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Доступність |
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FDMS4D5N08LC | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS4D5N08LC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 116 A, 0.0042 ohm, PQFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 116A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 113.6W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 113.6W Bauform - Transistor: PQFN Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: POWERTRENCH productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0032ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 7973 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MMUN2114LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMUN2114LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohmtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm MSL: - usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 23995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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LM317MDTRKG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - LM317MDTRKG - Linearer Spannungsregler, einstellbar, 40Vin primärseitig, 1.2V bis 37V/500mAout, TO-252-3tariffCode: 85423990 Ausgang: Einstellbar rohsCompliant: Y-EX Ausgangsspannung, min.: 1.2V IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: 37V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK) MSL: - usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: 0°C Eingangsspannung, max.: 40V euEccn: NLR Ausgangsstrom, max.: 500mA Eingangsspannung, min.: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Ausgangsspannung, nom.: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Ausgangsstrom, max.: 500mA Betriebstemperatur, max.: 125°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 8025 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MMBT2222ALT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT2222ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 81000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BSS138LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BSS138LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 3.5 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DF04S | ONSEMI |
Description: ONSEMI - DF04S - Brückengleichrichter, Eine Phase, 400 V, 1.5 A, SDIP, 4 Pin(s), 1.1 VtariffCode: 85411000 Durchlassstoßstrom: 50A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchlassspannung, max.: 1.1V Bauform - Brückengleichrichter: SDIP usEccn: EAR99 Montage des Brückengleichrichters: Oberflächenmontage Anzahl der Phasen: Eine Phase Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: DF04S productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 400V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 13804 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DF04S | ONSEMI |
Description: ONSEMI - DF04S - Brückengleichrichter, Eine Phase, 400 V, 1.5 A, SDIP, 4 Pin(s), 1.1 VtariffCode: 85411000 Durchlassstoßstrom: 50A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchlassspannung, max.: 1.1V Bauform - Brückengleichrichter: SDIP usEccn: EAR99 Montage des Brückengleichrichters: Oberflächenmontage Anzahl der Phasen: Eine Phase Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: DF04S productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 400V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 13804 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDN352AP | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDN352AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.3 A, 0.18 ohm, SuperSOT, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 88635 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BC846BM3T5G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC846BM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 265 mW, SOT-723, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 265mW Bauform - Transistor: SOT-723 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 29050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NZ9F18VST5G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NZ9F18VST5G - Zener-Diode, 18 V, 250 mW, SOD-923, 2 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-923 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 18V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 3090 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NZ9F5V1T5G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NZ9F5V1T5G - Zener-Diode, 5.1 V, 200 mW, SOD-923, 2 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-923 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: NZ9FxxxxT5G productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 5.1V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 794 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NZ9F18VST5G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NZ9F18VST5G - Zener-Diode, 18 V, 250 mW, SOD-923, 2 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-923 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 18V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 3090 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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ESD5Z3.3T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - ESD5Z3.3T1G - ESD-Schutzbaustein, 14.1 V, SOD-523, 2 Pin(s), 3.3 V, 500 mW, ESD5ZtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-523 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, max.: 5V usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 500mW Sperrspannung: 3.3V euEccn: NLR Spitzenimpulsverlustleistung: 158W Begrenzungsspannung Vc, max.: 14.1V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Betriebsspannung: 3.3V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: ESD5Z productTraceability: Yes-Date/Lot Code Klemmspannung, max.: 14.1V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MC74ACT541DWR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MC74ACT541DWR2G - Logik, Puffer / Leitungstreiber, nicht invertierend, 74ACT541, 4.5-5.5V Versorgungsspannung, SOIC-20tariffCode: 85423990 Logik-IC-Sockelnummer: 74541 rohsCompliant: YES Logik-IC-Familie: 74ACT Bauform - Logikbaustein: SOIC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V Logikfamilie / Sockelnummer: 74ACT541 euEccn: NLR Logikbaustein: Puffer/Leitungstreiber, nicht invertierend Anzahl der Pins: 20Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 522 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NTGS3455T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTGS3455T1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.1 ohm, TSOP, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.87V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 17448 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NTGS3455T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTGS3455T1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.1 ohm, TSOP, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.87V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 17448 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MMSZ5231BT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMSZ5231BT1G - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-123 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: MMSZ5221BT1 productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 5.1V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 17543 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MM74HC04MX | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MM74HC04MX - Inverter, 74HC04, 1 Eingang, 5.2mA, 2V bis 6V, NSOIC-14tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Logikfunktion: Wechselrichter Logik-IC-Familie: 74HC Anzahl der Elemente: Sechs Bauform - Logikbaustein: NSOIC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 5.2mA IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: 74HC04 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 6V Anzahl der Eingänge: 1Inputs Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 404 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCP187AMT120TAG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP187AMT120TAG - LDO VOLTAGE REGULATORStariffCode: 85423990 Ausgang: Fest rohsCompliant: YES Ausgangsspannung, min.: - IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: WDFN-EP Nennausgangsspannung: 1.2V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 5.5V euEccn: NLR Ausgangsstrom, max.: 1.2A Polarität: Positiver Ausgang Eingangsspannung, min.: 1.5V Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: 1.2V 1.2A LDO Voltage Regulators Ausgangsspannung, nom.: 1.2V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Ausgangsstrom, max.: 1.2A Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 325mV Typische Dropout-Spannung bei Strom: 325mV Betriebstemperatur, max.: 125°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 936 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FGD5T120SH | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FGD5T120SH - IGBT, FS-Trench, 10 A, 2.9 V, 69 W, 1.2 kV, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)tariffCode: 85334010 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.9V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 69W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 10A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1801 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FGD5T120SH | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FGD5T120SH - IGBT, FS-Trench, 10 A, 2.9 V, 69 W, 1.2 kV, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)tariffCode: 85334010 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.9V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 69W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 10A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1801 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCS20074DTBR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCS20074DTBR2G - Operationsverstärker, RRO, 4 Kanäle, 3 MHz, 2.8 V/µs, 2.7V bis 36V, ± 1.35V bis ± 18V, TSSOPtariffCode: 85423390 Verstärkertyp: Universell rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V, ± 1.35V bis ± 18V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anstiegsrate: 2.8V/µs Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 4Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Ausgang (RRO) Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz Eingangsoffsetspannung: 1.3mV euEccn: NLR Eingangsruhestrom: 5pA Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2481 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MMBTH10LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBTH10LT1G - Bipolarer HF-Transistor, Universal, NPN, 25 V, 650 MHz, 225 mW, 4 mA, SOT-23tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 4mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 650MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 6549 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NST856MTWFTBG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NST856MTWFTBG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 650 mW, XDFNW, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 650mW Bauform - Transistor: XDFNW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NST856MTWFTBG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NST856MTWFTBG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 650 mW, XDFNW, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform - Transistor: XDFNW usEccn: EAR99 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NC7SZ125P5X | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NC7SZ125P5X - Puffer, 1.65V bis 5.5V, SC-70-5tariffCode: 85423990 Logik-IC-Sockelnummer: - rohsCompliant: YES Logik-IC-Familie: NC7S Bauform - Logikbaustein: SC-70 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SC-70 MSL: - usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.65V Logikfamilie / Sockelnummer: - euEccn: NLR Logikbaustein: Puffer, nicht invertierend Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 6795 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MC74AC138DR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MC74AC138DR2G - Decoder / Demultiplexer, Baureihe AC, 1 Kanal, 1:8, 2V bis 6V, SOIC-16tariffCode: 85423990 Logik-IC-Sockelnummer: 74138 rohsCompliant: YES Logik-IC-Familie: 74AC Bauform - Logikbaustein: SOIC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2V Logikfamilie / Sockelnummer: 74AC138 Logiktyp: Decoder / Demultiplexer euEccn: NLR Leitungskonfiguration: 1:8 Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1325 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MC74AC132DR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MC74AC132DR2G - NAND-Gatter, Schmitt-Trigger, 74AC132, 2 Eingänge, 2V bis 6V, SOIC-14tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Logikfunktion: NAND-Gatter Logik-IC-Familie: 74AC Anzahl der Elemente: Vier Bauform - Logikbaustein: SOIC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: 74AC132 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 6V Anzahl der Eingänge: 2Inputs Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 746 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MC74HC244ADTR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MC74HC244ADTR2G - Puffer / Leitungstreiber / Leitungsempfänger, 74HC244, 2V bis 6V, TSSOP-20tariffCode: 85423990 Logik-IC-Sockelnummer: 74244 rohsCompliant: YES Logik-IC-Familie: 74HC Bauform - Logikbaustein: TSSOP hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Versorgungsspannung, min.: 2V Logikfamilie / Sockelnummer: 74HC244 euEccn: NLR Logikbaustein: Puffer/Leitungstreiber/Leitungsempfänger, nicht invertierend Anzahl der Pins: 20Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 6V Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
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MC74HC244ADWR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MC74HC244ADWR2G - Logik, Puffer / Leitungstreiber, Empfänger, 74HC244, 2V bis 6V, SOIC-20tariffCode: 85423990 Logik-IC-Sockelnummer: 74244 rohsCompliant: YES Logik-IC-Familie: 74HC Bauform - Logikbaustein: SOIC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Versorgungsspannung, min.: 2V Logikfamilie / Sockelnummer: 74HC244 euEccn: NLR Logikbaustein: Puffer/Leitungstreiber, nicht invertierend Anzahl der Pins: 20Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 6V Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 65 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
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BSS138 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BSS138 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 220 mA, 3.5 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 220mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 184598 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BSS138 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BSS138 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 220 mA, 3.5 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 220mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 184598 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BSS138K | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BSS138K - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 220 mA, 1.6 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 220mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 73817 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BSS138L | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BSS138L - Leistungs-MOSFET, Trench, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 3.5 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.25V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 26135 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NTMT045N065SC1 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMT045N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 39 A, 650 V, 0.033 ohm, TDFNtariffCode: 85414900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 39A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 187W Bauform - Transistor: TDFN Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 2222 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NTMT045N065SC1 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMT045N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 39 A, 650 V, 0.033 ohm, TDFNtariffCode: 85414900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 39A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 187W Bauform - Transistor: TDFN Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 2222 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MC74ACT08DR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MC74ACT08DR2G - AND-Gatter, Baureihe 74ACT08, 2 Eingänge, 4.5V bis 5.5V Versorgungsspannung, SOIC-14tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Logikfunktion: AND-Gatter Logik-IC-Familie: 74ACT Anzahl der Elemente: Vier Bauform - Logikbaustein: SOIC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: 74ACT08 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Anzahl der Eingänge: 2Inputs Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 3305 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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N24C08UVTG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - N24C08UVTG - EEPROM, 8 KB, 1K x 8 Bit, I2C, 1 MHz, US8, 8 Pin(s)tariffCode: 85423290 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: US8 Speicherdichte: 8KB usEccn: EAR99 Taktfrequenz, max.: 1MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.8V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: 8Kbit I2C Serial EEPROM productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: I2C Betriebstemperatur, max.: 125°C Speicherkonfiguration: 1K x 8 Bit SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2988 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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N24C08UVTG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - N24C08UVTG - EEPROM, 8 KB, 1K x 8 Bit, I2C, 1 MHz, US8, 8 Pin(s)tariffCode: 85423290 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: US8 Speicherdichte: 8KB usEccn: EAR99 Taktfrequenz, max.: 1MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.8V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: 8Kbit I2C Serial EEPROM productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: I2C Betriebstemperatur, max.: 125°C Speicherkonfiguration: 1K x 8 Bit SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2988 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NSVBAS21AHT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSVBAS21AHT1G - Kleinsignaldiode, Einfach, 250 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 625 mAtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-323 Durchlassstoßstrom: 625mA rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 50ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 250V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1040 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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CAT93C66VI-GT3 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - CAT93C66VI-GT3 - EEPROM, Microwire, 4 Kbit, 512 x 8 Bit / 256 x 16 Bit, Microwire, 2 MHz, SOIC, 8 Pin(s)tariffCode: 85423261 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Speicherdichte: 4Kbit MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Taktfrequenz, max.: 2MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.8V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: 4Kbit Microwire Serial EEPROM productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: Microwire Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 512 x 8 Bit / 256 x 16 Bit SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 6110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MMSD4148T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMSD4148T1G - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 200 mA, 1 V, 4 ns, 2 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-123 Durchlassstoßstrom: 2A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: 4ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 100V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 162535 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MMSD4148T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMSD4148T1G - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 200 mA, 1 V, 4 ns, 2 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-123 Durchlassstoßstrom: 2A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: 4ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 100V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 162535 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NVE4153NT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVE4153NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 26 V, 915 mA, 0.127 ohm, SC-89, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 26V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 915mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 760mV euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SC-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.127ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 149 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MBR0540T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MBR0540T1G - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 500 mA, Einfach, SOD-123, 2 Pin(s), 510 mVtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-123 Durchlassstoßstrom: 5.5A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 510mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 40V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 123113 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SZMMSZ5253BT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SZMMSZ5253BT1G - Zener-Diode, 25 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-123 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: SZMMSZ52xxxT1G Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 25V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 9745 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MMSZ5234BT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMSZ5234BT1G - Zener-Diode, 6.2 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-123 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: MMSZxxxT1G productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 6.2V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 24434 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SMMUN2111LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SMMUN2111LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohmtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: Compute Module 3+ Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 89 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SMUN5314DW1T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SMUN5314DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohmtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 385mW Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 23460 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MC7805BD2TR4G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MC7805BD2TR4G - Linearer Festspannungsregler, 5V/1Aout, TO-263-3tariffCode: 85423990 Ausgang: Fest rohsCompliant: Y-EX Ausgangsspannung, min.: - IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: TO-263 (D2PAK) Nennausgangsspannung: 5V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 35V euEccn: NLR Ausgangsstrom, max.: 1A Eingangsspannung, min.: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: 7805 Voltage Regulators Ausgangsspannung, nom.: 5V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Ausgangsstrom, max.: 1A Betriebstemperatur, max.: 125°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 4183 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NVMFS4C03NT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVMFS4C03NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 159 A, 0.0014 ohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 159A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 77W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NVMFS4C03NT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVMFS4C03NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 159 A, 0.0014 ohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 159A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 77W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BC818-40LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC818-40LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 25 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 131102 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MMSZ4710T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMSZ4710T1G - Zener-Diode, 25 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-123 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: MMSZ4xxxT1G productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 25V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2044 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MMSZ4710T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMSZ4710T1G - Zener-Diode, 25 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-123 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: MMSZ4xxxT1G productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 25V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2044 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MC3302DR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MC3302DR2G - Analoger Komparator, vierfach, Geringe Offset-Spannung, 4 Kanäle, 1.3 µs, 3V bis 30V, SOICtariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Komparatorausgang: CMOS, TTL Versorgungsspannung: 3V bis 30V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 4Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Komparatortyp: Geringe Offset-Spannung euEccn: NLR Stromversorgung: Einfache & zweifache Spannungsversorgung Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Ansprechzeit / Ausbreitungsverzögerung: 1.3µs Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 104 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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LM337BD2TR4G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - LM337BD2TR4G - Linearer Spannungsregler, einstellbar, -1.2V bis -37V/1.5Aout, TO-263-3tariffCode: 85423990 Ausgang: Einstellbar rohsCompliant: Y-EX Ausgangsspannung, min.: -1.2V IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: -37V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: TO-263 (D2PAK) MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: -40V euEccn: NLR Ausgangsstrom, max.: 1.5A Eingangsspannung, min.: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Ausgangsspannung, nom.: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Ausgangsstrom, max.: 1.5A Betriebstemperatur, max.: 125°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1255 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDS4675 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS4675 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 11 A, 0.013 ohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.4W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 4374 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NC7S14M5X | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NC7S14M5X - Inverter, Schmitt-Trigger, NC7S14, 1 Eingang, 2.6mA, 2V bis 6V, SOT-23-5tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Logikfunktion: Wechselrichter Logik-IC-Familie: 7S Anzahl der Elemente: Eins Bauform - Logikbaustein: SOT-23 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 2.6mA IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23 MSL: - usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: 7S14 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 6V Anzahl der Eingänge: 1Inputs Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 20539 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BAV99LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BAV99LT1G - Kleinsignaldiode, Zweifach in Reihe, 70 V, 215 mA, 1.25 V, 6 ns, 500 mAtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 Durchlassstoßstrom: 500mA rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 6ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 215mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BAV99 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 70V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 7671 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| FDMS4D5N08LC |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS4D5N08LC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 116 A, 0.0042 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 116A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 113.6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113.6W
Bauform - Transistor: PQFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: POWERTRENCH
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0032ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FDMS4D5N08LC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 116 A, 0.0042 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 116A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 113.6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113.6W
Bauform - Transistor: PQFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: POWERTRENCH
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0032ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 7973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 118.80 грн |
| 500+ | 107.93 грн |
| 1000+ | 95.97 грн |
| MMUN2114LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMUN2114LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MMUN2114LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 23995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 3.19 грн |
| 1500+ | 2.59 грн |
| LM317MDTRKG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - LM317MDTRKG - Linearer Spannungsregler, einstellbar, 40Vin primärseitig, 1.2V bis 37V/500mAout, TO-252-3
tariffCode: 85423990
Ausgang: Einstellbar
rohsCompliant: Y-EX
Ausgangsspannung, min.: 1.2V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 37V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK)
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 500mA
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 500mA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - LM317MDTRKG - Linearer Spannungsregler, einstellbar, 40Vin primärseitig, 1.2V bis 37V/500mAout, TO-252-3
tariffCode: 85423990
Ausgang: Einstellbar
rohsCompliant: Y-EX
Ausgangsspannung, min.: 1.2V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 37V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK)
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 500mA
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 500mA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 8025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 23+ | 37.60 грн |
| 33+ | 26.24 грн |
| 100+ | 20.43 грн |
| 500+ | 16.67 грн |
| 1000+ | 14.72 грн |
| 2500+ | 13.48 грн |
| MMBT2222ALT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT2222ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MMBT2222ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 1.88 грн |
| 9000+ | 1.56 грн |
| BSS138LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BSS138LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - BSS138LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 3.85 грн |
| 9000+ | 3.44 грн |
| DF04S |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - DF04S - Brückengleichrichter, Eine Phase, 400 V, 1.5 A, SDIP, 4 Pin(s), 1.1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Bauform - Brückengleichrichter: SDIP
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Oberflächenmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: DF04S
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 400V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - DF04S - Brückengleichrichter, Eine Phase, 400 V, 1.5 A, SDIP, 4 Pin(s), 1.1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Bauform - Brückengleichrichter: SDIP
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Oberflächenmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: DF04S
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 400V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 13804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 86.32 грн |
| 18+ | 49.74 грн |
| 50+ | 42.56 грн |
| 200+ | 32.86 грн |
| 500+ | 23.44 грн |
| DF04S |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - DF04S - Brückengleichrichter, Eine Phase, 400 V, 1.5 A, SDIP, 4 Pin(s), 1.1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Bauform - Brückengleichrichter: SDIP
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Oberflächenmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: DF04S
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 400V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - DF04S - Brückengleichrichter, Eine Phase, 400 V, 1.5 A, SDIP, 4 Pin(s), 1.1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Bauform - Brückengleichrichter: SDIP
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Oberflächenmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: DF04S
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 400V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 13804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 42.56 грн |
| 200+ | 32.86 грн |
| 500+ | 23.44 грн |
| FDN352AP |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN352AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.3 A, 0.18 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FDN352AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.3 A, 0.18 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 88635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 22.82 грн |
| 500+ | 15.48 грн |
| 1000+ | 11.79 грн |
| 5000+ | 9.30 грн |
| BC846BM3T5G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC846BM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 265 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 265mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - BC846BM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 265 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 265mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 29050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 5.00 грн |
| 1000+ | 2.82 грн |
| 4000+ | 2.55 грн |
| NZ9F18VST5G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NZ9F18VST5G - Zener-Diode, 18 V, 250 mW, SOD-923, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-923
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 18V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NZ9F18VST5G - Zener-Diode, 18 V, 250 mW, SOD-923, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-923
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 18V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 4.77 грн |
| 1000+ | 4.06 грн |
| NZ9F5V1T5G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NZ9F5V1T5G - Zener-Diode, 5.1 V, 200 mW, SOD-923, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-923
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: NZ9FxxxxT5G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NZ9F5V1T5G - Zener-Diode, 5.1 V, 200 mW, SOD-923, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-923
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: NZ9FxxxxT5G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 62+ | 13.85 грн |
| 90+ | 9.57 грн |
| 198+ | 4.32 грн |
| 500+ | 3.60 грн |
| NZ9F18VST5G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NZ9F18VST5G - Zener-Diode, 18 V, 250 mW, SOD-923, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-923
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 18V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NZ9F18VST5G - Zener-Diode, 18 V, 250 mW, SOD-923, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-923
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 18V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 34+ | 25.30 грн |
| 48+ | 17.95 грн |
| 155+ | 5.55 грн |
| 500+ | 4.77 грн |
| 1000+ | 4.06 грн |
| ESD5Z3.3T1G | ![]() |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ESD5Z3.3T1G - ESD-Schutzbaustein, 14.1 V, SOD-523, 2 Pin(s), 3.3 V, 500 mW, ESD5Z
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, max.: 5V
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500mW
Sperrspannung: 3.3V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 158W
Begrenzungsspannung Vc, max.: 14.1V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 3.3V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: ESD5Z
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Klemmspannung, max.: 14.1V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - ESD5Z3.3T1G - ESD-Schutzbaustein, 14.1 V, SOD-523, 2 Pin(s), 3.3 V, 500 mW, ESD5Z
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, max.: 5V
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500mW
Sperrspannung: 3.3V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 158W
Begrenzungsspannung Vc, max.: 14.1V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 3.3V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: ESD5Z
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Klemmspannung, max.: 14.1V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 2.45 грн |
| 9000+ | 2.04 грн |
| MC74ACT541DWR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC74ACT541DWR2G - Logik, Puffer / Leitungstreiber, nicht invertierend, 74ACT541, 4.5-5.5V Versorgungsspannung, SOIC-20
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: 74541
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74ACT
Bauform - Logikbaustein: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74ACT541
euEccn: NLR
Logikbaustein: Puffer/Leitungstreiber, nicht invertierend
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MC74ACT541DWR2G - Logik, Puffer / Leitungstreiber, nicht invertierend, 74ACT541, 4.5-5.5V Versorgungsspannung, SOIC-20
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: 74541
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74ACT
Bauform - Logikbaustein: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74ACT541
euEccn: NLR
Logikbaustein: Puffer/Leitungstreiber, nicht invertierend
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 44.19 грн |
| 500+ | 36.90 грн |
| NTGS3455T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTGS3455T1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.1 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.87V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NTGS3455T1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.1 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.87V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 17448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 27+ | 32.82 грн |
| 50+ | 25.04 грн |
| 100+ | 22.99 грн |
| 500+ | 18.97 грн |
| 1500+ | 15.53 грн |
| NTGS3455T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTGS3455T1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.1 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.87V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NTGS3455T1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.1 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.87V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 17448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 22.99 грн |
| 500+ | 18.97 грн |
| 1500+ | 15.53 грн |
| MMSZ5231BT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMSZ5231BT1G - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MMSZ5221BT1
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MMSZ5231BT1G - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MMSZ5221BT1
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 17543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 56+ | 15.30 грн |
| 99+ | 8.72 грн |
| 250+ | 3.83 грн |
| 1000+ | 3.16 грн |
| 10500+ | 1.68 грн |
| MM74HC04MX | ![]() |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MM74HC04MX - Inverter, 74HC04, 1 Eingang, 5.2mA, 2V bis 6V, NSOIC-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 74HC
Anzahl der Elemente: Sechs
Bauform - Logikbaustein: NSOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 5.2mA
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74HC04
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 6V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MM74HC04MX - Inverter, 74HC04, 1 Eingang, 5.2mA, 2V bis 6V, NSOIC-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 74HC
Anzahl der Elemente: Sechs
Bauform - Logikbaustein: NSOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 5.2mA
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74HC04
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 6V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 17.43 грн |
| NCP187AMT120TAG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP187AMT120TAG - LDO VOLTAGE REGULATORS
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WDFN-EP
Nennausgangsspannung: 1.2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 1.2A
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.5V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: 1.2V 1.2A LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 1.2V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 1.2A
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 325mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 325mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NCP187AMT120TAG - LDO VOLTAGE REGULATORS
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WDFN-EP
Nennausgangsspannung: 1.2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 1.2A
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.5V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: 1.2V 1.2A LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 1.2V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 1.2A
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 325mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 325mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18+ | 49.14 грн |
| 25+ | 34.44 грн |
| 100+ | 26.92 грн |
| 500+ | 22.22 грн |
| FGD5T120SH |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGD5T120SH - IGBT, FS-Trench, 10 A, 2.9 V, 69 W, 1.2 kV, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85334010
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.9V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FGD5T120SH - IGBT, FS-Trench, 10 A, 2.9 V, 69 W, 1.2 kV, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85334010
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.9V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 193.15 грн |
| 10+ | 123.92 грн |
| 100+ | 85.21 грн |
| 500+ | 62.85 грн |
| 1000+ | 51.28 грн |
| FGD5T120SH |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGD5T120SH - IGBT, FS-Trench, 10 A, 2.9 V, 69 W, 1.2 kV, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85334010
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.9V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FGD5T120SH - IGBT, FS-Trench, 10 A, 2.9 V, 69 W, 1.2 kV, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85334010
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.9V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 85.21 грн |
| 500+ | 62.85 грн |
| 1000+ | 51.28 грн |
| NCS20074DTBR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCS20074DTBR2G - Operationsverstärker, RRO, 4 Kanäle, 3 MHz, 2.8 V/µs, 2.7V bis 36V, ± 1.35V bis ± 18V, TSSOP
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V, ± 1.35V bis ± 18V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 2.8V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Ausgang (RRO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 1.3mV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 5pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NCS20074DTBR2G - Operationsverstärker, RRO, 4 Kanäle, 3 MHz, 2.8 V/µs, 2.7V bis 36V, ± 1.35V bis ± 18V, TSSOP
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V, ± 1.35V bis ± 18V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 2.8V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Ausgang (RRO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 1.3mV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 5pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 40.08 грн |
| 500+ | 33.25 грн |
| 1000+ | 29.60 грн |
| MMBTH10LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBTH10LT1G - Bipolarer HF-Transistor, Universal, NPN, 25 V, 650 MHz, 225 mW, 4 mA, SOT-23
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 4mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 650MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MMBTH10LT1G - Bipolarer HF-Transistor, Universal, NPN, 25 V, 650 MHz, 225 mW, 4 mA, SOT-23
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 4mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 650MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 2.71 грн |
| 1500+ | 2.37 грн |
| NST856MTWFTBG |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NST856MTWFTBG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 650 mW, XDFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 650mW
Bauform - Transistor: XDFNW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NST856MTWFTBG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 650 mW, XDFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 650mW
Bauform - Transistor: XDFNW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 21+ | 40.77 грн |
| 34+ | 25.30 грн |
| 100+ | 16.07 грн |
| 500+ | 11.19 грн |
| 1000+ | 9.23 грн |
| NST856MTWFTBG |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NST856MTWFTBG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 650 mW, XDFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform - Transistor: XDFNW
usEccn: EAR99
Description: ONSEMI - NST856MTWFTBG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 650 mW, XDFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform - Transistor: XDFNW
usEccn: EAR99
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 16.07 грн |
| 500+ | 11.19 грн |
| 1000+ | 9.23 грн |
| NC7SZ125P5X |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7SZ125P5X - Puffer, 1.65V bis 5.5V, SC-70-5
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: -
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: NC7S
Bauform - Logikbaustein: SC-70
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
Logikfamilie / Sockelnummer: -
euEccn: NLR
Logikbaustein: Puffer, nicht invertierend
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NC7SZ125P5X - Puffer, 1.65V bis 5.5V, SC-70-5
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: -
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: NC7S
Bauform - Logikbaustein: SC-70
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
Logikfamilie / Sockelnummer: -
euEccn: NLR
Logikbaustein: Puffer, nicht invertierend
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 2.62 грн |
| 1500+ | 2.26 грн |
| MC74AC138DR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC74AC138DR2G - Decoder / Demultiplexer, Baureihe AC, 1 Kanal, 1:8, 2V bis 6V, SOIC-16
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: 74138
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74AC
Bauform - Logikbaustein: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74AC138
Logiktyp: Decoder / Demultiplexer
euEccn: NLR
Leitungskonfiguration: 1:8
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MC74AC138DR2G - Decoder / Demultiplexer, Baureihe AC, 1 Kanal, 1:8, 2V bis 6V, SOIC-16
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: 74138
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74AC
Bauform - Logikbaustein: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74AC138
Logiktyp: Decoder / Demultiplexer
euEccn: NLR
Leitungskonfiguration: 1:8
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 29.83 грн |
| 500+ | 24.84 грн |
| 1000+ | 21.98 грн |
| MC74AC132DR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC74AC132DR2G - NAND-Gatter, Schmitt-Trigger, 74AC132, 2 Eingänge, 2V bis 6V, SOIC-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: NAND-Gatter
Logik-IC-Familie: 74AC
Anzahl der Elemente: Vier
Bauform - Logikbaustein: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74AC132
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 6V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MC74AC132DR2G - NAND-Gatter, Schmitt-Trigger, 74AC132, 2 Eingänge, 2V bis 6V, SOIC-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: NAND-Gatter
Logik-IC-Familie: 74AC
Anzahl der Elemente: Vier
Bauform - Logikbaustein: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74AC132
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 6V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 14.44 грн |
| 500+ | 11.67 грн |
| MC74HC244ADTR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC74HC244ADTR2G - Puffer / Leitungstreiber / Leitungsempfänger, 74HC244, 2V bis 6V, TSSOP-20
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: 74244
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74HC
Bauform - Logikbaustein: TSSOP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74HC244
euEccn: NLR
Logikbaustein: Puffer/Leitungstreiber/Leitungsempfänger, nicht invertierend
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 6V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MC74HC244ADTR2G - Puffer / Leitungstreiber / Leitungsempfänger, 74HC244, 2V bis 6V, TSSOP-20
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: 74244
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74HC
Bauform - Logikbaustein: TSSOP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74HC244
euEccn: NLR
Logikbaustein: Puffer/Leitungstreiber/Leitungsempfänger, nicht invertierend
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 6V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MC74HC244ADWR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC74HC244ADWR2G - Logik, Puffer / Leitungstreiber, Empfänger, 74HC244, 2V bis 6V, SOIC-20
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: 74244
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74HC
Bauform - Logikbaustein: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74HC244
euEccn: NLR
Logikbaustein: Puffer/Leitungstreiber, nicht invertierend
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 6V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MC74HC244ADWR2G - Logik, Puffer / Leitungstreiber, Empfänger, 74HC244, 2V bis 6V, SOIC-20
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: 74244
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74HC
Bauform - Logikbaustein: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74HC244
euEccn: NLR
Logikbaustein: Puffer/Leitungstreiber, nicht invertierend
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 6V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| BSS138 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BSS138 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 220 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - BSS138 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 220 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 184598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 37+ | 23.67 грн |
| 63+ | 13.59 грн |
| 129+ | 6.67 грн |
| 500+ | 5.84 грн |
| 1500+ | 5.07 грн |
| BSS138 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BSS138 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 220 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - BSS138 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 220 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 184598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 5.84 грн |
| 1500+ | 5.07 грн |
| BSS138K |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BSS138K - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 220 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - BSS138K - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 220 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 73817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 6.17 грн |
| 1500+ | 5.55 грн |
| BSS138L |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BSS138L - Leistungs-MOSFET, Trench, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.25V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - BSS138L - Leistungs-MOSFET, Trench, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.25V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 26135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 6.01 грн |
| 1500+ | 4.81 грн |
| NTMT045N065SC1 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMT045N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 39 A, 650 V, 0.033 ohm, TDFN
tariffCode: 85414900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TDFN
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NTMT045N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 39 A, 650 V, 0.033 ohm, TDFN
tariffCode: 85414900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TDFN
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 921.31 грн |
| 5+ | 814.48 грн |
| 10+ | 706.80 грн |
| 50+ | 622.19 грн |
| 100+ | 437.34 грн |
| 250+ | 428.55 грн |
| NTMT045N065SC1 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMT045N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 39 A, 650 V, 0.033 ohm, TDFN
tariffCode: 85414900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TDFN
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NTMT045N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 39 A, 650 V, 0.033 ohm, TDFN
tariffCode: 85414900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TDFN
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 706.80 грн |
| 50+ | 622.19 грн |
| 100+ | 437.34 грн |
| 250+ | 428.55 грн |
| MC74ACT08DR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC74ACT08DR2G - AND-Gatter, Baureihe 74ACT08, 2 Eingänge, 4.5V bis 5.5V Versorgungsspannung, SOIC-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: AND-Gatter
Logik-IC-Familie: 74ACT
Anzahl der Elemente: Vier
Bauform - Logikbaustein: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74ACT08
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MC74ACT08DR2G - AND-Gatter, Baureihe 74ACT08, 2 Eingänge, 4.5V bis 5.5V Versorgungsspannung, SOIC-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: AND-Gatter
Logik-IC-Familie: 74ACT
Anzahl der Elemente: Vier
Bauform - Logikbaustein: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74ACT08
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 13.16 грн |
| 500+ | 10.71 грн |
| 1000+ | 9.45 грн |
| N24C08UVTG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - N24C08UVTG - EEPROM, 8 KB, 1K x 8 Bit, I2C, 1 MHz, US8, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: US8
Speicherdichte: 8KB
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 1MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 8Kbit I2C Serial EEPROM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 1K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - N24C08UVTG - EEPROM, 8 KB, 1K x 8 Bit, I2C, 1 MHz, US8, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: US8
Speicherdichte: 8KB
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 1MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 8Kbit I2C Serial EEPROM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 1K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 14.61 грн |
| 500+ | 11.82 грн |
| 1000+ | 10.62 грн |
| N24C08UVTG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - N24C08UVTG - EEPROM, 8 KB, 1K x 8 Bit, I2C, 1 MHz, US8, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: US8
Speicherdichte: 8KB
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 1MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 8Kbit I2C Serial EEPROM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 1K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - N24C08UVTG - EEPROM, 8 KB, 1K x 8 Bit, I2C, 1 MHz, US8, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: US8
Speicherdichte: 8KB
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 1MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 8Kbit I2C Serial EEPROM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 1K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 53+ | 16.32 грн |
| 55+ | 15.55 грн |
| 100+ | 14.61 грн |
| 500+ | 11.82 грн |
| 1000+ | 10.62 грн |
| NSVBAS21AHT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSVBAS21AHT1G - Kleinsignaldiode, Einfach, 250 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 625 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 625mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 250V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NSVBAS21AHT1G - Kleinsignaldiode, Einfach, 250 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 625 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 625mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 250V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 4.02 грн |
| 1000+ | 3.43 грн |
| CAT93C66VI-GT3 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT93C66VI-GT3 - EEPROM, Microwire, 4 Kbit, 512 x 8 Bit / 256 x 16 Bit, Microwire, 2 MHz, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 4Kbit
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 2MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 4Kbit Microwire Serial EEPROM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: Microwire
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 512 x 8 Bit / 256 x 16 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - CAT93C66VI-GT3 - EEPROM, Microwire, 4 Kbit, 512 x 8 Bit / 256 x 16 Bit, Microwire, 2 MHz, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 4Kbit
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 2MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 4Kbit Microwire Serial EEPROM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: Microwire
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 512 x 8 Bit / 256 x 16 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 26.84 грн |
| 500+ | 24.28 грн |
| 1500+ | 21.83 грн |
| MMSD4148T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMSD4148T1G - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 200 mA, 1 V, 4 ns, 2 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MMSD4148T1G - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 200 mA, 1 V, 4 ns, 2 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 162535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 101+ | 8.51 грн |
| 245+ | 3.50 грн |
| 279+ | 3.07 грн |
| 1000+ | 2.52 грн |
| 13500+ | 1.02 грн |
| MMSD4148T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMSD4148T1G - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 200 mA, 1 V, 4 ns, 2 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MMSD4148T1G - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 200 mA, 1 V, 4 ns, 2 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 162535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 3.07 грн |
| 1000+ | 2.52 грн |
| 13500+ | 1.02 грн |
| NVE4153NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVE4153NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 26 V, 915 mA, 0.127 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 26V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 915mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 760mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.127ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NVE4153NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 26 V, 915 mA, 0.127 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 26V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 915mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 760mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.127ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 24.27 грн |
| MBR0540T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MBR0540T1G - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 500 mA, Einfach, SOD-123, 2 Pin(s), 510 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
Durchlassstoßstrom: 5.5A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 510mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MBR0540T1G - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 500 mA, Einfach, SOD-123, 2 Pin(s), 510 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
Durchlassstoßstrom: 5.5A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 510mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 123113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 11.88 грн |
| 500+ | 8.97 грн |
| 1500+ | 7.40 грн |
| SZMMSZ5253BT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SZMMSZ5253BT1G - Zener-Diode, 25 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SZMMSZ52xxxT1G Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 25V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - SZMMSZ5253BT1G - Zener-Diode, 25 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SZMMSZ52xxxT1G Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 25V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 4.30 грн |
| 1000+ | 3.85 грн |
| 5000+ | 2.92 грн |
| MMSZ5234BT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMSZ5234BT1G - Zener-Diode, 6.2 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MMSZxxxT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 6.2V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MMSZ5234BT1G - Zener-Diode, 6.2 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MMSZxxxT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 6.2V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 24434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 65+ | 13.33 грн |
| 109+ | 7.91 грн |
| 278+ | 3.08 грн |
| 1000+ | 2.63 грн |
| 10500+ | 1.07 грн |
| SMMUN2111LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SMMUN2111LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: Compute Module 3+ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - SMMUN2111LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: Compute Module 3+ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 62+ | 13.85 грн |
| SMUN5314DW1T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SMUN5314DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - SMUN5314DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 23460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 4.59 грн |
| 1000+ | 3.99 грн |
| 5000+ | 3.00 грн |
| MC7805BD2TR4G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC7805BD2TR4G - Linearer Festspannungsregler, 5V/1Aout, TO-263-3
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: Y-EX
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TO-263 (D2PAK)
Nennausgangsspannung: 5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 35V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 1A
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 7805 Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 1A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MC7805BD2TR4G - Linearer Festspannungsregler, 5V/1Aout, TO-263-3
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: Y-EX
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TO-263 (D2PAK)
Nennausgangsspannung: 5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 35V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 1A
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 7805 Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 1A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 31.54 грн |
| 500+ | 26.98 грн |
| 1000+ | 21.90 грн |
| 2500+ | 21.46 грн |
| NVMFS4C03NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS4C03NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 159 A, 0.0014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 159A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 77W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NVMFS4C03NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 159 A, 0.0014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 159A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 77W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 102.56 грн |
| 500+ | 70.87 грн |
| 1000+ | 62.93 грн |
| NVMFS4C03NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS4C03NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 159 A, 0.0014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 159A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 77W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NVMFS4C03NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 159 A, 0.0014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 159A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 77W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 222.21 грн |
| 10+ | 147.85 грн |
| 100+ | 102.56 грн |
| 500+ | 70.87 грн |
| 1000+ | 62.93 грн |
| BC818-40LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC818-40LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 25 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - BC818-40LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 25 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 131102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 2.60 грн |
| 1000+ | 2.10 грн |
| 5000+ | 1.58 грн |
| MMSZ4710T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMSZ4710T1G - Zener-Diode, 25 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MMSZ4xxxT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 25V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MMSZ4710T1G - Zener-Diode, 25 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MMSZ4xxxT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 25V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2044 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 4.29 грн |
| 1000+ | 3.85 грн |
| MMSZ4710T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMSZ4710T1G - Zener-Diode, 25 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MMSZ4xxxT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 25V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MMSZ4710T1G - Zener-Diode, 25 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MMSZ4xxxT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 25V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2044 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 53+ | 16.32 грн |
| 95+ | 9.06 грн |
| 181+ | 4.73 грн |
| 500+ | 4.29 грн |
| 1000+ | 3.85 грн |
| MC3302DR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC3302DR2G - Analoger Komparator, vierfach, Geringe Offset-Spannung, 4 Kanäle, 1.3 µs, 3V bis 30V, SOIC
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Komparatorausgang: CMOS, TTL
Versorgungsspannung: 3V bis 30V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Komparatortyp: Geringe Offset-Spannung
euEccn: NLR
Stromversorgung: Einfache & zweifache Spannungsversorgung
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ansprechzeit / Ausbreitungsverzögerung: 1.3µs
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MC3302DR2G - Analoger Komparator, vierfach, Geringe Offset-Spannung, 4 Kanäle, 1.3 µs, 3V bis 30V, SOIC
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Komparatorausgang: CMOS, TTL
Versorgungsspannung: 3V bis 30V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Komparatortyp: Geringe Offset-Spannung
euEccn: NLR
Stromversorgung: Einfache & zweifache Spannungsversorgung
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ansprechzeit / Ausbreitungsverzögerung: 1.3µs
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 34.10 грн |
| LM337BD2TR4G |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - LM337BD2TR4G - Linearer Spannungsregler, einstellbar, -1.2V bis -37V/1.5Aout, TO-263-3
tariffCode: 85423990
Ausgang: Einstellbar
rohsCompliant: Y-EX
Ausgangsspannung, min.: -1.2V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -37V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TO-263 (D2PAK)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: -40V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 1.5A
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 1.5A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - LM337BD2TR4G - Linearer Spannungsregler, einstellbar, -1.2V bis -37V/1.5Aout, TO-263-3
tariffCode: 85423990
Ausgang: Einstellbar
rohsCompliant: Y-EX
Ausgangsspannung, min.: -1.2V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -37V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TO-263 (D2PAK)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: -40V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 1.5A
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 1.5A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 51.11 грн |
| 250+ | 44.17 грн |
| 500+ | 41.39 грн |
| FDS4675 |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS4675 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 11 A, 0.013 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FDS4675 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 11 A, 0.013 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 56.41 грн |
| 500+ | 42.93 грн |
| 1000+ | 33.92 грн |
| NC7S14M5X |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7S14M5X - Inverter, Schmitt-Trigger, NC7S14, 1 Eingang, 2.6mA, 2V bis 6V, SOT-23-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 7S
Anzahl der Elemente: Eins
Bauform - Logikbaustein: SOT-23
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 2.6mA
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 7S14
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 6V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NC7S14M5X - Inverter, Schmitt-Trigger, NC7S14, 1 Eingang, 2.6mA, 2V bis 6V, SOT-23-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 7S
Anzahl der Elemente: Eins
Bauform - Logikbaustein: SOT-23
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 2.6mA
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 7S14
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 6V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 20539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 2.83 грн |
| 1000+ | 2.53 грн |
| 5000+ | 2.48 грн |
| BAV99LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BAV99LT1G - Kleinsignaldiode, Zweifach in Reihe, 70 V, 215 mA, 1.25 V, 6 ns, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 500mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 6ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 215mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAV99
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 70V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - BAV99LT1G - Kleinsignaldiode, Zweifach in Reihe, 70 V, 215 mA, 1.25 V, 6 ns, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 500mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 6ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 215mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAV99
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 70V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 3.74 грн |
| 1000+ | 2.45 грн |



































