM productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: SPI Betriebstemperatur, max.: 125°C Speicherkonfiguration: 2K x 8 Bit SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NV25160DWVLT3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NV25160DWVLT3G - EEPROM, AEC-Q100, 16 Kbit, 2K x 8 Bit, SPI, 20 MHz, SOIC, 8 Pin(s)tariffCode: 85423269 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Speicherdichte: 16Kbit usEccn: EAR99 Taktfrequenz, max.: 20MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: 16Kbit SPI Serial EEPROM productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 125°C |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NV25320DTVLT3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NV25320DTVLT3G - EEPROM, AEC-Q100, 32 Kbit, 4K x 8 Bit, SPI, 20 MHz, TSSOP, 8 Pin(s)tariffCode: 85423269 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Speicherdichte: 32Kbit usEccn: EAR99 Taktfrequenz, max.: 20MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: 32Kbit SPI Serial EEPROM productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 125°C |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NV25640DWVLT3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NV25640DWVLT3G - EEPROM, AEC-Q100, 64 Kbit, 8K x 8 Bit, SPI, 20 MHz, SOIC, 8 Pin(s)tariffCode: 85423269 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Speicherdichte: 64Kbit usEccn: EAR99 Taktfrequenz, max.: 20MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: 64Kbit SPI Serial EEPROM productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: SPI Betriebstemperatur, max.: 125°C Speicherkonfiguration: 8K x 8 Bit SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NV25160DTVLT3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NV25160DTVLT3G - EEPROM, AEC-Q100, 16 Kbit, 2K x 8 Bit, SPI, 20 MHz, TSSOP, 8 Pin(s)tariffCode: 85423269 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP Speicherdichte: 16Kbit usEccn: EAR99 Taktfrequenz, max.: 20MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: 16Kbit SPI Serial EEPROM productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: SPI Betriebstemperatur, max.: 125°C Speicherkonfiguration: 2K x 8 Bit SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NV25320DTVLT3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NV25320DTVLT3G - EEPROM, AEC-Q100, 32 Kbit, 4K x 8 Bit, SPI, 20 MHz, TSSOP, 8 Pin(s)tariffCode: 85423269 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP Speicherdichte: 32Kbit usEccn: EAR99 Taktfrequenz, max.: 20MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: 32Kbit SPI Serial EEPROM productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: SPI Betriebstemperatur, max.: 125°C Speicherkonfiguration: 4K x 8 Bit SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MC34072DR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MC34072DR2G - Operationsverstärker, Kurzschlussschutz am Ausgang, 2 Kanäle, 4.5 MHz, 13 V/µs, 3V bis 44V, SOICtariffCode: 85423390 Verstärkertyp: Universell rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 3V bis 44V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anstiegsrate: 13V/µs Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: 0°C Rail-to-Rail: - Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 4.5MHz Eingangsoffsetspannung: 1mV euEccn: NLR Eingangsruhestrom: 100nA Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 70°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 3865 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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RS1M | ONSEMI |
Description: ONSEMI - RS1M - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 1.3 V, 500 ns, 30 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.3V Sperrverzögerungszeit: 500ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: RS1M productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 1kV Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 11614 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MAX809STRG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MAX809STRG - Mikroprozessor, 1V-5.5V Versorgungsspannung, 2.93V Schwelle, 460ms, Active-Low, Push-Pull, SOT-23-3tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Reset-Schwellenspannung, min.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Verzögerungszeit: 460ms Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23 Reset-Ausgang: Aktiv-Low, Push-Pull MSL: - usEccn: EAR99 Anzahl der überwachten Spannungen: 1Monitors Reset-Schwellenspannung, nom.: 2.93V Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 105°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 12279 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NFAM2512L7B | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NFAM2512L7B - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 1.2 kV, 25 A, 2.5 kVrms, DIP 39tariffCode: 85412900 IPM-Leistungsbaustein: IGBT productTraceability: Yes-Date/Lot Code IPM-Baureihe: - rohsCompliant: Y-EX Isolationsspannung: 2.5kVrms euEccn: NLR hazardous: false Nennstrom (Ic/Id): 25A rohsPhthalatesCompliant: YES Nennspannung (Vces / Vdss): 1.2kV usEccn: EAR99 Bauform - IPM: DIP 39 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 62 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NFAM3512L7B | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NFAM3512L7B - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 1.2 kV, 35 A, 2.5 kVrms, DIP 39tariffCode: 85412900 IPM-Leistungsbaustein: IGBT productTraceability: Yes-Date/Lot Code IPM-Baureihe: - rohsCompliant: Y-EX Isolationsspannung: 2.5kVrms euEccn: NLR hazardous: false Nennstrom (Ic/Id): 35A rohsPhthalatesCompliant: YES Nennspannung (Vces / Vdss): 1.2kV usEccn: EAR99 Bauform - IPM: DIP 39 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 178 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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RS1J | ONSEMI |
Description: ONSEMI - RS1J - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.3 V, 250 ns, 30 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.3V Sperrverzögerungszeit: 250ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: RS1J productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 37858 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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RS1J | ONSEMI |
Description: ONSEMI - RS1J - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.3 V, 250 ns, 30 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.3V Sperrverzögerungszeit: 250ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: RS1J productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 37858 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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ESD9L3.3ST5G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - ESD9L3.3ST5G - ESD-Schutzbaustein, 9 V, SOD-923, 2 Pin(s), 3.3 V, 150 mW, ESD9LtariffCode: 85363010 Bauform - Diode: SOD-923 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 150mW euEccn: NLR Begrenzungsspannung Vc, max.: 9V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Betriebsspannung: 3.3V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: ESD9L productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 60462 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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GBPC3510 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - GBPC3510 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 1 kV, 35 A, Modul, 4 Pin(s), 1.1 VtariffCode: 85411000 Durchlassstoßstrom: 400A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchlassspannung, max.: 1.1V Bauform - Brückengleichrichter: Modul usEccn: EAR99 Montage des Brückengleichrichters: Panelmontage Anzahl der Phasen: Eine Phase Durchschnittlicher Durchlassstrom: 35A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: GBPC3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 1kV Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1806 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SMMUN2233LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SMMUN2233LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohmtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 50717 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MMBTA42LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBTA42LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 300 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 62291 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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74AC32SCX | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 74AC32SCX - OR-Gatter, 74AC32, 8 Eingänge, 24mA, 2V bis 6V, SOIC-14tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Logikfunktion: OR-Gatter Logik-IC-Familie: 74AC Anzahl der Elemente: Vier Bauform - Logikbaustein: SOIC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 24mA IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: 74AC32 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 6V Anzahl der Eingänge: 2Inputs Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1569 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MC74AC32DR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MC74AC32DR2G - OR-Gatter, Baureihe 74AC32, 2 Eingänge, 2V bis 6V Versorgungsspannung, 24mAout, SOIC-14tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Logikfunktion: OR-Gatter Logik-IC-Familie: 74AC Anzahl der Elemente: Vier Bauform - Logikbaustein: SOIC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 24mA IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: 74AC32 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 6V Anzahl der Eingänge: 2Inputs Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2208 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FOD817A3SD | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FOD817A3SD - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 80 %tariffCode: 85414900 rohsCompliant: YES Anzahl der Kanäle: 1 Kanal hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES CTR, min.: 80% usEccn: EAR99 Isolationsspannung: 5kV Durchlassstrom If, max.: 50mA euEccn: NLR Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 7000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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RS1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - RS1G - Diode mit Standard-Erholzeit, 400 V, 1 A, Einfach, 1.3 V, 150 ns, 30 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.3V Sperrverzögerungszeit: 150ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: RS1G productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 400V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 16091 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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RS1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - RS1G - Diode mit Standard-Erholzeit, 400 V, 1 A, Einfach, 1.3 V, 150 ns, 30 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.3V Sperrverzögerungszeit: 150ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: RS1G productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 400V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 16701 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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LL4148 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - LL4148 - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 200 mA, 1 V, 4 ns, 2 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-80 Durchlassstoßstrom: 2A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: 4ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 100V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 7557 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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LL4148 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - LL4148 - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 200 mA, 1 V, 4 ns, 2 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-80 Durchlassstoßstrom: 2A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: 4ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 100V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 7557 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MJD127T4G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJD127T4G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 12hFE Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 20W euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V Dauerkollektorstrom: 8A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 8A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 4918 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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2N7002K | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N7002K - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 2 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 99820 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDV303N | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDV303N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 680 mA, 0.45 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 680mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 81754 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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74VHC132MTCX | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 74VHC132MTCX - NAND-Gatter, Schmitt-Trigger, 74VHC132, 2 Eingänge, 8mA, 2V bis 5.5V, TSSOP-14tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Logikfunktion: NAND-Gatter Logik-IC-Familie: 74VHC Anzahl der Elemente: Vier Bauform - Logikbaustein: TSSOP hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 8mA IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: 74VHC132 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Anzahl der Eingänge: 2Inputs Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2246 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MC33063AVDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MC33063AVDR2G - DC/DC-Schaltregler, Boost/Buck, invertierend, einstellbar, 3V-40Vin, 1.25V-40Vout, 1.5A, SOIC-8tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Ausgang: Einstellbar Ausgangsspannung, min.: 1.25V IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: 40V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 1.5A Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Schaltfrequenz, typ.: 33kHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 40V euEccn: NLR Eingangsspannung, min.: 3V Topologie: Boost, Buck, invertierend Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: MC34063A Ausgangsspannung, nom.: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Ausgangsstrom, max.: 1.5A Wirkungsgrad: 87.7% Betriebstemperatur, max.: 125°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MMBT2907ALT3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT2907ALT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 69029 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TLV431ASN1T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - TLV431ASN1T1G - Spannungsreferenz, Shunt - einstellbar, 1.24V bis 16V, 1% Ref, SOT-23-3tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Referenzspannung, max.: 16V IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23 Referenzspannung, min.: 1.24V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Temperaturkoeffizient: - Eingangsspannung, max.: 16V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 85°C Spannungsreferenz: Shunt, einstellbar Anfangsgenauigkeit: 1% SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 17975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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74VHC595MX | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 74VHC595MX - Schieberegister, Baureihe HC, 74VHC595, Seriell zu parallel, 1 Element, 8 bit, NSOIC, 16 Pin(s)tariffCode: 85423990 Logik-IC-Sockelnummer: 74595 rohsCompliant: YES Logik-IC-Familie: 74VHC Bauform - Logikbaustein: NSOIC IC-Ausgang: Tri-State Anzahl der Elemente: 1 Element Schieberegisterfunktion: Seriell zu parallel hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2V Logikfamilie / Sockelnummer: 74VHC595 euEccn: NLR Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 85°C Anzahl der Bits pro Element: 8bit SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1688 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| MC33152DR2G |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC33152DR2G - MOSFET-Treiber, 6.1V-18V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1.5A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.5A
Versorgungsspannung, min.: 6.1V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Eingabeverzögerung: 55ns
Ausgabeverzögerung: 40ns
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MC33152DR2G - MOSFET-Treiber, 6.1V-18V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1.5A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.5A
Versorgungsspannung, min.: 6.1V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Eingabeverzögerung: 55ns
Ausgabeverzögerung: 40ns
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 53.58 грн |
| 250+ | 46.42 грн |
| 500+ | 44.53 грн |
| MMBZ5230BLT1G |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBZ5230BLT1G - Zener-Diode, 4.7 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBZ52xxBLT1G
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 4.7V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MMBZ5230BLT1G - Zener-Diode, 4.7 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBZ52xxBLT1G
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 4.7V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 63996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 1.62 грн |
| 1000+ | 1.38 грн |
| 5000+ | 0.93 грн |
| FDT458P |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDT458P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.4 A, 0.13 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FDT458P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.4 A, 0.13 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 73.92 грн |
| 50+ | 50.01 грн |
| 250+ | 37.00 грн |
| 1000+ | 25.10 грн |
| 2000+ | 21.00 грн |
| MC7805CDTRKG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC7805CDTRKG - Linearer Festspannungsregler, 5.0V bis 18Vin, 5.0 V / 1Aout, DPAK-3
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: Y-EX
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK)
Nennausgangsspannung: 5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Eingangsspannung, max.: 35V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 1A
Eingangsspannung, min.: 7V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 5V 1A Linear Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 1A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MC7805CDTRKG - Linearer Festspannungsregler, 5.0V bis 18Vin, 5.0 V / 1Aout, DPAK-3
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: Y-EX
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK)
Nennausgangsspannung: 5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Eingangsspannung, max.: 35V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 1A
Eingangsspannung, min.: 7V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 5V 1A Linear Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 1A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 11770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 20.53 грн |
| 500+ | 16.79 грн |
| 1000+ | 14.48 грн |
| 2500+ | 12.60 грн |
| MBRB2545CTT4G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MBRB2545CTT4G - Schottky-Gleichrichterdiode, Universal, 45 V, 30 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Durchlassstoßstrom: 150A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 820mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MBRB2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 45V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MBRB2545CTT4G - Schottky-Gleichrichterdiode, Universal, 45 V, 30 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Durchlassstoßstrom: 150A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 820mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MBRB2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 45V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 82.37 грн |
| 250+ | 74.59 грн |
| 1N4148WS |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N4148WS - Kleinsignaldiode, Einfach, 75 V, 150 mA, 1 V, 4 ns, 4 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323FL
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 150mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N4148
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - 1N4148WS - Kleinsignaldiode, Einfach, 75 V, 150 mA, 1 V, 4 ns, 4 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323FL
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 150mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N4148
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 789434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 105+ | 8.06 грн |
| 175+ | 4.83 грн |
| 186+ | 4.55 грн |
| 500+ | 3.13 грн |
| 1000+ | 2.58 грн |
| 1N4148WS |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N4148WS - Kleinsignaldiode, Einfach, 75 V, 150 mA, 1 V, 4 ns, 4 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323FL
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 150mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N4148
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - 1N4148WS - Kleinsignaldiode, Einfach, 75 V, 150 mA, 1 V, 4 ns, 4 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323FL
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 150mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N4148
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 789434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 3.13 грн |
| 1000+ | 2.58 грн |
| 1N4148WS |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N4148WS - Kleinsignaldiode, Einfach, 75 V, 150 mA, 1 V, 4 ns, 4 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323FL
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 150mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N4148
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - 1N4148WS - Kleinsignaldiode, Einfach, 75 V, 150 mA, 1 V, 4 ns, 4 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323FL
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 150mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N4148
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 1.93 грн |
| 9000+ | 1.52 грн |
| MC33272ADR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC33272ADR2G - Operationsverstärker, 2 Kanäle, 24 MHz, 10 V/µs, 3V bis 36V, ± 1.5V bis ± 18V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 36V, ± 1.5V bis ± 18V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 10V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 24MHz
Eingangsoffsetspannung: 100µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 300nA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MC33272ADR2G - Operationsverstärker, 2 Kanäle, 24 MHz, 10 V/µs, 3V bis 36V, ± 1.5V bis ± 18V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 36V, ± 1.5V bis ± 18V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 10V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 24MHz
Eingangsoffsetspannung: 100µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 300nA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 40.38 грн |
| 500+ | 28.71 грн |
| 1000+ | 23.97 грн |
| 2500+ | 18.10 грн |
| MM74HCT245MTCX |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MM74HCT245MTCX - Puffer, 74HCT245, 4.5V bis 5.5V, TSSOP-20
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: 74245
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74HCT
Bauform - Logikbaustein: TSSOP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74HCT245
euEccn: NLR
Logikbaustein: Puffer, nicht invertierend
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MM74HCT245MTCX - Puffer, 74HCT245, 4.5V bis 5.5V, TSSOP-20
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: 74245
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74HCT
Bauform - Logikbaustein: TSSOP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74HCT245
euEccn: NLR
Logikbaustein: Puffer, nicht invertierend
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 29.99 грн |
| 500+ | 24.79 грн |
| 1000+ | 22.52 грн |
| SZMMSZ5236BT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SZMMSZ5236BT1G - Zener-Diode, 7.5 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SZMMSZ52xxxT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 7.5V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - SZMMSZ5236BT1G - Zener-Diode, 7.5 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SZMMSZ52xxxT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 7.5V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 4.46 грн |
| 1000+ | 3.80 грн |
| SZMMSZ15ET1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SZMMSZ15ET1G - Zener-Diode, 15 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 15V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - SZMMSZ15ET1G - Zener-Diode, 15 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 15V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 11961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 4.12 грн |
| 1000+ | 3.68 грн |
| 5000+ | 2.79 грн |
| NCV57540DWKR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV57540DWKR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side, Low-Side, Halbbrücke, IGBT, WSOIC-16
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: High-Side, Low-Side, Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NCV57540DWKR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side, Low-Side, Halbbrücke, IGBT, WSOIC-16
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: High-Side, Low-Side, Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 153.52 грн |
| 250+ | 140.48 грн |
| 500+ | 136.86 грн |
| 1000+ | 133.97 грн |
| NJT4030PT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NJT4030PT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NJT4030PT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 30.50 грн |
| 200+ | 22.75 грн |
| 500+ | 16.15 грн |
| NJV4031NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NJV4031NT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 215MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NJV4031NT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 215MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 26.19 грн |
| 500+ | 19.46 грн |
| 1000+ | 16.87 грн |
| NVMFD5C446NLT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFD5C446NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 145 A, 145 A, 0.0022 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 145A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 145A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0022ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 125W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0022ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 125W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NVMFD5C446NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 145 A, 145 A, 0.0022 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 145A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 145A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0022ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 125W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0022ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 125W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 308.36 грн |
| 10+ | 231.48 грн |
| 100+ | 195.16 грн |
| 500+ | 171.80 грн |
| 1000+ | 155.69 грн |
| NVMFD5C446NLT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFD5C446NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 145 A, 145 A, 0.0022 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 145A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 145A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0022ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 125W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0022ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 125W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NVMFD5C446NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 145 A, 145 A, 0.0022 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 145A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 145A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0022ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 125W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0022ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 125W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 195.16 грн |
| 500+ | 171.80 грн |
| 1000+ | 155.69 грн |
| NVMFD5C680NLT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFD5C680NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 26 A, 26 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 26A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 19W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 19W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NVMFD5C680NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 26 A, 26 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 26A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 19W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 19W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 165.59 грн |
| 10+ | 113.21 грн |
| 100+ | 79.92 грн |
| 500+ | 59.54 грн |
| 1000+ | 47.29 грн |
| NVMFD5C680NLT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFD5C680NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 26 A, 26 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 26A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 19W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 19W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NVMFD5C680NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 26 A, 26 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 26A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 19W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 19W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 79.92 грн |
| 500+ | 59.54 грн |
| 1000+ | 47.29 грн |
| NCP5501DT50RKG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP5501DT50RKG - LDO-Festspannungsregler, 2.5V-16Vin, 230mV Dropout, 5V/500mAout, TO-252-3
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: Y-EX
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK)
Nennausgangsspannung: 5V
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 16V
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 2.5V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 5V 500mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 500mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 230mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 230mV
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NCP5501DT50RKG - LDO-Festspannungsregler, 2.5V-16Vin, 230mV Dropout, 5V/500mAout, TO-252-3
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: Y-EX
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK)
Nennausgangsspannung: 5V
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 16V
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 2.5V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 5V 500mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 500mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 230mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 230mV
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 49.34 грн |
| 500+ | 35.93 грн |
| 1000+ | 28.24 грн |
| 2500+ | 24.77 грн |
| MC74ACT14DR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC74ACT14DR2G - Inverter, Schmitt-Trigger, 74ACT14, 6 Eingänge, 50mA, 4.5V bis 5.5V, SOIC-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 74ACT
Anzahl der Elemente: Sechs
Bauform - Logikbaustein: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 50mA
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74ACT14
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MC74ACT14DR2G - Inverter, Schmitt-Trigger, 74ACT14, 6 Eingänge, 50mA, 4.5V bis 5.5V, SOIC-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 74ACT
Anzahl der Elemente: Sechs
Bauform - Logikbaustein: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 50mA
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74ACT14
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 18.84 грн |
| 500+ | 15.45 грн |
| 1000+ | 13.69 грн |
| MB6S |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MB6S - Brückengleichrichter, Eine Phase, 600 V, 500 mA, SOIC, 4 Pin(s), 1 V
tariffCode: 85369010
Durchlassstoßstrom: 35A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1V
Bauform - Brückengleichrichter: SOIC
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Oberflächenmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: MB6S
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MB6S - Brückengleichrichter, Eine Phase, 600 V, 500 mA, SOIC, 4 Pin(s), 1 V
tariffCode: 85369010
Durchlassstoßstrom: 35A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1V
Bauform - Brückengleichrichter: SOIC
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Oberflächenmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: MB6S
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 28784 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 55.08 грн |
| 50+ | 35.65 грн |
| 100+ | 24.58 грн |
| 500+ | 17.42 грн |
| 1500+ | 14.34 грн |
| MB6S |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MB6S - Brückengleichrichter, Eine Phase, 600 V, 500 mA, SOIC, 4 Pin(s), 1 V
tariffCode: 85369010
Durchlassstoßstrom: 35A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1V
Bauform - Brückengleichrichter: SOIC
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Oberflächenmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: MB6S
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MB6S - Brückengleichrichter, Eine Phase, 600 V, 500 mA, SOIC, 4 Pin(s), 1 V
tariffCode: 85369010
Durchlassstoßstrom: 35A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1V
Bauform - Brückengleichrichter: SOIC
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Oberflächenmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: MB6S
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 28784 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 24.58 грн |
| 500+ | 17.42 грн |
| 1500+ | 14.34 грн |
| FDS2672 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS2672 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3.9 A, 0.07 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FDS2672 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3.9 A, 0.07 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 192.62 грн |
| 10+ | 132.64 грн |
| 100+ | 93.78 грн |
| 500+ | 69.51 грн |
| 1000+ | 59.16 грн |
| 5000+ | 57.13 грн |
| FDS2672 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS2672 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3.9 A, 0.07 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FDS2672 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3.9 A, 0.07 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 93.78 грн |
| 500+ | 69.51 грн |
| 1000+ | 59.16 грн |
| 5000+ | 57.13 грн |
| SZBZX84B5V1LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SZBZX84B5V1LT1G - Zener-Diode, 5.1 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SZBZX84BxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - SZBZX84B5V1LT1G - Zener-Diode, 5.1 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SZBZX84BxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| NV25640DWVLT3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NV25640DWVLT3G - EEPROM, AEC-Q100, 64 Kbit, 8K x 8 Bit, SPI, 20 MHz, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423269
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherdichte: 64Kbit
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 20MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 64Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: ONSEMI - NV25640DWVLT3G - EEPROM, AEC-Q100, 64 Kbit, 8K x 8 Bit, SPI, 20 MHz, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423269
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherdichte: 64Kbit
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 20MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 64Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 39.45 грн |
| 500+ | 35.93 грн |
| 1000+ | 32.51 грн |
| 2500+ | 31.86 грн |
| NV25160DTVLT3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NV25160DTVLT3G - EEPROM, AEC-Q100, 16 Kbit, 2K x 8 Bit, SPI, 20 MHz, TSSOP, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423269
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherdichte: 16Kbit
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 20MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 16Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: ONSEMI - NV25160DTVLT3G - EEPROM, AEC-Q100, 16 Kbit, 2K x 8 Bit, SPI, 20 MHz, TSSOP, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423269
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherdichte: 16Kbit
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 20MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 16Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 38.19 грн |
| 500+ | 34.75 грн |
| 1000+ | 31.43 грн |
| 2500+ | 30.78 грн |
| NV25160DWVLT3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NV25160DWVLT3G - EEPROM, AEC-Q100, 16 Kbit, 2K x 8 Bit, SPI, 20 MHz, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423269
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 16Kbit
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 20MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 16Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 2K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NV25160DWVLT3G - EEPROM, AEC-Q100, 16 Kbit, 2K x 8 Bit, SPI, 20 MHz, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423269
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 16Kbit
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 20MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 16Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 2K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18+ | 47.31 грн |
| 20+ | 43.26 грн |
| 100+ | 38.02 грн |
| 500+ | 34.67 грн |
| 1000+ | 31.36 грн |
| 2500+ | 30.70 грн |
| NV25160DWVLT3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NV25160DWVLT3G - EEPROM, AEC-Q100, 16 Kbit, 2K x 8 Bit, SPI, 20 MHz, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423269
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherdichte: 16Kbit
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 20MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 16Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: ONSEMI - NV25160DWVLT3G - EEPROM, AEC-Q100, 16 Kbit, 2K x 8 Bit, SPI, 20 MHz, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423269
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherdichte: 16Kbit
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 20MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 16Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 38.02 грн |
| 500+ | 34.67 грн |
| 1000+ | 31.36 грн |
| 2500+ | 30.70 грн |
| NV25320DTVLT3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NV25320DTVLT3G - EEPROM, AEC-Q100, 32 Kbit, 4K x 8 Bit, SPI, 20 MHz, TSSOP, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423269
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherdichte: 32Kbit
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 20MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 32Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: ONSEMI - NV25320DTVLT3G - EEPROM, AEC-Q100, 32 Kbit, 4K x 8 Bit, SPI, 20 MHz, TSSOP, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423269
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherdichte: 32Kbit
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 20MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 32Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 38.52 грн |
| 500+ | 35.14 грн |
| 1000+ | 31.79 грн |
| 2500+ | 31.14 грн |
| NV25640DWVLT3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NV25640DWVLT3G - EEPROM, AEC-Q100, 64 Kbit, 8K x 8 Bit, SPI, 20 MHz, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423269
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 64Kbit
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 20MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 64Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 8K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NV25640DWVLT3G - EEPROM, AEC-Q100, 64 Kbit, 8K x 8 Bit, SPI, 20 MHz, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423269
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 64Kbit
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 20MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 64Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 8K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18+ | 49.08 грн |
| 19+ | 44.94 грн |
| 100+ | 39.45 грн |
| 500+ | 35.93 грн |
| 1000+ | 32.51 грн |
| 2500+ | 31.86 грн |
| NV25160DTVLT3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NV25160DTVLT3G - EEPROM, AEC-Q100, 16 Kbit, 2K x 8 Bit, SPI, 20 MHz, TSSOP, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423269
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
Speicherdichte: 16Kbit
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 20MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 16Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 2K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NV25160DTVLT3G - EEPROM, AEC-Q100, 16 Kbit, 2K x 8 Bit, SPI, 20 MHz, TSSOP, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423269
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
Speicherdichte: 16Kbit
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 20MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 16Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 2K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18+ | 47.48 грн |
| 20+ | 43.42 грн |
| 100+ | 38.19 грн |
| 500+ | 34.75 грн |
| 1000+ | 31.43 грн |
| 2500+ | 30.78 грн |
| NV25320DTVLT3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NV25320DTVLT3G - EEPROM, AEC-Q100, 32 Kbit, 4K x 8 Bit, SPI, 20 MHz, TSSOP, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423269
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
Speicherdichte: 32Kbit
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 20MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 32Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 4K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NV25320DTVLT3G - EEPROM, AEC-Q100, 32 Kbit, 4K x 8 Bit, SPI, 20 MHz, TSSOP, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423269
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
Speicherdichte: 32Kbit
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 20MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 32Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 4K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18+ | 48.32 грн |
| 20+ | 43.85 грн |
| 100+ | 38.52 грн |
| 500+ | 35.14 грн |
| 1000+ | 31.79 грн |
| 2500+ | 31.14 грн |
| MC34072DR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC34072DR2G - Operationsverstärker, Kurzschlussschutz am Ausgang, 2 Kanäle, 4.5 MHz, 13 V/µs, 3V bis 44V, SOIC
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 44V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 13V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 4.5MHz
Eingangsoffsetspannung: 1mV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 100nA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 70°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MC34072DR2G - Operationsverstärker, Kurzschlussschutz am Ausgang, 2 Kanäle, 4.5 MHz, 13 V/µs, 3V bis 44V, SOIC
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 44V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 13V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 4.5MHz
Eingangsoffsetspannung: 1mV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 100nA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 70°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 18.42 грн |
| 500+ | 14.91 грн |
| 1000+ | 12.67 грн |
| RS1M |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - RS1M - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 1.3 V, 500 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Sperrverzögerungszeit: 500ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: RS1M
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1kV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - RS1M - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 1.3 V, 500 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Sperrverzögerungszeit: 500ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: RS1M
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1kV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 11614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 38+ | 22.73 грн |
| 59+ | 14.36 грн |
| 250+ | 11.57 грн |
| 1000+ | 6.57 грн |
| 3000+ | 5.94 грн |
| MAX809STRG | ![]() |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MAX809STRG - Mikroprozessor, 1V-5.5V Versorgungsspannung, 2.93V Schwelle, 460ms, Active-Low, Push-Pull, SOT-23-3
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Reset-Schwellenspannung, min.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verzögerungszeit: 460ms
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Reset-Ausgang: Aktiv-Low, Push-Pull
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der überwachten Spannungen: 1Monitors
Reset-Schwellenspannung, nom.: 2.93V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MAX809STRG - Mikroprozessor, 1V-5.5V Versorgungsspannung, 2.93V Schwelle, 460ms, Active-Low, Push-Pull, SOT-23-3
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Reset-Schwellenspannung, min.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verzögerungszeit: 460ms
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Reset-Ausgang: Aktiv-Low, Push-Pull
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der überwachten Spannungen: 1Monitors
Reset-Schwellenspannung, nom.: 2.93V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 12279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 13.35 грн |
| 500+ | 12.08 грн |
| 1000+ | 10.86 грн |
| 5000+ | 9.78 грн |
| NFAM2512L7B |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NFAM2512L7B - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 1.2 kV, 25 A, 2.5 kVrms, DIP 39
tariffCode: 85412900
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: -
rohsCompliant: Y-EX
Isolationsspannung: 2.5kVrms
euEccn: NLR
hazardous: false
Nennstrom (Ic/Id): 25A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung (Vces / Vdss): 1.2kV
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: DIP 39
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NFAM2512L7B - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 1.2 kV, 25 A, 2.5 kVrms, DIP 39
tariffCode: 85412900
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: -
rohsCompliant: Y-EX
Isolationsspannung: 2.5kVrms
euEccn: NLR
hazardous: false
Nennstrom (Ic/Id): 25A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung (Vces / Vdss): 1.2kV
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: DIP 39
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2476.19 грн |
| 5+ | 2021.67 грн |
| 10+ | 1567.16 грн |
| 50+ | 1426.19 грн |
| NFAM3512L7B |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NFAM3512L7B - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 1.2 kV, 35 A, 2.5 kVrms, DIP 39
tariffCode: 85412900
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: -
rohsCompliant: Y-EX
Isolationsspannung: 2.5kVrms
euEccn: NLR
hazardous: false
Nennstrom (Ic/Id): 35A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung (Vces / Vdss): 1.2kV
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: DIP 39
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NFAM3512L7B - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 1.2 kV, 35 A, 2.5 kVrms, DIP 39
tariffCode: 85412900
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: -
rohsCompliant: Y-EX
Isolationsspannung: 2.5kVrms
euEccn: NLR
hazardous: false
Nennstrom (Ic/Id): 35A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung (Vces / Vdss): 1.2kV
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: DIP 39
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2270.90 грн |
| 5+ | 2064.76 грн |
| 10+ | 1858.62 грн |
| 50+ | 1691.34 грн |
| 100+ | 1529.38 грн |
| RS1J |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - RS1J - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.3 V, 250 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Sperrverzögerungszeit: 250ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: RS1J
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - RS1J - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.3 V, 250 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Sperrverzögerungszeit: 250ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: RS1J
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 37858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 40+ | 21.46 грн |
| 61+ | 14.02 грн |
| 100+ | 9.63 грн |
| 500+ | 7.75 грн |
| 1000+ | 6.10 грн |
| 5000+ | 5.17 грн |
| RS1J |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - RS1J - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.3 V, 250 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Sperrverzögerungszeit: 250ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: RS1J
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - RS1J - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.3 V, 250 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Sperrverzögerungszeit: 250ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: RS1J
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 37858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 7.75 грн |
| 1000+ | 6.10 грн |
| 5000+ | 5.17 грн |
| ESD9L3.3ST5G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ESD9L3.3ST5G - ESD-Schutzbaustein, 9 V, SOD-923, 2 Pin(s), 3.3 V, 150 mW, ESD9L
tariffCode: 85363010
Bauform - Diode: SOD-923
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150mW
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 9V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 3.3V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: ESD9L
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - ESD9L3.3ST5G - ESD-Schutzbaustein, 9 V, SOD-923, 2 Pin(s), 3.3 V, 150 mW, ESD9L
tariffCode: 85363010
Bauform - Diode: SOD-923
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150mW
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 9V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 3.3V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: ESD9L
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 60462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 8.79 грн |
| 500+ | 7.74 грн |
| 1000+ | 5.84 грн |
| 5000+ | 5.48 грн |
| GBPC3510 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - GBPC3510 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 1 kV, 35 A, Modul, 4 Pin(s), 1.1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 400A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Bauform - Brückengleichrichter: Modul
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Panelmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 35A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: GBPC3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1kV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - GBPC3510 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 1 kV, 35 A, Modul, 4 Pin(s), 1.1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 400A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Bauform - Brückengleichrichter: Modul
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Panelmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 35A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: GBPC3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1kV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 514.50 грн |
| 10+ | 269.50 грн |
| 100+ | 261.90 грн |
| 500+ | 238.48 грн |
| 1000+ | 215.79 грн |
| SMMUN2233LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SMMUN2233LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - SMMUN2233LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 50717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 2.96 грн |
| 1000+ | 2.16 грн |
| 5000+ | 1.84 грн |
| MMBTA42LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBTA42LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 300 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MMBTA42LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 300 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 62291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 3.99 грн |
| 1500+ | 3.03 грн |
| 74AC32SCX |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 74AC32SCX - OR-Gatter, 74AC32, 8 Eingänge, 24mA, 2V bis 6V, SOIC-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: OR-Gatter
Logik-IC-Familie: 74AC
Anzahl der Elemente: Vier
Bauform - Logikbaustein: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 24mA
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74AC32
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 6V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - 74AC32SCX - OR-Gatter, 74AC32, 8 Eingänge, 24mA, 2V bis 6V, SOIC-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: OR-Gatter
Logik-IC-Familie: 74AC
Anzahl der Elemente: Vier
Bauform - Logikbaustein: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 24mA
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74AC32
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 6V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 16.39 грн |
| 500+ | 13.26 грн |
| 1000+ | 11.80 грн |
| MC74AC32DR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC74AC32DR2G - OR-Gatter, Baureihe 74AC32, 2 Eingänge, 2V bis 6V Versorgungsspannung, 24mAout, SOIC-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: OR-Gatter
Logik-IC-Familie: 74AC
Anzahl der Elemente: Vier
Bauform - Logikbaustein: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 24mA
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74AC32
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 6V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MC74AC32DR2G - OR-Gatter, Baureihe 74AC32, 2 Eingänge, 2V bis 6V Versorgungsspannung, 24mAout, SOIC-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: OR-Gatter
Logik-IC-Familie: 74AC
Anzahl der Elemente: Vier
Bauform - Logikbaustein: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 24mA
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74AC32
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 6V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 22.13 грн |
| 500+ | 18.20 грн |
| 1000+ | 14.70 грн |
| FOD817A3SD |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD817A3SD - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 80 %
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 80%
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 5kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FOD817A3SD - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 80 %
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 80%
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 5kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 11.74 грн |
| 3000+ | 10.90 грн |
| RS1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - RS1G - Diode mit Standard-Erholzeit, 400 V, 1 A, Einfach, 1.3 V, 150 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Sperrverzögerungszeit: 150ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: RS1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 400V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - RS1G - Diode mit Standard-Erholzeit, 400 V, 1 A, Einfach, 1.3 V, 150 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Sperrverzögerungszeit: 150ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: RS1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 400V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 16091 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 35+ | 24.84 грн |
| 56+ | 15.21 грн |
| 100+ | 11.07 грн |
| 500+ | 7.37 грн |
| 1000+ | 5.02 грн |
| 5000+ | 4.40 грн |
| RS1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - RS1G - Diode mit Standard-Erholzeit, 400 V, 1 A, Einfach, 1.3 V, 150 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Sperrverzögerungszeit: 150ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: RS1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 400V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - RS1G - Diode mit Standard-Erholzeit, 400 V, 1 A, Einfach, 1.3 V, 150 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Sperrverzögerungszeit: 150ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: RS1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 400V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 16701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 7.37 грн |
| 1000+ | 5.02 грн |
| 5000+ | 4.40 грн |
| LL4148 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - LL4148 - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 200 mA, 1 V, 4 ns, 2 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-80
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - LL4148 - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 200 mA, 1 V, 4 ns, 2 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-80
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 2.42 грн |
| 1000+ | 1.88 грн |
| LL4148 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - LL4148 - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 200 mA, 1 V, 4 ns, 2 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-80
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - LL4148 - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 200 mA, 1 V, 4 ns, 2 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-80
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 101+ | 8.41 грн |
| 201+ | 4.21 грн |
| 240+ | 3.53 грн |
| 500+ | 2.42 грн |
| 1000+ | 1.88 грн |
| MJD127T4G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD127T4G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 12hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MJD127T4G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 12hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 40.04 грн |
| 500+ | 29.03 грн |
| 1000+ | 24.19 грн |
| 2N7002K |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N7002K - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - 2N7002K - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 99820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 34+ | 25.34 грн |
| 87+ | 9.80 грн |
| 118+ | 7.16 грн |
| 500+ | 5.94 грн |
| 1500+ | 5.27 грн |
| FDV303N |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDV303N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 680 mA, 0.45 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 680mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FDV303N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 680 mA, 0.45 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 680mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 81754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 28.39 грн |
| 50+ | 17.57 грн |
| 102+ | 8.35 грн |
| 500+ | 7.59 грн |
| 1500+ | 6.22 грн |
| 74VHC132MTCX |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 74VHC132MTCX - NAND-Gatter, Schmitt-Trigger, 74VHC132, 2 Eingänge, 8mA, 2V bis 5.5V, TSSOP-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: NAND-Gatter
Logik-IC-Familie: 74VHC
Anzahl der Elemente: Vier
Bauform - Logikbaustein: TSSOP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 8mA
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74VHC132
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - 74VHC132MTCX - NAND-Gatter, Schmitt-Trigger, 74VHC132, 2 Eingänge, 8mA, 2V bis 5.5V, TSSOP-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: NAND-Gatter
Logik-IC-Familie: 74VHC
Anzahl der Elemente: Vier
Bauform - Logikbaustein: TSSOP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 8mA
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74VHC132
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 19.35 грн |
| 500+ | 16.08 грн |
| 1000+ | 13.98 грн |
| MC33063AVDR2G |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC33063AVDR2G - DC/DC-Schaltregler, Boost/Buck, invertierend, einstellbar, 3V-40Vin, 1.25V-40Vout, 1.5A, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Ausgang: Einstellbar
Ausgangsspannung, min.: 1.25V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 40V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 1.5A
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 33kHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 3V
Topologie: Boost, Buck, invertierend
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: MC34063A
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 1.5A
Wirkungsgrad: 87.7%
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MC33063AVDR2G - DC/DC-Schaltregler, Boost/Buck, invertierend, einstellbar, 3V-40Vin, 1.25V-40Vout, 1.5A, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Ausgang: Einstellbar
Ausgangsspannung, min.: 1.25V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 40V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 1.5A
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 33kHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 3V
Topologie: Boost, Buck, invertierend
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: MC34063A
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 1.5A
Wirkungsgrad: 87.7%
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 48.16 грн |
| 500+ | 34.60 грн |
| 1000+ | 27.16 грн |
| MMBT2907ALT3G |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT2907ALT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MMBT2907ALT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 69029 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 3.22 грн |
| 1000+ | 2.48 грн |
| 5000+ | 2.06 грн |
| TLV431ASN1T1G |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - TLV431ASN1T1G - Spannungsreferenz, Shunt - einstellbar, 1.24V bis 16V, 1% Ref, SOT-23-3
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Referenzspannung, max.: 16V
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Referenzspannung, min.: 1.24V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Temperaturkoeffizient: -
Eingangsspannung, max.: 16V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Spannungsreferenz: Shunt, einstellbar
Anfangsgenauigkeit: 1%
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - TLV431ASN1T1G - Spannungsreferenz, Shunt - einstellbar, 1.24V bis 16V, 1% Ref, SOT-23-3
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Referenzspannung, max.: 16V
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Referenzspannung, min.: 1.24V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Temperaturkoeffizient: -
Eingangsspannung, max.: 16V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Spannungsreferenz: Shunt, einstellbar
Anfangsgenauigkeit: 1%
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 17975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 15.12 грн |
| 500+ | 12.32 грн |
| 1000+ | 10.28 грн |
| 5000+ | 10.21 грн |
| 74VHC595MX |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 74VHC595MX - Schieberegister, Baureihe HC, 74VHC595, Seriell zu parallel, 1 Element, 8 bit, NSOIC, 16 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: 74595
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74VHC
Bauform - Logikbaustein: NSOIC
IC-Ausgang: Tri-State
Anzahl der Elemente: 1 Element
Schieberegisterfunktion: Seriell zu parallel
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74VHC595
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Bits pro Element: 8bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - 74VHC595MX - Schieberegister, Baureihe HC, 74VHC595, Seriell zu parallel, 1 Element, 8 bit, NSOIC, 16 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: 74595
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74VHC
Bauform - Logikbaustein: NSOIC
IC-Ausgang: Tri-State
Anzahl der Elemente: 1 Element
Schieberegisterfunktion: Seriell zu parallel
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74VHC595
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Bits pro Element: 8bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 50.13 грн |
| 250+ | 43.30 грн |
| 500+ | 41.93 грн |
































