Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (141208) > Сторінка 2253 з 2354

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 235 470 705 940 1175 1410 1645 1880 2115 2248 2249 2250 2251 2252 2253 2254 2255 2256 2257 2258 2350 2354  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
1N6291ARL4G ONSEMI ONSMS13621-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 1N6291ARL4G - 1N6291ARL4G, TVS
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 10620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MSB92ASWT1G MSB92ASWT1G ONSEMI 2371187.pdf Description: ONSEMI - MSB92ASWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 500 mA, 150 mW, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SC-70
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+21.30 грн
69+12.87 грн
111+8.00 грн
500+5.45 грн
1000+4.45 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
MSB92ASWT1G MSB92ASWT1G ONSEMI 2371187.pdf Description: ONSEMI - MSB92ASWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 500 mA, 150 mW, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SC-70
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+5.45 грн
1000+4.45 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MSB709-RT1G ONSEMI ONSM-S-A0013307633-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MSB709-RT1G - MSB709-RT1G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 578448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MSB92AWT1 ONSEMI ONSMS11041-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MSB92AWT1 - MSB92AWT1, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1098000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MSB710-RT1G ONSEMI ONSM-S-A0013579441-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MSB710-RT1G - MSB710-RT1G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+2.45 грн
Мінімальне замовлення: 15000
В кошику  од. на суму  грн.
MSB710-RT1 ONSEMI ONSM-S-A0013579441-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MSB710-RT1 - TRANS PNP 50V 0.5A SC-59
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+2.45 грн
Мінімальне замовлення: 15000
В кошику  од. на суму  грн.
MSB92T1G ONSEMI ONSMS24917-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - MSB92T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 192000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+2.45 грн
Мінімальне замовлення: 15000
В кошику  од. на суму  грн.
MSB92WT1 MSB92WT1 ONSEMI ONSMS11041-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MSB92WT1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 500 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 235970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MSB709-RT1 ONSEMI ONSM-S-A0013307633-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MSB709-RT1 - TRANS PNP 45V 0.1A SC59
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 131900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+2.45 грн
Мінімальне замовлення: 15000
В кошику  од. на суму  грн.
MSB709-RT2 ONSEMI ONSMS22292-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MSB709-RT2 - MSB709-RT2, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13889+2.45 грн
Мінімальне замовлення: 13889
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4847NT1G ONSEMI ONSM-S-A0013296068-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTMFS4847NT1G - NTMFS4847NT1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+30.79 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4847NAT1G ONSEMI ONSMS22425-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTMFS4847NAT1G - NTMFS4847NAT1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 164500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+30.79 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
PCA9654EDTR2G PCA9654EDTR2G ONSEMI ONSM-S-A0013274570-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - PCA9654EDTR2G - I/O-Erweiterung, 8 bit, I2C, SMBus, 1.65 V, 5.5 V, TSSOP, 16 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
Anzahl der Bits: 8bit
euEccn: NLR
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 8I/O's
Anzahl der Pins: 16Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, SMBus
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+157.95 грн
500+107.12 грн
1000+93.55 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS008P03P8Z NTTFS008P03P8Z ONSEMI 3005758.pdf Description: ONSEMI - NTTFS008P03P8Z - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 96 A, 3800 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 96A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+94.06 грн
500+70.94 грн
1000+63.13 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TN4033A ONSEMI FAIRS02620-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - TN4033A - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 99557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3562+9.58 грн
Мінімальне замовлення: 3562
В кошику  од. на суму  грн.
BC846BDW1T1G BC846BDW1T1G ONSEMI 2118315.pdf Description: ONSEMI - BC846BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Universal, Zweifach npn, 65 V, 100 mA, 380 mW
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 65V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: BCxxx Series
Verlustleistung, NPN: 380mW
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS1D7N10MCTXG NVBLS1D7N10MCTXG ONSEMI nvbls1d7n10mc-d.pdf Description: ONSEMI - NVBLS1D7N10MCTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 265 A, 1800 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 265A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 303W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+393.10 грн
100+317.67 грн
500+238.13 грн
1000+213.73 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS1D7N10MCTXG NVBLS1D7N10MCTXG ONSEMI nvbls1d7n10mc-d.pdf Description: ONSEMI - NVBLS1D7N10MCTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 265 A, 1800 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 265A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 303W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+501.35 грн
10+393.10 грн
100+317.67 грн
500+238.13 грн
1000+213.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MJB42CT4G MJB42CT4G ONSEMI mjb41c-d.pdf Description: ONSEMI - MJB42CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 6 A, 65 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NUD4001DR2G NUD4001DR2G ONSEMI ONSM-S-A0017011715-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: ONSEMI - NUD4001DR2G - LED-Treiber, linear, 3.6V bis 30Vin, 4 Ausgänge, 28Vout / 500mAout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 28V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 30V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 500mA
Eingangsspannung, min.: 3.6V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FXLH42245MPX FXLH42245MPX ONSEMI 2572394.pdf Description: ONSEMI - FXLH42245MPX - Spannungspegelumsetzer, bidirektional, 8 Eingänge, 1.1V-3.6V Versorgung, 3.9ns Verzögerung, MLP-24
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - Logikbaustein: MLP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.1V
Logiktyp: Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Ausbreitungsverzögerung: 3.9ns
Anzahl der Pins: 24Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Anzahl der Eingänge: 8Inputs
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+77.64 грн
14+63.80 грн
100+40.82 грн
500+35.93 грн
1000+25.78 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
FXL4245MPX FXL4245MPX ONSEMI 2724445.pdf Description: ONSEMI - FXL4245MPX - Niederspannungspegelumsetzer, 8 Eingänge, 3.5ns, 1.1V bis 3.6V, MLP-24
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - Logikbaustein: MLP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.1V
Logiktyp: Niederspannungspegelumsetzer
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Ausbreitungsverzögerung: 3.5ns
Anzahl der Pins: 24Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Anzahl der Eingänge: 8Inputs
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+78.62 грн
15+63.18 грн
100+40.37 грн
500+35.93 грн
1000+25.71 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8882 FDMC8882 ONSEMI fdmc8882-d.pdf Description: ONSEMI - FDMC8882 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16 A, 0.0124 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 18W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+96.72 грн
16+57.86 грн
100+42.33 грн
500+32.79 грн
1000+28.14 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NC7WZ04L6X NC7WZ04L6X ONSEMI 2288035.pdf Description: ONSEMI - NC7WZ04L6X - Inverter, NC7W04, 1 Eingang, 1.65V bis 5.5V, MLP-6
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 7WZ
Bauform - Logikbaustein: MLP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
IC-Gehäuse / Bauform: MLP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: 7W04
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl von Elementen: Zwei
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+55.90 грн
32+27.86 грн
100+15.53 грн
500+13.02 грн
1000+8.82 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
FXL4245MPX FXL4245MPX ONSEMI 2724445.pdf Description: ONSEMI - FXL4245MPX - Niederspannungspegelumsetzer, 8 Eingänge, 3.5ns, 1.1V bis 3.6V, MLP-24
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - Logikbaustein: MLP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.1V
Logiktyp: Niederspannungspegelumsetzer
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Ausbreitungsverzögerung: 3.5ns
Anzahl der Pins: 24Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Anzahl der Eingänge: 8Inputs
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+40.37 грн
500+35.93 грн
1000+25.71 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MC74HCT374ADWR2G MC74HCT374ADWR2G ONSEMI ONSMS39291-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - MC74HCT374ADWR2G - LEVEL SHIFTERS
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 45057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+27.95 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
MURD320T4G MURD320T4G ONSEMI 2354491.pdf Description: ONSEMI - MURD320T4G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 3 A, Einfach, 950 mV, 35 ns, 75 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Durchlassstoßstrom: 75A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: MURD3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+37.80 грн
30+30.52 грн
100+27.77 грн
500+25.46 грн
1000+23.05 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
MURD320T4G MURD320T4G ONSEMI 2354491.pdf Description: ONSEMI - MURD320T4G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 3 A, Einfach, 950 mV, 35 ns, 75 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Durchlassstoßstrom: 75A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: MURD3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.77 грн
500+25.46 грн
1000+23.05 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MC14093BDR2G MC14093BDR2G ONSEMI MC14093B-D.PDF Description: ONSEMI - MC14093BDR2G - NAND-Gatter, Schmitt-Trigger, MC14093, 2 Eingänge, 8.8mA, 3V bis 18V, SOIC-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: NAND-Gatter
Logik-IC-Familie: 4000B
Anzahl der Elemente: Vier
Bauform - Logikbaustein: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 8.8mA
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 4093
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 18V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.21 грн
500+17.55 грн
1000+15.06 грн
2500+13.46 грн
5000+13.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NCV7719DQAR2G NCV7719DQAR2G ONSEMI 2815762.pdf Description: ONSEMI - NCV7719DQAR2G - Motortreiber / Motorsteuerung AEC-Q100, DC-Bürstenmotor, 3.15V-5.25V, 40V/550mA/8 Ausgänge, SSOP-24
tariffCode: 85423990
IC-Typ: Half-Bridge Motor Driver
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 550mA
Motortyp: DC-Bürstenmotor
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 40V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3.15V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 8Ausgänge
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+241.87 грн
250+217.53 грн
500+209.16 грн
1000+174.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTB082N65S3F NTB082N65S3F ONSEMI ntb082n65s3f-d.pdf Description: ONSEMI - NTB082N65S3F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.07 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+637.12 грн
5+563.47 грн
10+488.93 грн
50+417.75 грн
100+329.33 грн
250+322.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTB082N65S3F NTB082N65S3F ONSEMI ntb082n65s3f-d.pdf Description: ONSEMI - NTB082N65S3F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.07 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+488.93 грн
50+417.75 грн
100+329.33 грн
250+322.49 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT064N65S3H NTMT064N65S3H ONSEMI ntmt064n65s3h-d.pdf Description: ONSEMI - NTMT064N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.052 ohm, TDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 260W
Bauform - Transistor: TDFN
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+522.65 грн
50+446.59 грн
100+360.52 грн
250+353.67 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT064N65S3H NTMT064N65S3H ONSEMI ntmt064n65s3h-d.pdf Description: ONSEMI - NTMT064N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.052 ohm, TDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 260W
Bauform - Transistor: TDFN
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+700.12 грн
5+611.39 грн
10+522.65 грн
50+446.59 грн
100+360.52 грн
250+353.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFD4D0N04HLTWG NTTFD4D0N04HLTWG ONSEMI nttfd4d0n04hl-d.pdf Description: ONSEMI - NTTFD4D0N04HLTWG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 60 A, 60 A, 0.0037 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0037ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 26W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: WQFN
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0037ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 26W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+88.47 грн
500+72.67 грн
1000+64.50 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS1D1N04XMT1G NTMFS1D1N04XMT1G ONSEMI ntmfs1d1n04xm-d.pdf Description: ONSEMI - NTMFS1D1N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 233 A, 0.00105 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 233A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00105ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+84.12 грн
500+77.70 грн
1000+70.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS1D3N04XMT1G NTMFS1D3N04XMT1G ONSEMI ntmfs1d3n04xm-d.pdf Description: ONSEMI - NTMFS1D3N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 0.0013 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+82.97 грн
500+65.34 грн
1000+55.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D7N04XLT1G NTMFS0D7N04XLT1G ONSEMI 4164771.pdf Description: ONSEMI - NTMFS0D7N04XLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 349 A, 700 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 349A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 700µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+220.06 грн
10+159.72 грн
100+118.91 грн
500+109.59 грн
1000+98.88 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D5N04XMT1G NTMFS0D5N04XMT1G ONSEMI 4164769.pdf Description: ONSEMI - NTMFS0D5N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 414 A, 520 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 414A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 163W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 520µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+191.67 грн
10+151.74 грн
100+121.57 грн
500+98.05 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D5N04XMT1G NTMFS0D5N04XMT1G ONSEMI 4164769.pdf Description: ONSEMI - NTMFS0D5N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 414 A, 520 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 414A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 163W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 520µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+121.57 грн
500+98.05 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS1D3N04XMT1G NTMFS1D3N04XMT1G ONSEMI ntmfs1d3n04xm-d.pdf Description: ONSEMI - NTMFS1D3N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 0.0013 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+163.27 грн
10+120.68 грн
100+82.97 грн
500+65.34 грн
1000+55.14 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS0D6N04CTXG NTMTS0D6N04CTXG ONSEMI ntmts0d6n04c-d.pdf Description: ONSEMI - NTMTS0D6N04CTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 533 A, 480 µohm, Power 88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 533A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: Power 88
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 480µohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVJD5121NT2G NVJD5121NT2G ONSEMI 4073644.pdf Description: ONSEMI - NVJD5121NT2G - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 295 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 295mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-88
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 5945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+34.96 грн
34+26.44 грн
100+14.73 грн
500+10.05 грн
1000+5.86 грн
5000+5.07 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
NVJD5121NT2G NVJD5121NT2G ONSEMI 4073644.pdf Description: ONSEMI - NVJD5121NT2G - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 295 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 295mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-88
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 5945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+10.05 грн
1000+5.86 грн
5000+5.07 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5263BT1 ONSEMI ONSMS21288-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMSZ5263BT1 - MMSZ5263BT1, ZENER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+2.45 грн
Мінімальне замовлення: 15000
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS1D5N08MC NTBLS1D5N08MC ONSEMI ntbls1d5n08mc-d.pdf Description: ONSEMI - NTBLS1D5N08MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 298 A, 1300 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 298A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+581.22 грн
5+483.61 грн
10+386.00 грн
50+329.59 грн
100+266.21 грн
250+260.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS1D5N08MC NTBLS1D5N08MC ONSEMI ntbls1d5n08mc-d.pdf Description: ONSEMI - NTBLS1D5N08MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 298 A, 1300 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 298A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+386.00 грн
50+329.59 грн
100+266.21 грн
250+260.88 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS6H850NTAG NTTFS6H850NTAG ONSEMI 2620004.pdf Description: ONSEMI - NTTFS6H850NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 68 A, 0.0085 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+137.54 грн
14+63.45 грн
100+46.41 грн
500+38.23 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS6H850NTAG NTTFS6H850NTAG ONSEMI 2620004.pdf Description: ONSEMI - NTTFS6H850NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 68 A, 0.0085 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+46.41 грн
500+38.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5D9N08HTWG NTTFS5D9N08HTWG ONSEMI nttfs5d9n08h-d.pdf Description: ONSEMI - NTTFS5D9N08HTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 84 A, 0.0046 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2074 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+180.13 грн
10+134.88 грн
100+96.72 грн
500+81.57 грн
1000+64.88 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5D9N08HTWG NTTFS5D9N08HTWG ONSEMI nttfs5d9n08h-d.pdf Description: ONSEMI - NTTFS5D9N08HTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 84 A, 0.0046 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2074 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+96.72 грн
500+81.57 грн
1000+64.88 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFWS1D5N08XT1G NTMFWS1D5N08XT1G ONSEMI 4018414.pdf Description: ONSEMI - NTMFWS1D5N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 253 A, 0.00143 ohm, DFNW-EP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 253A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 194W
Bauform - Transistor: DFNW-EP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00143ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+307.02 грн
10+212.08 грн
100+154.40 грн
500+117.00 грн
1000+101.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS3D0N08XT1G ONSEMI 4164747.pdf Description: ONSEMI - NTMFS3D0N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 154 A, 0.0026 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 154A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 133W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+195.22 грн
10+117.13 грн
100+94.95 грн
500+70.45 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS3D5N08XT1G ONSEMI 4164748.pdf Description: ONSEMI - NTMFS3D5N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 135 A, 0.003 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 135A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+78.53 грн
500+58.75 грн
1000+51.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFWS1D5N08XT1G NTMFWS1D5N08XT1G ONSEMI ntmfws1d5n08x-d.pdf Description: ONSEMI - NTMFWS1D5N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 253 A, 0.00143 ohm, DFNW-EP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 253A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 194W
Bauform - Transistor: DFNW-EP
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00143ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+151.74 грн
500+132.66 грн
1000+98.88 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS3D5N08XT1G ONSEMI 4164748.pdf Description: ONSEMI - NTMFS3D5N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 135 A, 0.003 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 135A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+151.74 грн
10+111.81 грн
100+78.53 грн
500+58.75 грн
1000+51.04 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS0D8N08XTXG NTBLS0D8N08XTXG ONSEMI ntbls0d8n08x-d.pdf Description: ONSEMI - NTBLS0D8N08XTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 457 A, 790 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 457A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 325W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 790µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+630.91 грн
5+546.61 грн
10+461.42 грн
50+405.39 грн
100+352.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS3D0N08XT1G NTMFS3D0N08XT1G ONSEMI 4164747.pdf Description: ONSEMI - NTMFS3D0N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 154 A, 2600 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 154A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 133W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+95.83 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS0D8N08XTXG NTBLS0D8N08XTXG ONSEMI ntbls0d8n08x-d.pdf Description: ONSEMI - NTBLS0D8N08XTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 457 A, 790 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 457A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 325W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 790µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+461.42 грн
50+405.39 грн
100+352.15 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
1N6291ARL4G ONSMS13621-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N6291ARL4G - 1N6291ARL4G, TVS
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 10620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+20.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MSB92ASWT1G 2371187.pdf
MSB92ASWT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MSB92ASWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 500 mA, 150 mW, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SC-70
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
42+21.30 грн
69+12.87 грн
111+8.00 грн
500+5.45 грн
1000+4.45 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
MSB92ASWT1G 2371187.pdf
MSB92ASWT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MSB92ASWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 500 mA, 150 mW, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SC-70
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+5.45 грн
1000+4.45 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MSB709-RT1G ONSM-S-A0013307633-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MSB709-RT1G - MSB709-RT1G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 578448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MSB92AWT1 ONSMS11041-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MSB92AWT1 - MSB92AWT1, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1098000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MSB710-RT1G ONSM-S-A0013579441-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MSB710-RT1G - MSB710-RT1G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15000+2.45 грн
Мінімальне замовлення: 15000
В кошику  од. на суму  грн.
MSB710-RT1 ONSM-S-A0013579441-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MSB710-RT1 - TRANS PNP 50V 0.5A SC-59
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15000+2.45 грн
Мінімальне замовлення: 15000
В кошику  од. на суму  грн.
MSB92T1G ONSMS24917-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MSB92T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 192000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15000+2.45 грн
Мінімальне замовлення: 15000
В кошику  од. на суму  грн.
MSB92WT1 ONSMS11041-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MSB92WT1
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MSB92WT1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 500 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 235970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MSB709-RT1 ONSM-S-A0013307633-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MSB709-RT1 - TRANS PNP 45V 0.1A SC59
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 131900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15000+2.45 грн
Мінімальне замовлення: 15000
В кошику  од. на суму  грн.
MSB709-RT2 ONSMS22292-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MSB709-RT2 - MSB709-RT2, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13889+2.45 грн
Мінімальне замовлення: 13889
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4847NT1G ONSM-S-A0013296068-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS4847NT1G - NTMFS4847NT1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
250+30.79 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4847NAT1G ONSMS22425-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS4847NAT1G - NTMFS4847NAT1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 164500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
250+30.79 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
PCA9654EDTR2G ONSM-S-A0013274570-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PCA9654EDTR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - PCA9654EDTR2G - I/O-Erweiterung, 8 bit, I2C, SMBus, 1.65 V, 5.5 V, TSSOP, 16 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
Anzahl der Bits: 8bit
euEccn: NLR
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 8I/O's
Anzahl der Pins: 16Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, SMBus
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+157.95 грн
500+107.12 грн
1000+93.55 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS008P03P8Z 3005758.pdf
NTTFS008P03P8Z
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTTFS008P03P8Z - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 96 A, 3800 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 96A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+94.06 грн
500+70.94 грн
1000+63.13 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TN4033A FAIRS02620-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - TN4033A - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 99557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3562+9.58 грн
Мінімальне замовлення: 3562
В кошику  од. на суму  грн.
BC846BDW1T1G 2118315.pdf
BC846BDW1T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC846BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Universal, Zweifach npn, 65 V, 100 mA, 380 mW
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 65V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: BCxxx Series
Verlustleistung, NPN: 380mW
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS1D7N10MCTXG nvbls1d7n10mc-d.pdf
NVBLS1D7N10MCTXG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVBLS1D7N10MCTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 265 A, 1800 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 265A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 303W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+393.10 грн
100+317.67 грн
500+238.13 грн
1000+213.73 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS1D7N10MCTXG nvbls1d7n10mc-d.pdf
NVBLS1D7N10MCTXG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVBLS1D7N10MCTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 265 A, 1800 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 265A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 303W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+501.35 грн
10+393.10 грн
100+317.67 грн
500+238.13 грн
1000+213.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MJB42CT4G mjb41c-d.pdf
MJB42CT4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJB42CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 6 A, 65 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NUD4001DR2G description ONSM-S-A0017011715-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NUD4001DR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NUD4001DR2G - LED-Treiber, linear, 3.6V bis 30Vin, 4 Ausgänge, 28Vout / 500mAout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 28V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 30V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 500mA
Eingangsspannung, min.: 3.6V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FXLH42245MPX 2572394.pdf
FXLH42245MPX
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FXLH42245MPX - Spannungspegelumsetzer, bidirektional, 8 Eingänge, 1.1V-3.6V Versorgung, 3.9ns Verzögerung, MLP-24
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - Logikbaustein: MLP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.1V
Logiktyp: Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Ausbreitungsverzögerung: 3.9ns
Anzahl der Pins: 24Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Anzahl der Eingänge: 8Inputs
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+77.64 грн
14+63.80 грн
100+40.82 грн
500+35.93 грн
1000+25.78 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
FXL4245MPX 2724445.pdf
FXL4245MPX
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FXL4245MPX - Niederspannungspegelumsetzer, 8 Eingänge, 3.5ns, 1.1V bis 3.6V, MLP-24
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - Logikbaustein: MLP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.1V
Logiktyp: Niederspannungspegelumsetzer
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Ausbreitungsverzögerung: 3.5ns
Anzahl der Pins: 24Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Anzahl der Eingänge: 8Inputs
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+78.62 грн
15+63.18 грн
100+40.37 грн
500+35.93 грн
1000+25.71 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8882 fdmc8882-d.pdf
FDMC8882
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMC8882 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16 A, 0.0124 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 18W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+96.72 грн
16+57.86 грн
100+42.33 грн
500+32.79 грн
1000+28.14 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NC7WZ04L6X 2288035.pdf
NC7WZ04L6X
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7WZ04L6X - Inverter, NC7W04, 1 Eingang, 1.65V bis 5.5V, MLP-6
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 7WZ
Bauform - Logikbaustein: MLP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
IC-Gehäuse / Bauform: MLP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: 7W04
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl von Elementen: Zwei
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+55.90 грн
32+27.86 грн
100+15.53 грн
500+13.02 грн
1000+8.82 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
FXL4245MPX 2724445.pdf
FXL4245MPX
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FXL4245MPX - Niederspannungspegelumsetzer, 8 Eingänge, 3.5ns, 1.1V bis 3.6V, MLP-24
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - Logikbaustein: MLP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.1V
Logiktyp: Niederspannungspegelumsetzer
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Ausbreitungsverzögerung: 3.5ns
Anzahl der Pins: 24Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Anzahl der Eingänge: 8Inputs
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+40.37 грн
500+35.93 грн
1000+25.71 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MC74HCT374ADWR2G ONSMS39291-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
MC74HCT374ADWR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC74HCT374ADWR2G - LEVEL SHIFTERS
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 45057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+27.95 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
MURD320T4G 2354491.pdf
MURD320T4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MURD320T4G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 3 A, Einfach, 950 mV, 35 ns, 75 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Durchlassstoßstrom: 75A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: MURD3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+37.80 грн
30+30.52 грн
100+27.77 грн
500+25.46 грн
1000+23.05 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
MURD320T4G 2354491.pdf
MURD320T4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MURD320T4G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 3 A, Einfach, 950 mV, 35 ns, 75 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Durchlassstoßstrom: 75A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: MURD3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+27.77 грн
500+25.46 грн
1000+23.05 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MC14093BDR2G MC14093B-D.PDF
MC14093BDR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC14093BDR2G - NAND-Gatter, Schmitt-Trigger, MC14093, 2 Eingänge, 8.8mA, 3V bis 18V, SOIC-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: NAND-Gatter
Logik-IC-Familie: 4000B
Anzahl der Elemente: Vier
Bauform - Logikbaustein: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 8.8mA
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 4093
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 18V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+21.21 грн
500+17.55 грн
1000+15.06 грн
2500+13.46 грн
5000+13.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NCV7719DQAR2G 2815762.pdf
NCV7719DQAR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV7719DQAR2G - Motortreiber / Motorsteuerung AEC-Q100, DC-Bürstenmotor, 3.15V-5.25V, 40V/550mA/8 Ausgänge, SSOP-24
tariffCode: 85423990
IC-Typ: Half-Bridge Motor Driver
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 550mA
Motortyp: DC-Bürstenmotor
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 40V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3.15V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 8Ausgänge
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+241.87 грн
250+217.53 грн
500+209.16 грн
1000+174.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTB082N65S3F ntb082n65s3f-d.pdf
NTB082N65S3F
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTB082N65S3F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.07 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+637.12 грн
5+563.47 грн
10+488.93 грн
50+417.75 грн
100+329.33 грн
250+322.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTB082N65S3F ntb082n65s3f-d.pdf
NTB082N65S3F
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTB082N65S3F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.07 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+488.93 грн
50+417.75 грн
100+329.33 грн
250+322.49 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT064N65S3H ntmt064n65s3h-d.pdf
NTMT064N65S3H
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMT064N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.052 ohm, TDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 260W
Bauform - Transistor: TDFN
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+522.65 грн
50+446.59 грн
100+360.52 грн
250+353.67 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT064N65S3H ntmt064n65s3h-d.pdf
NTMT064N65S3H
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMT064N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.052 ohm, TDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 260W
Bauform - Transistor: TDFN
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+700.12 грн
5+611.39 грн
10+522.65 грн
50+446.59 грн
100+360.52 грн
250+353.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFD4D0N04HLTWG nttfd4d0n04hl-d.pdf
NTTFD4D0N04HLTWG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTTFD4D0N04HLTWG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 60 A, 60 A, 0.0037 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0037ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 26W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: WQFN
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0037ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 26W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+88.47 грн
500+72.67 грн
1000+64.50 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS1D1N04XMT1G ntmfs1d1n04xm-d.pdf
NTMFS1D1N04XMT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS1D1N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 233 A, 0.00105 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 233A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00105ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+84.12 грн
500+77.70 грн
1000+70.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS1D3N04XMT1G ntmfs1d3n04xm-d.pdf
NTMFS1D3N04XMT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS1D3N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 0.0013 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+82.97 грн
500+65.34 грн
1000+55.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D7N04XLT1G 4164771.pdf
NTMFS0D7N04XLT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS0D7N04XLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 349 A, 700 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 349A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 700µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+220.06 грн
10+159.72 грн
100+118.91 грн
500+109.59 грн
1000+98.88 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D5N04XMT1G 4164769.pdf
NTMFS0D5N04XMT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS0D5N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 414 A, 520 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 414A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 163W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 520µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+191.67 грн
10+151.74 грн
100+121.57 грн
500+98.05 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D5N04XMT1G 4164769.pdf
NTMFS0D5N04XMT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS0D5N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 414 A, 520 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 414A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 163W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 520µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+121.57 грн
500+98.05 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS1D3N04XMT1G ntmfs1d3n04xm-d.pdf
NTMFS1D3N04XMT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS1D3N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 0.0013 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+163.27 грн
10+120.68 грн
100+82.97 грн
500+65.34 грн
1000+55.14 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS0D6N04CTXG ntmts0d6n04c-d.pdf
NTMTS0D6N04CTXG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMTS0D6N04CTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 533 A, 480 µohm, Power 88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 533A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: Power 88
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 480µohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVJD5121NT2G 4073644.pdf
NVJD5121NT2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVJD5121NT2G - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 295 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 295mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-88
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 5945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
26+34.96 грн
34+26.44 грн
100+14.73 грн
500+10.05 грн
1000+5.86 грн
5000+5.07 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
NVJD5121NT2G 4073644.pdf
NVJD5121NT2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVJD5121NT2G - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 295 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 295mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-88
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 5945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+10.05 грн
1000+5.86 грн
5000+5.07 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5263BT1 ONSMS21288-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMSZ5263BT1 - MMSZ5263BT1, ZENER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15000+2.45 грн
Мінімальне замовлення: 15000
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS1D5N08MC ntbls1d5n08mc-d.pdf
NTBLS1D5N08MC
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBLS1D5N08MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 298 A, 1300 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 298A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+581.22 грн
5+483.61 грн
10+386.00 грн
50+329.59 грн
100+266.21 грн
250+260.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS1D5N08MC ntbls1d5n08mc-d.pdf
NTBLS1D5N08MC
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBLS1D5N08MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 298 A, 1300 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 298A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+386.00 грн
50+329.59 грн
100+266.21 грн
250+260.88 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS6H850NTAG 2620004.pdf
NTTFS6H850NTAG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTTFS6H850NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 68 A, 0.0085 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+137.54 грн
14+63.45 грн
100+46.41 грн
500+38.23 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS6H850NTAG 2620004.pdf
NTTFS6H850NTAG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTTFS6H850NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 68 A, 0.0085 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+46.41 грн
500+38.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5D9N08HTWG nttfs5d9n08h-d.pdf
NTTFS5D9N08HTWG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTTFS5D9N08HTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 84 A, 0.0046 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2074 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+180.13 грн
10+134.88 грн
100+96.72 грн
500+81.57 грн
1000+64.88 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5D9N08HTWG nttfs5d9n08h-d.pdf
NTTFS5D9N08HTWG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTTFS5D9N08HTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 84 A, 0.0046 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2074 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+96.72 грн
500+81.57 грн
1000+64.88 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFWS1D5N08XT1G 4018414.pdf
NTMFWS1D5N08XT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFWS1D5N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 253 A, 0.00143 ohm, DFNW-EP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 253A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 194W
Bauform - Transistor: DFNW-EP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00143ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+307.02 грн
10+212.08 грн
100+154.40 грн
500+117.00 грн
1000+101.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS3D0N08XT1G 4164747.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS3D0N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 154 A, 0.0026 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 154A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 133W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+195.22 грн
10+117.13 грн
100+94.95 грн
500+70.45 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS3D5N08XT1G 4164748.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS3D5N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 135 A, 0.003 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 135A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+78.53 грн
500+58.75 грн
1000+51.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFWS1D5N08XT1G ntmfws1d5n08x-d.pdf
NTMFWS1D5N08XT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFWS1D5N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 253 A, 0.00143 ohm, DFNW-EP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 253A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 194W
Bauform - Transistor: DFNW-EP
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00143ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+151.74 грн
500+132.66 грн
1000+98.88 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS3D5N08XT1G 4164748.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS3D5N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 135 A, 0.003 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 135A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+151.74 грн
10+111.81 грн
100+78.53 грн
500+58.75 грн
1000+51.04 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS0D8N08XTXG ntbls0d8n08x-d.pdf
NTBLS0D8N08XTXG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBLS0D8N08XTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 457 A, 790 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 457A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 325W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 790µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+630.91 грн
5+546.61 грн
10+461.42 грн
50+405.39 грн
100+352.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS3D0N08XT1G 4164747.pdf
NTMFS3D0N08XT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS3D0N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 154 A, 2600 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 154A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 133W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+95.83 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS0D8N08XTXG ntbls0d8n08x-d.pdf
NTBLS0D8N08XTXG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBLS0D8N08XTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 457 A, 790 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 457A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 325W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 790µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+461.42 грн
50+405.39 грн
100+352.15 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 235 470 705 940 1175 1410 1645 1880 2115 2248 2249 2250 2251 2252 2253 2254 2255 2256 2257 2258 2350 2354  [ Наступна Сторінка >> ]