Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (146209) > Сторінка 2356 з 2437

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 243 486 729 972 1215 1458 1701 1944 2187 2351 2352 2353 2354 2355 2356 2357 2358 2359 2360 2361 2430 2437  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SZBZX84C16LT1G ONSEMI BZX84B_BZX84C.PDF Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.3W; 16V; SMD; reel,tape; SOT23; single diode; BZX84C
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.3W
Zener voltage: 16V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: BZX84C
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SZBZX84C16ET1G ONSEMI BZX84CxxET1G.PDF Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.3W; 16V; SMD; reel,tape; SOT23; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.3W
Zener voltage: 16V
Mounting: SMD
Tolerance: ±6%
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: BZX84CxxET1G
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NC7SZ08M5X-L22090 ONSEMI nc7sz08-d.pdf Category: Gates, inverters
Description: IC: digital
Type of integrated circuit: digital
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NC7SZ08FHX-L22175 ONSEMI nc7sz08-d.pdf Category: Gates, inverters
Description: IC: digital
Type of integrated circuit: digital
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NL17SZ08DFT2G ONSEMI nl17sz08-d.pdf Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; AND; Ch: 1; IN: 2; SMD; SC88A; 1.65÷5.5VDC; -55÷125°C
Type of integrated circuit: digital
Kind of gate: AND
Mounting: SMD
Operating temperature: -55...125°C
Number of inputs: 2
Kind of package: reel; tape
Case: SC88A
Number of channels: single; 1
Supply voltage: 1.65...5.5V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NL17SZ08XV5T2G NL17SZ08XV5T2G ONSEMI nl17sz08-d.pdf Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; AND; Ch: 1; IN: 2; SMD; SOT553; 1.65÷5.5VDC; -55÷125°C
Type of integrated circuit: digital
Kind of gate: AND
Mounting: SMD
Operating temperature: -55...125°C
Quiescent current: 10µA
Number of inputs: 2
Kind of package: reel; tape
Case: SOT553
Number of channels: single; 1
Supply voltage: 1.65...5.5V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NL17SZ08DBVT1G ONSEMI nl17sz08-d.pdf Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; AND; Ch: 1; IN: 2; SMD; SC74A; -55÷125°C; 1uA; 4.5ns; LCX
Type of integrated circuit: digital
Kind of gate: AND
Number of channels: 1
Number of inputs: 2
Mounting: SMD
Case: SC74A
Operating temperature: -55...125°C
Quiescent current: 1µA
Delay time: 4.5ns
Family: LCX
Number of outputs: 1
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3000+2.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ES3B ES3B ONSEMI ES3J.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 100V; 3A; 30ns; SMC; Ufmax: 0.95V; Ifsm: 100A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 3A
Reverse recovery time: 30ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: SMC
Max. forward voltage: 0.95V
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.66W
Capacitance: 45pF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP12400CBAAB0DR2G ONSEMI ncp12400-d.pdf Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: IC: PMIC; AC/DC switcher,PWM controller; SO7; flyback
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: AC/DC switcher; PWM controller
Output current: 0.3...0.5A
Frequency: 61...69kHz
Mounting: SMD
Case: SO7
Topology: flyback
Number of channels: 1
Operating temperature: -40...125°C
Operating voltage: 8.9...26.5V DC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCP12400CBHAA0DR2G ONSEMI ncp12400-d.pdf Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: IC: PMIC; AC/DC switcher,PWM controller; SO7; flyback
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: AC/DC switcher; PWM controller
Output current: 0.3...0.5A
Frequency: 61...69kHz
Mounting: SMD
Case: SO7
Topology: flyback
Number of channels: 1
Operating temperature: -40...125°C
Operating voltage: 8.9...26.5V DC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOC8050M MOC8050M ONSEMI MOC8050M.pdf Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: Darlington; Uinsul: 4.17kV; Uce: 80V
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: THT
Number of channels: 1
Kind of output: Darlington
Insulation voltage: 4.17kV
Collector-emitter voltage: 80V
Case: DIP6
Turn-off time: 95µs
CTR@If: 500%@10mA
Turn-on time: 8.5µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112G MJD112G ONSEMI mjd112-d.pdf Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1.75W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 1.75W
Case: DPAK
Current gain: 100...12000
Mounting: SMD
на замовлення 227 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+61.41 грн
16+26.67 грн
25+24.49 грн
75+21.89 грн
150+20.30 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1G MJD112-1G ONSEMI mjd112-d.pdf Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1.75W; IPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 1.75W
Case: IPAK
Mounting: THT
Current gain: 100...12000
на замовлення 123 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+102.06 грн
10+49.65 грн
25+45.29 грн
75+43.19 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4G MJD112T4G ONSEMI mjd112-d.pdf Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1.75W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 1.75W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112RLG MJD112RLG ONSEMI mjd112-d.pdf Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1.75W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 1.75W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS13 SS13 ONSEMI ss19-d.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMA; SMD; 40V; 1A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMA
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.5V
Max. forward impulse current: 40A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS13HE SS13HE ONSEMI ss13he-d.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SOD323HE; SMD; 30V; 1A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SOD323HE
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.5V
Max. forward impulse current: 25A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS13FP SS13FP ONSEMI s110fp-d.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SOD123HE; SMD; 30V; 1A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SOD123HE
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.5V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP1010AP100GNCP1010AP100G
NCP1010AP100GNCP1010AP100G
 NCP1010AP100G ONSEMI ncp1010-d.pdf Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; AC/DC switcher,PWM controller; 100mA; 100kHz; Ch: 1; DIP7
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: AC/DC switcher; PWM controller
Output current: 0.1A
Frequency: 0.1MHz
Mounting: THT
Case: DIP7
Topology: flyback
Number of channels: 1
Operating temperature: -40...125°C
On-state resistance: 23Ω
Operating voltage: 8.5...10V DC
Duty cycle factor: 0...72%
Application: SMPS
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC34074DR2G MC34074DR2G ONSEMI mc34071-d.pdf description Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 4.5MHz; Ch: 4; ±1.5÷22VDC,3÷44VDC; SO14
Mounting: SMT
Input offset voltage: 7mV
Slew rate: 13V/μs
Type of integrated circuit: operational amplifier
Operating temperature: 0...70°C
Input bias current: 0.7µA
Voltage supply range: ± 1.5...22V DC; 3...44V DC
Kind of package: reel; tape
Input offset current: 300nA
Case: SO14
Number of channels: quad; 4
Bandwidth: 4.5MHz
на замовлення 1472 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+44.25 грн
15+29.77 грн
25+27.17 грн
100+23.48 грн
250+21.05 грн
500+19.29 грн
1000+19.12 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6675BZ ONSEMI fdmc6675bz-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -20A; Idm: -32A; 36W; WDFN8
Case: WDFN8
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -32A
Power dissipation: 36W
Gate charge: 65nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -20A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 27mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5237B ONSEMI MMSZ52xxT1G.PDF Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 8.2V; SMD; SOD123; reel,tape; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 8.2V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Case: SOD123
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: MMSZ52xxB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5237BT1G MMSZ5237BT1G ONSEMI MMSZ52xxT1G.PDF Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 8.2V; SMD; SOD123; reel,tape; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 8.2V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Case: SOD123
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: MMSZ52xxB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SZMMSZ5237BT1G ONSEMI MMSZ52xxT1G.PDF Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 8.2V; SMD; SOD123; reel,tape; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 8.2V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Case: SOD123
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: MMSZ52xxB
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76629D3ST HUF76629D3ST ONSEMI huf76629d3s-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 20A; 150W; DPAK
Case: DPAK
Mounting: SMD
Power dissipation: 150W
Gate charge: 39nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 20A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±16V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 52mΩ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC14106BDG MC14106BDG ONSEMI MC14106B.PDF Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; NOT; Ch: 6; IN: 1; CMOS; SMD; SO14; 3÷18VDC; -55÷125°C
Supply voltage: 3...18V DC
Operating temperature: -55...125°C
Delay time: 100ns
Mounting: SMD
Kind of gate: NOT
Type of integrated circuit: digital
Technology: CMOS
Kind of input: with Schmitt trigger
Number of inputs: 1
Kind of package: tube
Case: SO14
Family: HEF4000B
Number of channels: hex; 6
на замовлення 226 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+40.64 грн
17+26.17 грн
25+24.66 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC14106BDTR2G MC14106BDTR2G ONSEMI MC14106B-D.pdf Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; NOT; Ch: 6; IN: 1; CMOS; SMD; TSSOP14; 3÷18VDC; -55÷125°C
Supply voltage: 3...18V DC
Operating temperature: -55...125°C
Delay time: 100ns
Mounting: SMD
Kind of gate: NOT
Type of integrated circuit: digital
Technology: CMOS
Kind of input: with Schmitt trigger
Number of inputs: 1
Kind of package: reel; tape
Case: TSSOP14
Family: HEF4000B
Number of channels: hex; 6
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+37.03 грн
18+24.40 грн
25+21.80 грн
100+19.04 грн
250+17.70 грн
500+16.94 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NLV14106BDTR2G NLV14106BDTR2G ONSEMI mc14106b-d.pdf Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; NOT; Ch: 6; IN: 1; CMOS; SMD; TSSOP14; 3÷18VDC; -55÷125°C
Supply voltage: 3...18V DC
Operating temperature: -55...125°C
Mounting: SMD
Kind of gate: NOT
Type of integrated circuit: digital
Technology: CMOS
Quiescent current: 30µA
Kind of input: with Schmitt trigger
Number of inputs: 1
Kind of package: reel; tape
Case: TSSOP14
Number of channels: hex; 6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC857ALT1G SBC857ALT1G ONSEMI BC856_7_8.PDF Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 125...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ESD9L3.3ST5G ESD9L3.3ST5G ONSEMI ESD9L-D.PDF Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; ESD; 0.15W; 4.8V; SOD923; reel,tape; 0.5÷0.9pF
Type of diode: TVS
Breakdown voltage: 4.8V
Version: ESD
Mounting: SMD
Case: SOD923
Max. off-state voltage: 3.3V
Leakage current: 1µA
Capacitance: 0.5...0.9pF
Kind of package: reel; tape
Peak pulse power dissipation: 0.15W
на замовлення 6891 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
22+20.77 грн
27+15.60 грн
32+13.50 грн
100+7.72 грн
250+7.04 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SS38 ONSEMI SS32_SS39.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMC; SMD; 80V; 3A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 80V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.85V
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD5110NT1G NTZD5110NT1G ONSEMI ntzd5110n-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.225A; 0.28W; SOT563F; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.225A
Power dissipation: 0.28W
Case: SOT563F
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NRVB0530T1G NRVB0530T1G ONSEMI mbr0530t1-d.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD123; SMD; 30V; 0.5A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD123
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.5A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.43V
Max. forward impulse current: 5.5A
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
на замовлення 4128 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
36+12.64 грн
41+10.23 грн
46+9.23 грн
100+7.21 грн
500+6.88 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL041N60S5HNTHL041N60S5H
NTHL041N60S5HNTHL041N60S5H
 NTHL041N60S5H ONSEMI NTHL041N60S5H.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 36A; Idm: 200A; 329W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Power dissipation: 329W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 32.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 200A
на замовлення 111 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+695.43 грн
5+535.06 грн
10+534.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQD1N60CTM FQD1N60CTM ONSEMI fqu1n60c-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.6A; 28W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.6A
Power dissipation: 28W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 11.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU1N60CTU ONSEMI fqu1n60c-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 600mA; Idm: 4A; 28W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.6A
Power dissipation: 28W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 11.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 6.2nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 4A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH041N60E FCH041N60E ONSEMI FCH041N60E-D.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48.7A; Idm: 231A; 592W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48.7A
Power dissipation: 592W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 285nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 231A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH041N60F FCH041N60F ONSEMI FCH041N60F-D.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 76A; Idm: 228A; 595W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 76A
Power dissipation: 595W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 277nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 228A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH041N60F-F085 FCH041N60F-F085 ONSEMI fch041n60f_f085-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 76A; Idm: 228A; 595W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 76A
Power dissipation: 595W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 277nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 228A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EET1G ONSEMI DTC123E-D.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 300mW; SC75,SOT416
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SC75; SOT416
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 2.2kΩ
Current gain: 8...15
Quantity in set/package: 3000pcs.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EM3T5G ONSEMI DTC123E-D.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 600mW; SOT723; R1: 2.2kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.6W
Case: SOT723
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 2.2kΩ
Current gain: 8...15
Quantity in set/package: 8000pcs.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRS190T3G MBRS190T3G ONSEMI MBRS190T3G-DTE.PDF Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMB; SMD; 90V; 2A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMB
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 90V
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.75V
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1342 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+40.64 грн
15+28.01 грн
18+24.24 грн
50+17.86 грн
100+15.93 грн
500+12.58 грн
1000+12.24 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FOD3150 FOD3150 ONSEMI FOD3150.pdf Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 5kV; DIP8; 50kV/μs
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: THT
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 5kV
Case: DIP8
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 60ns
Slew rate: 50kV/μs
Max. off-state voltage: 5V
Output voltage: 0...35V
на замовлення 311 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+72.12 грн
10+67.09 грн
25+62.06 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ESD7181MUT5G ONSEMI ESD7181MU-D.PDF Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 20.5÷35V; bidirectional; X3DFN2; reel,tape
Case: X3DFN2
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: bidirectional
Type of diode: TVS
Breakdown voltage: 20.5...35V
Max. off-state voltage: 18.5V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP1607BDR2G NCP1607BDR2G ONSEMI ncp1607-d.pdf Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: PMIC; 500÷800mA; 9.5÷20VDC; SO8; Topology: boost
Type of integrated circuit: PMIC
Output current: 500...800mA
Mounting: SMD
Operating voltage: 9.5...20V DC
Number of channels: 1
Operating temperature: -40...125°C
Case: SO8
Topology: boost
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTP125N65S3H NTP125N65S3H ONSEMI ntp125n65s3h-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; Idm: 67A; 171W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 67A
Power dissipation: 171W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCMT125N65S3 ONSEMI FCMT125N65S3-D.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; Idm: 60A; 181W; PQFN4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 181W
Case: PQFN4
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 49nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMSD701T1G MMSD701T1G ONSEMI mmsd301t1-d.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD123; SMD; 70V; 0.2A; reel,tape
Case: SOD123
Mounting: SMD
Max. forward voltage: 1V
Max. off-state voltage: 70V
Load current: 0.2A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 1pF
Type of diode: Schottky switching
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LM337T LM337T ONSEMI LM337T-FAI.pdf Category: Adjustable voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; linear,adjustable; -37÷-1.2V; 1.5A; THT
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: adjustable; linear
Output voltage: -37...-1.2V
Output current: 1.5A
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Operating temperature: 0...125°C
Number of channels: 1
Heatsink thickness: 0.51...0.61mm
Input voltage: 3...40V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF04M DF04M ONSEMI DF005-10m.pdf Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 400V; If: 1.5A; Ifsm: 50A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1.5A
Max. forward impulse current: 50A
Case: MDIP4L
Electrical mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BPDXV6T1G ONSEMI BC847BPDXV6T1-D.PDF Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 45V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: complementary pair
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT563
Current gain: 200...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SBC847BPDXV6T1G ONSEMI Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 45V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: complementary pair
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT563
Current gain: 200...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC14023BDR2G MC14023BDR2G ONSEMI MC14001B-D.pdf Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; NAND; Ch: 3; IN: 3; CMOS; SMD; SO14; 3÷18VDC; -55÷125°C
Technology: CMOS
Type of integrated circuit: digital
Family: HEF4000B
Kind of gate: NAND
Mounting: SMD
Case: SO14
Number of channels: triple; 3
Operating temperature: -55...125°C
Delay time: 130ns
Number of inputs: 3
Supply voltage: 3...18V DC
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBRS2040LT3G MBRS2040LT3G ONSEMI MBRS2040LT3G.PDF Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMB; SMD; 40V; 2A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMB
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.45V
Max. load current: 4A
Kind of package: reel; tape
на замовлення 3670 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+39.74 грн
16+27.00 грн
18+23.82 грн
25+20.13 грн
50+17.70 грн
100+15.60 грн
250+13.25 грн
500+11.66 грн
1000+10.23 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC74LVXT4051DR2G MC74LVXT4051DR2G ONSEMI mc74lvxt4051-d.pdf Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: digital; demultiplexer,multiplexer; Ch: 1; SO16; 2.5÷6VDC; 80uA
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: demultiplexer; multiplexer
Number of channels: 1
Case: SO16
Supply voltage: 2.5...6V DC
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -55...125°C
Quiescent current: 80µA
Technology: CMOS; TTL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC74LVXT4051DTR2G MC74LVXT4051DTR2G ONSEMI MC74LVXT4051-D.pdf Category: Decoders, multiplexers, switches
Description: IC: digital; 8bit,analog,demultiplexer,multiplexer; Ch: 1; IN: 8
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: 8bit; analog; demultiplexer; multiplexer
Number of channels: 1
Case: TSSOP16
Supply voltage: -6...0V DC; 2.5...6V DC
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -55...125°C
Technology: CMOS; TTL
Manufacturer series: LVXT
Number of inputs: 8
Family: LVXT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFP12N10L RFP12N10L ONSEMI RFP12N10L.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+93.03 грн
10+49.48 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS012N10MDTAG ONSEMI nttfs012n10md-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 45A; Idm: 217A; 62W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 217A
Power dissipation: 62W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS012N10MCLTWG ONSEMI nvmys012n10mcl-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 52A; Idm: 283A; 36W; LFPAK56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 52A
Pulsed drain current: 283A
Power dissipation: 36W
Case: LFPAK56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1SMB5913BT3G 1SMB5913BT3G ONSEMI 1SMB59xxBT3G.PDF Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 3W; 3.3V; SMD; SMB; reel,tape; single diode; 1SMB59xxB
Type of diode: Zener
Power dissipation: 3W
Zener voltage: 3.3V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: 1SMB59xxB
на замовлення 1755 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
17+28.00 грн
25+16.94 грн
32+13.33 грн
50+11.15 грн
100+9.48 грн
250+7.97 грн
500+7.04 грн
1000+6.79 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SZBZX84C16LT1G BZX84B_BZX84C.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.3W; 16V; SMD; reel,tape; SOT23; single diode; BZX84C
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.3W
Zener voltage: 16V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: BZX84C
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SZBZX84C16ET1G BZX84CxxET1G.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.3W; 16V; SMD; reel,tape; SOT23; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.3W
Zener voltage: 16V
Mounting: SMD
Tolerance: ±6%
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: BZX84CxxET1G
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NC7SZ08M5X-L22090 nc7sz08-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Gates, inverters
Description: IC: digital
Type of integrated circuit: digital
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NC7SZ08FHX-L22175 nc7sz08-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Gates, inverters
Description: IC: digital
Type of integrated circuit: digital
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NL17SZ08DFT2G nl17sz08-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; AND; Ch: 1; IN: 2; SMD; SC88A; 1.65÷5.5VDC; -55÷125°C
Type of integrated circuit: digital
Kind of gate: AND
Mounting: SMD
Operating temperature: -55...125°C
Number of inputs: 2
Kind of package: reel; tape
Case: SC88A
Number of channels: single; 1
Supply voltage: 1.65...5.5V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NL17SZ08XV5T2G nl17sz08-d.pdf
NL17SZ08XV5T2G
Виробник: ONSEMI
Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; AND; Ch: 1; IN: 2; SMD; SOT553; 1.65÷5.5VDC; -55÷125°C
Type of integrated circuit: digital
Kind of gate: AND
Mounting: SMD
Operating temperature: -55...125°C
Quiescent current: 10µA
Number of inputs: 2
Kind of package: reel; tape
Case: SOT553
Number of channels: single; 1
Supply voltage: 1.65...5.5V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NL17SZ08DBVT1G nl17sz08-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; AND; Ch: 1; IN: 2; SMD; SC74A; -55÷125°C; 1uA; 4.5ns; LCX
Type of integrated circuit: digital
Kind of gate: AND
Number of channels: 1
Number of inputs: 2
Mounting: SMD
Case: SC74A
Operating temperature: -55...125°C
Quiescent current: 1µA
Delay time: 4.5ns
Family: LCX
Number of outputs: 1
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ES3B ES3J.pdf
ES3B
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 100V; 3A; 30ns; SMC; Ufmax: 0.95V; Ifsm: 100A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 3A
Reverse recovery time: 30ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: SMC
Max. forward voltage: 0.95V
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.66W
Capacitance: 45pF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP12400CBAAB0DR2G ncp12400-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: IC: PMIC; AC/DC switcher,PWM controller; SO7; flyback
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: AC/DC switcher; PWM controller
Output current: 0.3...0.5A
Frequency: 61...69kHz
Mounting: SMD
Case: SO7
Topology: flyback
Number of channels: 1
Operating temperature: -40...125°C
Operating voltage: 8.9...26.5V DC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCP12400CBHAA0DR2G ncp12400-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: IC: PMIC; AC/DC switcher,PWM controller; SO7; flyback
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: AC/DC switcher; PWM controller
Output current: 0.3...0.5A
Frequency: 61...69kHz
Mounting: SMD
Case: SO7
Topology: flyback
Number of channels: 1
Operating temperature: -40...125°C
Operating voltage: 8.9...26.5V DC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOC8050M MOC8050M.pdf
MOC8050M
Виробник: ONSEMI
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: Darlington; Uinsul: 4.17kV; Uce: 80V
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: THT
Number of channels: 1
Kind of output: Darlington
Insulation voltage: 4.17kV
Collector-emitter voltage: 80V
Case: DIP6
Turn-off time: 95µs
CTR@If: 500%@10mA
Turn-on time: 8.5µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112G mjd112-d.pdf
MJD112G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1.75W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 1.75W
Case: DPAK
Current gain: 100...12000
Mounting: SMD
на замовлення 227 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+61.41 грн
16+26.67 грн
25+24.49 грн
75+21.89 грн
150+20.30 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1G mjd112-d.pdf
MJD112-1G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1.75W; IPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 1.75W
Case: IPAK
Mounting: THT
Current gain: 100...12000
на замовлення 123 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+102.06 грн
10+49.65 грн
25+45.29 грн
75+43.19 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4G mjd112-d.pdf
MJD112T4G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1.75W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 1.75W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112RLG mjd112-d.pdf
MJD112RLG
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1.75W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 1.75W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS13 ss19-d.pdf
SS13
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMA; SMD; 40V; 1A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMA
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.5V
Max. forward impulse current: 40A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS13HE ss13he-d.pdf
SS13HE
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SOD323HE; SMD; 30V; 1A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SOD323HE
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.5V
Max. forward impulse current: 25A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS13FP s110fp-d.pdf
SS13FP
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SOD123HE; SMD; 30V; 1A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SOD123HE
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.5V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP1010AP100G ncp1010-d.pdf
NCP1010AP100GNCP1010AP100G
NCP1010AP100GNCP1010AP100G
Виробник: ONSEMI
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; AC/DC switcher,PWM controller; 100mA; 100kHz; Ch: 1; DIP7
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: AC/DC switcher; PWM controller
Output current: 0.1A
Frequency: 0.1MHz
Mounting: THT
Case: DIP7
Topology: flyback
Number of channels: 1
Operating temperature: -40...125°C
On-state resistance: 23Ω
Operating voltage: 8.5...10V DC
Duty cycle factor: 0...72%
Application: SMPS
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC34074DR2G description mc34071-d.pdf
MC34074DR2G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 4.5MHz; Ch: 4; ±1.5÷22VDC,3÷44VDC; SO14
Mounting: SMT
Input offset voltage: 7mV
Slew rate: 13V/μs
Type of integrated circuit: operational amplifier
Operating temperature: 0...70°C
Input bias current: 0.7µA
Voltage supply range: ± 1.5...22V DC; 3...44V DC
Kind of package: reel; tape
Input offset current: 300nA
Case: SO14
Number of channels: quad; 4
Bandwidth: 4.5MHz
на замовлення 1472 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+44.25 грн
15+29.77 грн
25+27.17 грн
100+23.48 грн
250+21.05 грн
500+19.29 грн
1000+19.12 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6675BZ fdmc6675bz-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -20A; Idm: -32A; 36W; WDFN8
Case: WDFN8
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -32A
Power dissipation: 36W
Gate charge: 65nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -20A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 27mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5237B MMSZ52xxT1G.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 8.2V; SMD; SOD123; reel,tape; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 8.2V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Case: SOD123
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: MMSZ52xxB
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5237BT1G MMSZ52xxT1G.PDF
MMSZ5237BT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 8.2V; SMD; SOD123; reel,tape; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 8.2V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Case: SOD123
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: MMSZ52xxB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SZMMSZ5237BT1G MMSZ52xxT1G.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 8.2V; SMD; SOD123; reel,tape; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 8.2V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Case: SOD123
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: MMSZ52xxB
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76629D3ST huf76629d3s-d.pdf
HUF76629D3ST
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 20A; 150W; DPAK
Case: DPAK
Mounting: SMD
Power dissipation: 150W
Gate charge: 39nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 20A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±16V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 52mΩ
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC14106BDG MC14106B.PDF
MC14106BDG
Виробник: ONSEMI
Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; NOT; Ch: 6; IN: 1; CMOS; SMD; SO14; 3÷18VDC; -55÷125°C
Supply voltage: 3...18V DC
Operating temperature: -55...125°C
Delay time: 100ns
Mounting: SMD
Kind of gate: NOT
Type of integrated circuit: digital
Technology: CMOS
Kind of input: with Schmitt trigger
Number of inputs: 1
Kind of package: tube
Case: SO14
Family: HEF4000B
Number of channels: hex; 6
на замовлення 226 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+40.64 грн
17+26.17 грн
25+24.66 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC14106BDTR2G MC14106B-D.pdf
MC14106BDTR2G
Виробник: ONSEMI
Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; NOT; Ch: 6; IN: 1; CMOS; SMD; TSSOP14; 3÷18VDC; -55÷125°C
Supply voltage: 3...18V DC
Operating temperature: -55...125°C
Delay time: 100ns
Mounting: SMD
Kind of gate: NOT
Type of integrated circuit: digital
Technology: CMOS
Kind of input: with Schmitt trigger
Number of inputs: 1
Kind of package: reel; tape
Case: TSSOP14
Family: HEF4000B
Number of channels: hex; 6
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+37.03 грн
18+24.40 грн
25+21.80 грн
100+19.04 грн
250+17.70 грн
500+16.94 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NLV14106BDTR2G mc14106b-d.pdf
NLV14106BDTR2G
Виробник: ONSEMI
Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; NOT; Ch: 6; IN: 1; CMOS; SMD; TSSOP14; 3÷18VDC; -55÷125°C
Supply voltage: 3...18V DC
Operating temperature: -55...125°C
Mounting: SMD
Kind of gate: NOT
Type of integrated circuit: digital
Technology: CMOS
Quiescent current: 30µA
Kind of input: with Schmitt trigger
Number of inputs: 1
Kind of package: reel; tape
Case: TSSOP14
Number of channels: hex; 6
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC857ALT1G BC856_7_8.PDF
SBC857ALT1G
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 125...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ESD9L3.3ST5G ESD9L-D.PDF
ESD9L3.3ST5G
Виробник: ONSEMI
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; ESD; 0.15W; 4.8V; SOD923; reel,tape; 0.5÷0.9pF
Type of diode: TVS
Breakdown voltage: 4.8V
Version: ESD
Mounting: SMD
Case: SOD923
Max. off-state voltage: 3.3V
Leakage current: 1µA
Capacitance: 0.5...0.9pF
Kind of package: reel; tape
Peak pulse power dissipation: 0.15W
на замовлення 6891 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
22+20.77 грн
27+15.60 грн
32+13.50 грн
100+7.72 грн
250+7.04 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SS38 SS32_SS39.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMC; SMD; 80V; 3A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 80V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.85V
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD5110NT1G ntzd5110n-d.pdf
NTZD5110NT1G
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.225A; 0.28W; SOT563F; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.225A
Power dissipation: 0.28W
Case: SOT563F
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NRVB0530T1G mbr0530t1-d.pdf
NRVB0530T1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD123; SMD; 30V; 0.5A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD123
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.5A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.43V
Max. forward impulse current: 5.5A
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
на замовлення 4128 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
36+12.64 грн
41+10.23 грн
46+9.23 грн
100+7.21 грн
500+6.88 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL041N60S5H NTHL041N60S5H.PDF
NTHL041N60S5HNTHL041N60S5H
NTHL041N60S5HNTHL041N60S5H
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 36A; Idm: 200A; 329W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Power dissipation: 329W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 32.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 200A
на замовлення 111 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+695.43 грн
5+535.06 грн
10+534.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQD1N60CTM fqu1n60c-d.pdf
FQD1N60CTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.6A; 28W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.6A
Power dissipation: 28W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 11.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU1N60CTU fqu1n60c-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 600mA; Idm: 4A; 28W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.6A
Power dissipation: 28W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 11.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 6.2nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 4A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH041N60E FCH041N60E-D.PDF
FCH041N60E
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48.7A; Idm: 231A; 592W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48.7A
Power dissipation: 592W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 285nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 231A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH041N60F FCH041N60F-D.PDF
FCH041N60F
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 76A; Idm: 228A; 595W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 76A
Power dissipation: 595W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 277nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 228A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH041N60F-F085 fch041n60f_f085-d.pdf
FCH041N60F-F085
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 76A; Idm: 228A; 595W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 76A
Power dissipation: 595W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 277nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 228A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EET1G DTC123E-D.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 300mW; SC75,SOT416
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SC75; SOT416
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 2.2kΩ
Current gain: 8...15
Quantity in set/package: 3000pcs.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EM3T5G DTC123E-D.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 600mW; SOT723; R1: 2.2kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.6W
Case: SOT723
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 2.2kΩ
Current gain: 8...15
Quantity in set/package: 8000pcs.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRS190T3G MBRS190T3G-DTE.PDF
MBRS190T3G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMB; SMD; 90V; 2A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMB
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 90V
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.75V
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1342 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+40.64 грн
15+28.01 грн
18+24.24 грн
50+17.86 грн
100+15.93 грн
500+12.58 грн
1000+12.24 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FOD3150 FOD3150.pdf
FOD3150
Виробник: ONSEMI
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 5kV; DIP8; 50kV/μs
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: THT
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 5kV
Case: DIP8
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 60ns
Slew rate: 50kV/μs
Max. off-state voltage: 5V
Output voltage: 0...35V
на замовлення 311 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+72.12 грн
10+67.09 грн
25+62.06 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ESD7181MUT5G ESD7181MU-D.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 20.5÷35V; bidirectional; X3DFN2; reel,tape
Case: X3DFN2
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: bidirectional
Type of diode: TVS
Breakdown voltage: 20.5...35V
Max. off-state voltage: 18.5V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP1607BDR2G ncp1607-d.pdf
NCP1607BDR2G
Виробник: ONSEMI
Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: PMIC; 500÷800mA; 9.5÷20VDC; SO8; Topology: boost
Type of integrated circuit: PMIC
Output current: 500...800mA
Mounting: SMD
Operating voltage: 9.5...20V DC
Number of channels: 1
Operating temperature: -40...125°C
Case: SO8
Topology: boost
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTP125N65S3H ntp125n65s3h-d.pdf
NTP125N65S3H
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; Idm: 67A; 171W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 67A
Power dissipation: 171W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCMT125N65S3 FCMT125N65S3-D.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; Idm: 60A; 181W; PQFN4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 181W
Case: PQFN4
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 49nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMSD701T1G mmsd301t1-d.pdf
MMSD701T1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD123; SMD; 70V; 0.2A; reel,tape
Case: SOD123
Mounting: SMD
Max. forward voltage: 1V
Max. off-state voltage: 70V
Load current: 0.2A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 1pF
Type of diode: Schottky switching
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LM337T LM337T-FAI.pdf
LM337T
Виробник: ONSEMI
Category: Adjustable voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; linear,adjustable; -37÷-1.2V; 1.5A; THT
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: adjustable; linear
Output voltage: -37...-1.2V
Output current: 1.5A
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Operating temperature: 0...125°C
Number of channels: 1
Heatsink thickness: 0.51...0.61mm
Input voltage: 3...40V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF04M DF005-10m.pdf
DF04M
Виробник: ONSEMI
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 400V; If: 1.5A; Ifsm: 50A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1.5A
Max. forward impulse current: 50A
Case: MDIP4L
Electrical mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BPDXV6T1G BC847BPDXV6T1-D.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 45V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: complementary pair
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT563
Current gain: 200...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SBC847BPDXV6T1G
Виробник: ONSEMI
Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 45V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: complementary pair
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT563
Current gain: 200...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC14023BDR2G MC14001B-D.pdf
MC14023BDR2G
Виробник: ONSEMI
Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; NAND; Ch: 3; IN: 3; CMOS; SMD; SO14; 3÷18VDC; -55÷125°C
Technology: CMOS
Type of integrated circuit: digital
Family: HEF4000B
Kind of gate: NAND
Mounting: SMD
Case: SO14
Number of channels: triple; 3
Operating temperature: -55...125°C
Delay time: 130ns
Number of inputs: 3
Supply voltage: 3...18V DC
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBRS2040LT3G MBRS2040LT3G.PDF
MBRS2040LT3G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMB; SMD; 40V; 2A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMB
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.45V
Max. load current: 4A
Kind of package: reel; tape
на замовлення 3670 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+39.74 грн
16+27.00 грн
18+23.82 грн
25+20.13 грн
50+17.70 грн
100+15.60 грн
250+13.25 грн
500+11.66 грн
1000+10.23 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC74LVXT4051DR2G mc74lvxt4051-d.pdf
MC74LVXT4051DR2G
Виробник: ONSEMI
Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: digital; demultiplexer,multiplexer; Ch: 1; SO16; 2.5÷6VDC; 80uA
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: demultiplexer; multiplexer
Number of channels: 1
Case: SO16
Supply voltage: 2.5...6V DC
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -55...125°C
Quiescent current: 80µA
Technology: CMOS; TTL
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC74LVXT4051DTR2G MC74LVXT4051-D.pdf
MC74LVXT4051DTR2G
Виробник: ONSEMI
Category: Decoders, multiplexers, switches
Description: IC: digital; 8bit,analog,demultiplexer,multiplexer; Ch: 1; IN: 8
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: 8bit; analog; demultiplexer; multiplexer
Number of channels: 1
Case: TSSOP16
Supply voltage: -6...0V DC; 2.5...6V DC
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -55...125°C
Technology: CMOS; TTL
Manufacturer series: LVXT
Number of inputs: 8
Family: LVXT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFP12N10L description RFP12N10L.pdf
RFP12N10L
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+93.03 грн
10+49.48 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS012N10MDTAG nttfs012n10md-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 45A; Idm: 217A; 62W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 217A
Power dissipation: 62W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS012N10MCLTWG nvmys012n10mcl-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 52A; Idm: 283A; 36W; LFPAK56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 52A
Pulsed drain current: 283A
Power dissipation: 36W
Case: LFPAK56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1SMB5913BT3G 1SMB59xxBT3G.PDF
1SMB5913BT3G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 3W; 3.3V; SMD; SMB; reel,tape; single diode; 1SMB59xxB
Type of diode: Zener
Power dissipation: 3W
Zener voltage: 3.3V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: 1SMB59xxB
на замовлення 1755 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+28.00 грн
25+16.94 грн
32+13.33 грн
50+11.15 грн
100+9.48 грн
250+7.97 грн
500+7.04 грн
1000+6.79 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 243 486 729 972 1215 1458 1701 1944 2187 2351 2352 2353 2354 2355 2356 2357 2358 2359 2360 2361 2430 2437  [ Наступна Сторінка >> ]