Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника ROHM SEMICONDUCTOR (107851) > Сторінка 872 з 1798

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SDR03EZPF3901 SDR03EZPF3901 Rohm Semiconductor sdr-e.pdf Description: RES SMD 3.9 KOHM 1% 0.3W 0603
Power (Watts): 0.3W
Tolerance: ±1%
Features: Pulse Withstanding
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0603
Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm)
Part Status: Active
Resistance: 3.9 kOhms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDR03EZPF3901 SDR03EZPF3901 Rohm Semiconductor sdr-e.pdf Description: RES SMD 3.9 KOHM 1% 0.3W 0603
Power (Watts): 0.3W
Tolerance: ±1%
Features: Pulse Withstanding
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0603
Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm)
Part Status: Active
Resistance: 3.9 kOhms
на замовлення 1666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+12.67 грн
50+6.18 грн
73+4.18 грн
100+3.34 грн
500+2.40 грн
1000+2.11 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BM2P109TF-E2 BM2P109TF-E2 Rohm Semiconductor bm2p109tf-e.pdf Description: IC OFFLINE SW FULL-BRIDGE 8SOP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+68.02 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BM2P109TF-E2 BM2P109TF-E2 Rohm Semiconductor bm2p109tf-e.pdf Description: IC OFFLINE SW FULL-BRIDGE 8SOP
на замовлення 4922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.73 грн
10+122.68 грн
25+115.74 грн
100+92.53 грн
250+86.88 грн
500+76.02 грн
1000+61.96 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD900N1G-CTR BD900N1G-CTR Rohm Semiconductor datasheet?p=BD900N1G-C&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: QUICUR, NANO CAP, 150MA, ADJUSTA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 150mA
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 60 µA
Voltage - Input (Max): 42V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 5-SSOP
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 1.8V @ 150mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Short Circuit, Under Voltage Lockout (UVLO)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD900N1G-CTR BD900N1G-CTR Rohm Semiconductor datasheet?p=BD900N1G-C&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: QUICUR, NANO CAP, 150MA, ADJUSTA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 150mA
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 60 µA
Voltage - Input (Max): 42V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 5-SSOP
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 1.8V @ 150mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Short Circuit, Under Voltage Lockout (UVLO)
на замовлення 2894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.43 грн
10+80.52 грн
25+76.43 грн
100+58.93 грн
250+55.08 грн
500+48.68 грн
1000+37.80 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SFR18EZPJ470 SFR18EZPJ470 Rohm Semiconductor sfr-e.pdf Description: SULFUR TOLERANT CHIP RESISTORS :
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+1.40 грн
10000+1.26 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SFR18EZPJ470 SFR18EZPJ470 Rohm Semiconductor sfr-e.pdf Description: SULFUR TOLERANT CHIP RESISTORS :
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.88 грн
31+9.91 грн
100+3.87 грн
1000+1.52 грн
2500+1.39 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SFR18EZPJ131 SFR18EZPJ131 Rohm Semiconductor sfr-e.pdf Description: SULFUR TOLERANT CHIP RESISTORS :
Power (Watts): 0.25W, 1/4W
Tolerance: ±5%
Features: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Temperature Coefficient: ±200ppm/°C
Size / Dimension: 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 1206
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Part Status: Active
Resistance: 130 Ohms
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+1.56 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SFR18EZPJ131 SFR18EZPJ131 Rohm Semiconductor sfr-e.pdf Description: SULFUR TOLERANT CHIP RESISTORS :
Power (Watts): 0.25W, 1/4W
Tolerance: ±5%
Features: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Temperature Coefficient: ±200ppm/°C
Size / Dimension: 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 1206
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Part Status: Active
Resistance: 130 Ohms
на замовлення 9890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.46 грн
28+10.98 грн
100+4.32 грн
1000+1.70 грн
2500+1.55 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SFR18EZPJ3R3 SFR18EZPJ3R3 Rohm Semiconductor sfr-e.pdf Description: SULFUR TOLERANT CHIP RESISTORS :
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+1.40 грн
10000+1.26 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SFR18EZPJ3R3 SFR18EZPJ3R3 Rohm Semiconductor sfr-e.pdf Description: SULFUR TOLERANT CHIP RESISTORS :
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.88 грн
31+9.91 грн
100+3.87 грн
1000+1.52 грн
2500+1.39 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SFR18EZPF1200 SFR18EZPF1200 Rohm Semiconductor sfr-e.pdf Description: SULFUR TOLERANT CHIP RESISTORS :
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+2.17 грн
10000+1.95 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SFR18EZPF1200 SFR18EZPF1200 Rohm Semiconductor sfr-e.pdf Description: SULFUR TOLERANT CHIP RESISTORS :
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+18.21 грн
20+15.33 грн
100+5.98 грн
1000+2.35 грн
2500+2.15 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SFR18EZPJ331 SFR18EZPJ331 Rohm Semiconductor sfr-e.pdf Description: SULFUR TOLERANT CHIP RESISTORS :
Power (Watts): 0.25W, 1/4W
Tolerance: ±5%
Features: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Temperature Coefficient: ±200ppm/°C
Size / Dimension: 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 1206
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Part Status: Active
Resistance: 330 Ohms
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+1.64 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SFR18EZPJ331 SFR18EZPJ331 Rohm Semiconductor sfr-e.pdf Description: SULFUR TOLERANT CHIP RESISTORS :
Power (Watts): 0.25W, 1/4W
Tolerance: ±5%
Features: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Temperature Coefficient: ±200ppm/°C
Size / Dimension: 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 1206
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Part Status: Active
Resistance: 330 Ohms
на замовлення 7932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+14.25 грн
27+11.59 грн
100+4.52 грн
1000+1.77 грн
2500+1.63 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BR24T32FVJ-WE2 BR24T32FVJ-WE2 Rohm Semiconductor datasheet?p=BR24T32FVJ-W&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IC EEPROM 32KBIT I2C 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.6V ~ 5.5V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 400 kHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 8-TSSOP-BJ
Write Cycle Time - Word, Page: 5ms
Memory Interface: I2C
Memory Organization: 4K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BR24T32FVT-WE2 BR24T32FVT-WE2 Rohm Semiconductor datasheet?p=BR24T32FVT-W&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IC EEPROM 32KBIT I2C 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.6V ~ 5.5V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 400 kHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 8-TSSOP-B
Write Cycle Time - Word, Page: 5ms
Memory Interface: I2C
Memory Organization: 4K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RW4E045AJTCL1 RW4E045AJTCL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=RW4E045AJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: NCH 30V 4.5A POWER MOSFET: RW4E0
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: DFN1616-7T
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RW4E045ATTCL1 RW4E045ATTCL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=RW4E045AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: PCH -30V -4.5A POWER MOSFET. RW4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: DFN1616-7T
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RW4E045ATTCL1 RW4E045ATTCL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=RW4E045AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: PCH -30V -4.5A POWER MOSFET. RW4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: DFN1616-7T
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 15 V
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.26 грн
10+54.59 грн
100+35.90 грн
500+26.16 грн
1000+23.73 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R8008ANJGTL R8008ANJGTL Rohm Semiconductor datasheet?p=R8008ANJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: NCH 800V 8A POWER MOSFET : R8008
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.03Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R8008ANJGTL R8008ANJGTL Rohm Semiconductor datasheet?p=R8008ANJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: NCH 800V 8A POWER MOSFET : R8008
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.03Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+480.62 грн
10+311.16 грн
100+225.43 грн
500+177.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R8003KNXC7G R8003KNXC7G Rohm Semiconductor datasheet?p=R8003KNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 800V 3A, TO-220FM, HIGH-SPEED SW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 100 V
на замовлення 477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+176.57 грн
10+141.29 грн
100+112.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R8002KNXC7G R8002KNXC7G Rohm Semiconductor datasheet?p=R8002KNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 800V 1.6A, TO-220FM, HIGH-SPEED
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
на замовлення 914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+205.08 грн
10+127.41 грн
50+97.32 грн
100+82.23 грн
500+66.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R8006KNXC7G R8006KNXC7G Rohm Semiconductor datasheet?p=R8006KNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 6A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R8006KNXC7G R8006KNXC7G Rohm Semiconductor datasheet?p=R8006KNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 6A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 100 V
на замовлення 242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+313.55 грн
10+198.55 грн
50+154.42 грн
100+131.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R8002KND3TL1 R8002KND3TL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=R8002KND3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 1.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-252GE
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R8002KND3TL1 R8002KND3TL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=R8002KND3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 1.
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-252GE
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
на замовлення 396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+144.11 грн
10+88.68 грн
100+60.05 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R8009KNXC7G R8009KNXC7G Rohm Semiconductor datasheet?p=R8009KNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 9A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+135.09 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R8009KNXC7G R8009KNXC7G Rohm Semiconductor datasheet?p=R8009KNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 9A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 100 V
на замовлення 1238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+368.98 грн
10+235.76 грн
50+184.66 грн
100+157.83 грн
500+140.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R8003KND3TL1 R8003KND3TL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=R8003KND3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 3A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R8003KND3TL1 R8003KND3TL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=R8003KND3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 3A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 100 V
на замовлення 623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+228.83 грн
10+143.12 грн
50+109.75 грн
100+92.90 грн
500+75.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSS070P05HZGTB RSS070P05HZGTB Rohm Semiconductor datasheet?p=RSS070P05HZG&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: PCH -45V -7A POWER MOSFET. RSS07
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSS070P05HZGTB RSS070P05HZGTB Rohm Semiconductor datasheet?p=RSS070P05HZG&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: PCH -45V -7A POWER MOSFET. RSS07
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+173.40 грн
10+106.75 грн
50+81.01 грн
100+68.23 грн
500+54.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTV80TS65GC11 RGTV80TS65GC11 Rohm Semiconductor datasheet?p=RGTV80TS65&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IGBT TRENCH FS 650V 78A TO-247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 39ns/113ns
Switching Energy: 1.02mJ (on), 710µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 81 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 78 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 234 W
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+488.54 грн
30+268.90 грн
120+224.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGTV80TK65GVC11 RGTV80TK65GVC11 Rohm Semiconductor datasheet?p=RGTV80TK65&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IGBT TRENCH FS 650V 39A TO-3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-3PFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 39ns/113ns
Switching Energy: 1.02mJ (on), 710µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 81 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 39 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 85 W
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+245.46 грн
30+128.83 грн
120+105.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD7800FP-E2 BD7800FP-E2 Rohm Semiconductor Description: IC REG LINEAR 5A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C3V0LYFHT116 BZX84C3V0LYFHT116 Rohm Semiconductor datasheet?p=BZX84C3V0LYFH&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ZENER 3V 250MW SOT23
Tolerance: ±6.67%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3 V
Impedance (Max) (Zzt): 95 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Power - Max: 250 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C3V0LYFHT116 BZX84C3V0LYFHT116 Rohm Semiconductor datasheet?p=BZX84C3V0LYFH&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ZENER 3V 250MW SOT23
Tolerance: ±6.67%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3 V
Impedance (Max) (Zzt): 95 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Power - Max: 250 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.34 грн
20+15.25 грн
50+10.96 грн
100+8.98 грн
500+6.65 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ27VCLYFHT116 MMBZ27VCLYFHT116 Rohm Semiconductor datasheet?p=MMBZ27VCLYFH&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 22V, SOT-23, CATHODE COMMON, AUT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 22V (Max)
Supplier Device Package: SOT-23
Unidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 25.65V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 38V
Power - Peak Pulse: 40W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.18 грн
6000+10.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ27VCLYFHT116 MMBZ27VCLYFHT116 Rohm Semiconductor datasheet?p=MMBZ27VCLYFH&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 22V, SOT-23, CATHODE COMMON, AUT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 22V (Max)
Supplier Device Package: SOT-23
Unidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 25.65V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 38V
Power - Peak Pulse: 40W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.26 грн
12+27.30 грн
100+18.98 грн
500+13.90 грн
1000+11.30 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUS1DJC3GWZ-E2 BUS1DJC3GWZ-E2 Rohm Semiconductor datasheet?p=BUS1DJC3GWZ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IC POWER SW UCSP30L1
Features: Load Discharge, Slew Rate Controlled
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 140mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 1.1V ~ 5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 2A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: UCSP30L1
Fault Protection: Short Circuit
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUS1DJC3GWZ-E2 BUS1DJC3GWZ-E2 Rohm Semiconductor datasheet?p=BUS1DJC3GWZ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IC POWER SW UCSP30L1
Features: Load Discharge, Slew Rate Controlled
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 140mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 1.1V ~ 5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 2A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: UCSP30L1
Fault Protection: Short Circuit
Part Status: Active
на замовлення 1520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.46 грн
14+21.96 грн
25+19.55 грн
100+15.91 грн
250+14.74 грн
500+14.04 грн
1000+13.24 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDR10EZPJ360 SDR10EZPJ360 Rohm Semiconductor sdr-e.pdf Description: HIGH ANTI-SURGE THICK FILM CHIP
Power (Watts): 0.5W, 1/2W
Tolerance: ±5%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: ±200ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0805
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Part Status: Active
Resistance: 36 Ohms
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+2.04 грн
10000+1.83 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDR10EZPJ360 SDR10EZPJ360 Rohm Semiconductor sdr-e.pdf Description: HIGH ANTI-SURGE THICK FILM CHIP
Power (Watts): 0.5W, 1/2W
Tolerance: ±5%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: ±200ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0805
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Part Status: Active
Resistance: 36 Ohms
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.42 грн
22+14.41 грн
50+7.59 грн
100+5.28 грн
500+3.19 грн
1000+2.21 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDR10EZPJ132 SDR10EZPJ132 Rohm Semiconductor sdr-e.pdf Description: HIGH ANTI-SURGE THICK FILM CHIP
Power (Watts): 0.5W, 1/2W
Tolerance: ±5%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: ±200ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0805
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Part Status: Active
Resistance: 1.3 kOhms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDR10EZPJ132 SDR10EZPJ132 Rohm Semiconductor sdr-e.pdf Description: HIGH ANTI-SURGE THICK FILM CHIP
Power (Watts): 0.5W, 1/2W
Tolerance: ±5%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: ±200ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0805
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Part Status: Active
Resistance: 1.3 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SDR03EZPD8062 SDR03EZPD8062 Rohm Semiconductor sdr-e.pdf Description: HIGH ANTI-SURGE THICK FILM CHIP
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+1.91 грн
10000+1.72 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDR03EZPD8062 SDR03EZPD8062 Rohm Semiconductor sdr-e.pdf Description: HIGH ANTI-SURGE THICK FILM CHIP
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.63 грн
23+13.50 грн
100+5.28 грн
1000+2.07 грн
2500+1.90 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDR03EZPD3000 SDR03EZPD3000 Rohm Semiconductor sdr-e.pdf Description: HIGH ANTI-SURGE THICK FILM CHIP
Power (Watts): 0.3W
Tolerance: ±0.5%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0603
Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm)
Part Status: Active
Resistance: 300 Ohms
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+2.34 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDR03EZPD3000 SDR03EZPD3000 Rohm Semiconductor sdr-e.pdf Description: HIGH ANTI-SURGE THICK FILM CHIP
Power (Watts): 0.3W
Tolerance: ±0.5%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0603
Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm)
Part Status: Active
Resistance: 300 Ohms
на замовлення 9367 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+14.25 грн
41+7.55 грн
60+5.14 грн
100+4.16 грн
500+3.05 грн
1000+2.70 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDR10EZPF1R60 SDR10EZPF1R60 Rohm Semiconductor sdr-e.pdf Description: HIGH ANTI-SURGE THICK FILM CHIP
Power (Watts): 0.5W, 1/2W
Tolerance: ±1%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0805
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Resistance: 1.6 Ohms
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+2.64 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDR10EZPF1R60 SDR10EZPF1R60 Rohm Semiconductor sdr-e.pdf Description: HIGH ANTI-SURGE THICK FILM CHIP
Power (Watts): 0.5W, 1/2W
Tolerance: ±1%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0805
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Resistance: 1.6 Ohms
на замовлення 9570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.96 грн
17+18.60 грн
50+9.82 грн
100+6.83 грн
500+4.13 грн
1000+2.86 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD63525AEFV-EVK-001 BD63525AEFV-EVK-001 Rohm Semiconductor bd63xxxefv-evk-001_ug-e.pdf Description: EVAL BOARD FOR BD63525A
Packaging: Bulk
Function: Motor Controller/Driver
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: BD63525A
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: 8V ~ 28V Supply
Embedded: No
Part Status: Active
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9805.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E350GNTB RS1E350GNTB Rohm Semiconductor rs1e350gntb-e.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 35A/80A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4060 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+92.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E220ATTB1 RS1E220ATTB1 Rohm Semiconductor datasheet?p=RS1E220AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 30V 22A/76A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5850 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E220ATTB1 RS1E220ATTB1 Rohm Semiconductor datasheet?p=RS1E220AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 30V 22A/76A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5850 pF @ 15 V
на замовлення 2166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+255.75 грн
10+160.50 грн
50+123.69 грн
100+104.94 грн
500+85.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E350BNTB1 RS1E350BNTB1 Rohm Semiconductor rs1e350bntb-e.pdf Description: NCH 30V 80A POWER MOSFET: RS1E35
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7900 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E170GNTB RS1E170GNTB Rohm Semiconductor datasheet?p=RS1E170GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 17A 8-HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDR03EZPF3901 sdr-e.pdf
SDR03EZPF3901
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RES SMD 3.9 KOHM 1% 0.3W 0603
Power (Watts): 0.3W
Tolerance: ±1%
Features: Pulse Withstanding
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0603
Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm)
Part Status: Active
Resistance: 3.9 kOhms
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDR03EZPF3901 sdr-e.pdf
SDR03EZPF3901
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RES SMD 3.9 KOHM 1% 0.3W 0603
Power (Watts): 0.3W
Tolerance: ±1%
Features: Pulse Withstanding
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0603
Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm)
Part Status: Active
Resistance: 3.9 kOhms
на замовлення 1666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+12.67 грн
50+6.18 грн
73+4.18 грн
100+3.34 грн
500+2.40 грн
1000+2.11 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BM2P109TF-E2 bm2p109tf-e.pdf
BM2P109TF-E2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC OFFLINE SW FULL-BRIDGE 8SOP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+68.02 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BM2P109TF-E2 bm2p109tf-e.pdf
BM2P109TF-E2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC OFFLINE SW FULL-BRIDGE 8SOP
на замовлення 4922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+141.73 грн
10+122.68 грн
25+115.74 грн
100+92.53 грн
250+86.88 грн
500+76.02 грн
1000+61.96 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD900N1G-CTR datasheet?p=BD900N1G-C&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BD900N1G-CTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: QUICUR, NANO CAP, 150MA, ADJUSTA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 150mA
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 60 µA
Voltage - Input (Max): 42V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 5-SSOP
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 1.8V @ 150mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Short Circuit, Under Voltage Lockout (UVLO)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD900N1G-CTR datasheet?p=BD900N1G-C&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BD900N1G-CTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: QUICUR, NANO CAP, 150MA, ADJUSTA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 150mA
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 60 µA
Voltage - Input (Max): 42V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 5-SSOP
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 1.8V @ 150mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Short Circuit, Under Voltage Lockout (UVLO)
на замовлення 2894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+93.43 грн
10+80.52 грн
25+76.43 грн
100+58.93 грн
250+55.08 грн
500+48.68 грн
1000+37.80 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SFR18EZPJ470 sfr-e.pdf
SFR18EZPJ470
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SULFUR TOLERANT CHIP RESISTORS :
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+1.40 грн
10000+1.26 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SFR18EZPJ470 sfr-e.pdf
SFR18EZPJ470
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SULFUR TOLERANT CHIP RESISTORS :
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
27+11.88 грн
31+9.91 грн
100+3.87 грн
1000+1.52 грн
2500+1.39 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SFR18EZPJ131 sfr-e.pdf
SFR18EZPJ131
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SULFUR TOLERANT CHIP RESISTORS :
Power (Watts): 0.25W, 1/4W
Tolerance: ±5%
Features: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Temperature Coefficient: ±200ppm/°C
Size / Dimension: 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 1206
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Part Status: Active
Resistance: 130 Ohms
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+1.56 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SFR18EZPJ131 sfr-e.pdf
SFR18EZPJ131
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SULFUR TOLERANT CHIP RESISTORS :
Power (Watts): 0.25W, 1/4W
Tolerance: ±5%
Features: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Temperature Coefficient: ±200ppm/°C
Size / Dimension: 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 1206
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Part Status: Active
Resistance: 130 Ohms
на замовлення 9890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+13.46 грн
28+10.98 грн
100+4.32 грн
1000+1.70 грн
2500+1.55 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SFR18EZPJ3R3 sfr-e.pdf
SFR18EZPJ3R3
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SULFUR TOLERANT CHIP RESISTORS :
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+1.40 грн
10000+1.26 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SFR18EZPJ3R3 sfr-e.pdf
SFR18EZPJ3R3
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SULFUR TOLERANT CHIP RESISTORS :
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
27+11.88 грн
31+9.91 грн
100+3.87 грн
1000+1.52 грн
2500+1.39 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SFR18EZPF1200 sfr-e.pdf
SFR18EZPF1200
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SULFUR TOLERANT CHIP RESISTORS :
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+2.17 грн
10000+1.95 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SFR18EZPF1200 sfr-e.pdf
SFR18EZPF1200
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SULFUR TOLERANT CHIP RESISTORS :
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+18.21 грн
20+15.33 грн
100+5.98 грн
1000+2.35 грн
2500+2.15 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SFR18EZPJ331 sfr-e.pdf
SFR18EZPJ331
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SULFUR TOLERANT CHIP RESISTORS :
Power (Watts): 0.25W, 1/4W
Tolerance: ±5%
Features: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Temperature Coefficient: ±200ppm/°C
Size / Dimension: 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 1206
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Part Status: Active
Resistance: 330 Ohms
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+1.64 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SFR18EZPJ331 sfr-e.pdf
SFR18EZPJ331
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SULFUR TOLERANT CHIP RESISTORS :
Power (Watts): 0.25W, 1/4W
Tolerance: ±5%
Features: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Temperature Coefficient: ±200ppm/°C
Size / Dimension: 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 1206
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Part Status: Active
Resistance: 330 Ohms
на замовлення 7932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
23+14.25 грн
27+11.59 грн
100+4.52 грн
1000+1.77 грн
2500+1.63 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BR24T32FVJ-WE2 datasheet?p=BR24T32FVJ-W&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BR24T32FVJ-WE2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC EEPROM 32KBIT I2C 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.6V ~ 5.5V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 400 kHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 8-TSSOP-BJ
Write Cycle Time - Word, Page: 5ms
Memory Interface: I2C
Memory Organization: 4K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BR24T32FVT-WE2 datasheet?p=BR24T32FVT-W&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BR24T32FVT-WE2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC EEPROM 32KBIT I2C 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.6V ~ 5.5V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 400 kHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 8-TSSOP-B
Write Cycle Time - Word, Page: 5ms
Memory Interface: I2C
Memory Organization: 4K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RW4E045AJTCL1 datasheet?p=RW4E045AJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RW4E045AJTCL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 30V 4.5A POWER MOSFET: RW4E0
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: DFN1616-7T
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 15 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RW4E045ATTCL1 datasheet?p=RW4E045AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RW4E045ATTCL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: PCH -30V -4.5A POWER MOSFET. RW4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: DFN1616-7T
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 15 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RW4E045ATTCL1 datasheet?p=RW4E045AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RW4E045ATTCL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: PCH -30V -4.5A POWER MOSFET. RW4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: DFN1616-7T
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 15 V
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+90.26 грн
10+54.59 грн
100+35.90 грн
500+26.16 грн
1000+23.73 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R8008ANJGTL datasheet?p=R8008ANJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R8008ANJGTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 800V 8A POWER MOSFET : R8008
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.03Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R8008ANJGTL datasheet?p=R8008ANJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R8008ANJGTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 800V 8A POWER MOSFET : R8008
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.03Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+480.62 грн
10+311.16 грн
100+225.43 грн
500+177.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R8003KNXC7G datasheet?p=R8003KNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R8003KNXC7G
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 800V 3A, TO-220FM, HIGH-SPEED SW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 100 V
на замовлення 477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+176.57 грн
10+141.29 грн
100+112.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R8002KNXC7G datasheet?p=R8002KNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R8002KNXC7G
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 800V 1.6A, TO-220FM, HIGH-SPEED
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
на замовлення 914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+205.08 грн
10+127.41 грн
50+97.32 грн
100+82.23 грн
500+66.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R8006KNXC7G datasheet?p=R8006KNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R8006KNXC7G
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 6A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R8006KNXC7G datasheet?p=R8006KNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R8006KNXC7G
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 6A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 100 V
на замовлення 242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+313.55 грн
10+198.55 грн
50+154.42 грн
100+131.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R8002KND3TL1 datasheet?p=R8002KND3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R8002KND3TL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 1.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-252GE
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R8002KND3TL1 datasheet?p=R8002KND3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R8002KND3TL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 1.
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-252GE
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
на замовлення 396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+144.11 грн
10+88.68 грн
100+60.05 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R8009KNXC7G datasheet?p=R8009KNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R8009KNXC7G
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 9A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+135.09 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R8009KNXC7G datasheet?p=R8009KNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R8009KNXC7G
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 9A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 100 V
на замовлення 1238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+368.98 грн
10+235.76 грн
50+184.66 грн
100+157.83 грн
500+140.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R8003KND3TL1 datasheet?p=R8003KND3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R8003KND3TL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 3A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R8003KND3TL1 datasheet?p=R8003KND3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R8003KND3TL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 3A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 100 V
на замовлення 623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+228.83 грн
10+143.12 грн
50+109.75 грн
100+92.90 грн
500+75.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSS070P05HZGTB datasheet?p=RSS070P05HZG&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
RSS070P05HZGTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: PCH -45V -7A POWER MOSFET. RSS07
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSS070P05HZGTB datasheet?p=RSS070P05HZG&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
RSS070P05HZGTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: PCH -45V -7A POWER MOSFET. RSS07
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+173.40 грн
10+106.75 грн
50+81.01 грн
100+68.23 грн
500+54.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTV80TS65GC11 datasheet?p=RGTV80TS65&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RGTV80TS65GC11
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 78A TO-247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 39ns/113ns
Switching Energy: 1.02mJ (on), 710µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 81 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 78 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 234 W
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+488.54 грн
30+268.90 грн
120+224.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGTV80TK65GVC11 datasheet?p=RGTV80TK65&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RGTV80TK65GVC11
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 39A TO-3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-3PFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 39ns/113ns
Switching Energy: 1.02mJ (on), 710µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 81 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 39 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 85 W
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+245.46 грн
30+128.83 грн
120+105.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD7800FP-E2
BD7800FP-E2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG LINEAR 5A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C3V0LYFHT116 datasheet?p=BZX84C3V0LYFH&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BZX84C3V0LYFHT116
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 3V 250MW SOT23
Tolerance: ±6.67%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3 V
Impedance (Max) (Zzt): 95 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Power - Max: 250 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C3V0LYFHT116 datasheet?p=BZX84C3V0LYFH&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BZX84C3V0LYFHT116
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 3V 250MW SOT23
Tolerance: ±6.67%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3 V
Impedance (Max) (Zzt): 95 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Power - Max: 250 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+25.34 грн
20+15.25 грн
50+10.96 грн
100+8.98 грн
500+6.65 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ27VCLYFHT116 datasheet?p=MMBZ27VCLYFH&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
MMBZ27VCLYFHT116
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 22V, SOT-23, CATHODE COMMON, AUT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 22V (Max)
Supplier Device Package: SOT-23
Unidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 25.65V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 38V
Power - Peak Pulse: 40W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+11.18 грн
6000+10.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ27VCLYFHT116 datasheet?p=MMBZ27VCLYFH&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
MMBZ27VCLYFHT116
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 22V, SOT-23, CATHODE COMMON, AUT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 22V (Max)
Supplier Device Package: SOT-23
Unidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 25.65V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 38V
Power - Peak Pulse: 40W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+33.26 грн
12+27.30 грн
100+18.98 грн
500+13.90 грн
1000+11.30 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUS1DJC3GWZ-E2 datasheet?p=BUS1DJC3GWZ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BUS1DJC3GWZ-E2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC POWER SW UCSP30L1
Features: Load Discharge, Slew Rate Controlled
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 140mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 1.1V ~ 5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 2A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: UCSP30L1
Fault Protection: Short Circuit
Part Status: Active
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUS1DJC3GWZ-E2 datasheet?p=BUS1DJC3GWZ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BUS1DJC3GWZ-E2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC POWER SW UCSP30L1
Features: Load Discharge, Slew Rate Controlled
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 140mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 1.1V ~ 5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 2A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: UCSP30L1
Fault Protection: Short Circuit
Part Status: Active
на замовлення 1520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+32.46 грн
14+21.96 грн
25+19.55 грн
100+15.91 грн
250+14.74 грн
500+14.04 грн
1000+13.24 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDR10EZPJ360 sdr-e.pdf
SDR10EZPJ360
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: HIGH ANTI-SURGE THICK FILM CHIP
Power (Watts): 0.5W, 1/2W
Tolerance: ±5%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: ±200ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0805
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Part Status: Active
Resistance: 36 Ohms
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+2.04 грн
10000+1.83 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDR10EZPJ360 sdr-e.pdf
SDR10EZPJ360
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: HIGH ANTI-SURGE THICK FILM CHIP
Power (Watts): 0.5W, 1/2W
Tolerance: ±5%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: ±200ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0805
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Part Status: Active
Resistance: 36 Ohms
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
19+17.42 грн
22+14.41 грн
50+7.59 грн
100+5.28 грн
500+3.19 грн
1000+2.21 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDR10EZPJ132 sdr-e.pdf
SDR10EZPJ132
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: HIGH ANTI-SURGE THICK FILM CHIP
Power (Watts): 0.5W, 1/2W
Tolerance: ±5%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: ±200ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0805
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Part Status: Active
Resistance: 1.3 kOhms
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDR10EZPJ132 sdr-e.pdf
SDR10EZPJ132
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: HIGH ANTI-SURGE THICK FILM CHIP
Power (Watts): 0.5W, 1/2W
Tolerance: ±5%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: ±200ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0805
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Part Status: Active
Resistance: 1.3 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SDR03EZPD8062 sdr-e.pdf
SDR03EZPD8062
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: HIGH ANTI-SURGE THICK FILM CHIP
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+1.91 грн
10000+1.72 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDR03EZPD8062 sdr-e.pdf
SDR03EZPD8062
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: HIGH ANTI-SURGE THICK FILM CHIP
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+16.63 грн
23+13.50 грн
100+5.28 грн
1000+2.07 грн
2500+1.90 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDR03EZPD3000 sdr-e.pdf
SDR03EZPD3000
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: HIGH ANTI-SURGE THICK FILM CHIP
Power (Watts): 0.3W
Tolerance: ±0.5%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0603
Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm)
Part Status: Active
Resistance: 300 Ohms
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+2.34 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDR03EZPD3000 sdr-e.pdf
SDR03EZPD3000
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: HIGH ANTI-SURGE THICK FILM CHIP
Power (Watts): 0.3W
Tolerance: ±0.5%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0603
Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm)
Part Status: Active
Resistance: 300 Ohms
на замовлення 9367 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
23+14.25 грн
41+7.55 грн
60+5.14 грн
100+4.16 грн
500+3.05 грн
1000+2.70 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDR10EZPF1R60 sdr-e.pdf
SDR10EZPF1R60
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: HIGH ANTI-SURGE THICK FILM CHIP
Power (Watts): 0.5W, 1/2W
Tolerance: ±1%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0805
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Resistance: 1.6 Ohms
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+2.64 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDR10EZPF1R60 sdr-e.pdf
SDR10EZPF1R60
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: HIGH ANTI-SURGE THICK FILM CHIP
Power (Watts): 0.5W, 1/2W
Tolerance: ±1%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0805
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Resistance: 1.6 Ohms
на замовлення 9570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+22.96 грн
17+18.60 грн
50+9.82 грн
100+6.83 грн
500+4.13 грн
1000+2.86 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD63525AEFV-EVK-001 bd63xxxefv-evk-001_ug-e.pdf
BD63525AEFV-EVK-001
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: EVAL BOARD FOR BD63525A
Packaging: Bulk
Function: Motor Controller/Driver
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: BD63525A
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: 8V ~ 28V Supply
Embedded: No
Part Status: Active
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+9805.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E350GNTB rs1e350gntb-e.pdf
RS1E350GNTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 35A/80A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4060 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+92.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E220ATTB1 datasheet?p=RS1E220AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RS1E220ATTB1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 22A/76A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5850 pF @ 15 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E220ATTB1 datasheet?p=RS1E220AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RS1E220ATTB1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 22A/76A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5850 pF @ 15 V
на замовлення 2166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+255.75 грн
10+160.50 грн
50+123.69 грн
100+104.94 грн
500+85.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E350BNTB1 rs1e350bntb-e.pdf
RS1E350BNTB1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 30V 80A POWER MOSFET: RS1E35
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7900 pF @ 15 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E170GNTB datasheet?p=RS1E170GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RS1E170GNTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 17A 8-HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.