Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
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BC847AWT1G | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 9257 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MBRS2H100T3G | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AA (SMB) Durchlassstoßstrom: 130A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 650mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: MBRS2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MBRS1540T3G | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AA (SMB) Durchlassstoßstrom: 40A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 460mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: MBRS1 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 4355 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MBRS1540T3G | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AA (SMB) Durchlassstoßstrom: 40A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 460mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: MBRS1 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 4355 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MC14044BDR2G | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85423990 Logik-IC-Sockelnummer: 4044 rohsCompliant: YES Logik-IC-Familie: MC140 Bauform - Logikbaustein: SOIC IC-Ausgang: Tri-State hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: - Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Anzahl der Bits: 4bit MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Versorgungsspannung, min.: 3V Logikfamilie / Sockelnummer: MC14044 euEccn: NLR Ausbreitungsverzögerung: 175ns Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Latchtyp: SR Versorgungsspannung, max.: 18V Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 3586 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MURS480ET3G | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AB (SMC) Durchlassstoßstrom: 70A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.85V Sperrverzögerungszeit: 100ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: MURS4 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 2485 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MURS480ET3G | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AB (SMC) Durchlassstoßstrom: 70A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.85V Sperrverzögerungszeit: 100ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: MURS4 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 2485 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NDS355AN | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FPF3380UCX | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85423190 Durchlasswiderstand: 0.015ohm rohsCompliant: YES Überhitzungsschutz: Ja hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Strombegrenzung: - IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-Low Leistungsschaltertyp: - euEccn: NLR Eingangsspannung: 23V Anzahl der Pins: 12Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 85°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 11355 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FPF3380UCX | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85423190 Durchlasswiderstand: 0.015ohm rohsCompliant: YES Überhitzungsschutz: Ja hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Strombegrenzung: - IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-Low Leistungsschaltertyp: - euEccn: NLR Eingangsspannung: 23V Anzahl der Pins: 12Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 85°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 11355 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NSVBAS21AHT1G | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-323 Durchlassstoßstrom: 625mA rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 50ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 250V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 65 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
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SMMSD103T1G | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-123 Durchlassstoßstrom: 625mA rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 50ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 250V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 8975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NSVBAS21HT1G | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-323 Durchlassstoßstrom: 20A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 50ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 250V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 24950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SMMSD103T1G | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-123 Durchlassstoßstrom: 625mA rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 50ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 250V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 8975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MC7812CDTRKG | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85423990 Ausgang: Fest rohsCompliant: Y-EX Ausgangsspannung, min.: - IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK) Nennausgangsspannung: 12V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: - Eingangsspannung, max.: 35V euEccn: NLR Ausgangsstrom, max.: 1A Eingangsspannung, min.: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: 7812 Voltage Regulators Ausgangsspannung, nom.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Ausgangsstrom, max.: 1A Betriebstemperatur, max.: 125°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1967 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NTMTS6D0N15MC | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 135A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 245W Bauform - Transistor: DFNW Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 354 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NTMTS6D0N15MC | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 135A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 245W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 245W Bauform - Transistor: DFNW Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0046ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 354 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDS3992 | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.054ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1767 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDB0260N1007L | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 200A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1251 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCV1117DT18T5G | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85423990 Ausgang: Fest rohsCompliant: Y-EX Ausgangsspannung, min.: - IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK) Nennausgangsspannung: 1.8V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 20V euEccn: NLR Ausgangsstrom, max.: 1A Polarität: Positiver Ausgang Eingangsspannung, min.: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: 1.8V 1A LDO Voltage Regulators Ausgangsspannung, nom.: 1.8V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Ausgangsstrom, max.: 1A Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 1.2V Typische Dropout-Spannung bei Strom: 0 Betriebstemperatur, max.: 125°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 9248 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NTR4501NT1G | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 79350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDV304P | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 460mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 860mV euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDV304P | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 460mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 860mV euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 2.7V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.22ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 164909 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SS16HE | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85423990 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES directShipCharge: 25 usEccn: EAR99 |
на замовлення 21 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
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CAT25128VI-GT3 | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85423261 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Speicherdichte: 128Kbit MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Taktfrequenz, max.: 10MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.8V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: 128Kbit SPI Serial EEPROM productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: SPI Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 16K x 8 Bit SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 3263 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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CAT24M01YI-GT3 | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85423261 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP Speicherdichte: 1Mbit MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Taktfrequenz, max.: 1MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.8V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: 1Mbit I2C Serial EEPROM productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: I2C Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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CAT25128YI-GT3 | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85423275 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP Speicherdichte: 128Kbit MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Taktfrequenz, max.: 10MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.8V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: 125Kbit SPI Serial EEPROM productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: SPI Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 16K x 8 Bit SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 42478 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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CAT24M01HU5I-GT3 | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85423261 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: UDFN Speicherdichte: 1Mbit MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Taktfrequenz, max.: 1MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.8V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: 1Mbit I2C Serial EEPROM productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: I2C Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 15658 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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CAT4104V-GT3 | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: 25V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 4Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 5.5V euEccn: NLR Ausgangsstrom, max.: 700mA Eingangsspannung, min.: 3V Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 8773 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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CAT25320YI-GT3 | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85423261 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP Speicherdichte: 32Kbit MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Taktfrequenz, max.: 10MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.8V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: 32Kbit SPI Serial EEPROM productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: SPI Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 4K x 8 Bit SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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CAT24M01YI-GT3 | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85423261 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP Speicherdichte: 1Mbit MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Taktfrequenz, max.: 1MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.8V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: 1Mbit I2C Serial EEPROM productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: I2C Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1799 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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CAT4104VP2-GT3 | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: 25V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: TDFN MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 4Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 5.5V euEccn: NLR Ausgangsstrom, max.: 700mA Eingangsspannung, min.: 3V Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 10244 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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CAT25512HU5I-GT3 | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85423275 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: UDFN Speicherdichte: 512Kbit MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Taktfrequenz, max.: 20MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.8V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: 512Kbit SPI Serial EEPROM productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: SPI Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 64K x 8 Bit SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1981 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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CAT25128YI-GT3 | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85423275 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP Speicherdichte: 128Kbit MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Taktfrequenz, max.: 10MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.8V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: 125Kbit SPI Serial EEPROM productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: SPI Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 16K x 8 Bit SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 42508 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NSS40301MDR2G | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 180hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 653mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 3A SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 3207 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NSS40301MDR2G | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 180hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 653mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 3A SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 3207 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NSS40301CTWG | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: LFPAK Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: e2PowerEdge Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 215MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NSS40301CTWG | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MM74HC245AWMX | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85423990 Logik-IC-Sockelnummer: 74245 rohsCompliant: YES Logik-IC-Familie: 74HC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2V Logikfamilie / Sockelnummer: 74HC245 euEccn: NLR Logikbaustein: Transceiver, bidirektional Anzahl der Pins: 20Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 842 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MCT9001 | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85414900 rohsCompliant: YES Anzahl der Kanäle: 2 Kanäle hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES CTR, min.: 50% usEccn: EAR99 Isolationsspannung: 5kV Durchlassstrom If, max.: 60mA euEccn: NLR Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 55V Bauform - Optokoppler: DIP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1605 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NDS331N | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 260206 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NDS331N | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 297000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DTC114EM3T5G | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 600mW Bauform - Transistor: SOT-723 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 3830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DTC114TET1G | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: - euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SC-75 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 192 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
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MC78L12ACDR2G | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85423990 Ausgang: Fest rohsCompliant: YES Ausgangsspannung, min.: - IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Nennausgangsspannung: 12V MSL: - usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: 0°C Eingangsspannung, max.: 35V euEccn: NLR Ausgangsstrom, max.: 100mA Eingangsspannung, min.: 19V Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: 7812 Voltage Regulators Ausgangsspannung, nom.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Ausgangsstrom, max.: 100mA Betriebstemperatur, max.: 125°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2613 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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74ACT14SCX | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Logikfunktion: Wechselrichter Logik-IC-Familie: 74ACT Bauform - Logikbaustein: NSOIC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 24mA IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: 74ACT14 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Anzahl der Eingänge: 1Inputs Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang Betriebstemperatur, max.: 85°C Anzahl von Elementen: Sechs SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2503 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MM3Z3V3T1G | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-323 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: MM3ZxxxT1G productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 3.3V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 192049 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MM74HC373WMX | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85423990 Logik-IC-Sockelnummer: 74373 rohsCompliant: YES Logik-IC-Familie: 74HC Bauform - Logikbaustein: WSOIC IC-Ausgang: Tri-State hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: - Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC Anzahl der Bits: 8bit MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2V Logikfamilie / Sockelnummer: 74HC373 euEccn: NLR Ausbreitungsverzögerung: - Anzahl der Pins: 20Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Latchtyp: Typ D Versorgungsspannung, max.: 6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1431 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MMBZ5242BLT1G | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBZ52xxBLT1G productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 12V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 29663 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NTH4L060N065SC1 | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 47A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 176W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 401 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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LM317LBDR2G | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85423990 Ausgang: Einstellbar rohsCompliant: YES Ausgangsspannung, min.: 1.2V IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: 37V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: - usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 40V euEccn: NLR Ausgangsstrom, max.: 100mA Eingangsspannung, min.: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Ausgangsspannung, nom.: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Ausgangsstrom, max.: 100mA Betriebstemperatur, max.: 125°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 40215 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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74ACT08MTCX | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Logikfunktion: AND-Gatter Logik-IC-Familie: 74ACT Bauform - Logikbaustein: TSSOP hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: - IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: 74ACT08 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Anzahl der Eingänge: 2Inputs Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang Betriebstemperatur, max.: 85°C Anzahl von Elementen: Vier SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 3059 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MC14066BDR2G | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85423990 IC-Funktion: Analoger Schalter, analoger Multiplexer rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 3V bis 18V Einschaltwiderstand, max.: 1.05kohm Einschaltwiderstand, typ.: 80ohm hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 4Kanäle Betriebstemperatur, min.: -55°C Multiplexer/Demultiplexer-Konfiguration: - Schalterkonfiguration: SPST euEccn: NLR Stromversorgung: Einfache Versorgung Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Anzahl der Schaltkreise: 4Schaltkreis(e) Schnittstellen: - Durchlasswiderstand, max.: 1.05kohm Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1027 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DTC124XET1G | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SC-75 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 10525 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NVH4L032N065M3S | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVH4L032N065M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 50 A, 650 V, 0.044 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 187W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NTHL032N065M3S | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 51A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NTBG032N065M3S | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 52A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NTH4L032N065M3S | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTH4L032N065M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 50 A, 650 V, 0.044 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 187W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FQB12P20TM | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 11.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 120W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: FQB productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 1837 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FQB12P20TM | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 11.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 120W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: FQB productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 1837 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
BC847AWT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC847AWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - BC847AWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 9257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
500+ | 3.25 грн |
1500+ | 2.40 грн |
MBRS2H100T3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MBRS2H100T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 2 A, Einfach, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 650 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 130A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 650mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MBRS2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - MBRS2H100T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 2 A, Einfach, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 650 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 130A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 650mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MBRS2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2500+ | 16.04 грн |
MBRS1540T3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MBRS1540T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 1.5 A, Einfach, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 460 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 40A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 460mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MBRS1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - MBRS1540T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 1.5 A, Einfach, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 460 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 40A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 460mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MBRS1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 4355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
17+ | 48.19 грн |
50+ | 31.18 грн |
100+ | 21.65 грн |
500+ | 16.10 грн |
1000+ | 13.89 грн |
MBRS1540T3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MBRS1540T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 1.5 A, Einfach, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 460 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 40A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 460mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MBRS1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - MBRS1540T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 1.5 A, Einfach, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 460 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 40A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 460mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MBRS1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 4355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 21.65 грн |
500+ | 16.10 грн |
1000+ | 13.89 грн |
MC14044BDR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC14044BDR2G - Latch, MC14044, SR, Tri-State, 175 ns, SOIC
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: 4044
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: MC140
Bauform - Logikbaustein: SOIC
IC-Ausgang: Tri-State
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Anzahl der Bits: 4bit
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Logikfamilie / Sockelnummer: MC14044
euEccn: NLR
Ausbreitungsverzögerung: 175ns
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Latchtyp: SR
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MC14044BDR2G - Latch, MC14044, SR, Tri-State, 175 ns, SOIC
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: 4044
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: MC140
Bauform - Logikbaustein: SOIC
IC-Ausgang: Tri-State
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Anzahl der Bits: 4bit
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Logikfamilie / Sockelnummer: MC14044
euEccn: NLR
Ausbreitungsverzögerung: 175ns
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Latchtyp: SR
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 32.72 грн |
500+ | 25.62 грн |
1000+ | 21.35 грн |
2500+ | 15.84 грн |
MURS480ET3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MURS480ET3G - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 4 A, Einfach, 1.85 V, 100 ns, 70 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
Durchlassstoßstrom: 70A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.85V
Sperrverzögerungszeit: 100ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MURS4
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MURS480ET3G - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 4 A, Einfach, 1.85 V, 100 ns, 70 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
Durchlassstoßstrom: 70A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.85V
Sperrverzögerungszeit: 100ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MURS4
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 107.45 грн |
50+ | 79.29 грн |
100+ | 58.77 грн |
500+ | 44.07 грн |
1000+ | 37.19 грн |
MURS480ET3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MURS480ET3G - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 4 A, Einfach, 1.85 V, 100 ns, 70 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
Durchlassstoßstrom: 70A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.85V
Sperrverzögerungszeit: 100ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MURS4
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MURS480ET3G - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 4 A, Einfach, 1.85 V, 100 ns, 70 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
Durchlassstoßstrom: 70A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.85V
Sperrverzögerungszeit: 100ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MURS4
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 58.77 грн |
500+ | 44.07 грн |
1000+ | 37.19 грн |
NDS355AN |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDS355AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.7 A, 0.065 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NDS355AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.7 A, 0.065 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
16+ | 53.89 грн |
50+ | 34.76 грн |
100+ | 23.61 грн |
500+ | 17.69 грн |
1500+ | 14.58 грн |
FPF3380UCX |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FPF3380UCX - LEISTUNGSSCHALTER, 23V, -40 BIS 85°C
tariffCode: 85423190
Durchlasswiderstand: 0.015ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Strombegrenzung: -
IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-Low
Leistungsschaltertyp: -
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 23V
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - FPF3380UCX - LEISTUNGSSCHALTER, 23V, -40 BIS 85°C
tariffCode: 85423190
Durchlasswiderstand: 0.015ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Strombegrenzung: -
IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-Low
Leistungsschaltertyp: -
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 23V
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 11355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 102.57 грн |
11+ | 78.56 грн |
50+ | 63.98 грн |
100+ | 45.88 грн |
250+ | 40.61 грн |
500+ | 38.86 грн |
1000+ | 32.93 грн |
2500+ | 30.63 грн |
FPF3380UCX |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FPF3380UCX - LEISTUNGSSCHALTER, 23V, -40 BIS 85°C
tariffCode: 85423190
Durchlasswiderstand: 0.015ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Strombegrenzung: -
IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-Low
Leistungsschaltertyp: -
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 23V
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - FPF3380UCX - LEISTUNGSSCHALTER, 23V, -40 BIS 85°C
tariffCode: 85423190
Durchlasswiderstand: 0.015ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Strombegrenzung: -
IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-Low
Leistungsschaltertyp: -
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 23V
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 11355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 45.88 грн |
250+ | 40.61 грн |
500+ | 38.86 грн |
1000+ | 32.93 грн |
2500+ | 30.63 грн |
NSVBAS21AHT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSVBAS21AHT1G - Kleinsignaldiode, Einfach, 250 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 625 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 625mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 250V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NSVBAS21AHT1G - Kleinsignaldiode, Einfach, 250 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 625 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 625mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 250V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
SMMSD103T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SMMSD103T1G - Kleinsignaldiode, Einfach, 250 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 625 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
Durchlassstoßstrom: 625mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 250V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - SMMSD103T1G - Kleinsignaldiode, Einfach, 250 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 625 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
Durchlassstoßstrom: 625mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 250V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 8975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
45+ | 18.23 грн |
72+ | 11.40 грн |
159+ | 5.13 грн |
500+ | 4.08 грн |
1000+ | 3.07 грн |
5000+ | 2.37 грн |
NSVBAS21HT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSVBAS21HT1G - Kleinsignaldiode, Einfach, 250 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 20 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 20A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 250V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NSVBAS21HT1G - Kleinsignaldiode, Einfach, 250 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 20 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 20A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 250V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 24950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
500+ | 2.57 грн |
1500+ | 2.32 грн |
SMMSD103T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SMMSD103T1G - Kleinsignaldiode, Einfach, 250 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 625 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
Durchlassstoßstrom: 625mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 250V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - SMMSD103T1G - Kleinsignaldiode, Einfach, 250 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 625 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
Durchlassstoßstrom: 625mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 250V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 8975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
500+ | 4.08 грн |
1000+ | 3.07 грн |
5000+ | 2.37 грн |
MC7812CDTRKG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC7812CDTRKG - Linearer Festspannungsregler, 12V/1Aout, TO-252-3
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: Y-EX
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK)
Nennausgangsspannung: 12V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -
Eingangsspannung, max.: 35V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 1A
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 7812 Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 1A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MC7812CDTRKG - Linearer Festspannungsregler, 12V/1Aout, TO-252-3
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: Y-EX
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK)
Nennausgangsspannung: 12V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -
Eingangsspannung, max.: 35V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 1A
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 7812 Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 1A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 31.18 грн |
500+ | 22.53 грн |
1000+ | 18.28 грн |
NTMTS6D0N15MC |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMTS6D0N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 135 A, 0.0046 ohm, DFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 135A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: DFNW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NTMTS6D0N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 135 A, 0.0046 ohm, DFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 135A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: DFNW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 520.17 грн |
10+ | 365.51 грн |
100+ | 275.15 грн |
NTMTS6D0N15MC |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMTS6D0N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 135 A, 0.0046 ohm, DFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 135A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 245W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: DFNW
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0046ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NTMTS6D0N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 135 A, 0.0046 ohm, DFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 135A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 245W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: DFNW
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0046ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 365.51 грн |
100+ | 275.15 грн |
FDS3992 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS3992 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 4.5 A, 0.054 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.054ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - FDS3992 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 4.5 A, 0.054 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.054ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 67.80 грн |
500+ | 47.73 грн |
1000+ | 44.24 грн |
FDB0260N1007L |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB0260N1007L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 200 A, 0.0023 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FDB0260N1007L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 200 A, 0.0023 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 526.69 грн |
50+ | 439.18 грн |
100+ | 321.66 грн |
250+ | 320.97 грн |
NCV1117DT18T5G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV1117DT18T5G - LDO-Festspannungsregler, 20Vin, 1.2V Dropout-Spannung, 1.8V/1Aout, TO-252-3
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: Y-EX
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK)
Nennausgangsspannung: 1.8V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 20V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 1A
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 1.8V 1A LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 1.8V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 1A
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 1.2V
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 0
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NCV1117DT18T5G - LDO-Festspannungsregler, 20Vin, 1.2V Dropout-Spannung, 1.8V/1Aout, TO-252-3
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: Y-EX
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK)
Nennausgangsspannung: 1.8V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 20V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 1A
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 1.8V 1A LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 1.8V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 1A
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 1.2V
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 0
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 9248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 38.50 грн |
500+ | 27.44 грн |
1000+ | 21.91 грн |
NTR4501NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTR4501NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.2 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NTR4501NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.2 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 79350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
35+ | 23.77 грн |
56+ | 14.65 грн |
100+ | 9.28 грн |
500+ | 7.86 грн |
1500+ | 6.52 грн |
FDV304P |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDV304P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 25 V, 460 mA, 1.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 460mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 860mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FDV304P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 25 V, 460 mA, 1.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 460mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 860mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 6.59 грн |
9000+ | 5.78 грн |
FDV304P |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDV304P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 25 V, 460 mA, 1.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 460mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 860mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2.7V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.22ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - FDV304P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 25 V, 460 mA, 1.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 460mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 860mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2.7V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.22ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 164909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 10.42 грн |
500+ | 9.37 грн |
1500+ | 8.37 грн |
SS16HE |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SS16HE - 1 A, 30 V - 60 V Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers/ REEL 01AC9728
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
Description: ONSEMI - SS16HE - 1 A, 30 V - 60 V Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers/ REEL 01AC9728
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
CAT25128VI-GT3 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT25128VI-GT3 - EEPROM, 128 Kbit, 16K x 8 Bit, SPI, 10 MHz, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 128Kbit
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 10MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 128Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 16K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - CAT25128VI-GT3 - EEPROM, 128 Kbit, 16K x 8 Bit, SPI, 10 MHz, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 128Kbit
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 10MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 128Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 16K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 38.18 грн |
500+ | 34.47 грн |
1000+ | 30.77 грн |
2500+ | 30.70 грн |
CAT24M01YI-GT3 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT24M01YI-GT3 - EEPROM, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, I2C, 1 MHz, TSSOP, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
Speicherdichte: 1Mbit
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 1MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 1Mbit I2C Serial EEPROM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - CAT24M01YI-GT3 - EEPROM, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, I2C, 1 MHz, TSSOP, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
Speicherdichte: 1Mbit
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 1MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 1Mbit I2C Serial EEPROM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 95.24 грн |
11+ | 79.21 грн |
50+ | 76.60 грн |
100+ | 68.71 грн |
250+ | 62.80 грн |
500+ | 62.17 грн |
CAT25128YI-GT3 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT25128YI-GT3 - EEPROM, 128 Kbit, 16K x 8 Bit, SPI, 10 MHz, TSSOP, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423275
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
Speicherdichte: 128Kbit
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 10MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 125Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 16K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - CAT25128YI-GT3 - EEPROM, 128 Kbit, 16K x 8 Bit, SPI, 10 MHz, TSSOP, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423275
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
Speicherdichte: 128Kbit
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 10MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 125Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 16K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 42478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
18+ | 47.38 грн |
20+ | 41.68 грн |
100+ | 38.26 грн |
500+ | 34.32 грн |
1000+ | 30.56 грн |
2500+ | 29.93 грн |
CAT24M01HU5I-GT3 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT24M01HU5I-GT3 - EEPROM, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, I2C, 1 MHz, UDFN, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: UDFN
Speicherdichte: 1Mbit
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 1MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 1Mbit I2C Serial EEPROM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - CAT24M01HU5I-GT3 - EEPROM, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, I2C, 1 MHz, UDFN, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: UDFN
Speicherdichte: 1Mbit
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 1MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 1Mbit I2C Serial EEPROM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 15658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 68.11 грн |
250+ | 60.70 грн |
500+ | 56.66 грн |
CAT4104V-GT3 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT4104V-GT3 - LED-Treiber, 3V bis 5.5Vin, 4 Ausgänge, 700mAout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 25V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 700mA
Eingangsspannung, min.: 3V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - CAT4104V-GT3 - LED-Treiber, 3V bis 5.5Vin, 4 Ausgänge, 700mAout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 25V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 700mA
Eingangsspannung, min.: 3V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 62.82 грн |
250+ | 55.89 грн |
500+ | 53.80 грн |
CAT25320YI-GT3 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT25320YI-GT3 - EEPROM, 32 Kbit, 4K x 8 Bit, SPI, 10 MHz, TSSOP, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
Speicherdichte: 32Kbit
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 10MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 32Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 4K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - CAT25320YI-GT3 - EEPROM, 32 Kbit, 4K x 8 Bit, SPI, 10 MHz, TSSOP, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
Speicherdichte: 32Kbit
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 10MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 32Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 4K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 31.75 грн |
500+ | 28.50 грн |
1000+ | 24.70 грн |
2500+ | 23.65 грн |
CAT24M01YI-GT3 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT24M01YI-GT3 - EEPROM, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, I2C, 1 MHz, TSSOP, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
Speicherdichte: 1Mbit
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 1MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 1Mbit I2C Serial EEPROM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - CAT24M01YI-GT3 - EEPROM, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, I2C, 1 MHz, TSSOP, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
Speicherdichte: 1Mbit
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 1MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 1Mbit I2C Serial EEPROM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 65.99 грн |
250+ | 59.73 грн |
500+ | 58.47 грн |
CAT4104VP2-GT3 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT4104VP2-GT3 - LED-Treiber, 3V bis 5.5Vin, 4 Ausgänge, 700mAout, TDFN-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 25V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TDFN
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 700mA
Eingangsspannung, min.: 3V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - CAT4104VP2-GT3 - LED-Treiber, 3V bis 5.5Vin, 4 Ausgänge, 700mAout, TDFN-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 25V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TDFN
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 700mA
Eingangsspannung, min.: 3V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 10244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 47.85 грн |
250+ | 42.07 грн |
500+ | 39.91 грн |
CAT25512HU5I-GT3 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT25512HU5I-GT3 - EEPROM, 512 Kbit, 64K x 8 Bit, SPI, 20 MHz, UDFN, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423275
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: UDFN
Speicherdichte: 512Kbit
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 20MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 512Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - CAT25512HU5I-GT3 - EEPROM, 512 Kbit, 64K x 8 Bit, SPI, 20 MHz, UDFN, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423275
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: UDFN
Speicherdichte: 512Kbit
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 20MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 512Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 49.59 грн |
250+ | 45.14 грн |
500+ | 44.45 грн |
CAT25128YI-GT3 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT25128YI-GT3 - EEPROM, 128 Kbit, 16K x 8 Bit, SPI, 10 MHz, TSSOP, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423275
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
Speicherdichte: 128Kbit
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 10MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 125Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 16K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - CAT25128YI-GT3 - EEPROM, 128 Kbit, 16K x 8 Bit, SPI, 10 MHz, TSSOP, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423275
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
Speicherdichte: 128Kbit
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 10MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 125Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 16K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 42508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 37.61 грн |
500+ | 34.24 грн |
1000+ | 30.49 грн |
2500+ | 26.10 грн |
NSS40301MDR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSS40301MDR2G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 40 V, 3 A, 653 mW
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 180hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 653mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 3A
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NSS40301MDR2G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 40 V, 3 A, 653 mW
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 180hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 653mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 3A
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 82.22 грн |
15+ | 55.36 грн |
100+ | 38.26 грн |
500+ | 34.02 грн |
1000+ | 29.93 грн |
NSS40301MDR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSS40301MDR2G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 40 V, 3 A, 653 mW
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 180hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 653mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 3A
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NSS40301MDR2G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 40 V, 3 A, 653 mW
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 180hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 653mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 3A
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 38.26 грн |
500+ | 34.02 грн |
1000+ | 29.93 грн |
NSS40301CTWG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSS40301CTWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 3 A, 2 W, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: e2PowerEdge Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 215MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NSS40301CTWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 3 A, 2 W, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: e2PowerEdge Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 215MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 122.92 грн |
11+ | 75.79 грн |
100+ | 49.41 грн |
500+ | 35.53 грн |
1000+ | 29.79 грн |
NSS40301CTWG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSS40301CTWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 3 A, 2 W, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Description: ONSEMI - NSS40301CTWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 3 A, 2 W, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 49.41 грн |
500+ | 35.53 грн |
1000+ | 29.79 грн |
MM74HC245AWMX |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MM74HC245AWMX - Transceiver, 74HC245, 2V bis 6V, WSOIC-20
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: 74245
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74HC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74HC245
euEccn: NLR
Logikbaustein: Transceiver, bidirektional
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MM74HC245AWMX - Transceiver, 74HC245, 2V bis 6V, WSOIC-20
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: 74245
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74HC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74HC245
euEccn: NLR
Logikbaustein: Transceiver, bidirektional
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 47.62 грн |
500+ | 34.17 грн |
MCT9001 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MCT9001 - Optokoppler, Transistorausgang, 2 Kanäle, DIP, 8 Pin(s), 60 mA, 5 kV, 50 %
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 2 Kanäle
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 50%
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 5kV
Durchlassstrom If, max.: 60mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 55V
Bauform - Optokoppler: DIP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MCT9001 - Optokoppler, Transistorausgang, 2 Kanäle, DIP, 8 Pin(s), 60 mA, 5 kV, 50 %
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 2 Kanäle
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 50%
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 5kV
Durchlassstrom If, max.: 60mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 55V
Bauform - Optokoppler: DIP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
11+ | 74.73 грн |
20+ | 41.03 грн |
25+ | 39.24 грн |
50+ | 34.70 грн |
100+ | 30.49 грн |
500+ | 24.00 грн |
NDS331N |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDS331N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.11 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NDS331N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.11 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 260206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 20.51 грн |
500+ | 15.65 грн |
1500+ | 12.63 грн |
NDS331N |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDS331N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.11 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NDS331N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.11 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 297000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 11.23 грн |
9000+ | 9.77 грн |
DTC114EM3T5G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - DTC114EM3T5G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - DTC114EM3T5G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
500+ | 6.78 грн |
1000+ | 4.79 грн |
DTC114TET1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - DTC114TET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SC-75
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - DTC114TET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SC-75
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
MC78L12ACDR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC78L12ACDR2G - Linearer Festspannungsregler, 7812, 19V bis 35Vin, 12V und 0.1Aout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Nennausgangsspannung: 12V
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Eingangsspannung, max.: 35V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Eingangsspannung, min.: 19V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 7812 Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MC78L12ACDR2G - Linearer Festspannungsregler, 7812, 19V bis 35Vin, 12V und 0.1Aout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Nennausgangsspannung: 12V
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Eingangsspannung, max.: 35V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Eingangsspannung, min.: 19V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 7812 Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2613 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 17.42 грн |
500+ | 12.32 грн |
1000+ | 10.19 грн |
74ACT14SCX |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 74ACT14SCX - Inverter, Schmitt-Trigger, 74ACT14, 6 Eingänge, 24mA, 4.5V bis 5.5V, NSOIC-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 74ACT
Bauform - Logikbaustein: NSOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 24mA
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74ACT14
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl von Elementen: Sechs
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - 74ACT14SCX - Inverter, Schmitt-Trigger, 74ACT14, 6 Eingänge, 24mA, 4.5V bis 5.5V, NSOIC-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 74ACT
Bauform - Logikbaustein: NSOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 24mA
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74ACT14
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl von Elementen: Sechs
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 18.64 грн |
500+ | 15.34 грн |
1000+ | 13.40 грн |
2500+ | 12.63 грн |
MM3Z3V3T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MM3Z3V3T1G - Zener-Diode, Universal, 3.3 V, 300 mW, SOD-323, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MM3ZxxxT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 3.3V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MM3Z3V3T1G - Zener-Diode, Universal, 3.3 V, 300 mW, SOD-323, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MM3ZxxxT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 3.3V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 192049 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
500+ | 2.27 грн |
1500+ | 2.02 грн |
MM74HC373WMX |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MM74HC373WMX - Latch, Baureihe HC, 74HC373, Typ D, Tri-State, WSOIC
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: 74373
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74HC
Bauform - Logikbaustein: WSOIC
IC-Ausgang: Tri-State
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Anzahl der Bits: 8bit
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74HC373
euEccn: NLR
Ausbreitungsverzögerung: -
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Latchtyp: Typ D
Versorgungsspannung, max.: 6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MM74HC373WMX - Latch, Baureihe HC, 74HC373, Typ D, Tri-State, WSOIC
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: 74373
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74HC
Bauform - Logikbaustein: WSOIC
IC-Ausgang: Tri-State
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Anzahl der Bits: 8bit
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74HC373
euEccn: NLR
Ausbreitungsverzögerung: -
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Latchtyp: Typ D
Versorgungsspannung, max.: 6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 37.04 грн |
500+ | 33.71 грн |
1000+ | 28.26 грн |
MMBZ5242BLT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBZ5242BLT1G - Zener-Diode, 12 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBZ52xxBLT1G
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 12V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - MMBZ5242BLT1G - Zener-Diode, 12 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBZ52xxBLT1G
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 12V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 29663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
500+ | 1.95 грн |
1500+ | 1.88 грн |
NTH4L060N065SC1 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTH4L060N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 47 A, 650 V, 0.044 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 176W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NTH4L060N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 47 A, 650 V, 0.044 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 176W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 613.79 грн |
5+ | 551.92 грн |
10+ | 490.06 грн |
50+ | 409.70 грн |
100+ | 350.27 грн |
250+ | 343.29 грн |
LM317LBDR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - LM317LBDR2G - Linearer Spannungsregler, einstellbar, 1.2V bis 37V/100mAout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Ausgang: Einstellbar
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 1.2V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 37V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - LM317LBDR2G - Linearer Spannungsregler, einstellbar, 1.2V bis 37V/100mAout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Ausgang: Einstellbar
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 1.2V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 37V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 40215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 12.94 грн |
500+ | 10.58 грн |
1000+ | 8.44 грн |
5000+ | 6.86 грн |
74ACT08MTCX |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 74ACT08MTCX - AND-Gatter, 74ACT08, 2 Eingänge, 4.5V bis 5.5V, TSSOP-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: AND-Gatter
Logik-IC-Familie: 74ACT
Bauform - Logikbaustein: TSSOP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74ACT08
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl von Elementen: Vier
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - 74ACT08MTCX - AND-Gatter, 74ACT08, 2 Eingänge, 4.5V bis 5.5V, TSSOP-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: AND-Gatter
Logik-IC-Familie: 74ACT
Bauform - Logikbaustein: TSSOP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74ACT08
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl von Elementen: Vier
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3059 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 24.58 грн |
500+ | 21.01 грн |
1000+ | 16.19 грн |
2500+ | 14.37 грн |
MC14066BDR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC14066BDR2G - Analoger Multiplexer, 4 Schaltkreise, 1.05 kOhm, 3V bis 18V, SOIC-14
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Analoger Schalter, analoger Multiplexer
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 18V
Einschaltwiderstand, max.: 1.05kohm
Einschaltwiderstand, typ.: 80ohm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Multiplexer/Demultiplexer-Konfiguration: -
Schalterkonfiguration: SPST
euEccn: NLR
Stromversorgung: Einfache Versorgung
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Schaltkreise: 4Schaltkreis(e)
Schnittstellen: -
Durchlasswiderstand, max.: 1.05kohm
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - MC14066BDR2G - Analoger Multiplexer, 4 Schaltkreise, 1.05 kOhm, 3V bis 18V, SOIC-14
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Analoger Schalter, analoger Multiplexer
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 18V
Einschaltwiderstand, max.: 1.05kohm
Einschaltwiderstand, typ.: 80ohm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Multiplexer/Demultiplexer-Konfiguration: -
Schalterkonfiguration: SPST
euEccn: NLR
Stromversorgung: Einfache Versorgung
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Schaltkreise: 4Schaltkreis(e)
Schnittstellen: -
Durchlasswiderstand, max.: 1.05kohm
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 30.04 грн |
500+ | 21.85 грн |
1000+ | 18.49 грн |
DTC124XET1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - DTC124XET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SC-75
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - DTC124XET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SC-75
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 10525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
500+ | 2.08 грн |
1000+ | 1.74 грн |
5000+ | 1.20 грн |
NVH4L032N065M3S |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVH4L032N065M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 50 A, 650 V, 0.044 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NVH4L032N065M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 50 A, 650 V, 0.044 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1124.20 грн |
5+ | 954.06 грн |
10+ | 783.93 грн |
50+ | 656.12 грн |
100+ | 507.27 грн |
250+ | 496.10 грн |
NTHL032N065M3S |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTHL032N065M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 51 A, 650 V, 0.044 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NTHL032N065M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 51 A, 650 V, 0.044 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 550.29 грн |
5+ | 499.82 грн |
10+ | 454.24 грн |
50+ | 400.63 грн |
100+ | 350.97 грн |
250+ | 341.20 грн |
NTBG032N065M3S |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBG032N065M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 52 A, 650 V, 0.044 ohm, TO-263HV (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NTBG032N065M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 52 A, 650 V, 0.044 ohm, TO-263HV (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 506.34 грн |
5+ | 459.94 грн |
10+ | 418.42 грн |
50+ | 368.88 грн |
100+ | 323.06 грн |
250+ | 313.99 грн |
NTH4L032N065M3S |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTH4L032N065M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 50 A, 650 V, 0.044 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NTH4L032N065M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 50 A, 650 V, 0.044 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
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rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 723.69 грн |
5+ | 612.16 грн |
10+ | 499.82 грн |
50+ | 423.30 грн |
100+ | 318.87 грн |
250+ | 309.10 грн |
FQB12P20TM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQB12P20TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 11.5 A, 0.36 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: FQB
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - FQB12P20TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 11.5 A, 0.36 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1837 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 191.30 грн |
10+ | 127.81 грн |
100+ | 89.54 грн |
500+ | 68.03 грн |
1000+ | 61.54 грн |
FQB12P20TM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQB12P20TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 11.5 A, 0.36 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: FQB
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - FQB12P20TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 11.5 A, 0.36 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: FQB
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Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1837 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 89.54 грн |
500+ | 68.03 грн |
1000+ | 61.54 грн |