Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (147387) > Сторінка 2356 з 2457

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NJVMJD44H11RLG NJVMJD44H11RLG ONSEMI MJD44H11_MJD45H11.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 80MHz
Application: automotive industry
Current gain: 60
на замовлення 1484 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+94.18 грн
10+54.42 грн
30+32.69 грн
82+30.90 грн
500+29.72 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11-1G MJD44H11-1G ONSEMI MJD44H11-1G.PDF MJD44H11_MJD45H11.PDF description Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 85MHz
Current gain: 60
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD44H11G NJVMJD44H11G ONSEMI mjd44h11-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 85MHz
Application: automotive industry
Current gain: 60
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD44H11T4G NJVMJD44H11T4G ONSEMI mjd44h11-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 85MHz
Application: automotive industry
Current gain: 60
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FIN1031MTCX FIN1031MTCX ONSEMI FIN1031.pdf Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: digital; differential,line driver,translator; LVDS; 3÷3.6VDC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of integrated circuit: differential; line driver; translator
Type of integrated circuit: digital
Technology: LVDS
Case: TSSOP16
Supply voltage: 3...3.6V DC
Number of channels: 4
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FIN1032MTCX FIN1032MTCX ONSEMI fin1032-d.pdf Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: digital; line receiver,differential,translator; LVDS; SMD
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of integrated circuit: differential; line receiver; translator
Type of integrated circuit: digital
Technology: LVDS
Case: TSSOP16
Supply voltage: 3...3.6V DC
Number of channels: 4
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FIN1031MX ONSEMI FIN1031.pdf Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: driver; LVTTL; LVDS; SOIC16; Ch: 4; 3÷3.6V
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Type of integrated circuit: driver
Technology: LVTTL
Interface: LVDS
Case: SOIC16
Number of receivers: 0
Supply voltage: 3...3.6V
Number of channels: 4
Data transfer rate: 400Mbps
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TL431ACDG TL431ACDG ONSEMI tl431-d.pdf Category: Reference voltage sources - circuits
Description: IC: voltage reference source; 2.495V; ±1%; SO8; tube; 100mA
Type of integrated circuit: voltage reference source
Reference voltage: 2.495V
Tolerance: ±1%
Mounting: SMD
Case: SO8
Operating temperature: 0...70°C
Operating voltage: 2.495...36V
Kind of package: tube
Maximum output current: 0.1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL431ACDR2G TL431ACDR2G ONSEMI tl431-d.pdf Category: Reference voltage sources - circuits
Description: IC: voltage reference source; 2.495V; ±1%; SO8; 100mA
Type of integrated circuit: voltage reference source
Reference voltage: 2.495V
Tolerance: ±1%
Mounting: SMD
Case: SO8
Operating temperature: 0...70°C
Operating voltage: 2.495...36V
Maximum output current: 0.1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2211LT3G MMUN2211LT3G ONSEMI MUN2211.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 35...60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMUN2211LT3G SMMUN2211LT3G ONSEMI dtc114e-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS0605 NDS0605 ONSEMI NDS0605.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.18A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.18A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 2.5nC
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 5149 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
18+26.52 грн
34+12.74 грн
50+10.34 грн
100+9.36 грн
250+8.07 грн
258+3.74 грн
709+3.53 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS0610 NDS0610 ONSEMI NDS0610.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.12A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -120mA
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 5488 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
19+24.69 грн
24+18.25 грн
50+14.01 грн
100+12.23 грн
215+4.49 грн
590+4.25 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOC3071M MOC3071M ONSEMI MOC3071M.pdf Category: Optotriacs
Description: Optotriac; 4.17kV; Uout: 800V; DIP6; Ch: 1; MOC3071M
Type of optocoupler: optotriac
Insulation voltage: 4.17kV
Output voltage: 800V
Kind of output: triac; without zero voltage crossing driver
Case: DIP6
Max. off-state voltage: 3V
Trigger current: 15mA
Mounting: THT
Number of channels: 1
Manufacturer series: MOC3071M
на замовлення 1072 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+73.15 грн
13+33.79 грн
50+28.53 грн
100+26.32 грн
500+24.54 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOC3073M MOC3073M ONSEMI MOC3071M.pdf Category: Optotriacs
Description: Optotriac; 4.17kV; Uout: 800V; DIP6; Ch: 1; MOC3073M
Type of optocoupler: optotriac
Insulation voltage: 4.17kV
Output voltage: 800V
Kind of output: triac; without zero voltage crossing driver
Case: DIP6
Max. off-state voltage: 3V
Trigger current: 6mA
Mounting: THT
Number of channels: 1
Manufacturer series: MOC3073M
на замовлення 311 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+117.95 грн
10+71.32 грн
50+60.28 грн
100+56.04 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOC3072M MOC3072M ONSEMI MOC3071M.pdf Category: Optotriacs
Description: Optotriac; 4.17kV; Uout: 800V; DIP6; Ch: 1; MOC3072M
Type of optocoupler: optotriac
Insulation voltage: 4.17kV
Output voltage: 800V
Kind of output: triac; without zero voltage crossing driver
Case: DIP6
Max. off-state voltage: 3V
Trigger current: 10mA
Mounting: THT
Number of channels: 1
Manufacturer series: MOC3072M
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+457.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MOC3073SM ONSEMI moc3072m-d.pdf Category: Optotriacs
Description: Optotriac; 4.17kV; Uout: 800V; PDIP6; Ch: 1; MOC3073M; 1kV/μs
Type of optocoupler: optotriac
Insulation voltage: 4.17kV
Output voltage: 800V
Kind of output: triac; without zero voltage crossing driver
Case: PDIP6
Max. off-state voltage: 3V
Trigger current: 6mA
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Manufacturer series: MOC3073M
Slew rate: 1kV/μs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MOC3072SM ONSEMI moc3072m-d.pdf Category: Optotriacs
Description: Optotriac; 4.17kV; Uout: 800V; PDIP6; Ch: 1; MOC3072M; 1kV/μs
Type of optocoupler: optotriac
Insulation voltage: 4.17kV
Output voltage: 800V
Kind of output: triac; zero voltage crossing driver
Case: PDIP6
Max. off-state voltage: 3V
Trigger current: 10mA
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Manufacturer series: MOC3072M
Slew rate: 1kV/μs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MOC3072SR2VM ONSEMI moc3072m-d.pdf Category: Optotriacs
Description: Optotriac; 4.17kV; Uout: 800V; triac; SMT6; Ch: 1; MOC3072M
Type of optocoupler: optotriac
Insulation voltage: 4.17kV
Output voltage: 800V
Kind of output: triac
Case: SMT6
Max. off-state voltage: 3V
Trigger current: 10mA
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Manufacturer series: MOC3072M
Kind of package: reel; tape
Conform to the norm: VDE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MOC3072SVM ONSEMI moc3072m-d.pdf Category: Optotriacs
Description: Optotriac; 4.17kV; Uout: 800V; triac; SMT6; Ch: 1; MOC3072M; tube
Type of optocoupler: optotriac
Insulation voltage: 4.17kV
Output voltage: 800V
Kind of output: triac
Case: SMT6
Max. off-state voltage: 3V
Trigger current: 10mA
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Manufacturer series: MOC3072M
Kind of package: tube
Conform to the norm: VDE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MOC3072TVM MOC3072TVM ONSEMI moc3072m-d.pdf Category: Optotriacs
Description: Optotriac; 4.17kV; Uout: 800V; triac; DIP6; Ch: 1; MOC3072M; tube
Type of optocoupler: optotriac
Insulation voltage: 4.17kV
Output voltage: 800V
Kind of output: triac
Case: DIP6
Max. off-state voltage: 3V
Trigger current: 10mA
Mounting: THT
Number of channels: 1
Manufacturer series: MOC3072M
Kind of package: tube
Conform to the norm: VDE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MOC3073SR2M ONSEMI moc3072m-d.pdf Category: Optotriacs
Description: Optotriac; 4.17kV; Uout: 800V; triac; SMT6; Ch: 1; MOC3073M
Type of optocoupler: optotriac
Insulation voltage: 4.17kV
Output voltage: 800V
Kind of output: triac
Case: SMT6
Max. off-state voltage: 3V
Trigger current: 6mA
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Manufacturer series: MOC3073M
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MOC3073SR2VM ONSEMI moc3072m-d.pdf Category: Optotriacs
Description: Optotriac; 4.17kV; Uout: 800V; triac; SMT6; Ch: 1; MOC3073M
Type of optocoupler: optotriac
Insulation voltage: 4.17kV
Output voltage: 800V
Kind of output: triac
Case: SMT6
Max. off-state voltage: 3V
Trigger current: 6mA
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Manufacturer series: MOC3073M
Kind of package: reel; tape
Conform to the norm: VDE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MOC3073SVM ONSEMI moc3072m-d.pdf Category: Optotriacs
Description: Optotriac; 4.17kV; Uout: 800V; triac; SMT6; Ch: 1; MOC3073M; tube
Type of optocoupler: optotriac
Insulation voltage: 4.17kV
Output voltage: 800V
Kind of output: triac
Case: SMT6
Max. off-state voltage: 3V
Trigger current: 6mA
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Manufacturer series: MOC3073M
Kind of package: tube
Conform to the norm: VDE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC78L05ABPRMG MC78L05ABPRMG ONSEMI mc78l00a-d.pdf Category: Fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; linear,fixed; 5V; 0.1A; TO92; THT; MC78L00A
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; linear
Voltage drop: 1.7V
Output voltage: 5V
Output current: 0.1A
Case: TO92
Mounting: THT
Manufacturer series: MC78L00A
Kind of package: Ammo Pack
Operating temperature: -40...125°C
Tolerance: ±4%
Number of channels: 1
Input voltage: 7...20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86367 FDD86367 ONSEMI FDD86367-D.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 227W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 227W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 88nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 367 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+191.09 грн
10+115.47 грн
100+89.15 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86367-F085 ONSEMI FDD86367_F085-D.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 227W; DPAK3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 227W
Case: DPAK3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP10120A ONSEMI ffsp10120a-d.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO220-2; tube
Max. forward voltage: 1.75V
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP1065A ONSEMI ffsp1065a-d.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15A; TO220-2; tube
Max. forward voltage: 1.75V
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 15A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP1065B-F085 ONSEMI ffsp1065b-f085-d.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220-2; tube
Max. forward voltage: 1.7V
Technology: SiC
Application: automotive industry
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP1265A ONSEMI ffsp1265a-d.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15A; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.75V
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP15120A ONSEMI ffsp15120a-d.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15A; TO220-2; tube
Max. forward voltage: 1.75V
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 15A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJ15024G MJ15024G ONSEMI MJ15022.PDF description Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 16A; 250W; TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 250V
Collector current: 16A
Power dissipation: 250W
Case: TO3
Mounting: THT
Kind of package: in-tray
Frequency: 4MHz
на замовлення 67 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+518.42 грн
3+414.32 грн
7+392.25 грн
10+379.51 грн
25+376.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5087LT1G MMBT5087LT1G ONSEMI mmbt5087lt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 0.05A; 0.25W; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 50V
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Current gain: 250...800
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23; TO236AB
Frequency: 40MHz
Collector current: 50mA
на замовлення 397 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
36+12.80 грн
53+8.07 грн
77+5.54 грн
100+4.68 грн
250+3.77 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT5087LT1G NSVMMBT5087LT1G ONSEMI mmbt5087lt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 0.05A; 0.25W; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 50V
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Application: automotive industry
Type of transistor: PNP
Current gain: 250...800
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23; TO236AB
Frequency: 40MHz
Collector current: 50mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KSC5027OTU KSC5027OTU ONSEMI KSC5027.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 800V; 3A; 50W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 800V
Collector current: 3A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Current gain: 20...40
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 15MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4D0N12C ONSEMI fdms4d0n12c-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 114A; Idm: 628A; 106W; PQFN8
Mounting: SMD
Case: PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 82nC
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 8.8mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 106W
Drain current: 114A
Drain-source voltage: 120V
Pulsed drain current: 628A
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD2955T4G NTD2955T4G ONSEMI ntd2955-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -12A; Idm: -18A; 55W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -12A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -18A
Gate charge: 15nC
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 1343 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+135.32 грн
10+61.30 грн
35+28.02 грн
95+26.49 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FUSB15201VMNWTWG FUSB15201VMNWTWG ONSEMI FUSB15201-D.PDF Category: Battery and battery cells controllers
Description: IC: interface; QFN24; 3÷5.5V; 24MHz; Interface: I2C
Type of integrated circuit: interface
Mounting: SMD
DC supply current: 330µA
Case: QFN24
Operating temperature: -40...105°C
Supply voltage: 3...5.5V
Frequency: 24MHz
Interface: I2C
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSD2012GTU KSD2012GTU ONSEMI KSD2012.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 3A; 25W; TO220FP
Mounting: THT
Type of transistor: NPN
Current gain: 150...320
Kind of package: tube
Case: TO220FP
Frequency: 3MHz
Collector current: 3A
Collector-emitter voltage: 60V
Power dissipation: 25W
Polarisation: bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KSC1845FTA KSC1845FTA ONSEMI KSC1845.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 120V; 0.05A; 0.5W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 120V
Collector current: 50mA
Power dissipation: 0.5W
Case: TO92 Formed
Current gain: 300...600
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 100MHz
на замовлення 2670 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+22.86 грн
32+13.41 грн
50+9.70 грн
100+8.39 грн
200+7.23 грн
229+4.25 грн
629+4.02 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD11P06TM FQD11P06TM ONSEMI FQD11P06.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.95A; 38W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.95A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2469 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+116.12 грн
5+86.94 грн
10+73.69 грн
22+45.17 грн
60+42.71 грн
100+41.86 грн
250+41.01 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD17P06TM FQD17P06TM ONSEMI FQD17P06.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.6A; 44W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.6A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 508 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+110.63 грн
6+80.83 грн
10+70.64 грн
50+51.20 грн
100+44.74 грн
500+38.21 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQA36P15 FQA36P15 ONSEMI FQA36P15.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -25.5A; 294W; TO3PN
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -25.5A
Power dissipation: 294W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 257 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+326.41 грн
10+249.61 грн
30+211.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP47P06 FQP47P06 ONSEMI FQP47P06.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -33.2A; 160W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -33.2A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD8P10TM FQD8P10TM ONSEMI FQD8P10.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4.2A; 44W; DPAK
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4.2A
Case: DPAK
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 530mΩ
Power dissipation: 44W
Technology: QFET®
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 15nC
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
на замовлення 1441 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+63.09 грн
9+49.75 грн
10+46.19 грн
34+29.21 грн
92+27.59 грн
500+27.51 грн
1000+26.57 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD7P20TM FQD7P20TM ONSEMI FQD7P20.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -3.6A; 55W; DPAK
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -3.6A
Case: DPAK
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 690mΩ
Power dissipation: 55W
Technology: QFET®
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 25nC
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
на замовлення 1135 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+131.66 грн
10+60.03 грн
20+49.07 грн
55+46.36 грн
250+45.08 грн
500+44.57 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB22P10TM FQB22P10TM ONSEMI FQB22P10.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15.6A; 125W; D2PAK
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -15.6A
Case: D2PAK
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.125Ω
Power dissipation: 125W
Technology: QFET®
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 50nC
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
на замовлення 3369 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+207.55 грн
5+148.58 грн
10+124.81 грн
12+86.60 грн
31+81.51 грн
100+79.81 грн
800+78.96 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP17P06 FQP17P06 ONSEMI FQP17P06.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -12A; 79W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -12A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 184 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+172.81 грн
5+119.71 грн
10+98.49 грн
50+84.05 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQT7N10LTF FQT7N10LTF ONSEMI FQT7N10L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.36A; 2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.36A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2492 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+52.12 грн
500+24.88 грн
1000+24.45 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD3P50TM FQD3P50TM ONSEMI FQD3P50.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -1.33A; 50W; DPAK
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -1.33A
Case: DPAK
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 4.9Ω
Power dissipation: 50W
Technology: QFET®
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 23nC
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+152.69 грн
10+56.88 грн
25+53.49 грн
50+52.64 грн
100+51.79 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB34P10TM FQB34P10TM ONSEMI FQB34P10.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23.5A; 155W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -23.5A
Power dissipation: 155W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 312 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+274.30 грн
5+205.46 грн
10+180.84 грн
25+151.12 грн
100+132.45 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD12N20LTM FQD12N20LTM ONSEMI FQD12N20L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; 55W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 977 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+103.32 грн
6+73.19 грн
10+63.34 грн
32+30.73 грн
88+29.04 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC2523PFDMC2523P
FDMC2523PFDMC2523P
 FDMC2523P ONSEMI FDMC2523P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -1.8A; 42W; MLP8
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -1.8A
Case: MLP8
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 3.6Ω
Power dissipation: 42W
Technology: QFET®
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 9nC
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
на замовлення 2988 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+183.78 грн
5+101.88 грн
10+94.24 грн
15+65.37 грн
41+61.98 грн
1000+59.43 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB12P20TM FQB12P20TM ONSEMI FQB12P20.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -7.27A; 120W; D2PAK
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -7.27A
Case: D2PAK
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 470mΩ
Power dissipation: 120W
Technology: QFET®
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
на замовлення 280 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+211.21 грн
5+151.97 грн
10+132.45 грн
11+92.54 грн
29+87.45 грн
100+85.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF47P06 FQPF47P06 ONSEMI FQPF47P06.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -21.2A; 62W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -21.2A
Power dissipation: 62W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+221.59 грн
3+208.86 грн
10+160.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB47P06TM-AM002 FQB47P06TM-AM002 ONSEMI FQB47P06.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -33.2A; 160W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -33.2A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 627 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+323.67 грн
10+202.92 грн
25+182.54 грн
50+166.41 грн
100+161.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQA70N10 FQA70N10 ONSEMI FQA70N10.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 49.5A; 214W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 49.5A
Power dissipation: 214W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+254.18 грн
10+143.48 грн
30+138.39 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10LTM FQD13N10LTM ONSEMI FQD13N10L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.3A; 40W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 40W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 757 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+89.60 грн
7+62.32 грн
10+53.66 грн
41+24.20 грн
111+22.84 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD19N10LTM FQD19N10LTM ONSEMI FQD19N10L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.8A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.8A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1467 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+110.63 грн
6+77.43 грн
10+68.26 грн
50+51.20 грн
100+45.34 грн
500+37.19 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD44H11RLG MJD44H11_MJD45H11.PDF
NJVMJD44H11RLG
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 80MHz
Application: automotive industry
Current gain: 60
на замовлення 1484 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+94.18 грн
10+54.42 грн
30+32.69 грн
82+30.90 грн
500+29.72 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11-1G description MJD44H11-1G.PDF MJD44H11_MJD45H11.PDF
MJD44H11-1G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 85MHz
Current gain: 60
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD44H11G mjd44h11-d.pdf
NJVMJD44H11G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 85MHz
Application: automotive industry
Current gain: 60
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD44H11T4G mjd44h11-d.pdf
NJVMJD44H11T4G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 85MHz
Application: automotive industry
Current gain: 60
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FIN1031MTCX FIN1031.pdf
FIN1031MTCX
Виробник: ONSEMI
Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: digital; differential,line driver,translator; LVDS; 3÷3.6VDC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of integrated circuit: differential; line driver; translator
Type of integrated circuit: digital
Technology: LVDS
Case: TSSOP16
Supply voltage: 3...3.6V DC
Number of channels: 4
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FIN1032MTCX fin1032-d.pdf
FIN1032MTCX
Виробник: ONSEMI
Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: digital; line receiver,differential,translator; LVDS; SMD
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of integrated circuit: differential; line receiver; translator
Type of integrated circuit: digital
Technology: LVDS
Case: TSSOP16
Supply voltage: 3...3.6V DC
Number of channels: 4
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FIN1031MX FIN1031.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: driver; LVTTL; LVDS; SOIC16; Ch: 4; 3÷3.6V
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Type of integrated circuit: driver
Technology: LVTTL
Interface: LVDS
Case: SOIC16
Number of receivers: 0
Supply voltage: 3...3.6V
Number of channels: 4
Data transfer rate: 400Mbps
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TL431ACDG tl431-d.pdf
TL431ACDG
Виробник: ONSEMI
Category: Reference voltage sources - circuits
Description: IC: voltage reference source; 2.495V; ±1%; SO8; tube; 100mA
Type of integrated circuit: voltage reference source
Reference voltage: 2.495V
Tolerance: ±1%
Mounting: SMD
Case: SO8
Operating temperature: 0...70°C
Operating voltage: 2.495...36V
Kind of package: tube
Maximum output current: 0.1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL431ACDR2G tl431-d.pdf
TL431ACDR2G
Виробник: ONSEMI
Category: Reference voltage sources - circuits
Description: IC: voltage reference source; 2.495V; ±1%; SO8; 100mA
Type of integrated circuit: voltage reference source
Reference voltage: 2.495V
Tolerance: ±1%
Mounting: SMD
Case: SO8
Operating temperature: 0...70°C
Operating voltage: 2.495...36V
Maximum output current: 0.1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2211LT3G MUN2211.PDF
MMUN2211LT3G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 35...60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMUN2211LT3G dtc114e-d.pdf
SMMUN2211LT3G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS0605 NDS0605.pdf
NDS0605
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.18A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.18A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 2.5nC
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 5149 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+26.52 грн
34+12.74 грн
50+10.34 грн
100+9.36 грн
250+8.07 грн
258+3.74 грн
709+3.53 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS0610 NDS0610.pdf
NDS0610
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.12A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -120mA
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 5488 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
19+24.69 грн
24+18.25 грн
50+14.01 грн
100+12.23 грн
215+4.49 грн
590+4.25 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOC3071M MOC3071M.pdf
MOC3071M
Виробник: ONSEMI
Category: Optotriacs
Description: Optotriac; 4.17kV; Uout: 800V; DIP6; Ch: 1; MOC3071M
Type of optocoupler: optotriac
Insulation voltage: 4.17kV
Output voltage: 800V
Kind of output: triac; without zero voltage crossing driver
Case: DIP6
Max. off-state voltage: 3V
Trigger current: 15mA
Mounting: THT
Number of channels: 1
Manufacturer series: MOC3071M
на замовлення 1072 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+73.15 грн
13+33.79 грн
50+28.53 грн
100+26.32 грн
500+24.54 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOC3073M MOC3071M.pdf
MOC3073M
Виробник: ONSEMI
Category: Optotriacs
Description: Optotriac; 4.17kV; Uout: 800V; DIP6; Ch: 1; MOC3073M
Type of optocoupler: optotriac
Insulation voltage: 4.17kV
Output voltage: 800V
Kind of output: triac; without zero voltage crossing driver
Case: DIP6
Max. off-state voltage: 3V
Trigger current: 6mA
Mounting: THT
Number of channels: 1
Manufacturer series: MOC3073M
на замовлення 311 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+117.95 грн
10+71.32 грн
50+60.28 грн
100+56.04 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOC3072M MOC3071M.pdf
MOC3072M
Виробник: ONSEMI
Category: Optotriacs
Description: Optotriac; 4.17kV; Uout: 800V; DIP6; Ch: 1; MOC3072M
Type of optocoupler: optotriac
Insulation voltage: 4.17kV
Output voltage: 800V
Kind of output: triac; without zero voltage crossing driver
Case: DIP6
Max. off-state voltage: 3V
Trigger current: 10mA
Mounting: THT
Number of channels: 1
Manufacturer series: MOC3072M
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+457.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MOC3073SM moc3072m-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Optotriacs
Description: Optotriac; 4.17kV; Uout: 800V; PDIP6; Ch: 1; MOC3073M; 1kV/μs
Type of optocoupler: optotriac
Insulation voltage: 4.17kV
Output voltage: 800V
Kind of output: triac; without zero voltage crossing driver
Case: PDIP6
Max. off-state voltage: 3V
Trigger current: 6mA
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Manufacturer series: MOC3073M
Slew rate: 1kV/μs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MOC3072SM moc3072m-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Optotriacs
Description: Optotriac; 4.17kV; Uout: 800V; PDIP6; Ch: 1; MOC3072M; 1kV/μs
Type of optocoupler: optotriac
Insulation voltage: 4.17kV
Output voltage: 800V
Kind of output: triac; zero voltage crossing driver
Case: PDIP6
Max. off-state voltage: 3V
Trigger current: 10mA
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Manufacturer series: MOC3072M
Slew rate: 1kV/μs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MOC3072SR2VM moc3072m-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Optotriacs
Description: Optotriac; 4.17kV; Uout: 800V; triac; SMT6; Ch: 1; MOC3072M
Type of optocoupler: optotriac
Insulation voltage: 4.17kV
Output voltage: 800V
Kind of output: triac
Case: SMT6
Max. off-state voltage: 3V
Trigger current: 10mA
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Manufacturer series: MOC3072M
Kind of package: reel; tape
Conform to the norm: VDE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MOC3072SVM moc3072m-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Optotriacs
Description: Optotriac; 4.17kV; Uout: 800V; triac; SMT6; Ch: 1; MOC3072M; tube
Type of optocoupler: optotriac
Insulation voltage: 4.17kV
Output voltage: 800V
Kind of output: triac
Case: SMT6
Max. off-state voltage: 3V
Trigger current: 10mA
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Manufacturer series: MOC3072M
Kind of package: tube
Conform to the norm: VDE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MOC3072TVM moc3072m-d.pdf
MOC3072TVM
Виробник: ONSEMI
Category: Optotriacs
Description: Optotriac; 4.17kV; Uout: 800V; triac; DIP6; Ch: 1; MOC3072M; tube
Type of optocoupler: optotriac
Insulation voltage: 4.17kV
Output voltage: 800V
Kind of output: triac
Case: DIP6
Max. off-state voltage: 3V
Trigger current: 10mA
Mounting: THT
Number of channels: 1
Manufacturer series: MOC3072M
Kind of package: tube
Conform to the norm: VDE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MOC3073SR2M moc3072m-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Optotriacs
Description: Optotriac; 4.17kV; Uout: 800V; triac; SMT6; Ch: 1; MOC3073M
Type of optocoupler: optotriac
Insulation voltage: 4.17kV
Output voltage: 800V
Kind of output: triac
Case: SMT6
Max. off-state voltage: 3V
Trigger current: 6mA
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Manufacturer series: MOC3073M
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MOC3073SR2VM moc3072m-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Optotriacs
Description: Optotriac; 4.17kV; Uout: 800V; triac; SMT6; Ch: 1; MOC3073M
Type of optocoupler: optotriac
Insulation voltage: 4.17kV
Output voltage: 800V
Kind of output: triac
Case: SMT6
Max. off-state voltage: 3V
Trigger current: 6mA
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Manufacturer series: MOC3073M
Kind of package: reel; tape
Conform to the norm: VDE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MOC3073SVM moc3072m-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Optotriacs
Description: Optotriac; 4.17kV; Uout: 800V; triac; SMT6; Ch: 1; MOC3073M; tube
Type of optocoupler: optotriac
Insulation voltage: 4.17kV
Output voltage: 800V
Kind of output: triac
Case: SMT6
Max. off-state voltage: 3V
Trigger current: 6mA
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Manufacturer series: MOC3073M
Kind of package: tube
Conform to the norm: VDE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC78L05ABPRMG mc78l00a-d.pdf
MC78L05ABPRMG
Виробник: ONSEMI
Category: Fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; linear,fixed; 5V; 0.1A; TO92; THT; MC78L00A
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; linear
Voltage drop: 1.7V
Output voltage: 5V
Output current: 0.1A
Case: TO92
Mounting: THT
Manufacturer series: MC78L00A
Kind of package: Ammo Pack
Operating temperature: -40...125°C
Tolerance: ±4%
Number of channels: 1
Input voltage: 7...20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86367 FDD86367-D.PDF
FDD86367
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 227W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 227W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 88nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 367 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+191.09 грн
10+115.47 грн
100+89.15 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86367-F085 FDD86367_F085-D.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 227W; DPAK3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 227W
Case: DPAK3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP10120A ffsp10120a-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO220-2; tube
Max. forward voltage: 1.75V
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP1065A ffsp1065a-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15A; TO220-2; tube
Max. forward voltage: 1.75V
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 15A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP1065B-F085 ffsp1065b-f085-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220-2; tube
Max. forward voltage: 1.7V
Technology: SiC
Application: automotive industry
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP1265A ffsp1265a-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15A; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.75V
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP15120A ffsp15120a-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15A; TO220-2; tube
Max. forward voltage: 1.75V
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 15A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJ15024G description MJ15022.PDF
MJ15024G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 16A; 250W; TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 250V
Collector current: 16A
Power dissipation: 250W
Case: TO3
Mounting: THT
Kind of package: in-tray
Frequency: 4MHz
на замовлення 67 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+518.42 грн
3+414.32 грн
7+392.25 грн
10+379.51 грн
25+376.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5087LT1G mmbt5087lt1-d.pdf
MMBT5087LT1G
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 0.05A; 0.25W; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 50V
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Current gain: 250...800
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23; TO236AB
Frequency: 40MHz
Collector current: 50mA
на замовлення 397 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
36+12.80 грн
53+8.07 грн
77+5.54 грн
100+4.68 грн
250+3.77 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT5087LT1G mmbt5087lt1-d.pdf
NSVMMBT5087LT1G
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 0.05A; 0.25W; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 50V
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Application: automotive industry
Type of transistor: PNP
Current gain: 250...800
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23; TO236AB
Frequency: 40MHz
Collector current: 50mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KSC5027OTU KSC5027.PDF
KSC5027OTU
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 800V; 3A; 50W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 800V
Collector current: 3A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Current gain: 20...40
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 15MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4D0N12C fdms4d0n12c-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 114A; Idm: 628A; 106W; PQFN8
Mounting: SMD
Case: PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 82nC
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 8.8mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 106W
Drain current: 114A
Drain-source voltage: 120V
Pulsed drain current: 628A
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD2955T4G ntd2955-d.pdf
NTD2955T4G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -12A; Idm: -18A; 55W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -12A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -18A
Gate charge: 15nC
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 1343 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+135.32 грн
10+61.30 грн
35+28.02 грн
95+26.49 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FUSB15201VMNWTWG FUSB15201-D.PDF
FUSB15201VMNWTWG
Виробник: ONSEMI
Category: Battery and battery cells controllers
Description: IC: interface; QFN24; 3÷5.5V; 24MHz; Interface: I2C
Type of integrated circuit: interface
Mounting: SMD
DC supply current: 330µA
Case: QFN24
Operating temperature: -40...105°C
Supply voltage: 3...5.5V
Frequency: 24MHz
Interface: I2C
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSD2012GTU KSD2012.pdf
KSD2012GTU
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 3A; 25W; TO220FP
Mounting: THT
Type of transistor: NPN
Current gain: 150...320
Kind of package: tube
Case: TO220FP
Frequency: 3MHz
Collector current: 3A
Collector-emitter voltage: 60V
Power dissipation: 25W
Polarisation: bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KSC1845FTA KSC1845.PDF
KSC1845FTA
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 120V; 0.05A; 0.5W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 120V
Collector current: 50mA
Power dissipation: 0.5W
Case: TO92 Formed
Current gain: 300...600
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 100MHz
на замовлення 2670 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+22.86 грн
32+13.41 грн
50+9.70 грн
100+8.39 грн
200+7.23 грн
229+4.25 грн
629+4.02 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD11P06TM FQD11P06.pdf
FQD11P06TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.95A; 38W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.95A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2469 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+116.12 грн
5+86.94 грн
10+73.69 грн
22+45.17 грн
60+42.71 грн
100+41.86 грн
250+41.01 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD17P06TM FQD17P06.pdf
FQD17P06TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.6A; 44W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.6A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 508 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+110.63 грн
6+80.83 грн
10+70.64 грн
50+51.20 грн
100+44.74 грн
500+38.21 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQA36P15 FQA36P15.pdf
FQA36P15
Виробник: ONSEMI
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -25.5A; 294W; TO3PN
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -25.5A
Power dissipation: 294W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 257 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+326.41 грн
10+249.61 грн
30+211.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP47P06 FQP47P06.pdf
FQP47P06
Виробник: ONSEMI
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -33.2A; 160W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -33.2A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD8P10TM FQD8P10.pdf
FQD8P10TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4.2A; 44W; DPAK
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4.2A
Case: DPAK
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 530mΩ
Power dissipation: 44W
Technology: QFET®
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 15nC
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
на замовлення 1441 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+63.09 грн
9+49.75 грн
10+46.19 грн
34+29.21 грн
92+27.59 грн
500+27.51 грн
1000+26.57 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD7P20TM FQD7P20.pdf
FQD7P20TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -3.6A; 55W; DPAK
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -3.6A
Case: DPAK
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 690mΩ
Power dissipation: 55W
Technology: QFET®
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 25nC
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
на замовлення 1135 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+131.66 грн
10+60.03 грн
20+49.07 грн
55+46.36 грн
250+45.08 грн
500+44.57 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB22P10TM FQB22P10.pdf
FQB22P10TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15.6A; 125W; D2PAK
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -15.6A
Case: D2PAK
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.125Ω
Power dissipation: 125W
Technology: QFET®
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 50nC
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
на замовлення 3369 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+207.55 грн
5+148.58 грн
10+124.81 грн
12+86.60 грн
31+81.51 грн
100+79.81 грн
800+78.96 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP17P06 FQP17P06.pdf
FQP17P06
Виробник: ONSEMI
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -12A; 79W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -12A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 184 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+172.81 грн
5+119.71 грн
10+98.49 грн
50+84.05 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQT7N10LTF FQT7N10L.pdf
FQT7N10LTF
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.36A; 2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.36A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2492 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+52.12 грн
500+24.88 грн
1000+24.45 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD3P50TM FQD3P50.pdf
FQD3P50TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -1.33A; 50W; DPAK
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -1.33A
Case: DPAK
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 4.9Ω
Power dissipation: 50W
Technology: QFET®
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 23nC
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+152.69 грн
10+56.88 грн
25+53.49 грн
50+52.64 грн
100+51.79 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB34P10TM FQB34P10.pdf
FQB34P10TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23.5A; 155W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -23.5A
Power dissipation: 155W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 312 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+274.30 грн
5+205.46 грн
10+180.84 грн
25+151.12 грн
100+132.45 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD12N20LTM FQD12N20L.pdf
FQD12N20LTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; 55W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 977 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+103.32 грн
6+73.19 грн
10+63.34 грн
32+30.73 грн
88+29.04 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC2523P FDMC2523P.pdf
FDMC2523PFDMC2523P
FDMC2523PFDMC2523P
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -1.8A; 42W; MLP8
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -1.8A
Case: MLP8
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 3.6Ω
Power dissipation: 42W
Technology: QFET®
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 9nC
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
на замовлення 2988 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+183.78 грн
5+101.88 грн
10+94.24 грн
15+65.37 грн
41+61.98 грн
1000+59.43 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB12P20TM FQB12P20.pdf
FQB12P20TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -7.27A; 120W; D2PAK
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -7.27A
Case: D2PAK
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 470mΩ
Power dissipation: 120W
Technology: QFET®
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
на замовлення 280 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+211.21 грн
5+151.97 грн
10+132.45 грн
11+92.54 грн
29+87.45 грн
100+85.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF47P06 FQPF47P06.pdf
FQPF47P06
Виробник: ONSEMI
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -21.2A; 62W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -21.2A
Power dissipation: 62W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+221.59 грн
3+208.86 грн
10+160.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB47P06TM-AM002 FQB47P06.pdf
FQB47P06TM-AM002
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -33.2A; 160W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -33.2A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 627 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+323.67 грн
10+202.92 грн
25+182.54 грн
50+166.41 грн
100+161.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQA70N10 FQA70N10.pdf
FQA70N10
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 49.5A; 214W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 49.5A
Power dissipation: 214W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+254.18 грн
10+143.48 грн
30+138.39 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10LTM FQD13N10L.pdf
FQD13N10LTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.3A; 40W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 40W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 757 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+89.60 грн
7+62.32 грн
10+53.66 грн
41+24.20 грн
111+22.84 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD19N10LTM FQD19N10L.pdf
FQD19N10LTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.8A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.8A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1467 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+110.63 грн
6+77.43 грн
10+68.26 грн
50+51.20 грн
100+45.34 грн
500+37.19 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.