Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (147005) > Сторінка 2357 з 2451

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 245 490 735 980 1225 1470 1715 1960 2205 2352 2353 2354 2355 2356 2357 2358 2359 2360 2361 2362 2450 2451  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NSVR0340HT1G NSVR0340HT1G ONSEMI 1840608.pdf Description: ONSEMI - NSVR0340HT1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 40 V, 250 mA, 590 mV, 1 A, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 1A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 590mV
Sperrverzögerungszeit: 5ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 250mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
48+17.09 грн
76+10.83 грн
130+6.30 грн
500+5.27 грн
1000+4.38 грн
Мінімальне замовлення: 48
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4152PT1G NTJD4152PT1G ONSEMI ONSM-S-A0013300652-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTJD4152PT1G - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 880 mA, 880 mA, 0.215 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 880mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 880mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.215ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 272mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.215ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 272mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 35542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.84 грн
500+11.79 грн
1000+9.91 грн
5000+6.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
LM2594DADJR2G LM2594DADJR2G ONSEMI 1712843.pdf Description: ONSEMI - LM2594DADJR2G - DC/DC-Abwärts-Schaltregler (Buck), einstellbar, 4.5V-40Vin, 1.23V-37Vout, 500mAout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Ausgang: Einstellbar
Ausgangsspannung, min.: 1.23V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 37V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 150kHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 4.5V
Topologie: Buck (Abwärts)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 500mA
Wirkungsgrad: 80%
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+94.49 грн
250+76.75 грн
500+71.87 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C300CTWG NSS1C300CTWG ONSEMI 4424009.pdf Description: ONSEMI - NSS1C300CTWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 5 W, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: e2PowerEdge Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+116.41 грн
12+70.98 грн
100+47.05 грн
500+34.70 грн
1000+29.45 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MBR1100RLG MBR1100RLG ONSEMI 2353751.pdf Description: ONSEMI - MBR1100RLG - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 1 A, Einfach, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 790 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 790mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 7735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+34.19 грн
35+23.44 грн
100+20.51 грн
500+15.72 грн
1000+11.51 грн
5000+9.49 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
MICROFJ-SMTPA-30035-GEVB MICROFJ-SMTPA-30035-GEVB ONSEMI 2704145.pdf Description: ONSEMI - MICROFJ-SMTPA-30035-GEVB - Evaluationsboard, SiPM-Sensor MicroFJ-30035, 3 Durchsteckstifte, Vorspannung
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: MICROFJ-30035-TSV
Kit-Anwendungsbereich: Sensor
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Leiterplatte: Evaluationsboard
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard MICROFJ-30035-TSV
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Silizium-Photomultiplier-Sensor (SiPM)
hazardous: false
Verwendeter IC / verwendetes Modul: MicroFJ-30035-TSV
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: J-Series SiPM Sensor
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6313.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NCV7343MW0R2G NCV7343MW0R2G ONSEMI 3191494.pdf Description: ONSEMI - NCV7343MW0R2G - CAN-Schnittstelle, CAN-FD-Transceiver, 5 Mbps, 4.5 V, 5.5 V, DFNW, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: DFNW
Übertragungsrate, max.: 5Mbps
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
IC-Schnittstelle: CAN
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Anzahl der Empfänger: 1Receivers
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Anzahl der RX-Puffer: -
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Treiber: 1Treiber
CAN-Schnittstellen-IC: CAN-FD-Transceiver
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Bauform - Schnittstellenbaustein: DFNW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der TX-Puffer: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+59.79 грн
250+48.01 грн
500+46.68 грн
1000+43.75 грн
2500+40.82 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NCV7343MW0R2G NCV7343MW0R2G ONSEMI 3191494.pdf Description: ONSEMI - NCV7343MW0R2G - CAN-Schnittstelle, CAN-FD-Transceiver, 5 Mbps, 4.5 V, 5.5 V, DFNW, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: DFNW
Übertragungsrate, max.: 5Mbps
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Anzahl der Empfänger: 1Receivers
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Treiber: 1Treiber
CAN-Schnittstellen-IC: CAN-FD-Transceiver
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+138.39 грн
11+80.35 грн
50+72.37 грн
100+59.79 грн
250+48.01 грн
500+46.68 грн
1000+43.75 грн
2500+40.82 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MC74HC04ADR2G MC74HC04ADR2G ONSEMI 1833440.pdf Description: ONSEMI - MC74HC04ADR2G - Inverter, 74HC04, 1 Eingang, 5.2mA, 2V bis 6V, SOIC-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 74HC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 5.2mA
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74HC04
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 6V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl von Elementen: Sechs
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.60 грн
500+14.29 грн
1000+11.65 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MC74HC04ADTR2G MC74HC04ADTR2G ONSEMI 1833440.pdf Description: ONSEMI - MC74HC04ADTR2G - Inverter, Baureihe 74HC04, 1 Eingang, 2V bis 6V Versorgungsspannung, 5.2mAout, TSSOP-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 74HC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 5.2mA
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74HC04
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 6V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl von Elementen: Sechs
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.05 грн
500+22.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117T4G MJD117T4G ONSEMI MJD112-D.PDF Description: ONSEMI - MJD117T4G - Darlington-Transistor, PNP, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.75W
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1093 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+36.79 грн
500+26.99 грн
1000+22.75 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20200LT1G NSS20200LT1G ONSEMI 1840610.pdf Description: ONSEMI - NSS20200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 20 V, 2 A, 710 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.99 грн
500+9.68 грн
1500+8.37 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12200LT1G NSS12200LT1G ONSEMI 2337905.pdf Description: ONSEMI - NSS12200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 2 A, 460 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+14.33 грн
500+12.32 грн
1000+10.54 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12200LT1G NSS12200LT1G ONSEMI 2337905.pdf Description: ONSEMI - NSS12200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 2 A, 460 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+41.92 грн
31+27.11 грн
100+14.33 грн
500+12.32 грн
1000+10.54 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C13NTAG NTTFS4C13NTAG ONSEMI ONSM-S-A0017604458-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTTFS4C13NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38 A, 0.0075 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 21.5W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5C632NLT4G NTD5C632NLT4G ONSEMI ntd5c632nl-d.pdf Description: ONSEMI - NTD5C632NLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 155 A, 0.0021 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 155A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+153.04 грн
10+109.90 грн
100+82.22 грн
500+57.75 грн
1000+51.84 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5C632NLT4G NTD5C632NLT4G ONSEMI ntd5c632nl-d.pdf Description: ONSEMI - NTD5C632NLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 155 A, 0.0021 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 155A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 115W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0021ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+82.22 грн
500+57.75 грн
1000+51.84 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FODM452R2 FODM452R2 ONSEMI 2304143.pdf Description: ONSEMI - FODM452R2 - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, SOP, 5 Pin(s), 50 mA, 3.75 kV, 20 %
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 20%
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 3.75kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: -
Bauform - Optokoppler: SOP
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+82.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BC848CLT1G BC848CLT1G ONSEMI 2237008.pdf Description: ONSEMI - BC848CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 30 V, 100MHz, 300mW, 100mA, 100hFE
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 103890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
78+10.50 грн
126+6.47 грн
202+4.04 грн
500+2.71 грн
1500+2.21 грн
Мінімальне замовлення: 78
В кошику  од. на суму  грн.
S1G S1G ONSEMI S1A-S1M%20N0560%20REV.B.pdf Description: ONSEMI - S1G - Diode mit Standard-Erholzeit, 400 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 1.8 µs, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: 1.8µs
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 400V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: S1 Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 32401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+18.64 грн
65+12.54 грн
114+7.20 грн
500+6.01 грн
1000+4.65 грн
5000+3.60 грн
Мінімальне замовлення: 44
В кошику  од. на суму  грн.
SMS12CT1G SMS12CT1G ONSEMI ONSM-S-A0013902917-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - SMS12CT1G - TVS-Diode, SMS05C, Unidirektional, 12 V, 23 V, TSOP, 6 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TSOP
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 13.3V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 15V
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 12V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 350W
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: SMS05C
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 23V
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMS12CT1G SMS12CT1G ONSEMI ONSM-S-A0013902917-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - SMS12CT1G - TVS-Diode, SMS05C, Unidirektional, 12 V, 23 V, TSOP, 6 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TSOP
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 13.3V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 15V
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 12V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 350W
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: SMS05C
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 23V
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ4696T1G MMSZ4696T1G ONSEMI mmsz4678t1-d.pdf Description: ONSEMI - MMSZ4696T1G - Zener-Diode, 9.1 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MMSZxxxT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 9.1V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+2.34 грн
1500+2.07 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MM3Z9V1T1G MM3Z9V1T1G ONSEMI MM3ZyyyT1G_SZMM3ZyyyT1G_Series_rev.11_Sep2014.pdf Description: ONSEMI - MM3Z9V1T1G - Zener-Diode, 9.1 V, 300 mW, SOD-323, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MM3Z9
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 9.1V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 13375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+2.24 грн
1500+2.00 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MM5Z9V1T1G MM5Z9V1T1G ONSEMI 2236793.pdf Description: ONSEMI - MM5Z9V1T1G - Zener-Diode, 9.1 V, 200 mW, SOD-523, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MM5ZxxxT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 9.1V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
87+9.36 грн
112+7.30 грн
228+3.57 грн
500+3.25 грн
1000+2.93 грн
Мінімальне замовлення: 87
В кошику  од. на суму  грн.
MC33064D-5R2G MC33064D-5R2G ONSEMI 2337890.pdf description Description: ONSEMI - MC33064D-5R2G - Unterspannungserkennungsschaltung, 1V-6.5Vsupp., 4.61V Schwellenspannung, Active-Low-Reset, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Reset-Schwellenspannung, min.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verzögerungszeit: -
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Reset-Ausgang: Aktiv-Low
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der überwachten Spannungen: 1Monitors
Reset-Schwellenspannung, nom.: 4.59V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 6.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.60 грн
500+23.58 грн
1000+19.82 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMUN5135DW1T1G NSVMUN5135DW1T1G ONSEMI 2338005.pdf Description: ONSEMI - NSVMUN5135DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach pnp, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+4.28 грн
1000+3.47 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201LT1G NSS1C201LT1G ONSEMI 2237006.pdf Description: ONSEMI - NSS1C201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 490 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 490mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 110MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.70 грн
500+11.34 грн
1500+9.98 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSR02301MX4T5G NSR02301MX4T5G ONSEMI 4032169.pdf Description: ONSEMI - NSR02301MX4T5G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 200 mA, 540 mV, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: X4DFN
Durchlassstoßstrom: -
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 540mV
Sperrverzögerungszeit: 9.4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+7.63 грн
1000+5.94 грн
5000+4.80 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NSR02301MX4T5G NSR02301MX4T5G ONSEMI 4032169.pdf Description: ONSEMI - NSR02301MX4T5G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 200 mA, 540 mV, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: X4DFN
Durchlassstoßstrom: -
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 540mV
Sperrverzögerungszeit: 9.4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
72+11.32 грн
92+8.87 грн
100+8.55 грн
500+7.63 грн
1000+5.94 грн
5000+4.80 грн
Мінімальне замовлення: 72
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2907ALT1G MMBT2907ALT1G ONSEMI 2028683.pdf Description: ONSEMI - MMBT2907ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 600 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.86 грн
9000+1.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
STF202-22T1G STF202-22T1G ONSEMI 2353987.pdf Description: ONSEMI - STF202-22T1G - EMI-Filter, 3 Kanäle, USB-Leitungsabschluss, ESD-Schutz, TSOP-6
tariffCode: 85363010
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
EMI-Filter: EMI-Filter mit ESD-Schutz
Bauform - Filter: TSOP
euEccn: NLR
Anzahl der Datenleitungen: 2 Datenleitungen
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Filterkreis: RC Pi-Filter
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF4391LT1G MMBF4391LT1G ONSEMI ONSM-S-A0002809738-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBF4391LT1G - JFET-Transistor, -30 V, 150 mA, -10 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 150mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 50mA
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -10V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SZMMSZ5238BT1G SZMMSZ5238BT1G ONSEMI ONSM-S-A0013307349-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - SZMMSZ5238BT1G - Zener-Diode, 8.7 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SZMMSZ52xxxT1G
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 8.7V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 22575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+5.52 грн
1000+4.49 грн
5000+3.24 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
SZMMSZ5256BT1G SZMMSZ5256BT1G ONSEMI ONSM-S-A0013307349-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - SZMMSZ5256BT1G - Zener-Diode, 30 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SZMMSZ52xxxT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 30V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+4.10 грн
1000+3.66 грн
5000+2.94 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904LT1G MMBT3904LT1G ONSEMI 2353746.pdf Description: ONSEMI - MMBT3904LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1064903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+2.48 грн
1500+1.74 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT190N65S3HF NTMT190N65S3HF ONSEMI 3191522.pdf Description: ONSEMI - NTMT190N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.159 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 162W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.159ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+323.99 грн
10+228.75 грн
100+214.91 грн
500+187.46 грн
1000+161.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT190N65S3HF NTMT190N65S3HF ONSEMI 3191522.pdf Description: ONSEMI - NTMT190N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.159 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 162W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 162W
Bauform - Transistor: PQFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.159ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.159ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+214.91 грн
500+187.46 грн
1000+161.18 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ECH8667-TL-H ECH8667-TL-H ONSEMI ech8667-d.pdf Description: ONSEMI - ECH8667-TL-H - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 5.5 A, 5.5 A, 0.03 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-28FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+53.89 грн
19+43.96 грн
100+34.19 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
ECH8667-TL-H ECH8667-TL-H ONSEMI ech8667-d.pdf Description: ONSEMI - ECH8667-TL-H - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 5.5 A, 5.5 A, 0.03 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-28FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+34.19 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BPDW1T2G BC847BPDW1T2G ONSEMI ONSM-S-A0013184387-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BC847BPDW1T2G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 45 V, 45 V, 100 mA, 100 mA, 380 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 380mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 380mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.80 грн
9000+2.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT5401WT1G NSVMMBT5401WT1G ONSEMI 2729151.pdf Description: ONSEMI - NSVMMBT5401WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 500 mA, 400 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
66+12.45 грн
110+7.41 грн
189+4.31 грн
500+3.93 грн
Мінімальне замовлення: 66
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD6H852NLT1G NVMFD6H852NLT1G ONSEMI nvmfd6h852nl-d.pdf Description: ONSEMI - NVMFD6H852NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 25 A, 25 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 25A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 38W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 38W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+105.01 грн
12+70.74 грн
100+49.58 грн
500+33.49 грн
1000+30.28 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NCP565ST12T3G NCP565ST12T3G ONSEMI 2160701.pdf Description: ONSEMI - NCP565ST12T3G - LDO-Festspannungsregler, 2.5V-9Vin, 900mV Dropout, 1.2V/1.5Aout, SOT-223-3
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-223
Nennausgangsspannung: 1.2V
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 9V
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 2.5V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 1.2V 1.5A LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 1.2V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 1.5A
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 900mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 900mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+140.02 грн
10+83.85 грн
50+71.07 грн
100+54.05 грн
250+44.94 грн
500+38.03 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NCP565ST12T3G NCP565ST12T3G ONSEMI 2160701.pdf Description: ONSEMI - NCP565ST12T3G - LDO-Festspannungsregler, 2.5V-9Vin, 900mV Dropout, 1.2V/1.5Aout, SOT-223-3
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-223
Nennausgangsspannung: 1.2V
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 9V
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 2.5V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 1.2V 1.5A LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 1.2V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 1.5A
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 900mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 900mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+54.05 грн
250+44.94 грн
500+38.03 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NCN26000XMNEVB NCN26000XMNEVB ONSEMI Description: ONSEMI - NCN26000XMNEVB - Evaluationsboard, NCN26000, 10BASE-T1S-Ethernet-PHY-Transceiver
tariffCode: 85423990
Prozessorkern: NCN26000
Kit-Anwendungsbereich: Schnittstelle
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard NCN26000
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: 10BASE-T1S-Ethernet-PHY-Transceiver
hazardous: false
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6030.44 грн
5+5909.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NC7S08P5X NC7S08P5X ONSEMI 2304279.pdf Description: ONSEMI - NC7S08P5X - AND-Gatter, NC7S08, 2 Eingänge, 2.6mA, 2V bis 6V, SC-70-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: AND-Gatter
Logik-IC-Familie: 7S
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 2.6mA
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 7S08
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 6V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl von Elementen: Eins
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 13294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+19.46 грн
73+11.15 грн
121+6.76 грн
500+4.47 грн
1000+3.40 грн
5000+2.46 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
FDN335N FDN335N ONSEMI fdn335n-d.pdf Description: ONSEMI - FDN335N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.7 A, 0.07 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 35088 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.86 грн
500+14.82 грн
1500+12.35 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C420NT1G NVMFS5C420NT1G ONSEMI 3191529.pdf Description: ONSEMI - NVMFS5C420NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 268 A, 0.0009 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 268A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 900µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+118.85 грн
500+99.78 грн
1000+82.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C420NT1G NVMFS5C420NT1G ONSEMI 3191529.pdf Description: ONSEMI - NVMFS5C420NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 268 A, 0.0009 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 268A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+183.97 грн
10+130.25 грн
100+118.85 грн
500+99.78 грн
1000+82.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD6H852NLT1G NVMFD6H852NLT1G ONSEMI nvmfd6h852nl-d.pdf Description: ONSEMI - NVMFD6H852NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 25 A, 25 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 25A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 38W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 38W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+49.58 грн
500+33.49 грн
1000+30.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MM74HC595MX MM74HC595MX ONSEMI 2298124.pdf Description: ONSEMI - MM74HC595MX - Schieberegister, Baureihe HC, 74HC595, Seriell zu parallel, 1 Element, 8 bit, SOIC, 16 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: 74595
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74HC
IC-Ausgang: Standard
Anzahl der Elemente: 1 Element
Schieberegisterfunktion: Seriell zu parallel
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74HC595
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Bits pro Element: 8bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+29.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MM74HCT541WM MM74HCT541WM ONSEMI 2287741.pdf Description: ONSEMI - MM74HCT541WM - Puffer / Leitungstreiber, 74HCT541, 4.5V bis 5.5V, SOIC-20
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: 74541
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74HCT
Bauform - Logikbaustein: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74HCT541
euEccn: NLR
Logikbaustein: Puffer, nicht invertierend
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+35.57 грн
500+32.81 грн
1000+25.40 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MC74HCT541ADWR2G MC74HCT541ADWR2G ONSEMI 1878578.pdf Description: ONSEMI - MC74HCT541ADWR2G - Puffer / Leitungstreiber / Leitungsempfänger, 74HCT541, 4.5V bis 5.5V, SOIC-20
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: 74541
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74HCT
Bauform - Logikbaustein: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74HCT541
euEccn: NLR
Logikbaustein: Puffer/Leitungstreiber/Leitungsempfänger, nicht invertierend
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+34.03 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SZ1SMB5918BT3G SZ1SMB5918BT3G ONSEMI 2160707.pdf Description: ONSEMI - SZ1SMB5918BT3G - Zener-Diode, 5.1 V, 3 W, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SZ1SMB59xxT3G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 5180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+32.48 грн
500+25.78 грн
1000+20.10 грн
5000+18.35 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
1SMB5947BT3G 1SMB5947BT3G ONSEMI 2160707.pdf Description: ONSEMI - 1SMB5947BT3G - Zener-Diode, 82 V, 3 W, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1SMB59xxB
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 82V
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 24215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.83 грн
500+8.62 грн
1000+6.42 грн
5000+4.79 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SZ1SMB5929BT3G SZ1SMB5929BT3G ONSEMI 2160707.pdf Description: ONSEMI - SZ1SMB5929BT3G - Zener-Diode, 15 V, 3 W, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SZ1SMB59xxT3G Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 15V
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 12932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+33.95 грн
500+25.17 грн
1000+21.28 грн
5000+17.44 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
1SMB5945BT3G 1SMB5945BT3G ONSEMI 2160707.pdf Description: ONSEMI - 1SMB5945BT3G - Zener-Diode, 68 V, 3 W, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1SMB59xxBT3G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 68V
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 8280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.75 грн
500+8.69 грн
1000+7.05 грн
5000+5.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BC557BTA BC557BTA ONSEMI bc556bta-d.pdf Description: ONSEMI - BC557BTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+21.41 грн
69+11.97 грн
103+7.93 грн
500+5.52 грн
1000+4.42 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6420C FDC6420C ONSEMI 2300062.pdf Description: ONSEMI - FDC6420C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3 A, 3 A, 0.07 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.07ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.07ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+29.79 грн
500+22.22 грн
1500+18.00 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSVR0340HT1G 1840608.pdf
NSVR0340HT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSVR0340HT1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 40 V, 250 mA, 590 mV, 1 A, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 1A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 590mV
Sperrverzögerungszeit: 5ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 250mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
48+17.09 грн
76+10.83 грн
130+6.30 грн
500+5.27 грн
1000+4.38 грн
Мінімальне замовлення: 48
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4152PT1G ONSM-S-A0013300652-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTJD4152PT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTJD4152PT1G - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 880 mA, 880 mA, 0.215 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 880mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 880mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.215ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 272mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.215ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 272mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 35542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+13.84 грн
500+11.79 грн
1000+9.91 грн
5000+6.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
LM2594DADJR2G 1712843.pdf
LM2594DADJR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - LM2594DADJR2G - DC/DC-Abwärts-Schaltregler (Buck), einstellbar, 4.5V-40Vin, 1.23V-37Vout, 500mAout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Ausgang: Einstellbar
Ausgangsspannung, min.: 1.23V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 37V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 150kHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 4.5V
Topologie: Buck (Abwärts)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 500mA
Wirkungsgrad: 80%
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+94.49 грн
250+76.75 грн
500+71.87 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C300CTWG 4424009.pdf
NSS1C300CTWG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSS1C300CTWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 5 W, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: e2PowerEdge Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+116.41 грн
12+70.98 грн
100+47.05 грн
500+34.70 грн
1000+29.45 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MBR1100RLG 2353751.pdf
MBR1100RLG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MBR1100RLG - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 1 A, Einfach, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 790 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 790mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 7735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+34.19 грн
35+23.44 грн
100+20.51 грн
500+15.72 грн
1000+11.51 грн
5000+9.49 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
MICROFJ-SMTPA-30035-GEVB 2704145.pdf
MICROFJ-SMTPA-30035-GEVB
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MICROFJ-SMTPA-30035-GEVB - Evaluationsboard, SiPM-Sensor MicroFJ-30035, 3 Durchsteckstifte, Vorspannung
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: MICROFJ-30035-TSV
Kit-Anwendungsbereich: Sensor
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Leiterplatte: Evaluationsboard
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard MICROFJ-30035-TSV
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Silizium-Photomultiplier-Sensor (SiPM)
hazardous: false
Verwendeter IC / verwendetes Modul: MicroFJ-30035-TSV
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: J-Series SiPM Sensor
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+6313.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NCV7343MW0R2G 3191494.pdf
NCV7343MW0R2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV7343MW0R2G - CAN-Schnittstelle, CAN-FD-Transceiver, 5 Mbps, 4.5 V, 5.5 V, DFNW, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: DFNW
Übertragungsrate, max.: 5Mbps
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
IC-Schnittstelle: CAN
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Anzahl der Empfänger: 1Receivers
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Anzahl der RX-Puffer: -
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Treiber: 1Treiber
CAN-Schnittstellen-IC: CAN-FD-Transceiver
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Bauform - Schnittstellenbaustein: DFNW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der TX-Puffer: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+59.79 грн
250+48.01 грн
500+46.68 грн
1000+43.75 грн
2500+40.82 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NCV7343MW0R2G 3191494.pdf
NCV7343MW0R2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV7343MW0R2G - CAN-Schnittstelle, CAN-FD-Transceiver, 5 Mbps, 4.5 V, 5.5 V, DFNW, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: DFNW
Übertragungsrate, max.: 5Mbps
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Anzahl der Empfänger: 1Receivers
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Treiber: 1Treiber
CAN-Schnittstellen-IC: CAN-FD-Transceiver
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+138.39 грн
11+80.35 грн
50+72.37 грн
100+59.79 грн
250+48.01 грн
500+46.68 грн
1000+43.75 грн
2500+40.82 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MC74HC04ADR2G 1833440.pdf
MC74HC04ADR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC74HC04ADR2G - Inverter, 74HC04, 1 Eingang, 5.2mA, 2V bis 6V, SOIC-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 74HC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 5.2mA
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74HC04
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 6V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl von Elementen: Sechs
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+20.60 грн
500+14.29 грн
1000+11.65 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MC74HC04ADTR2G 1833440.pdf
MC74HC04ADTR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC74HC04ADTR2G - Inverter, Baureihe 74HC04, 1 Eingang, 2V bis 6V Versorgungsspannung, 5.2mAout, TSSOP-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 74HC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 5.2mA
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74HC04
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 6V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl von Elementen: Sechs
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+26.05 грн
500+22.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117T4G MJD112-D.PDF
MJD117T4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD117T4G - Darlington-Transistor, PNP, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.75W
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1093 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+36.79 грн
500+26.99 грн
1000+22.75 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20200LT1G 1840610.pdf
NSS20200LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSS20200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 20 V, 2 A, 710 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+10.99 грн
500+9.68 грн
1500+8.37 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12200LT1G 2337905.pdf
NSS12200LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSS12200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 2 A, 460 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+14.33 грн
500+12.32 грн
1000+10.54 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12200LT1G 2337905.pdf
NSS12200LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSS12200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 2 A, 460 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+41.92 грн
31+27.11 грн
100+14.33 грн
500+12.32 грн
1000+10.54 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C13NTAG ONSM-S-A0017604458-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTTFS4C13NTAG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTTFS4C13NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38 A, 0.0075 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 21.5W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5C632NLT4G ntd5c632nl-d.pdf
NTD5C632NLT4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTD5C632NLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 155 A, 0.0021 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 155A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+153.04 грн
10+109.90 грн
100+82.22 грн
500+57.75 грн
1000+51.84 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5C632NLT4G ntd5c632nl-d.pdf
NTD5C632NLT4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTD5C632NLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 155 A, 0.0021 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 155A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 115W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0021ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+82.22 грн
500+57.75 грн
1000+51.84 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FODM452R2 2304143.pdf
FODM452R2
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FODM452R2 - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, SOP, 5 Pin(s), 50 mA, 3.75 kV, 20 %
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 20%
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 3.75kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: -
Bauform - Optokoppler: SOP
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+82.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BC848CLT1G 2237008.pdf
BC848CLT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC848CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 30 V, 100MHz, 300mW, 100mA, 100hFE
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 103890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
78+10.50 грн
126+6.47 грн
202+4.04 грн
500+2.71 грн
1500+2.21 грн
Мінімальне замовлення: 78
В кошику  од. на суму  грн.
S1G S1A-S1M%20N0560%20REV.B.pdf
S1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - S1G - Diode mit Standard-Erholzeit, 400 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 1.8 µs, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: 1.8µs
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 400V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: S1 Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 32401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
44+18.64 грн
65+12.54 грн
114+7.20 грн
500+6.01 грн
1000+4.65 грн
5000+3.60 грн
Мінімальне замовлення: 44
В кошику  од. на суму  грн.
SMS12CT1G ONSM-S-A0013902917-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SMS12CT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SMS12CT1G - TVS-Diode, SMS05C, Unidirektional, 12 V, 23 V, TSOP, 6 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TSOP
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 13.3V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 15V
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 12V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 350W
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: SMS05C
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 23V
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMS12CT1G ONSM-S-A0013902917-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SMS12CT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SMS12CT1G - TVS-Diode, SMS05C, Unidirektional, 12 V, 23 V, TSOP, 6 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TSOP
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 13.3V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 15V
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 12V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 350W
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: SMS05C
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 23V
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ4696T1G mmsz4678t1-d.pdf
MMSZ4696T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMSZ4696T1G - Zener-Diode, 9.1 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MMSZxxxT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 9.1V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.34 грн
1500+2.07 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MM3Z9V1T1G MM3ZyyyT1G_SZMM3ZyyyT1G_Series_rev.11_Sep2014.pdf
MM3Z9V1T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MM3Z9V1T1G - Zener-Diode, 9.1 V, 300 mW, SOD-323, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MM3Z9
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 9.1V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 13375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.24 грн
1500+2.00 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MM5Z9V1T1G 2236793.pdf
MM5Z9V1T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MM5Z9V1T1G - Zener-Diode, 9.1 V, 200 mW, SOD-523, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MM5ZxxxT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 9.1V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
87+9.36 грн
112+7.30 грн
228+3.57 грн
500+3.25 грн
1000+2.93 грн
Мінімальне замовлення: 87
В кошику  од. на суму  грн.
MC33064D-5R2G description 2337890.pdf
MC33064D-5R2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC33064D-5R2G - Unterspannungserkennungsschaltung, 1V-6.5Vsupp., 4.61V Schwellenspannung, Active-Low-Reset, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Reset-Schwellenspannung, min.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verzögerungszeit: -
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Reset-Ausgang: Aktiv-Low
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der überwachten Spannungen: 1Monitors
Reset-Schwellenspannung, nom.: 4.59V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 6.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+27.60 грн
500+23.58 грн
1000+19.82 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMUN5135DW1T1G 2338005.pdf
NSVMUN5135DW1T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSVMUN5135DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach pnp, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+4.28 грн
1000+3.47 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201LT1G 2237006.pdf
NSS1C201LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSS1C201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 490 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 490mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 110MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+12.70 грн
500+11.34 грн
1500+9.98 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSR02301MX4T5G 4032169.pdf
NSR02301MX4T5G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSR02301MX4T5G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 200 mA, 540 mV, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: X4DFN
Durchlassstoßstrom: -
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 540mV
Sperrverzögerungszeit: 9.4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+7.63 грн
1000+5.94 грн
5000+4.80 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NSR02301MX4T5G 4032169.pdf
NSR02301MX4T5G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSR02301MX4T5G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 200 mA, 540 mV, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: X4DFN
Durchlassstoßstrom: -
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 540mV
Sperrverzögerungszeit: 9.4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
72+11.32 грн
92+8.87 грн
100+8.55 грн
500+7.63 грн
1000+5.94 грн
5000+4.80 грн
Мінімальне замовлення: 72
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2907ALT1G 2028683.pdf
MMBT2907ALT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT2907ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 600 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.86 грн
9000+1.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
STF202-22T1G 2353987.pdf
STF202-22T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - STF202-22T1G - EMI-Filter, 3 Kanäle, USB-Leitungsabschluss, ESD-Schutz, TSOP-6
tariffCode: 85363010
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
EMI-Filter: EMI-Filter mit ESD-Schutz
Bauform - Filter: TSOP
euEccn: NLR
Anzahl der Datenleitungen: 2 Datenleitungen
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Filterkreis: RC Pi-Filter
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+21.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF4391LT1G ONSM-S-A0002809738-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMBF4391LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBF4391LT1G - JFET-Transistor, -30 V, 150 mA, -10 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 150mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 50mA
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -10V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SZMMSZ5238BT1G ONSM-S-A0013307349-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SZMMSZ5238BT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SZMMSZ5238BT1G - Zener-Diode, 8.7 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SZMMSZ52xxxT1G
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 8.7V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 22575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+5.52 грн
1000+4.49 грн
5000+3.24 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
SZMMSZ5256BT1G ONSM-S-A0013307349-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SZMMSZ5256BT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SZMMSZ5256BT1G - Zener-Diode, 30 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SZMMSZ52xxxT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 30V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+4.10 грн
1000+3.66 грн
5000+2.94 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904LT1G 2353746.pdf
MMBT3904LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT3904LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1064903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.48 грн
1500+1.74 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT190N65S3HF 3191522.pdf
NTMT190N65S3HF
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMT190N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.159 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 162W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.159ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+323.99 грн
10+228.75 грн
100+214.91 грн
500+187.46 грн
1000+161.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT190N65S3HF 3191522.pdf
NTMT190N65S3HF
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMT190N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.159 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 162W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 162W
Bauform - Transistor: PQFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.159ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.159ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+214.91 грн
500+187.46 грн
1000+161.18 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ECH8667-TL-H ech8667-d.pdf
ECH8667-TL-H
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ECH8667-TL-H - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 5.5 A, 5.5 A, 0.03 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-28FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+53.89 грн
19+43.96 грн
100+34.19 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
ECH8667-TL-H ech8667-d.pdf
ECH8667-TL-H
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ECH8667-TL-H - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 5.5 A, 5.5 A, 0.03 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-28FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+34.19 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BPDW1T2G ONSM-S-A0013184387-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BC847BPDW1T2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC847BPDW1T2G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 45 V, 45 V, 100 mA, 100 mA, 380 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 380mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 380mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.80 грн
9000+2.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT5401WT1G 2729151.pdf
NSVMMBT5401WT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSVMMBT5401WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 500 mA, 400 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
66+12.45 грн
110+7.41 грн
189+4.31 грн
500+3.93 грн
Мінімальне замовлення: 66
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD6H852NLT1G nvmfd6h852nl-d.pdf
NVMFD6H852NLT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFD6H852NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 25 A, 25 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 25A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 38W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 38W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+105.01 грн
12+70.74 грн
100+49.58 грн
500+33.49 грн
1000+30.28 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NCP565ST12T3G 2160701.pdf
NCP565ST12T3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP565ST12T3G - LDO-Festspannungsregler, 2.5V-9Vin, 900mV Dropout, 1.2V/1.5Aout, SOT-223-3
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-223
Nennausgangsspannung: 1.2V
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 9V
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 2.5V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 1.2V 1.5A LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 1.2V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 1.5A
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 900mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 900mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+140.02 грн
10+83.85 грн
50+71.07 грн
100+54.05 грн
250+44.94 грн
500+38.03 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NCP565ST12T3G 2160701.pdf
NCP565ST12T3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP565ST12T3G - LDO-Festspannungsregler, 2.5V-9Vin, 900mV Dropout, 1.2V/1.5Aout, SOT-223-3
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-223
Nennausgangsspannung: 1.2V
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 9V
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 2.5V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 1.2V 1.5A LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 1.2V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 1.5A
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 900mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 900mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+54.05 грн
250+44.94 грн
500+38.03 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NCN26000XMNEVB
NCN26000XMNEVB
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCN26000XMNEVB - Evaluationsboard, NCN26000, 10BASE-T1S-Ethernet-PHY-Transceiver
tariffCode: 85423990
Prozessorkern: NCN26000
Kit-Anwendungsbereich: Schnittstelle
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard NCN26000
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: 10BASE-T1S-Ethernet-PHY-Transceiver
hazardous: false
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+6030.44 грн
5+5909.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NC7S08P5X 2304279.pdf
NC7S08P5X
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7S08P5X - AND-Gatter, NC7S08, 2 Eingänge, 2.6mA, 2V bis 6V, SC-70-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: AND-Gatter
Logik-IC-Familie: 7S
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 2.6mA
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 7S08
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 6V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl von Elementen: Eins
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 13294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
42+19.46 грн
73+11.15 грн
121+6.76 грн
500+4.47 грн
1000+3.40 грн
5000+2.46 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
FDN335N fdn335n-d.pdf
FDN335N
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN335N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.7 A, 0.07 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 35088 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+19.86 грн
500+14.82 грн
1500+12.35 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C420NT1G 3191529.pdf
NVMFS5C420NT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS5C420NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 268 A, 0.0009 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 268A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 900µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+118.85 грн
500+99.78 грн
1000+82.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C420NT1G 3191529.pdf
NVMFS5C420NT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS5C420NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 268 A, 0.0009 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 268A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+183.97 грн
10+130.25 грн
100+118.85 грн
500+99.78 грн
1000+82.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD6H852NLT1G nvmfd6h852nl-d.pdf
NVMFD6H852NLT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFD6H852NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 25 A, 25 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 25A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 38W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 38W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+49.58 грн
500+33.49 грн
1000+30.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MM74HC595MX 2298124.pdf
MM74HC595MX
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MM74HC595MX - Schieberegister, Baureihe HC, 74HC595, Seriell zu parallel, 1 Element, 8 bit, SOIC, 16 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: 74595
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74HC
IC-Ausgang: Standard
Anzahl der Elemente: 1 Element
Schieberegisterfunktion: Seriell zu parallel
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74HC595
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Bits pro Element: 8bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+29.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MM74HCT541WM 2287741.pdf
MM74HCT541WM
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MM74HCT541WM - Puffer / Leitungstreiber, 74HCT541, 4.5V bis 5.5V, SOIC-20
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: 74541
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74HCT
Bauform - Logikbaustein: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74HCT541
euEccn: NLR
Logikbaustein: Puffer, nicht invertierend
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+35.57 грн
500+32.81 грн
1000+25.40 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MC74HCT541ADWR2G 1878578.pdf
MC74HCT541ADWR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC74HCT541ADWR2G - Puffer / Leitungstreiber / Leitungsempfänger, 74HCT541, 4.5V bis 5.5V, SOIC-20
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: 74541
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74HCT
Bauform - Logikbaustein: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74HCT541
euEccn: NLR
Logikbaustein: Puffer/Leitungstreiber/Leitungsempfänger, nicht invertierend
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+34.03 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SZ1SMB5918BT3G 2160707.pdf
SZ1SMB5918BT3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SZ1SMB5918BT3G - Zener-Diode, 5.1 V, 3 W, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SZ1SMB59xxT3G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 5180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+32.48 грн
500+25.78 грн
1000+20.10 грн
5000+18.35 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
1SMB5947BT3G 2160707.pdf
1SMB5947BT3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1SMB5947BT3G - Zener-Diode, 82 V, 3 W, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1SMB59xxB
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 82V
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 24215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+10.83 грн
500+8.62 грн
1000+6.42 грн
5000+4.79 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SZ1SMB5929BT3G 2160707.pdf
SZ1SMB5929BT3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SZ1SMB5929BT3G - Zener-Diode, 15 V, 3 W, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SZ1SMB59xxT3G Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 15V
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 12932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+33.95 грн
500+25.17 грн
1000+21.28 грн
5000+17.44 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
1SMB5945BT3G 2160707.pdf
1SMB5945BT3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1SMB5945BT3G - Zener-Diode, 68 V, 3 W, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1SMB59xxBT3G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 68V
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 8280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+10.75 грн
500+8.69 грн
1000+7.05 грн
5000+5.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BC557BTA bc556bta-d.pdf
BC557BTA
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC557BTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
39+21.41 грн
69+11.97 грн
103+7.93 грн
500+5.52 грн
1000+4.42 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6420C 2300062.pdf
FDC6420C
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC6420C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3 A, 3 A, 0.07 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.07ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.07ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+29.79 грн
500+22.22 грн
1500+18.00 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 245 490 735 980 1225 1470 1715 1960 2205 2352 2353 2354 2355 2356 2357 2358 2359 2360 2361 2362 2450 2451  [ Наступна Сторінка >> ]