Результат пошуку "73/10V" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
FPD87310VHB NSC fpd87310.pdf 01+ QFP
на замовлення 160 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LM487310V21.3 NSC
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LM487310V21.3 NSC 09+ QFN
на замовлення 1150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
ADA4805-1AKSZ-R2 ADA4805-1AKSZ-R2 Analog Devices Inc. ADA4805-1_4805-2.pdf Description: IC OPAMP GP 1 CIRCUIT SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Output Type: Rail-to-Rail
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Supply: 500µA
Slew Rate: 160V/µs
Current - Input Bias: 470 nA
Voltage - Input Offset: 9 µV
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
Current - Output / Channel: 73 mA
-3db Bandwidth: 105 MHz
Voltage - Supply Span (Min): 3 V
Voltage - Supply Span (Max): 10 V
на замовлення 11750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+202.9 грн
500+ 175.32 грн
1250+ 147.86 грн
2500+ 131.82 грн
Мінімальне замовлення: 250
ADA4805-1AKSZ-R2 ADA4805-1AKSZ-R2 Analog Devices Inc. ADA4805-1_4805-2.pdf Description: IC OPAMP GP 1 CIRCUIT SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Output Type: Rail-to-Rail
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Supply: 500µA
Slew Rate: 160V/µs
Current - Input Bias: 470 nA
Voltage - Input Offset: 9 µV
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
Current - Output / Channel: 73 mA
-3db Bandwidth: 105 MHz
Voltage - Supply Span (Min): 3 V
Voltage - Supply Span (Max): 10 V
на замовлення 11885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+290.78 грн
10+ 251.32 грн
25+ 237.63 грн
100+ 193.27 грн
ADA4805-1AKSZ-R7 ADA4805-1AKSZ-R7 Analog Devices Inc. ADA4805-1_4805-2.pdf Description: IC OPAMP GP 1 CIRCUIT SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Output Type: Rail-to-Rail
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Supply: 500µA
Slew Rate: 160V/µs
Current - Input Bias: 470 nA
Voltage - Input Offset: 9 µV
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
Current - Output / Channel: 73 mA
-3db Bandwidth: 105 MHz
Voltage - Supply Span (Min): 3 V
Voltage - Supply Span (Max): 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+115.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
ADA4805-1AKSZ-R7 ADA4805-1AKSZ-R7 Analog Devices Inc. ADA4805-1_4805-2.pdf Description: IC OPAMP GP 1 CIRCUIT SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Output Type: Rail-to-Rail
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Supply: 500µA
Slew Rate: 160V/µs
Current - Input Bias: 470 nA
Voltage - Input Offset: 9 µV
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
Current - Output / Channel: 73 mA
-3db Bandwidth: 105 MHz
Voltage - Supply Span (Min): 3 V
Voltage - Supply Span (Max): 10 V
на замовлення 12597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+230.91 грн
10+ 199.58 грн
25+ 188.65 грн
100+ 153.44 грн
250+ 145.58 грн
500+ 130.62 грн
1000+ 108.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
ADA4805-1ARJZ-R2 ADA4805-1ARJZ-R2 Analog Devices Inc. ADA4805-1_4805-2.pdf Description: IC OPAMP GP 1 CIRCUIT SOT23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Output Type: Rail-to-Rail
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Supply: 500µA
Slew Rate: 160V/µs
Current - Input Bias: 470 nA
Voltage - Input Offset: 9 µV
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
Current - Output / Channel: 73 mA
-3db Bandwidth: 105 MHz
Voltage - Supply Span (Min): 3 V
Voltage - Supply Span (Max): 10 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+202.9 грн
500+ 175.32 грн
1250+ 147.86 грн
Мінімальне замовлення: 250
ADA4805-1ARJZ-R2 ADA4805-1ARJZ-R2 Analog Devices Inc. ADA4805-1_4805-2.pdf Description: IC OPAMP GP 1 CIRCUIT SOT23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Output Type: Rail-to-Rail
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Supply: 500µA
Slew Rate: 160V/µs
Current - Input Bias: 470 nA
Voltage - Input Offset: 9 µV
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
Current - Output / Channel: 73 mA
-3db Bandwidth: 105 MHz
Voltage - Supply Span (Min): 3 V
Voltage - Supply Span (Max): 10 V
на замовлення 1708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+290.78 грн
10+ 251.32 грн
25+ 237.63 грн
100+ 193.27 грн
ADA4805-1ARJZ-R7 ADA4805-1ARJZ-R7 Analog Devices Inc. ADA4805-1_4805-2.pdf Description: IC OPAMP GP 1 CIRCUIT SOT23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Output Type: Rail-to-Rail
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Supply: 500µA
Slew Rate: 160V/µs
Current - Input Bias: 470 nA
Voltage - Input Offset: 9 µV
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
Current - Output / Channel: 73 mA
-3db Bandwidth: 105 MHz
Voltage - Supply Span (Min): 3 V
Voltage - Supply Span (Max): 10 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+105.2 грн
6000+ 97.5 грн
Мінімальне замовлення: 3000
ADA4805-1ARJZ-R7 ADA4805-1ARJZ-R7 Analog Devices Inc. ADA4805-1_4805-2.pdf Description: IC OPAMP GP 1 CIRCUIT SOT23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Output Type: Rail-to-Rail
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Supply: 500µA
Slew Rate: 160V/µs
Current - Input Bias: 470 nA
Voltage - Input Offset: 9 µV
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
Current - Output / Channel: 73 mA
-3db Bandwidth: 105 MHz
Voltage - Supply Span (Min): 3 V
Voltage - Supply Span (Max): 10 V
на замовлення 23625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+210.25 грн
10+ 181.32 грн
25+ 171.38 грн
100+ 139.39 грн
250+ 132.24 грн
500+ 118.66 грн
1000+ 98.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
ADA4805-2ARMZ ADA4805-2ARMZ Analog Devices Inc. ADA4805-1_4805-2.pdf Description: IC VOLTAGE FEEDBACK 2 CIRC 8MSOP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Output Type: Rail-to-Rail
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: Voltage Feedback
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Supply: 570µA (x2 Channels)
Slew Rate: 250V/µs
Current - Input Bias: 550 nA
Voltage - Input Offset: 13 µV
Supplier Device Package: 8-MSOP
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
Current - Output / Channel: 73 mA
-3db Bandwidth: 120 MHz
Voltage - Supply Span (Min): 2.7 V
Voltage - Supply Span (Max): 10 V
на замовлення 9274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+408.38 грн
10+ 353.45 грн
50+ 334.12 грн
100+ 271.75 грн
250+ 257.81 грн
500+ 231.33 грн
1000+ 191.9 грн
2500+ 182.31 грн
ADA4805-2ARMZ-R7 ADA4805-2ARMZ-R7 Analog Devices Inc. ADA4805-1_4805-2.pdf Description: IC VOLTAGE FEEDBACK 2 CIRC 8MSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Output Type: Rail-to-Rail
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: Voltage Feedback
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Supply: 570µA (x2 Channels)
Slew Rate: 250V/µs
Current - Input Bias: 550 nA
Voltage - Input Offset: 13 µV
Supplier Device Package: 8-MSOP
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
Current - Output / Channel: 73 mA
-3db Bandwidth: 120 MHz
Voltage - Supply Span (Min): 2.7 V
Voltage - Supply Span (Max): 10 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+215.89 грн
2000+ 197.5 грн
Мінімальне замовлення: 1000
ADA4805-2ARMZ-R7 ADA4805-2ARMZ-R7 Analog Devices Inc. ADA4805-1_4805-2.pdf Description: IC VOLTAGE FEEDBACK 2 CIRC 8MSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Output Type: Rail-to-Rail
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: Voltage Feedback
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Supply: 570µA (x2 Channels)
Slew Rate: 250V/µs
Current - Input Bias: 550 nA
Voltage - Input Offset: 13 µV
Supplier Device Package: 8-MSOP
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
Current - Output / Channel: 73 mA
-3db Bandwidth: 120 MHz
Voltage - Supply Span (Min): 2.7 V
Voltage - Supply Span (Max): 10 V
на замовлення 4729 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+408.38 грн
10+ 353.45 грн
25+ 334.09 грн
100+ 271.75 грн
250+ 257.81 грн
500+ 231.33 грн
ADA4806-1ARJZ-R2 ADA4806-1ARJZ-R2 Analog Devices Inc. ADA4806-1.pdf Description: IC OPAMP VFB 1 CIRCUIT SOT23-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-8
Output Type: Rail-to-Rail
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: Voltage Feedback
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Supply: 500µA
Slew Rate: 160V/µs
Current - Input Bias: 470 nA
Voltage - Input Offset: 13 µV
Supplier Device Package: SOT-23-8
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
Current - Output / Channel: 73 mA
-3db Bandwidth: 105 MHz
Voltage - Supply Span (Min): 2.7 V
Voltage - Supply Span (Max): 10 V
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+211.5 грн
Мінімальне замовлення: 250
ADA4806-1ARJZ-R2 ADA4806-1ARJZ-R2 Analog Devices Inc. ADA4806-1.pdf Description: IC OPAMP VFB 1 CIRCUIT SOT23-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-8
Output Type: Rail-to-Rail
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: Voltage Feedback
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Supply: 500µA
Slew Rate: 160V/µs
Current - Input Bias: 470 nA
Voltage - Input Offset: 13 µV
Supplier Device Package: SOT-23-8
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
Current - Output / Channel: 73 mA
-3db Bandwidth: 105 MHz
Voltage - Supply Span (Min): 2.7 V
Voltage - Supply Span (Max): 10 V
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+302.9 грн
10+ 262.03 грн
25+ 247.7 грн
100+ 201.46 грн
AOD66923 AOD66923 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOD66923.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 16.5A/58A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.2W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1725 pF @ 50 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.31 грн
5000+ 26.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500
AOD66923 AOD66923 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOD66923.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 16.5A/58A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.2W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1725 pF @ 50 V
на замовлення 15861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+71.27 грн
10+ 55.87 грн
100+ 43.42 грн
500+ 34.53 грн
1000+ 28.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
AONS32100 AONS32100 Alpha & Omega Semiconductor Inc. Description: MOSFET N-CH 25V 73A/400A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Ta), 400A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.73mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.2W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15200 pF @ 12.5 V
на замовлення 9235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+133.27 грн
10+ 106.65 грн
100+ 84.88 грн
500+ 67.4 грн
1000+ 57.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
AONS32100 AONS32100 Alpha & Omega Semiconductor Inc. Description: MOSFET N-CH 25V 73A/400A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Ta), 400A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.73mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.2W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15200 pF @ 12.5 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+60.11 грн
6000+ 55.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
AOY66923 AOY66923 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOY66923.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 16.5/58A TO251B
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.2W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1725 pF @ 50 V
на замовлення 5840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+57.02 грн
70+ 43.87 грн
140+ 34.77 грн
560+ 27.66 грн
1050+ 27.36 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSB044N08NN3GXUMA1 BSB044N08NN3GXUMA1 Infineon Technologies BSB044N08NN3+G_Rev+1.3.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30435819ae2e012e385cde7b70d4 Description: MOSFET N-CH 80V 18A/90A 2WDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 97µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 40 V
на замовлення 5715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+231.63 грн
10+ 187.15 грн
100+ 151.41 грн
500+ 126.31 грн
1000+ 108.15 грн
2000+ 101.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSB044N08NN3GXUMA1 BSB044N08NN3GXUMA1 Infineon Technologies BSB044N08NN3+G_Rev+1.3.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30435819ae2e012e385cde7b70d4 Description: MOSFET N-CH 80V 18A/90A 2WDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 97µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 40 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+108.11 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC030N03MSGATMA1 BSC030N03MSGATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC030N03MSG-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304313d846880113de605dea0359 Description: MOSFET N-CH 30V 21A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+26.56 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC030N03MSGATMA1 BSC030N03MSGATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC030N03MSG-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304313d846880113de605dea0359 Description: MOSFET N-CH 30V 21A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 15 V
на замовлення 10950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.99 грн
10+ 53.12 грн
100+ 41.32 грн
500+ 32.87 грн
1000+ 26.77 грн
2000+ 25.2 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSC057N08NS3GATMA1 BSC057N08NS3GATMA1 Infineon Technologies BSC057N08NS3G_rev2.4.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431add1d95011ae803c9345616 Description: MOSFET N-CH 80V 16A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 73µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 40 V
на замовлення 11347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.15 грн
10+ 101.02 грн
100+ 80.38 грн
500+ 63.83 грн
1000+ 54.16 грн
2000+ 51.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC057N08NS3GATMA1 BSC057N08NS3GATMA1 Infineon Technologies BSC057N08NS3G_rev2.4.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431add1d95011ae803c9345616 Description: MOSFET N-CH 80V 16A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 73µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 40 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+54.79 грн
10000+ 51.02 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC059N04LSGATMA1 BSC059N04LSGATMA1 Infineon Technologies BSC059N04LSG_rev1.02.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116c4481e4b081f Description: MOSFET N-CH 40V 16A/73A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 20 V
на замовлення 56949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+60.58 грн
10+ 50.72 грн
100+ 35.1 грн
500+ 27.52 грн
1000+ 23.42 грн
2000+ 20.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSC059N04LSGATMA1 BSC059N04LSGATMA1 Infineon Technologies BSC059N04LSG_rev1.02.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116c4481e4b081f Description: MOSFET N-CH 40V 16A/73A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 20 V
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+21.87 грн
10000+ 19.5 грн
25000+ 19.31 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSO040N03MSGXUMA1 BSO040N03MSGXUMA1 Infineon Technologies BSO040N03MS_rev1.0.pdf?folderId=db3a304313d846880113d91d60c500c4&fileId=db3a30431b0626df011b0d4dfc657dd7 Description: MOSFET N-CH 30V 16A 8DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 15 V
на замовлення 7338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+95.5 грн
10+ 75.01 грн
100+ 58.35 грн
500+ 46.41 грн
1000+ 37.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSO040N03MSGXUMA1 BSO040N03MSGXUMA1 Infineon Technologies BSO040N03MS_rev1.0.pdf?folderId=db3a304313d846880113d91d60c500c4&fileId=db3a30431b0626df011b0d4dfc657dd7 Description: MOSFET N-CH 30V 16A 8DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+39.39 грн
5000+ 36.12 грн
Мінімальне замовлення: 2500
BSS84 BSS84 onsemi bss84-d.pdf Description: MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V
на замовлення 153000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.53 грн
6000+ 7.87 грн
9000+ 7.09 грн
30000+ 6.55 грн
75000+ 6.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS84 BSS84 onsemi bss84-d.pdf Description: MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V
на замовлення 155248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.36 грн
12+ 23.61 грн
100+ 14.17 грн
500+ 12.31 грн
1000+ 8.37 грн
Мінімальне замовлення: 10
BSZ120P03NS3GATMA1 BSZ120P03NS3GATMA1 Infineon Technologies BSZ120P03NS3+G_2+1.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a7313d21a66&fileId=db3a304326dfb13001271f0c11864edd Description: MOSFET P-CH 30V 11A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 73µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3360 pF @ 15 V
на замовлення 1962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+57.02 грн
10+ 47.56 грн
100+ 32.91 грн
500+ 25.8 грн
1000+ 21.96 грн
Мінімальне замовлення: 5
BUK9880-55A/CUX BUK9880-55A/CUX Nexperia USA Inc. BUK9880-55A.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 7A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 159971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+14.72 грн
2000+ 12.67 грн
5000+ 12.03 грн
10000+ 10.48 грн
25000+ 10.24 грн
50000+ 9.98 грн
Мінімальне замовлення: 1000
BUK9880-55A/CUX BUK9880-55A/CUX Nexperia USA Inc. BUK9880-55A.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 7A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 160516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+38.49 грн
10+ 32.12 грн
100+ 22.34 грн
500+ 16.37 грн
Мінімальне замовлення: 8
BUK9M85-60EX BUK9M85-60EX Nexperia USA Inc. BUK9M85-60E.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 12.8A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 434 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+15.94 грн
Мінімальне замовлення: 1500
BUK9M85-60EX BUK9M85-60EX Nexperia USA Inc. BUK9M85-60E.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 12.8A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 434 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+42.05 грн
10+ 34.8 грн
100+ 24.19 грн
500+ 17.72 грн
Мінімальне замовлення: 7
CSD17307Q5A CSD17307Q5A Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17307q5a Description: MOSFET N-CH 30V 14A/73A 8VSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 11A, 8V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 15 V
на замовлення 165896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
775+25.67 грн
Мінімальне замовлення: 775
CSD17307Q5A CSD17307Q5A Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17307q5a Description: MOSFET N-CH 30V 14A/73A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 11A, 8V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 15 V
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
CSD17307Q5A CSD17307Q5A Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17307q5a Description: MOSFET N-CH 30V 14A/73A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 11A, 8V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 15 V
на замовлення 2766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+52.03 грн
10+ 43.44 грн
100+ 30.05 грн
500+ 23.56 грн
1000+ 20.05 грн
Мінімальне замовлення: 6
DMN3110S-7 DMN3110S-7 Diodes Incorporated DMN3110S.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 2.5A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 3.1mA, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305.8 pF @ 15 V
на замовлення 444000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.35 грн
6000+ 11.29 грн
9000+ 10.48 грн
30000+ 9.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN3110S-7 DMN3110S-7 Diodes Incorporated DMN3110S.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 2.5A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 3.1mA, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305.8 pF @ 15 V
на замовлення 446229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+37.06 грн
10+ 30.2 грн
100+ 20.97 грн
500+ 15.36 грн
1000+ 12.49 грн
Мінімальне замовлення: 8
FCA47N60F FCA47N60F onsemi fca47n60f-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 47A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 23.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
на замовлення 8343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+743.35 грн
30+ 579.56 грн
120+ 545.49 грн
510+ 463.92 грн
1020+ 425.53 грн
FDB38N30U FDB38N30U onsemi fdb38n30u-d.pdf Description: MOSFET N CH 300V 38A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3340 pF @ 25 V
на замовлення 1195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+208.11 грн
10+ 168.35 грн
100+ 136.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDB38N30U FDB38N30U onsemi fdb38n30u-d.pdf Description: MOSFET N CH 300V 38A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3340 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+125.75 грн
Мінімальне замовлення: 800
FDMS6673BZ FDMS6673BZ onsemi fdms6673bz-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 15.2A/28A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 15.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5915 pF @ 15 V
на замовлення 91720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+131.85 грн
10+ 105.07 грн
100+ 83.63 грн
500+ 66.41 грн
1000+ 56.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDMS6673BZ FDMS6673BZ onsemi fdms6673bz-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 15.2A/28A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 15.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5915 pF @ 15 V
на замовлення 87000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+59.23 грн
6000+ 54.89 грн
9000+ 53.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDS8842NZ FDS8842NZ onsemi fds8842nz-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 14.9A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 14.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3845 pF @ 15 V
на замовлення 8120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+72.7 грн
10+ 57.03 грн
100+ 44.37 грн
500+ 35.29 грн
1000+ 28.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDS8842NZ FDS8842NZ onsemi fds8842nz-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 14.9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 14.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3845 pF @ 15 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.95 грн
5000+ 27.47 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IPB083N10N3GATMA1 IPB083N10N3GATMA1 Infineon Technologies IPP086N10N3+G_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d1ac5c8fa1358 Description: MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 73A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 75µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 50 V
на замовлення 8382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.62 грн
10+ 85.65 грн
100+ 68.21 грн
500+ 54.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPB083N10N3GATMA1 IPB083N10N3GATMA1 Infineon Technologies IPP086N10N3+G_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d1ac5c8fa1358 Description: MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 73A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 75µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 50 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+50.86 грн
2000+ 46.52 грн
5000+ 44.77 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IPD082N10N3GATMA1 IPD082N10N3GATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPP086N10N3G-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30431ce5fb52011d1ac5c8fa1358 Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 73A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 75µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 50 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+59.94 грн
5000+ 55.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IPD082N10N3GATMA1 IPD082N10N3GATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPP086N10N3G-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30431ce5fb52011d1ac5c8fa1358 Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 73A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 75µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 50 V
на замовлення 28646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+133.27 грн
10+ 106.31 грн
100+ 84.62 грн
500+ 67.2 грн
1000+ 57.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPD096N08N3GATMA1 IPD096N08N3GATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD096N08N3-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30431ce5fb52011d1f35150315fe Description: MOSFET N-CH 80V 73A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 40 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.09 грн
10+ 69.87 грн
100+ 54.31 грн
500+ 43.21 грн
1000+ 35.2 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPD096N08N3GATMA1 IPD096N08N3GATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD096N08N3-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30431ce5fb52011d1f35150315fe Description: MOSFET N-CH 80V 73A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 40 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+36.66 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IPD70P04P409ATMA2 IPD70P04P409ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPD70P04P4_09-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304329a0f6ee0129db9c0b0b5c51 Description: MOSFET P-CH 40V 73A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4810 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+99.07 грн
10+ 79.61 грн
100+ 63.35 грн
500+ 50.31 грн
1000+ 42.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPD80R450P7ATMA1 IPD80R450P7ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD80R450P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625607bd1301562e3b26963327 Description: MOSFET N-CH 800V 11A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 220µA
Supplier Device Package: PG-TO252-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 500 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+58.84 грн
5000+ 54.53 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IPD80R450P7ATMA1 IPD80R450P7ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD80R450P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625607bd1301562e3b26963327 Description: MOSFET N-CH 800V 11A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 220µA
Supplier Device Package: PG-TO252-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 500 V
на замовлення 12492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.42 грн
10+ 104.39 грн
100+ 83.08 грн
500+ 65.97 грн
1000+ 55.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPD95R750P7ATMA1 IPD95R750P7ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD95R750P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643b5f422356d1 Description: MOSFET N-CH 950V 9A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 220µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 712 pF @ 400 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+52.5 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FPD87310VHB fpd87310.pdf
Виробник: NSC
01+ QFP
на замовлення 160 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LM487310V21.3
Виробник: NSC
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LM487310V21.3
Виробник: NSC
09+ QFN
на замовлення 1150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
ADA4805-1AKSZ-R2 ADA4805-1_4805-2.pdf
ADA4805-1AKSZ-R2
Виробник: Analog Devices Inc.
Description: IC OPAMP GP 1 CIRCUIT SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Output Type: Rail-to-Rail
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Supply: 500µA
Slew Rate: 160V/µs
Current - Input Bias: 470 nA
Voltage - Input Offset: 9 µV
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
Current - Output / Channel: 73 mA
-3db Bandwidth: 105 MHz
Voltage - Supply Span (Min): 3 V
Voltage - Supply Span (Max): 10 V
на замовлення 11750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
250+202.9 грн
500+ 175.32 грн
1250+ 147.86 грн
2500+ 131.82 грн
Мінімальне замовлення: 250
ADA4805-1AKSZ-R2 ADA4805-1_4805-2.pdf
ADA4805-1AKSZ-R2
Виробник: Analog Devices Inc.
Description: IC OPAMP GP 1 CIRCUIT SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Output Type: Rail-to-Rail
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Supply: 500µA
Slew Rate: 160V/µs
Current - Input Bias: 470 nA
Voltage - Input Offset: 9 µV
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
Current - Output / Channel: 73 mA
-3db Bandwidth: 105 MHz
Voltage - Supply Span (Min): 3 V
Voltage - Supply Span (Max): 10 V
на замовлення 11885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+290.78 грн
10+ 251.32 грн
25+ 237.63 грн
100+ 193.27 грн
ADA4805-1AKSZ-R7 ADA4805-1_4805-2.pdf
ADA4805-1AKSZ-R7
Виробник: Analog Devices Inc.
Description: IC OPAMP GP 1 CIRCUIT SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Output Type: Rail-to-Rail
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Supply: 500µA
Slew Rate: 160V/µs
Current - Input Bias: 470 nA
Voltage - Input Offset: 9 µV
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
Current - Output / Channel: 73 mA
-3db Bandwidth: 105 MHz
Voltage - Supply Span (Min): 3 V
Voltage - Supply Span (Max): 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+115.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
ADA4805-1AKSZ-R7 ADA4805-1_4805-2.pdf
ADA4805-1AKSZ-R7
Виробник: Analog Devices Inc.
Description: IC OPAMP GP 1 CIRCUIT SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Output Type: Rail-to-Rail
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Supply: 500µA
Slew Rate: 160V/µs
Current - Input Bias: 470 nA
Voltage - Input Offset: 9 µV
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
Current - Output / Channel: 73 mA
-3db Bandwidth: 105 MHz
Voltage - Supply Span (Min): 3 V
Voltage - Supply Span (Max): 10 V
на замовлення 12597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+230.91 грн
10+ 199.58 грн
25+ 188.65 грн
100+ 153.44 грн
250+ 145.58 грн
500+ 130.62 грн
1000+ 108.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
ADA4805-1ARJZ-R2 ADA4805-1_4805-2.pdf
ADA4805-1ARJZ-R2
Виробник: Analog Devices Inc.
Description: IC OPAMP GP 1 CIRCUIT SOT23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Output Type: Rail-to-Rail
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Supply: 500µA
Slew Rate: 160V/µs
Current - Input Bias: 470 nA
Voltage - Input Offset: 9 µV
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
Current - Output / Channel: 73 mA
-3db Bandwidth: 105 MHz
Voltage - Supply Span (Min): 3 V
Voltage - Supply Span (Max): 10 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
250+202.9 грн
500+ 175.32 грн
1250+ 147.86 грн
Мінімальне замовлення: 250
ADA4805-1ARJZ-R2 ADA4805-1_4805-2.pdf
ADA4805-1ARJZ-R2
Виробник: Analog Devices Inc.
Description: IC OPAMP GP 1 CIRCUIT SOT23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Output Type: Rail-to-Rail
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Supply: 500µA
Slew Rate: 160V/µs
Current - Input Bias: 470 nA
Voltage - Input Offset: 9 µV
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
Current - Output / Channel: 73 mA
-3db Bandwidth: 105 MHz
Voltage - Supply Span (Min): 3 V
Voltage - Supply Span (Max): 10 V
на замовлення 1708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+290.78 грн
10+ 251.32 грн
25+ 237.63 грн
100+ 193.27 грн
ADA4805-1ARJZ-R7 ADA4805-1_4805-2.pdf
ADA4805-1ARJZ-R7
Виробник: Analog Devices Inc.
Description: IC OPAMP GP 1 CIRCUIT SOT23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Output Type: Rail-to-Rail
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Supply: 500µA
Slew Rate: 160V/µs
Current - Input Bias: 470 nA
Voltage - Input Offset: 9 µV
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
Current - Output / Channel: 73 mA
-3db Bandwidth: 105 MHz
Voltage - Supply Span (Min): 3 V
Voltage - Supply Span (Max): 10 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+105.2 грн
6000+ 97.5 грн
Мінімальне замовлення: 3000
ADA4805-1ARJZ-R7 ADA4805-1_4805-2.pdf
ADA4805-1ARJZ-R7
Виробник: Analog Devices Inc.
Description: IC OPAMP GP 1 CIRCUIT SOT23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Output Type: Rail-to-Rail
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Supply: 500µA
Slew Rate: 160V/µs
Current - Input Bias: 470 nA
Voltage - Input Offset: 9 µV
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
Current - Output / Channel: 73 mA
-3db Bandwidth: 105 MHz
Voltage - Supply Span (Min): 3 V
Voltage - Supply Span (Max): 10 V
на замовлення 23625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+210.25 грн
10+ 181.32 грн
25+ 171.38 грн
100+ 139.39 грн
250+ 132.24 грн
500+ 118.66 грн
1000+ 98.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
ADA4805-2ARMZ ADA4805-1_4805-2.pdf
ADA4805-2ARMZ
Виробник: Analog Devices Inc.
Description: IC VOLTAGE FEEDBACK 2 CIRC 8MSOP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Output Type: Rail-to-Rail
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: Voltage Feedback
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Supply: 570µA (x2 Channels)
Slew Rate: 250V/µs
Current - Input Bias: 550 nA
Voltage - Input Offset: 13 µV
Supplier Device Package: 8-MSOP
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
Current - Output / Channel: 73 mA
-3db Bandwidth: 120 MHz
Voltage - Supply Span (Min): 2.7 V
Voltage - Supply Span (Max): 10 V
на замовлення 9274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+408.38 грн
10+ 353.45 грн
50+ 334.12 грн
100+ 271.75 грн
250+ 257.81 грн
500+ 231.33 грн
1000+ 191.9 грн
2500+ 182.31 грн
ADA4805-2ARMZ-R7 ADA4805-1_4805-2.pdf
ADA4805-2ARMZ-R7
Виробник: Analog Devices Inc.
Description: IC VOLTAGE FEEDBACK 2 CIRC 8MSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Output Type: Rail-to-Rail
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: Voltage Feedback
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Supply: 570µA (x2 Channels)
Slew Rate: 250V/µs
Current - Input Bias: 550 nA
Voltage - Input Offset: 13 µV
Supplier Device Package: 8-MSOP
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
Current - Output / Channel: 73 mA
-3db Bandwidth: 120 MHz
Voltage - Supply Span (Min): 2.7 V
Voltage - Supply Span (Max): 10 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+215.89 грн
2000+ 197.5 грн
Мінімальне замовлення: 1000
ADA4805-2ARMZ-R7 ADA4805-1_4805-2.pdf
ADA4805-2ARMZ-R7
Виробник: Analog Devices Inc.
Description: IC VOLTAGE FEEDBACK 2 CIRC 8MSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Output Type: Rail-to-Rail
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: Voltage Feedback
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Supply: 570µA (x2 Channels)
Slew Rate: 250V/µs
Current - Input Bias: 550 nA
Voltage - Input Offset: 13 µV
Supplier Device Package: 8-MSOP
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
Current - Output / Channel: 73 mA
-3db Bandwidth: 120 MHz
Voltage - Supply Span (Min): 2.7 V
Voltage - Supply Span (Max): 10 V
на замовлення 4729 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+408.38 грн
10+ 353.45 грн
25+ 334.09 грн
100+ 271.75 грн
250+ 257.81 грн
500+ 231.33 грн
ADA4806-1ARJZ-R2 ADA4806-1.pdf
ADA4806-1ARJZ-R2
Виробник: Analog Devices Inc.
Description: IC OPAMP VFB 1 CIRCUIT SOT23-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-8
Output Type: Rail-to-Rail
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: Voltage Feedback
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Supply: 500µA
Slew Rate: 160V/µs
Current - Input Bias: 470 nA
Voltage - Input Offset: 13 µV
Supplier Device Package: SOT-23-8
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
Current - Output / Channel: 73 mA
-3db Bandwidth: 105 MHz
Voltage - Supply Span (Min): 2.7 V
Voltage - Supply Span (Max): 10 V
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
250+211.5 грн
Мінімальне замовлення: 250
ADA4806-1ARJZ-R2 ADA4806-1.pdf
ADA4806-1ARJZ-R2
Виробник: Analog Devices Inc.
Description: IC OPAMP VFB 1 CIRCUIT SOT23-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-8
Output Type: Rail-to-Rail
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: Voltage Feedback
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Supply: 500µA
Slew Rate: 160V/µs
Current - Input Bias: 470 nA
Voltage - Input Offset: 13 µV
Supplier Device Package: SOT-23-8
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
Current - Output / Channel: 73 mA
-3db Bandwidth: 105 MHz
Voltage - Supply Span (Min): 2.7 V
Voltage - Supply Span (Max): 10 V
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+302.9 грн
10+ 262.03 грн
25+ 247.7 грн
100+ 201.46 грн
AOD66923 AOD66923.pdf
AOD66923
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 16.5A/58A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.2W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1725 pF @ 50 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+29.31 грн
5000+ 26.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500
AOD66923 AOD66923.pdf
AOD66923
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 16.5A/58A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.2W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1725 pF @ 50 V
на замовлення 15861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+71.27 грн
10+ 55.87 грн
100+ 43.42 грн
500+ 34.53 грн
1000+ 28.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
AONS32100
AONS32100
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET N-CH 25V 73A/400A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Ta), 400A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.73mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.2W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15200 pF @ 12.5 V
на замовлення 9235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+133.27 грн
10+ 106.65 грн
100+ 84.88 грн
500+ 67.4 грн
1000+ 57.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
AONS32100
AONS32100
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET N-CH 25V 73A/400A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Ta), 400A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.73mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.2W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15200 pF @ 12.5 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+60.11 грн
6000+ 55.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
AOY66923 AOY66923.pdf
AOY66923
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 16.5/58A TO251B
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.2W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1725 pF @ 50 V
на замовлення 5840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+57.02 грн
70+ 43.87 грн
140+ 34.77 грн
560+ 27.66 грн
1050+ 27.36 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSB044N08NN3GXUMA1 BSB044N08NN3+G_Rev+1.3.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30435819ae2e012e385cde7b70d4
BSB044N08NN3GXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 18A/90A 2WDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 97µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 40 V
на замовлення 5715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+231.63 грн
10+ 187.15 грн
100+ 151.41 грн
500+ 126.31 грн
1000+ 108.15 грн
2000+ 101.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSB044N08NN3GXUMA1 BSB044N08NN3+G_Rev+1.3.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30435819ae2e012e385cde7b70d4
BSB044N08NN3GXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 18A/90A 2WDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 97µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 40 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+108.11 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC030N03MSGATMA1 Infineon-BSC030N03MSG-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304313d846880113de605dea0359
BSC030N03MSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 21A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+26.56 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC030N03MSGATMA1 Infineon-BSC030N03MSG-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304313d846880113de605dea0359
BSC030N03MSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 21A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 15 V
на замовлення 10950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+66.99 грн
10+ 53.12 грн
100+ 41.32 грн
500+ 32.87 грн
1000+ 26.77 грн
2000+ 25.2 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSC057N08NS3GATMA1 BSC057N08NS3G_rev2.4.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431add1d95011ae803c9345616
BSC057N08NS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 16A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 73µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 40 V
на замовлення 11347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+126.15 грн
10+ 101.02 грн
100+ 80.38 грн
500+ 63.83 грн
1000+ 54.16 грн
2000+ 51.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC057N08NS3GATMA1 BSC057N08NS3G_rev2.4.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431add1d95011ae803c9345616
BSC057N08NS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 16A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 73µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 40 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+54.79 грн
10000+ 51.02 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC059N04LSGATMA1 BSC059N04LSG_rev1.02.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116c4481e4b081f
BSC059N04LSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 16A/73A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 20 V
на замовлення 56949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+60.58 грн
10+ 50.72 грн
100+ 35.1 грн
500+ 27.52 грн
1000+ 23.42 грн
2000+ 20.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSC059N04LSGATMA1 BSC059N04LSG_rev1.02.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116c4481e4b081f
BSC059N04LSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 16A/73A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 20 V
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+21.87 грн
10000+ 19.5 грн
25000+ 19.31 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSO040N03MSGXUMA1 BSO040N03MS_rev1.0.pdf?folderId=db3a304313d846880113d91d60c500c4&fileId=db3a30431b0626df011b0d4dfc657dd7
BSO040N03MSGXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 16A 8DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 15 V
на замовлення 7338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+95.5 грн
10+ 75.01 грн
100+ 58.35 грн
500+ 46.41 грн
1000+ 37.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSO040N03MSGXUMA1 BSO040N03MS_rev1.0.pdf?folderId=db3a304313d846880113d91d60c500c4&fileId=db3a30431b0626df011b0d4dfc657dd7
BSO040N03MSGXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 16A 8DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+39.39 грн
5000+ 36.12 грн
Мінімальне замовлення: 2500
BSS84 bss84-d.pdf
BSS84
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V
на замовлення 153000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+8.53 грн
6000+ 7.87 грн
9000+ 7.09 грн
30000+ 6.55 грн
75000+ 6.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS84 bss84-d.pdf
BSS84
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V
на замовлення 155248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+31.36 грн
12+ 23.61 грн
100+ 14.17 грн
500+ 12.31 грн
1000+ 8.37 грн
Мінімальне замовлення: 10
BSZ120P03NS3GATMA1 BSZ120P03NS3+G_2+1.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a7313d21a66&fileId=db3a304326dfb13001271f0c11864edd
BSZ120P03NS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 11A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 73µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3360 pF @ 15 V
на замовлення 1962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+57.02 грн
10+ 47.56 грн
100+ 32.91 грн
500+ 25.8 грн
1000+ 21.96 грн
Мінімальне замовлення: 5
BUK9880-55A/CUX BUK9880-55A.pdf
BUK9880-55A/CUX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 55V 7A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 159971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+14.72 грн
2000+ 12.67 грн
5000+ 12.03 грн
10000+ 10.48 грн
25000+ 10.24 грн
50000+ 9.98 грн
Мінімальне замовлення: 1000
BUK9880-55A/CUX BUK9880-55A.pdf
BUK9880-55A/CUX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 55V 7A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 160516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+38.49 грн
10+ 32.12 грн
100+ 22.34 грн
500+ 16.37 грн
Мінімальне замовлення: 8
BUK9M85-60EX BUK9M85-60E.pdf
BUK9M85-60EX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 12.8A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 434 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1500+15.94 грн
Мінімальне замовлення: 1500
BUK9M85-60EX BUK9M85-60E.pdf
BUK9M85-60EX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 12.8A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 434 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+42.05 грн
10+ 34.8 грн
100+ 24.19 грн
500+ 17.72 грн
Мінімальне замовлення: 7
CSD17307Q5A suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17307q5a
CSD17307Q5A
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 30V 14A/73A 8VSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 11A, 8V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 15 V
на замовлення 165896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
775+25.67 грн
Мінімальне замовлення: 775
CSD17307Q5A suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17307q5a
CSD17307Q5A
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 30V 14A/73A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 11A, 8V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 15 V
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
CSD17307Q5A suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17307q5a
CSD17307Q5A
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 30V 14A/73A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 11A, 8V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 15 V
на замовлення 2766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+52.03 грн
10+ 43.44 грн
100+ 30.05 грн
500+ 23.56 грн
1000+ 20.05 грн
Мінімальне замовлення: 6
DMN3110S-7 DMN3110S.pdf
DMN3110S-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 2.5A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 3.1mA, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305.8 pF @ 15 V
на замовлення 444000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+12.35 грн
6000+ 11.29 грн
9000+ 10.48 грн
30000+ 9.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN3110S-7 DMN3110S.pdf
DMN3110S-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 2.5A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 3.1mA, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305.8 pF @ 15 V
на замовлення 446229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+37.06 грн
10+ 30.2 грн
100+ 20.97 грн
500+ 15.36 грн
1000+ 12.49 грн
Мінімальне замовлення: 8
FCA47N60F fca47n60f-d.pdf
FCA47N60F
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 47A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 23.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
на замовлення 8343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+743.35 грн
30+ 579.56 грн
120+ 545.49 грн
510+ 463.92 грн
1020+ 425.53 грн
FDB38N30U fdb38n30u-d.pdf
FDB38N30U
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N CH 300V 38A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3340 pF @ 25 V
на замовлення 1195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+208.11 грн
10+ 168.35 грн
100+ 136.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDB38N30U fdb38n30u-d.pdf
FDB38N30U
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N CH 300V 38A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3340 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+125.75 грн
Мінімальне замовлення: 800
FDMS6673BZ fdms6673bz-d.pdf
FDMS6673BZ
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 15.2A/28A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 15.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5915 pF @ 15 V
на замовлення 91720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+131.85 грн
10+ 105.07 грн
100+ 83.63 грн
500+ 66.41 грн
1000+ 56.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDMS6673BZ fdms6673bz-d.pdf
FDMS6673BZ
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 15.2A/28A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 15.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5915 pF @ 15 V
на замовлення 87000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+59.23 грн
6000+ 54.89 грн
9000+ 53.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDS8842NZ fds8842nz-d.pdf
FDS8842NZ
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 14.9A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 14.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3845 pF @ 15 V
на замовлення 8120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+72.7 грн
10+ 57.03 грн
100+ 44.37 грн
500+ 35.29 грн
1000+ 28.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDS8842NZ fds8842nz-d.pdf
FDS8842NZ
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 14.9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 14.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3845 pF @ 15 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+29.95 грн
5000+ 27.47 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IPB083N10N3GATMA1 IPP086N10N3+G_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d1ac5c8fa1358
IPB083N10N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 73A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 75µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 50 V
на замовлення 8382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+107.62 грн
10+ 85.65 грн
100+ 68.21 грн
500+ 54.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPB083N10N3GATMA1 IPP086N10N3+G_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d1ac5c8fa1358
IPB083N10N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 73A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 75µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 50 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+50.86 грн
2000+ 46.52 грн
5000+ 44.77 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IPD082N10N3GATMA1 Infineon-IPP086N10N3G-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30431ce5fb52011d1ac5c8fa1358
IPD082N10N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 73A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 75µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 50 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+59.94 грн
5000+ 55.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IPD082N10N3GATMA1 Infineon-IPP086N10N3G-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30431ce5fb52011d1ac5c8fa1358
IPD082N10N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 73A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 75µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 50 V
на замовлення 28646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+133.27 грн
10+ 106.31 грн
100+ 84.62 грн
500+ 67.2 грн
1000+ 57.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPD096N08N3GATMA1 Infineon-IPD096N08N3-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30431ce5fb52011d1f35150315fe
IPD096N08N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 73A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 40 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+89.09 грн
10+ 69.87 грн
100+ 54.31 грн
500+ 43.21 грн
1000+ 35.2 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPD096N08N3GATMA1 Infineon-IPD096N08N3-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30431ce5fb52011d1f35150315fe
IPD096N08N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 73A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 40 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+36.66 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IPD70P04P409ATMA2 Infineon-IPD70P04P4_09-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304329a0f6ee0129db9c0b0b5c51
IPD70P04P409ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 73A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4810 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+99.07 грн
10+ 79.61 грн
100+ 63.35 грн
500+ 50.31 грн
1000+ 42.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPD80R450P7ATMA1 Infineon-IPD80R450P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625607bd1301562e3b26963327
IPD80R450P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 11A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 220µA
Supplier Device Package: PG-TO252-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 500 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+58.84 грн
5000+ 54.53 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IPD80R450P7ATMA1 Infineon-IPD80R450P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625607bd1301562e3b26963327
IPD80R450P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 11A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 220µA
Supplier Device Package: PG-TO252-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 500 V
на замовлення 12492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+130.42 грн
10+ 104.39 грн
100+ 83.08 грн
500+ 65.97 грн
1000+ 55.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPD95R750P7ATMA1 Infineon-IPD95R750P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643b5f422356d1
IPD95R750P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 950V 9A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 220µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 712 pF @ 400 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+52.5 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]