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NTMS4177PR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMS4177PR2G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11.4 A, 0.012 ohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2117 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NC7SZ373P6X | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NC7SZ373P6X - Latch, NC7S373, Typ D, Tri-State, 2.6 ns, 32 mA, SC-70tariffCode: 85423990 Logik-IC-Sockelnummer: 74373 rohsCompliant: YES Logik-IC-Familie: NC7S Bauform - Logikbaustein: SC-70 IC-Ausgang: Tri-State hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 32mA Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SC-70 Anzahl der Bits: 1bit MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.65V Logikfamilie / Sockelnummer: NC7S373 euEccn: NLR Ausbreitungsverzögerung: 2.6ns Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Latchtyp: Typ D Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2678 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MBRM120LT3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MBRM120LT3G - Schottky-Gleichrichterdiode, Universal, 20 V, 1 A, Einfach, DO-216AA, 2 Pin(s), 450 mVtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-216AA Durchlassstoßstrom: 50A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 450mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: MBRM1 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 10950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDLL914 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDLL914 - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 200 mA, 1 V, 4 ns, 4 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: LL-34 Durchlassstoßstrom: 4A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: 4ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: FDLL9 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 11337 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MBR230LSFT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MBR230LSFT1G - Schottky-Gleichrichterdiode, 30 V, 2 A, Einfach, SOD-123FL, 2 Pin(s), 430 mVtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-123FL Durchlassstoßstrom: 40A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 430mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: MBR23 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 30V Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 76453 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCV551SN50T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV551SN50T1G - LDO-Festspannungsregler, 6V bis 12Vin, 40mV Dropout, 5Vout und 150mAout, TSOP-5tariffCode: 85423990 Ausgang: Fest rohsCompliant: YES Ausgangsspannung, min.: - IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSOP Nennausgangsspannung: 5V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 12V euEccn: NLR Ausgangsstrom, max.: 150mA Polarität: Positiver Ausgang Eingangsspannung, min.: 6V Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: 5V 150mA LDO Voltage Regulators Ausgangsspannung, nom.: 5V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Ausgangsstrom, max.: 150mA Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 40mV Typische Dropout-Spannung bei Strom: 40mV Betriebstemperatur, max.: 125°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1795 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MBRD340T4G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MBRD340T4G - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 3 A, Einfach, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), 600 mVtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Durchlassstoßstrom: 75A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 600mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MBRD3 productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 40V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MBRD340T4G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MBRD340T4G - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 3 A, Einfach, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), 600 mVtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Durchlassstoßstrom: 75A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 600mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MBRD3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 2085 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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ES2B | ONSEMI |
Description: ONSEMI - ES2B - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 100 V, 2 A, Einfach, 900 mV, 20 ns, 50 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AA (SMB) Durchlassstoßstrom: 50A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 900mV Sperrverzögerungszeit: 20ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: ES2B productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 100V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 6027 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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ES2D | ONSEMI |
Description: ONSEMI - ES2D - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 900 mV, 20 ns, 50 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AA (SMB) Durchlassstoßstrom: 50A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 900mV Sperrverzögerungszeit: 20ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: ES2D productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 200V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 95684 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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ES3B | ONSEMI |
Description: ONSEMI - ES3B - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 100 V, 3 A, Einfach, 950 mV, 20 ns, 100 AtariffCode: 85369010 Bauform - Diode: DO-214AB (SMC) Durchlassstoßstrom: 100A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 950mV Sperrverzögerungszeit: 20ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: ES3B productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 100V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 17035 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BAV199LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BAV199LT1G - Kleinsignaldiode, Einpaarig in Reihe, 70 V, 215 mA, 1.25 V, 3 µs, 500 mAtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 Durchlassstoßstrom: 500mA rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einpaarig in Reihe Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 3µs usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 215mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BAV19 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 70V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 18095 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BAV199LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BAV199LT1G - Kleinsignaldiode, Einpaarig in Reihe, 70 V, 215 mA, 1.25 V, 3 µs, 500 mAtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 Durchlassstoßstrom: 500mA rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einpaarig in Reihe Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 3µs usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 215mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BAV19 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 70V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 18095 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NC7SZ126P5X.. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NC7SZ126P5X.. - Puffer, 1.65V bis 5.5V, SC-70-5tariffCode: 85423990 Logik-IC-Sockelnummer: - rohsCompliant: YES Logik-IC-Familie: NC7S Bauform - Logikbaustein: SC-70 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SC-70 MSL: - usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.65V Logikfamilie / Sockelnummer: - euEccn: NLR Logikbaustein: Puffer, nicht invertierend Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 8166 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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EMD4DXV6T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - EMD4DXV6T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohmtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-563 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1744 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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EMD4DXV6T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - EMD4DXV6T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohmtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-563 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1744 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BCP56-16T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BCP56-16T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 130MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 9068 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BCP56-16T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BCP56-16T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 130MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 9068 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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ES1D | ONSEMI |
Description: ONSEMI - ES1D - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 950 mV, 15 ns, 30 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 950mV Sperrverzögerungszeit: 15ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: ES1D productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 200V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 171569 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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3LP01SS-TL-H. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 3LP01SS-TL-H. - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 100 mA, 8 ohm, SC-81, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4mV euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SC-81 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm |
на замовлення 6017 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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3LP01SS-TL-H. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 3LP01SS-TL-H. - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 100 mA, 8 ohm, SC-81, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4mV euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SC-81 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm |
на замовлення 6017 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MMBF0201NLT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBF0201NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 300 mA, 1 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 8873 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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ES1J | ONSEMI |
Description: ONSEMI - ES1J - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.7 V, 35 ns, 30 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.7V Sperrverzögerungszeit: 35ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 160517 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCP718BSN330T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP718BSN330T1G - LDO-Festspannungsregler, 2.5V bis 24V, 275mV Dropout, 3.3V/300mAout, TSOT-23-5tariffCode: 85423990 Ausgang: Fest rohsCompliant: YES Ausgangsspannung, min.: - IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSOT-23 Nennausgangsspannung: 3.3V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 24V euEccn: NLR Ausgangsstrom, max.: 300mA Polarität: Positiver Ausgang Eingangsspannung, min.: 2.5V Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: 3.3V 300mA LDO Voltage Regulators Ausgangsspannung, nom.: 3.3V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Ausgangsstrom, max.: 300mA Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 275mV Typische Dropout-Spannung bei Strom: 275mV Betriebstemperatur, max.: 125°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1575 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCP718BSN330T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP718BSN330T1G - LDO-Festspannungsregler, 2.5V bis 24V, 275mV Dropout, 3.3V/300mAout, TSOT-23-5tariffCode: 85423990 Betriebstemperatur, max.: 125°C Einstellbare Ausgangsspannung, max.: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Anzahl der Pins: 5Pin(s) Betriebstemperatur, min.: -40°C Ausgangsstrom: 300mA Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 275mV MSL: MSL 1 - unbegrenzt Ausgang: Fest hazardous: false Eingangsspannung, max.: 24V IC-Montage: Oberflächenmontage Einstellbare Ausgangsspannung, min.: - Produktpalette: 3.3V 300mA LDO Voltage Regulators Ausgangsstrom, max.: 300mA euEccn: NLR Polarität: Positiver Ausgang Bauform - LDO-Regler: TSOT-23 rohsCompliant: YES Eingangsspannung, min.: 2.5V IC-Gehäuse / Bauform: TSOT-23 Ausgangsspannung, max.: - Nominelle feste Ausgangsspannung: 3.3V Ausgangsspannung, min.: - Dropout-Spannung Vdo: 275mV Nennausgangsspannung: 3.3V Ausgangsspannung, nom.: 3.3V Ausgangsstrom, max.: 300mA Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - usEccn: EAR99 Typische Dropout-Spannung bei Strom: 275mV SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1575 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MC78LC33NTRG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MC78LC33NTRG - LDO-Festspannungsregler, 4.3V bis 12V, 30mV Dropout, 3.3Vout, 80mAout, SOT-23-5tariffCode: 85423990 Ausgang: Fest rohsCompliant: YES Ausgangsspannung, min.: - IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23 Nennausgangsspannung: 3.3V MSL: - usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 12V euEccn: NLR Ausgangsstrom, max.: 100mA Polarität: Positiver Ausgang Eingangsspannung, min.: 4.3V Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: 3.3V 80mA LDO Voltage Regulators Ausgangsspannung, nom.: 3.3V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Ausgangsstrom, max.: 100mA Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 30mV Typische Dropout-Spannung bei Strom: 30mV Betriebstemperatur, max.: 85°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 3948 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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74LCX138MTCX | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 74LCX138MTCX - Decoder / Demultiplexer, 8 Ausgänge, 24 mA, 2 V bis 3,6 V, TSSOP-16tariffCode: 85423990 Logik-IC-Sockelnummer: 74138 rohsCompliant: YES Logik-IC-Familie: 74LCX Bauform - Logikbaustein: TSSOP hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP MSL: - usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2V Logikfamilie / Sockelnummer: 74LCX138 Logiktyp: Decoder euEccn: NLR Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C Anzahl der Ausgänge: 8Ausgänge SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2353 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDB33N25TM | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDB33N25TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 33 A, 0.094 ohm, TO-263AB, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 33A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 235W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.094ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 4492 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NVH4L023N065M3S | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVH4L023N065M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 67 A, 650 V, 0.033 ohm, TO-247tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 67A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 245W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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LL4148 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - LL4148 - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 200 mA, 1 V, 4 ns, 2 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-80 (MiniMELF) Durchlassstoßstrom: 2A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: 4ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: LL414 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 100V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 142500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MC74HC574ADTR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MC74HC574ADTR2G - Flipflop, 74HC574, D, 27 ns, 35 MHz, TSSOPtariffCode: 85423990 Logik-IC-Sockelnummer: 74574 rohsCompliant: YES Logik-IC-Familie: 74HC Bauform - Logikbaustein: TSSOP IC-Ausgang: Tri-State, nicht invertiert hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: - Qualifikation: - isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Frequenz: 35MHz Flip-Flop-Typ: D Betriebstemperatur, min.: -55°C Versorgungsspannung, min.: 2V Logikfamilie / Sockelnummer: 74HC574 euEccn: NLR Ausbreitungsverzögerung: 27ns Triggertyp: Positive Taktflanke Anzahl der Pins: 20Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 6V Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1135 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MMDL301T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMDL301T1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 10 mA, 600 mV, 150 °CtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-323 Durchlassstoßstrom: - rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 600mV Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: MMDL3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MMDL301T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMDL301T1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 10 mA, 600 mV, 150 °CtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-323 Durchlassstoßstrom: - rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 600mV Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: MMDL3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MURA140T3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MURA140T3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 400 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 65 ns, 35 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 35A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: 65ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 400V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: MURA1 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 4540 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NUF2221W1T2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NUF2221W1T2G - EMI Filter, 2 Kanäle, Terminierung für vorgeschalteten USB-Anschluss, ESD-Schutz, SOT-363-6tariffCode: 85423990 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Anzahl der Pins: 6Pin(s) Filterkreis: C-R-C Pi-Filter euEccn: NLR EMI-Filter: Terminierung für vorgeschalteten USB-Anschluss, EMI-Filter mit ESD Anzahl der Datenleitungen: 2 Datenleitungen hazardous: false Bauform - Filter: SOT-363 rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 141 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDS4935A | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS4935A - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7 AtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: - Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 10400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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LM317MBSTT3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - LM317MBSTT3G - Linearer Spannungsregler, einstellbar positiv, 1.2V bis 37V/500mAout, SOT-223-3tariffCode: 85423990 Ausgang: Einstellbar rohsCompliant: YES Ausgangsspannung, min.: 1.2V IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: 37V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: SOT-223 MSL: - usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 40V euEccn: NLR Ausgangsstrom, max.: 500mA Eingangsspannung, min.: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Ausgangsspannung, nom.: - productTraceability: No Ausgangsstrom, max.: 500mA Betriebstemperatur, max.: 125°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 7537 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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ES2A | ONSEMI |
Description: ONSEMI - ES2A - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 50 V, 2 A, Einfach, 950 mV, 20 ns, 50 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AA (SMB) Durchlassstoßstrom: 50A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 950mV Sperrverzögerungszeit: 20ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: ES2A productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 50V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1907 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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ES2A | ONSEMI |
Description: ONSEMI - ES2A - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 50 V, 2 A, Einfach, 950 mV, 20 ns, 50 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AA (SMB) Durchlassstoßstrom: 50A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 950mV Sperrverzögerungszeit: 20ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: ES2A productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 50V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1907 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NXH004P120M3F2PTHG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NXH004P120M3F2PTHG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 284 A, 1.2 kV, 5500 µohm, ModultariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 284A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR Verlustleistung: 785W Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 36Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MM5Z18VT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MM5Z18VT1G - Zener-Diode, Universal, 18 V, 500 mW, SOD-523, 2 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-523 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: MM5Z1 productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 18V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 42194 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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ES3D | ONSEMI |
Description: ONSEMI - ES3D - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 3 A, Einfach, 950 mV, 20 ns, 100 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AB (SMC) Durchlassstoßstrom: 100A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 950mV Sperrverzögerungszeit: 20ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: ES3D productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 200V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 36515 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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ES1B | ONSEMI |
Description: ONSEMI - ES1B - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 100 V, 1 A, Einfach, 950 mV, 15 ns, 30 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 950mV Sperrverzögerungszeit: 15ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: ES1B productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 100V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 69294 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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ES3J | ONSEMI |
Description: ONSEMI - ES3J - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 3 A, Einfach, 1.7 V, 45 ns, 100 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AB (SMC) Durchlassstoßstrom: 100A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.7V Sperrverzögerungszeit: 45ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: ES3J productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 25459 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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ES1A | ONSEMI |
Description: ONSEMI - ES1A - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 50 V, 1 A, Einfach, 920 mV, 15 ns, 30 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 920mV Sperrverzögerungszeit: 15ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: ES1A productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 50V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 30342 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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ES1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - ES1G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 400 V, 1 A, Einfach, 1.3 V, 35 ns, 30 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.3V Sperrverzögerungszeit: 35ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: ES1G productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 400V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 35441 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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ES1B | ONSEMI |
Description: ONSEMI - ES1B - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 100 V, 1 A, Einfach, 950 mV, 15 ns, 30 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 950mV Sperrverzögerungszeit: 15ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: ES1B productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 100V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 69294 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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ES1A | ONSEMI |
Description: ONSEMI - ES1A - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 50 V, 1 A, Einfach, 920 mV, 15 ns, 30 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 920mV Sperrverzögerungszeit: 15ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: ES1A productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 50V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 30742 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDD86102LZ | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.0178 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 54W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0178ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 1487 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCP110AMX280TBG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP110AMX280TBG - LDO-Festspannungsregler, 1.1V bis 5.5V, 45mV Dropout, 2.8V/200mAout, XDFN-4tariffCode: 85423990 Ausgang: Fest rohsCompliant: YES Ausgangsspannung, min.: - IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: XDFN Nennausgangsspannung: 0 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 5.5V euEccn: NLR Ausgangsstrom, max.: 200mA Polarität: Positiver Ausgang Eingangsspannung, min.: 1.1V Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: 2.8V 200mA LDO Voltage Regulators Ausgangsspannung, nom.: 2.8V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Ausgangsstrom, max.: 200mA Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 45mV Typische Dropout-Spannung bei Strom: 45mV Betriebstemperatur, max.: 125°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FIN1049MTCX | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FIN1049MTCX - LVDS-Treiber, LVDS-Leitungs-Transceiver, -40 °C, 85 °C, 3 V, 3.6 V, TSSOPtariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangspegel: LVDS Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 3V Anzahl der Bits: 2bit euEccn: NLR LVDS-IC: LVDS-Leitungs-Transceiver Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C Eingangspegel: LVTTL SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1666 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FIN1049MTCX | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FIN1049MTCX - LVDS-Treiber, LVDS-Leitungs-Transceiver, -40 °C, 85 °C, 3 V, 3.6 V, TSSOPtariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangspegel: LVDS Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 3V Anzahl der Bits: 2bit euEccn: NLR LVDS-IC: LVDS-Leitungs-Transceiver Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C Eingangspegel: LVTTL SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1666 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDN335N | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDN335N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.7 A, 0.07 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 68782 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DAP222T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - DAP222T1G - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Anode, 80 V, 100 mA, 1.2 V, 4 ns, 2 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-416 Durchlassstoßstrom: 2A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.2V Sperrverzögerungszeit: 4ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 80V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 41335 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NTMFS0D9N04XLT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS0D9N04XLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 278 A, 900 µohm, DFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 278A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NTMFS0D9N04XLT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS0D9N04XLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 278 A, 900 µohm, DFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 278A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NTMFS0D9N04XMT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS0D9N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 273 A, 900 µohm, DFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 273A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 121W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NTMFS0D9N04XMT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS0D9N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 273 A, 900 µohm, DFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 273A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 121W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MMSZ16T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMSZ16T1G - Zener-Diode, 16 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-123 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: MMSZxxxT1G productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 16V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 51753 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MBR140SFT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MBR140SFT1G - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 1 A, Einfach, SOD-123FL, 2 Pin(s), 550 mVtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-123FL Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 550mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: MBR14 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 40V Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 26351 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| NTMS4177PR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMS4177PR2G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11.4 A, 0.012 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NTMS4177PR2G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11.4 A, 0.012 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 46.85 грн |
| 500+ | 39.95 грн |
| 1000+ | 34.79 грн |
| NC7SZ373P6X |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7SZ373P6X - Latch, NC7S373, Typ D, Tri-State, 2.6 ns, 32 mA, SC-70
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: 74373
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: NC7S
Bauform - Logikbaustein: SC-70
IC-Ausgang: Tri-State
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 32mA
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
Anzahl der Bits: 1bit
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
Logikfamilie / Sockelnummer: NC7S373
euEccn: NLR
Ausbreitungsverzögerung: 2.6ns
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Latchtyp: Typ D
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NC7SZ373P6X - Latch, NC7S373, Typ D, Tri-State, 2.6 ns, 32 mA, SC-70
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: 74373
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: NC7S
Bauform - Logikbaustein: SC-70
IC-Ausgang: Tri-State
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 32mA
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
Anzahl der Bits: 1bit
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
Logikfamilie / Sockelnummer: NC7S373
euEccn: NLR
Ausbreitungsverzögerung: 2.6ns
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Latchtyp: Typ D
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 3.33 грн |
| 1000+ | 2.72 грн |
| MBRM120LT3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MBRM120LT3G - Schottky-Gleichrichterdiode, Universal, 20 V, 1 A, Einfach, DO-216AA, 2 Pin(s), 450 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-216AA
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 450mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MBRM1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MBRM120LT3G - Schottky-Gleichrichterdiode, Universal, 20 V, 1 A, Einfach, DO-216AA, 2 Pin(s), 450 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-216AA
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 450mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MBRM1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 10950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 20.90 грн |
| 500+ | 14.88 грн |
| 1000+ | 11.05 грн |
| 5000+ | 9.78 грн |
| FDLL914 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDLL914 - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 200 mA, 1 V, 4 ns, 4 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: LL-34
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: FDLL9
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FDLL914 - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 200 mA, 1 V, 4 ns, 4 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: LL-34
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: FDLL9
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 11337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 2.39 грн |
| 1000+ | 1.64 грн |
| 5000+ | 0.78 грн |
| MBR230LSFT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MBR230LSFT1G - Schottky-Gleichrichterdiode, 30 V, 2 A, Einfach, SOD-123FL, 2 Pin(s), 430 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123FL
Durchlassstoßstrom: 40A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 430mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MBR23
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MBR230LSFT1G - Schottky-Gleichrichterdiode, 30 V, 2 A, Einfach, SOD-123FL, 2 Pin(s), 430 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123FL
Durchlassstoßstrom: 40A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 430mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MBR23
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 76453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 16.72 грн |
| 500+ | 12.05 грн |
| 1500+ | 9.33 грн |
| NCV551SN50T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV551SN50T1G - LDO-Festspannungsregler, 6V bis 12Vin, 40mV Dropout, 5Vout und 150mAout, TSOP-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Nennausgangsspannung: 5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 12V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 150mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 6V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 5V 150mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 150mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 40mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 40mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NCV551SN50T1G - LDO-Festspannungsregler, 6V bis 12Vin, 40mV Dropout, 5Vout und 150mAout, TSOP-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Nennausgangsspannung: 5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 12V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 150mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 6V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 5V 150mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 150mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 40mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 40mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 28.74 грн |
| 500+ | 23.78 грн |
| 1000+ | 20.01 грн |
| MBRD340T4G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MBRD340T4G - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 3 A, Einfach, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), 600 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Durchlassstoßstrom: 75A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 600mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MBRD3
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MBRD340T4G - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 3 A, Einfach, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), 600 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Durchlassstoßstrom: 75A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 600mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MBRD3
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 27.35 грн |
| MBRD340T4G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MBRD340T4G - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 3 A, Einfach, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), 600 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Durchlassstoßstrom: 75A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 600mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MBRD3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MBRD340T4G - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 3 A, Einfach, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), 600 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Durchlassstoßstrom: 75A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 600mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MBRD3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 41.98 грн |
| 500+ | 30.73 грн |
| 1000+ | 25.31 грн |
| ES2B |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ES2B - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 100 V, 2 A, Einfach, 900 mV, 20 ns, 50 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 900mV
Sperrverzögerungszeit: 20ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: ES2B
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - ES2B - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 100 V, 2 A, Einfach, 900 mV, 20 ns, 50 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 900mV
Sperrverzögerungszeit: 20ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: ES2B
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 6027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 27+ | 32.31 грн |
| 50+ | 20.29 грн |
| 100+ | 18.55 грн |
| 500+ | 13.18 грн |
| 1500+ | 11.05 грн |
| ES2D |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ES2D - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 900 mV, 20 ns, 50 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 900mV
Sperrverzögerungszeit: 20ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: ES2D
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - ES2D - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 900 mV, 20 ns, 50 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 900mV
Sperrverzögerungszeit: 20ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: ES2D
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 95684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 29+ | 31.00 грн |
| 50+ | 18.29 грн |
| 100+ | 14.80 грн |
| 500+ | 12.29 грн |
| 1500+ | 10.90 грн |
| ES3B |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ES3B - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 100 V, 3 A, Einfach, 950 mV, 20 ns, 100 A
tariffCode: 85369010
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
Durchlassstoßstrom: 100A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 20ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: ES3B
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - ES3B - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 100 V, 3 A, Einfach, 950 mV, 20 ns, 100 A
tariffCode: 85369010
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
Durchlassstoßstrom: 100A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 20ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: ES3B
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 17035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18+ | 51.12 грн |
| 50+ | 35.18 грн |
| 100+ | 30.05 грн |
| 500+ | 21.67 грн |
| 1500+ | 17.99 грн |
| BAV199LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BAV199LT1G - Kleinsignaldiode, Einpaarig in Reihe, 70 V, 215 mA, 1.25 V, 3 µs, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 500mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einpaarig in Reihe
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 3µs
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 215mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAV19
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 70V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - BAV199LT1G - Kleinsignaldiode, Einpaarig in Reihe, 70 V, 215 mA, 1.25 V, 3 µs, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 500mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einpaarig in Reihe
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 3µs
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 215mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAV19
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 70V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 18095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 101+ | 8.67 грн |
| 177+ | 4.95 грн |
| 250+ | 4.16 грн |
| 1000+ | 2.66 грн |
| 9000+ | 1.27 грн |
| BAV199LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BAV199LT1G - Kleinsignaldiode, Einpaarig in Reihe, 70 V, 215 mA, 1.25 V, 3 µs, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 500mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einpaarig in Reihe
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 3µs
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 215mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAV19
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 70V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - BAV199LT1G - Kleinsignaldiode, Einpaarig in Reihe, 70 V, 215 mA, 1.25 V, 3 µs, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 500mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einpaarig in Reihe
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 3µs
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 215mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAV19
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 70V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 18095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 4.16 грн |
| 1000+ | 2.66 грн |
| 9000+ | 1.27 грн |
| NC7SZ126P5X.. |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7SZ126P5X.. - Puffer, 1.65V bis 5.5V, SC-70-5
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: -
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: NC7S
Bauform - Logikbaustein: SC-70
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
Logikfamilie / Sockelnummer: -
euEccn: NLR
Logikbaustein: Puffer, nicht invertierend
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NC7SZ126P5X.. - Puffer, 1.65V bis 5.5V, SC-70-5
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: -
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: NC7S
Bauform - Logikbaustein: SC-70
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
Logikfamilie / Sockelnummer: -
euEccn: NLR
Logikbaustein: Puffer, nicht invertierend
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 2.56 грн |
| 1000+ | 2.30 грн |
| 5000+ | 2.24 грн |
| EMD4DXV6T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - EMD4DXV6T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - EMD4DXV6T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 34+ | 25.78 грн |
| 56+ | 15.59 грн |
| 100+ | 10.10 грн |
| 500+ | 6.34 грн |
| 1000+ | 5.43 грн |
| EMD4DXV6T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - EMD4DXV6T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - EMD4DXV6T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 6.34 грн |
| 1000+ | 5.43 грн |
| BCP56-16T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BCP56-16T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - BCP56-16T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18+ | 49.47 грн |
| 28+ | 31.61 грн |
| 50+ | 26.47 грн |
| 200+ | 19.73 грн |
| 500+ | 14.18 грн |
| BCP56-16T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BCP56-16T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - BCP56-16T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 26.47 грн |
| 200+ | 19.73 грн |
| 500+ | 14.18 грн |
| ES1D |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ES1D - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 950 mV, 15 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 15ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: ES1D
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - ES1D - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 950 mV, 15 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 15ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: ES1D
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 171569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 29+ | 30.39 грн |
| 50+ | 20.47 грн |
| 250+ | 15.76 грн |
| 1000+ | 8.73 грн |
| 3000+ | 7.91 грн |
| 3LP01SS-TL-H. |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 3LP01SS-TL-H. - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 100 mA, 8 ohm, SC-81, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SC-81
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
Description: ONSEMI - 3LP01SS-TL-H. - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 100 mA, 8 ohm, SC-81, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SC-81
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
на замовлення 6017 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 87+ | 10.10 грн |
| 106+ | 8.28 грн |
| 107+ | 8.20 грн |
| 500+ | 7.53 грн |
| 1000+ | 6.14 грн |
| 5000+ | 4.56 грн |
| 3LP01SS-TL-H. |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 3LP01SS-TL-H. - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 100 mA, 8 ohm, SC-81, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SC-81
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
Description: ONSEMI - 3LP01SS-TL-H. - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 100 mA, 8 ohm, SC-81, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SC-81
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
на замовлення 6017 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 7.53 грн |
| 1000+ | 6.14 грн |
| 5000+ | 4.56 грн |
| MMBF0201NLT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBF0201NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 300 mA, 1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MMBF0201NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 300 mA, 1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 10.19 грн |
| 500+ | 7.07 грн |
| 1500+ | 5.74 грн |
| ES1J |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ES1J - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.7 V, 35 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.7V
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - ES1J - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.7 V, 35 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.7V
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 160517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 34+ | 25.78 грн |
| 50+ | 17.50 грн |
| 250+ | 13.41 грн |
| 1000+ | 7.80 грн |
| 3000+ | 7.14 грн |
| NCP718BSN330T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP718BSN330T1G - LDO-Festspannungsregler, 2.5V bis 24V, 275mV Dropout, 3.3V/300mAout, TSOT-23-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOT-23
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 24V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 2.5V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 300mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 275mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 275mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NCP718BSN330T1G - LDO-Festspannungsregler, 2.5V bis 24V, 275mV Dropout, 3.3V/300mAout, TSOT-23-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOT-23
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 24V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 2.5V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 300mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 275mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 275mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 63.57 грн |
| 21+ | 43.20 грн |
| 100+ | 28.04 грн |
| 500+ | 23.37 грн |
| 1000+ | 17.62 грн |
| NCP718BSN330T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP718BSN330T1G - LDO-Festspannungsregler, 2.5V bis 24V, 275mV Dropout, 3.3V/300mAout, TSOT-23-5
tariffCode: 85423990
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Ausgangsstrom: 300mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 275mV
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Ausgang: Fest
hazardous: false
Eingangsspannung, max.: 24V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Produktpalette: 3.3V 300mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsstrom, max.: 300mA
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Bauform - LDO-Regler: TSOT-23
rohsCompliant: YES
Eingangsspannung, min.: 2.5V
IC-Gehäuse / Bauform: TSOT-23
Ausgangsspannung, max.: -
Nominelle feste Ausgangsspannung: 3.3V
Ausgangsspannung, min.: -
Dropout-Spannung Vdo: 275mV
Nennausgangsspannung: 3.3V
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
usEccn: EAR99
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 275mV
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NCP718BSN330T1G - LDO-Festspannungsregler, 2.5V bis 24V, 275mV Dropout, 3.3V/300mAout, TSOT-23-5
tariffCode: 85423990
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Ausgangsstrom: 300mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 275mV
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Ausgang: Fest
hazardous: false
Eingangsspannung, max.: 24V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Produktpalette: 3.3V 300mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsstrom, max.: 300mA
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Bauform - LDO-Regler: TSOT-23
rohsCompliant: YES
Eingangsspannung, min.: 2.5V
IC-Gehäuse / Bauform: TSOT-23
Ausgangsspannung, max.: -
Nominelle feste Ausgangsspannung: 3.3V
Ausgangsspannung, min.: -
Dropout-Spannung Vdo: 275mV
Nennausgangsspannung: 3.3V
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
usEccn: EAR99
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 275mV
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 28.04 грн |
| 500+ | 23.37 грн |
| 1000+ | 17.62 грн |
| MC78LC33NTRG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC78LC33NTRG - LDO-Festspannungsregler, 4.3V bis 12V, 30mV Dropout, 3.3Vout, 80mAout, SOT-23-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 12V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 4.3V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 80mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 30mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 30mV
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MC78LC33NTRG - LDO-Festspannungsregler, 4.3V bis 12V, 30mV Dropout, 3.3Vout, 80mAout, SOT-23-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 12V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 4.3V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 80mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 30mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 30mV
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18+ | 49.64 грн |
| 50+ | 30.13 грн |
| 100+ | 25.87 грн |
| 500+ | 20.94 грн |
| 1500+ | 18.36 грн |
| 74LCX138MTCX |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 74LCX138MTCX - Decoder / Demultiplexer, 8 Ausgänge, 24 mA, 2 V bis 3,6 V, TSSOP-16
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: 74138
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74LCX
Bauform - Logikbaustein: TSSOP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74LCX138
Logiktyp: Decoder
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 8Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - 74LCX138MTCX - Decoder / Demultiplexer, 8 Ausgänge, 24 mA, 2 V bis 3,6 V, TSSOP-16
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: 74138
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74LCX
Bauform - Logikbaustein: TSSOP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74LCX138
Logiktyp: Decoder
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 8Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 27.00 грн |
| 500+ | 22.16 грн |
| 1000+ | 20.08 грн |
| FDB33N25TM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB33N25TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 33 A, 0.094 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 235W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.094ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FDB33N25TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 33 A, 0.094 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 235W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.094ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 220.33 грн |
| 10+ | 161.98 грн |
| 100+ | 109.73 грн |
| 500+ | 92.19 грн |
| 1000+ | 77.63 грн |
| NVH4L023N065M3S |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVH4L023N065M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 67 A, 650 V, 0.033 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NVH4L023N065M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 67 A, 650 V, 0.033 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1474.40 грн |
| 5+ | 1338.55 грн |
| 10+ | 1217.49 грн |
| 50+ | 1073.11 грн |
| 100+ | 939.81 грн |
| 250+ | 913.68 грн |
| LL4148 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - LL4148 - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 200 mA, 1 V, 4 ns, 2 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-80 (MiniMELF)
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: LL414
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - LL4148 - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 200 mA, 1 V, 4 ns, 2 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-80 (MiniMELF)
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: LL414
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 142500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 1.11 грн |
| 7500+ | 1.09 грн |
| MC74HC574ADTR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC74HC574ADTR2G - Flipflop, 74HC574, D, 27 ns, 35 MHz, TSSOP
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: 74574
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74HC
Bauform - Logikbaustein: TSSOP
IC-Ausgang: Tri-State, nicht invertiert
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Frequenz: 35MHz
Flip-Flop-Typ: D
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74HC574
euEccn: NLR
Ausbreitungsverzögerung: 27ns
Triggertyp: Positive Taktflanke
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 6V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MC74HC574ADTR2G - Flipflop, 74HC574, D, 27 ns, 35 MHz, TSSOP
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: 74574
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74HC
Bauform - Logikbaustein: TSSOP
IC-Ausgang: Tri-State, nicht invertiert
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Frequenz: 35MHz
Flip-Flop-Typ: D
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74HC574
euEccn: NLR
Ausbreitungsverzögerung: 27ns
Triggertyp: Positive Taktflanke
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 6V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 20.73 грн |
| 500+ | 16.98 грн |
| 1000+ | 15.15 грн |
| MMDL301T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMDL301T1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 10 mA, 600 mV, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: -
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 600mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MMDL3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - MMDL301T1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 10 mA, 600 mV, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: -
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 600mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MMDL3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 46+ | 19.07 грн |
| 97+ | 9.06 грн |
| 181+ | 4.82 грн |
| 500+ | 4.21 грн |
| 1500+ | 3.64 грн |
| MMDL301T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMDL301T1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 10 mA, 600 mV, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: -
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 600mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MMDL3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - MMDL301T1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 10 mA, 600 mV, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: -
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 600mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MMDL3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 4.21 грн |
| 1500+ | 3.64 грн |
| MURA140T3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MURA140T3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 400 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 65 ns, 35 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 35A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: 65ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 400V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MURA1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - MURA140T3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 400 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 65 ns, 35 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 35A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: 65ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 400V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MURA1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 4540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 24+ | 37.36 грн |
| 50+ | 21.60 грн |
| 250+ | 15.50 грн |
| 1000+ | 9.30 грн |
| 3000+ | 8.44 грн |
| NUF2221W1T2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NUF2221W1T2G - EMI Filter, 2 Kanäle, Terminierung für vorgeschalteten USB-Anschluss, ESD-Schutz, SOT-363-6
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Filterkreis: C-R-C Pi-Filter
euEccn: NLR
EMI-Filter: Terminierung für vorgeschalteten USB-Anschluss, EMI-Filter mit ESD
Anzahl der Datenleitungen: 2 Datenleitungen
hazardous: false
Bauform - Filter: SOT-363
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NUF2221W1T2G - EMI Filter, 2 Kanäle, Terminierung für vorgeschalteten USB-Anschluss, ESD-Schutz, SOT-363-6
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Filterkreis: C-R-C Pi-Filter
euEccn: NLR
EMI-Filter: Terminierung für vorgeschalteten USB-Anschluss, EMI-Filter mit ESD
Anzahl der Datenleitungen: 2 Datenleitungen
hazardous: false
Bauform - Filter: SOT-363
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 18.38 грн |
| FDS4935A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS4935A - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FDS4935A - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 10400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 114.96 грн |
| 50+ | 82.65 грн |
| 100+ | 55.21 грн |
| 500+ | 40.19 грн |
| 1000+ | 33.89 грн |
| LM317MBSTT3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - LM317MBSTT3G - Linearer Spannungsregler, einstellbar positiv, 1.2V bis 37V/500mAout, SOT-223-3
tariffCode: 85423990
Ausgang: Einstellbar
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 1.2V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 37V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-223
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 500mA
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: No
Ausgangsstrom, max.: 500mA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - LM317MBSTT3G - Linearer Spannungsregler, einstellbar positiv, 1.2V bis 37V/500mAout, SOT-223-3
tariffCode: 85423990
Ausgang: Einstellbar
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 1.2V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 37V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-223
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 500mA
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: No
Ausgangsstrom, max.: 500mA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7537 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 22.90 грн |
| 500+ | 20.70 грн |
| 1000+ | 18.66 грн |
| 2500+ | 18.14 грн |
| 5000+ | 17.69 грн |
| ES2A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ES2A - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 50 V, 2 A, Einfach, 950 mV, 20 ns, 50 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 20ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: ES2A
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 50V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - ES2A - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 50 V, 2 A, Einfach, 950 mV, 20 ns, 50 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 20ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: ES2A
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 50V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 26+ | 34.23 грн |
| 40+ | 22.03 грн |
| 100+ | 19.51 грн |
| 500+ | 15.12 грн |
| 1000+ | 12.17 грн |
| ES2A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ES2A - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 50 V, 2 A, Einfach, 950 mV, 20 ns, 50 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 20ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: ES2A
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 50V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - ES2A - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 50 V, 2 A, Einfach, 950 mV, 20 ns, 50 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 20ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: ES2A
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 50V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 19.51 грн |
| 500+ | 15.12 грн |
| 1000+ | 12.17 грн |
| NXH004P120M3F2PTHG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NXH004P120M3F2PTHG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 284 A, 1.2 kV, 5500 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 284A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 785W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NXH004P120M3F2PTHG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 284 A, 1.2 kV, 5500 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 284A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 785W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 17245.21 грн |
| 5+ | 16809.77 грн |
| 10+ | 16374.33 грн |
| MM5Z18VT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MM5Z18VT1G - Zener-Diode, Universal, 18 V, 500 mW, SOD-523, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MM5Z1
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 18V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MM5Z18VT1G - Zener-Diode, Universal, 18 V, 500 mW, SOD-523, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MM5Z1
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 18V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 42194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 4.22 грн |
| 1500+ | 3.05 грн |
| ES3D |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ES3D - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 3 A, Einfach, 950 mV, 20 ns, 100 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
Durchlassstoßstrom: 100A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 20ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: ES3D
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - ES3D - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 3 A, Einfach, 950 mV, 20 ns, 100 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
Durchlassstoßstrom: 100A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 20ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: ES3D
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 36515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17+ | 52.95 грн |
| 50+ | 35.01 грн |
| 100+ | 28.39 грн |
| 500+ | 19.41 грн |
| 1500+ | 15.53 грн |
| ES1B |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ES1B - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 100 V, 1 A, Einfach, 950 mV, 15 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 15ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: ES1B
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - ES1B - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 100 V, 1 A, Einfach, 950 mV, 15 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 15ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: ES1B
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 69294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 24+ | 36.49 грн |
| 50+ | 24.04 грн |
| 250+ | 15.24 грн |
| 1000+ | 8.49 грн |
| 3000+ | 7.69 грн |
| ES3J |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ES3J - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 3 A, Einfach, 1.7 V, 45 ns, 100 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
Durchlassstoßstrom: 100A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.7V
Sperrverzögerungszeit: 45ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: ES3J
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - ES3J - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 3 A, Einfach, 1.7 V, 45 ns, 100 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
Durchlassstoßstrom: 100A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.7V
Sperrverzögerungszeit: 45ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: ES3J
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 25459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 28+ | 31.53 грн |
| 50+ | 27.26 грн |
| 100+ | 26.21 грн |
| 500+ | 19.73 грн |
| 1500+ | 15.97 грн |
| ES1A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ES1A - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 50 V, 1 A, Einfach, 920 mV, 15 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 920mV
Sperrverzögerungszeit: 15ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: ES1A
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 50V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - ES1A - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 50 V, 1 A, Einfach, 920 mV, 15 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 920mV
Sperrverzögerungszeit: 15ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: ES1A
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 50V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 30342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 31+ | 28.65 грн |
| 64+ | 13.76 грн |
| 250+ | 11.50 грн |
| 1000+ | 9.78 грн |
| 3000+ | 8.96 грн |
| ES1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ES1G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 400 V, 1 A, Einfach, 1.3 V, 35 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: ES1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 400V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - ES1G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 400 V, 1 A, Einfach, 1.3 V, 35 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: ES1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 400V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 35441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 29+ | 30.39 грн |
| 50+ | 20.64 грн |
| 250+ | 15.76 грн |
| 1000+ | 8.41 грн |
| 3000+ | 7.61 грн |
| ES1B |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ES1B - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 100 V, 1 A, Einfach, 950 mV, 15 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 15ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: ES1B
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - ES1B - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 100 V, 1 A, Einfach, 950 mV, 15 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 15ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: ES1B
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 69294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 24.04 грн |
| 250+ | 15.24 грн |
| 1000+ | 8.49 грн |
| 3000+ | 7.69 грн |
| ES1A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ES1A - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 50 V, 1 A, Einfach, 920 mV, 15 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 920mV
Sperrverzögerungszeit: 15ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: ES1A
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 50V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - ES1A - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 50 V, 1 A, Einfach, 920 mV, 15 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 920mV
Sperrverzögerungszeit: 15ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: ES1A
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 50V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 30742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 13.85 грн |
| 250+ | 12.19 грн |
| 1000+ | 9.78 грн |
| 3000+ | 8.96 грн |
| FDD86102LZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.0178 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0178ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - FDD86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.0178 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0178ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 74.29 грн |
| 500+ | 57.74 грн |
| 1000+ | 50.83 грн |
| NCP110AMX280TBG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP110AMX280TBG - LDO-Festspannungsregler, 1.1V bis 5.5V, 45mV Dropout, 2.8V/200mAout, XDFN-4
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: XDFN
Nennausgangsspannung: 0
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 200mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.1V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: 2.8V 200mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 2.8V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 200mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 45mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 45mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NCP110AMX280TBG - LDO-Festspannungsregler, 1.1V bis 5.5V, 45mV Dropout, 2.8V/200mAout, XDFN-4
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: XDFN
Nennausgangsspannung: 0
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 200mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.1V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: 2.8V 200mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 2.8V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 200mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 45mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 45mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 21+ | 43.20 грн |
| 39+ | 22.64 грн |
| 100+ | 16.29 грн |
| 500+ | 13.50 грн |
| 1000+ | 10.90 грн |
| 5000+ | 7.91 грн |
| FIN1049MTCX |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FIN1049MTCX - LVDS-Treiber, LVDS-Leitungs-Transceiver, -40 °C, 85 °C, 3 V, 3.6 V, TSSOP
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangspegel: LVDS
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Anzahl der Bits: 2bit
euEccn: NLR
LVDS-IC: LVDS-Leitungs-Transceiver
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Eingangspegel: LVTTL
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - FIN1049MTCX - LVDS-Treiber, LVDS-Leitungs-Transceiver, -40 °C, 85 °C, 3 V, 3.6 V, TSSOP
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangspegel: LVDS
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Anzahl der Bits: 2bit
euEccn: NLR
LVDS-IC: LVDS-Leitungs-Transceiver
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Eingangspegel: LVTTL
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 215.98 грн |
| 10+ | 161.98 грн |
| 25+ | 148.92 грн |
| 50+ | 134.24 грн |
| 100+ | 110.48 грн |
| 250+ | 105.25 грн |
| 500+ | 101.52 грн |
| 1000+ | 98.53 грн |
| FIN1049MTCX |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FIN1049MTCX - LVDS-Treiber, LVDS-Leitungs-Transceiver, -40 °C, 85 °C, 3 V, 3.6 V, TSSOP
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangspegel: LVDS
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Anzahl der Bits: 2bit
euEccn: NLR
LVDS-IC: LVDS-Leitungs-Transceiver
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Eingangspegel: LVTTL
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - FIN1049MTCX - LVDS-Treiber, LVDS-Leitungs-Transceiver, -40 °C, 85 °C, 3 V, 3.6 V, TSSOP
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangspegel: LVDS
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Anzahl der Bits: 2bit
euEccn: NLR
LVDS-IC: LVDS-Leitungs-Transceiver
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Eingangspegel: LVTTL
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 110.48 грн |
| 250+ | 105.25 грн |
| 500+ | 101.52 грн |
| 1000+ | 98.53 грн |
| FDN335N |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN335N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.7 A, 0.07 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FDN335N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.7 A, 0.07 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 68782 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 21+ | 43.02 грн |
| 31+ | 28.74 грн |
| 100+ | 21.08 грн |
| 500+ | 15.28 грн |
| 1000+ | 12.69 грн |
| DAP222T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - DAP222T1G - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Anode, 80 V, 100 mA, 1.2 V, 4 ns, 2 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-416
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.2V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 80V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - DAP222T1G - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Anode, 80 V, 100 mA, 1.2 V, 4 ns, 2 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-416
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.2V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 80V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 41335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 2.71 грн |
| 1000+ | 1.96 грн |
| 5000+ | 1.43 грн |
| NTMFS0D9N04XLT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS0D9N04XLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 278 A, 900 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 278A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NTMFS0D9N04XLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 278 A, 900 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 278A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 147.18 грн |
| 500+ | 131.01 грн |
| 1000+ | 118.69 грн |
| NTMFS0D9N04XLT1G |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS0D9N04XLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 278 A, 900 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 278A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NTMFS0D9N04XLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 278 A, 900 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 278A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 257.78 грн |
| 10+ | 183.76 грн |
| 100+ | 147.18 грн |
| 500+ | 131.01 грн |
| 1000+ | 118.69 грн |
| NTMFS0D9N04XMT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS0D9N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 273 A, 900 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 273A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 121W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NTMFS0D9N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 273 A, 900 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 273A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 121W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 229.04 грн |
| 10+ | 157.63 грн |
| 100+ | 112.34 грн |
| 500+ | 87.34 грн |
| 1000+ | 77.63 грн |
| NTMFS0D9N04XMT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS0D9N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 273 A, 900 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 273A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 121W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NTMFS0D9N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 273 A, 900 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 273A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 121W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 112.34 грн |
| 500+ | 87.34 грн |
| 1000+ | 77.63 грн |
| MMSZ16T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMSZ16T1G - Zener-Diode, 16 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MMSZxxxT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 16V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MMSZ16T1G - Zener-Diode, 16 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MMSZxxxT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 16V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 51753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 2.45 грн |
| 1000+ | 1.90 грн |
| 5000+ | 1.49 грн |
| MBR140SFT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MBR140SFT1G - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 1 A, Einfach, SOD-123FL, 2 Pin(s), 550 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123FL
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 550mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MBR14
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MBR140SFT1G - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 1 A, Einfach, SOD-123FL, 2 Pin(s), 550 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123FL
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 550mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MBR14
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 26351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 35.62 грн |
| 50+ | 22.29 грн |
| 100+ | 17.77 грн |
| 500+ | 12.94 грн |
| 1500+ | 10.23 грн |


































