Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (141966) > Сторінка 2290 з 2367

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 236 472 708 944 1180 1416 1652 1888 2124 2285 2286 2287 2288 2289 2290 2291 2292 2293 2294 2295 2360 2367  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BD139G BD139G ONSEMI bd135-d.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; TO225
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 12.5W
Case: TO225
Current gain: 40...250
Mounting: THT
Kind of package: bulk
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+77.72 грн
10+43.96 грн
25+37.89 грн
100+31.00 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000-D26Z 2N7000-D26Z ONSEMI 2N7000_2N7002_NDS7002A.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1971 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+28.26 грн
24+17.71 грн
50+13.86 грн
100+12.38 грн
500+9.27 грн
1000+8.04 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000-D74Z 2N7000-D74Z ONSEMI 2N7000_2N7002_NDS7002A.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Kind of package: Ammo Pack
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000-D75Z 2N7000-D75Z ONSEMI 2N7000_2N7002_NDS7002A.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2009 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+33.56 грн
21+19.85 грн
27+15.66 грн
100+10.99 грн
500+7.71 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000BU 2N7000BU ONSEMI 2N7000TA.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110mA; Idm: 1A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.11A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Kind of package: bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000TA 2N7000TA ONSEMI 2N7000TA.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110mA; Idm: 1A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.11A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Kind of package: Ammo Pack
на замовлення 2011 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+25.61 грн
22+18.86 грн
26+15.83 грн
50+13.61 грн
100+11.73 грн
500+8.36 грн
1000+7.46 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BS170 BS170 ONSEMI BS170,MMBF170.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
на замовлення 15233 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
25+17.66 грн
35+11.73 грн
45+9.27 грн
100+7.13 грн
250+6.07 грн
500+5.58 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BS170-D75Z BS170-D75Z ONSEMI BS170,MMBF170.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
на замовлення 5967 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
27+16.78 грн
31+13.53 грн
100+10.41 грн
500+7.05 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
BS170-D26Z BS170-D26Z ONSEMI BS170,MMBF170.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
на замовлення 1781 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+26.49 грн
22+19.52 грн
25+16.40 грн
50+14.10 грн
100+12.05 грн
250+9.84 грн
500+8.53 грн
1000+7.46 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BS170-D27Z BS170-D27Z ONSEMI BS170,MMBF170.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
на замовлення 4377 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+28.26 грн
23+18.53 грн
28+14.76 грн
50+12.30 грн
100+10.41 грн
500+7.22 грн
1000+6.40 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BC807-40LT1G BC807-40LT1G ONSEMI BC807-xxL.pdf description Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 250...600
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 2678 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
50+8.83 грн
68+6.07 грн
80+5.17 грн
117+3.51 грн
139+2.97 грн
500+2.07 грн
1000+1.82 грн
1500+1.69 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
BC807-40LT3G BC807-40LT3G ONSEMI bc807-16lt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 250...600
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CAT24C08C4ATR ONSEMI CAT24C01-D.pdf Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 8kbEEPROM; I2C; 512x8bit; 1.7÷5.5V; 400kHz
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 8kb EEPROM
Interface: I2C
Memory organisation: 512x8bit
Operating voltage: 1.7...5.5V
Clock frequency: 400kHz
Mounting: SMD
Case: WLCSP4
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 900ns
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CAT24C08C4CTR ONSEMI CAT24C01-D.pdf Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 8kbEEPROM; I2C; 1024x8bit; 1.7÷5.5V; 400kHz
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 8kb EEPROM
Interface: I2C
Memory organisation: 1024x8bit
Operating voltage: 1.7...5.5V
Clock frequency: 400kHz
Mounting: SMD
Case: WLCSP4
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 900ns
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CAT24C08C5ATR ONSEMI CAT24C01-D.pdf Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 8kbEEPROM; I2C; 1024x8bit; 1.7÷5.5V; 400kHz
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 8kb EEPROM
Interface: I2C
Memory organisation: 1024x8bit
Operating voltage: 1.7...5.5V
Clock frequency: 400kHz
Mounting: SMD
Case: WLCSP5
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 900ns
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD14010STU BD14010STU ONSEMI BD136_138_140.pdf Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; TO126ISO
Current gain: 63...160
Collector-emitter voltage: 80V
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Type of transistor: PNP
Mounting: THT
Case: TO126ISO
Power dissipation: 12.5W
Collector current: 1.5A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD140G BD140G ONSEMI BD136G_BD140G.PDF Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; TO225
Current gain: 40...250
Collector-emitter voltage: 80V
Polarisation: bipolar
Kind of package: bulk
Type of transistor: PNP
Mounting: THT
Case: TO225
Power dissipation: 12.5W
Collector current: 1.5A
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+90.96 грн
10+46.66 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MMBD1401 MMBD1401 ONSEMI mmbd1405-d.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 200V; 0.2A; 50ns; SOT23; Ufmax: 1.1V; Ifsm: 2A
Max. forward voltage: 1.1V
Max. forward impulse current: 2A
Max. off-state voltage: 200V
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Mounting: SMD
Case: SOT23
Type of diode: switching
Capacitance: 2pF
Reverse recovery time: 50ns
Leakage current: 0.1µA
Load current: 0.2A
Power dissipation: 0.35W
на замовлення 2724 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
42+10.60 грн
65+6.40 грн
78+5.31 грн
100+4.85 грн
500+3.94 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
MMBD1403 MMBD1403 ONSEMI mmbd1405-d.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 200V; 0.2A; 50ns; SOT23; Ufmax: 1.1V; Ifsm: 2A
Max. forward voltage: 1.1V
Max. forward impulse current: 2A
Max. off-state voltage: 200V
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: double series
Mounting: SMD
Case: SOT23
Type of diode: switching
Capacitance: 2pF
Reverse recovery time: 50ns
Leakage current: 0.1µA
Load current: 0.2A
Power dissipation: 0.35W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBD1404 MMBD1404 ONSEMI mmbd1405-d.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 200V; 0.2A; 50ns; SOT23; Ufmax: 1.1V; Ifsm: 2A
Max. forward voltage: 1.1V
Max. forward impulse current: 2A
Max. off-state voltage: 200V
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: common cathode; double
Mounting: SMD
Case: SOT23
Type of diode: switching
Capacitance: 2pF
Reverse recovery time: 50ns
Leakage current: 0.1µA
Load current: 0.2A
Power dissipation: 0.35W
на замовлення 834 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
36+12.36 грн
42+9.84 грн
46+9.02 грн
59+6.95 грн
100+6.16 грн
500+4.58 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
MMBD1404A MMBD1404A ONSEMI mmbd1405a-d.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 175V; 0.6A; 50ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 2A
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 2A
Max. off-state voltage: 175V
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: common cathode; double
Mounting: SMD
Case: SOT23
Type of diode: switching
Capacitance: 2pF
Reverse recovery time: 50ns
Leakage current: 0.1µA
Load current: 0.6A
Power dissipation: 0.35W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBD1405 MMBD1405 ONSEMI mmbd1405-d.pdf FAIR-S-A0002364113-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 200V; 0.2A; 50ns; SOT23; Ufmax: 1.1V; Ifsm: 2A
Max. forward voltage: 1.1V
Max. forward impulse current: 2A
Max. off-state voltage: 200V
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: common anode; double
Mounting: SMD
Case: SOT23
Type of diode: switching
Capacitance: 2pF
Reverse recovery time: 50ns
Leakage current: 0.1µA
Load current: 0.2A
Power dissipation: 0.35W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N3904BU 2N3904BU ONSEMI 2N3904BU-DTE.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 1.5W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 1.5W
Case: TO92
Current gain: 100...300
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 300MHz
на замовлення 4309 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
25+17.66 грн
32+13.12 грн
36+11.40 грн
54+7.59 грн
100+6.36 грн
500+4.39 грн
1000+3.83 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
2N3904TFR 2N3904TFR ONSEMI pzt3904-d.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 1.5W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 1.5W
Case: TO92 Formed
Current gain: 100...300
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
на замовлення 671 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
39+11.48 грн
63+6.56 грн
86+4.79 грн
100+4.24 грн
500+3.39 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138L BSS138L ONSEMI BSS138L.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; Idm: 0.8A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 11315 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
42+10.60 грн
53+7.79 грн
67+6.13 грн
100+5.49 грн
250+4.67 грн
500+4.12 грн
1000+3.58 грн
3000+2.81 грн
6000+2.37 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138LT1G BSS138LT1G ONSEMI BSS138L.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 11128 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
36+12.36 грн
61+6.72 грн
80+5.18 грн
114+3.60 грн
250+2.96 грн
500+2.62 грн
1000+2.38 грн
3000+2.11 грн
6000+1.99 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138LT3G BSS138LT3G ONSEMI BSS138L.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; Idm: 0.8A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 7424 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
46+9.71 грн
65+6.31 грн
100+4.50 грн
500+2.77 грн
1000+2.53 грн
2500+2.27 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138W BSS138W ONSEMI bss138w-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.21A; 0.34W; SC70,SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.21A
Power dissipation: 0.34W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1859 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
24+18.55 грн
36+11.48 грн
44+9.35 грн
68+6.12 грн
100+5.31 грн
500+4.15 грн
1000+4.01 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ113 MMBFJ113 ONSEMI J111.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 2mA; 0.35W; SOT23; Igt: 50mA
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-JFET
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -35V
Drain current: 2mA
Gate current: 50mA
Power dissipation: 0.35W
On-state resistance: 100Ω
на замовлення 2955 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+26.49 грн
26+15.91 грн
33+12.79 грн
50+10.82 грн
100+9.27 грн
250+7.63 грн
500+6.72 грн
1000+6.40 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
1N4448TR 1N4448TR ONSEMI 1N91x_1N4x48.PDF Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 100V; 0.3A; reel,tape; Ifsm: 4A; DO35; Ir: 50uA
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.3A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: small signal
Capacitance: 2pF
Case: DO35
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 4A
Leakage current: 50µA
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.5W
на замовлення 9341 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
63+7.07 грн
125+3.28 грн
188+2.18 грн
228+1.80 грн
291+1.41 грн
500+1.16 грн
1000+0.95 грн
2000+0.86 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
LM2904DR2G LM2904DR2G ONSEMI lm358-d.pdf description Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 1MHz; Ch: 2; ±1.5÷16VDC,3÷32VDC; SO8
Type of integrated circuit: operational amplifier
Bandwidth: 1MHz
Mounting: SMT
Voltage supply range: ± 1.5...16V DC; 3...32V DC
Case: SO8
Operating temperature: -40...105°C
Slew rate: 0.3V/μs
Input offset voltage: 10mV
Kind of package: reel; tape
Input bias current: 50nA
Input offset current: 45...200nA
Number of channels: dual; 2
на замовлення 7472 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
24+18.55 грн
45+9.18 грн
48+8.59 грн
75+6.57 грн
100+6.27 грн
1000+4.50 грн
1300+4.35 грн
2500+4.21 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60SFDTU FGH40N60SFDTU ONSEMI FGH40N60SFD.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 116W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+339.13 грн
3+297.68 грн
10+254.22 грн
30+195.99 грн
90+186.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60SMD FGH40N60SMD ONSEMI FGH40N60SMD.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 174W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 127 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+325.88 грн
3+287.84 грн
10+253.40 грн
30+209.93 грн
120+197.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60UFDTU FGH40N60UFDTU ONSEMI FGH40N60UFD.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 116W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+188.11 грн
10+164.01 грн
30+147.61 грн
120+136.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FGAF40N60UFDTU ONSEMI FGAF40N60UFD.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 40W; TO3PF
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 40W
Case: TO3PF
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 20A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC78LC33NTRG MC78LC33NTRG ONSEMI MC78LCxx.pdf Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 3.3V; 80mA; TSOT23-5; SMD
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 53mV
Output voltage: 3.3V
Output current: 80mA
Case: TSOT23-5
Mounting: SMD
Manufacturer series: MC78LC00
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...85°C
Tolerance: ±2.5%
Number of channels: 1
Input voltage: 4.3...12V
на замовлення 2790 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+31.79 грн
18+23.95 грн
20+21.24 грн
25+21.16 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BCP53-10T1G BCP53-10T1G ONSEMI BCP53_ser.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1.5A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223-4; TO261-4
Current gain: 63...160
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
на замовлення 2223 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+38.86 грн
18+23.29 грн
50+16.57 грн
100+14.27 грн
200+12.55 грн
500+10.66 грн
1000+9.68 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BCP53-16T1G BCP53-16T1G ONSEMI BCP53_ser.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1.5A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223-4; TO261-4
Current gain: 100...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
на замовлення 232 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+22.96 грн
22+18.86 грн
25+16.98 грн
50+11.07 грн
100+9.02 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
LM2574DW-ADJR2G LM2574DW-ADJR2G ONSEMI LM2574.pdf Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: PMIC; DC/DC converter; Uin: 4.75÷40VDC; Uout: 1.23÷37VDC; 500mA
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: DC/DC converter
Input voltage: 4.75...40V DC
Output voltage: 1.23...37V DC
Output current: 0.5A
Case: SO16-W
Mounting: SMD
Topology: buck
Number of channels: 1
Kind of package: reel; tape
на замовлення 791 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+155.43 грн
5+115.63 грн
10+106.61 грн
25+98.41 грн
50+97.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
LM2574N-5G LM2574N-5G ONSEMI LM2574.pdf description Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: PMIC; DC/DC converter; Uin: 4.75÷40VDC; Uout: 5VDC; 500mA; DIP8; THT
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: DC/DC converter
Input voltage: 4.75...40V DC
Output voltage: 5V DC
Output current: 0.5A
Case: DIP8
Mounting: THT
Topology: buck
Number of channels: 1
Kind of package: tube
на замовлення 2107 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+99.79 грн
10+69.70 грн
50+59.86 грн
100+57.40 грн
250+56.58 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
LM2574N-ADJG LM2574N-ADJG ONSEMI LM2574.pdf Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: PMIC; DC/DC converter; Uin: 4.75÷40VDC; Uout: 1.23÷37VDC; 500mA
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: DC/DC converter
Input voltage: 4.75...40V DC
Output voltage: 1.23...37V DC
Output current: 0.5A
Case: DIP8
Mounting: THT
Topology: buck
Number of channels: 1
Kind of package: tube
на замовлення 634 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+115.69 грн
10+79.55 грн
50+70.52 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G BC856BDW1T1G ONSEMI bc856bdw1t1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 65V; 0.1A; 0.38W; SC70-6,SC88,SOT363
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.38W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 6649 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
50+8.83 грн
65+6.40 грн
88+4.69 грн
104+3.95 грн
500+2.65 грн
1000+2.26 грн
3000+1.85 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T3G BC856BDW1T3G ONSEMI bc856bdw1t1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 65V; 0.1A; 0.38W; SC70-6,SC88,SOT363
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.38W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BLT1G BC856BLT1G ONSEMI BC856_7_8.PDF Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BLT3G BC856BLT3G ONSEMI BC856_7_8.PDF Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BM3T5G BC856BM3T5G ONSEMI bc856bm3-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 0.265W; SOT723
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.265W
Case: SOT723
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 1981 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
42+10.60 грн
52+8.04 грн
59+7.05 грн
105+3.92 грн
500+2.66 грн
1000+2.29 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G ONSEMI MMBT2222.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
на замовлення 54435 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
50+8.83 грн
84+4.92 грн
153+2.69 грн
500+1.85 грн
1000+1.62 грн
3000+1.34 грн
6000+1.22 грн
9000+1.16 грн
24000+1.04 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222ALT3G MMBT2222ALT3G ONSEMI MMBT2222.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222ATT1G MMBT2222ATT1G ONSEMI MMBT2222ATT1G.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.15W; SC75,SOT416
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC75; SOT416
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
на замовлення 2578 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
46+9.71 грн
148+2.79 грн
166+2.48 грн
176+2.34 грн
500+2.03 грн
1000+1.90 грн
1500+1.84 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222AWT1G MMBT2222AWT1G ONSEMI MMBT2222AWT1G.pdf description Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
на замовлення 6639 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
50+8.83 грн
70+5.90 грн
105+3.92 грн
128+3.22 грн
500+2.10 грн
1000+1.78 грн
3000+1.41 грн
6000+1.25 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222AWT3G MMBT2222AWT3G ONSEMI MMBT2222AWT1G.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5408RLG 1N5408RLG ONSEMI 1N540x.PDF description Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; reel,tape; Ifsm: 200A; DO27; Ir: 50uA
Mounting: THT
Leakage current: 50µA
Max. forward voltage: 1V
Load current: 3A
Max. forward impulse current: 200A
Max. off-state voltage: 1kV
Kind of package: reel; tape
Case: DO27
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 1698 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+22.08 грн
40+10.33 грн
50+8.61 грн
100+7.87 грн
200+7.22 грн
250+7.05 грн
500+6.97 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FOD3120 FOD3120 ONSEMI FOD3120.pdf Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: transistor; 5kV; DIP8; 35kV/μs
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: THT
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 5kV
Case: DIP8
Slew rate: 35kV/μs
на замовлення 622 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+131.59 грн
10+95.95 грн
25+83.65 грн
50+77.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FOD3120SD FOD3120SD ONSEMI FOD3120SD.pdf Category: Optocouplers - digital output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: IGBT driver; 5kV; Gull wing 8; 35kV/μs
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Kind of output: IGBT driver
Insulation voltage: 5kV
Case: Gull wing 8
Slew rate: 35kV/μs
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+161.61 грн
5+120.55 грн
10+109.89 грн
100+77.91 грн
250+64.78 грн
500+55.76 грн
1000+49.20 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FOD3120SDV FOD3120SDV ONSEMI FOD3120SD.pdf Category: Optocouplers - digital output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: IGBT driver; 5kV; Gull wing 8; 35kV/μs
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Kind of output: IGBT driver
Insulation voltage: 5kV
Case: Gull wing 8
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 60ns
Slew rate: 35kV/μs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC74AC132DG MC74AC132DG ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE598B9E9389CADA11C&compId=MC74AC132DG.PDF?ci_sign=ce61ccd4472383711336117bf60a2304e63cb90f Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; NAND; Ch: 4; IN: 2; CMOS; SMD; SO14; 2÷6VDC; -40÷85°C; tube
Type of integrated circuit: digital
Number of channels: quad; 4
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: SO14
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 2...6V DC
Kind of gate: NAND
Kind of input: with Schmitt trigger
Family: AC
Number of inputs: 2
Kind of package: tube
на замовлення 379 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+38.86 грн
16+25.67 грн
25+23.29 грн
55+21.65 грн
110+21.40 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56-16T1G BCP56-16T1G ONSEMI BCP56_ser.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223-4; TO261-4
Current gain: 100...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 130MHz
на замовлення 7864 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+37.09 грн
19+22.55 грн
50+16.65 грн
100+14.76 грн
500+11.23 грн
1000+10.09 грн
2000+9.18 грн
3000+8.69 грн
5000+8.12 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56-16T3G BCP56-16T3G ONSEMI bcp56t1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223-4; TO261-4
Current gain: 100...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 130MHz
на замовлення 2720 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+36.21 грн
17+24.68 грн
50+16.98 грн
100+14.43 грн
250+11.81 грн
500+10.41 грн
1000+9.35 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SBCP56-16T1G SBCP56-16T1G ONSEMI BCP56_ser.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223-4; TO261-4
Current gain: 100...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 130MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K 2N7002K ONSEMI 2n7002k-fsc-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270mA; Idm: 5A; 420mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.27A
Pulsed drain current: 5A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 4163 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
23+19.43 грн
38+10.82 грн
59+7.04 грн
100+5.91 грн
500+4.12 грн
1000+3.64 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
BD139G bd135-d.pdf
BD139G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; TO225
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 12.5W
Case: TO225
Current gain: 40...250
Mounting: THT
Kind of package: bulk
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+77.72 грн
10+43.96 грн
25+37.89 грн
100+31.00 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000-D26Z 2N7000_2N7002_NDS7002A.PDF
2N7000-D26Z
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1971 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+28.26 грн
24+17.71 грн
50+13.86 грн
100+12.38 грн
500+9.27 грн
1000+8.04 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000-D74Z 2N7000_2N7002_NDS7002A.PDF
2N7000-D74Z
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Kind of package: Ammo Pack
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000-D75Z 2N7000_2N7002_NDS7002A.PDF
2N7000-D75Z
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2009 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+33.56 грн
21+19.85 грн
27+15.66 грн
100+10.99 грн
500+7.71 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000BU 2N7000TA.pdf
2N7000BU
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110mA; Idm: 1A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.11A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Kind of package: bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000TA 2N7000TA.pdf
2N7000TA
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110mA; Idm: 1A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.11A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Kind of package: Ammo Pack
на замовлення 2011 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+25.61 грн
22+18.86 грн
26+15.83 грн
50+13.61 грн
100+11.73 грн
500+8.36 грн
1000+7.46 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BS170 BS170,MMBF170.PDF
BS170
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
на замовлення 15233 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
25+17.66 грн
35+11.73 грн
45+9.27 грн
100+7.13 грн
250+6.07 грн
500+5.58 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BS170-D75Z BS170,MMBF170.PDF
BS170-D75Z
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
на замовлення 5967 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
27+16.78 грн
31+13.53 грн
100+10.41 грн
500+7.05 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
BS170-D26Z BS170,MMBF170.PDF
BS170-D26Z
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
на замовлення 1781 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+26.49 грн
22+19.52 грн
25+16.40 грн
50+14.10 грн
100+12.05 грн
250+9.84 грн
500+8.53 грн
1000+7.46 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BS170-D27Z BS170,MMBF170.PDF
BS170-D27Z
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
на замовлення 4377 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+28.26 грн
23+18.53 грн
28+14.76 грн
50+12.30 грн
100+10.41 грн
500+7.22 грн
1000+6.40 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BC807-40LT1G description BC807-xxL.pdf
BC807-40LT1G
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 250...600
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 2678 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+8.83 грн
68+6.07 грн
80+5.17 грн
117+3.51 грн
139+2.97 грн
500+2.07 грн
1000+1.82 грн
1500+1.69 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
BC807-40LT3G bc807-16lt1-d.pdf
BC807-40LT3G
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 250...600
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CAT24C08C4ATR CAT24C01-D.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 8kbEEPROM; I2C; 512x8bit; 1.7÷5.5V; 400kHz
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 8kb EEPROM
Interface: I2C
Memory organisation: 512x8bit
Operating voltage: 1.7...5.5V
Clock frequency: 400kHz
Mounting: SMD
Case: WLCSP4
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 900ns
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CAT24C08C4CTR CAT24C01-D.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 8kbEEPROM; I2C; 1024x8bit; 1.7÷5.5V; 400kHz
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 8kb EEPROM
Interface: I2C
Memory organisation: 1024x8bit
Operating voltage: 1.7...5.5V
Clock frequency: 400kHz
Mounting: SMD
Case: WLCSP4
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 900ns
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CAT24C08C5ATR CAT24C01-D.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 8kbEEPROM; I2C; 1024x8bit; 1.7÷5.5V; 400kHz
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 8kb EEPROM
Interface: I2C
Memory organisation: 1024x8bit
Operating voltage: 1.7...5.5V
Clock frequency: 400kHz
Mounting: SMD
Case: WLCSP5
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 900ns
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD14010STU BD136_138_140.pdf
BD14010STU
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; TO126ISO
Current gain: 63...160
Collector-emitter voltage: 80V
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Type of transistor: PNP
Mounting: THT
Case: TO126ISO
Power dissipation: 12.5W
Collector current: 1.5A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD140G BD136G_BD140G.PDF
BD140G
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; TO225
Current gain: 40...250
Collector-emitter voltage: 80V
Polarisation: bipolar
Kind of package: bulk
Type of transistor: PNP
Mounting: THT
Case: TO225
Power dissipation: 12.5W
Collector current: 1.5A
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+90.96 грн
10+46.66 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MMBD1401 mmbd1405-d.pdf
MMBD1401
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 200V; 0.2A; 50ns; SOT23; Ufmax: 1.1V; Ifsm: 2A
Max. forward voltage: 1.1V
Max. forward impulse current: 2A
Max. off-state voltage: 200V
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Mounting: SMD
Case: SOT23
Type of diode: switching
Capacitance: 2pF
Reverse recovery time: 50ns
Leakage current: 0.1µA
Load current: 0.2A
Power dissipation: 0.35W
на замовлення 2724 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
42+10.60 грн
65+6.40 грн
78+5.31 грн
100+4.85 грн
500+3.94 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
MMBD1403 mmbd1405-d.pdf
MMBD1403
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 200V; 0.2A; 50ns; SOT23; Ufmax: 1.1V; Ifsm: 2A
Max. forward voltage: 1.1V
Max. forward impulse current: 2A
Max. off-state voltage: 200V
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: double series
Mounting: SMD
Case: SOT23
Type of diode: switching
Capacitance: 2pF
Reverse recovery time: 50ns
Leakage current: 0.1µA
Load current: 0.2A
Power dissipation: 0.35W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBD1404 mmbd1405-d.pdf
MMBD1404
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 200V; 0.2A; 50ns; SOT23; Ufmax: 1.1V; Ifsm: 2A
Max. forward voltage: 1.1V
Max. forward impulse current: 2A
Max. off-state voltage: 200V
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: common cathode; double
Mounting: SMD
Case: SOT23
Type of diode: switching
Capacitance: 2pF
Reverse recovery time: 50ns
Leakage current: 0.1µA
Load current: 0.2A
Power dissipation: 0.35W
на замовлення 834 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
36+12.36 грн
42+9.84 грн
46+9.02 грн
59+6.95 грн
100+6.16 грн
500+4.58 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
MMBD1404A mmbd1405a-d.pdf
MMBD1404A
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 175V; 0.6A; 50ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 2A
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 2A
Max. off-state voltage: 175V
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: common cathode; double
Mounting: SMD
Case: SOT23
Type of diode: switching
Capacitance: 2pF
Reverse recovery time: 50ns
Leakage current: 0.1µA
Load current: 0.6A
Power dissipation: 0.35W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBD1405 mmbd1405-d.pdf FAIR-S-A0002364113-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
MMBD1405
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 200V; 0.2A; 50ns; SOT23; Ufmax: 1.1V; Ifsm: 2A
Max. forward voltage: 1.1V
Max. forward impulse current: 2A
Max. off-state voltage: 200V
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: common anode; double
Mounting: SMD
Case: SOT23
Type of diode: switching
Capacitance: 2pF
Reverse recovery time: 50ns
Leakage current: 0.1µA
Load current: 0.2A
Power dissipation: 0.35W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N3904BU 2N3904BU-DTE.pdf
2N3904BU
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 1.5W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 1.5W
Case: TO92
Current gain: 100...300
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 300MHz
на замовлення 4309 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
25+17.66 грн
32+13.12 грн
36+11.40 грн
54+7.59 грн
100+6.36 грн
500+4.39 грн
1000+3.83 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
2N3904TFR pzt3904-d.pdf
2N3904TFR
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 1.5W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 1.5W
Case: TO92 Formed
Current gain: 100...300
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
на замовлення 671 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
39+11.48 грн
63+6.56 грн
86+4.79 грн
100+4.24 грн
500+3.39 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138L BSS138L.PDF
BSS138L
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; Idm: 0.8A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 11315 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
42+10.60 грн
53+7.79 грн
67+6.13 грн
100+5.49 грн
250+4.67 грн
500+4.12 грн
1000+3.58 грн
3000+2.81 грн
6000+2.37 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138LT1G BSS138L.PDF
BSS138LT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 11128 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
36+12.36 грн
61+6.72 грн
80+5.18 грн
114+3.60 грн
250+2.96 грн
500+2.62 грн
1000+2.38 грн
3000+2.11 грн
6000+1.99 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138LT3G BSS138L.PDF
BSS138LT3G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; Idm: 0.8A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 7424 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
46+9.71 грн
65+6.31 грн
100+4.50 грн
500+2.77 грн
1000+2.53 грн
2500+2.27 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138W bss138w-d.pdf
BSS138W
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.21A; 0.34W; SC70,SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.21A
Power dissipation: 0.34W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1859 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
24+18.55 грн
36+11.48 грн
44+9.35 грн
68+6.12 грн
100+5.31 грн
500+4.15 грн
1000+4.01 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ113 J111.pdf
MMBFJ113
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 2mA; 0.35W; SOT23; Igt: 50mA
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-JFET
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -35V
Drain current: 2mA
Gate current: 50mA
Power dissipation: 0.35W
On-state resistance: 100Ω
на замовлення 2955 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+26.49 грн
26+15.91 грн
33+12.79 грн
50+10.82 грн
100+9.27 грн
250+7.63 грн
500+6.72 грн
1000+6.40 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
1N4448TR 1N91x_1N4x48.PDF
1N4448TR
Виробник: ONSEMI
Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 100V; 0.3A; reel,tape; Ifsm: 4A; DO35; Ir: 50uA
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.3A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: small signal
Capacitance: 2pF
Case: DO35
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 4A
Leakage current: 50µA
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.5W
на замовлення 9341 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
63+7.07 грн
125+3.28 грн
188+2.18 грн
228+1.80 грн
291+1.41 грн
500+1.16 грн
1000+0.95 грн
2000+0.86 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
LM2904DR2G description lm358-d.pdf
LM2904DR2G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 1MHz; Ch: 2; ±1.5÷16VDC,3÷32VDC; SO8
Type of integrated circuit: operational amplifier
Bandwidth: 1MHz
Mounting: SMT
Voltage supply range: ± 1.5...16V DC; 3...32V DC
Case: SO8
Operating temperature: -40...105°C
Slew rate: 0.3V/μs
Input offset voltage: 10mV
Kind of package: reel; tape
Input bias current: 50nA
Input offset current: 45...200nA
Number of channels: dual; 2
на замовлення 7472 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
24+18.55 грн
45+9.18 грн
48+8.59 грн
75+6.57 грн
100+6.27 грн
1000+4.50 грн
1300+4.35 грн
2500+4.21 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60SFDTU FGH40N60SFD.pdf
FGH40N60SFDTU
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 116W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+339.13 грн
3+297.68 грн
10+254.22 грн
30+195.99 грн
90+186.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60SMD FGH40N60SMD.pdf
FGH40N60SMD
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 174W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 127 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+325.88 грн
3+287.84 грн
10+253.40 грн
30+209.93 грн
120+197.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60UFDTU FGH40N60UFD.pdf
FGH40N60UFDTU
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 116W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+188.11 грн
10+164.01 грн
30+147.61 грн
120+136.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FGAF40N60UFDTU FGAF40N60UFD.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 40W; TO3PF
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 40W
Case: TO3PF
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 20A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC78LC33NTRG MC78LCxx.pdf
MC78LC33NTRG
Виробник: ONSEMI
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 3.3V; 80mA; TSOT23-5; SMD
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 53mV
Output voltage: 3.3V
Output current: 80mA
Case: TSOT23-5
Mounting: SMD
Manufacturer series: MC78LC00
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...85°C
Tolerance: ±2.5%
Number of channels: 1
Input voltage: 4.3...12V
на замовлення 2790 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+31.79 грн
18+23.95 грн
20+21.24 грн
25+21.16 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BCP53-10T1G BCP53_ser.pdf
BCP53-10T1G
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1.5A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223-4; TO261-4
Current gain: 63...160
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
на замовлення 2223 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+38.86 грн
18+23.29 грн
50+16.57 грн
100+14.27 грн
200+12.55 грн
500+10.66 грн
1000+9.68 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BCP53-16T1G BCP53_ser.pdf
BCP53-16T1G
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1.5A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223-4; TO261-4
Current gain: 100...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
на замовлення 232 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+22.96 грн
22+18.86 грн
25+16.98 грн
50+11.07 грн
100+9.02 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
LM2574DW-ADJR2G LM2574.pdf
LM2574DW-ADJR2G
Виробник: ONSEMI
Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: PMIC; DC/DC converter; Uin: 4.75÷40VDC; Uout: 1.23÷37VDC; 500mA
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: DC/DC converter
Input voltage: 4.75...40V DC
Output voltage: 1.23...37V DC
Output current: 0.5A
Case: SO16-W
Mounting: SMD
Topology: buck
Number of channels: 1
Kind of package: reel; tape
на замовлення 791 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+155.43 грн
5+115.63 грн
10+106.61 грн
25+98.41 грн
50+97.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
LM2574N-5G description LM2574.pdf
LM2574N-5G
Виробник: ONSEMI
Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: PMIC; DC/DC converter; Uin: 4.75÷40VDC; Uout: 5VDC; 500mA; DIP8; THT
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: DC/DC converter
Input voltage: 4.75...40V DC
Output voltage: 5V DC
Output current: 0.5A
Case: DIP8
Mounting: THT
Topology: buck
Number of channels: 1
Kind of package: tube
на замовлення 2107 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+99.79 грн
10+69.70 грн
50+59.86 грн
100+57.40 грн
250+56.58 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
LM2574N-ADJG LM2574.pdf
LM2574N-ADJG
Виробник: ONSEMI
Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: PMIC; DC/DC converter; Uin: 4.75÷40VDC; Uout: 1.23÷37VDC; 500mA
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: DC/DC converter
Input voltage: 4.75...40V DC
Output voltage: 1.23...37V DC
Output current: 0.5A
Case: DIP8
Mounting: THT
Topology: buck
Number of channels: 1
Kind of package: tube
на замовлення 634 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+115.69 грн
10+79.55 грн
50+70.52 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G bc856bdw1t1-d.pdf
BC856BDW1T1G
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 65V; 0.1A; 0.38W; SC70-6,SC88,SOT363
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.38W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 6649 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+8.83 грн
65+6.40 грн
88+4.69 грн
104+3.95 грн
500+2.65 грн
1000+2.26 грн
3000+1.85 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T3G bc856bdw1t1-d.pdf
BC856BDW1T3G
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 65V; 0.1A; 0.38W; SC70-6,SC88,SOT363
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.38W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BLT1G BC856_7_8.PDF
BC856BLT1G
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BLT3G BC856_7_8.PDF
BC856BLT3G
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BM3T5G bc856bm3-d.pdf
BC856BM3T5G
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 0.265W; SOT723
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.265W
Case: SOT723
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 1981 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
42+10.60 грн
52+8.04 грн
59+7.05 грн
105+3.92 грн
500+2.66 грн
1000+2.29 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222ALT1G MMBT2222.PDF
MMBT2222ALT1G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
на замовлення 54435 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+8.83 грн
84+4.92 грн
153+2.69 грн
500+1.85 грн
1000+1.62 грн
3000+1.34 грн
6000+1.22 грн
9000+1.16 грн
24000+1.04 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222ALT3G MMBT2222.PDF
MMBT2222ALT3G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222ATT1G MMBT2222ATT1G.PDF
MMBT2222ATT1G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.15W; SC75,SOT416
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC75; SOT416
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
на замовлення 2578 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
46+9.71 грн
148+2.79 грн
166+2.48 грн
176+2.34 грн
500+2.03 грн
1000+1.90 грн
1500+1.84 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222AWT1G description MMBT2222AWT1G.pdf
MMBT2222AWT1G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
на замовлення 6639 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+8.83 грн
70+5.90 грн
105+3.92 грн
128+3.22 грн
500+2.10 грн
1000+1.78 грн
3000+1.41 грн
6000+1.25 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222AWT3G MMBT2222AWT1G.pdf
MMBT2222AWT3G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5408RLG description 1N540x.PDF
1N5408RLG
Виробник: ONSEMI
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; reel,tape; Ifsm: 200A; DO27; Ir: 50uA
Mounting: THT
Leakage current: 50µA
Max. forward voltage: 1V
Load current: 3A
Max. forward impulse current: 200A
Max. off-state voltage: 1kV
Kind of package: reel; tape
Case: DO27
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 1698 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+22.08 грн
40+10.33 грн
50+8.61 грн
100+7.87 грн
200+7.22 грн
250+7.05 грн
500+6.97 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FOD3120 FOD3120.pdf
FOD3120
Виробник: ONSEMI
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: transistor; 5kV; DIP8; 35kV/μs
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: THT
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 5kV
Case: DIP8
Slew rate: 35kV/μs
на замовлення 622 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+131.59 грн
10+95.95 грн
25+83.65 грн
50+77.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FOD3120SD FOD3120SD.pdf
FOD3120SD
Виробник: ONSEMI
Category: Optocouplers - digital output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: IGBT driver; 5kV; Gull wing 8; 35kV/μs
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Kind of output: IGBT driver
Insulation voltage: 5kV
Case: Gull wing 8
Slew rate: 35kV/μs
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+161.61 грн
5+120.55 грн
10+109.89 грн
100+77.91 грн
250+64.78 грн
500+55.76 грн
1000+49.20 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FOD3120SDV FOD3120SD.pdf
FOD3120SDV
Виробник: ONSEMI
Category: Optocouplers - digital output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: IGBT driver; 5kV; Gull wing 8; 35kV/μs
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Kind of output: IGBT driver
Insulation voltage: 5kV
Case: Gull wing 8
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 60ns
Slew rate: 35kV/μs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC74AC132DG pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE598B9E9389CADA11C&compId=MC74AC132DG.PDF?ci_sign=ce61ccd4472383711336117bf60a2304e63cb90f
MC74AC132DG
Виробник: ONSEMI
Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; NAND; Ch: 4; IN: 2; CMOS; SMD; SO14; 2÷6VDC; -40÷85°C; tube
Type of integrated circuit: digital
Number of channels: quad; 4
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: SO14
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 2...6V DC
Kind of gate: NAND
Kind of input: with Schmitt trigger
Family: AC
Number of inputs: 2
Kind of package: tube
на замовлення 379 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+38.86 грн
16+25.67 грн
25+23.29 грн
55+21.65 грн
110+21.40 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56-16T1G BCP56_ser.pdf
BCP56-16T1G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223-4; TO261-4
Current gain: 100...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 130MHz
на замовлення 7864 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+37.09 грн
19+22.55 грн
50+16.65 грн
100+14.76 грн
500+11.23 грн
1000+10.09 грн
2000+9.18 грн
3000+8.69 грн
5000+8.12 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56-16T3G bcp56t1-d.pdf
BCP56-16T3G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223-4; TO261-4
Current gain: 100...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 130MHz
на замовлення 2720 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+36.21 грн
17+24.68 грн
50+16.98 грн
100+14.43 грн
250+11.81 грн
500+10.41 грн
1000+9.35 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SBCP56-16T1G BCP56_ser.pdf
SBCP56-16T1G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223-4; TO261-4
Current gain: 100...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 130MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K 2n7002k-fsc-d.pdf
2N7002K
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270mA; Idm: 5A; 420mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.27A
Pulsed drain current: 5A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 4163 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
23+19.43 грн
38+10.82 грн
59+7.04 грн
100+5.91 грн
500+4.12 грн
1000+3.64 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 236 472 708 944 1180 1416 1652 1888 2124 2285 2286 2287 2288 2289 2290 2291 2292 2293 2294 2295 2360 2367  [ Наступна Сторінка >> ]